WO2011122847A2 - Optical device module and method for fabricating same - Google Patents

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Definitions

  • the present invention relates to an optical device module and a method of manufacturing the same.
  • Optical devices refer to devices that generate light by receiving an electrical signal. Such optical devices are used in various fields, and in particular, they are widely used in the field of displays. For this reason, implementation of various circuit structures for optical devices is required.
  • LEDs light emitting diodes
  • Such light emitting diodes generate light by a combination of electrons and holes, which inevitably generate heat in addition to light. By the way, if the heat of the light emitting diode is not radiated, there is a risk of element breakage, and operation efficiency is lowered.
  • the present invention can implement a desired circuit structure by forming at least one optical device package on a module substrate, and provides an optical device module and a method of manufacturing the same that can easily perform heat dissipation.
  • An optical device module includes a first optical device region, a second optical device region spaced apart from the first optical device region, and an optical device insulating layer formed between the first module region and the second module region.
  • At least one optical device package including an optical device substrate and an optical device formed on the optical device substrate; And a first module insulating layer formed under the optical device package and formed between a first module region, a second module region spaced apart from the first module region, and between the first module region and the second module region.
  • the module module includes a module substrate, wherein each of the first module region and the second module region is electrically connected to each of the first optical device region and the second optical device region, and is formed of a metal material.
  • the module substrate may further include a second module insulating layer formed to contact the lower surfaces of the first module region and the second module region.
  • the first module region and the second module region may be formed of any one selected from copper, a copper alloy, aluminum, and an aluminum alloy.
  • the first optical device region and the second optical device region may be formed of any one selected from copper, a copper alloy, aluminum, and an aluminum alloy.
  • the optical device module according to the present invention may further include a solder layer formed between the first module region and the first optical device region, and between the second module region and the second optical device region.
  • the optical device may be coupled to an upper portion of the first optical device region, and the optical device package may further include a conductive wire connecting the optical device to the second optical device region.
  • the optical device package may be spaced apart along the longitudinal direction of one first module insulating layer, and may overlap each other to cross the first module insulating layer.
  • the first module insulating layer may include a first layer formed to contact the side surface of the first module region; A second layer formed in contact with a side of the second module region; And a third layer formed between the first and second layers, wherein the module substrate is a third module region formed between the first and third layers and between the second and third layers.
  • Each of the optical device packages overlapping each of the first, second, and third layers over each of the first, second, and third layers; The first optical device region and the second optical device region of the adjacent optical device package may be electrically connected to each other.
  • the first module insulating layer may include a first layer formed to contact the side surface of the first module region; And a second layer formed to be in contact with a side surface of the second module region, wherein the module substrate includes a third module region formed between the first layer and the second layer, and the optical device package includes: Spaced apart along the longitudinal direction of the first layer and the second layer and overlapping the first layer and the second layer to cross each of the first layer and the second layer, the third module substrate; The second optical device region of the optical device package overlapping the first layer and the first optical device region of the optical device package overlapping the second layer may be electrically connected together.
  • the module substrate may be formed such that the second module region surrounds the first module region.
  • the optical device package may be disposed on the module substrate such that the optical device corresponds to the first module area.
  • the first module region may be formed of a metal material having a higher thermal conductivity than the second module region.
  • the first module area and the second module area may be formed of the same metal material, and an area of the first module area may be larger than that of the second module area.
  • the optical device package may be disposed on the module substrate such that the optical device corresponds to the second module area.
  • the second module region may be formed of a metal material having a higher thermal conductivity than the first module region.
  • the first module area and the second module area may be formed of the same metal material, and the area of the second module area may be larger than that of the first module area.
  • a method of manufacturing an optical device module according to the present invention includes a first optical device region, a second optical device region spaced apart from the first optical device region, and interposed between the first optical device region and the second optical device region.
  • An optical device package preparing step of preparing at least one optical device package including an optical device substrate including a first optical device insulation layer and an optical device formed on the optical device substrate; Preparing a module substrate comprising a first module region, a second module region spaced apart from the first module region, and a first module insulating layer formed between the first module region and the second module region.
  • optical device package coupling step of coupling the optical device package to an upper portion of the module substrate, wherein the optical device package coupling step includes the first optical device area and the second module area, respectively; It is electrically connected to each of the second optical device region, each of the first module region and the second module region is characterized in that formed of a metallic material.
  • the preparing of the module substrate may include forming a pattern layer to surround upper and lower surfaces of the metal plate; Anodizing a region exposed to the outside of the pattern layer to form the first module substrate, the second module region, and the first module insulating layer on the metal plate to form the first module substrate; And removing the pattern layer to expose the module substrate.
  • the first module region is formed by removing a portion of the pattern layer, which is located below the metal plate, and anodizing the region exposed to the outside of the pattern layer. And a second module insulating layer in contact with the bottom surface of the second module region.
  • the preparing of the module substrate may include preparing a plurality of metal plates and forming an adhesive member on an interface of the metal plates; Laminating the metal plates to each other through the adhesive member; And sawing the metal plate in a direction perpendicular to the boundary surface to form the first substrate region, the second module region, and the first module insulating layer on the metal plate to form the module substrate. .
  • the preparing of the module substrate may include forming a pattern layer on an upper portion of the module substrate and anodizing a region exposed to the outside of the pattern layer to contact the bottom surface of the first module region and the second module region. An insulating layer can be further formed.
  • the preparing of the module substrate may include: anodizing a plurality of grooves formed in at least one of the surfaces of the base material along a length direction; Positioning a plurality of the base materials so that the grooves engage with each other, and coupling the base material and the members by positioning the members inside the grooves; And cutting the bonded base material and the member in the stacking direction of the base material to separate each module substrate.
  • the preparing of the module substrate may include: anodizing the inside of the through hole penetrating the opposite surface from the one surface of the base material; Combining the base material and the member by placing the member whose volume is contracted by being exposed to an environment of a temperature lower than room temperature in the through hole; Heating the combined base material and the member to fill the inside of the through hole; And cutting the bonded base material and the member in the stacking direction of the base material to separate each module substrate.
  • An optical device module and a method of manufacturing the same may implement a light emitting device having a desired circuit structure by disposing at least one optical device package on a module substrate.
  • the optical device module and the manufacturing method according to an embodiment of the present invention can be easily discharged heat generated in the optical device package to the outside by forming a module substrate of a conductive and heat-resistant metal material.
  • FIG. 1A to 1C are cross-sectional views, plan views, and equivalent circuit diagrams of an optical device module according to an embodiment of the present invention.
  • FIGS. 2A and 2B are plan and equivalent circuit diagrams of an optical device module according to another exemplary embodiment of the present invention.
  • 3A and 3B are a plan view and an equivalent circuit diagram of an optical device module according to another embodiment of the present invention.
  • FIG. 4 is a plan view of an optical device module according to another embodiment of the present invention.
  • FIG. 5 is a plan view of an optical device module according to another embodiment of the present invention.
  • FIG. 6 is a flowchart for describing a method of manufacturing the optical device module illustrated in FIGS. 3A and 3B.
  • FIG. 7 to 11 are diagrams for describing a method of manufacturing the optical device module of FIG. 6.
  • FIGS. 3A and 3B are flowchart for explaining another method of manufacturing the optical device module illustrated in FIGS. 3A and 3B.
  • 13A to 13D are diagrams for describing another manufacturing method of the optical device module of FIG. 11.
  • FIG. 14 is a flowchart for describing a method of manufacturing the optical device module illustrated in FIG. 4.
  • 15A to 15D are diagrams for describing a method of manufacturing the optical device module of FIG. 14.
  • FIG. 16 is a flowchart for explaining another method of manufacturing the optical device module illustrated in FIG. 4.
  • 17A to 17E are diagrams for describing another method of manufacturing the optical device module of FIG. 16.
  • FIG. 1A to 1C are cross-sectional views, plan views, and equivalent circuit diagrams of an optical device module according to an embodiment of the present invention.
  • an optical device module 100 includes at least one optical device package 110, a module substrate 120, and a solder layer 130.
  • the optical device package 110 includes an optical device substrate 111, an optical device 117, a conductive wire 118, and a protective layer 119. Meanwhile, in FIG. 1B, the optical device module 100 is illustrated with the protective layer 119 of the optical device package 110 removed.
  • the optical device substrate 111 has a plate shape including an upper surface 112 and a lower surface 113, which is the opposite surface of the upper surface 112.
  • the optical device substrate 111 supports the optical device 117.
  • the optical device substrate 111 may include a first optical device region 114, a second optical device region 115 and a first optical device region 114 spaced apart from side surfaces of the first optical device region 114.
  • the optical device insulating layer 116 is disposed between the two optical device regions 115.
  • the first optical device region 114 and the second optical device region 115 are formed of a metal material, for example, any one selected from copper, a copper alloy, aluminum, and an aluminum alloy, such that the optical device substrate 111 May serve as the first electrode and the second electrode.
  • the first optical device region 114 and the second optical device region 115 are electrically connected to the positive electrode (+) and the negative electrode (-) of the optical device 117, respectively, to be electrically connected to the optical device 117. It provides a path for the signal input and output, and easily emits heat of the optical element 117 to the outside.
  • the optical device insulating layer 116 penetrates in a vertical direction, that is, in a thickness direction from the upper surface 112 to the lower surface 113 of the optical device substrate 111.
  • the optical device insulating layer 116 may include a first optical device region 114 connected in a horizontal direction when the first optical device region 114 and the second optical device region 115 are formed of aluminum or an aluminum alloy.
  • the area between the second optical device regions 115 may be formed by anodizing, or may be formed of an adhesive bonded between the first optical device region 114 and the second optical device region 115 after anodizing. .
  • the optical device insulating layer 116 may include the first optical device region 114 and the second optical light when the first optical device region 114 and the second optical device region 115 are formed of copper or a copper alloy. It may be formed of an insulating adhesive bonded between the device regions 115. The optical device insulating layer 116 electrically insulates the first optical device region 114 and the second optical device region 115 from each other.
  • the photonic device insulating layer 116 is illustrated to have a side surface formed flat along the vertical direction. However, the anodization is simultaneously performed on the upper surface 112 and the lower surface 113 of the optical device substrate 111. It may also be formed in the shape of the concave double cone (double cone).
  • the optical device 117 is formed on the optical device substrate 111.
  • the optical device 117 is formed above the first optical device region 114 among the regions of the optical device substrate 111.
  • the optical device 117 may be attached to the upper surface 112 of the first optical device region 111 through a conductive adhesive (not shown).
  • the optical device 117 emits light and may emit light to the upper portion of the optical device substrate 111.
  • the optical device 117 may be formed of a light emitting diode (LED).
  • the optical device 117 is electrically connected to the first optical device region 114 and the second optical device region 115. Therefore, the signal of the power input through the optical device substrate 111 is transmitted to the optical device 117 through the first optical device region 114 and the second optical device region 115.
  • the conductive wire 118 connects the second optical device region 115 and the negative electrode ( ⁇ ) of the optical device 117.
  • Such conductive wire 118 is typically formed of gold, copper or aluminum to ensure high electrical conductivity.
  • the protective layer 119 is formed to surround the optical device 117 and the conductive wire 118 on the optical device substrate 111.
  • the protective layer 119 protects the optical device 117 and the conductive wire 118 from external pressure.
  • the protective layer 119 may be formed by mixing a conventional fluorescent material with an epoxy resin. The fluorescent material is excited when the visible light or the ultraviolet light generated from the optical device 117 is applied, and then generates the visible light as it is stabilized. Accordingly, the protective layer 119 formed of a fluorescent material may convert light generated from the optical device 117 into red cyan light (RGB) light or white light. Accordingly, the optical device module 100 including the optical device 117 may be used as a backlight unit (BLU) of a liquid crystal display panel.
  • BLU backlight unit
  • a partition wall may be further formed on the outer surface of the protective layer 119.
  • the barrier rib may be formed of an epoxy resin having good light reflectivity, a photosensitive barrier rib paste (PSR), or a mixture thereof, and in some cases, may be formed of silicon.
  • a receiving groove accommodating the optical device 117 may be formed in the optical device substrate 111, and a reflective layer may be further formed on an inner surface of the receiving groove. The reflective layer reflects the light reaching the optical device substrate 117 among the light generated from the optical device 117, and may be formed of silver (Ag) to increase the amount of light reflected from the reflective layer.
  • the module substrate 120 is formed in a plate shape including a top surface 121 and a bottom surface 122, which is an opposite surface of the top surface 121, and is formed below the optical device package 110.
  • the module substrate 120 supports the optical device package 110 and is connected to an external PCB.
  • the module substrate 120 may include a first module region 123, a second module region 124 spaced apart from a side surface of the first module region 123, and a first module region 123 and a second module region. And a first module insulating layer 125 formed between 124.
  • the module substrate 120 may further include a second module insulating layer 126 formed below.
  • the first module region 123 and the second module region 124 may be formed of a metal material, for example, any one material selected from copper, copper alloy, aluminum, aluminum alloy, and aluminum nitride, thereby providing a module substrate 120. May serve as the first electrode and the second electrode.
  • the first module region 123 and the second module region 124 are electrically connected to the first optical device region 114 and the second optical device region 115, respectively, to form the first optical device region 114 and the first optical device region 114. Together with the two optical device regions 115, the optical device 117 provides a path for inputting and outputting electrical signals, and easily emits heat from the optical device 117 to the outside.
  • the first module insulating layer 125 penetrates in a vertical direction, that is, in a thickness direction from the top surface 121 to the bottom surface 122 of the module substrate 120.
  • the first module insulating layer 125 may be connected to the first module region 123 and the second in the horizontal direction.
  • the region between the module regions 124 may be formed by anodizing, or may be formed of an adhesive bonded between the first module region 123 and the second module region 124 after anodizing.
  • the first module insulating layer 125 may include the first module region 123 and the second module region ( It may be formed of an insulating adhesive bonded between the 124.
