WO2011141206A2 - Schaltung und verfahren zum betrieb einer leuchteinheit sowie leuchte mit einer solchen schaltung - Google Patents

Schaltung und verfahren zum betrieb einer leuchteinheit sowie leuchte mit einer solchen schaltung Download PDF

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    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B45/00—Circuit arrangements for operating light-emitting diodes [LED]
    • H05B45/30—Driver circuits
    • H05B45/37—Converter circuits
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    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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    • H05B45/00—Circuit arrangements for operating light-emitting diodes [LED]
    • H05B45/30—Driver circuits
    • H05B45/32—Pulse-control circuits

Definitions

  • the invention relates to a circuit and a method for operating a lighting unit and a lamp with such a circuit.
  • semiconductor light-emitting elements in particular light-emitting diodes (LEDs) are also used for general lighting
  • WO 2009/089912 shows a buck converter operating in a so-called “continuous” mode, i. the main energy storage element (inductance) of the converter is not completely demagnetized in each switching cycle.
  • the current through the load (light emitting diode) also varies without additional
  • Reference voltage source is biased
  • the electronic switch is for example a
  • Transistor in particular a field effect transistor or
  • a current from an energy source to the light unit is adjustable.
  • the buck converter can be operated in a continuous mode.
  • On the input side is connected via a first current measuring resistor and the output side via a second current measuring resistor to a supply voltage.
  • the current sense resistors are small
  • Downsamplers are adjustable.
  • Current mirror has two bipolar transistors, wherein the bipolar transistors are interconnected via their base terminals.
  • Base circuit is arranged, wherein the detectable current from the current measuring resistor can be coupled to the emitter of this bipolar transistor,
  • the lighting unit comprises at least one semiconductor element. It is also a development that the circuit comprises an energy source for operating the lighting unit.
  • the power source may include at least one (rechargeable) battery.
  • Reference voltage source ready a reference voltage that can be generated by a power source.
  • a diode, a zener diode or a band-gap reference is provided for setting the reference voltage.
  • the current mirror has two pnp transistors.
  • the hysteresis circuit comprises at least one Schmitt trigger.
  • the hysteresis circuit comprises at least one buffer.
  • the buffer is preferably one
  • the light can be a flashlight or a flashlight. Embodiments of the invention are illustrated and explained below with reference to the drawing.
  • Fig.l a circuit for operating at least one
  • Energy source e.g. a battery
  • Hysteresis circuit and a buck converter shows a circuit for operating at least one
  • Semiconductor lighting element 120 by means of an energy source, eg a battery 110 which provides a supply voltage VI.
  • an energy source eg a battery 110 which provides a supply voltage VI.
  • the positive pole of the battery 110 is connected to a node 101 and the negative pole of the battery 110 is connected to a node 102.
  • the cathode of a diode Dl is connected to the
  • Node 101 and the anode of the diode Dl is connected to a node 104. Between the nodes 104 and 102, a resistor R2 is arranged. Parallel to the diode Dl a capacitor Cl is arranged. The node 104 is over a
  • Resistor R3 is connected to a node 105.
  • the base and the collector of a pnp transistor Tl and the base of a pnp transistor T2 are connected to the node 105.
  • the emitter of the transistor Tl is connected to a node 106 via a resistor R6.
  • a resistor R5 is arranged between the node 101 and the node 106.
  • the cathode of a diode D2 is connected to the node 106, and the anode of the diode D2 is connected to the drain of an n-channel MOSFET T3.
  • Mosfets T3 is connected to node 102.
  • the emitter of the transistor T2 is connected to the node 101 via a resistor R1. Furthermore, the emitter of the transistor T2 is connected to the anode of the semiconductor light-emitting element 120. The cathode of the semiconductor light-emitting element 120 is connected to the drain terminal of the MOSFET T3 via a coil LI.
  • the collector of the transistor T2 is connected to a node 103 and the node 103 is connected to the node 102 via a resistor R4. Furthermore, the node 103 is connected via a hysteresis circuit 130 to the gate terminal of the MOSFET T3.
