WO2012034909A1 - Leuchte - Google Patents

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WO2012034909A1
WO2012034909A1 PCT/EP2011/065471 EP2011065471W WO2012034909A1 WO 2012034909 A1 WO2012034909 A1 WO 2012034909A1 EP 2011065471 W EP2011065471 W EP 2011065471W WO 2012034909 A1 WO2012034909 A1 WO 2012034909A1
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semiconductor light
light sources
partial reflectors
row
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PCT/EP2011/065471
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Martin Moeck
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Osram Opto Semiconductors Gmbh
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    • F21V29/50Cooling arrangements
    • F21V29/70Cooling arrangements characterised by passive heat-dissipating elements, e.g. heat-sinks
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    • F21K9/20Light sources comprising attachment means
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    • F21K9/00Light sources using semiconductor devices as light-generating elements, e.g. using light-emitting diodes [LED] or lasers
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    • F21Y2103/10Elongate light sources, e.g. fluorescent tubes comprising a linear array of point-like light-generating elements
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    • F21Y2107/00Light sources with three-dimensionally disposed light-generating elements
    • F21Y2107/90Light sources with three-dimensionally disposed light-generating elements on two opposite sides of supports or substrates
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
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    • F21YINDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
    • F21Y2115/00Light-generating elements of semiconductor light sources
    • F21Y2115/10Light-emitting diodes [LED]

Definitions

  • a lamp is specified.
  • this includes a heat sink plate.
  • the heat sink plate may be or include a printed circuit board.
  • the heat sink plate is made of a metal core board or consists of such.
  • the heat sink plate is made of a metal core board or consists of such.
  • Heat sink plate designed flat and has two opposing, aligned parallel to each other
  • Main pages and a main pages connecting front page Main pages and a main pages connecting front page.
  • the luminaire comprises a plurality of semiconductor light sources.
  • Semiconductor light sources are along one or more
  • the semiconductor light sources are
  • the semiconductor light sources are based on an inorganic
  • Semiconductor material such as GaN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, GaP, AlInGaP, GaAs, GaAsP or InGaAs.
  • An active zone of the semiconductor material such as GaN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, GaP, AlInGaP, GaAs, GaAsP or InGaAs.
  • Semiconductor light sources may comprise one of said materials.
  • the semiconductor light sources can be light in
  • a single spectral color for example green or red light, emit or emit mixed-colored light, in particular white light.
  • the row of semiconductor light sources is a
  • the luminaire has a greatest geometric extent, in particular along the main extension direction.
  • Main extension direction preferably runs parallel to the at least one row of semiconductor light sources. If the luminaire has several rows, all rows can be oriented parallel to each other.
  • this comprises a reflector with at least two partial reflectors.
  • the reflector is set up by the
  • the reflector is preferably formed from a reflective metal or has at least one metallic,
  • the partial reflectors make parts or
  • Portions of the reflector and have a different basic shape.
  • the partial reflectors are, in a cross section perpendicular to the luminaire
  • Cone-section-shaped can mean that the partial reflectors are each formed completely or in places, as seen in the cross-section, such as a circle, an ellipse, a parabola or a hyperbola. Furthermore, the partial reflectors each have at least one Center or at least one focal point and at least one focal length or radius.
  • At least two of the centers or foci or at least one of the midpoints and the foci and the row, viewed in cross-section, are arranged one above the other or almost one above the other.
  • the series is seen in cross-section
  • At least two elements are of the group, wherein the group is formed by at least one of the centers, at least one of the foci and at least one of the rows, as seen in the cross-section within a notional circle.
  • a diameter of the circle is at most 25% of the largest focal length and / or 25% of the largest radius of the partial reflectors.
  • the circle within which at least two of the focal points is formed by at least one of the centers, at least one of the foci and at least one of the rows, as seen in the cross-section within a notional circle.
  • a diameter of the circle is at most 25% of the largest focal length and / or 25% of the largest radius of the partial reflectors.
  • the circle within which at least two of the focal points are of the group, wherein the group is formed by at least one of the centers, at least one of the foci and at least one of the rows, as seen in the cross-section within a notional circle.
  • a diameter of the circle is at most 25% of the largest focal length and / or 25% of the largest radius
  • Centers or rows are at a maximum diameter of 15%, or at most 7.5%, or at most 3% of the maximum focal length or radius.
  • the luminaire can also have a plurality of such fictitious circles which do not overlap one another and within which at least two of the elements of said group are located.
  • the luminaire comprises a heat sink plate and a plurality of semiconductor light sources which are attached along at least one row to the heat sink plate. Through the row is one
  • the luminaire comprises a reflector with at least two
  • Partial reflectors In a cross section perpendicular to
  • the partial reflectors are each conically shaped and each have at least one focal point or at least one center and at least one focal length or at least one radius. At least two elements of the group formed by the at least one center point, the at least one focal point and the at least one row are, as seen in the cross section, within a circle with a
  • one of the partial reflectors is for example a
  • Radiation feasible By the further partial reflector directional direction or focusing of the radiation can be accomplished. As a result, a light intensity of the lamp can be increased and / or maximized.
  • the partial reflectors are along the main extension direction
  • the luminaire is formed along the main extension direction in particular rod-shaped or tubular with a constant or substantially constant cross section.
  • each of the partial reflectors is in particular exclusively part of one of the following geometrical parts
  • each of the partial reflectors is shaped like a part of exactly one of said geometric figures.
  • the partial reflectors are, in cross-section
  • At least one or exactly one of the partial reflectors is part of a circle or a part
  • one of the main sides and / or the front side of the luminaire is connected to a
  • each of the main pages is exactly one row of the
  • a main emission direction of the semiconductor light sources is oriented transversely to a main emission direction of the luminaire.
  • the main emission direction is in this case a direction along which the semiconductor light sources emit a maximum intensity during operation.
  • Main emission direction oriented perpendicular to a mounting plane of the semiconductor light sources on the heat sink plate. That the main emission direction across the
  • Main emission direction may mean that an angle between the main emission direction and the
  • Main radiation direction is not equal to 0 ° and not equal to 180 °.
  • the main emission direction is aligned perpendicular to the main emission direction.
  • the partial reflectors are spaced apart from one another. In other words, the partial reflectors do not touch each other.
  • Partial reflectors is for example an air gap.
  • Partial reflectors may be mechanically fixed relative to one another by a housing of the luminaire.
  • the luminaire there is a minimum distance between the row of
  • Semiconductor light sources and the partial reflectors at least 50% of the smallest focal length and / or the smallest radius of the partial reflectors.
  • the semiconductor light sources are thus not in the immediate vicinity of the partial reflectors.
  • a positioning of the semiconductor light sources relative to the partial reflectors takes place in particular via the
  • Heat sink plate so that the semiconductor light sources need not be directly attached to the sub-reflectors.
  • a quotient of maximum focal length and / or radius a quotient of maximum focal length and / or radius
  • the focal lengths and Radi are therefore similar to each other.
  • the at least one focal length and / or the at least one radius of the partial reflectors is or are all focal lengths and radii between 5 mm and 125 mm inclusive, in particular between 10 mm and 75 mm inclusive.