  • the first module insulating layer 125 electrically insulates the first module region 123 and the second module region 124 from each other.
  • the first module insulating layer 125 is illustrated to have a side surface formed flat along the vertical direction. However, the anodization is simultaneously performed on the upper surface 121 and the lower surface 122 of the module substrate 120. It may also be formed in the shape of the concave double cone (double cone).
  • the second module insulating layer 126 has a lower surface 122 of the module substrate 120, that is, the first module region 123 and the second module, except for a ground portion (not shown) below the module substrate 120.
  • the lower surface of the region 124 is formed in contact with.
  • the second module insulating layer 126 may include the first module region 123 and the second module region 124 when the first module region 123 and the second optical device region 124 are formed of aluminum or an aluminum alloy. ) May be formed by anodizing the bottom surface between the layers or may be formed of an insulating sheet bonded to the bottom surface of the first module region 123, the second module region 124, and the first module insulating layer 125. .
  • the second module insulating layer 126 may include the first module region 123 and the second module region ( 124 and an insulating sheet bonded to the lower surface of the first module insulating layer 125.
  • the second module insulating layer 126 prevents unnecessary short circuit between the module substrate 120 and an external circuit (not shown).
  • the second module insulating layer 126 is formed by anodizing and has a groove in a lower portion of the first module insulating layer 125 to which anodizing is weakly applied, the second module insulating layer is illustrated.
  • 126 is formed of an insulating sheet, it may have a flat shape as a whole.
  • the module substrate 120 formed as described above may have at least one optical device package 110 disposed to implement a desired circuit structure.
  • the plurality of optical device packages 110 are spaced apart along the longitudinal direction of one first module insulating layer 125 and overlap each other to cross one first module insulating layer 125.
  • the first optical device region 114 of the optical device substrate 111 of the optical device package 110 is electrically connected to the first module region 123 of the module substrate 120. Since the second optical device region 115 is electrically connected to the second module region 124 of the module substrate 120, a parallel circuit structure of the optical device package 110 as shown in FIG. 1C may be implemented.
  • the solder layer 130 is formed between the first optical device region 114 and the first module region 123 and between the second optical device region 115 and the second module region 124.
  • the solder layer 130 electrically connects the optical device package 110 and the module substrate 120.
  • the solder layer 130 is formed of a conductive solder material.
  • the first module region 123 and the second module region 124 of the module substrate 120 are formed of aluminum or an aluminum alloy, solder directly on the first module region 123 and the second module region 124. It may be difficult to form layer 130.
  • any one selected from a combination of gold, silver, and nickel copper on the first module region 123 and the second module region 124 may be electroless plated, electroplated, paste, or spray.
  • solder layer 130 may be formed thereon.
  • the soldering may be performed while removing the oxide films formed on the surfaces of the first module region 123 and the second module region 124.
  • the optical device module 100 arranges the at least one optical device package 110 on the module substrate 120 to have a desired circuit structure, for example, the optical device package 110.
  • the light emitting device can be implemented in a parallel circuit structure.
  • the optical device module 100 is to form a module substrate 120 of a conductive and heat-dissipating metal material to easily discharge heat generated in the optical device package 110 to the outside. Can be.
  • FIGS. 2A and 2B are plan and equivalent circuit diagrams of an optical device module according to another exemplary embodiment of the present invention. Parts having the same configuration and operation as those of the foregoing embodiment are denoted by the same reference numerals, and will be described below with emphasis on differences.
  • an optical device module 200 includes at least one optical device package 110, a module substrate 220, and a solder layer (130 of FIG. 1A). do. Meanwhile, in FIG. 2A, the optical device module 200 is illustrated with the protective layer 119 of the optical device package 110 removed.
  • the module substrate 220 includes a first module region 123, a second module region 124, a first module insulating layer 225, and a third module region 227.
  • the first module insulating layer 225 includes a first layer 225a, a second layer 225b, and a third layer 225c.
  • the first layer 225a is formed in contact with the side of the first module region 123
  • the second layer 225b is formed in contact with the side of the second module region 124, and the third layer 225c.
  • the third module region 227 is formed between the first layer 225a and the third layer 225c and between the second layer 225b and the third layer 225c.
  • At least one optical device package 110 is disposed in the module substrate 220 formed as described above to implement a desired circuit structure.
  • at least one photonic device package 110 has a first layer 225a and a second layer 225b on top of each of the first layer 225a, the second layer 225b and the third layer 225c. And overlap each of the third layers 225c.
  • the first optical device region 114 and the second optical device region 115 of the adjacent optical device packages of the at least one optical device package 110 are electrically connected together to the third module region 227 together.
  • the first optical device region 114 of the optical device package 110 overlapping the first layer 225a is electrically connected to the first module region 123
  • the second module region 124 is electrically connected to the first module region 124
  • a third module region which is electrically connected to the second photonic device region 115 of the photonic device package 110 overlying the second layer 225b, is located between the first layer 225a and the third layer 225c.
  • the first optical device region 114 and the second optical device region 115 of the optical device package 110 overlapping the third layer 225c are electrically connected together.
  • a series circuit structure of the optical device package 110 as shown in FIG. 2B may be implemented.
  • the at least one optical device package 110 is disposed on the module substrate 220 so as to provide a desired circuit structure, for example, the optical device package 110.
  • the light emitting device can be implemented with a series circuit structure of
  • 3A and 3B are a plan view and an equivalent circuit diagram of an optical device module according to another embodiment of the present invention. Parts having the same configuration and operation as those of the foregoing embodiment are denoted by the same reference numerals, and will be described below with emphasis on differences.
  • an optical device module 200 may include at least one optical device package 110, a module substrate 320, and a solder layer (130 of FIG. 1A). Include. Meanwhile, in FIG. 3A, the optical device module 300 is illustrated with the protective layer 119 of the optical device package 110 removed.
  • the module substrate 320 includes a first module region 123, a second module region 124, a first module insulating layer 325, and a third module region 327.
  • the first module insulating layer 325 includes a first layer 325a and a second layer 325b.
  • the first layer 325a is formed in contact with the side of the first module region 123
  • the second layer 325b is formed in contact with the side of the second module region 124.
  • the third module region 227 is formed between the first layer 325a and the second layer 325b.
  • At least one optical device package 110 may be disposed to implement a desired circuit structure.
  • at least one optical device package 110 is disposed spaced apart along the length direction of the first layer 325a and the second layer 325b, and the first layer 325a and the second layer 325b. Overlaid on each top to separate each of the first layer 325a and the second layer 325b.
  • the first optical device region 114 and the second optical device region 115 of adjacent optical device packages of the at least one optical device package 110 are electrically connected together to the third module region 327 together.
  • the first optical device region 114 of the optical device package 110 overlapping the first layer 325a is electrically connected to the first module region 123, and the first module region 123 is electrically connected to the second module region 124.
  • the second optical device region 115 of the optical device package 110 overlapping the second layer 225b is electrically connected, and the third module region is located between the first layer 325a and the second layer 325b.
  • the first optical device region of the optical device package 110 overlapping the second optical device region 115 and the second layer 325b of the optical device package 110 overlapping the first layer 325a. 114 are electrically connected together.
  • the serial / parallel circuit structure of the optical device package 110 as shown in FIG. 3B may be implemented.
  • the optical device module 300 by arranging at least one optical device package 110 on the module substrate 320, a desired circuit structure, for example, an optical device package (The light emitting device can be implemented with the serial / parallel circuit structure of 110.
  • FIG. 4 is a plan view of an optical device module according to another embodiment of the present invention. Parts having the same configuration and operation as those of the foregoing embodiment are denoted by the same reference numerals, and will be described below with emphasis on differences.
  • an optical device module 400 includes at least one optical device package 110, a module substrate 420, and a solder layer (130 of FIG. 1A). Meanwhile, in FIG. 4, the optical device module 400 is illustrated with the protective layer 119 of the optical device package 110 removed.
  • the module substrate 420 is formed under the optical device package 110, as shown in the module substrate 120 of FIG. 1B, and supports the optical device package 110 and is connected to an external PCB.
  • the module substrate 420 includes a first module region 423, a second module region 424, and a first module insulating layer 425.
  • the module substrate 420 may further include a second module insulating layer (not shown) formed below.
  • the first module region 423 may be positioned substantially at the center of the module substrate 420 and may have a planar shape of a polygon such as a circle, a quadrilateral, and a pentagon.
  • the second module region 424 is spaced apart from the side surface of the first module region 423 and is formed to surround the first module region 423.
  • first module region 423 and the second module region 424 are formed of the same material as the first module region 123 and the second module region 124 of FIG. 1B and have the same role, duplicate descriptions are omitted. Let's do it.
  • the first module insulating layer 425 is formed by anodizing a second module region 424, and is disposed along a circumference between the first module region 423 and the second module region 424.
  • the optical device package 110 is disposed on the module substrate 420 formed as described above so that the optical device 117 corresponds to the first module region 423, and the optical device package 110 is formed of the first module insulating layer ( 425). Specifically, the optical device 117 is installed in the first optical device region 114, the first optical device region 114 is electrically connected to the first module region 423, and the second optical device region 115 is provided. ) Is electrically connected to the second module region 424.
  • the first module region 423 is preferably formed of a metal material having a higher thermal conductivity than the second module region 424. This is to increase the effect of emitting heat generated from the optical device 117 through the first module region 423.
  • the area of the first module region 423 is larger than that of the second module region 424. Therefore, the effect of emitting heat generated from the optical device 117 through the first module region 423 may be enhanced.
  • the optical device module 400 by arranging at least one optical device package 110 on the module substrate 420, a desired circuit structure, for example, an optical device package (The light emitting device may be implemented using the parallel circuit structure of 110.
  • the optical device module 400 is formed of a conductive and heat-dissipating metal material of the module substrate 420 to easily discharge heat generated in the optical device package 110 to the outside You can.
  • FIG. 5 is a plan view of an optical device module according to another embodiment of the present invention. Parts having the same configuration and operation as those of the foregoing embodiment are denoted by the same reference numerals, and will be described below with emphasis on differences.
  • an optical device module 500 includes at least one optical device package 110, a module substrate 520, and a solder layer (130 of FIG. 1A). Meanwhile, the optical device module 500 is illustrated in FIG. 5 with the protective layer 119 of the optical device package 110 removed.
  • the module substrate 520 is formed under the optical device package 110, as shown in the module substrate 120 of FIG. 1B, and supports the optical device package 110 and is connected to an external PCB.
  • the module substrate 520 includes a first module region 523, a second module region 524, and a first module insulating layer 525.
  • the module substrate 520 may further include a second module insulating layer (not shown) formed below.
  • the first module region 523, the second module region 524, and the first module insulating layer 525 may include the first module region 423, the second module region 424, and the first module illustrated in FIG. 4. Similar to insulating layer 425.
  • the optical device 117 is disposed on the module substrate 525 including the first module region 523, the second module region 524, and the first module insulating layer 525.
  • the optical device package 110 is disposed to correspond to the photonic device package 110, and the optical device package 110 crosses the first module insulating layer 525.
  • an optical device 117 is installed in the first optical device region 114, the first optical device region 114 is electrically connected to the second module region 524, and the second optical device region 115 is provided.
  • the second module region 524 is formed of a metal material having a higher thermal conductivity than the first module region 523.
  • the optical device module 500 has a desired circuit structure, for example, parallel circuit structure, by arranging at least one optical device package 110 on the module substrate 520.
  • a light emitting device can be implemented.
  • the optical device module 500 is to form a module substrate 520 made of a conductive and heat-dissipating metal material to easily discharge heat generated in the optical device package 110 to the outside You can.
  • FIGS. 6 is a flowchart for describing a method of manufacturing the optical device module illustrated in FIGS. 3A and 3B, and FIGS. 7 to 11 are views for explaining a method of manufacturing the optical device module of FIG. 6.
  • one method of manufacturing the optical device module 300 illustrated in FIGS. 3A and 3B may include an optical device package preparing step S1, a module substrate preparing step S2, and an optical device package combining step S3. It includes.
  • the optical device package preparing step S1 may include a first optical device region 114, a second optical device region 115 spaced apart from a side of the first optical device region 114, and a first optical device package 114.
  • At least one optical device package 110 including 117 is prepared.
  • the optical device package 110 may include a conductive wire 118 that electrically connects the optical device 117 and the second optical device region 115, and protects the optical device 117 and the conductive wire 118.
  • the layer 119 may be further included. Since the optical device package 110 has already been described in detail above, duplicate description thereof will be omitted.
  • the module substrate preparing step S1 may include a first module region (123 of FIG. 3A) and a second module region (124 of FIG. 3A) spaced apart from side surfaces of the first module region 123. ), And a module substrate (320 of FIG. 3A) including a first module insulating layer (325 of FIG. 3A) formed between the first module region 123 and the second module region 124.
  • the module substrate preparation step S2 forms the pattern layer 10 to cover the top and bottom surfaces of the metal plate 320 ′.
  • the metal plate 320 ′ may be formed of any one material selected from copper, a copper alloy, aluminum, and an aluminum alloy.
  • the pattern layer 10 may be formed through exposure and development after applying a mask solution, or by attaching a patterned film.
  • the module substrate preparation step S2 is anodized on an area exposed to the outside by the pattern layer 10 to form a first layer 325a and a second layer 325b.
  • a first module insulating layer 325 is formed.
  • the first module insulating layer 325 is formed to penetrate in the thickness direction of the metal plate 320 ', that is, in the vertical direction, and is formed along the length direction of the metal plate 320'.
  • the first module insulating layer 325 separates the metal plate 320 ′ into the first module region 123, the second module region 124, and the third module region 327, thereby forming the first module region 123. ),
  • a module substrate 320 having a second module region 124 and a third module region 327.