  • the hysteresis circuit 130 can be, for example, a Schmitt trigger or a comparable component.
  • the hysteresis circuit can be realized by a series connection of two Schmitt triggers of a CMOS circuit 40106.
  • the diode Dl is designed as a Zener diode and the diode D2 is designed as a Schottky diode.
  • the energy source 110 may be at least one battery or at least one accumulator.
  • the circuit shown may be mounted in a luminaire, e.g. one
  • Hand lamp, flashlight, o.a. be used.
  • a buck converter comprising the electronic switch T3, the diode D2 and the coil LI allows adjustment of the energy source (battery) 110 provided
  • the transistors Tl and T2 are arranged as a current mirror.
  • the current mirror is replaced by a
  • the circuit shown in Fig.l lowers the switching thresholds for switching on and off of the main switch (Mosfet T3) of the buck converter in the so-called. Continuous mode well below 0.6V (for example, to 0.2V), thus reducing the
  • Main switch can be operated and as needed a relatively wide operating voltage range (eg from 3V to 18V, the hysteresis circuit 130 is for example in standard C-MOS design) or a miniaturization of the circuit for operation at high frequencies (eg greater than 100kHz, the Hysteresis circuit 130 is implemented in this case as a high-speed C-MOS buffer) can be realized.
  • a relatively wide operating voltage range eg from 3V to 18V, the hysteresis circuit 130 is for example in standard C-MOS design
  • a miniaturization of the circuit for operation at high frequencies eg greater than 100kHz, the Hysteresis circuit 130 is implemented in this case as a high-speed C-MOS buffer
  • the potential at the node 105 is largely determined via the zener diode D1 (with, for example, a breakdown voltage of 4.3V). Accordingly, the transistor Tl is biased.
  • Mosfet T3 is switched on. When Mosfet T3 is turned on, a current begins to flow through the source-drain path of the MOSFET T3, the coil LI, the semiconductor light-emitting element 120 and the resistor Rl. This corresponds to one
  • the current flows until the emitter of the transistor T2 is closed, that is, the transistor T2 gradually blocks; the voltage across the resistor R4 decreases, so that the voltage drops at the node 103 and thus at the hysteresis circuit 130.
  • a lower threshold of the Hysteresis circuit 130 is reached or fallen below, switches the hysteresis circuit 130 and the mosfet T3 blocks. From now on, a falling edge of the approximately triangular current signal begins.
  • the energy stored in the coil LI is output via the diode D2.
  • a current flows through the resistor R5 and causes the potential at the emitter of the transistor T1 to drop to ground (here: the potential at the node 102).
  • the potential at the base of the transistor T2 decreases and the transistor T2 begins to conduct.
  • the transistor T2 can become conductive again.
  • the maximum and the minimum current threshold can be set via the resistors R 1, R 5 and R 6 in conjunction with the switching thresholds of the hysteresis circuit 130.
  • the proposed solution enables a circuit with low losses in the two resistors Rl and R5.
  • the circuit enables higher switching frequencies through the pulse shaping with the hysteresis circuit 130, In particular, for example, high-speed CMOS components as
  • the zener diode D1 As a reference voltage source for the current mirror comprising the transistors Tl and T2, the zener diode D1 with a breakdown voltage of 4.3V is exemplified here
  • bandgap integrated circuit with predefinable constant voltage

Landscapes

  • Circuit Arrangement For Electric Light Sources In General (AREA)

Abstract

Es wird eine Schaltung vorgeschlagen zur Ansteuerung einer Leuchteinheit (120) umfassend einen Stromspiegel (T1, T2), der über eine Referenzspannungsquelle (D1) vorspannbar ist; umfassend eine Hysterese-Schaltung (130), die mit dem Ausgang des Stromspiegels (T1, T2) verbunden ist; umfassend einen Tiefsetzer (T3, D2, L1) mit einem elektronischen Schalter (T3), wobei der elektronische Schalter (T3) mit dem Ausgang der Hysterese-Schaltung (130) verbunden ist; wobei die Leuchteinheit (120) über den Tiefsetzer (T3) ansteuerbar ist. Weiterhin werden ein Verfahren zum Betrieb der Schaltung sowie eine Leuchte mit einer solchen Schaltung vorgeschlagen.

