WO2012063845A1 - 有機素子材料 - Google Patents

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hydrogen atom
insulating layer
thin film
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公 矢作
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住友化学株式会社
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    • H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene

Definitions

  • the present invention relates to a material for forming an organic element, and more particularly to a material for forming an insulating layer of the organic element.
  • Organic elements such as organic thin film transistors, organic electroluminescence elements and organic photoelectric conversion elements have a functional layer made of an organic material.
  • a functional layer made of an organic material can be formed by application of a solution containing an organic material or film formation using a printing method, and can generally be formed more easily and at a lower temperature than a functional layer made of an inorganic material.
  • an organic element may be able to manufacture a large number of elements on a large-area substrate at a low cost.
  • a plastic substrate or a film can be used as the substrate of the element, and by using such a substrate, there is a case where an element that is flexible, lightweight, and hardly broken can be obtained.
  • organic materials having a wide range of characteristic variations can be manufactured if materials having different molecular structures are used for examination.
  • organic materials may deteriorate in function due to the action of energy such as heat even if they are not heated to a very high temperature. Therefore, in order to obtain a higher-performance organic element, it is desirable to manufacture the organic element by using an organic material that can be heated as little as possible at the time of manufacturing the organic element and using a manufacturing method that requires as little heating as possible.
  • a voltage applied to a gate electrode acts on a semiconductor layer to control on / off of a drain current. Therefore, in order to prevent drain current from flowing to the gate electrode, a gate insulating layer is formed between the gate electrode and the semiconductor layer.
  • organic semiconductor compounds used in field effect organic thin film transistors are easily affected by the environment such as humidity and oxygen, and the transistor characteristics are likely to deteriorate over time due to humidity, oxygen and the like.
  • the organic semiconductor compound is coated and protected by a gate insulating layer.
  • an insulating layer material is used to form an overcoat layer, a gate insulating layer, and the like that cover the organic semiconductor layer in the organic thin film transistor.
  • an insulating layer or an insulating film of an organic thin film transistor such as the overcoat layer and the gate insulating layer is referred to as an organic thin film transistor insulating layer.
  • a material used for forming the organic thin film transistor insulating layer is referred to as an organic thin film transistor insulating layer material.
  • the material as used in this specification is a concept including amorphous materials such as a polymer compound, a composition containing the polymer compound, a resin, and a resin composition.
  • the insulating layer as used in this specification is not limited to a layered member, and may broadly mean an insulating member in an organic element.
  • the organic thin film transistor insulating layer material is required to have excellent insulating properties and excellent dielectric breakdown strength when formed into a thin film.
  • a semiconductor layer is formed so as to overlap with a gate insulating layer. Therefore, the organic thin film transistor gate insulating layer material has an affinity with the organic semiconductor for forming an interface closely adhered to the organic semiconductor, and the organic semiconductor layer side surface of the film formed from the organic thin film transistor gate insulating layer material is flat. It is required to be.
  • Non-Patent Document 1 reports a gate insulating layer obtained by crosslinking poly (4-vinylphenyl-co-methyl methacrylate) (PVP-PMMA) at 150 ° C. as a gate insulating layer in an organic field effect transistor. Yes.
  • the organic field effect transistor using the above resin for the insulating layer uses a high temperature process for manufacturing the insulating layer, and there is a problem that the absolute value of the threshold voltage (Vth) is not sufficiently small.
  • Vth threshold voltage
  • the present invention solves the above-mentioned conventional problems, and an object of the present invention is to provide an organic element material that can be cross-linked without performing a heat treatment at a high temperature.
  • the present invention is an organic element material containing a polymer compound, the polymer compound comprising a repeating unit represented by the following formula (1), a repeating unit represented by the following formula (2), And the organic element material which is a high molecular compound which has at least 1 sort (s) of repeating unit chosen from the group which consists of a repeating unit represented by following formula (3).
  • R 1 represents a hydrogen atom or a methyl group.
  • R represents a hydrogen atom or a monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms.
  • Rf represents a fluorine atom or a monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms having a fluorine atom.
  • R aa represents a connecting portion that connects the main chain and the side chain of the polymer compound.
  • a hydrogen atom in the linking moiety may be substituted with a fluorine atom.
  • a represents an integer of 0 or 1
  • b represents an integer of 1 to 5.
  • R represents a repeating unit represented by:
  • R 2 represents a hydrogen atom or a methyl group.
  • R 3 to R 9 each independently represents a hydrogen atom or a monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms. A hydrogen atom in the monovalent organic group may be substituted with a fluorine atom.
  • R bb represents a linking moiety that links the main chain and the side chain of the polymer compound. A hydrogen atom in the linking moiety may be substituted with a fluorine atom.
  • R 10 represents a hydrogen atom or a methyl group.
  • R 11 to R 17 each independently represents a hydrogen atom or a monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms.
  • a hydrogen atom in the monovalent organic group may be substituted with a fluorine atom.
  • R cc represents a connecting portion that connects the main chain and the side chain of the polymer compound.
  • a hydrogen atom in the linking moiety may be substituted with a fluorine atom.
  • the organic element material is an organic thin film transistor insulating layer material.
  • the present invention also includes a step of applying a liquid containing the organic element material onto a surface of a member constituting the organic element to form a coating layer; and irradiating the coating layer with light or an electron beam.
  • Cross-linking organic element material thereby forming an organic element insulating layer;
  • a method for forming an organic element insulating layer having the following is provided.
  • the light has a wavelength of 150 to 450 nm.
  • the present invention also provides an organic thin film transistor having an overcoat insulating layer formed using the organic thin film transistor insulating layer material.
  • the present invention also provides an organic thin film transistor having a gate insulating layer formed using the organic thin film transistor insulating layer material.
  • the present invention also provides a display member formed using the organic element material.
  • the present invention also provides a display including the display member.
  • the organic element material of the present invention can be crosslinked at a low temperature.
  • the organic element material of the present invention is used as a material for forming the organic thin film transistor insulating layer, the absolute value of the threshold voltage (Vth) of the organic thin film transistor is reduced.
  • the “polymer compound” refers to a compound containing a structure in which a plurality of the same structural units are repeated in the molecule, and includes a so-called dimer.
  • the “low molecular compound” means a compound that does not have the same structural unit repeatedly in the molecule.
  • Organic material means a material made of an organic compound or a material containing an organic compound.
  • Organic element means an element having a functional layer made of an organic material.
  • the “functional layer” means a layer having an electrical function.
  • An organic element material means the organic material used in order to form the functional layer which comprises organic elements, such as an organic thin-film transistor, an organic electroluminescent element, and an organic photoelectric conversion element.
  • organic element material include an organic thin film transistor material used for an organic thin film transistor, an organic electroluminescence element material used for an organic electroluminescence element, and an organic photoelectric conversion element material used for an organic photoelectric conversion element.
  • organic thin film transistor material include organic thin film transistor insulating layer materials used for insulating layers such as a gate insulating layer and an overcoat layer.
  • the organic element material of the present invention contains a fluorine compound and a polymer compound containing a group that can form a crosslinked structure without being treated at high temperature, or contains a fluorine atom and is crosslinked without being treated at high temperature. It is a composition containing a polymer compound containing a group capable of forming a structure.
  • the organic layer formed from the organic element material has low polarity, and the polarization of the organic layer is suppressed.
  • a crosslinked structure is formed inside the organic layer, the movement of molecules in the organic layer is suppressed, and the polarization of the organic layer is suppressed.
  • a gate insulating layer that is one embodiment of an organic layer is formed using an organic element material, polarization of the gate insulating layer is suppressed, hysteresis of the organic thin film transistor including the gate insulating layer is reduced, and operation accuracy is improved. improves.
  • the fluorine atom does not replace the hydrogen atom of the main chain of the polymer compound, but replaces the hydrogen atom of the side chain or side group (pendant group).
  • the fluorine atom is substituted with a side chain or a side group, the affinity of the polymer compound for other organic materials such as an organic semiconductor is not lowered, and in the formation of the layer containing the organic material, the organic material is It becomes easy to form a layer in contact with the exposed surface of the organic layer formed from the polymer compound.
  • the group capable of forming a crosslinked structure may be any group that can react with other groups and dimerize. Groups that can be dimerized by reacting with each other can form a crosslinked structure inside the organic layer by bonding two groups.
  • the group that can be dimerized by reacting with another group is a functional group that absorbs light energy or electron energy to cause a dimerization reaction (referred to as “photodimerization reactive group” in this specification). Is preferred.
  • the reason why the photodimerization reactive group is preferable is that it is not necessary to perform heat treatment for a long time at a high temperature in order to crosslink the organic element material, and the deterioration of the organic element characteristics in the process of forming the organic layer is suppressed. In particular, when an organic element material is used for an insulating layer of an organic thin film transistor, deterioration in characteristics of the organic thin film transistor in the process of forming the insulating layer is suppressed.
  • the light absorbed by the photodimerization reactive group has a high energy because the photodimerization reactive group remaining when the organic device material is formed by the photopolymerization method may react if the energy is too low.
  • Light preferable for absorption by the photodimerization reactive group is ultraviolet light, for example, light having a wavelength of 450 nm or less, preferably 150 to 450 nm.
  • “Dimerization” here means that two molecules of an organic compound are chemically bonded.
  • the molecules to be bound may be the same or different.
  • the chemical structures of the functional groups involved in dimerization in the two molecules to be dimerized may be the same or different.
  • the functional group has a structure and a combination that cause a photodimerization reaction even when a reaction aid such as a catalyst and an initiator is not used. This is because contact with the residue of the reaction aid may cause deterioration of surrounding organic materials.
  • preferable groups containing a fluorine atom include an aryl group in which a hydrogen atom is substituted with fluorine, an alkylaryl group in which a hydrogen atom is substituted with fluorine, particularly a phenyl group in which a hydrogen atom is substituted with fluorine, and a hydrogen atom in fluorine.
  • Preferred examples of the photodimerization reactive group include an aryl group in which a hydrogen atom is substituted with a halomethyl group, a vinyl group in which the hydrogen atom at the 2-position is substituted with an aryl group, and a hydrogen atom at the 2-position is substituted with an arylcarbonyl group
  • a vinyl group particularly preferably a phenyl group in which a hydrogen atom is substituted with a halomethyl group, a vinyl group in which the hydrogen atom at the 2-position is substituted with a phenyl group, and a vinyl in which the hydrogen atom at the 2-position is substituted with a phenylcarbonyl group It is a group.
  • the affinity for other organic materials such as an organic semiconductor is improved, and the layer containing the organic material is formed from the polymer compound. It becomes easy to form a flat layer in contact with the exposed surface of the organic layer.
  • the polymer compound containing a fluorine atom preferably contains a repeating unit having a group containing a fluorine atom.
  • the repeating unit having a group containing a fluorine atom is preferably a repeating unit represented by the above formula (1).
  • the repeating unit having a photodimerization reactive group is preferably a repeating unit represented by the above formula (2) or a repeating unit represented by the above formula (3).
  • a preferred embodiment of the organic element material of the present invention is a group consisting of a repeating unit represented by the formula (1), a repeating unit represented by the formula (2), and a repeating unit represented by the formula (3). It is a high molecular compound which has at least 1 sort (s) of repeating unit chosen.
  • R 1 represents a hydrogen atom or a methyl group. In one embodiment, R 1 is a hydrogen atom.
  • R aa represents a connecting portion that connects the main chain and the side chain of the polymer compound. The connecting portion may be a divalent group having a structure that does not exhibit reactivity under the environmental conditions for crosslinking the organic element material of the present invention.
  • linking moiety examples include a divalent organic group having 1 to 20 carbon atoms, a group consisting of an ether bond (—O—), a group consisting of a ketone bond (—CO—), an ester bond (—COO—, — Examples thereof include a group consisting of OCO-), a group consisting of an amide bond (-NHCO-, -CONH-), a group consisting of a urethane bond (-NHCOO-, -OCONH-), and a group in which these groups are combined.
  • a hydrogen atom in the linking moiety may be substituted with a fluorine atom.
  • a represents an integer of 0 or 1. In one embodiment, a is 0.
  • R represents a hydrogen atom or a monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms. When there are a plurality of R, they may be the same or different. In one certain aspect, R is a hydrogen atom. Rf represents a fluorine atom or a monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms having a fluorine atom. When there are a plurality of Rf, they may be the same or different. In one certain aspect, Rf is a fluorine atom. b represents an integer of 1 to 5. In one embodiment, b is 5.
  • the divalent organic group having 1 to 20 carbon atoms may be linear, branched or cyclic, and may be an aliphatic hydrocarbon group or an aromatic hydrocarbon group.
  • a divalent linear aliphatic hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms a divalent branched aliphatic hydrocarbon group having 3 to 20 carbon atoms, and a divalent cyclic hydrocarbon group having 3 to 20 carbon atoms
  • a divalent aromatic hydrocarbon group having 6 to 20 carbon atoms which may be substituted with an alkyl group or the like.