  • the heat sink plate viewed in the cross section, lies completely within the reflector or completely within one Envelope of the reflector.
  • the envelope is, for example, a closed fictitious line having a minimum length and including all partial reflectors in which
  • a radiation component generated by the semiconductor light sources is the luminaire without reflection at the partial reflectors
  • the luminaire has a plane of symmetry parallel to the luminaire
  • Main emission direction is oriented.
  • the plane of symmetry is between two of the rows or one of the rows.
  • the plane of symmetry runs
  • the heat sink plate preferably through the heat sink plate and may be parallel to the main sides and / or perpendicular to the
  • the luminaire is designed to have a luminous intensity of at least 1000 cd or at least along the main emission direction
  • the light emits the light generated, in particular within a small emission angle, for example less than 30 ° or less than 15 ° or less than 5 °.
  • the emission angle is the smallest coherent one
  • Angular range seen in the cross section, is emitted in the 50% of the light generated in operation. That generates light is therefore preferably concentrated on a small solid angle range, whereby the light intensity increases.
  • the partial reflectors merge into one another continuously.
  • the heat sink plate penetrates the envelope of the reflector. In other words, the heat sink plate then protrudes from the
  • Such a lamp can be used, for example, as a spotlight.
  • the luminaire is adapted to illuminate comparatively small areas at a distance of, for example, at least 1 m or at least 2 m with a high illuminance of in particular more than 500 lx or more than 1000 lx.
  • FIGS. 1 and 3 to 6 are schematic sectional views of exemplary embodiments of luminaires described here;
  • Figure 2 is a schematic three-dimensional representations of
  • Figure 7 is a schematic sectional view of a
  • the luminaire 1 comprises a heat sink plate 2 with two each other
  • the end face 25 is oriented perpendicular to a main emission z of the lamp 1.
  • Main sides 20 are aligned parallel to the main emission direction z.
  • the heat sink plate 2 is, for example, a metal core board.
  • Semiconductor light sources 3 mounted along a row 30.
  • the row 30 runs along a straight line, which is oriented perpendicular to the plane of the drawing of FIG. 1 and forms an intersection with the plane of the drawing.
  • Semiconductor light sources 3 have a main emission direction E, which is aligned parallel to the main emission direction z and extends in extension of the heat sink plate 2.
  • the lamp 1 comprises a reflector 4 with
  • Partial reflectors 41, 42 are arranged symmetrically about a light exit opening L of the lamp 1, seen in cross section as part of an ellipse
  • the partial reflector 42 is conically shaped like a part of a parabola.
  • a first focal point Fla and the row 30 lie, as seen in the drawing plane, within a notional circle K1, drawn as a dash-dot line.
  • parabolic subreflector 42 are within the notional circle K2.
  • Diameter of the partial reflector 41 is.
  • the foci Flb, F2 as well as the row 30 and the focal point Fla are within the framework of FIG.
  • a minimum distance D of the semiconductor light sources 3 to the partial reflectors 41, 42 is greater than the focal length f of the partial reflector 42.
  • the focal length f is smaller than the average diameter of the partial reflector 41.
  • the average diameter of the elliptical partial reflector 41 results as the arithmetic mean of FIG Lengths of the semi-axes of the ellipse, after which the partial reflector 41 is formed.
  • FIG. 1 by way of example, some rays S of the light emitted by the semiconductor light sources 3 are indicated by arrowheads. Lines symbolized. Much of the of the
  • Semiconductor light sources 3 are located in the focal point Fla, this radiation component is in the focal point Flb of the
  • Partial reflector 41 focused. Since this focal point Flb is congruent with the focal point F2 of the partial reflector 42, this radiation component is parallelized and as a parallel beam or approximately parallel
  • a radiation component emitted directly from the luminaire 1 by the semiconductor light sources 3 without reflection on the reflector 4 is preferably less than 50% or less than 30%. The emitted from the lamp 1
  • Emission angle is in particular in the range between 0 ° and 20 ° inclusive.
  • the partial reflectors 41, 42 do not touch each other.
  • Partial reflectors 41, 42 are symbolized by a housing 5, symbolized by a dashed line in Figure 1, relative to each other.
  • the housing 5 may be reflective inner walls
  • Heat sink plate 2 may be provided with a reflective coating. The heat sink plate 2 is located
  • the semiconductor light sources 3r, 3b are attached to the front side 25.
  • the semiconductor light sources 3r, 3g are mounted on the front side 25 in an alternating sequence.
  • the semiconductor light sources 3g are, in particular, light emitting diodes emitting in the blue spectral range and / or in the green spectral range, in the case of
  • Semiconductor light sources 3r to preferably in the red and / or yellow and / or orange spectral emitting
  • Semiconductor light sources 3g, 3r emitted radiation takes place in particular by reflection on the reflector 4.
  • the semiconductor light sources 3r, 3g are arranged in the single row 30.
  • the main pages 20 are free of the
  • a spacing of adjacent semiconductor light sources 3g, 3r in the linear row 30 is preferably between 5 mm and 60 mm inclusive,
  • Semiconductor light sources 3g, 3r is preferably between 50 mW and 3 W, in particular between
  • Semiconductor light sources 3r, 3g are not shown in the figures.
  • Top view is rectangular shaped, be along the x-direction, parallel to the row 30, for example between 10 cm and 100 cm inclusive, in particular by 40 cm.
  • An expansion along the z-direction is for example between 2 cm and 30 cm inclusive, in particular between
  • heat sink plate 2 is between 1.5 mm and 10 mm, preferably between
  • Semiconductor light sources 3r, 3g in the row 30 is shown only schematically in FIG. For example, the
  • Number of semiconductor light sources 3r, 3g in the row 30 total between 5 and 60 inclusive, preferably
  • Semiconductor light sources 3 attached to each one of the main sides 20 of the heat sink plate 2, parallel to and close to the end face 25. Close to the end face 25 may mean that the rows 30 are at most 8 mm or at most 3 mm from the end face 25.
  • the main emission directions E of the semiconductor light sources 3 are perpendicular to the
  • the semiconductor light sources 3 may be a sequence in FIG.
  • Act semiconductor light sources It is also possible that all or part of the semiconductor light sources 3 emit white light. Further details of the heat sink plate 2 and of the semiconductor light sources 3 can be formed as described in connection with FIG. 2A.
  • the heat sink plates 2 described in FIGS. 2A, 2B can be used in all exemplary embodiments of the luminaire 1
  • the heat sink plate 2 according to FIG. 2A is used in the exemplary embodiment according to FIG. 1 and the heat sink plate 2 according to FIG. 2A
  • FIG. 3 illustrates a further exemplary embodiment of the luminaire 1.
  • the heat sink plate 2 is parallel to the
  • the partial reflector 41 is formed as part of a circle with the center Ml.
  • the partial reflector 42 is part of a parabola with the
  • Shaped focal point F2 The center Ml and the
  • Focal point F2 are congruent one above the other and in front of the end face 25 of the heat sink plate 2, in the direction along the main radiation z.