Description

Beschreibung
Schaltung und Verfahren zum Betrieb einer Leuchteinheit sowie Leuchte mit einer solchen Schaltung
Die Erfindung betrifft eine Schaltung und ein Verfahren zum Betrieb eine Leuchteinheit sowie eine Leuchte mit einer solchen Schaltung. Zunehmend werden Halbleiterleuchtelemente, insbesondere Leuchtdioden (LEDs) , auch zur Allgemeinbeleuchtung
eingesetzt. Zum Betrieb derartiger Leuchtelemente werden Stromversorgungsschaltungen benötigt, die einfach,
kostengünstig und effektiv sind.
WO 2009/089912 zeigt einen Tiefsetzer bzw. Tiefsetzsteller, der in einem sogenannten "Continuous" (kontinuierlichen) Modus betrieben wird, d.h. das Hauptenergiespeicherelement (Induktivität) des Wandlers wird in jedem Schaltzyklus nicht vollständig entmagnetisiert. Der Strom durch die Last (Leuchtdiode) variiert auch ohne zusätzlichen
Energiespeicher (Kondensator) zwischen einem maximalen und einem minimalen Wert, der größer Null ist. Der Nachteil dieser Lösung besteht darin, dass an den beiden
eingesetzten Shunt-Widerständen eine Spannung von in Summe ca. 0,6 V abfällt. Dies verschlechtert den Wirkungsgrad der Schaltung .
Die Aufgabe der Erfindung besteht darin, die vorstehend genannten Nachteile zu vermeiden und insbesondere eine verbesserte Schaltung zum Betrieb mindestens eines
Halbleiterleuchtelements anzugeben .
Diese Aufgabe wird gemäß den Merkmalen der unabhängigen Patentansprüche gelöst. Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich auch aus den abhängigen Ansprüchen. Zur Lösung der Aufgabe wird eine Schaltung zur Ansteuerung einer Leuchteinheit angegeben,
- umfassend einen Stromspiegel, der über eine
Referenzspannungsquelle vorspannbar ist;
- umfassend eine Hysterese-Schaltung, die mit dem
Ausgang des Stromspiegels verbunden ist;
- umfassend einen Tiefsetzer mit einem elektronischen Schalter, wobei der elektronische Schalter mit dem Ausgang der Hysterese-Schaltung verbunden ist;
- wobei die Leuchteinheit über den Tiefsetzer
ansteuerbar ist.
Der elektronische Schalter ist beispielsweise ein
Transistor, insbesondere ein Feldeffekttransistor bzw.
Mosfet.
Anhand des elektronischen Schalters ist ein Strom von einer Energiequelle zu der Leuchteinheit einstellbar.
Insbesondere kann der Tiefsetzer in einem kontinuierlichen Modus betrieben werden.
Die vorgeschlagene Lösung hat den Vorteil, dass die in einer Batterie gespeicherte elektrische Energie effizient genutzt werden kann und möglichst lange eine nahezu
gleichmäßige Helligkeit der Leuchteinheit sichergestellt ist .
Eine Weiterbildung ist es, dass der Stromspiegel
eingangsseitig über einen ersten Strommesswiderstand und ausgangsseitig über einen zweiten Strommesswiderstand mit einer Versorgungsspannung verbunden ist.
Vorzugsweise sind die Strommesswiderstände klein
dimensioniert, z.B. kleiner 1 Ohm, so dass nur eine geringe Spannung an diesen Strommesswiderständen abfällt. Eine andere Weiterbildung ist es, dass anhand des ersten Strommesswiderstands und des zweiten Strommesswiderstands Schaltschwellen des elektronischen Schalters des
Tiefsetzers einstellbar sind.