  • a divalent linear aliphatic hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms a divalent linear aliphatic hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms, a divalent branched aliphatic hydrocarbon group having 3 to 6 carbon atoms, and a divalent cyclic hydrocarbon group having 3 to 6 carbon atoms.
  • a divalent aromatic hydrocarbon group having 6 to 20 carbon atoms which may be substituted with an alkyl group or the like is preferable.
  • divalent aliphatic hydrocarbon group and the divalent cyclic hydrocarbon group include a methylene group, an ethylene group, a propylene group, a butylene group, a pentylene group, a hexylene group, an isopropylene group, an isobutylene group, and a dimethylpropylene group.
  • divalent aromatic hydrocarbon group having 6 to 20 carbon atoms include phenylene group, naphthylene group, anthrylene group, dimethylphenylene group, trimethylphenylene group, ethylenephenylene group, diethylenephenylene group, triethylenephenylene group, Examples thereof include a propylene phenylene group, a butylene phenylene group, a methyl naphthylene group, a dimethyl naphthylene group, a trimethyl naphthylene group, a vinyl naphthylene group, an ethenyl naphthylene group, a methyl anthrylene group, and an ethyl anthrylene group.
  • the monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms may be linear, branched or cyclic, and may be saturated or unsaturated.
  • Examples of the monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms include a linear hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms, a branched hydrocarbon group having 3 to 20 carbon atoms, and a cyclic hydrocarbon having 3 to 20 carbon atoms.
  • a hydrogen atom in the group may be substituted with an alkyl group, a chlorine atom, a bromine atom, an iodine atom or the like.
  • R is a monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms
  • the monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms does not have a fluorine atom.
  • Specific examples of the monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms include methyl group, ethyl group, propyl group, butyl group, pentyl group, hexyl group, isopropyl group, isobutyl group, tertiary butyl group, and cyclopropyl group.
  • Cyclobutyl group cyclopentyl group, cyclohexyl group, cyclopentynyl group, cyclohexylinyl group, phenyl group, naphthyl group, anthryl group, tolyl group, xylyl group, dimethylphenyl group, trimethylphenyl group, ethylphenyl group, diethylphenyl group, Triethylphenyl, propylphenyl, butylphenyl, methylnaphthyl, dimethylnaphthyl, trimethylnaphthyl, vinylnaphthyl, ethenylnaphthyl, methylanthryl, ethylanthryl, chlorophenyl, bromophenyl, etc. It is done.
  • Specific examples of the monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms having a fluorine atom represented by Rf include a pentafluorophenyl group and a trifluoromethylphenyl group.
  • R 2 represents a hydrogen atom or a methyl group.
  • R 2 is hydrogen atom.
  • R 3 to R 9 each independently represents a hydrogen atom or a monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms. A hydrogen atom in the monovalent organic group may be substituted with a fluorine atom. In one embodiment, R 3 to R 9 are hydrogen atoms.
  • R bb represents a connecting portion that connects the main chain and the side chain of the polymer compound. A hydrogen atom in the linking moiety may be substituted with a fluorine atom. In one certain form, Rbb is an ethylene group.
  • the monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms represented by R 3 to R 9 is a monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms having a fluorine atom, the number of carbon atoms having no fluorine atom It may be a monovalent organic group of 1 to 20.
  • the definition and specific examples of the monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms which do not have a fluorine atom are the same as the definition and specific examples of the monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms represented by R described above. is there.
  • connecting part that connects the main chain and the side chain of the polymer compound represented by R bb are the connections that connect the main chain and the side chain of the polymer compound represented by R aa described above.
  • the definition of the part is the same as the specific example.
  • R 10 represents a hydrogen atom or a methyl group.
  • R 10 is a hydrogen atom.
  • R 11 to R 17 each independently represents a hydrogen atom or a monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms. A hydrogen atom in the monovalent organic group may be substituted with a fluorine atom.
  • R 11 to R 17 are hydrogen atoms.
  • R cc represents a connecting portion that connects the main chain and the side chain of the polymer compound. A hydrogen atom in the linking moiety may be substituted with a fluorine atom.
  • Rcc is a phenylene group.
  • the monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms represented by R 11 to R 17 is a monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms having a fluorine atom, the number of carbon atoms having no fluorine atom It may be a monovalent organic group of 1 to 20.
  • the definition and specific examples of the monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms which do not have a fluorine atom are the same as the definition and specific examples of the monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms represented by R described above. is there.
  • linking part that connects the main chain and the side chain of the polymer compound represented by R cc are linking that connects the main chain and the side chain of the polymer compound represented by R aa described above.
  • the definition of the part is the same as the specific example.
  • the polymer compound contained in the organic element material of the present invention includes a polymerizable monomer that is a raw material of the repeating unit represented by the formula (1) and a polymerizable monomer that is a raw material of the repeating unit represented by the formula (2). Is polymerized using a photopolymerization initiator or a thermal polymerization initiator, or a polymerizable monomer that is a raw material of a repeating unit represented by formula (1) and a raw material of a repeating unit represented by formula (3) Or a polymerizable monomer that is a raw material of the repeating unit represented by the formula (1) and a formula (2).
  • a method of polymerizing using a thermal polymerization initiator is preferable.
  • Examples of the polymerizable monomer that is a raw material for the repeating unit represented by the above formula (1) include 2-fluorostyrene, 3-fluorostyrene, 4-fluorostyrene, 2,3,4,5,6-pentafluoro. Styrene, 2-trifluoromethylstyrene, 3-trifluoromethylstyrene, 4-trifluoromethylstyrene, vinyl-4-trifluoromethylphenyl ether, vinyl-2-trifluoromethylbenzoate, vinyl-3-trifluoromethylbenzoate And vinyl-4-trifluoromethylbenzoate.
  • Examples of the polymerizable monomer that is a raw material of the repeating unit represented by the above formula (2) include vinyl cinnamate, cinnamyl methacrylate, cinnamoyloxybutyl methacrylate, and cinnamyliminooxyiminoethyl methacrylate.
  • the repeating unit represented by the formula (2) is a group obtained by removing two hydrogen atoms from a trans isomer compound, but a group obtained by removing two hydrogen atoms from a cis isomer compound is included in the organic element material of the present invention.
  • the polymer compound may have.
  • the polymerizable monomer that is a raw material of the repeating unit represented by the formula (2) may be a trans isomer or a cis isomer.
  • Examples of the polymerizable monomer that is a raw material of the repeating unit represented by the above formula (3) include phenyl vinyl styryl ketone and phenyl (methacryloyloxystyryl) ketone.
  • the repeating unit represented by the formula (3) is a group obtained by removing two hydrogen atoms from a trans isomer compound, but a group obtained by removing two hydrogen atoms from a cis compound is included in the organic element material of the present invention.
  • the polymer compound may have.
  • the polymerizable monomer that is a raw material of the repeating unit represented by the formula (3) may be a trans isomer or a cis isomer.
  • the organic element material of the present invention is a copolymer containing a repeating unit other than the repeating unit represented by the formula (1), the repeating unit represented by the formula (2), and the repeating unit represented by the formula (3). It may be.
  • the copolymer is represented by a polymerizable monomer that is a raw material of the repeating unit represented by the formula (1), a polymerizable monomer that is a raw material of the repeating unit represented by the formula (2), and a formula (3). It can be produced by adding a polymerizable monomer other than the polymerizable monomer as a raw material of the repeating unit during the polymerization.
  • Additional polymerizable monomers used include, for example, vinyl acetate, vinyl propionate, vinyl butyrate, vinyl benzoate, vinyl-2-methylbenzoate, vinyl-3-methylbenzoate, vinyl-4-methylbenzoate, Vinyl methyl ether, vinyl ethyl ether, vinyl propyl ether, vinyl butyl ether, vinyl phenyl ether, vinyl benzyl ether, vinyl-4-methyl phenyl ether, styrene, ⁇ -methyl styrene, 2,4-dimethyl- ⁇ -methyl styrene, o -Methylstyrene, m-methylstyrene, p-methylstyrene, 2,4-dimethylstyrene, 2,5-dimethylstyrene, 2,6-dimethylstyrene, 3,4-dimethylstyrene, 3,5-dimethylstyrene, 2 , 4,6-tri Methylst
  • photopolymerization initiator examples include acetophenone, 2,2-dimethoxy-2-phenylacetophenone, 2,2-diethoxyacetophenone, 4-isopropyl-2-hydroxy-2-methylpropiophenone, 2-hydroxy- 2-methylpropiophenone, 4,4′-bis (diethylamino) benzophenone, benzophenone, methyl (o-benzoyl) benzoate, 1-phenyl-1,2-propanedione-2- (o-ethoxycarbonyl) oxime, -Phenyl-1,2-propanedione-2- (o-benzoyl) oxime, benzoin, benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether, benzoin isopropyl ether, benzoin isobutyl ether, benzoin octyl ether, benzyl, benzyldimethyl
  • the wavelength of light irradiated to the polymerizable monomer is 360 nm or more, preferably 360 to 450 nm.
  • the thermal polymerization initiator may be any compound that serves as a radical polymerization initiator.
  • the heating temperature of the polymerizable monomer is 40 to 150 ° C., preferably 50 to 80 ° C.
  • the heating temperature of the polymerizable monomer may be appropriately adjusted depending on the type of thermal polymerization initiator used.
  • the polymer compound contained in the organic element material of the present invention preferably has a weight average molecular weight of 3,000 to 1,000,000, more preferably 5,000 to 500,000.
  • the polymer compound may be linear, branched or cyclic.
  • the amount of the polymerizable monomer used as the raw material of the repeating unit represented by the formula (1) is the amount of fluorine atoms introduced into the organic thin film transistor insulating layer material. The amount is adjusted to an appropriate amount.
  • the amount of fluorine atoms introduced into the organic element material is preferably 1 to 60% by mass, more preferably 5 to 50% by mass, and further preferably 5 to 40% by mass with respect to the mass of the organic element material.
  • the organic element material is used for an insulating layer of a field effect type organic thin film transistor, if the amount of fluorine atoms is less than 1% by mass, the effect of reducing the hysteresis of the organic field effect transistor may be insufficient. If it exceeds 60% by mass, the affinity for other organic materials may decrease, and it may be difficult to form a layer in contact with the exposed surface of the insulating layer.
  • the charged molar amount of the polymerizable monomer that is a raw material of the repeating unit represented by the formula (1) is preferably 5 mol% or more with respect to the total of all monomers used for polymerization. It is 95 mol% or less, More preferably, it is 15 mol% or more and 85 mol% or less, More preferably, it is 30 mol% or more and 70 mol% or less.
  • the polymer compound contained in the organic element material of the present invention contains a repeating unit represented by the formula (2)
  • polymerization that becomes a raw material of the repeating unit represented by the formula (2) The molar amount of the monomer to be charged is preferably 1 mol% or more and 95 mol% or less, more preferably 5 mol% or more and 80 mol% or less, and still more preferably 10 mol%, based on the total of all monomers used for polymerization.
  • the mol% is 70 mol% or more.
  • the organic element material When the organic element material is used for an insulating layer of a field effect type organic thin film transistor, when the charged amount of the polymerizable monomer serving as the raw material of the repeating unit represented by the formula (2) is less than 1 mol%, the organic thin film transistor is insulated. In some cases, the layer material cannot obtain sufficient solvent resistance, and when it is greater than 95 mol%, the storage stability of the organic thin film transistor insulating layer material may be poor.
  • the charged molar amount of the polymerizable monomer that is a raw material of the repeating unit represented by the formula (2) is preferably 5 mol% or more with respect to the total of all monomers used for the polymerization. It is 95 mol% or less, More preferably, it is 15 mol% or more and 85 mol% or less, More preferably, it is 30 mol% or more and 70 mol% or less.
  • the polymer compound contained in the organic element material of the present invention contains a repeating unit represented by the formula (3)
  • polymerization that becomes a raw material of the repeating unit represented by the formula (3) The molar amount of the monomer to be charged is preferably 1 mol% or more and 95 mol% or less, more preferably 5 mol% or more and 80 mol% or less, and still more preferably 10 mol%, based on the total of all monomers used for polymerization.
  • the mol% is 70 mol% or more.
  • the organic element material When the organic element material is used for an insulating layer of a field effect type organic thin film transistor, when the charged amount of the polymerizable monomer serving as the raw material of the repeating unit represented by the formula (3) is less than 1 mol%, the organic thin film transistor is insulated. In some cases, the layer material cannot obtain sufficient solvent resistance, and when it is greater than 95 mol%, the storage stability of the organic thin film transistor insulating layer material may be poor.