  • first module insulating layer 325 is illustrated to have a flat side along the vertical direction, a double cone having a concave center at the side as anodizing proceeds from the top and bottom surfaces of the metal plate 320 ′. It may be formed to have a shape of).
  • fine pores present in the interior of the first module insulating layer 325 using any one selected from BCB (Benzocyclobuten), insulating organic material and distilled water or a combination thereof. By filling or blocking the opening of the micropores of the pores may be further performed a sealing process or a curing process.
  • the module substrate preparing step S2 is performed by separating the pattern layer 10 from the module substrate 320.
  • the pattern layer 10 may be removed through an ashing process in the case of a mask solution, and may be removed by being detached from the module substrate 320 in the case of a film.
  • only a portion of the pattern layer 10 positioned below the module substrate 310 is removed to form the second module insulating layer 126 of FIG. 3A, thereby exposing the lower portion of the module substrate 310 to the outside.
  • the module substrate preparing step S2 may be performed by anodizing the first module region 123 and the second module region 124 disposed under the exposed module substrate 320.
  • the module insulating layer 126 is formed.
  • each of the first module area 123 and the second module area 124 may be divided into a first optical device area 114 and a second optical device area 115. ) Is electrically connected to each other.
  • the first optical device region 114 is attached to the first module region 123 through the solder layer 130 to be electrically connected to the second optical device region.
  • 115 is attached to and electrically connected to the second module region 124.
  • the first module region 123 and the second module region 124 of the module substrate 120 are formed of aluminum or an aluminum alloy, solder directly on the first module region 123 and the second module region 124. It may be difficult to form layer 130.
  • the optical device package coupling step S3 may be performed by electrolessly selecting any one of a combination of gold, silver, and nickel copper on the first module region 123 and the second module region 124.
  • the electrode layer is formed by plating through any one or a combination of the plating method, the electrolytic plating method, the paste method, the spray method (plasma arc spray method, the cold spray method), and the ink printing method , and the solder layer 130 is formed thereon. Can be formed.
  • the optical device package bonding step (S3) is zinc (Zn), antimony (Sb), titanium (Ti), silicon (Si) in the alloy of lead and tin as a material of the solder layer 130 without additional plating,
  • soldering can be performed while removing oxide films formed on the surfaces of the first module region 123 and the second module region 124. have.
  • the optical device module 300 manufactured by the above manufacturing method cuts the module substrate 320 along the sawing line SL, as shown in FIG. 10, for another desired circuit structure.
  • the branch may be implemented as another optical device module.
  • FIG. 11 illustrates an example of an optical device module capable of implementing various circuit structures by a sawing process.
  • the optical device of FIG. The module 100 may be implemented, and when the module substrate 610 is cut along the sawing line SL2, the optical device module 200 of FIG. 2A may be implemented, and the module substrate along the sawing line SL3 may be implemented.
  • the optical device module 300 of FIG. 3A may be implemented.
  • FIGS. 3A and 3B another manufacturing method of the optical device module illustrated in FIGS. 3A and 3B will be described with reference to the manufacturing method of the optical device module according to an exemplary embodiment of the present invention.
  • FIGS. 13A to 13D are views for explaining another method of manufacturing the optical device module of FIG. 11.
  • another method of manufacturing the optical device module 300 illustrated in FIGS. 3A and 3B may include an optical device package preparing step S1, a module substrate preparing step S12, and an optical device package combining step S3. It includes. Since the optical device package preparing step S1 and the optical device package combining step S3 have already been described above, a redundant description thereof will be omitted.
  • the module substrate preparation step S12 may include a first module region (123 of FIG. 3A) and a second module region (124 of FIG. 3A) spaced apart from side surfaces of the first module region 123. ), And a module substrate (320 of FIG. 3A) including a first module insulating layer (325 of FIG. 3A) formed between the first module region 123 and the second module region 124.
  • the module substrate preparing step S12 prepares three metal plates 320 ′ made of a plate shape.
  • the metal plate 320 ′ is illustrated as three, but is not limited thereto.
  • the metal plate 320 ′ may be provided in a number corresponding to an area of the substrate.
  • the metal plate 320 ′ may be made of any one selected from aluminum, aluminum alloy, copper, and copper alloy.
  • the metal plate 320 ′ may then be anodized to increase the adhesion between the adhesive member and the dielectric plate, and to increase the insulation and voltage resistance of the metal plate 320 ′.
  • the metal plate 320 ′ may have a surface roughness by sand blasting, chemical etching, grinding, or polishing the interface to increase adhesion to the adhesive member.
  • Each metal plate 320 ′ is positioned side by side in the vertical direction, and then constitutes each region of the module substrate.
  • the module substrate preparing step (S12) forms adhesive members 325a ′ and 325 b ′ on the interface between the metal plates 320 ′.
  • the adhesive members 325a 'and 325b' couple the metal plates 320 ', but the metal plates 320' are electrically independent of each other.
  • the adhesive members 325a 'and 325b' may be formed of an adhesive in a liquid form or a film in a sheet form.
  • the adhesive members 325a 'and 325b' then form the first module insulating layer 325 of the module substrate 320.
  • the metal plate 320 ′ is laminated through the adhesive members 325a ′ and 325b ′. That is, adhesive members 325a 'and 325b' are provided between the metal plates 320 'to provide adhesion and electrical insulation.
  • the module substrate preparing step S12 may be performed by sawing the metal plates 320 ′ stacked in the vertical direction through the adhesive members 325a ′ and 325 b ′ in the vertical direction.
  • Step 320 is formed.
  • the metal plate 320 'constitutes the first module region 123, the second module region 124, and the third optical element region 327 of the module substrate 320, respectively, and the adhesive member (( 325a 'and 325b' constitute the first module insulating layer 325 of the module substrate 320.
  • the spacing t in the horizontal direction during sawing is in the final vertical direction of the module substrate 320.
  • a polishing process may be further performed to remove burrs and scratches and to more efficiently reflect the light source of the optical device.
  • the pattern layer 20 is formed on the module substrate 320, and the area exposed to the outside of the pattern layer 20 is anodized.
  • a second module insulating layer 126 is further formed below the module substrate 320.
  • FIG. 14 is a flowchart for describing a method of manufacturing the optical device module illustrated in FIG. 4, and FIGS. 15A to 15D are views for explaining a method of manufacturing the optical device module of FIG. 14.
  • one manufacturing method of the optical device module 400 illustrated in FIG. 4 includes an optical device package preparing step S1, a module substrate preparing step S22, and an optical device package combining step S3. . Since the optical device package preparing step S1 and the optical device package combining step S3 have already been described above, a redundant description thereof will be omitted.
  • the module substrate preparation step S22 may include a first module region 423, a second module region 424 spaced apart from the first module region 423, and a first module region ( A step of preparing a module substrate 420 including a first module insulating layer 425 formed between the 423 and the second module region 424.
  • the module substrate preparing step S22 includes a base material 30 and performs anodizing on one surface of the base material 30.
  • the base material 30 is made of any one selected from copper, a copper alloy, aluminum, and an aluminum alloy, and has at least one surface of the groove 30a.
  • the groove 30a is formed along the longitudinal direction of the base material 10, and a plurality of grooves 30a are spaced apart at regular intervals.
  • oxidation occurs to a predetermined thickness along the shape of the surface of the base material 30 to form the anodizing layer 31.
  • the pores of the fine size present in the interior of the anodizing layer 31 is filled using any one or a combination thereof selected from BCB (Benzocyclobuten) and the insulating organic material or the fine pores of the pores Sealing process or curing process to block the inlet of may be further performed.
  • BCB Benzocyclobuten
  • the module substrate preparing step S22 couples the base material 30 and the member 40 by placing the member 40 between the pair of base materials 30.
  • the base material 30 is coupled to abut between the anodizing layer 31, the member 40 is formed in a cylindrical shape corresponding to the meshed shape of the anodizing layer 31.
  • the member 40 is formed of any one material selected from copper, a copper alloy, aluminum, and an aluminum alloy, and is matched with the anodizing layer 31 of the base material 30.
  • an adhesive may be used between the base material 30 and the member 40 in contact with each other to increase the bonding force.
  • a process of forming a roughness on the member 40 through sand blasting or the like may be further performed to increase the bonding force between the base material 30 and the member 40.
  • the module substrate preparing step (S22) forms an individual module substrate 420 by sawing the base material 30 and the member 40 in a coupled state.
  • the base material 30 and the member 40 are sawed to have a constant size.
  • An anodizing of the first module region 423 corresponding to the member 40, the second module region 424 corresponding to the base material 30, and the base material 30 is formed on the module substrate 420 of FIG. 4 formed by the sawing.
  • the first module insulating layer 425 corresponding to the layer 31 is formed.
  • the first module region 423 and the second module region 424 are spaced apart by the first module insulating layer 425 and are electrically independent.
  • FIG. 4 Another manufacturing method of the optical device module illustrated in FIG. 4 will be described as an example of the manufacturing method of the optical device module according to an exemplary embodiment of the present invention.
  • FIG. 16 is a flowchart for describing another method of manufacturing the optical device module illustrated in FIG. 4, and FIGS. 17A to 17E are views for explaining another method of manufacturing the optical device module of FIG. 16.
  • another manufacturing method of the optical device module 400 illustrated in FIG. 4 includes an optical device package preparing step S1, a module substrate preparing step S32, and an optical device package combining step S3. . Since the optical device package preparing step S1 and the optical device package combining step S3 have already been described above, a redundant description thereof will be omitted.
  • the module substrate preparing step S32 may include a first module region 423, a second module region 424 spaced apart from the first module region 423, and a first module region ( A step of preparing a module substrate 420 including a first module insulating layer 425 formed between the 423 and the second module region 424.
  • the module substrate preparing step S32 may include copper, a copper alloy, aluminum, and an aluminum alloy in which at least one through hole 50a is formed from one surface to a corresponding opposite surface.
  • the anodizing device having the base material 50 formed of any one selected from among the anodizing and anodizing the inside of the through hole 50a is formed by oxidizing to a predetermined thickness along the shape of the through hole 50a, and as a result, the anodizing layer 51 is formed.
  • the module substrate preparing step (S32) couples the contracted member 60 ′ to the inside of the anodizing layer 51.
  • the contracted member 60 ' is made of any one selected from copper, a copper alloy, aluminum, and an aluminum alloy, and is bonded to the inside of the anodizing layer 51 in a state in which the volume is contracted by being exposed to a cryogenic environment.
  • the diameter of the contracted member 60 ' is smaller than the inner diameter of the anodizing layer 51, so that the contracted member 60' is easily located inside the anodizing layer 51. Can be.
  • the module substrate preparing step S32 increases the temperature in a state in which the base material 50 and the contracted member 60 ′ are coupled to each other.
  • the elevated temperature may be increased by heating, or may be made by standing at room temperature without additional heating.
  • the member 60 ′ contracted at the elevated temperature expands in volume to fill the inside of the anodizing layer 51 of the base material 50. As a result, the member 60 can be firmly fixed to the inside of the anodizing layer 51 without a separate adhesive.
  • the module substrate preparing step S32 cuts the base material 50 and the member 60 in a coupled state to form individual module substrates (420 of FIG. 4).
  • the substrate 420 formed according to the first module region 423 corresponding to the member 60, the second module region 424 corresponding to the base material 50, and the anodizing layer 51 of the base material 50 are formed on the substrate 420.
  • the corresponding first module insulating layer 425 is formed.
  • the first module region 423 and the second module region 424 are spaced apart by the first module insulating layer 425 and are electrically independent.
  • An optical device module and a method of manufacturing the same may implement a light emitting device having a desired circuit structure by disposing at least one optical device package on a module substrate.
  • the optical device module and the manufacturing method according to an embodiment of the present invention can be easily discharged heat generated in the optical device package to the outside by forming a module substrate of a conductive and heat-resistant metal material.

Abstract

The present invention relates to an optical device module and to a method for fabricating same, which enable the production of a desired circuit configuration by forming at least one optical device package on a module substrate, wherein the optical device module is capable of easily dissipating heat. A disclosed optical device module according to one example of the present invention comprises at least one optical device package and a module substrate. The optical device package comprises: an optical device substrate including a first optical device region, a second optical device region separated from the first optical device region, and an optical device insulation layer formed between the first module region and the second module region; and an optical device formed at the upper portion of the optical device substrate. The module substrate is formed at the lower portion of the optical device package and comprises: a first module region; a second module region separated from the first module region; and a first module insulation layer formed between the first module region and the second module region. The first module region and the second module region are electrically connected to the first optical device region and the second optical device region, respectively, and are made of metal.

Description

광소자 모듈 및 그 제조 방법Optical device module and its manufacturing method
본 발명은 광소자 모듈 및 그 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an optical device module and a method of manufacturing the same.
광소자는 전기적인 신호를 인가받아 빛을 생성하는 소자들을 의미한다. 이러한 광소자는 다양한 분야에서 이용되고 있으며, 특히 디스플레이 분야에 널리 이용되고 있다. 이로 인해, 광소자에 대한 다양한 회로 구조의 구현이 요구되고 있다.Optical devices refer to devices that generate light by receiving an electrical signal. Such optical devices are used in various fields, and in particular, they are widely used in the field of displays. For this reason, implementation of various circuit structures for optical devices is required.
한편, 광소자 중에서 발광 다이오드(Light Emitting Diode, LED)는 기존의 광소자들에 비해 효율이 높고 높은 휘도의 빛을 생성할 수 있기 때문에 사용이 급증하고 있다. 이러한 발광 다이오드는 전자와 정공의 결합에 의해 빛을 생성하는데, 결합시 필연적으로 빛 이외에 열도 함께 생성된다. 그런데, 발광 다이오드의 열을 방열하지 않으면, 소자 파손의 위험이 있으며, 동작 효율이 떨어지게 된다.On the other hand, light emitting diodes (LEDs) among optical devices are rapidly increasing in use because they can generate light with higher efficiency and higher luminance than conventional photon elements. Such light emitting diodes generate light by a combination of electrons and holes, which inevitably generate heat in addition to light. By the way, if the heat of the light emitting diode is not radiated, there is a risk of element breakage, and operation efficiency is lowered.