Insbesondere ist es eine Weiterbildung, dass der
Stromspiegel zwei Bipolartransistoren aufweist, wobei die Bipolartransistoren über ihre Basisanschlüsse miteinander verbunden sind.
Auch ist es eine Weiterbildung, dass
- der eine Bipolartransistor des Stromspiegels in
Basisschaltung angeordnet ist, wobei der von dem Strommesswiderstand detektierbare Strom auf den Emitter dieses Bipolartransistors koppelbar ist,
- bei der der andere Bipolartransistor des
Stromspiegels durch das Basispotential als auch über das Emitterpotential steuerbar ist, wobei dieser Bipolartransistor über seinen Kollektor mit der Hysterese-Schaltung verbunden ist.
Ferner ist es eine Weiterbildung, dass die Leuchteinheit mindestens ein Halbleiterleuchtelement umfasst. Auch ist es eine Weiterbildung, dass die Schaltung eine Energiequelle zum Betrieb der Leuchteinheit umfasst.
Die Energiequelle kann mindestens eine (wiederaufladbare) Batterie umfassen.
Im Rahmen einer zusätzlichen Weiterbildung stellt die
Referenzspannungsquelle eine Referenzspannung bereit, die von einer Energiequelle erzeugbar ist. Eine nächste Weiterbildung besteht darin, dass eine Diode, eine Zenerdiode oder eine Band-Gap-Referenz zur Einstellung der Referenzspannung vorgesehen ist. Eine Ausgestaltung ist es, dass der Stromspiegel zwei pnp- Transistoren aufweist. Eine alternative Ausführungsform besteht darin, dass die Hysterese-Schaltung mindestens einen Schmitt-Trigger umfasst .
Eine nächste Ausgestaltung ist es, dass die Hysterese- Schaltung mindestens einen Puffer umfasst.
Bei dem Puffer handelt es sich vorzugsweise um einen
Leistungspuffer zum Schalten des elektronischen Schalters des Tiefsetzers.
Die vorstehend genannte Aufgabe wird auch gelöst durch ein Verfahren zum Betrieb der hier beschriebenen Schaltung.
Weiterhin wird die oben erwähnte Aufgabe gelöst mittels einer Leuchte umfassend die hier beschriebene Schaltung.
Bei der Leuchte kann es sich um eine Handlampe oder um eine Taschenlampe handeln. Ausführungsbeispiele der Erfindung werden nachfolgend anhand der Zeichnung dargestellt und erläutert.
Es zeigt: Fig.l eine Schaltung zum Betrieb mindestens eines
Halbleiterleuchtelements mittels einer
Energiequelle, z.B. einer Batterie, über eine
Hysterese-Schaltung sowie einen Tiefsetzer. Fig.l zeigt eine Schaltung zum Betrieb mindestens eines
Halbleiterleuchtelements 120 mittels einer Energiequelle, z.B. einer Batterie 110, die eine Versorgungsspannung VI bereitstellt .
Der positive Pol der Batterie 110 ist mit einem Knoten 101 und der negative Pol der Batterie 110 ist mit einem Knoten 102 verbunden. Die Kathode einer Diode Dl ist mit dem
Knoten 101 und die Anode der Diode Dl ist mit einem Knoten 104 verbunden. Zwischen den Knoten 104 und 102 ist ein Widerstand R2 angeordnet. Parallel zu der Diode Dl ist ein Kondensator Cl angeordnet. Der Knoten 104 ist über einen
Widerstand R3 mit einem Knoten 105 verbunden. Die Basis und der Kollektor eines pnp-Transistors Tl und die Basis eines pnp-Transistors T2 sind mit dem Knoten 105 verbunden. Der Emitter des Transistors Tl ist über einen Widerstand R6 mit einem Knoten 106 verbunden. Zwischen dem Knoten 101 und dem Knoten 106 ist ein Widerstand R5 angeordnet. Die Kathode einer Diode D2 ist mit dem Knoten 106 verbunden und die Anode der Diode D2 ist mit dem Drain-Anschluss eines n- Kanal Mosfets T3 verbunden. Der Source-Anschluss des
Mosfets T3 ist mit dem Knoten 102 verbunden.