  • the charged molar amount of the polymerizable monomer that is a raw material of the repeating unit represented by the formula (3) is preferably 5 mol% or more with respect to the total of all monomers used for polymerization. It is 95 mol% or less, More preferably, it is 15 mol% or more and 85 mol% or less, More preferably, it is 30 mol% or more and 70 mol% or less.
  • organic element material of the present invention examples include poly (styrene-co-vinylcinnamate-co-pentafluorostyrene), poly (styrene-co-vinylcinnamate-co-pentafluorostyrene-co-acrylonitrile), poly (Styrene-co-vinylcinnamate-co-pentafluorostyrene-co-acrylonitrile-co-allyltrimethylgermanium), poly (vinylcinnamate-co-pentafluorostyrene), poly (styrene-co-vinylcinnamate-co -4-chloromethylstyrene-co-pentafluorostyrene), poly (styrene-co-phenylvinylstyrylketone-co-pentafluorostyrene), poly (styrene-co-phenylvinylstyrylketone-co-pentafluor
  • Organic element material of the present invention can be used as an organic thin film transistor insulating layer material, thereby reducing the absolute value of the threshold voltage (Vth) of the organic thin film transistor.
  • the organic thin film transistor insulating layer material of the present invention is at least one selected from the group consisting of a repeating unit represented by formula (1), a repeating unit represented by formula (2), and a repeating unit represented by formula (3).
  • a polymer compound having a seed repeating unit is preferable.
  • the organic element material of the present invention and the organic thin film transistor insulating layer material of the present invention may contain an organic solvent.
  • the organic solvent is not particularly limited as long as it is a good solvent for the polymer compound and a poor solvent for the organic semiconductor compound.
  • butyl acetate, 2-heptanone, propylene glycol monomethyl Examples include ether acetate.
  • the organic element material of the present invention and the organic thin film transistor insulating layer material of the present invention may contain a leveling agent or a surfactant.
  • FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing the structure of a bottom gate type organic thin film transistor which is an embodiment of the present invention.
  • the organic thin film transistor includes a substrate 1, a gate electrode 2 formed on the substrate 1, a gate insulating layer 3 formed on the gate electrode 2, an organic semiconductor layer 4 formed on the gate insulating layer 3, A source electrode 5 and a drain electrode 6 formed on the organic semiconductor layer 4 with a channel portion interposed therebetween, and an overcoat layer 7 covering the entire element are provided.
  • the bottom gate type organic thin film transistor is formed, for example, by forming a gate electrode on a substrate, forming a gate insulating layer on the gate electrode, forming an organic semiconductor layer on the gate insulating layer, and forming a source electrode and a drain on the organic semiconductor layer. It can be manufactured by forming an electrode and forming an overcoat layer.
  • the organic thin film transistor insulating layer material of the present invention is suitably used for forming a gate insulating layer as an organic thin film transistor gate insulating layer material. Moreover, it can also be used for forming an overcoat layer as an organic thin film transistor overcoat layer material.
  • FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing the structure of a top gate type organic thin film transistor which is an embodiment of the present invention.
  • the organic thin film transistor includes a substrate 1, a source electrode 5 and a drain electrode 6 formed on the substrate 1, an organic semiconductor layer 4 formed on these electrodes with a channel portion interposed therebetween, and an organic semiconductor layer 4 A gate insulating layer 3 covering the entire element formed on the gate insulating layer 3 and a gate electrode 2 formed on the surface of the gate insulating layer 3 are provided.
  • a top gate type organic thin film transistor includes, for example, a source electrode and a drain electrode formed on a substrate, an organic semiconductor layer formed on the source electrode and the drain electrode, a gate insulating layer formed on the organic semiconductor layer, and a gate insulating layer It can be manufactured by forming a gate electrode thereon.
  • a solvent or the like is added to prepare an insulating layer coating solution, and the insulating layer coating solution is placed under the gate insulating layer or overcoat layer. This is done by applying to the surface of the layer to be positioned, drying and curing.
  • the organic solvent used in the insulating layer coating solution is not particularly limited as long as it dissolves the polymer compound, but is preferably an organic solvent having a boiling point of 100 ° C. to 200 ° C. at normal pressure. Examples of the organic solvent include 2-heptanone and propylene glycol monomethyl ether acetate.
  • a leveling agent, a surfactant, a curing catalyst, and the like can be added to the insulating layer coating solution as necessary.
  • the insulating layer coating solution can be applied onto the gate electrode by known spin coating, die coater, screen printing, ink jet or the like.
  • the formed coating layer is dried as necessary. Drying here means removing the solvent of the applied resin composition.
  • the dried coating layer is then cured.
  • Curing means that the organic thin film transistor insulating layer material is crosslinked.
  • Cross-linking of the transistor insulating layer material is realized, for example, by combining two photodimerization reactive groups. In that case, by irradiating the coating layer with light or electron beam, radical coupling reaction or cyclization reaction of the photodimerization reactive group of the polymer compound occurs, and the two photodimerization reactive groups are bonded. .
  • Irradiation with light or an electron beam can be performed under a low temperature environment of 50 ° C. or less, preferably 5 to 40 ° C., for example, at room temperature (about 25 ° C.).
  • the irradiation of ultraviolet rays can be performed using, for example, an exposure apparatus used for manufacturing a semiconductor or a UV lamp used for curing a UV curable resin. it can.
  • the electron beam irradiation can be performed using, for example, a micro electron beam irradiation tube.
  • the wavelength of the irradiated light is It is 150 to 450 nm, preferably 190 to 400 nm.
  • the wavelength of light to be irradiated is less than 150 nm, the molecular weight of the crosslinked polymer compound may be low, and when it exceeds 450 nm, the organic thin film transistor insulating layer material may be insufficiently crosslinked.
  • a self-assembled monolayer may be formed on the gate insulating layer.
  • the self-assembled monolayer can be formed, for example, by treating the gate insulating layer with a solution obtained by dissolving 1 to 10% by weight of an alkylchlorosilane compound or an alkylalkoxysilane compound in an organic solvent.
  • alkylchlorosilane compound examples include methyltrichlorosilane, ethyltrichlorosilane, butyltrichlorosilane, decyltrichlorosilane, octadecyltrichlorosilane and the like.
  • alkylalkoxysilane compound examples include methyltrimethoxysilane, ethyltrimethoxysilane, butyltrimethoxysilane, decyltrimethoxysilane, octadecyltrimethoxysilane and the like.
  • the substrate 1, gate electrode 2, source electrode 5, drain electrode 6 and organic semiconductor layer 4 may be composed of commonly used materials and methods. Resin or plastic plates, films, glass plates, silicon plates, etc. are used as the material of the substrate. As the material of the electrode, chromium, gold, silver, aluminum or the like is used, and it is formed by a known method such as a vapor deposition method, a sputtering method, a printing method, or an ink jet method.
  • a ⁇ -conjugated polymer is used as the organic semiconductor compound for forming the organic semiconductor layer 4.
  • polypyrroles, polythiophenes, polyanilines, polyallylamines, fluorenes, polycarbazoles, polyindoles, poly (p -Phenylene vinylene) and the like can be used.
  • low-molecular substances having solubility in organic solvents for example, polycyclic aromatic derivatives such as pentacene, phthalocyanine derivatives, perylene derivatives, tetrathiafulvalene derivatives, tetracyanoquinodimethane derivatives, fullerenes, carbon nanotubes Etc.
  • Specific examples include condensates of 9,9-di-n-octylfluorene-2,7-di (ethylene boronate) and 5,5′-dibromo-2,2′-bithiophene. .
  • the organic semiconductor layer can be formed, for example, by adding a solvent or the like if necessary for the organic semiconductor compound, preparing an organic semiconductor coating solution, applying the organic semiconductor coating solution on the gate insulating layer, and applying the organic semiconductor coating solution to the organic semiconductor coating solution. This is done by drying.
  • the resin constituting the gate insulating layer has a benzene ring and has an affinity for an organic semiconductor compound. Therefore, a uniform and flat interface is formed between the organic semiconductor layer and the insulating layer by the coating and drying method.
  • the solvent used in the organic semiconductor coating solution is not particularly limited as long as it dissolves or disperses the organic semiconductor, but preferably has a boiling point of 50 ° C. to 200 ° C. at normal pressure.
  • the solvent include chloroform, toluene, anisole, 2-heptanone, and propylene glycol monomethyl ether acetate.
  • the organic semiconductor coating liquid can be applied onto the gate insulating layer by a known method such as spin coating, die coater, screen printing, and ink jet as in the case of the insulating layer coating liquid.
  • the insulating layer manufactured using the organic thin film transistor insulating layer material of the present invention can be laminated with a flat film or the like, and a laminated structure can be easily formed. Moreover, an organic electroluminescent element can be suitably mounted on the insulating layer.
  • a display member having an organic thin film transistor can be suitably produced using the organic thin film transistor insulating layer material of the present invention.
  • a display member having the organic thin film transistor a display including the display member can be suitably produced.
  • Organic element material of the present invention can also be used for an organic electroluminescence element.
  • An organic electroluminescent element has a light emitting layer between a pair of electrodes, at least one of which is transparent or translucent.
  • an organic electroluminescence element an element having an anode, a light emitting layer, and a cathode, and an anode having an electron transport layer containing an electron transport material between the cathode and the light emitting layer and adjacent to the light emitting layer, and light emission
  • an element having an anode, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, and a cathode is preferably used for producing an insulating member in the organic electroluminescence element.
  • Organic element material of the present invention can also be used for an organic photoelectric conversion element.
  • the organic photoelectric conversion element has an active layer between a pair of electrodes, at least one of which is transparent or translucent.
  • the organic element material of the present invention is preferably used for producing an insulating member in the organic photoelectric conversion element.
  • Example 1 (Synthesis of polymer compound 1) A 100 ml three-necked flask with a three-way cock was charged with 20.07 g of 3-vinylbenzaldehyde (Aldrich), 23.00 g of acetophenone (Aldrich) and a stir bar, and stirred with a magnetic stirrer to obtain a uniform reaction mixture. Prepared. The flask was immersed in an ice bath, a catalytic amount of concentrated sulfuric acid was added to the reaction mixture while stirring, and the mixture was reacted for 1 hour under ice cooling.
  • Aldrich 3-vinylbenzaldehyde
  • acetophenone Aldrich
  • the flask was removed from the ice bath, and the reaction mixture was continuously stirred at room temperature until the disappearance of the peak of vinylbenzaldehyde as a raw material was confirmed by NMR analysis. After completion of the reaction, the reaction mixture was transferred to a separatory funnel, 100 ml of diethyl ether was added, and washing with water was repeated until the aqueous layer became neutral. After completion of washing with water, the organic layer was separated, the organic layer was dried over magnesium sulfate, the organic layer was filtered, and the filtrate was concentrated with a rotary evaporator to obtain a crude 3-vinylstyrylphenyl ketone. The purity of 3-vinylstyryl phenyl ketone determined from NMR was 74%.
  • 2,3,4,5,6-Pentafluorostyrene (Aldrich) 4.00 g, 3-vinylstyrylphenyl ketone 6.55 g, 2,2′-azobis (isobutyronitrile) 0.05 g, 2-heptanone 24.74 g (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) was put into a 50 ml pressure vessel (made by Ace), bubbled with nitrogen, sealed, and polymerized in an oil bath at 60 ° C. for 48 hours. After completion of the reaction, the reaction mixture was dropped into 500 ml of 2-propanol to reprecipitate polymer compound 1, filtered and dried under reduced pressure to obtain polymer compound 1 as a pale yellow solid.
  • the polymer compound 1 is used as an organic thin film transistor insulating layer material.
  • the high molecular compound 1 has the following repeating unit. Here, the attached numbers in parentheses indicate the mole fraction of repeating units.
  • the obtained coating solution was filtered using a membrane filter having a pore size of 0.2 ⁇ m to prepare a coating solution of polymer compound 1.
  • a copolymer having a group molar ratio of 1 is dissolved in chloroform as a solvent to prepare a solution having a concentration of 0.5% by mass, and the solution is filtered through a membrane filter to prepare an organic semiconductor coating solution. did.
  • the coating solution of polymer compound 1 was spin-coated on a glass substrate with a chromium electrode, and then dried by heating at 70 ° C. for 30 minutes on a hot plate. Thereafter, the polymer compound 1 was cross-linked by UV irradiation (wavelength: about 254 nm) for 1 minute at room temperature (25 ° C.) using a UV / ozone stripper (manufactured by Samco, UV-1) under a nitrogen atmosphere to obtain a thickness of about 580 nm. A gate insulating layer having a thickness was obtained. Since the high molecular compound 1 bridge
  • an organic semiconductor coating solution is applied on the gate insulating layer by a spin coating method to form an active layer having a thickness of about 60 nm, and then the active layer is formed on the active layer by a vacuum deposition method using a metal mask. Then, a source electrode and a drain electrode (having a laminated structure in the order of molybdenum oxide and gold from the active layer side) having a channel length of 20 ⁇ m and a channel width of 2 mm were formed to produce a field effect organic thin film transistor.