  • Partial reflector 42 and is approximately parallel to the
  • a radiation S2 which is emitted counter to the z-direction, first strikes the partial reflector 41, is then reflected in the direction of the focal point F2 and subsequently also emitted by the partial reflector 42 approximately parallel to the main emission direction z.
  • the partial reflector 41 thus serves for a
  • Partial reflector 42 is parallelized.
  • the semiconductor light sources 3 may be Lambert's emitters or approximately such emitters.
  • the rows 30 of the semiconductor light sources 3 are located near the middle point M1 and the focal point F2 within the circle K.
  • the partial reflector 41 is semicircular and the partial reflector 42 is in the form of a parabolic part. Again, the partial reflector 41 serves for a light collection and
  • Radiation is set up, see the rays Sl, S2.
  • the partial reflectors 41, 42 are constantly merging.
  • the semiconductor light sources 3 are surrounded in an angular range of at least 225 ° or at least 270 ° by the reflector 4 in the cross section, so that only one
  • the lamp 1 leaves. at
  • Embodiments according to the figure 5 is this Angular range is even greater and is at least 315 °, for example at about 335 °.
  • the emission angle of the lamp 1 can therefore be particularly small.
  • the partial reflector 42 is like a part of a
  • the partial reflector 41 is circular
  • the partial reflectors 41, 42 abut each other and form a kink.
  • the partial reflectors 41, 42 may be formed from a common, continuous sheet metal.
  • FIG. 6 illustrates a further exemplary embodiment of the luminaire 1.
  • the reflector 4 has three partial reflectors 41, 42, 43.
  • the partial reflector 41 is formed as part of a circle, the partial reflector 42 as part of an ellipse and the partial reflector 43 as part of a parabola.
  • the reflector 4 is shaped such that no radiation generated by the semiconductor light sources 3 directly without reflection on the
  • Reflector 4 can leave the lamp 1, compare the dash-dot line.
  • the radiation generated by the semiconductor light sources 3 is produced according to FIG. 6 near the focal point F2a of FIG.
  • Partial reflector 42 is of the circular
  • Partial reflector 41 in addition to the focal point F2a concentrated.
  • the center Ml of the partial reflector 41 and the focal point F2a are within the scope of
  • the approximately the focal point F2a passing radiation is directed into the focal point F2b of the partial reflector 42.
  • the focal point F2b is congruent with the focal point F3 of the parabolic subreflector 43.
  • the partial reflectors 41, 42, 43 go in accordance with Figure 6 kink-free into each other.
  • Part reflectors 42, 43 is symbolized in Figure 6 by a small bar.
  • the partial reflectors 41, 42, 43 may be integrally formed as a whole or composed of a plurality of workpieces.
  • FIG. 7 illustrates a conventional luminaire. A majority of the radiation emitted by the semiconductor light source 3 leaves the luminaire without reflection on the luminaire
  • the reflector 4 is in direct contact with the semiconductor light source 3 and the heat sink plate 2 near the semiconductor light source 3.
  • the semiconductor light source 3 is not near a focal point or center of the reflector.
  • An emission angle of the luminaire according to FIG. 7 is comparatively large and lies in the range between approximately 60 ° and 80 °. A luminous intensity of the luminaire according to FIG. 7 is therefore comparatively small, and the luminaire can only be used to a limited extent as a directed radiator.

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Abstract

In mindestens einer Ausführungsform der Leuchte (1) umfasst diese eine Kühlkörperplatte (2) sowie mehrere Halbleiterlichtquellen (3), die entlang mindestens einer Reihe (30) an der Kühlkörperplatte (2) angebracht sind. Durch die Reihe (30) ist eine Haupterstreckungsrichtung (x) vorgegeben. Des Weiteren umfasst die Leuchte einen Reflektor (4) mit mindestens zwei Teilreflektoren (41, 42). In einem Querschnitt senkrecht zur Haupterstreckungsrichtung (x) sind die Teilreflektoren (41, 42) kegelschnittförmig ausgebildet und weisen je einen Brennpunkt (F) oder einen Mittelpunkt (M) sowie eine Brennweite (f) oder einen Radius (r) auf. Mindestens zwei Elemente aus der Gruppe, die durch den Mittelpunkt (M), den Brennpunkt (F) und die Reihe (30) gebildet ist, liegen, in dem Querschnitt gesehen, innerhalb eines Kreises (K) mit einem Durchmesser (d) von höchstens 25 % der größten Brennweite (f) und/oder des größten Radius (r) der Teilreflektoren (41, 42).

Description

Beschreibung
Leuchte
Es wird eine Leuchte angegeben.
Eine zu lösende Aufgabe besteht darin, eine Leuchte
anzugeben, die dazu eingerichtet ist, im Betrieb eine
gesteigerte Lichtstärke zu erzeugen.
Gemäß zumindest einer Aus führungs form der Leuchte beinhaltet diese eine Kühlkörperplatte. Die Kühlkörperplatte kann eine Leiterplatte sein oder eine solche umfassen. Insbesondere ist die Kühlkörperplatte aus einer Metallkernplatine gefertigt oder besteht aus einer solchen. Bevorzugt ist die
Kühlkörperplatte eben gestaltet und weist zwei einander gegenüberliegende, parallel zueinander ausgerichtete
Hauptseiten sowie eine die Hauptseiten verbindende Stirnseite auf .
Gemäß zumindest einer Aus führungs form der Leuchte umfasst diese mehrere Halbleiterlichtquellen. Die
Halbleiterlichtquellen sind entlang einer oder mehrerer
Reihen an der Kühlkörperplatte angebracht. Insbesondere verläuft die mindestens eine Reihe entlang einer geraden Linie. Bei den Halbleiterlichtquellen handelt es sich
bevorzugt um Leuchtdioden, kurz LEDs. Beispielsweise basieren die Halbleiterlichtquellen auf einem anorganischen
Halbleitermaterial wie GaN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, GaP, AlInGaP, GaAs, GaAsP oder InGaAs . Eine aktive Zone der
Halbleiterlichtquellen kann eines der genannten Materialien umfassen. Die Halbleiterlichtquellen können Licht im
Wesentlichen einer einzigen Spektralfarbe, zum Beispiel grünes oder rotes Licht, emittieren oder auch mischfarbiges Licht aussenden, insbesondere weißes Licht.
Gemäß zumindest einer Aus führungs form der Leuchte ist durch die Reihe der Halbleiterlichtquellen eine
Haupterstreckungsrichtung vorgegeben. Die Leuchte weist insbesondere entlang der Haupterstreckungsrichtung eine größte geometrische Ausdehnung auf. Die
Haupterstreckungsrichtung verläuft bevorzugt parallel zu der mindestens einen Reihe der Halbleiterlichtquellen. Weist die Leuchte mehrere Reihen auf, so können alle Reihen parallel zueinander orientiert sein.