Der Emitter des Transistors T2 ist über einen Widerstand Rl mit dem Knoten 101 verbunden. Weiterhin ist der Emitter des Transistors T2 mit der Anode des Halbleiterleuchtelements 120 verbunden. Die Kathode des Halbleiterleuchtelements 120 ist über eine Spule LI mit dem Drain-Anschluss des Mosfets T3 verbunden.
Der Kollektor des Transistors T2 ist mit einem Knoten 103 verbunden und der Knoten 103 ist über einen Widerstand R4 mit dem Knoten 102 verbunden. Weiterhin ist der Knoten 103 über eine Hysterese-Schaltung 130 mit dem Gate-Anschluss des Mosfets T3 verbunden. Bei der Hysterese-Schaltung 130 kann es sich z.B. um einen Schmitt-Trigger oder ein vergleichbares Bauelement handeln. Beispielsweise kann die Hysterese-Schaltung realisiert sein durch eine Reihenschaltung zweier Schmitt-Trigger eines CMOS-Schaltkreises 40106.
Die Diode Dl ist als eine Zener-Diode und die Diode D2 ist als eine Schottky-Diode ausgeführt.
Die in Fig.l gezeigten Bauteile könnten wie folgt gewählt bzw. dimensioniert werden: R1=0,91Q; R2=330Q; R3=2,2kQ; R4=3,3kQ; R5=0,75Q; R6=220Q; Cl=100nF; Ll=150yH;
T1=T2=SMBT3906; T3=NDS351AN; D1=BZV55C4V3 ; D2=SS14.
Bei der Energiequelle 110 kann es sich um mindestens eine Batterie oder mindestens einen Akkumulator handeln. Die gezeigte Schaltung kann in einer Leuchte, z.B. einer
Handleuchte, Taschenlampe, o.a. eingesetzt werden. Die
Versorgungsspannung VI der Energiequelle ist größer als die Betriebsspannung des Halbleiterleuchtelements 120. Ein Tiefsetzer umfassend den elektronischen Schalter T3, die Diode D2 und die Spule LI ermöglicht eine Anpassung der von der Energiequelle (Batterie) 110 bereitgestellten
Versorgungsspannung VI auf die Betriebsspannung des
Halbleiterleuchtelements 120.
Funktionsweise der Schaltung gemäß Fig.l:
Die Transistoren Tl und T2 sind als ein Stromspiegel angeordnet. Der Stromspiegel wird durch eine
Referenzspannung über die Zenerdiode Dl vorgespannt. Dem Stromspiegel ist ein Puffer mit Schmitt-Trigger-Verhalten (vergleiche Hysterese-Schaltung 130) nachgeschaltet.
Die in Fig.l gezeigte Schaltung senkt die Schaltschwellen zum Ein- und Ausschalten des Hauptschalters (Mosfet T3) des Tiefsetzers in dem sog. Kontinuierlichen Modus deutlich unter 0,6V (z.B. auf 0,2V) ab und reduziert damit die
Verluste in den beiden Strommesswiderständen Rl und R5. Durch die nachgeschaltete Hysterese-Schaltung 130 umfassend den (integrierten) Puffer kann der Mosfet T3 als
Hauptschalter betrieben werden und je nach Bedarf ein relativ weiter Betriebsspannungsbereich (z.B. von 3V bis 18V; die Hysterese-Schaltung 130 ist z.B. in Standard C- MOS-Bauweise ausgeführt) oder eine Miniaturisierung der Schaltung zum Betrieb bei hohen Frequenzen (z.B. größer 100kHz, die Hysterese-Schaltung 130 ist in diesem Fall als High-Speed-C-MOS-Puffer ausgeführt) realisiert werden.