  • the field effect organic thin film transistor thus fabricated has the transistor characteristics of a vacuum probe (BCT22MDC-5-5) under the condition that the gate voltage Vg is changed from 20 to -40V and the source-drain voltage Vsd is changed from 0 to -40V.
  • HT-SCU manufactured by Nagase Electronic Equipments Service Co. LTD. The results are shown in Table 1.
  • the hysteresis of the organic thin film transistor is that the threshold voltage Vth1 when the source-drain voltage Vsd is -40V and the gate voltage Vg is changed from 0V to -40V and the threshold voltage when the gate voltage Vg is changed from -40V to 0V. It was expressed as a voltage difference from the voltage Vth2.
  • a field effect organic thin film transistor was prepared in the same manner as in Example 1 except that this coating solution was used for forming the gate insulating layer and baked at 200 ° C. for 30 minutes on a hot plate instead of UV irradiation, and the transistor characteristics were measured. ,evaluated. The results are shown in Table 1.

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Abstract

発明の課題は、高温での処理を行わないで架橋させることが可能な有機素子材料を提供することである。課題の解決手段は、フッ素原子を含む基を有する繰り返し単位と、光二量化反応性基を有する繰り返し単位とを有する高分子化合物を含む有機薄膜トランジスタ絶縁層材料。フッ素原子を含む基の好ましい例は、水素原子がフッ素で置換されたアリール基、水素原子がフッ素で置換されたアルキルアリール基、特に水素原子がフッ素で置換されたフェニル基、水素原子がフッ素で置換されたアルキルフェニル基である。光二量化反応性基の好ましい例は、２位の水素原子がアリール基で置換されたビニル基、２位の水素原子がアリールカルボニル基で置換されたビニル基である。

Description

有機素子材料
　本発明は、有機素子を形成するための材料に関し、特に有機素子の絶縁層を形成するための材料に関する。
　有機薄膜トランジスタ、有機エレクトロルミネッセンス素子及び有機光電変換素子等の有機素子は、有機材料からなる機能層を有している。有機材料からなる機能層は、有機材料を含む溶液の塗布や印刷法を用いた成膜により形成することが可能であり、一般に、無機材料からなる機能層より簡易にかつ低温で層形成できる。
　そのため、有機素子は、大面積の基板に多数の素子を低コストで製造することが可能な場合がある。また、素子の基板としてプラスチック基板やフィルムを用いることができ、このような基板を用いることにより、フレキシブルであり、軽量で壊れにくい素子を得ることができる場合がある。
　さらに、有機材料は種類が豊富であるため、分子構造の異なる材料を検討に用いれば、幅広い範囲の特性のバリエーションを有する有機素子を製造することができる。
　しかしながら、有機材料の中にはそれほど高温に加熱されない場合でも、熱等のエネルギーの作用によって機能が劣化するものがある。そのため、より高性能の有機素子を得るためには、有機素子の作製時にできるだけ加熱が少なくて済む有機材料を用い、できるだけ加熱が少なくて済む製造方法を用いて有機素子を製造することが望ましい。
　具体的に、有機素子の１種である電界効果型有機薄膜トランジスタでは、ゲート電極に印加される電圧が半導体層に作用して、ドレイン電流のオン、オフを制御する。そこで、ドレイン電流がゲート電極に流れるのを防ぐために、ゲート電極と半導体層の間にはゲート絶縁層が形成される。
　また、電界効果型有機薄膜トランジスタに用いられる有機半導体化合物は、湿度、酸素等の環境の影響を受けやすく、トランジスタ特性が、湿度、酸素等に起因する経時劣化を起こしやすい。
　そのため、有機半導体化合物が剥き出しになるボトムゲート型有機薄膜トランジスタ素子構造では、素子構造全体を覆うオーバーコート層を形成して有機半導体化合物を外気との接触から保護することが必須となっている。一方、トップゲート型有機薄膜トランジスタ素子構造では、有機半導体化合物はゲート絶縁層によりコートされて保護されている。
　このように、有機薄膜トランジスタにおける有機半導体層を覆うオーバーコート層及びゲート絶縁層等を形成するために、絶縁層材料が用いられる。本願明細書では、上記オーバーコート層及びゲート絶縁層のような有機薄膜トランジスタの絶縁層又は絶縁膜を有機薄膜トランジスタ絶縁層という。また、有機薄膜トランジスタ絶縁層を形成するのに用いる材料を有機薄膜トランジスタ絶縁層材料という。
　尚、本明細書でいう材料は、高分子化合物、高分子化合物を含む組成物、樹脂及び樹脂組成物のような無定形材料を含む概念である。また、本明細書でいう絶縁層は、層状の部材に限定されず、有機素子中の絶縁性を有する部材を広く意味することがある。
　有機薄膜トランジスタ絶縁層材料には、絶縁性及び薄膜にしたときの絶縁破壊強度に優れた特性が要求される。また、特にボトムゲート型の電界効果トランジスタでは半導体層がゲート絶縁層に重ねて形成される。そのため、有機薄膜トランジスタゲート絶縁層材料には、有機半導体と密着した界面を形成するための有機半導体との親和性、該有機薄膜トランジスタゲート絶縁層材料から形成した膜の有機半導体層側の表面が平坦になることが要求される。
　例えば、非特許文献１には、有機電界効果トランジスタにおけるゲート絶縁層として、ポリ（４－ビニルフェニル－コ－メチルメタクリレート）（ＰＶＰ－ＰＭＭＡ）を１５０℃で架橋させたゲート絶縁層が報告されている。しかしながら、上記樹脂を絶縁層に用いた有機電界効果トランジスタは、絶縁層の製造に高温のプロセスを用いており、閾値電圧（Ｖｔｈ）の絶対値が十分に小さくないという課題がある。
　そのため、有機電界効果トランジスタに用いた場合に閾値電圧（Ｖｔｈ）の絶対値が小さい材料であって、低温で該材料を架橋することにより有機層を形成することが可能な材料が望まれている。
Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．９２，１８３３０６（２００８）
　本発明は上記従来の問題を解決するものであり、その目的とするところは、高温での加熱処理を行わないで架橋させることが可能な有機素子材料を提供することである。
　以上の課題に鑑み、種々検討を行った結果、特定の有機素子材料を用いることにより、上記課題が解決されることを見出し、本発明に到った。
　即ち、本発明は、高分子化合物を含有する有機素子材料であって、該高分子化合物が、下記式（１）で表される繰り返し単位と、下記式（２）で表される繰り返し単位、及び、下記式（３）で表される繰り返し単位からなる群より選ばれる少なくとも１種の繰り返し単位とを、有する高分子化合物である有機素子材料を提供する。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000004
 　　　（１）
［式中、Ｒ1は、水素原子又はメチル基を表す。Ｒは、水素原子又は炭素数１～２０の一価の有機基を表す。Ｒｆは、フッ素原子又はフッ素原子を有する炭素数１～２０の一価の有機基を表す。Ｒａａは、該高分子化合物の主鎖と側鎖とを連結する連結部分を表す。該連結部分中の水素原子は、フッ素原子で置換されていてもよい。ａは、０又は１の整数を表し、ｂは、１～５の整数を表す。Ｒが複数個ある場合、それらは同一でも相異なっていてもよい。Ｒｆが複数個ある場合、それらは同一でも相異なっていてもよい。］
で表される繰り返し単位；
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000005
 　　（２）
［式中、Ｒ２は、水素原子又はメチル基を表す。Ｒ３～Ｒ９は、それぞれ独立に水素原子又は炭素数１～２０の一価の有機基を表す。該一価の有機基中の水素原子は、フッ素原子で置換されていてもよい。Ｒｂｂは、該高分子化合物の主鎖と側鎖とを連結する連結部分を表す。該連結部分中の水素原子は、フッ素原子で置換されていてもよい。］
で表される繰り返し単位；
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000006
 　　（３）
［式中、Ｒ１０は、水素原子又はメチル基を表す。Ｒ１１～Ｒ１７は、それぞれ独立に水素原子又は炭素数１～２０の一価の有機基を表す。該一価の有機基中の水素原子は、フッ素原子で置換されていてもよい。Ｒｃｃは、高分子化合物の主鎖と側鎖とを連結する連結部分を表す。該連結部分中の水素原子は、フッ素原子で置換されていてもよい。］
で表される繰り返し単位。
　ある一態様においては、上記有機素子材料は有機薄膜トランジスタ絶縁層材料である。
　また、本発明は、上記有機素子材料を含む液体を、有機素子を構成する部材の面上に塗布して塗布層を形成する工程；及び
　該塗布層に対して光又は電子線を照射して有機素子材料を架橋し、これにより有機素子絶縁層を形成する工程；
を有する有機素子絶縁層の形成方法を提供する。
　ある一態様においては、前記光は１５０～４５０ｎｍの波長を有するものである。
　また、本発明は、上記有機薄膜トランジスタ絶縁層材料を用いて形成したオーバーコート絶縁層を有する有機薄膜トランジスタを提供する。
　また、本発明は、上記有機薄膜トランジスタ絶縁層材料を用いて形成したゲート絶縁層を有する有機薄膜トランジスタを提供する。
　また、本発明は、上記有機素子材料を用いて形成したディスプレイ用部材を提供する。
　また、本発明は、上記ディスプレイ用部材を含むディスプレイを提供する。
　本発明の有機素子材料は、低温で架橋させることができる。また、本発明の有機素子材料を有機薄膜トランジスタ絶縁層を形成するための材料として用いた場合に、有機薄膜トランジスタの閾値電圧（Ｖｔｈ）の絶対値が小さくなる。
本発明の一実施形態であるボトムゲート型有機薄膜トランジスタの構造を示す模式断面図である。 本発明の一実施形態であるトップゲート型有機薄膜トランジスタの構造を示す模式断面図である。
　次に、本発明をさらに詳細に説明する。
　本明細書において、「高分子化合物」とは、分子中に同じ構造単位が複数繰り返された構造を含む化合物をいい、いわゆる２量体もこれに含まれる。一方、「低分子化合物」とは、分子中に同じ構造単位を繰り返し有していない化合物を意味する。
＜有機材料＞
　有機材料とは、有機化合物からなる材料、または有機化合物を含む材料を意味する。
＜有機素子＞
　有機素子とは、有機材料からなる機能層を有する素子を意味する。ここで、「機能層」とは、電気的機能を有する層を意味する。
＜有機素子材料＞
　有機素子材料とは、有機薄膜トランジスタ、有機エレクトロルミネッセンス素子及び有機光電変換素子等の有機素子を構成する機能層を形成するために用いる有機材料をいう。
有機素子材料としては、有機薄膜トランジスタに用いられる有機薄膜トランジスタ材料、有機エレクトロルミネッセンス素子に用いられる有機エレクトロルミネッセンス素子材料、有機光電変換素子に用いられる有機光電変換素子材料が挙げられる。有機薄膜トランジスタ材料としては、ゲート絶縁層、オーバーコート層等の絶縁層に用いられる有機薄膜トランジスタ絶縁層材料が挙げられる。