Gemäß zumindest einer Aus führungs form der Leuchte umfasst diese einen Reflektor mit mindestens zwei Teilreflektoren. Der Reflektor ist dazu eingerichtet, von den
Halbleiterlichtquellen emittierte Strahlung zu reflektieren. Der Reflektor ist bevorzugt aus einem reflektierenden Metall gebildet oder weist wenigstens eine metallische,
reflektierende Beschichtung, zum Beispiel mit Aluminium oder mit Silber, auf. Die Teilreflektoren stellen Teile oder
Teilbereiche des Reflektors dar und weisen eine voneinander verschiedene Grundform auf.
Gemäß zumindest einer Aus führungs form der Leuchte sind die Teilreflektoren, in einem Querschnitt senkrecht zu der
Haupterstreckungsrichtung und/oder zu der Reihe der
Halbleiterlichtquellen, kegelschnittförmig oder wie eine Kegelschnittfigur ausgebildet. Kegelschnittförmig ausgebildet kann bedeuten, dass die Teilreflektoren jeweils vollständig oder stellenweise, in dem Querschnitt gesehen, wie ein Kreis, eine Ellipse, eine Parabel oder eine Hyperbel geformt sind. Weiterhin weisen die Teilreflektoren jeweils mindestens einen Mittelpunkt oder mindestens einen Brennpunkt sowie mindestens eine Brennweite oder einen Radius auf.
Gemäß zumindest einer Aus führungs form der Leuchte liegen mindestens zwei der Mittelpunkte oder Brennpunkte oder mindestens einer der Mittelpunkte und der Brennpunkte sowie die Reihe, im Querschnitt gesehen, übereinander oder nahezu übereinander. Die Reihe ist im Querschnitt gesehen
punktförmig. Insbesondere liegen mindestens zwei Elemente aus der Gruppe, wobei die Gruppe gebildet wird durch mindestens einen der Mittelpunkte, mindestens einen der Brennpunkte und mindestens eine der Reihen, in dem Querschnitt gesehen innerhalb eines fiktiven Kreises. Ein Durchmesser des Kreises beträgt höchstens 25 % der größten Brennweite und/oder 25 % des größten Radius der Teilreflektoren. Bevorzugt weist der Kreis, innerhalb dem zumindest zwei der Brennpunkte,
Mittelpunkte oder Reihen liegen, einen Durchmesser von höchstens 15 % oder von höchstens 7,5 % oder von höchstens 3 % der größten Brennweite oder des größten Radius auf. Die Leuchte kann auch mehrere solcher fiktiver Kreise, die einander nicht überlappen und innerhalb denen wenigstens zwei der Elemente aus der genannten Gruppe liegen, aufweisen.
In mindestens einer Aus führungs form der Leuchte umfasst diese eine Kühlkörperplatte sowie mehrere Halbleiterlichtquellen, die entlang mindestens einer Reihe an der Kühlkörperplatte angebracht sind. Durch die Reihe ist eine
Haupterstreckungsrichtung vorgegeben. Des Weiteren umfasst die Leuchte einen Reflektor mit mindestens zwei
Teilreflektoren. In einem Querschnitt senkrecht zur
Haupterstreckungsrichtung sind die Teilreflektoren jeweils kegelschnittförmig ausgebildet und weisen jeweils mindestens einen Brennpunkt oder mindestens einen Mittelpunkt sowie mindestens eine Brennweite oder mindestens einen Radius auf. Mindestens zwei Elemente aus der Gruppe, die durch den mindestens einen Mittelpunkt, den mindestens einen Brennpunkt und die mindestens eine Reihe gebildet ist, liegen, in dem Querschnitt gesehen, innerhalb eines Kreises mit einem
Durchmesser von höchstens 25 % der größten Brennweite
und/oder des größten Radius der Teilreflektoren.
Durch einen der Teilreflektoren ist zum Beispiel eine
Sammlung der von den Halbleiterlichtquellen emittierten
Strahlung realisierbar. Durch den weiteren Teilreflektor ist eine Richtungsgebung oder eine Fokussierung der Strahlung bewerkstelligbar. Hierdurch ist eine Lichtstärke der Leuchte erhöhbar und/oder maximierbar.
Gemäß zumindest einer Aus führungs form der Leuchte sind die Teilreflektoren entlang der Haupterstreckungsrichtung
gleichbleibend geformt. Mit anderen Worten gleichen
verschiedene Querschnitte der Teilreflektoren einander, senkrecht zur Haupterstreckungsrichtung. Die Leuchte ist entlang der Haupterstreckungsrichtung insbesondere stabförmig oder röhrenförmig mit gleich bleibendem oder im Wesentlichen gleich bleibendem Querschnitt ausgebildet.
Gemäß zumindest einer Aus führungs form der Leuchte ist jeder der Teilreflektoren insbesondere ausschließlich wie ein Teil genau einer der folgenden geometrischen
Figuren geformt: Kreis, Ellipse, Parabel oder Hyperbel. Mit anderen Worten ist bevorzugt jeder der Teilreflektoren wie ein Teil genau einer der genannten geometrischen Figuren geformt. Die Teilreflektoren sind, in dem Querschnitt
gesehen, insbesondere nicht durch eine Aneinanderreihung verschiedener der genannten geometrischen Figuren geformt. Gemäß zumindest einer Aus führungs form der Leuchte ist mindestens einer oder genau einer der Teilreflektoren, in dem Querschnitt gesehen, als Teil eines Kreises oder einer
Ellipse geformt. Alternativ oder zusätzlich ist mindestens einer oder genau einer der Teilreflektoren, in dem
Querschnitt gesehen, als Teil einer Parabel oder einer
Hyperbel geformt.
Gemäß zumindest einer Aus führungs form der Leuchte ist an ]e einer der Hauptseiten und/oder an der Stirnseite der
Kühlkörperplatte höchstens eine Reihe der
Halbleiterlichtquellen angebracht. Beispielsweise ist j ede der Hauptseiten mit genau einer Reihe der
Halbleiterlichtquellen versehen oder es ist nur die
Stirnseite mit einer einzigen Reihe der
Halbleiterlichtquellen bestückt.
Gemäß zumindest einer Aus führungs form der Leuchte ist eine Hauptemissionsrichtung der Halbleiterlichtquellen quer zu einer Hauptabstrahlrichtung der Leuchte orientiert. Die Hauptemissionsrichtung ist hierbei eine solche Richtung, entlang der die Halbleiterlichtquellen im Betrieb eine maximale Intensität emittieren. Insbesondere ist die
Hauptemissionsrichtung senkrecht zu einer Montagebene der Halbleiterlichtquellen an der Kühlkörperplatte orientiert. Dass die Hauptemissionsrichtung quer zur
Hauptabstrahlrichtung orientiert ist, kann bedeuten, dass ein Winkel zwischen der Hauptemissionsrichtung und der
Hauptabstrahlrichtung ungleich 0° und ungleich 180° ist.
Insbesondere ist die Hauptemissionsrichtung senkrecht zu der Hauptabstrahlrichtung ausgerichtet . Gemäß zumindest einer Aus führungs form der Leuchte sind die Teilreflektoren voneinander beabstandet. Mit anderen Worten berühren sich die Teilreflektoren nicht. Zwischen den
Teilreflektoren liegt beispielsweise ein Luftspalt. Die
Teilreflektoren können durch ein Gehäuse der Leuchte relativ zueinander mechanisch fixiert sein.