본 발명은 모듈 기판에 적어도 하나의 광소자 패키지를 형성함으로써 원하는 회로 구조를 구현할 수 있으며, 방열을 용이하게 수행할 수 있는 광소자 모듈 및 그 제조 방법을 제공한다.The present invention can implement a desired circuit structure by forming at least one optical device package on a module substrate, and provides an optical device module and a method of manufacturing the same that can easily perform heat dissipation.
본 발명에 따른 광소자 모듈은 제 1 광소자 영역, 상기 제 1 광소자 영역과 이격되는 제 2 광소자 영역, 및 상기 제 1 모듈 영역과 상기 제 2 모듈 영역 사이에 형성되는 광소자 절연층을 포함하는 광소자 기판과, 상기 광소자 기판의 상부에 형성되는 광소자를 포함하는 적어도 하나의 광소자 패키지; 및 상기 광소자 패키지의 하부에 형성되며, 제 1 모듈 영역, 상기 제 1 모듈 영역과 이격되는 제 2 모듈 영역, 및 상기 제 1 모듈 영역과 제 2 모듈 영역 사이에 형성되는 제 1 모듈 절연층을 포함하는 모듈 기판을 구비하며, 상기 제 1 모듈 영역 및 제 2 모듈 영역 각각은 상기 제 1 광소자 영역 및 제 2 광소자 영역 각각에 전기적으로 접속하며, 금속 재질로 형성되는 것을 특징으로 한다. An optical device module according to the present invention includes a first optical device region, a second optical device region spaced apart from the first optical device region, and an optical device insulating layer formed between the first module region and the second module region. At least one optical device package including an optical device substrate and an optical device formed on the optical device substrate; And a first module insulating layer formed under the optical device package and formed between a first module region, a second module region spaced apart from the first module region, and between the first module region and the second module region. The module module includes a module substrate, wherein each of the first module region and the second module region is electrically connected to each of the first optical device region and the second optical device region, and is formed of a metal material.
상기 모듈 기판은 상기 제 1 모듈 영역 및 제 2 모듈 영역의 하면에 접촉되게 형성되는 제 2 모듈 절연층을 더 포함할 수 있다. The module substrate may further include a second module insulating layer formed to contact the lower surfaces of the first module region and the second module region.
상기 제 1 모듈 영역과 제 2 모듈 영역은 구리, 구리 합금, 알루미늄 및 알루미늄 합금 중에서 선택된 어느 하나로 형성될 수 있다.The first module region and the second module region may be formed of any one selected from copper, a copper alloy, aluminum, and an aluminum alloy.
상기 제 1 광소자 영역과 제 2 광소자 영역은 구리, 구리 합금, 알루미늄 및 알루미늄 합금 중에서 선택된 어느 하나로 형성될 수 있다.The first optical device region and the second optical device region may be formed of any one selected from copper, a copper alloy, aluminum, and an aluminum alloy.
또한, 본 발명에 따른 광소자 모듈은 상기 제 1 모듈 영역과 제 1 광소자 영역 사이, 및 상기 제 2 모듈 영역과 제 2 광소자 영역 사이에 형성되는 솔더층을 더 구비할 수 있다.In addition, the optical device module according to the present invention may further include a solder layer formed between the first module region and the first optical device region, and between the second module region and the second optical device region.
상기 광소자는 상기 제 1 광소자 영역의 상부에 결합하며, 상기 광소자 패키지는 상기 광소자와 제 2 광소자 영역을 연결하는 도전성 와이어를 더 포함할 수 있다.The optical device may be coupled to an upper portion of the first optical device region, and the optical device package may further include a conductive wire connecting the optical device to the second optical device region.
상기 광소자 패키지가 하나의 상기 제 1 모듈 절연층의 길이 방향을 따라 이격되게 배치되고, 상기 하나의 제 1 모듈 절연층을 가로지르도록 중첩될 수 있다.The optical device package may be spaced apart along the longitudinal direction of one first module insulating layer, and may overlap each other to cross the first module insulating layer.
상기 제 1 모듈 절연층은 상기 제 1 모듈 영역의 측면에 접촉되게 형성되는 제 1 층; 상기 제 2 모듈 영역의 측면에 접촉되게 형성되는 제 2 층; 및 상기 제 1 층과 제 2 층 사이에 형성되는 제 3 층을 포함하며, 상기 모듈 기판은 상기 제 1 층과 제 3 층 사이 및 상기 제 2 층과 제 3 층 사이에 형성되는 제 3 모듈 영역을 포함하고, 상기 광소자 패키지 각각이 상기 제 1 층, 제 2 층 및 제 3 층 각각의 위에 상기 제 1 층, 제 2 층 및 제 3 층 각각을 가로지르도록 중첩되며, 상기 제 3 모듈 영역에, 인접한 상기 광소자 패키지의 제 1 광소자 영역과 제 2 광소자 영역이 함께 전기적으로 연결될 수 있다.The first module insulating layer may include a first layer formed to contact the side surface of the first module region; A second layer formed in contact with a side of the second module region; And a third layer formed between the first and second layers, wherein the module substrate is a third module region formed between the first and third layers and between the second and third layers. Each of the optical device packages overlapping each of the first, second, and third layers over each of the first, second, and third layers; The first optical device region and the second optical device region of the adjacent optical device package may be electrically connected to each other.
상기 제 1 모듈 절연층은 상기 제 1 모듈 영역의 측면에 접촉되게 형성되는 제 1 층; 및 상기 제 2 모듈 영역의 측면에 접촉되게 형성되는 제 2 층을 포함하며, 상기 모듈 기판은 상기 제 1 층과 제 2 층 사이에 형성되는 제 3 모듈 영역을 포함하고, 상기 광소자 패키지가 상기 제 1 층 및 제 2 층의 길이 방향을 따라 이격되게 배치되고 상기 제 1 층 및 제 2 층 위에 상기 제 1 층 및 제 2 층 각각을 가르지르도록 중첩되며, 상기 제 3 모듈 기판에, 상기 제 1 층 위에 중첩되는 광소자 패키지의 제 2 광소자 영역과 상기 제 2 층 위에 중첩되는 광소자 패키지의 제 1 광소자 영역이 함께 전기적으로 연결될 수 있다.The first module insulating layer may include a first layer formed to contact the side surface of the first module region; And a second layer formed to be in contact with a side surface of the second module region, wherein the module substrate includes a third module region formed between the first layer and the second layer, and the optical device package includes: Spaced apart along the longitudinal direction of the first layer and the second layer and overlapping the first layer and the second layer to cross each of the first layer and the second layer, the third module substrate; The second optical device region of the optical device package overlapping the first layer and the first optical device region of the optical device package overlapping the second layer may be electrically connected together.
상기 모듈 기판은 상기 제 2 모듈 영역이 상기 제 1 모듈 영역을 감싸도록 형성될 수 있다. The module substrate may be formed such that the second module region surrounds the first module region.
상기 광소자 패키지는 상기 광소자가 상기 제 1 모듈 영역 위에 대응되도록 상기 모듈 기판에 배치될 수 있다. 상기 제 1 모듈 영역이 상기 제 2 모듈 영역보다 높은 열전도도를 가지는 금속 재질로 형성될 수 있다. 상기 제 1 모듈 영역과 제 2 모듈 영역은 동일한 금속 재질로 형성되며, 상기 제 1 모듈 영역의 면적이 상기 제 2 모듈 영역의 면적보다 큰 것일 수 있다.The optical device package may be disposed on the module substrate such that the optical device corresponds to the first module area. The first module region may be formed of a metal material having a higher thermal conductivity than the second module region. The first module area and the second module area may be formed of the same metal material, and an area of the first module area may be larger than that of the second module area.
상기 광소자 패키지는 상기 광소자가 상기 제 2 모듈 영역 위에 대응되도록 상기 모듈 기판에 배치될 수 있다. 상기 제 2 모듈 영역이 상기 제 1 모듈 영역보다 높은 열전도도를 가지는 금속 재질로 형성될 수 있다.The optical device package may be disposed on the module substrate such that the optical device corresponds to the second module area. The second module region may be formed of a metal material having a higher thermal conductivity than the first module region.
상기 제 1 모듈 영역과 제 2 모듈 영역은 동일한 금속 재질로 형성되며, 상기 제 2 모듈 영역의 면적이 상기 제 1 모듈 영역의 면적보다 큰 것일 수 있다.The first module area and the second module area may be formed of the same metal material, and the area of the second module area may be larger than that of the first module area.
본 발명에 따른 광소자 모듈의 제조 방법은 제 1 광소자 영역, 상기 제 1 광소자 영역과 이격되는 제 2 광소자 영역, 및 상기 제 1 광소자 영역과 상기 제 2 광소자 영역 사이에 개재되는 제 1 광소자 절연층을 포함하는 광소자 기판과, 상기 광소자 기판의 상부에 형성되는 광소자를 포함하는 적어도 하나의 광소자 패키지를 준비하는 광소자 패키지 준비 단계; 제 1 모듈 영역, 상기 제 1 모듈 영역과 이격되는 제 2 모듈 영역, 및 상기 제 1 모듈 영역과 상기 제 2 모듈 영역 사이에 형성되는 제 1 모듈 절연층을 포함하는 모듈 기판을 준비하는 모듈 기판 준비 단계; 및 상기 모듈 기판의 상부에 상기 광소자 패키지를 결합시키는 광소자 패키지 결합 단계를 포함하고, 상기 광소자 패키지 결합 단계는 상기 제 1 모듈 영역 및 상기 제 2 모듈 영역 각각을 상기 제 1 광소자 영역 및 상기 제 2 광소자 영역 각각에 전기적으로 접속시키며, 상기 제 1 모듈 영역 및 상기 제 2 모듈 영역 각각은 금속 재질로 형성되는 것을 특징으로 한다. A method of manufacturing an optical device module according to the present invention includes a first optical device region, a second optical device region spaced apart from the first optical device region, and interposed between the first optical device region and the second optical device region. An optical device package preparing step of preparing at least one optical device package including an optical device substrate including a first optical device insulation layer and an optical device formed on the optical device substrate; Preparing a module substrate comprising a first module region, a second module region spaced apart from the first module region, and a first module insulating layer formed between the first module region and the second module region. step; And an optical device package coupling step of coupling the optical device package to an upper portion of the module substrate, wherein the optical device package coupling step includes the first optical device area and the second module area, respectively; It is electrically connected to each of the second optical device region, each of the first module region and the second module region is characterized in that formed of a metallic material.
상기 모듈 기판 준비 단계는 금속 플레이트의 상면 및 하면을 감싸도록 패턴층을 형성하는 과정; 상기 패턴층의 외부로 노출된 영역을 아노다이징하여 상기 금속 플레이트에 상기 제 1 모듈 영역, 제 2 모듈 영역 및 제 1 모듈 절연층을 형성하여 상기 제 1 모듈 기판을 형성하는 과정; 및 상기 패턴층을 제거하여 상기 모듈 기판을 노출하는 과정을 포함할 수 있다. 또한, 상기 모듈 기판 준비 단계는 상기 제 1 모듈 절연층 형성 후, 상기 패턴층 중 상기 금속 플레이트의 하부에 위치하는 부분을 제거하고 상기 패턴층의 외부로 노출된 영역을 아노다이징하여 상기 제 1 모듈 영역 및 상기 제 2 모듈 영역의 하면에 접촉하는 제 2 모듈 절연층을 더 형성할 수 있다. The preparing of the module substrate may include forming a pattern layer to surround upper and lower surfaces of the metal plate; Anodizing a region exposed to the outside of the pattern layer to form the first module substrate, the second module region, and the first module insulating layer on the metal plate to form the first module substrate; And removing the pattern layer to expose the module substrate. In the preparing of the module substrate, after forming the first module insulating layer, the first module region is formed by removing a portion of the pattern layer, which is located below the metal plate, and anodizing the region exposed to the outside of the pattern layer. And a second module insulating layer in contact with the bottom surface of the second module region.
상기 모듈 기판 준비 단계는 복수의 금속 플레이트를 준비하고, 상기 금속 플레이트의 경계면에 접착 부재를 형성하는 과정; 상기 접착 부재를 통해 상기 금속 플레이트를 상호간에 적층하는 과정; 및 상기 금속 플레이트를 상기 경계면에 수직한 방향으로 소잉하여, 상기 금속 플레이트에 상기 제 1 모듈 영역, 제 2 모듈 영역 및 제 1 모듈 절연층을 형성하여 상기 모듈 기판을 형성하는 과정을 포함할 수 있다. 또한, 상기 모듈 기판 준비 단계는 상기 모듈 기판의 상부에 패턴층을 형성하고 상기 패턴층의 외부로 노출된 영역을 아노다이징하여 상기 제 1 모듈 영역 및 상기 제 2 모듈 영역의 하면에 접촉하는 제 2 모듈 절연층을 더 형성할 수 있다. The preparing of the module substrate may include preparing a plurality of metal plates and forming an adhesive member on an interface of the metal plates; Laminating the metal plates to each other through the adhesive member; And sawing the metal plate in a direction perpendicular to the boundary surface to form the first substrate region, the second module region, and the first module insulating layer on the metal plate to form the module substrate. . The preparing of the module substrate may include forming a pattern layer on an upper portion of the module substrate and anodizing a region exposed to the outside of the pattern layer to contact the bottom surface of the first module region and the second module region. An insulating layer can be further formed.