　本発明の有機素子材料は、フッ素原子を含み、高温での処理を行わないで架橋構造を形成しうる基を含む高分子化合物、又は、フッ素原子を含み、高温での処理を行わないで架橋構造を形成しうる基を含む高分子化合物を含有する組成物である。
　有機素子材料にフッ素が導入されていることにより、該有機素子材料から形成される有機層は極性が低く、有機層の分極が抑制される。また、有機層の内部に架橋構造が形成されると、有機層中の分子の移動が抑制され、有機層の分極が抑制される。中でも、有機素子材料を用いて有機層の一態様であるゲート絶縁層を形成した場合、ゲート絶縁層の分極が抑制され、該ゲート絶縁層を含む有機薄膜トランジスタのヒステリシスが低下して、動作精度が向上する。
　フッ素原子は高分子化合物の主鎖の水素原子を置換するのではなく、側鎖又は側基（ペンダント基）の水素原子を置換することが好ましい。フッ素原子が側鎖又は側基に置換していると有機半導体のような他の有機材料に対する該高分子化合物の親和性が低下せず、該有機材料を含む層の形成において、有機材料が前記高分子化合物から形成される有機層の露出面に接し、層を形成し易くなる。
　架橋構造を形成しうる基は、他の基と相互に反応して二量化しうる基であればよい。相互に反応して二量化しうる基は、２個の基が結合することにより、有機層の内部に架橋構造を形成することができる。
　他の基と相互に反応して二量化しうる基は、光エネルギー又は電子エネルギーを吸収して二量化反応を起こす官能基（本明細書中「光二量化反応性基」という。）であることが好ましい。光二量化反応性基が好ましい理由は、有機素子材料を架橋させるために高温で長時間熱処理を行う必要が無く、有機層を形成する過程における有機素子特性の低下が抑制されるからである。中でも、有機素子材料を有機薄膜トランジスタの絶縁層に用いた場合、絶縁層を形成する過程における有機薄膜トランジスタの特性低下が抑制される。
　光二量化反応性基が吸収する光は、それがあまり低エネルギーであると有機素子材料を光重合法によって形成する際に残存した光二量化反応性基も反応してしまう場合があるため、高エネルギーの光が好ましい。光二量化反応性基が吸収するのに好ましい光は、紫外線、例えば波長が４５０ｎｍ以下、好ましくは１５０～４５０ｎｍの光である。
　ここでいう二量化とは、有機化合物の分子２個が化学的に結合することをいう。結合する分子同士は同種でも異種でもよい。二量化する２個の分子中の二量化に関与する官能基同士の化学構造も同一であっても異なっていてもよい。但し、当該官能基は、触媒及び開始剤等の反応助剤を用いられなくても光二量化反応を生じる構造、および組合せであることが好ましい。反応助剤の残基に接触すると周辺の有機材料が劣化する可能性があるからである。
　フッ素原子を含む好ましい基の例は、水素原子がフッ素で置換されたアリール基、水素原子がフッ素で置換されたアルキルアリール基、特に水素原子がフッ素で置換されたフェニル基、水素原子がフッ素で置換されたアルキルフェニル基である。
　光二量化反応性基の好ましい例は、水素原子がハロメチル基で置換されたアリール基、２位の水素原子がアリール基で置換されたビニル基、２位の水素原子がアリールカルボニル基で置換されたビニル基であり、特に好ましくは、水素原子がハロメチル基で置換されたフェニル基、２位の水素原子がフェニル基で置換されたビニル基、２位の水素原子がフェニルカルボニル基で置換されたビニル基である。繰り返し単位の側基の基本骨格がアリール基又はフェニル基であると、有機半導体のような他の有機材料に対する親和性が向上し、該有機材料を含む層の形成において、前記高分子化合物から形成される有機層の露出面に接して平坦な層を形成し易くなる。
　水素原子がハロメチル基で置換されたアリール基及び水素原子がハロメチル基で置換されたフェニル基は、紫外線又は電子線を照射するとハロゲンが脱離して、ベンジル型のカルボラジカルが生成する。生成した２個のカルボラジカルが結合すると、炭素－炭素結合が形成されて（ラジカルカップリング）、有機薄膜トランジスタ絶縁層材料が架橋される。また、２位の水素原子がアリール基又はフェニル基で置換されたビニル基、２位の水素原子がアリールカルボニル基又はフェニルカルボニル基で置換されたビニル基等の場合には、紫外線又は電子線を照射すると２＋２環化反応が生じ、有機薄膜トランジスタ絶縁層材料が架橋される。
　フッ素原子を含む高分子化合物は、フッ素原子を含む基を有する繰り返し単位を含むことが好ましい。フッ素原子を含む基を有する繰り返し単位は、上記式（１）で表される繰り返し単位であることが好ましい。光二量化反応性基を有する繰り返し単位は、上記式（２）で表される繰り返し単位又は上記式（３）で表される繰り返し単位であることが好ましい。
　即ち、本発明の有機素子材料の好ましい実施形態は、式（１）で表される繰り返し単位と、式（２）で表される繰り返し単位及び式（３）で表される繰り返し単位からなる群より選ばれる少なくとも１種の繰り返し単位とを有する高分子化合物である。
　式（１）中、Ｒ1は、水素原子又はメチル基を表す。ある一態様では、Ｒ１は水素原子である。
　Ｒａａは、高分子化合物の主鎖と側鎖とを連結する連結部分を表す。連結部分は、本発明の有機素子材料を架橋させる環境条件の下で反応性を示さない構造を有する二価の基であればよい。連結部分の具体例には、炭素数１～２０の二価の有機基、エーテル結合（－Ｏ－）からなる基、ケトン結合（－ＣＯ－）からなる基、エステル結合（－ＣＯＯ－、－ＯＣＯ－）からなる基、アミド結合（－ＮＨＣＯ－、－ＣＯＮＨ－）からなる基、ウレタン結合（－ＮＨＣＯＯ－、－ＯＣＯＮＨ－）からなる基及びこれらの基が組み合わされた基が挙げられる。該連結部分中の水素原子は、フッ素原子で置換されていてもよい。ａは、０又は１の整数を表す。ある一態様では、ａは０である。
　Ｒは、水素原子又は炭素数１～２０の一価の有機基を表す。Ｒが複数個ある場合、それらは同一でも相異なっていてもよい。ある一態様では、Ｒは水素原子である。
　Ｒｆは、フッ素原子又はフッ素原子を有する炭素数１～２０の一価の有機基を表す。Ｒｆが複数個ある場合、それらは同一でも相異なっていてもよい。ある一態様では、Ｒｆはフッ素原子である。ｂは、１～５の整数を表す。ある一態様では、ｂは５である。
　炭素数１～２０の二価の有機基としては、直鎖、分岐、環状のいずれであってもよく、脂肪族炭化水素基であっても芳香族炭化水素基であってもよい。例えば、炭素数１～２０の二価の直鎖状脂肪族炭化水素基、炭素数３～２０の二価の分岐状脂肪族炭化水素基、炭素数３～２０の二価の環状炭化水素基、アルキル基等で置換されていてもよい炭素数６～２０の二価の芳香族炭化水素基が挙げられる。中でも、炭素数１～６の二価の直鎖状脂肪族炭化水素基、炭素数３～６の二価の分岐状脂肪族炭化水素基、炭素数３～６の二価の環状炭化水素基、アルキル基等で置換されていてもよい二価の炭素数６～２０の芳香族炭化水素基が好ましい。
　二価の脂肪族炭化水素基及び二価の環状炭化水素基の具体例としては、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基、イソプロピレン基、イソブチレン基、ジメチルプロピレン基、シクロプロピレン基、シクロブチレン基、シクロペンチレン基、シクロヘキシレン基などが挙げられる。
　炭素数６～２０の二価の芳香族炭化水素基の具体例としては、フェニレン基、ナフチレン基、アンスリレン基、ジメチルフェニレン基、トリメチルフェニレン基、エチレンフェニレン基、ジエチレンフェニレン基、トリエチレンフェニレン基、プロピレンフェニレン基、ブチレンフェニレン基、メチルナフチレン基、ジメチルナフチレン基、トリメチルナフチレン基、ビニルナフチレン基、エテニルナフチレン基、メチルアンスリレン基、エチルアンスリレン基などが挙げられる。
　炭素数１～２０の一価の有機基は、直鎖、分岐、環状のいずれであってもよく、飽和であっても不飽和であってもよい。
　炭素数１～２０の一価の有機基としては、例えば、炭素数１～２０の直鎖状炭化水素基、炭素数３～２０の分岐状炭化水素基、炭素数３～２０の環状炭化水素基、炭素数６～２０の芳香族炭化水素基が挙げられ、好ましくは、炭素数１～６の直鎖状炭化水素基、炭素数３～６の分岐状炭化水素基、炭素数３～６の環状炭化水素基、炭素数６～２０の芳香族炭化水素基などが挙げられる。
　炭素数６～２０の芳香族炭化水素基は、基中の水素原子がアルキル基、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子などで置換されていてもよい。
　Ｒが炭素数１～２０の一価の有機基である場合、該炭素数１～２０の一価の有機基はフッ素原子を有さない。該炭素数１～２０の一価の有機基の具体例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、イソプロピル基、イソブチル基、ターシャリーブチル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロペンチニル基、シクロヘキシニル基、フェニル基、ナフチル基、アンスリル基、トリル基、キシリル基、ジメチルフェニル基、トリメチルフェニル基、エチルフェニル基、ジエチルフェニル基、トリエチルフェニル基、プロピルフェニル基、ブチルフェニル基、メチルナフチル基、ジメチルナフチル基、トリメチルナフチル基、ビニルナフチル基、エテニルナフチル基、メチルアンスリル基、エチルアンスリル基、クロロフェニル基、ブロモフェニル基などが挙げられる。
　Ｒｆで表されるフッ素原子を有する炭素数１～２０の一価の有機基の具体例としては、ペンタフルオロフェニル基、トリフルオロメチルフェニル基が挙げられる。
　式（２）中、Ｒ２は、水素原子又はメチル基を表す。ある一態様では、Ｒ２は水素原子である。Ｒ３～Ｒ９は、それぞれ独立に水素原子又は炭素数１～２０の一価の有機基を表す。該一価の有機基中の水素原子は、フッ素原子で置換されていてもよい。ある一態様では、Ｒ３～Ｒ９は、水素原子である。Ｒｂｂは、高分子化合物の主鎖と側鎖とを連結する連結部分を表す。該連結部分中の水素原子は、フッ素原子で置換されていてもよい。ある一形態では、Ｒｂｂはエチレン基である。
　Ｒ３～Ｒ９で表される炭素数１～２０の一価の有機基は、フッ素原子を有する炭素数１～２０の一価の有機基であっても、フッ素原子を有さない炭素数１～２０の一価の有機基であってもよい。フッ素原子を有さない炭素数１～２０の一価の有機基の定義、具体例は、前述のＲで表される炭素数１～２０の一価の有機基の定義、具体例と同じである。Ｒｂｂで表される高分子化合物の主鎖と側鎖とを連結する連結部分の定義、具体例は、前述のＲａａで表される高分子化合物の主鎖と側鎖とを連結する連結部分の定義、具体例と同じである。
　式（３）中、Ｒ１０は、水素原子又はメチル基を表す。ある一態様では、Ｒ１０は水素原子である。Ｒ１１～Ｒ１７は、それぞれ独立に水素原子又は炭素数１～２０の一価の有機基を表す。該一価の有機基中の水素原子は、フッ素原子で置換されていてもよい。ある一態様では、Ｒ１１～Ｒ１７は、水素原子である。Ｒｃｃは、高分子化合物の主鎖と側鎖とを連結する連結部分を表す。該連結部分中の水素原子は、フッ素原子で置換されていてもよい。ある一形態では、Ｒｃｃはフェニレン基である。
　Ｒ１１～Ｒ１７で表される炭素数１～２０の一価の有機基は、フッ素原子を有する炭素数１～２０の一価の有機基であっても、フッ素原子を有さない炭素数１～２０の一価の有機基であってもよい。フッ素原子を有さない炭素数１～２０の一価の有機基の定義、具体例は、前述のＲで表される炭素数１～２０の一価の有機基の定義、具体例と同じである。
Ｒｃｃで表される高分子化合物の主鎖と側鎖とを連結する連結部分の定義、具体例は、前述のＲａａで表される高分子化合物の主鎖と側鎖とを連結する連結部分の定義、具体例と同じである。
　本発明の有機素子材料に含まれる高分子化合物は、式（１）で表される繰り返し単位の原料となる重合性モノマーと式（２）で表される繰り返し単位の原料となる重合性モノマーとを、光重合開始剤もしくは熱重合開始剤を用いて重合させる方法、又は、式（１）で表される繰り返し単位の原料となる重合性モノマーと式（３）で表される繰り返し単位の原料となる重合性モノマーとを光重合開始剤もしくは熱重合開始剤を用いて重合させる方法、又は式（１）で表される繰り返し単位の原料となる重合性モノマーと式（２）で表される繰り返し単位の原料となる重合性モノマーと式（３）で表される繰り返し単位の原料となる重合性モノマーとを光重合開始剤もしくは熱重合開始剤を用いて重合させる方法により製造することが出来る。中でも、熱重合開始剤を用いて重合させる方法が好ましい。