Gemäß zumindest einer Aus führungs form der Leuchte beträgt ein minimaler Abstand zwischen der Reihe der
Halbleiterlichtquellen und den Teilreflektoren mindestens 50 % der kleinsten Brennweite und/oder des kleinsten Radius der Teilreflektoren. Die Halbleiterlichtquellen befinden sich also nicht in unmittelbarer Nähe zu den Teilreflektoren. Eine Positionierung der Halbleiterlichtquellen relativ zu den Teilreflektoren erfolgt insbesondere über die
Kühlkörperplatte, sodass die Halbleiterlichtquellen nicht an den Teilreflektoren unmittelbar befestigt zu sein brauchen.
Gemäß zumindest einer Aus führungs form der Leuchte beträgt ein Quotient aus maximaler Brennweite und/oder Radius und
minimaler Brennweite und/oder Radius der Teilreflektoren höchstens 3, bevorzugt höchstens 2. Die Brennweiten und Radi sich einander also ähnlich.
Gemäß zumindest einer Aus führungs form der Leuchte beträgt die mindestens eine Brennweiten und/oder der mindestens eine Radius der Teilreflektoren oder betragen alle Brennweiten und Radi zwischen einschließlich 5 mm und 125 mm, insbesondere zwischen einschließlich 10 mm und 75 mm.
Gemäß zumindest einer Aus führungs form der Leuchte liegt die Kühlkörperplatte, in dem Querschnitt gesehen, vollständig innerhalb des Reflektors oder vollständig innerhalb einer Einhüllenden des Reflektors. Die Einhüllende ist zum Beispiel eine geschlossene, fiktive Linie, die eine minimale Länge aufweist und alle Teilreflektoren einschließt, in dem
Querschnitt gesehen.
Gemäß zumindest einer Aus führungs form der Leuchte beträgt ein von den Halbleiterlichtquellen erzeugter Strahlungsanteil, der die Leuchte ohne Reflexion an den Teilreflektoren
verlässt, höchstens 30 % oder höchstens 20 % und/oder
mindestens 5 % oder mindestens 10 %. Ebenso ist es möglich, dass keine oder im Wesentlichen keine Strahlung die Leuchte verlässt, ohne an den Teilreflektoren zumindest einmal reflektiert worden zu sein.
Gemäß zumindest einer Aus führungs form der Leuchte weist diese eine Symmetrieebene auf, die parallel zu der
Hauptabstrahlrichtung orientiert ist. Die Symmetrieebene befindet sich zum Beispiel zwischen zwei der Reihen oder scheidet eine der Reihen. Die Symmetrieebene verläuft
bevorzugt durch die Kühlkörperplatte hindurch und kann parallel zu den Hauptseiten und/oder senkrecht zu der
Stirnseite orientiert sein.
Gemäß zumindest einer Aus führungs form der Leuchte ist diese dazu eingerichtet, entlang der Hauptabstrahlrichtung eine Lichtstärke von mindestens 1000 cd oder von mindestens
2000 cd oder von mindestens 2500 cd zu emittieren. Es strahlt die Leuchte das erzeugte Licht insbesondere innerhalb eines kleinen Emissionswinkels, zum Beispiel kleiner als 30° oder kleiner als 15° oder kleiner als 5°, ab. Der Emissionswinkel ist beispielsweise der kleinste, zusammenhängende
Winkelbereich, in dem Querschnitt gesehen, in den 50 % des im Betrieb erzeugten Lichts emittiert wird. Das erzeugt Licht ist also bevorzugt auf einen kleinen Raumwinkelbereich konzentriert, wodurch die Lichtstärke ansteigt.
Gemäß zumindest einer Aus führungs form der Leuchte gehen die Teilreflektoren stetig ineinander über. Zusätzlich ist es möglich, dass die Teilreflektoren knickfrei, also gemäß einer differenzierbaren Kurve, ineinander übergehen.
Gemäß zumindest einer Aus führungs form der Leuchte durchstößt die Kühlkörperplatte die Einhüllende des Reflektors. Mit anderen Worten ragt die Kühlkörperplatte dann aus dem
Reflektor heraus. Es befinden sich bevorzugt an beiden
Hauptseiten der Kühlkörperplatte Teilreflektoren,
insbesondere an einander gegenüber liegenden Stellen.
Eine derartige Leuchte ist beispielsweise als Strahler einsetzbar. Insbesondere kann eine solche Leuchte zur
Arbeitsplatzbeleuchtung, zur Architekturbeleuchtung etwa in Museen oder in Boutiquen oder zur gezielten Akzentbeleuchtung von Ausstellungsstücken oder Teilbereichen von
Ausstellungsflächen eingesetzt werden. Insbesondere ist die Leuchte dazu eingerichtet, vergleichsweise kleine Areale in einem Abstand von zum Beispiel mindestens 1 m oder mindestens 2 m mit einer großen Beleuchtungsstärke von insbesondere mehr als 500 lx oder mehr als 1000 lx anzustrahlen.
Nachfolgend wird eine hier beschriebene Leuchte unter
Bezugnahme auf die Zeichnung anhand von Ausführungsbeispielen näher erläutert. Gleiche Bezugszeichen geben dabei gleiche Elemente in den einzelnen Figuren an. Es sind dabei jedoch keine maßstäblichen Bezüge dargestellt, vielmehr können einzelne Elemente zum besseren Verständnis übertrieben groß dargestellt sein. Es zeigen:
Figuren 1 und 3 bis 6 schematische Schnittdarstellungen von Ausführungsbeispielen von hier beschriebenen Leuchten,
Figur 2 schematische dreidimensionale Darstellungen von
Kühlkörperplatten für hier beschriebene Leuchten, und
Figur 7 eine schematische Schnittdarstellung einer
herkömmlichen Leuchte.
In Figur 1 ist in einer Schnittdarstellung ein
Ausführungsbeispiel einer Leuchte 1 illustriert. Die Leuchte 1 umfasst eine Kühlkörperplatte 2 mit zwei einander
gegenüberliegenden, eben geformten Hauptseiten 20 und mit einer Stirnseite 25. Die Stirnseite 25 ist senkrecht zu einer Hauptabstrahlrichtung z der Leuchte 1 orientiert. Die
Hauptseiten 20 sind parallel zu der Hauptabstrahlrichtung z ausgerichtet. Bei der Kühlkörperplatte 2 handelt es sich beispielsweise um eine Metallkernplatine.
An der Stirnseite 25 ist eine Mehrzahl von
Halbleiterlichtquellen 3 entlang einer Reihe 30 angebracht. Die Reihe 30 verläuft entlang einer geraden Linie, die senkrecht zu der Zeichenebene der Figur 1 orientiert ist und mit der Zeichenebene einen Schnittpunkt bildet. Die
Halbleiterlichtquellen 3 weisen eine Hauptemissionsrichtung E auf, die parallel zu der Hauptabstrahlrichtung z ausgerichtet ist und in Verlängerung der Kühlkörperplatte 2 verläuft. Die Halbleiterlichtquellen 3, bei denen es sich bevorzugt um Leuchtdioden, also um Punktstrahler, handelt, sind dazu eingerichtet, im Betrieb der Leuchte 1 sichtbares Licht zu emittieren .