상기 모듈 기판 준비 단계는 모재의 면 중에서 적어도 하나에 길이 방향을 따라 형성된 복수의 홈을 아노다이징(anodizing)하는 과정; 상기 홈이 서로 맞물리도록 복수의 상기 모재를 위치하되, 상기 홈의 내부에 부재를 위치시켜 상기 모재와 부재를 결합하는 과정; 및 결합된 상기 모재 및 부재를 상기 모재의 적층 방향으로 절단하여 각각의 모듈 기판을 분리하는 과정을 포함할 수 있다.The preparing of the module substrate may include: anodizing a plurality of grooves formed in at least one of the surfaces of the base material along a length direction; Positioning a plurality of the base materials so that the grooves engage with each other, and coupling the base material and the members by positioning the members inside the grooves; And cutting the bonded base material and the member in the stacking direction of the base material to separate each module substrate.
상기 모듈 기판 준비 단계는 모재의 일면으로부터 대응되는 반대면을 관통하는 관통홀의 내부를 아노다이징하는 과정; 상온보다 낮은 온도의 환경에 노출되어 부피가 수축된 부재를 상기 관통홀의 내부에 위치시켜 상기 모재와 부재를 결합하는 과정; 결합된 상기 모재 및 부재를 승온하여 상기 부재가 상기 관통홀의 내부를 채우도록 하는 과정; 및 결합된 상기 모재 및 부재를 상기 모재의 적층 방향으로 절단하여 각각의 모듈 기판을 분리하는 과정을 포함할 수 있다.The preparing of the module substrate may include: anodizing the inside of the through hole penetrating the opposite surface from the one surface of the base material; Combining the base material and the member by placing the member whose volume is contracted by being exposed to an environment of a temperature lower than room temperature in the through hole; Heating the combined base material and the member to fill the inside of the through hole; And cutting the bonded base material and the member in the stacking direction of the base material to separate each module substrate.
본 발명의 실시예에 따른 광소자 모듈 및 그 제조 방법은 모듈 기판에 적어도 하나의 광소자 패키지를 배치하여 원하는 회로 구조로 발광 소자를 구현할 수 있다.An optical device module and a method of manufacturing the same according to an embodiment of the present invention may implement a light emitting device having a desired circuit structure by disposing at least one optical device package on a module substrate.
또한, 본 발명의 실시예에 따른 광소자 모듈 및 그 제조 방법은 모듈 기판을 전도성을 가지며 방열성을 가지는 금속 재질로 형성하여 광소자 패키지에서 발생한 열을 외부로 용이하게 방출시킬 수 있다. In addition, the optical device module and the manufacturing method according to an embodiment of the present invention can be easily discharged heat generated in the optical device package to the outside by forming a module substrate of a conductive and heat-resistant metal material.
도 1a 내지 도 1c는 본 발명의 일 실시예에 따른 광소자 모듈의 단면도, 평면도 및 등가 회로도이다.1A to 1C are cross-sectional views, plan views, and equivalent circuit diagrams of an optical device module according to an embodiment of the present invention.
도 2a 및 도 2b는 본 발명의 다른 실시예에 따른 광소자 모듈의 평면도 및 등가 회로도이다.2A and 2B are plan and equivalent circuit diagrams of an optical device module according to another exemplary embodiment of the present invention.
도 3a 및 도 3b는 본 발명의 또다른 실시예에 따른 광소자 모듈의 평면도 및 등가 회로도이다.3A and 3B are a plan view and an equivalent circuit diagram of an optical device module according to another embodiment of the present invention.
도 4는 본 발명의 또다른 실시예에 따른 광소자 모듈의 평면도이다.4 is a plan view of an optical device module according to another embodiment of the present invention.
도 5는 본 발명의 또다른 실시예에 따른 광소자 모듈의 평면도이다.5 is a plan view of an optical device module according to another embodiment of the present invention.
도 6은 도 3a 및 도 3b에 도시된 광소자 모듈의 일 제조 방법을 설명하기 위한 플로우챠트이다.FIG. 6 is a flowchart for describing a method of manufacturing the optical device module illustrated in FIGS. 3A and 3B.
도 7 내지 도 11은 도 6의 광소자 모듈의 일 제조 방법을 설명하기 위한 도면들이다. 7 to 11 are diagrams for describing a method of manufacturing the optical device module of FIG. 6.
도 12는 도 3a 및 도 3b에 도시된 광소자 모듈의 다른 제조 방법을 설명하기 위한 플로우챠트이다.12 is a flowchart for explaining another method of manufacturing the optical device module illustrated in FIGS. 3A and 3B.
도 13a 내지 도 13d는 도 11의 광소자 모듈의 다른 제조 방법을 설명하기 위한 도면들이다. 13A to 13D are diagrams for describing another manufacturing method of the optical device module of FIG. 11.
도 14는 도 4에 도시된 광소자 모듈의 일 제조 방법을 설명하기 위한 플로우챠트이다.FIG. 14 is a flowchart for describing a method of manufacturing the optical device module illustrated in FIG. 4.
도 15a 내지 도 15d는 도 14의 광소자 모듈의 일 제조 방법을 설명하기 위한 도면들이다. 15A to 15D are diagrams for describing a method of manufacturing the optical device module of FIG. 14.
도 16은 도 4에 도시된 광소자 모듈의 다른 제조 방법을 설명하기 위한 플로우챠트이다.FIG. 16 is a flowchart for explaining another method of manufacturing the optical device module illustrated in FIG. 4.
도 17a 내지 도 17e는 도 16의 광소자 모듈의 다른 제조 방법을 설명하기 위한 도면들이다. 17A to 17E are diagrams for describing another method of manufacturing the optical device module of FIG. 16.
본 발명이 속하는 기술분야에 있어서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있을 정도로 본 발명의 바람직한 실시예를 도면을 참조하여 상세하게 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art can easily practice the present invention.
이하에서는 본 발명의 일 실시예에 따른 광소자 모듈의 구성을 설명하도록 한다.Hereinafter, the configuration of an optical device module according to an embodiment of the present invention.
도 1a 내지 도 1c는 본 발명의 일 실시예에 따른 광소자 모듈의 단면도, 평면도 및 등가 회로도이다.1A to 1C are cross-sectional views, plan views, and equivalent circuit diagrams of an optical device module according to an embodiment of the present invention.
도 1a 및 도 1b를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 광소자 모듈(100)은 적어도 하나의 광소자 패키지(110), 모듈 기판(120) 및 솔더층(130)을 포함한다. 1A and 1B, an optical device module 100 according to an embodiment of the present invention includes at least one optical device package 110, a module substrate 120, and a solder layer 130.
상기 광소자 패키지(110)는 광소자 기판(111), 광소자(117), 도전성 와이어(118) 및 보호층(119)을 포함한다. 한편, 도 1b에서는 광소자 패키지(110)의 보호층(119)이 제거된 상태로 광소자 모듈(100)이 도시되었다.The optical device package 110 includes an optical device substrate 111, an optical device 117, a conductive wire 118, and a protective layer 119. Meanwhile, in FIG. 1B, the optical device module 100 is illustrated with the protective layer 119 of the optical device package 110 removed.
상기 광소자 기판(111)은 상면(112)과 상면(112)의 반대면인 하면(113)을 포함하는 판상으로 이루어진다. 이러한 광소자 기판(111)은 광소자(117)를 지지한다. 상기 광소자 기판(111)은 제 1 광소자 영역(114), 제 1 광소자 영역(114)의 측면에 이격되어 위치한 제 2 광소자 영역(115) 및 제 1 광소자 영역(114)과 제 2 광소자 영역(115) 사이에 위치하는 광소자 절연층(116)을 포함하여 형성된다.The optical device substrate 111 has a plate shape including an upper surface 112 and a lower surface 113, which is the opposite surface of the upper surface 112. The optical device substrate 111 supports the optical device 117. The optical device substrate 111 may include a first optical device region 114, a second optical device region 115 and a first optical device region 114 spaced apart from side surfaces of the first optical device region 114. The optical device insulating layer 116 is disposed between the two optical device regions 115.
상기 제 1 광소자 영역(114)과 제 2 광소자 영역(115)은 금속 재질, 예를 들어 구리, 구리 합금, 알루미늄 및 알루미늄 합금 중 선택된 어느 하나의 재질로 형성되어, 광소자 기판(111)에서 제 1 전극과 제 2 전극으로서 역할을 할 수 있다. 이러한 제 1 광소자 영역(114)과 제 2 광소자 영역(115)은 광소자(117)의 플러스 전극(+)과 마이너스 전극(-)에 각각 전기적으로 연결되어 광소자(117)로 전기적인 신호가 입출력되는 경로를 제공하며, 광소자(117)의 열을 용이하게 외부로 방출한다. The first optical device region 114 and the second optical device region 115 are formed of a metal material, for example, any one selected from copper, a copper alloy, aluminum, and an aluminum alloy, such that the optical device substrate 111 May serve as the first electrode and the second electrode. The first optical device region 114 and the second optical device region 115 are electrically connected to the positive electrode (+) and the negative electrode (-) of the optical device 117, respectively, to be electrically connected to the optical device 117. It provides a path for the signal input and output, and easily emits heat of the optical element 117 to the outside.
상기 광소자 절연층(116)은 광소자 기판(111)의 상면(112)에서 하면(113)에 이르도록 수직 방향, 즉 두께 방향으로 관통하여 형성된다. 상기 광소자 절연층(116)은, 제 1 광소자 영역(114)과 제 2 광소자 영역(115)이 알루미늄 또는 알루미늄 합금으로 형성되는 경우 수평 방향으로 연결되는 제 1 광소자 영역(114)과 제 2 광소자 영역(115) 사이의 영역을 아노다이징(anodizing) 처리하여 형성되거나, 아노다이징 후 제 1 광소자 영역(114)과 제 2 광소자 영역(115) 사이에 본딩되는 접착제로 형성될 수 있다. 또한, 상기 광소자 절연층(116)은, 제 1 광소자 영역(114)과 제 2 광소자 영역(115)이 구리 또는 구리 합금으로 형성되는 경우 제 1 광소자 영역(114)과 제 2 광소자 영역(115) 사이에 본딩되는 절연성 접착제로 형성될 수 있다. 이러한 광소자 절연층(116)은 제 1 광소자 영역(114)와 제 2 광소자 영역(115)을 상호간에 전기적으로 절연시킨다. 도 1a에서는, 광소자 절연층(116)이 수직 방향을 따라 평평하게 형성된 측면을 갖도록 도시되어 있으나, 아노다이징이 광소자 기판(111)의 상면(112) 및 하면(113)에서 동시에 이루어짐에 따라 측면이 오목하게 형성된 더블콘(double cone)의 형상으로도 형성될 수 있다.The optical device insulating layer 116 penetrates in a vertical direction, that is, in a thickness direction from the upper surface 112 to the lower surface 113 of the optical device substrate 111. The optical device insulating layer 116 may include a first optical device region 114 connected in a horizontal direction when the first optical device region 114 and the second optical device region 115 are formed of aluminum or an aluminum alloy. The area between the second optical device regions 115 may be formed by anodizing, or may be formed of an adhesive bonded between the first optical device region 114 and the second optical device region 115 after anodizing. . In addition, the optical device insulating layer 116 may include the first optical device region 114 and the second optical light when the first optical device region 114 and the second optical device region 115 are formed of copper or a copper alloy. It may be formed of an insulating adhesive bonded between the device regions 115. The optical device insulating layer 116 electrically insulates the first optical device region 114 and the second optical device region 115 from each other. In FIG. 1A, the photonic device insulating layer 116 is illustrated to have a side surface formed flat along the vertical direction. However, the anodization is simultaneously performed on the upper surface 112 and the lower surface 113 of the optical device substrate 111. It may also be formed in the shape of the concave double cone (double cone).
상기 광소자(117)는 광소자 기판(111)의 상부에 형성된다. 상기 광소자(117)는 광소자 기판(111)의 영역 중에서도 제 1 광소자 영역(114)의 상부에 형성된다. 또한, 상기 광소자(117)는 제 1 광소자 영역(111)의 상면(112)에 전도성 접착제(미도시)를 통해 부착될 수 있다. 상기 광소자(117)는 발광하여, 광소자 기판(111)의 상부로 빛을 내보낼 수 있다. 상기 광소자(117)는 발광 다이오드(Light Emitting Diode, LED)로 형성될 수 있다. 또한, 상기 광소자(117)는 제 1 광소자 영역(114) 및 제 2 광소자 영역(115)과 전기적으로 연결된다. 따라서, 상기 광소자 기판(111)을 통해 입력되는 전원의 신호는 제 1 광소자 영역(114) 및 제 2 광소자 영역(115)을 통해 광소자(117)로 전달된다.The optical device 117 is formed on the optical device substrate 111. The optical device 117 is formed above the first optical device region 114 among the regions of the optical device substrate 111. In addition, the optical device 117 may be attached to the upper surface 112 of the first optical device region 111 through a conductive adhesive (not shown). The optical device 117 emits light and may emit light to the upper portion of the optical device substrate 111. The optical device 117 may be formed of a light emitting diode (LED). In addition, the optical device 117 is electrically connected to the first optical device region 114 and the second optical device region 115. Therefore, the signal of the power input through the optical device substrate 111 is transmitted to the optical device 117 through the first optical device region 114 and the second optical device region 115.
상기 도전성 와이어(118)는 제 2 광소자 영역(115)과 광소자(117)의 마이너스 전극(-)을 연결한다. 이러한 도전성 와이어(118)는 높은 전기 전도도를 보장하기 위해, 통상적으로 금, 구리 또는 알루미늄으로 형성된다. The conductive wire 118 connects the second optical device region 115 and the negative electrode (−) of the optical device 117. Such conductive wire 118 is typically formed of gold, copper or aluminum to ensure high electrical conductivity.
상기 보호층(119)은 광소자 기판(111)의 상부에 광소자(117) 및 도전성 와이어(118)를 감싸도록 형성된다. 상기 보호층(119)은 외부의 압력으로부터 광소자(117) 및 도전성 와이어(118)를 보호한다.The protective layer 119 is formed to surround the optical device 117 and the conductive wire 118 on the optical device substrate 111. The protective layer 119 protects the optical device 117 and the conductive wire 118 from external pressure.