　上記式（１）で表される繰り返し単位の原料となる重合性モノマーの例としては、２－フルオロスチレン、３－フルオロスチレン、４－フルオロスチレン、２，３，４，５，６－ペンタフルオロスチレン、２－トリフルオロメチルスチレン、３－トリフルオロメチルスチレン、４－トリフルオロメチルスチレン、ビニル－４－トリフルオロメチルフェニルエーテル、ビニル－２－トリフルオロメチルベンゾエート、ビニル－３－トリフルオロメチルベンゾエート、ビニル－４－トリフルオロメチルベンゾエートが挙げられる。
　上記式（２）で表される繰り返し単位の原料となる重合性モノマーの例としては、ビニルシンナメート、シンナミルメタクリレート、シンナモイルオキシブチルメタクリレート、シンナミルイミノオキシイミノエチルメタクリレートが挙げられる。式（２）で表される繰り返し単位はトランス体の化合物から水素原子を２個除いた基であるが、シス体の化合物から水素原子を２個除いた基を本発明の有機素子材料に含まれる高分子化合物が有していてもよい。式（２）で表される繰り返し単位の原料となる重合性モノマーは、トランス体であってもシス体であってもよい。
　上記式（３）で表される繰り返し単位の原料となる重合性モノマーの例としては、フェニルビニルスチリルケトン、フェニル（メタクロイルオキシスチリル）ケトンが挙げられる。式（３）で表される繰り返し単位はトランス体の化合物から水素原子を２個除いた基であるが、シス体の化合物から水素原子を２個除いた基を本発明の有機素子材料に含まれる高分子化合物が有していてもよい。式（３）で表される繰り返し単位の原料となる重合性モノマーは、トランス体であってもシス体であってもよい。
　本発明の有機素子材料は、式（１）で表される繰り返し単位、式（２）で表される繰り返し単位、式（３）で表される繰り返し単位以外の繰り返し単位を含有する共重合体であってもよい。該共重合体は、式（１）で表される繰り返し単位の原料となる重合性モノマー、式（２）で表される繰り返し単位の原料となる重合性モノマー、式（３）で表される繰り返し単位の原料となる重合性モノマー以外の重合性モノマーを重合時に添加して製造することができる。
　追加して使用される重合性モノマーとしては、例えば、ビニル酢酸、ビニルプロピオネート、ビニルブチレート、ビニルベンゾエート、ビニル－２－メチルベンゾエート、ビニル－３－メチルベンゾエート、ビニル－４－メチルベンゾエート、ビニルメチルエーテル、ビニルエチルエーテル、ビニルプロピルエーテル、ビニルブチルエーテル、ビニルフェニルエーテル、ビニルベンジルエーテル、ビニル－４－メチルフェニルエーテル、スチレン、α－メチルスチレン、２，４－ジメチル－α－メチルスチレン、ｏ－メチルスチレン、ｍ－メチルスチレン、ｐ－メチルスチレン、２，４－ジメチルスチレン、２，５－ジメチルスチレン、２，６－ジメチルスチレン、３，４－ジメチルスチレン、３，５－ジメチルスチレン、２，４，６－トリメチルスチレン、２，４，５－トリメチルスチレン、ペンタメチルスチレン、ｏ－エチルスチレン、ｍ－エチルスチレン、ｐ－エチルスチレン、ｏ－クロロスチレン、ｍ－クロロスチレン、ｐ－クロロスチレン、ｏ－ブロモスチレン、ｍ－ブロモスチレン、ｐ－ブロモスチレン、ｏ－メトキシスチレン、ｍ－メトキシスチレン、ｐ－メトキシスチレン、ｏ－ヒドロキシスチレン、ｍ－ヒドロキシスチレン、ｐ－ヒドロキシスチレン、２－ビニルビフェニル、３－ビニルビフェニル、４－ビニルビフェニル、１－ビニルナフタレン、２－ビニルナフタレン、４－ビニル－ｐ－ターフェニル、１－ビニルアントラセン、ｏ－イソプロペニルトルエン、ｍ－イソプロペニルトルエン、ｐ－イソプロペニルトルエン、２，４－ジメチル－α－メチルスチレン、２，３－ジメチル－α－メチルスチレン、３，５－ジメチル－α－メチルスチレン、ｐ－イソプロピル－α－メチルスチレン、α－エチルスチレン、α－クロロスチレン、ジビニルベンゼン、ジビニルビフェニル、ジイソプロピルベンゼン、４－アミノスチレン、アクリロニトリル、酢酸アリル、安息香酸アリル、Ｎ－メチル－Ｎ－ビニルアセトアミド、１－ブテン、１－ペンテン、１－ヘキセン、１－オクテン、ビニルシクロヘキサン、塩化ビニル、アリルトリメチルゲルマニウム、アリルトリエチルゲルマニウム、アリルトリブチルゲルマニウム、トリメチルビニルゲルマニウム、トリエチルビニルゲルマニウム、アクリル酸メチル、アクリル酸エチル、アクリル酸－ｎ－プロピル、アクリル酸イソプロピル、アクリル酸－ｎ－ブチル、アクリル酸イソブチル、アクリル酸－ｓｅｃ－ブチル、アクリル酸ヘキシル、アクリル酸オクチル、アクリル酸－２－エチルヘキシル、アクリル酸デシル、アクリル酸イソボルニル、アクリル酸シクロヘキシル、アクリル酸フェニル、アクリル酸ベンジル、Ｎ，Ｎ－ジメチルアクリルアミド、Ｎ，Ｎ－ジエチルアクリルアミド、メタアクリル酸メチル、メタアクリル酸エチル、メタアクリル酸－ｎ－プロピル、メタアクリル酸イソプロピル、メタアクリル酸－ｎ－ブチル、メタアクリル酸イソブチル、メタアクリル酸－ｓｅｃ－ブチル、メタアクリル酸ヘキシル、メタアクリル酸オクチル、メタアクリル酸－２－エチルヘキシル、メタアクリル酸デシル、メタアクリル酸イソボルニル、メタアクリル酸シクロヘキシル、メタアクリル酸フェニル、メタアクリル酸ベンジル、Ｎ，Ｎ－ジメチルメタアクリルアミド、Ｎ，Ｎ－ジエチルメタアクリルアミド、Ｎ－アクリロイルモルフォリン、２，２，２－トリフルオロエチルアクリレート、２，２，３，３，３－ペンタフルオロプロピルアクリレート、２－（パーフルオロブチル）エチルアクリレート、３－パーフルオロブチル－２－ヒドロキシプロピルアクリレート、２－（パーフルオロヘキシル）エチルアクリレート、３－パーフルオロヘキシル－２－ヒドロキシプロピルアクリレート、２－（パーフルオロオクチル）エチルアクリレート、３－パーフルオロオクチル－２－ヒドロキシプロピルアクリレート、２－（パーフルオロデシル）エチルアクリレート、２－（パーフルオロ－３－メチルブチル）エチルアクリレート、３－（パーフルオロ－３－メチルブチル）－２－ヒドロキシプロピルアクリレート、２－（パーフルオロ－５－メチルヘキシル）エチルアクリレート、２－（パーフルオロ－３－メチルブチル）－２－ヒドロキシプロピルアクリレート、３－（パーフルオロ－５－メチルヘキシル）－２－ヒドロキシプロピルアクリレート、２－（パーフルオロ－７－メチルオクチル）エチルアクリレート、３－（パーフルオロ－７－メチルオクチル）－２－ヒドロキシプロピルアクリレート、１Ｈ，１Ｈ，３Ｈ－テトラフルオロプロピルアクリレート，１Ｈ，１Ｈ，５Ｈ－オクタフルオロペンチルアクリレート、１Ｈ，１Ｈ，７Ｈ－ドデカフルオロヘプチルアクリレート、１Ｈ，１Ｈ，９Ｈ－ヘキサデカフルオロノニルアクリレート、１Ｈ－１－（トリフルオロメチル）トリフルオロエチルアクリレート、１Ｈ，１Ｈ，３Ｈ－ヘキサフルオロブチルアクリレート、２，２，２－トリフルオロエチルメタアクリレート、２，２，３，３，３－ペンタフルオロプロピルメタアクリレート、２－（パーフルオロブチル）エチルメタアクリレート、３－パーフルオロブチル－２－ヒドロキシプロピルメタアクリレート、２－（パーフルオロヘキシル）エチルメタアクリレート、３－パーフルオロヘキシル－２－ヒドロキシプロピルメタアクリレート、２－（パーフルオロオクチル）エチルメタアクリレート、３－パーフルオロオクチル－２－ヒドロキシプロピルメタアクリレート、２－（パーフルオロデシル）エチルメタアクリレート、２－（パーフルオロ－３－メチルブチル）エチルメタアクリレート、３－（パーフルオロ－３－メチルブチル）－２－ヒドロキシプロピルメタアクリレート、２－（パーフルオロ－５－メチルヘキシル）エチルメタアクリレート、２－（パーフルオロ－３－メチルブチル）－２－ヒドロキシプロピルメタアクリレート、３－（パーフルオロ－５－メチルヘキシル）－２－ヒドロキシプロピルメタアクリレート、２－（パーフルオロ－７－メチルオクチル）エチルメタアクリレート、３－（パーフルオロ－７－メチルオクチル）－２－ヒドロキシプロピルメタアクリレート、１Ｈ，１Ｈ，３Ｈ－テトラフルオロプロピルメタアクリレート、１Ｈ，１Ｈ，５Ｈ－オクタフルオロペンチルメタアクリレート、１Ｈ，１Ｈ，７Ｈ－ドデカフルオロヘプチルメタアクリレート、１Ｈ，１Ｈ，９Ｈ－ヘキサデカフルオロノニルメタアクリレート、１Ｈ－１－（トリフルオロメチル）トリフルオロエチルメタアクリレート、１Ｈ，１Ｈ，３Ｈ－ヘキサフルオロブチルメタアクリレートが挙げられる。
　前記光重合開始剤としては、例えば、アセトフェノン、２，２－ジメトキシ－２－フェニルアセトフェノン、２，２－ジエトキシアセトフェノン、４－イソプロピル－２－ヒドロキシ－２－メチルプロピオフェノン、２－ヒドロキシ－２－メチルプロピオフェノン、４，４'－ビス（ジエチルアミノ）ベンゾフェノン、ベンゾフェノン、メチル（ｏ－ベンゾイル）ベンゾエート、１－フェニル－１，２－プロパンジオン－２－（ｏ－エトキシカルボニル）オキシム、１－フェニル－１，２－プロパンジオン－２－（ｏ－ベンゾイル）オキシム、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル、ベンゾインオクチルエーテル、ベンジル、ベンジルジメチルケタール、ベンジルジエチルケタール、ジアセチル等のカルボニル化合物、メチルアントラキノン、クロロアントラキノン、クロロチオキサントン、２－メチルチオキサントン、２－イソプロピルチオキサントン等のアントラキノン誘導体又はチオキサントン誘導体、ジフェニルジスルフィド、ジチオカーバメート等の硫黄化合物が挙げられる。
　共重合を開始させるエネルギーとして光エネルギーを用いる場合は、重合性モノマーに照射する光の波長は、３６０ｎｍ以上、好ましくは３６０～４５０ｎｍである。
　前記熱重合開始剤としては、ラジカル重合の開始剤となる化合物であればよく、例えば、２，２’－アゾビスイソブチロニトリル、２，２'－アゾビスイソバレロニトリル、２，２'－アゾビス（２，４－ジメチルバレロニトリル）、４，４’－アゾビス（４－シアノバレリックアシッド）、１，１’－アゾビス（シクロヘキサンカルボニトリル）、２，２’－アゾビス（２－メチルプロパン）、２，２’－アゾビス（２－メチルプロピオンアミジン）２塩酸塩等のアゾ系化合物、メチルエチルケトンパーオキシド、メチルイソブチルケトンパーオキシド、シクロヘキサノンパーオキシド、アセチルアセトンパーオキシド等のケトンパーオキシド類、イソブチルパーオキシド、ベンゾイルパーオキシド、２，４－ジクロロベンゾイルパーオキシド、ｏ－メチルベンゾイルパーオキシド、ラウロイルパーオキシド、ｐ－クロロベンゾイルパーオキシド等のジアシルパーオキシド類、２，４，４－トリメチルペンチル－２－ヒドロパーオキシド、ジイソプロピルベンゼンヒドロパーオキシド、クメンヒドロパーオキシド、ｔｅｒｔ－ブチルヒドロパーオキシド等のヒドロパーオキシド類、ジクミルパーオキシド、ｔｅｒｔ－ブチルクミルパーオキシド、ジ－ｔｅｒｔ－ブチルパーオキシド、トリス（ｔｅｒｔ－ブチルパーオキシ）トリアジン等のジアルキルパーオキシド類、１，１－ジ－ｔｅｒｔ－ブチルパーオキシシクロヘキサン、２，２－ジ（ｔｅｒｔ－ブチルパーオキシ）ブタン等のパーオキシケタール類、ｔｅｒｔ－ブチルパーオキシピバレート、ｔｅｒｔ－ブチルパーオキシ－２－エチルヘキサノエート、ｔｅｒｔ－ブチルパーオキシイソブチレート、ジ－ｔｅｒｔ－ブチルパーオキシヘキサヒドロテレフタレート、ジ－ｔｅｒｔ－ブチルパーオキシアゼレート、ｔｅｒｔ－ブチルパーオキシ－３，５，５－トリメチルヘキサノエート、ｔｅｒｔ－ブチルパーオキシアセテート、ｔｅｒｔ－ブチルパーオキシベンゾエート、ジ－ｔｅｒｔ－ブチルパーオキシトリメチルアジペート等のアルキルパーオキシエステル類、ジイソプロピルパーオキシジカーボネート、ジ－ｓｅｃ－ブチルパーオキシジカーボネート、ｔｅｒｔ－ブチルパーオキシイソプロピルカーボネート等のパーオキシカーボネート類が挙げられる。