Durch die freie Wahl der Referenzspannung ist die
Einstellung der Regelkennlinie des Stroms durch das
(mindestens eine) Halbleiterleuchtelement 120 als Funktion der Referenzspannung in weiten Bereichen möglich.
Das Potenzial an dem Knoten 105 ist weitgehend über die Zenerdiode Dl (mit beispielsweise einer Durchbruchsspannung in Höhe von 4,3V) bestimmt. Entsprechend ist der Transistor Tl vorgespannt.
Leitet der Transistor T2, so fließt der Strom über den Widerstand R4. An dem Knoten 103 liegt ungefähr die
Versorgungsspannung VI an. Damit liegt (über den Schmitt- Trigger der Hysterese-Schaltung 130) die
Versorgungsspannung VI auch an dem Mosfet T3 an und der
Mosfet T3 wird eingeschaltet. Bei eingeschaltetem Mosfet T3 beginnt ein Strom über die Source-Drain-Strecke des Mosfets T3, die Spule LI, das Halbleiterleuchtelement 120 und den Widerstand Rl zu fließen. Dies entspricht einer
ansteigenden Flanke eines in etwa dreieckförmigen
Stromsignals .
Der Strom fließt solange bis der Emitter des Transistors T2 zugesteuert wird, d.h. der Transistor T2 allmählich sperrt; die Spannung an dem Widerstand R4 sinkt, damit sinkt auch die Spannung an dem Knoten 103 und somit an der Hysterese- Schaltung 130. Sobald eine untere Schaltschwelle der Hysterese-Schaltung 130 erreicht bzw. unterschritten ist, schaltet die Hysterese-Schaltung 130 um und der Mosfet T3 sperrt. Ab jetzt beginnt eine abfallende Flanke des in etwa dreieckförmigen Stromsignals.
In der Freilaufphase (also bei sperrendem Mosfet T3) wird die in der Spule LI gespeicherte Energie über die Diode D2 abgegeben. Über den Widerstand R5 fließt ein Strom und lässt das Potential an dem Emitter des Transistors Tl gegenüber Masse (hier: dem Potential an dem Knoten 102) absinken. Das Potential an der Basis des Transistors T2 sinkt und der Transistor T2 beginnt zu leiten. Das
Potential an dem Emitter des Transistors T2 wird zunehmend positiver. Erreicht die Spannung an dem Widerstand R4 die positive Schaltschwelle der Hysterese-Schaltung 130, so wird der Mosfet T3 wieder leitend geschaltet.
Hierbei sei angemerkt, dass der Widerstand R5 dafür
vorgesehen ist, dass der Transistor T2 wieder leitend werden kann. Die maximale sowie die minimale Stromschwelle sind über die Widerstände Rl, R5 und R6 in Verbindung mit den Schaltschwellen der Hystereseschaltung 130 einstellbar.
Weitere Vorteile:
Die vorgestellte Lösung ermöglicht eine Schaltung mit geringen Verlusten in den beiden Widerständen Rl und R5.
Mit dieser Schaltung kann eine sehr gute Stromkonstanz des Halbleiterleuchtelements bei minimalem Spannungsabfall, also bis zu sehr kleinen Batteriespannungen, erreicht werden. Hierdurch wird die Batterie effizient genutzt, indem möglichst lange eine nahezu konstante Helligkeit des Halbleiterleuchtelements gewährleistet ist.
Die Schaltung ermöglicht durch die Impulsformung mit der Hystereseschaltung 130 höhere Schaltfrequenzen, insbesondere können z.B. High-Speed-CMOS Bauteile als
Schmitt-Trigger eingesetzt werden. Durch die höheren
Schaltfrequenzen lässt sich die Größe der Spule LI
reduzieren, wodurch die Schaltung insgesamt verkleinert werden kann.