또한, 상기 보호층(119)은 에폭시 수지에 통상적인 형광 물질을 혼합하여 형성될 수 있다. 상기 형광 물질은 광소자(117)로부터 발생한 가시광선 또는 자외선을 인가받으면 여기되고, 이후 안정화됨에 따라 가시광선을 발생시킨다. 따라서, 형광 물질로 형성된 보호층(119)은 광소자(117)로부터 발생한 빛을 적녹청(RGB) 광으로 변환하거나, 백색광으로 변환시킬 수 있다. 따라서, 광소자(117)을 포함하는 광소자 모듈(100)이 액정 표시 패널(Liqiud Crystal Display Panel)의 백라이트 유닛(Back Light Unit, BLU) 등으로 사용될 수 있다. In addition, the protective layer 119 may be formed by mixing a conventional fluorescent material with an epoxy resin. The fluorescent material is excited when the visible light or the ultraviolet light generated from the optical device 117 is applied, and then generates the visible light as it is stabilized. Accordingly, the protective layer 119 formed of a fluorescent material may convert light generated from the optical device 117 into red cyan light (RGB) light or white light. Accordingly, the optical device module 100 including the optical device 117 may be used as a backlight unit (BLU) of a liquid crystal display panel.
한편 도시하진 않았지만, 상기 보호층(119)의 외측면에 격벽이 더 형성될 수 있다. 상기 격벽은 빛 반사율이 좋은 에폭시 수지, 감광성 격벽 페이스트(PhotoSensitive barrib Rib paste, PSR) 또는 그 혼합물로 형성될 수 있고, 경우에 따라서는 실리콘으로 형성될 수도 있다. 또한, 광소자 기판(111)에는 광소자(117)를 수용하는 수용홈이 형성될 수 있으며, 수용홈의 내부 표면에는 반사층이 더 형성될 수 있다. 상기 반사층은 광소자(117)로부터 생성된 빛 중에서, 광소자 기판(117)에 도달한 빛을 반사시키며, 반사층에서 반사된 빛의 양을 높이기 위해 은(Ag)으로 형성될 수 있다.Although not shown, a partition wall may be further formed on the outer surface of the protective layer 119. The barrier rib may be formed of an epoxy resin having good light reflectivity, a photosensitive barrier rib paste (PSR), or a mixture thereof, and in some cases, may be formed of silicon. In addition, a receiving groove accommodating the optical device 117 may be formed in the optical device substrate 111, and a reflective layer may be further formed on an inner surface of the receiving groove. The reflective layer reflects the light reaching the optical device substrate 117 among the light generated from the optical device 117, and may be formed of silver (Ag) to increase the amount of light reflected from the reflective layer.
상기 모듈 기판(120)은 상면(121)과 상면(121)의 반대면인 하면(122)을 포함하는 판상으로 이루어지며, 광소자 패키지(110)의 하부에 형성된다. 이러한 모듈 기판(120)은 광소자 패키지(110)를 지지하며 외부의 PCB 등과 연결시킨다. 상기 모듈 기판(120)은 제 1 모듈 영역(123), 제 1 모듈 영역(123)의 측면에 이격되어 위치하는 제 2 모듈 영역(124), 및 제 1 모듈 영역(123)과 제 2 모듈 영역(124) 사이에 형성되는 제 1 모듈 절연층(125)을 포함한다. 또한, 상기 모듈 기판(120)은 하부에 형성되는 제 2 모듈 절연층(126)을 더 포함하여 형성될 수 있다. The module substrate 120 is formed in a plate shape including a top surface 121 and a bottom surface 122, which is an opposite surface of the top surface 121, and is formed below the optical device package 110. The module substrate 120 supports the optical device package 110 and is connected to an external PCB. The module substrate 120 may include a first module region 123, a second module region 124 spaced apart from a side surface of the first module region 123, and a first module region 123 and a second module region. And a first module insulating layer 125 formed between 124. In addition, the module substrate 120 may further include a second module insulating layer 126 formed below.
상기 제 1 모듈 영역(123)과 제 2 모듈 영역(124)은 금속 재질, 예를 들어 구리, 구리 합금, 알루미늄, 알루미늄 합금 및 질화 알루미늄 중 선택된 어느 하나의 재질로 형성되어, 모듈 기판(120)에서 제 1 전극과 제 2 전극으로서 역할을 할 수 있다. 이러한 제 1 모듈 영역(123)과 제 2 모듈 영역(124)은 제 1 광소자 영역(114)과 제 2 광소자 영역(115)에 각각 전기적으로 연결되어 제 1 광소자 영역(114)과 제 2 광소자 영역(115)과 함께 광소자(117)로 전기적인 신호가 입출력되는 경로를 제공하며, 광소자(117)의 열을 용이하게 외부로 방출한다. The first module region 123 and the second module region 124 may be formed of a metal material, for example, any one material selected from copper, copper alloy, aluminum, aluminum alloy, and aluminum nitride, thereby providing a module substrate 120. May serve as the first electrode and the second electrode. The first module region 123 and the second module region 124 are electrically connected to the first optical device region 114 and the second optical device region 115, respectively, to form the first optical device region 114 and the first optical device region 114. Together with the two optical device regions 115, the optical device 117 provides a path for inputting and outputting electrical signals, and easily emits heat from the optical device 117 to the outside.
상기 제 1 모듈 절연층(125)은 모듈 기판(120)의 상면(121)에서 하면(122)에 이르도록 수직 방향, 즉 두께 방향으로 관통하여 형성된다. 상기 제 1 모듈 절연층(125)은, 제 1 모듈 영역(123)과 제 2 모듈 영역(124)이 알루미늄 또는 알루미늄 합금으로 형성되는 경우 수평 방향으로 연결되는 제 1 모듈 영역(123)과 제 2 모듈 영역(124) 사이의 영역을 아노다이징(anodizing) 처리하여 형성되거나, 아노다이징 후 제 1 모듈 영역(123)과 제 2 모듈 영역(124) 사이에 본딩되는 접착제로 형성될 수 있다. 또한, 상기 제 1 모듈 절연층(125)은, 제 1 모듈 영역(123)과 제 2 모듈 영역(124)이 구리 또는 구리 합금으로 형성되는 경우 제 1 모듈 영역(123)과 제 2 모듈 영역(124) 사이에 본딩되는 절연성 접착제로 형성될 수 있다. 이러한 제 1 모듈 절연층(125)은 제 1 모듈 영역(123)과 제 2 모듈 영역(124)을 상호간에 전기적으로 절연시킨다. 도 1a에서는, 제 1 모듈 절연층(125)이 수직 방향을 따라 평평하게 형성된 측면을 갖도록 도시되어 있으나, 아노다이징이 모듈 기판(120)의 상면(121) 및 하면(122)에서 동시에 이루어짐에 따라 측면이 오목하게 형성된 더블콘(double cone)의 형상으로도 형성될 수 있다.The first module insulating layer 125 penetrates in a vertical direction, that is, in a thickness direction from the top surface 121 to the bottom surface 122 of the module substrate 120. When the first module region 123 and the second module region 124 are formed of aluminum or an aluminum alloy, the first module insulating layer 125 may be connected to the first module region 123 and the second in the horizontal direction. The region between the module regions 124 may be formed by anodizing, or may be formed of an adhesive bonded between the first module region 123 and the second module region 124 after anodizing. In addition, when the first module region 123 and the second module region 124 are formed of copper or a copper alloy, the first module insulating layer 125 may include the first module region 123 and the second module region ( It may be formed of an insulating adhesive bonded between the 124. The first module insulating layer 125 electrically insulates the first module region 123 and the second module region 124 from each other. In FIG. 1A, the first module insulating layer 125 is illustrated to have a side surface formed flat along the vertical direction. However, the anodization is simultaneously performed on the upper surface 121 and the lower surface 122 of the module substrate 120. It may also be formed in the shape of the concave double cone (double cone).
상기 제 2 모듈 절연층(126)은 모듈 기판(120)의 하부에서 접지 부분(미도시)을 제외하고 모듈 기판(120)의 하면(122), 즉 제 1 모듈 영역(123) 및 제 2 모듈 영역(124)의 하면에 접촉되게 형성된다. 상기 제 2 모듈 절연층(126)은, 제 1 모듈 영역(123)과 제 2 광소자 영역(124)이 알루미늄 또는 알루미늄 합금으로 형성되는 경우 제 1 모듈 영역(123)과 제 2 모듈 영역(124) 사이의 하면을 아노다이징(anodizing) 처리하여 형성되거나, 제 1 모듈 영역(123), 제 2 모듈 영역(124) 및 제 1 모듈 절연층(125)의 하면에 본딩되는 절연 시트로 형성될 수 있다. 또한, 상기 제 2 모듈 절연층(126)은, 제 1 모듈 영역(123)과 제 2 모듈 영역(124)이 구리 또는 구리 합금으로 형성되는 경우 제 1 모듈 영역(123), 제 2 모듈 영역(124) 및 제 1 모듈 절연층(125)의 하면에 본딩되는 절연 시트로 형성될 수 있다. 이러한 제 2 모듈 절연층(126)은 모듈 기판(120)과 외부 회로(미도시)의 불필요한 단락을 방지한다. 도 1a에서는, 상기 제 2 모듈 절연층(126)이 아노다이징에 의해 형성되어 아노다이징이 약하게 적용되는 제 1 모듈 절연층(125)의 하부 부분에서 홈을 가지는 형태로 도시되었지만, 상기 제 2 모듈 절연층(126)이 절연 시트로 형성되는 경우 전체적으로 평평한 형태를 가질 수 있다. The second module insulating layer 126 has a lower surface 122 of the module substrate 120, that is, the first module region 123 and the second module, except for a ground portion (not shown) below the module substrate 120. The lower surface of the region 124 is formed in contact with. The second module insulating layer 126 may include the first module region 123 and the second module region 124 when the first module region 123 and the second optical device region 124 are formed of aluminum or an aluminum alloy. ) May be formed by anodizing the bottom surface between the layers or may be formed of an insulating sheet bonded to the bottom surface of the first module region 123, the second module region 124, and the first module insulating layer 125. . In addition, when the first module region 123 and the second module region 124 are formed of copper or a copper alloy, the second module insulating layer 126 may include the first module region 123 and the second module region ( 124 and an insulating sheet bonded to the lower surface of the first module insulating layer 125. The second module insulating layer 126 prevents unnecessary short circuit between the module substrate 120 and an external circuit (not shown). In FIG. 1A, although the second module insulating layer 126 is formed by anodizing and has a groove in a lower portion of the first module insulating layer 125 to which anodizing is weakly applied, the second module insulating layer is illustrated. When 126 is formed of an insulating sheet, it may have a flat shape as a whole.
상기와 같이 형성되는 모듈 기판(120)은 적어도 하나의 광소자 패키지(110)가 배치되어 원하는 회로 구조를 구현할 수 있도록 한다. 도 1b에서는, 복수의 광소자 패키지(110)가 하나의 제 1 모듈 절연층(125)의 길이 방향을 따라 이격되게 배치되고, 하나의 제 1 모듈 절연층(125)을 가로지르도록 중첩된다. 이러한 광소자 패키지(110) 중 광소자 기판(111)의 제 1 광소자 영역(114)이 모듈 기판(120)의 제 1 모듈 영역(123)과 전기적으로 연결되고, 광소자 기판(111)의 제 2 광소자 영역(115)이 모듈 기판(120)의 제 2 모듈 영역(124)과 전기적으로 연결됨으로써, 도 1c와 같은 광소자 패키지(110)의 병렬 회로 구조가 구현될 수 있다.The module substrate 120 formed as described above may have at least one optical device package 110 disposed to implement a desired circuit structure. In FIG. 1B, the plurality of optical device packages 110 are spaced apart along the longitudinal direction of one first module insulating layer 125 and overlap each other to cross one first module insulating layer 125. The first optical device region 114 of the optical device substrate 111 of the optical device package 110 is electrically connected to the first module region 123 of the module substrate 120. Since the second optical device region 115 is electrically connected to the second module region 124 of the module substrate 120, a parallel circuit structure of the optical device package 110 as shown in FIG. 1C may be implemented.
상기 솔더층(130)은 제 1 광소자 영역(114)과 제 1 모듈 영역(123) 사이, 및 제 2 광소자 영역(115)과 제 2 모듈 영역(124) 사이에 형성된다. 이러한 솔더층(130)은 광소자 패키지(110)와 모듈 기판(120)을 전기적으로 연결시킨다. 이를 위해, 상기 솔더층(130)은 도전성을 갖는 솔더 물질로 형성된다. 한편, 모듈 기판(120)의 제 1 모듈 영역(123)과 제 2 모듈 영역(124)이 알루미늄 또는 알루미늄 합금으로 형성된 경우, 제 1 모듈 영역(123)과 제 2 모듈 영역(124) 위에 직접 솔더층(130)을 형성하기 어려울 수 있다. 이 경우, 도시하진 않았지만 먼저 제 1 모듈 영역(123)과 제 2 모듈 영역(124)의 상부에 금, 은, 니켈 구리의 조합 중 선택된 어느 하나를 무전해 도금법, 전해 도금법, 페이스트법, 스프레이법(플라즈마 아크 스프레이법, 콜드 스프레이법), 잉크 프린팅법 중에서 선택된 어느 하나 또는 이들의 조합을 통해 도금하여 전극층을 형성하고, 그 상부에 솔더층(130)을 형성하는 것이 가능하다. 또한, 별도의 도금 없이 솔더층(130)의 재질로서 납과 주석의 합금에 아연(Zn), 안티몬(Sb), 티타늄(Ti), 실리콘(Si), 알루미늄(Al) 및 구리(Cu) 등을 미량 첨가하여 이루어진 알루미늄 전용 솔더를 이용함으로써, 제 1 모듈 영역(123)과 제 2 모듈 영역(124)의 표면에 형성된 산화막을 제거하면서 솔더링이 이루어질 수 있다.The solder layer 130 is formed between the first optical device region 114 and the first module region 123 and between the second optical device region 115 and the second module region 124. The solder layer 130 electrically connects the optical device package 110 and the module substrate 120. To this end, the solder layer 130 is formed of a conductive solder material. Meanwhile, when the first module region 123 and the second module region 124 of the module substrate 120 are formed of aluminum or an aluminum alloy, solder directly on the first module region 123 and the second module region 124. It may be difficult to form layer 130. In this case, although not shown, first, any one selected from a combination of gold, silver, and nickel copper on the first module region 123 and the second module region 124 may be electroless plated, electroplated, paste, or spray. (Plasma Arc Spraying Method, Cold Spraying Method), ink printing method , or any combination thereof, may be plated to form an electrode layer, and the solder layer 130 may be formed thereon. In addition, zinc (Zn), antimony (Sb), titanium (Ti), silicon (Si), aluminum (Al), copper (Cu), etc., in an alloy of lead and tin as a material of the solder layer 130 without additional plating. By using the aluminum-only solder made by adding a small amount, the soldering may be performed while removing the oxide films formed on the surfaces of the first module region 123 and the second module region 124.