　共重合を開始させるエネルギーとして熱エネルギーを用いる場合、重合性モノマーの加熱温度は、４０～１５０℃、好ましくは５０～８０℃である。重合性モノマーの加熱温度は使用する熱重合開始剤の種類に依存して適宜調節されてよい。
　本発明の有機素子材料に含まれる高分子化合物は、重量平均分子量が３０００～１００００００であることが好ましく、５０００～５０００００であることがより好ましい。該高分子化合物は、直鎖状、分岐状、環状のいずれでもよい。
　本発明の有機素子材料に含まれる高分子化合物の製造において、式（１）で表される繰り返し単位の原料となる重合性モノマーの使用量は、有機薄膜トランジスタ絶縁層材料に導入されるフッ素原子の量が適量になるように調節される。
　有機素子材料に導入されるフッ素原子の量は、有機素子材料の質量に対して、好ましくは１～６０質量％、より好ましくは５～５０質量％、さらに好ましくは５～４０質量％である。有機素子材料を電界効果型の有機薄膜トランジスタの絶縁層に用いた場合、フッ素原子の量が１質量％未満であると、有機電界効果トランジスタのヒステリシスを低下させる効果が不十分となることがあり、６０質量％を超えると他の有機材料に対する親和性が低下して、絶縁層の露出面に接して層を形成することが困難になることがある。
　例えば、該高分子化合物の製造において、式（１）で表される繰り返し単位の原料となる重合性モノマーの仕込みモル量は、重合に用いる全モノマーの合計に対して、好ましくは５モル％以上９５モル％以下であり、より好ましくは１５モル％以上８５モル％以下であり、更に好ましくは３０モル％以上７０モル％以下である。
　本発明の有機素子材料に含まれる高分子化合物が式（２）で表される繰り返し単位を含む場合、該高分子化合物の製造において、式（２）で表される繰り返し単位の原料となる重合性モノマーの仕込みモル量は、重合に用いる全モノマーの合計に対して、好ましくは１モル％以上９５モル％以下であり、より好ましくは５モル％以上８０モル％以下であり、更に好ましくは１０モル％以上７０モル％以下である。
　有機素子材料を電界効果型の有機薄膜トランジスタの絶縁層に用いた場合、式（２）で表される繰り返し単位の原料となる重合性モノマーの仕込みモル量が１モル％より少ない場合、有機薄膜トランジスタ絶縁層材料が、充分な耐溶剤性を得られない場合があり、また、９５モル％より大きい場合、有機薄膜トランジスタ絶縁層材料の保存安定性が悪い場合がある。
　例えば、該高分子化合物の製造において、式（２）で表される繰り返し単位の原料となる重合性モノマーの仕込みモル量は、重合に用いる全モノマーの合計に対して、好ましくは５モル％以上９５モル％以下であり、より好ましくは１５モル％以上８５モル％以下であり、更に好ましくは３０モル％以上７０モル％以下である。
　本発明の有機素子材料に含まれる高分子化合物が式（３）で表される繰り返し単位を含む場合、該高分子化合物の製造において、式（３）で表される繰り返し単位の原料となる重合性モノマーの仕込みモル量は、重合に用いる全モノマーの合計に対して、好ましくは１モル％以上９５モル％以下であり、より好ましくは５モル％以上８０モル％以下であり、更に好ましくは１０モル％以上７０モル％以下である。
　有機素子材料を電界効果型の有機薄膜トランジスタの絶縁層に用いた場合、式（３）で表される繰り返し単位の原料となる重合性モノマーの仕込みモル量が１モル％より少ない場合、有機薄膜トランジスタ絶縁層材料が、充分な耐溶剤性を得られない場合があり、また、９５モル％より大きい場合、有機薄膜トランジスタ絶縁層材料の保存安定性が悪い場合がある。
　例えば、該高分子化合物の製造において、式（３）で表される繰り返し単位の原料となる重合性モノマーの仕込みモル量は、重合に用いる全モノマーの合計に対して、好ましくは５モル％以上９５モル％以下であり、より好ましくは１５モル％以上８５モル％以下であり、更に好ましくは３０モル％以上７０モル％以下である。
　本発明の有機素子材料としては、例えば、ポリ（スチレン－コ－ビニルシンナメート－コ－ペンタフルオロスチレン）、ポリ（スチレン－コ－ビニルシンナメート－コ－ペンタフルオロスチレン－コ－アクリロニトリル）、ポリ（スチレン－コ－ビニルシンナメート－コ－ペンタフルオロスチレン－コ－アクリロニトリル－コ－アリルトリメチルゲルマニウム）、ポリ（ビニルシンナメート－コ－ペンタフルオロスチレン）、ポリ（スチレン－コ－ビニルシンナメート－コ－４－クロロメチルスチレン－コ－ペンタフルオロスチレン）、ポリ（スチレン－コ－フェニルビニルスチリルケトン－コ－ペンタフルオロスチレン）、ポリ（スチレン－コ－フェニルビニルスチリルケトン－コ－ペンタフルオロスチレン－コ－アクリロニトリル）、ポリ（スチレン－コ－フェニルビニルスチリルケトン－コ－ペンタフルオロスチレン－コ－アクリロニトリル－コ－アリルトリメチルゲルマニウム）、ポリ（フェニルビニルスチリルケトン－コ－ペンタフルオロスチレン）、ポリ（スチレン－コ－フェニルビニルスチリルケトン－コ－４－クロロメチルスチレン－コ－ペンタフルオロスチレン）、ポリ（スチレン－コ－フェニル（メタクロイルオキシスチリル）ケトン－コ－ペンタフルオロスチレン）、ポリ（スチレン－コ－フェニル（メタクロイルオキシスチリル）ケトン－コ－ペンタフルオロスチレン－コ－アクリロニトリル）、ポリ（スチレン－コ－フェニル（メタクロイルオキシスチリル）ケトン－コ－ペンタフルオロスチレン－コ－アクリロニトリル－コ－アリルトリメチルゲルマニウム）、ポリ（フェニル（メタクロイルオキシスチリル）ケトン－コ－ペンタフルオロスチレン）、ポリ（スチレン－コ－フェニル（メタクロイルオキシスチリル）ケトン－コ－４－クロロメチルスチレン－コ－ペンタフルオロスチレン）が挙げられる。
＜有機薄膜トランジスタ絶縁層材料＞
　本発明の有機素子材料は有機薄膜トランジスタ絶縁層材料として用いることができ、そのことにより、有機薄膜トランジスタの閾値電圧（Ｖｔｈ）の絶対値が小さくなる。本発明の有機薄膜トランジスタ絶縁層材料は、式（１）で表される繰り返し単位と式（２）で表される繰り返し単位及び式（３）で表される繰り返し単位からなる群より選ばれる少なくとも１種の繰り返し単位とを有する高分子化合物であることが好ましい。
　本発明の有機素子材料及び本発明の有機薄膜トランジスタ絶縁層材料は、有機溶剤を含んでいてもよい。有機溶剤としては、前記高分子化合物に対して良溶媒であり、且つ、有機半導体化合物に対して貧溶媒であるものであれば特に制限はなく、例えば、酢酸ブチル、２－ヘプタノン、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートが挙げられる。
　本発明の有機素子材料及び本発明の有機薄膜トランジスタ絶縁層材料は、レベリング剤又は界面活性剤を含んでいてもよい。
＜有機薄膜トランジスタ＞
　図１は、本発明の一実施形態であるボトムゲート型有機薄膜トランジスタの構造を示す模式断面図である。この有機薄膜トランジスタには、基板１と、基板１上に形成されたゲート電極２と、ゲート電極２上に形成されたゲート絶縁層３と、ゲート絶縁層３上に形成された有機半導体層４と、有機半導体層４上にチャネル部を挟んで形成されたソース電極５及びドレイン電極６と、素子全体を覆うオーバーコート層７とが、備えられている。
　ボトムゲート型有機薄膜トランジスタは、例えば、基板上にゲート電極を形成し、ゲート電極上にゲート絶縁層を形成し、ゲート絶縁層上に有機半導体層を形成し、有機半導体層上にソース電極、ドレイン電極を形成し、オーバーコート層を形成することで製造することができる。本発明の有機薄膜トランジスタ絶縁層材料は、有機薄膜トランジスタゲート絶縁層材料として、ゲート絶縁層を形成するのに好適に用いられる。また、有機薄膜トランジスタオーバーコート層材料として、オーバーコート層を形成するのに用いることもできる。
　図２は、本発明の一実施形態であるトップゲート型有機薄膜トランジスタの構造を示す模式断面図である。この有機薄膜トランジスタには、基板１と、基板１上に形成されたソース電極５及びドレイン電極６と、これら電極の上にチャンネル部を挟んで形成された有機半導体層４と、有機半導体層４上に形成された素子全体を覆うゲート絶縁層３と、ゲート絶縁層３の表面上に形成されたゲート電極２とが、備えられている。
　トップゲート型有機薄膜トランジスタは、例えば、基板上にソース電極、ドレイン電極を形成し、ソース電極、ドレイン電極上に有機半導体層を形成し、有機半導体層上にゲート絶縁層を形成し、ゲート絶縁層上にゲート電極を形成することで製造することができる。
　ゲート絶縁層又はオーバーコート層の形成は、有機薄膜トランジスタ絶縁層材料に要すれば溶媒などを添加して絶縁層塗布液を調製し、絶縁層塗布液を、ゲート絶縁層又はオーバーコート層の下に位置することになる層の表面に塗布し、乾燥し、硬化させることにより行う。該絶縁層塗布液に用いられる有機溶媒としては、高分子化合物を溶解させるものであれば特に制限は無いが、好ましくは、常圧での沸点が１００℃～２００℃の有機溶媒である。該有機溶媒としては、２－ヘプタノン、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等が挙げられる。該絶縁層塗布液には、必要に応じてレベリング剤、界面活性剤、硬化触媒等を添加することができる。
　該絶縁層塗布液は公知のスピンコート、ダイコーター、スクリーン印刷、インクジェット等によりゲート電極上に塗布することができる。形成される塗布層は必要に応じて乾燥させる。ここでいう乾燥は、塗布された樹脂組成物の溶媒を除去することを意味する。
　乾燥させた塗布層は、次いで硬化させる。硬化は有機薄膜トランジスタ絶縁層材料が架橋することを意味する。トランジスタ絶縁層材料の架橋は、例えば、２個の光二量化反応性基が結合することにより、実現する。その場合、塗布層に対して光又は電子線を照射することにより、高分子化合物の光二量化反応性基のラジカルカップリング反応又は環化反応が生じ、２個の光二量化反応性基が結合する。光又は電子線の照射は５０℃以下、好ましくは５～４０℃である低温環境、例えば室温（約２５℃）の環境の下で行うことができる。
　光の中でも紫外線を照射する場合、紫外線の照射は、例えば、半導体の製造のために使用されている露光装置やＵＶ硬化性樹脂を硬化させるために使用されているＵＶランプを用いて行うことができる。電子線の照射は、例えば、超小型電子線照射管を用いて行うことができる。
　例えば、光二量化反応性基が、２位の水素原子がフェニル基で置換されたビニル基、又は２位の水素原子がフェニルカルボニル基で置換されたビニル基である場合、照射する光の波長は１５０～４５０ｎｍ、好ましくは１９０～４００ｎｍである。照射する光の波長が１５０ｎｍ未満であると架橋した高分子化合物の分子量が低くなる場合があり、４５０ｎｍを越えると有機薄膜トランジスタ絶縁層材料の架橋が不十分になる場合がある。
　ゲート絶縁層上には、自己組織化単分子膜層を形成してもよい。該自己組織化単分子膜層は、例えば、有機溶媒中にアルキルクロロシラン化合物もしくはアルキルアルコキシシラン化合物を１～１０重量％溶解した溶液でゲート絶縁層を処理することにより形成することが出来る。
　アルキルクロロシラン化合物の例としては、メチルトリクロロシラン、エチルトリクロロシラン、ブチルトリクロロシラン、デシルトリクロロシラン、オクタデシルトリクロロシラン等が挙げられる。
　アルキルアルコキシシラン化合物の例としては、メチルトリメトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、ブチルトリメトキシシラン、デシルトリメトキシシラン、オクタデシルトリメトキシシラン等が挙げられる。
　基板１、ゲート電極２、ソース電極５、ドレイン電極６及び有機半導体層４は、通常使用される材料及び方法で構成すればよい。基板の材料には樹脂やプラスチックの板やフィルム、ガラス板、シリコン板などが用いられる。電極の材料には、クロム、金、銀、アルミニウム等を用い、蒸着法、スパッタ法、印刷法、インクジェット法等公知の方法で形成する。
　有機半導体層４を形成するための有機半導体化合物としてはπ共役ポリマーが用いられ、例えば、ポリピロール類、ポリチオフェン類、ポリアニリン類、ポリアリルアミン類、フルオレン類、ポリカルバゾール類、ポリインドール類、ポリ（ｐ－フェニレンビニレン）類などを用いることができる。また、有機溶媒への溶解性を有する低分子物質、例えば、ペンタセンなどの多環芳香族の誘導体、フタロシアニン誘導体、ペリレン誘導体、テトラチアフルバレン誘導体、テトラシアノキノジメタン誘導体、フラーレン類、カーボンナノチューブ類などを用いることができる。具体的には、９，９－ジ－ｎ－オクチルフルオレン－２，７－ジ（エチレンボロネート）と、５，５’－ジブロモ－２，２’－バイチオフェンとの縮合物等があげられる。