Als Referenzspannungsquelle für den Stromspiegel umfassend die Transistoren Tl und T2 wird vorliegend beispielhaft die Zenerdiode Dl mit einer Durchbruchspannung von 4,3V
eingesetzt. Alternativ ist es möglich, die Referenzspannung mittels einer sogenannten Bandgap (integrierter Schaltkreis mit vorgebbarer Konstantspannung) zu erzeugen.
Bezugszeichenliste
101 - 106 Knoten
110 Energiequelle, z.B. (wiederaufladbare)
Batterie
120 Halbleiterleuchtelement
130 Hysterese-Schaltung
VI Versorgungsspannung
Ti elektronischer Schalter
Di Diode
Ri Widerstand
Cl Kondensator
LI Spule

Claims

Schaltung zur Ansteuerung einer Leuchteinheit (120)
- umfassend einen Stromspiegel (Tl, T2), der über
eine Referenzspannungsquelle (Dl) vorspannbar ist;
- umfassend eine Hysterese-Schaltung (130), die mit dem Ausgang des Stromspiegels (Tl, T2) verbunden ist ;
- umfassend einen Tiefsetzer (T3, D2, LI) mit einem elektronischen Schalter (T3) , wobei der
elektronische Schalter (T3) mit dem Ausgang der Hysterese-Schaltung (130) verbunden ist;
- wobei die Leuchteinheit (120) über den Tiefsetzer (T3) ansteuerbar ist.
Schaltung nach Anspruch 1, bei der der Stromspiegel (Tl, T2) eingangsseitig über einen ersten
Strommesswiderstand (R5) und ausgangsseitig über einen zweiten Strommesswiderstand (Rl) mit einer
Versorgungsspannung (110) verbunden ist.
Schaltung nach Anspruch 2, bei der anhand des ersten Strommesswiderstands (R5) und des zweiten
Strommesswiderstands (Rl) Schaltschwellen des
elektronischen Schalters (T3) des Tiefsetzers
einstellbar sind.
Schaltung nach einem der Ansprüche 2 oder 3, bei der der Stromspiegel zwei Bipolartransistoren (Tl, T2) aufweist, wobei die Bipolartransistoren über ihre Basisanschlüsse miteinander verbunden sind.
Schaltung nach Anspruch 4,
- bei der der eine Bipolartransistor (Tl) des
Stromspiegels in Basisschaltung angeordnet ist, wobei der von dem Strommesswiderstand (R5) detektierbare Strom auf den Emitter dieses
Bipolartransistors (Tl) koppelbar ist,
- bei der der andere Bipolartransistor (T2) des
Stromspiegels durch das Basispotential als auch über das Emitterpotential steuerbar ist, wobei dieser Bipolartransistor (T2) über seinen Kollektor mit der Hysterese-Schaltung (130) verbunden ist.
6. Schaltung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei der die Leuchteinheit (120) mindestens ein
Halbleiterleuchtelement umfasst.
Schaltung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, umfassend eine Energiequelle (110) zum Betrieb der Leuchteinheit (120).
Schaltung nach Anspruch 7, bei der die
Referenzspannungsquelle (Dl) eine Referenzspannung bereitstellt, die von der Energiequelle (110)
erzeugbar ist.
Schaltung nach Anspruch 8, bei der eine Diode, eine Zenerdiode (Dl) oder eine Band-Gap-Referenz zur
Einstellung der Referenzspannung vorgesehen ist.
Schaltung nach einem der vorhergehenden Ansprüche be der der Stromspiegel zwei pnp-Transistoren (Tl, T2) aufweist . 11. Schaltung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei der die Hysterese-Schaltung (130) mindestens einen Schmitt-Trigger umfasst.
12. Schaltung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei der die Hysterese Schaltung (130) mindestens einen Puffer umfasst.
13. Verfahren zum Betrieb einer Schaltung gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche.
14. Leuchte umfassend die Schaltung gemäß einem der
vorhergehenden Ansprüche.
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