상기와 같이 하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 광소자 모듈(100)은 모듈 기판(120)에 적어도 하나의 광소자 패키지(110)를 배치하여 원하는 회로 구조, 예를 들어 광소자 패키지(110)의 병렬 회로 구조로 발광 소자를 구현할 수 있다.As described above, the optical device module 100 according to the embodiment of the present invention arranges the at least one optical device package 110 on the module substrate 120 to have a desired circuit structure, for example, the optical device package 110. The light emitting device can be implemented in a parallel circuit structure.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 광소자 모듈(100)은 모듈 기판(120)을 전도성을 가지며 방열성을 가지는 금속 재질로 형성하여 광소자 패키지(110)에서 발생한 열을 외부로 용이하게 방출시킬 수 있다.  In addition, the optical device module 100 according to an embodiment of the present invention is to form a module substrate 120 of a conductive and heat-dissipating metal material to easily discharge heat generated in the optical device package 110 to the outside. Can be.
이하에서는 본 발명의 다른 실시예에 따른 광소자 모듈의 구성을 설명하기로 한다. Hereinafter, the configuration of an optical device module according to another embodiment of the present invention will be described.
도 2a 및 도 2b는 본 발명의 다른 실시예에 따른 광소자 모듈의 평면도 및 등가 회로도이다. 앞선 실시예와 동일한 구성 및 동작을 갖는 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였으며, 이하에서는 차이점을 중심으로 설명하기로 한다. 2A and 2B are plan and equivalent circuit diagrams of an optical device module according to another exemplary embodiment of the present invention. Parts having the same configuration and operation as those of the foregoing embodiment are denoted by the same reference numerals, and will be described below with emphasis on differences.
도 2a 및 도 2b를 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 광소자 모듈(200)은 적어도 하나의 광소자 패키지(110), 모듈 기판(220) 및 솔더층(도 1a의 130)을 포함한다. 한편, 도 2a에서 광소자 패키지(110)의 보호층(119)이 제거된 상태로 광소자 모듈(200)이 도시되었다.2A and 2B, an optical device module 200 according to another embodiment of the present invention includes at least one optical device package 110, a module substrate 220, and a solder layer (130 of FIG. 1A). do. Meanwhile, in FIG. 2A, the optical device module 200 is illustrated with the protective layer 119 of the optical device package 110 removed.
상기 모듈 기판(220)은 제 1 모듈 영역(123), 제 2 모듈 영역(124), 제 1 모듈 절연층(225) 및 제 3 모듈 영역(227)을 포함한다. The module substrate 220 includes a first module region 123, a second module region 124, a first module insulating layer 225, and a third module region 227.
상기 제 1 모듈 절연층(225)은 도 1b에 도시된 제 1 모듈 절연층(125)과 달리 제 1 층(225a), 제 2 층(225b) 및 제 3 층(225c)을 포함한다. 상기 제 1 층(225a)은 제 1 모듈 영역(123)의 측면에 접촉되게 형성되며, 제 2 층(225b)은 제 2 모듈 영역(124)의 측면에 접촉되게 형성되고, 제 3 층(225c)은 제 1 층과 제 2 층 사이에 형성된다. Unlike the first module insulating layer 125 illustrated in FIG. 1B, the first module insulating layer 225 includes a first layer 225a, a second layer 225b, and a third layer 225c. The first layer 225a is formed in contact with the side of the first module region 123, and the second layer 225b is formed in contact with the side of the second module region 124, and the third layer 225c. ) Is formed between the first layer and the second layer.
상기 제 3 모듈 영역(227)은 상기 제 1 층(225a)과 제 3 층(225c) 사이 및 제 2 층(225b)과 제 3 층(225c) 사이에 형성된다. The third module region 227 is formed between the first layer 225a and the third layer 225c and between the second layer 225b and the third layer 225c.
상기와 같이 형성되는 모듈 기판(220)은 적어도 하나의 광소자 패키지(110)가 배치되어 원하는 회로 구조를 구현할 수 있도록 한다. 도 2a에서는, 적어도 하나의 광소자 패키지(110)가 제 1 층(225a), 제 2 층(225b) 및 제 3 층(225c) 각각의 위에 제 1 층(225a), 제 2 층(225b) 및 제 3 층(225c) 각각을 가르지도록 중첩된다. 이러한 적어도 하나의 광소자 패키지(110) 중 인접한 광소자 패키지들의 제 1 광소자 영역(114)과 제 2 광소자 영역(115)이 함께 제 3 모듈 영역(227)에 함께 전기적으로 연결된다. 구체적으로, 제 1 모듈 영역(123)에는 제 1 층(225a) 위에 중첩되는 광소자 패키지(110)의 제 1 광소자 영역(114)이 전기적으로 연결되며, 제 2 모듈 영역(124)에는 제 2 층(225b) 위에 중첩되는 광소자 패키지(110)의 제 2 광소자 영역(115)이 전기적으로 연결되고, 제 1 층(225a)과 제 3 층(225c) 사이에 위치하는 제 3 모듈 영역(227)에는 제 1 층(225a) 위에 중첩되는 광소자 패키지(110)의 제 2 광소자 영역(115)과 제 3 층(225c) 위에 중첩되는 광소자 패키지(110)의 제 1 광소자 영역(114)이 함께 전기적으로 연결되며, 제 2 층(225b)과 제 3 층(225c) 사이에 위치하는 제 3 모듈 영역(227)에는 제 2 층(225b) 위에 중첩되는 광소자 패키지(110)의 제 1 광소자 영역(114)과 제 3 층(225c) 위에 중첩되는 광소자 패키지(110)의 제 2 광소자 영역(115)이 함께 전기적으로 연결된다. 이로써, 도 2b와 같은 광소자 패키지(110)의 직렬 회로 구조가 구현될 수 있다. At least one optical device package 110 is disposed in the module substrate 220 formed as described above to implement a desired circuit structure. In FIG. 2A, at least one photonic device package 110 has a first layer 225a and a second layer 225b on top of each of the first layer 225a, the second layer 225b and the third layer 225c. And overlap each of the third layers 225c. The first optical device region 114 and the second optical device region 115 of the adjacent optical device packages of the at least one optical device package 110 are electrically connected together to the third module region 227 together. Specifically, the first optical device region 114 of the optical device package 110 overlapping the first layer 225a is electrically connected to the first module region 123, and the second module region 124 is electrically connected to the first module region 124. A third module region, which is electrically connected to the second photonic device region 115 of the photonic device package 110 overlying the second layer 225b, is located between the first layer 225a and the third layer 225c. In 227, the first optical device region of the optical device package 110 overlapping the second optical device region 115 and the third layer 225c of the optical device package 110 overlapping the first layer 225a. An optical device package 110 overlying the second layer 225b in a third module region 227 which is electrically connected together and between the second layer 225b and the third layer 225c. The first optical device region 114 and the second optical device region 115 of the optical device package 110 overlapping the third layer 225c are electrically connected together. As a result, a series circuit structure of the optical device package 110 as shown in FIG. 2B may be implemented.
상기와 같이 하여, 본 발명의 다른 실시예에 따른 광소자 모듈(200)은 모듈 기판(220)에 적어도 하나의 광소자 패키지(110)를 배치하여 원하는 회로 구조, 예를 들어 광소자 패키지(110)의 직렬 회로 구조로 발광 소자를 구현할 수 있다.As described above, in the optical device module 200 according to another embodiment of the present invention, the at least one optical device package 110 is disposed on the module substrate 220 so as to provide a desired circuit structure, for example, the optical device package 110. The light emitting device can be implemented with a series circuit structure of
이하에서는 본 발명의 또다른 실시예에 따른 광소자 모듈의 구성을 설명하기로 한다. Hereinafter, the configuration of an optical device module according to another embodiment of the present invention will be described.
도 3a 및 도 3b는 본 발명의 또다른 실시예에 따른 광소자 모듈의 평면도 및 등가 회로도이다. 앞선 실시예와 동일한 구성 및 동작을 갖는 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였으며, 이하에서는 차이점을 중심으로 설명하기로 한다. 3A and 3B are a plan view and an equivalent circuit diagram of an optical device module according to another embodiment of the present invention. Parts having the same configuration and operation as those of the foregoing embodiment are denoted by the same reference numerals, and will be described below with emphasis on differences.
도 3a 및 도 3b를 참조하면, 본 발명의 또다른 실시예에 따른 광소자 모듈(200)은 적어도 하나의 광소자 패키지(110), 모듈 기판(320) 및 솔더층(도 1a의 130)을 포함한다. 한편, 도 3a에서 광소자 패키지(110)의 보호층(119)이 제거된 상태로 광소자 모듈(300)이 도시되었다.3A and 3B, an optical device module 200 according to another embodiment of the present invention may include at least one optical device package 110, a module substrate 320, and a solder layer (130 of FIG. 1A). Include. Meanwhile, in FIG. 3A, the optical device module 300 is illustrated with the protective layer 119 of the optical device package 110 removed.
상기 모듈 기판(320)은 제 1 모듈 영역(123), 제 2 모듈 영역(124), 제 1 모듈 절연층(325) 및 제 3 모듈 영역(327)을 포함한다. The module substrate 320 includes a first module region 123, a second module region 124, a first module insulating layer 325, and a third module region 327.
상기 제 1 모듈 절연층(325)은 도 1b에 도시된 제 1 모듈 절연층(125)과 달리 제 1 층(325a) 및 제 2 층(325b)을 포함한다. 상기 제 1 층(325a)은 제 1 모듈 영역(123)의 측면에 접촉되게 형성되며, 제 2 층(325b)은 제 2 모듈 영역(124)의 측면에 접촉되게 형성된다. Unlike the first module insulating layer 125 illustrated in FIG. 1B, the first module insulating layer 325 includes a first layer 325a and a second layer 325b. The first layer 325a is formed in contact with the side of the first module region 123, and the second layer 325b is formed in contact with the side of the second module region 124.
상기 제 3 모듈 영역(227)은 제 1 층(325a)과 제 2 층(325b) 사이에 형성된다. The third module region 227 is formed between the first layer 325a and the second layer 325b.
상기와 같이 형성되는 모듈 기판(320)은 적어도 하나의 광소자 패키지(110)가 배치되어 원하는 회로 구조를 구현할 수 있도록 한다. 도 3a에서는, 적어도 하나의 광소자 패키지(110)가 제 1 층(325a) 및 제 2 층(325b)의 길이 방향을 따라 이격되게 배치되고, 제 1 층(325a) 및 제 2 층(325b) 각각의 위에 제 1 층(325a) 및 제 2 층(325b) 각각을 가르지도록 중첩된다. 이러한 적어도 하나의 광소자 패키지(110) 중 인접한 광소자 패키지들의 제 1 광소자 영역(114)과 제 2 광소자 영역(115)이 함께 제 3 모듈 영역(327)에 함께 전기적으로 연결된다. 구체적으로, 제 1 모듈 영역(123)에는 제 1 층(325a) 위에 중첩되는 광소자 패키지(110)의 제 1 광소자 영역(114)이 전기적으로 연결되며, 제 2 모듈 영역(124)에는 제 2 층(225b) 위에 중첩되는 광소자 패키지(110)의 제 2 광소자 영역(115)이 전기적으로 연결되고, 제 1 층(325a)과 제 2 층(325b) 사이에 위치하는 제 3 모듈 영역(327)에는 제 1 층(325a) 위에 중첩되는 광소자 패키지(110)의 제 2 광소자 영역(115)과 제 2 층(325b) 위에 중첩되는 광소자 패키지(110)의 제 1 광소자 영역(114)이 함께 전기적으로 연결된다. 이로써, 도 3b와 같은 광소자 패키지(110)의 직ㆍ병렬 회로 구조가 구현될 수 있다. In the module substrate 320 formed as described above, at least one optical device package 110 may be disposed to implement a desired circuit structure. In FIG. 3A, at least one optical device package 110 is disposed spaced apart along the length direction of the first layer 325a and the second layer 325b, and the first layer 325a and the second layer 325b. Overlaid on each top to separate each of the first layer 325a and the second layer 325b. The first optical device region 114 and the second optical device region 115 of adjacent optical device packages of the at least one optical device package 110 are electrically connected together to the third module region 327 together. Specifically, the first optical device region 114 of the optical device package 110 overlapping the first layer 325a is electrically connected to the first module region 123, and the first module region 123 is electrically connected to the second module region 124. The second optical device region 115 of the optical device package 110 overlapping the second layer 225b is electrically connected, and the third module region is located between the first layer 325a and the second layer 325b. In 327, the first optical device region of the optical device package 110 overlapping the second optical device region 115 and the second layer 325b of the optical device package 110 overlapping the first layer 325a. 114 are electrically connected together. As a result, the serial / parallel circuit structure of the optical device package 110 as shown in FIG. 3B may be implemented.