Weiterhin umfasst die Leuchte 1 einen Reflektor 4 mit
Teilreflektoren 41, 42. Der Teilreflektor 41, der symmetrisch um eine Lichtaustrittsöffnung L der Leuchte 1 angeordnet ist, ist im Querschnitt gesehen wie ein Teil einer Ellipse
geformt. Der Teilreflektor 42 ist kegelschnittförmig wie ein Teil einer Parabel geformt.
Ein erster Brennpunkt Fla sowie die Reihe 30 liegen, in der Zeichenebene gesehen, innerhalb eines fiktiven Kreises Kl, gezeichnet als Strich-Punkt-Linie. Ein zweiter Brennpunkt Flb des Teilreflektors 41 sowie ein Brennpunkt F2 des
parabelförmigen Teilreflektors 42 liegen innerhalb des fiktiven Kreises K2. Die Kreise Kl, K2 weisen jeweils
Durchmesser d auf, die höchstens 25 % eines Minimums aus der Brennweite f des Teilreflektors 42 und eines mittleren
Durchmessers des Teilreflektors 41 beträgt. Bei der Leuchte 1 gemäß Figur 1 liegen die Brennpunkte Flb, F2 sowie die Reihe 30 und der Brennpunkt Fla im Rahmen der
Herstellungstoleranzen exakt übereinander.
Ein minimaler Abstand D der Halbleiterlichtquellen 3 zu den Teilreflektoren 41, 42 ist größer als die Brennweite f des Teilreflektors 42. Die Brennweite f ist kleiner als der mittlere Durchmesser des Teilreflektors 41. Es ergibt sich der mittlere Durchmesser des ellipsenförmigen Teilreflektors 41 als arithmetisches Mittel der Längen der Halbachsen der Ellipse, nach der der Teilreflektor 41 geformt ist.
In Figur 1 sind exemplarisch einige Strahlen S des von den Halbleiterlichtquellen 3 emittierten Lichts durch Pfeil- Linien symbolisiert. Ein Großteil des von den
Halbleiterlichtquellen 3 emittierten Lichts trifft auf den Teilreflektor 41. Da der Teilreflektor 41 ellipsenförmig gestaltet ist und sich die Reihe 30 der
Halbleiterlichtquellen 3 in dem Brennpunkt Fla befinden, wird dieser Strahlungsanteil in den Brennpunkt Flb des
Teilreflektors 41 fokussiert. Da dieser Brennpunkt Flb deckungsgleich mit dem Brennpunkt F2 des Teilreflektors 42 liegt, wird dieser Strahlungsanteil parallelisiert und als paralleles Strahlbündel oder näherungsweise paralleles
Strahlbündel von der Leuchte 1 durch die
Lichtaustrittsöffnung L hindurch emittiert.
Ein Strahlungsanteil, der von den Halbleiterlichtquellen 3 ohne Reflexion an dem Reflektor 4 unmittelbar aus der Leuchte 1 heraus emittiert wird, beträgt bevorzugt weniger als 50 % oder weniger als 30 %. Die von der Leuchte 1 emittierte
Strahlung ist vergleichsweise stark gerichtet. Ein
Emissionswinkel liegt insbesondere im Bereich zwischen einschließlich 0° und 20°.
Die Teilreflektoren 41, 42 berühren einander nicht. Die
Teilreflektoren 41, 42 sind durch ein Gehäuse 5, in Figur 1 durch eine Strich-Linie symbolisiert, relativ zueinander fixiert. Das Gehäuse 5 kann reflektierende Innenwände
aufweisen. Ebenso können die Hauptseiten 20 der
Kühlkörperplatte 2 mit einer reflektierenden Beschichtung versehen sein. Die Kühlkörperplatte 2 befindet sich
vollständig in dem Reflektor 4 und berührt diesen nicht, in dem Querschnitt gesehen.
In Figur 2 sind perspektivische Darstellungen von
Ausführungsbeispielen von Kühlkörperplatten 2 illustriert. Gemäß Figur 2A sind die Halbleiterlichtquellen 3r, 3b an der Stirnseite 25 angebracht. Die Halbleiterlichtquellen 3r, 3g sind in einer alternierenden Abfolge an der Stirnseite 25 montiert. Bei den Halbleiterlichtquellen 3g handelt es sich insbesondere um im blauen Spektralbereich und/oder im grünen Spektralbereich emittierende Leuchtdioden, bei den
Halbleiterlichtquellen 3r um bevorzugt im roten und/oder gelben und/oder orangen Spektralbereich emittierende
Leuchtdioden. Eine Farbmischung der von den
Halbleiterlichtquellen 3g, 3r emittierten Strahlung findet insbesondere auch durch Reflexion an dem Reflektor 4 statt.
Die Halbleiterlichtquellen 3r, 3g sind in der einzigen Reihe 30 angeordnet. Die Hauptseiten 20 sind frei von den
Halbleiterlichtquellen 3g, 3r. Ein Abstand benachbarter Halbleiterlichtquellen 3g, 3r in der linearen Reihe 30 liegt bevorzugt zwischen einschließlich 5 mm und 60 mm,
insbesondere zwischen einschließlich 15 mm und 45 mm. Eine mittlere elektrische Leistungsaufnahme der
Halbleiterlichtquellen 3g, 3r liegt bevorzugt zwischen einschließlich 50 mW und 3 W, insbesondere zwischen
einschließlich 0,1 W und 1,5 W, etwa bei ungefähr 1 W.
Elektrische Leiterbahnen zur Kontaktierung der
Halbleiterlichtquellen 3r, 3g sind in den Figuren nicht gezeichnet .
Geometrische Abmessungen der Kühlkörperplatte 2, die in
Draufsicht rechteckig geformt ist, betragen entlang der x- Richtung, parallel zu der Reihe 30, beispielsweise zwischen einschließlich 10 cm und 100 cm, insbesondere um 40 cm. Eine Ausdehnung entlang der z-Richtung liegt zum Beispiel zwischen einschließlich 2 cm und 30 cm, insbesondere zwischen
einschließlich 3 cm und 15 cm. Eine Dicke der Kühlkörperplatte 2 beträgt insbesondere zwischen einschließlich 1,5 mm und 10 mm, bevorzugt zwischen
einschließlich 1,5 mm und 5 mm. Die Anzahl der
Halbleiterlichtquellen 3r, 3g in der Reihe 30 ist in Figur 2 nur schematisch dargestellt. Beispielsweise beträgt die
Anzahl der Halbleiterlichtquellen 3r, 3g in der Reihe 30 insgesamt zwischen einschließlich 5 und 60, bevorzugt
zwischen einschließlich 12 und 30.