　有機半導体層の形成は、例えば、有機半導体化合物に要すれば溶媒などを添加して有機半導体塗布液を調製し、該有機半導体塗布液をゲート絶縁層上に塗布し、該有機半導体塗布液を乾燥させることにより行う。本発明では、ゲート絶縁層を構成する樹脂がベンゼン環を有し、有機半導体化合物と親和性がある。それゆえ、上記塗布乾燥法によって、有機半導体層と絶縁層との間に均一で平坦な界面が形成される。
　有機半導体塗布液に使用される溶媒としては、有機半導体を溶解又は分散させるものであれば特に制限は無いが、好ましくは、常圧での沸点が５０℃～２００℃のものである。該溶媒の例としては、クロロホルム、トルエン、アニソール、２－ヘプタノン、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートが挙げられる。該有機半導体塗布液は、前記絶縁層塗布液と同様にスピンコート、ダイコーター、スクリーン印刷、インクジェット等の公知の方法によりゲート絶縁層上に塗布することができる。
　本発明の有機薄膜トランジスタ絶縁層材料を用いて製造した絶縁層は、その上に平坦な膜等を積層することができ、積層構造を容易に形成することができる。また、該絶縁層上に有機エレクトロルミネッセンス素子を好適に搭載することができる。
　本発明の有機薄膜トランジスタ絶縁層材料を用いて、好適に有機薄膜トランジスタを有するディスプレイ用部材を作製できる。該有機薄膜トランジスタを有するディスプレイ用部材を用いて、ディスプレイ用部材を備えるディスプレイを好適に作製できる。
＜有機エレクトロルミネッセンス素子＞
　本発明の有機素子材料は、有機エレクトロルミネッセンス素子に用いることもできる。有機エレクトロルミネッセンス素子は、少なくとも一方が透明または半透明である一対の電極間に発光層を有する。有機エレクトロルミネッセンス素子の例としては、陽極と発光層と陰極とを有する素子、さらに陰極と発光層の間に、該発光層に隣接して電子輸送材料を含有する電子輸送層を有する陽極と発光層と電子輸送層と陰極とを有する素子、さらに、陽極と発光層の間に、該発光層に隣接して正孔輸送材料を含む正孔輸送層を有する陽極と正孔輸送層と発光層と陰極とを有する素子、陽極と正孔輸送層と発光層と電子輸送層と陰極とを有する素子が挙げられる。本発明の有機素子材料は、有機エレクトロルミネッセンス素子中の絶縁性を有する部材の製造に用いることが好ましい。
＜有機光電変換素子＞
　本発明の有機素子材料は、有機光電変換素子に用いることもできる。有機光電変換素子は、少なくとも一方が透明または半透明である一対の電極間に活性層を有する。本発明の有機素子材料は、有機光電変換素子中の絶縁性を有する部材の製造に用いることが好ましい。
　以下、本発明を実施例により説明するが、本発明が実施例に限定されるものではない。
　実施例１
（高分子化合物１の合成）
　三方コックを付けた１００ｍｌの三口フラスコに、３－ビニルベンズアルデヒド（アルドリッチ製）２０．０７ｇ、アセトフェノン（アルドリッチ製）２３．００ｇ、攪拌子を入れ、マグネチックスターラーで攪拌して均一な反応混合液を調製した。フラスコを氷浴に浸け、攪拌しながら反応混合液に触媒量の濃硫酸を加え、氷冷下、１時間反応させた。
氷浴からフラスコをはずし、ＮＭＲ分析により原料であるビニルベンズアルデヒドのピークの消失を確認するまで、室温にて反応混合液の攪拌を続け、反応させた。反応終了後、反応混合物を分液ロートに移し、ジエチルエーテル１００ｍｌを加え、水層が中性になるまで水洗を繰り返した。水洗終了後、有機層を分液し、有機層を硫酸マグネシウムで乾燥した後、有機層をろ過し、ろ液をロータリーエバポレーターで濃縮して３－ビニルスチリルフェニルケトン粗製物を得た。ＮＭＲから求めた３－ビニルスチリルフェニルケトンの純度は、７４％であった。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000007
 　３－ビニルスチリルフェニルケトン
　２，３，４，５，６－ペンタフルオロスチレン（アルドリッチ製）４．００ｇ、３－ビニルスチリルフェニルケトン６．５５ｇ、２，２’－アゾビス（イソブチロニトリル）０．０５ｇ、２－ヘプタノン（和光純薬製）２４．７４ｇを、５０ｍｌ耐圧容器（エース製）に入れ、窒素でバブリングした後、密栓し、６０℃のオイルバス中で４８時間重合させた。反応終了後、反応混合物を２－プロパノール５００ｍｌ中に滴下して高分子化合物１を再沈殿させ、ろ過、減圧乾燥して高分子化合物１を淡黄色固体として得た。高分子化合物１は、有機薄膜トランジスタ絶縁層材料として用いられる。高分子化合物１は下記繰り返し単位を有している。ここで、（　）の添え数字は繰り返し単位のモル分率を示している。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000008
 　　　高分子化合物１
　得られた高分子化合物１の標準ポリスチレンから求めた重量平均分子量は、５６０００であった。（島津製ＧＰＣ、Ｔｓｋｇｅｌ　ｓｕｐｅｒ　ＨＭ－Ｈ　１本＋Ｔｓｋｇｅｌ　ｓｕｐｅｒ　Ｈ２０００　１本、移動相＝ＴＨＦ）
（高分子化合物１と有機溶媒とを含む塗布溶液の調製）
　０．５０ｇの高分子化合物１と２．００ｇの２－ヘプタノンとを１０ｍｌのサンプル瓶に入れ、攪拌しながら溶解して均一な塗布溶液を調製した。
　得られた塗布溶液を孔径０．２μｍのメンブレンフィルターを用いてろ過し、高分子化合物１の塗布溶液を調製した。
（電界効果型有機薄膜トランジスタの作製）
　ポリスチレン換算の重量平均分子量が６９，０００であり、９，９－ジオクチルフルオレンジイル基とビチオフェンジイル基のみからなる共重合体であって、９，９－ジオクチルフルオレンジイル基に対するビチオフェンジイル基のモル比が１である共重合体を溶媒であるクロロホルムに溶解して、濃度が０．５質量％である溶液を作製し、該溶液をメンブランフィルターでろ過して有機半導体塗布液を調製した。
　高分子化合物１の塗布溶液をクロム電極のついたガラス基板上にスピンコートした後、ホットプレート上で７０℃で３０分間加熱して乾燥させた。その後、窒素雰囲気下でＵＶ/オゾンストリッパー（サムコ製、ＵＶ－１）を用いて室温（２５℃）で１分間ＵＶ照射（波長約２５４ｎｍ）して高分子化合物１を架橋させ、約５８０ｎｍの厚さを有するゲート絶縁層を得た。高分子化合物１は低温で架橋するため、室温でゲート絶縁層を形成することができた。
　次に、有機半導体塗布液を、前記ゲート絶縁層上にスピンコート法により塗布し、約６０ｎｍの厚さを有する活性層を形成し、次いで、メタルマスクを用いた真空蒸着法により、活性層上に、チャネル長２０μｍ、チャネル幅２ｍｍのソース電極及びドレイン電極（活性層側から、酸化モリブデン、金の順番で積層構造を有する）を形成することにより、電界効果型有機薄膜トランジスタを作製した。
＜電界効果型有機薄膜トランジスタのトランジスタ特性＞
　こうして作製した電界効果型有機薄膜トランジスタについて、ゲート電圧Ｖｇを２０～－４０Ｖ、ソース・ドレイン間電圧Ｖｓｄを０から－４０Ｖに変化させた条件で、そのトランジスタ特性を真空プロ－バ（BCT２２MDC－５－HT－SCU；Nagase　Electronic　Equipments　Service　Co.　LTD製）を用いて測定した。結果を表１に示す。
　有機薄膜トランジスタのヒステリシスは、ソース・ドレイン間電圧Ｖsdが－４０Ｖで、ゲート電圧Ｖgを０Ｖから－40Ｖに変化させた際の閾値電圧Ｖth1とゲート電圧Ｖgを－40Ｖから０Ｖに変化させた際の閾値電圧Ｖth2との電圧差異で表した。
　比較例１
（電界効果型有機薄膜トランジスタの作製）
　ポリビニルフェノール－コ－ポリメチルメタクリレート（アルドリッチ製、Ｍｎ＝６７００）１．００ｇ、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’，Ｎ”，Ｎ”－ヘキサメトキシメチルメラミン（住友化学製）０．１６３ｇ、熱酸発生剤（みどり化学(株)製、商品名：TAZ-108）０．１１３ｇ、２－ヘプタノン７．００ｇを１０ｍｌのサンプル瓶に入れ、攪拌溶解して均一な塗布液を調製した。
　ゲート絶縁層の形成にこの塗布液を用い、ＵＶ照射の代わりにホットプレート上２００℃で３０分焼成した以外は実施例１と同様にして電界効果型有機薄膜トランジスタを作製し、トランジスタ特性を測定し、評価した。
結果を表１に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000009
　　１…基板、
　　２…ゲート電極、
　　３…ゲート絶縁層、
　　４…有機半導体層、
　　５…ソース電極、
　　６…ドレイン電極、
　　７…オーバーコート層。

Claims (8)

  1. 　高分子化合物を含有する有機素子材料であって、該高分子化合物が、下記式（１）で表される繰り返し単位と、下記式（２）で表される繰り返し単位、及び、下記式（３）で表される繰り返し単位からなる群より選ばれる少なくとも１種の繰り返し単位とを、有する高分子化合物である有機素子材料。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000001
     　　　（１）
    ［式中、Ｒ1は、水素原子又はメチル基を表す。Ｒは、水素原子又は炭素数１～２０の一価の有機基を表す。Ｒｆは、フッ素原子又はフッ素原子を有する炭素数１～２０の一価の有機基を表す。Ｒａａは、該高分子化合物の主鎖と側鎖とを連結する連結部分を表す。該連結部分中の水素原子は、フッ素原子で置換されていてもよい。ａは、０又は１の整数を表し、ｂは、１～５の整数を表す。Ｒが複数個ある場合、それらは同一でも相異なっていてもよい。Ｒｆが複数個ある場合、それらは同一でも相異なっていてもよい。］
    で表される繰り返し単位；
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000002
     　　（２）
    ［式中、Ｒ２は、水素原子又はメチル基を表す。Ｒ３～Ｒ９は、それぞれ独立に水素原子又は炭素数１～２０の一価の有機基を表す。該一価の有機基中の水素原子は、フッ素原子で置換されていてもよい。Ｒｂｂは、該高分子化合物の主鎖と側鎖とを連結する連結部分を表す。該連結部分中の水素原子は、フッ素原子で置換されていてもよい。］
    で表される繰り返し単位；
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000003
     　　（３）
    ［式中、Ｒ１０は、水素原子又はメチル基を表す。Ｒ１１～Ｒ１７は、それぞれ独立に水素原子又は炭素数１～２０の一価の有機基を表す。該一価の有機基中の水素原子は、フッ素原子で置換されていてもよい。Ｒｃｃは、該高分子化合物の主鎖と側鎖とを連結する連結部分を表す。該連結部分中の水素原子は、フッ素原子で置換されていてもよい。］
    で表される繰り返し単位。
  2. 　請求項１に記載の有機素子材料からなる有機薄膜トランジスタ絶縁層材料。
  3. 　請求項１に記載の有機素子材料を含む液体を、有機素子を構成する部材の面上に塗布して塗布層を形成する工程；及び
    　該塗布層に対して光又は電子線を照射して有機素子材料を架橋し、これにより有機素子絶縁層を形成する工程；
    を有する有機素子絶縁層の形成方法。
  4. 　前記光が１５０～４５０ｎｍの波長を有するものである請求項３に記載の有機素子絶縁層の形成方法。
  5. 　請求項２に記載の有機薄膜トランジスタ絶縁層材料を用いて形成したオーバーコート層を有する有機薄膜トランジスタ。
  6. 　請求項２に記載の有機薄膜トランジスタ絶縁層材料を用いて形成したゲート絶縁層を有する有機薄膜トランジスタ。
  7. 　請求項１に記載の有機素子材料を用いて形成したディスプレイ用部材。
  8. 　請求項７に記載のディスプレイ用部材を有するディスプレイ。
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