Gemäß Figur 2B ist jeweils eine Reihe 30 der
Halbleiterlichtquellen 3 an je einer der Hauptseiten 20 der Kühlkörperplatte 2 angebracht, parallel zu und nahe an der Stirnseite 25. Nahe an der Stirnseite 25 kann bedeuten, dass die Reihen 30 höchstens 8 mm oder höchstens 3 mm von der Stirnseite 25 entfernt sind. Die Hauptemissionsrichtungen E der Halbleiterlichtquellen 3 sind senkrecht zu den
Hauptseiten 20 orientiert. Bei den Halbleiterlichtquellen 3 kann es sich wie gemäß Figur 2A um eine Abfolge in
verschiedenen Spektralbereichen emittierender
Halbleiterlichtquellen handeln. Ebenso ist es möglich, dass alle oder ein Teil der Halbleiterlichtquellen 3 weißes Licht emittieren. Weitere Details der Kühlkörperplatte 2 sowie der Halbleiterlichtquellen 3 können wie im Zusammenhang mit Figur 2A beschrieben ausgebildet sein.
Die in den Figuren 2A, 2B beschriebenen Kühlkörperplatten 2 können in allen Ausführungsbeispielen der Leuchte 1
eingesetzt werden. Beispielsweise findet die Kühlkörperplatte 2 gemäß Figur 2A Anwendung im Ausführungsbeispiel gemäß Figur 1 und die Kühlkörperplatte 2 gemäß Figur 2B im
Ausführungsbeispiel der Leuchte 1 gemäß Figur 3. In Figur 3 ist ein weiteres Ausführungsbeispiel der Leuchte 1 illustriert. Die Kühlkörperplatte 2 ist parallel zu der
Hauptabstrahlrichtung z orientiert. Der Teilreflektor 41 ist als Teil eines Kreises mit dem Mittelpunkt Ml geformt. Der Teilreflektor 42 ist als Teil einer Parabel mit dem
Brennpunkt F2 geformt. Der Mittelpunkt Ml sowie der
Brennpunkt F2 liegen deckungsgleich übereinander und vor der Stirnseite 25 der Kühlkörperplatte 2, in Richtung entlang der Hauptabstrahlrichtung z. Die Hauptemissionsrichtungen E der Halbleiterlichtquellen 3, die in den zwei Reihen 30
angeordnet sind, sind senkrecht zur Hauptabstrahlrichtung z ausgerichtet .
Eine in z-Richtung von den Halbleiterlichtquellen 3
emittierte Strahlung Sl trifft unmittelbar auf den
Teilreflektor 42 und wird in etwa parallel zu der
Hauptabstrahlrichtung z emittiert. Eine Strahlung S2, die entgegen der z-Richtung emittiert wird, trifft zuerst auf den Teilreflektor 41, wird dann in Richtung des Brennpunkts F2 reflektiert und nachfolgend durch den Teilreflektor 42 ebenfalls näherungsweise parallel zur Hauptabstrahlrichtung z abgestrahlt. Der Teilreflektor 41 dient also zu einer
Lichtsammlung, sodass nahezu die gesamte Strahlung der
Halbleiterlichtquellen 3 entweder unmittelbar auf den
parallelisierenden Teilreflektor 42 trifft oder durch den Teilreflektor 41 gesammelt und in Richtung des Brennpunkts F2 konzentriert und nachfolgend ebenfalls durch den
Teilreflektor 42 parallelisiert wird.
Bei den Halbleiterlichtquellen 3 kann es sich um Lambert' sehe Strahler oder näherungsweise um solche Strahler handeln.
Hierdurch wird nur ein geringer Strahlungsanteil von den Halbleiterlichtquellen 3 unmittelbar, ohne Reflexion an dem Reflektor 4, aus der Leuchte 1 emittiert.
Auch beim Ausführungsbeispiel gemäß den Figuren 4A, 4B befinden sich die Reihen 30 der Halbleiterlichtquellen 3 nahe des Mittelpunkts Ml und des Brennpunkts F2, innerhalb des Kreises K. Der Teilreflektor 41 ist halbkreisförmig gestaltet und der Teilreflektor 42 in Form eines Parabelteils. Wieder dient der Teilreflektor 41 zu einer Lichtsammlung und
Lichtkonzentration in den Brennpunkt F2 des parabelförmigen Teilreflektors 42, der zu einer Parallelisierung der
Strahlung eingerichtet ist, siehe die Strahlen Sl, S2. Die Teilreflektoren 41, 42 gehen stetig ineinander über.
Gemäß Figur 4A ist die Kühlkörperplatte 2 mit den
Halbleiterlichtquellen 3 parallel zur Hauptabstrahlrichtung z ausgerichtet. In Figur 4B ist die Kühlkörperplatte 2 schräg zu der Hauptabstrahlrichtung z orientiert. Sowohl in Figur 4A als auch in Figur 4B ist die Kühlkörperplatte 2 jeweils radial bezüglich des Mittelpunkts Ml und des Teilreflektors 41 ausgerichtet. Durch die Orientierung der Kühlkörperplatte 2 mit den Reihen 30 der Halbleiterlichtquellen 3 lässt sich die Größe des Strahlungsanteils, der ohne Reflexion an dem Reflektor 4 von der Leuchte 1 emittiert wird, verändern.
Bezogen auf den Mittelpunkt Ml des Teilreflektors 41 oder auf einen Durchstoßpunkt der Reihe 30 durch die Zeichenebene sind die Halbleiterlichtquellen 3 in einem Winkelbereich von mindestens 225° oder von mindestens 270° von dem Reflektor 4 in dem Querschnitt ringsum umgeben, sodass nur ein
vergleichsweise geringer Strahlungsanteil ohne Reflexion an dem Reflektor 4 die Leuchte 1 verlässt. Bei
Ausführungsbeispielen gemäß der Figur 5 ist dieser Winkelbereich nochmals größer und liegt bei mindestens 315°, zum Beispiel bei zirka 335°. Der Emissionswinkel der Leuchte 1 kann daher besonders klein sein.
In Figur 5 ist der Teilreflektor 42 wie ein Teil einer
Ellipse geformt, der Teilreflektor 41 ist kreisförmig
ausgebildet. Ein überwiegender Strahlungsanteil, der von den Halbleiterlichtquellen 3 in die z-Richtung emittiert wird, wird von dem Teilreflektor 41 in den Brennpunkt F2a
konzentriert. Hierdurch gelangt ein überwiegender
Strahlungsanteil über Reflexion an dem Teilreflektor 42 in den zweiten Brennpunkt F2b des Teilreflektors 42. Da die Strahlung die Leuchte 1 überwiegend durch den Brennpunkt F2b hindurch verlässt, ist die Leuchte 1 näherungsweise als
Punktlichtquelle oder als Linienlichtquelle ansehbar. Die Teilreflektoren 41, 42 stoßen aneinander und bilden einen Knick aus. Die Teilreflektoren 41, 42 können aus einem gemeinsamen, zusammenhängenden Blech geformt sein.
In Figur 6 ist ein weiteres Ausführungsbeispiel der Leuchte 1 illustriert. Der Reflektor 4 weist drei Teilreflektoren 41, 42, 43 auf. Der Teilreflektor 41 ist als Teil eines Kreises geformt, der Teilreflektor 42 als Teil einer Ellipse und der Teilreflektor 43 als Teil einer Parabel. Der Reflektor 4 ist derart geformt, dass keine von den Halbleiterlichtquellen 3 erzeugte Strahlung unmittelbar ohne Reflexion an dem
Reflektor 4 die Leuchte 1 verlassen kann, vergleiche die Strich-Punkt-Linie .
Die von den Halbleiterlichtquellen 3 erzeugte Strahlung entsteht gemäß Figur 6 nahe dem Brennpunkt F2a des
Teilreflektors 42 und wird von dem kreisförmigen
Teilreflektor 41 zusätzlich in den Brennpunkt F2a konzentriert. Der Mittelpunkt Ml des Teilreflektors 41 sowie der Brennpunkt F2a liegen im Rahmen der
Herstellungstoleranzen deckungsgleich übereinander. Die näherungsweise den Brennpunkt F2a durchlaufende Strahlung wird in den Brennpunkt F2b des Teilreflektors 42 gelenkt. Der Brennpunkt F2b liegt deckungsgleich mit dem Brennpunkt F3 des parabelförmigen Teilreflektors 43. Durch die Leuchte 1 wird ein näherungsweise paralleles Strahlbündel entlang der
Hauptabstrahlrichtung z emittiert.
Die Teilreflektoren 41, 42, 43 gehen gemäß Figur 6 knickfrei ineinander über. Ein Grenzbereich zwischen den
Teilreflektoren 42, 43 ist in Figur 6 durch einen kleinen Querstrich symbolisiert. Es können die Teilreflektoren 41, 42, 43 insgesamt einstückig ausgebildet oder aus mehreren Werkstücken zusammengesetzt sein.
In Figur 7 ist eine herkömmliche Leuchte illustriert. Ein Großteil der von der Halbleiterlichtquelle 3 emittierten Strahlung verlässt die Leuchte ohne Reflexion an dem
Reflektor 4. Der Reflektor 4 steht in direktem Kontakt zu der Halbleiterlichtquelle 3 und zu der Kühlkörperplatte 2 nahe der Halbleiterlichtquelle 3. Die Halbleiterlichtquelle 3 befindet sich nicht nahe eines Brennpunkts oder Mittelpunkts des Reflektors. Ein Emissionswinkel der Leuchte gemäß Figur 7 ist vergleichsweise groß und liegt im Bereich zwischen zirka 60° und 80°. Eine Lichtstärke der Leuchte gemäß Figur 7 ist daher vergleichsweise gering, die Leuchte ist nur bedingt als gerichteter Strahler einsetzbar.
Die hier beschriebene Erfindung ist nicht durch die
Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele beschränkt.
Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist .
Diese Patentanmeldung beansprucht die Priorität der deutschen Patentanmeldung 10 2010 045 394.3, deren Offenbarungsgehalt hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird.

Claims

Patentansprüche
1. Leuchte (1) mit
- einer Kühlkörperplatte (2),
- mehreren Halbleiterlichtquellen (3), die entlang mindestens einer Reihe (30) an der Kühlkörperplatte (2) angebracht sind, wobei durch die Reihe (30) eine
Haupterstreckungsrichtung (x) vorgegeben ist, und
- einem Reflektor (4) mit mindestens zwei
Teilreflektoren (41, 42),
wobei
- die Teilreflektoren (41, 42) in einem Querschnitt senkrecht zu der Haupterstreckungsrichtung (x)
kegelschnittförmig ausgebildet sind und jeweils
mindestens einen Brennpunkt (F) oder einen Mittelpunkt (M) sowie eine Brennweite (f) oder einen Radius (r) aufweisen, und
- mindestens zwei Elemente aus der Gruppe, die durch den mindestens einen Mittelpunkte (M) , den mindestens einen Brennpunkt (F) und die mindestens eine Reihe (30) gebildet ist, in dem Querschnitt gesehen innerhalb eines Kreises (K) mit einem Durchmesser (d) von
höchstens 25 % der größten Brennweite (f) und/oder des größten Radius (r) der Teilreflektoren (41, 42) liegen.
2. Leuchte (1) nach dem vorhergehenden Anspruch,
bei der die Teilreflektoren (41, 42), in dem
Querschnitt gesehen, zumindest teilweise wie mindestens eine der folgenden, aufgeführten geometrischen Figuren geformt sind: Kreis, Ellipse, Parabel, Hyperbel.
3. Leuchte (1) nach dem vorhergehenden Anspruch,
bei der die Teilreflektoren (41, 42) jeweils wie ein Teil genau einer der aufgeführten geometrischen Figuren geformt sind.
4. Leuchte (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei der mindesten einer oder genau einer der
Teilreflektoren (41, 42), in dem Querschnitt gesehen, als Teil eines Kreises oder einer Ellipse geformt ist, und
bei der mindesten einer oder genau einer der
Teilreflektoren (41, 42), in dem Querschnitt gesehen, als Teil einer Parabel oder einer Hyperbel geformt ist.
5. Leuchte (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei der an je einer Hauptseite (20) und/oder einer Stirnseite (25) der Kühlkörperplatte (2) höchstens eine Reihe (30) der Halbleiterlichtquellen (3) angebracht ist .
6. Leuchte (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei der mindestens eine der Hauptseiten (20) der
Kühlkörperplatte (2) parallel zu einer
Hauptabstrahlrichtung (z) der Leuchte (1) orientiert ist .
7. Leuchte (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei der eine Hauptemissionsrichtung (E) der
Halbleiterlichtquellen (3) quer zu der
Hauptabstrahlrichtung (z) der Leuchte (1) orientiert ist .
8. Leuchte (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei der die Teilreflektoren (41, 42) voneinander beabstandet sind.
9. Leuchte (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei der, im Querschnitt gesehen, ein minimaler Abstand (D) zwischen der Reihe (30) der Halbleiterlichtquellen
(3) und den Teilreflektoren (41, 42) mindestens 50 % der kleinsten Brennweite (f) und/oder des kleinsten Radius (r) der Teilreflektoren (41, 42) beträgt.
10. Leuchte (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei der die mindestens eine Brennweiten (f) und/oder der mindestens eine Radius (r) der Teilreflektoren (41, 42) zwischen einschließlich 5 mm und 125 mm beträgt.
11. Leuchte (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei der, in dem Querschnitt gesehen, die
Halbleiterlichtquellen (3) in einem Winkelbereich von mindestens 225° von den Teilreflektoren (41, 42) umgeben sind, ausgehend von der Reihe (30) .
12. Leuchte (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die Kühlkörperplatte (2), in dem Querschnitt gesehen, vollständig innerhalb des Reflektors (4) oder vollständig innerhalb einer Einhüllenden des Reflektors
(4) liegt.
13. Leuchte (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei der ein von den Halbleiterlichtquellen (3)
erzeugter Strahlungsanteil, der die Leuchte (1) ohne Reflexion an den Teilreflektoren (41, 42) verlässt, höchstens 30 % beträgt.
14. Leuchte (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, die dazu eingerichtet ist, eine Lichtstärke von
mindestens 1000 cd zu emittieren.
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