상기와 같이 하여, 본 발명의 또다른 실시예에 따른 광소자 모듈(300)은 모듈 기판(320)에 적어도 하나의 광소자 패키지(110)를 배치하여 원하는 회로 구조, 예를 들어 광소자 패키지(110)의 직ㆍ병렬 회로 구조로 발광 소자를 구현할 수 있다.As described above, in the optical device module 300 according to another embodiment of the present invention, by arranging at least one optical device package 110 on the module substrate 320, a desired circuit structure, for example, an optical device package ( The light emitting device can be implemented with the serial / parallel circuit structure of 110.
이하에서는 본 발명의 또다른 실시예에 따른 광소자 모듈의 구성을 설명하기로 한다. Hereinafter, the configuration of an optical device module according to another embodiment of the present invention will be described.
도 4는 본 발명의 또다른 실시예에 따른 광소자 모듈의 평면도이다. 앞선 실시예와 동일한 구성 및 동작을 갖는 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였으며, 이하에서는 차이점을 중심으로 설명하기로 한다. 4 is a plan view of an optical device module according to another embodiment of the present invention. Parts having the same configuration and operation as those of the foregoing embodiment are denoted by the same reference numerals, and will be described below with emphasis on differences.
도 4를 참조하면, 본 발명의 또다른 실시예에 따른 광소자 모듈(400)은 적어도 하나의 광소자 패키지(110), 모듈 기판(420) 및 솔더층(도 1a의 130)을 포함한다. 한편, 도 4에서 광소자 패키지(110)의 보호층(119)이 제거된 상태로 광소자 모듈(400)이 도시되었다.Referring to FIG. 4, an optical device module 400 according to another embodiment of the present invention includes at least one optical device package 110, a module substrate 420, and a solder layer (130 of FIG. 1A). Meanwhile, in FIG. 4, the optical device module 400 is illustrated with the protective layer 119 of the optical device package 110 removed.
상기 모듈 기판(420)은 도 1b의 모듈 기판(120)과 같이 광소자 패키지(110)의 하부에 형성되며, 광소자 패키지(110)를 지지하며 외부의 PCB 등과 연결시킨다. 상기 모듈 기판(420)은 제 1 모듈 영역(423), 제 2 모듈 영역(424) 및 제 1 모듈 절연층(425) 을 포함한다. 또한, 상기 모듈 기판(420)은 하부에 형성되는 제 2 모듈 절연층(미도시)을 더 포함하여 형성될 수 있다. The module substrate 420 is formed under the optical device package 110, as shown in the module substrate 120 of FIG. 1B, and supports the optical device package 110 and is connected to an external PCB. The module substrate 420 includes a first module region 423, a second module region 424, and a first module insulating layer 425. In addition, the module substrate 420 may further include a second module insulating layer (not shown) formed below.
상기 제 1 모듈 영역(423)은 모듈 기판(420)에서 대략 중앙에 위치하며, 대략 원형 또는 사각형, 오각형 등의 다각형의 평면 형상을 가질 수 있다.The first module region 423 may be positioned substantially at the center of the module substrate 420 and may have a planar shape of a polygon such as a circle, a quadrilateral, and a pentagon.
상기 제 2 모듈 영역(424)은 제 1 모듈 영역(423)의 측면에 이격되며 제 1 모듈 영역(423)을 감싸도록 형성된다. The second module region 424 is spaced apart from the side surface of the first module region 423 and is formed to surround the first module region 423.
상기 제 1 모듈 영역(423) 및 제 2 모듈 영역(424)은 도 1b의 제 1 모듈 영역(123) 및 제 2 모듈 영역(124)과 동일한 재질로 형성되며 동일한 역할을 하므로 중복된 설명은 생략하기로 한다. Since the first module region 423 and the second module region 424 are formed of the same material as the first module region 123 and the second module region 124 of FIG. 1B and have the same role, duplicate descriptions are omitted. Let's do it.
상기 제 1 모듈 절연층(425)은 제 2 모듈 영역(424)이 아노다이징되어 형성되며, 제 1 모듈 영역(423)과 제 2 모듈 영역(424) 사이에서 둘레를 따라서 배치된다.The first module insulating layer 425 is formed by anodizing a second module region 424, and is disposed along a circumference between the first module region 423 and the second module region 424.
상기와 같이 형성되는 모듈 기판(420) 위에 광소자(117)가 제 1 모듈 영역(423) 위에 대응되도록 광소자 패키지(110)가 배치되며, 광소자 패키지(110)가 제 1 모듈 절연층(425)을 가로지른다. 구체적으로, 광소자(117)가 제 1 광소자 영역(114)에 설치되고, 제 1 광소자 영역(114)이 제 1 모듈 영역(423)에 전기적으로 연결되며, 제 2 광소자 영역(115)이 제 2 모듈 영역(424)에 전기적으로 연결된다. 이 경우, 제 1 모듈 영역(423)이 제 2 모듈 영역(424)보다 높은 열전도도를 가지는 금속 재질로 형성되는 것이 바람직하다. 이는, 광소자(117)로부터 발생하는 열을 제 1 모듈 영역(423)을 통해 방출하는 효과를 높이기 위해서이다. 한편, 제 1 모듈 영역(423)과 제 2 모듈 영역(424)이 동일한 열전도도를 가지는 금속 재질로 형성되면, 제 1 모듈 영역(423)의 면적을 제 2 모듈 영역(424)의 면적보다 크게 하여 광소자(117)로부터 발생하는 열을 제 1 모듈 영역(423)을 통해 방출하는 효과를 높일 수 있다. The optical device package 110 is disposed on the module substrate 420 formed as described above so that the optical device 117 corresponds to the first module region 423, and the optical device package 110 is formed of the first module insulating layer ( 425). Specifically, the optical device 117 is installed in the first optical device region 114, the first optical device region 114 is electrically connected to the first module region 423, and the second optical device region 115 is provided. ) Is electrically connected to the second module region 424. In this case, the first module region 423 is preferably formed of a metal material having a higher thermal conductivity than the second module region 424. This is to increase the effect of emitting heat generated from the optical device 117 through the first module region 423. Meanwhile, when the first module region 423 and the second module region 424 are formed of a metal material having the same thermal conductivity, the area of the first module region 423 is larger than that of the second module region 424. Therefore, the effect of emitting heat generated from the optical device 117 through the first module region 423 may be enhanced.
상기와 같이 하여, 본 발명의 또다른 실시예에 따른 광소자 모듈(400)은 모듈 기판(420)에 적어도 하나의 광소자 패키지(110)를 배치하여 원하는 회로 구조, 예를 들어 광소자 패키지(110)의 병렬 회로 구조로 발광 소자를 구현할 수 있다.As described above, in the optical device module 400 according to another embodiment of the present invention, by arranging at least one optical device package 110 on the module substrate 420, a desired circuit structure, for example, an optical device package ( The light emitting device may be implemented using the parallel circuit structure of 110.
또한, 본 발명의 또다른 실시예에 따른 광소자 모듈(400)은 모듈 기판(420)을 전도성을 가지며 방열성을 가지는 금속 재질로 형성하여 광소자 패키지(110)에서 발생한 열을 외부로 용이하게 방출시킬 수 있다.  In addition, the optical device module 400 according to another embodiment of the present invention is formed of a conductive and heat-dissipating metal material of the module substrate 420 to easily discharge heat generated in the optical device package 110 to the outside You can.
이하에서는 본 발명의 또다른 실시예에 따른 광소자 모듈의 구성을 설명하기로 한다. Hereinafter, the configuration of an optical device module according to another embodiment of the present invention will be described.
도 5는 본 발명의 또다른 실시예에 따른 광소자 모듈의 평면도이다. 앞선 실시예와 동일한 구성 및 동작을 갖는 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였으며, 이하에서는 차이점을 중심으로 설명하기로 한다. 5 is a plan view of an optical device module according to another embodiment of the present invention. Parts having the same configuration and operation as those of the foregoing embodiment are denoted by the same reference numerals, and will be described below with emphasis on differences.
도 5를 참조하면, 본 발명의 또다른 실시예에 따른 광소자 모듈(500)은 적어도 하나의 광소자 패키지(110), 모듈 기판(520) 및 솔더층(도 1a의 130)을 포함한다. 한편, 도 5에서 광소자 패키지(110)의 보호층(119)이 제거된 상태로 광소자 모듈(500)이 도시되었다.Referring to FIG. 5, an optical device module 500 according to another embodiment of the present invention includes at least one optical device package 110, a module substrate 520, and a solder layer (130 of FIG. 1A). Meanwhile, the optical device module 500 is illustrated in FIG. 5 with the protective layer 119 of the optical device package 110 removed.
상기 모듈 기판(520)은 도 1b의 모듈 기판(120)과 같이 광소자 패키지(110)의 하부에 형성되며, 광소자 패키지(110)를 지지하며 외부의 PCB 등과 연결시킨다. 상기 모듈 기판(520)은 제 1 모듈 영역(523), 제 2 모듈 영역(524) 및 제 1 모듈 절연층(525) 을 포함한다. 또한, 상기 모듈 기판(520)은 하부에 형성되는 제 2 모듈 절연층(미도시)을 더 포함하여 형성될 수 있다.The module substrate 520 is formed under the optical device package 110, as shown in the module substrate 120 of FIG. 1B, and supports the optical device package 110 and is connected to an external PCB. The module substrate 520 includes a first module region 523, a second module region 524, and a first module insulating layer 525. In addition, the module substrate 520 may further include a second module insulating layer (not shown) formed below.
상기 제 1 모듈 영역(523), 제 2 모듈 영역(524) 및 제 1 모듈 절연층(525)은 도 4에 도시된 제 1 모듈 영역(423), 제 2 모듈 영역(424) 및 제 1 모듈 절연층(425)과 유사하다. The first module region 523, the second module region 524, and the first module insulating layer 525 may include the first module region 423, the second module region 424, and the first module illustrated in FIG. 4. Similar to insulating layer 425.
다만, 상기 제 1 모듈 영역(523), 제 2 모듈 영역(524) 및 제 1 모듈 절연층(525)을 포함하여 형성되는 모듈 기판(525) 위에 광소자(117)가 제 2 모듈 영역(524) 위에 대응되도록 광소자 패키지(110)가 배치되며, 광소자 패키지(110)가 제 1 모듈 절연층(525)을 가로지른다. 구체적으로, 광소자(117)가 제 1 광소자 영역(114)에 설치되고, 제 1 광소자 영역(114)이 제 2 모듈 영역(524)에 전기적으로 연결되며, 제 2 광소자 영역(115)이 제 1 모듈 영역(523)에 전기적으로 연결된다. 이 경우, 제 2 모듈 영역(524)이 제 1 모듈 영역(523)보다 높은 열전도도를 가지는 금속 재질로 형성되는 것이 바람직하다. 이는, 광소자(117)로부터 발생하는 열을 제 2 모듈 영역(524)을 통해 방출하는 효과를 높이기 위해서이다. 한편, 제 2 모듈 영역(524)과 제 1 모듈 영역(523)이 동일한 열전도도를 가지는 금속 재질로 형성되면, 제 2 모듈 영역(524)의 면적을 제 1 모듈 영역(523)의 면적보다 크게 하여 광소자(117)로부터 발생하는 열을 제 2 모듈 영역(523)을 통해 방출하는 효과를 높일 수 있다. However, the optical device 117 is disposed on the module substrate 525 including the first module region 523, the second module region 524, and the first module insulating layer 525. The optical device package 110 is disposed to correspond to the photonic device package 110, and the optical device package 110 crosses the first module insulating layer 525. Specifically, an optical device 117 is installed in the first optical device region 114, the first optical device region 114 is electrically connected to the second module region 524, and the second optical device region 115 is provided. ) Is electrically connected to the first module region 523. In this case, it is preferable that the second module region 524 is formed of a metal material having a higher thermal conductivity than the first module region 523. This is to increase the effect of emitting heat generated from the optical device 117 through the second module region 524. Meanwhile, when the second module region 524 and the first module region 523 are formed of a metal material having the same thermal conductivity, the area of the second module region 524 is larger than that of the first module region 523. Therefore, the effect of dissipating heat generated from the optical device 117 through the second module region 523 may be enhanced.
상기와 같이 하여, 본 발명의 또다른 실시예에 따른 광소자 모듈(500)은 모듈 기판(520)에 적어도 하나의 광소자 패키지(110)를 배치하여 원하는 회로 구조, 예를 들어 병렬 회로 구조로 발광 소자를 구현할 수 있다.As described above, the optical device module 500 according to another embodiment of the present invention has a desired circuit structure, for example, parallel circuit structure, by arranging at least one optical device package 110 on the module substrate 520. A light emitting device can be implemented.
또한, 본 발명의 또다른 실시예에 따른 광소자 모듈(500)은 모듈 기판(520)을 전도성을 가지며 방열성을 가지는 금속 재질로 형성하여 광소자 패키지(110)에서 발생한 열을 외부로 용이하게 방출시킬 수 있다.  In addition, the optical device module 500 according to another embodiment of the present invention is to form a module substrate 520 made of a conductive and heat-dissipating metal material to easily discharge heat generated in the optical device package 110 to the outside You can.
이하에서는 본 발명의 실시예에 따른 광소자 모듈의 제조 방법에 대해 도 3a 및 도 3b에 도시된 광소자 모듈의 일 제조 방법을 예로 들어 설명하기로 한다. Hereinafter, a method of manufacturing an optical device module according to an embodiment of the present invention will be described by taking an example of a manufacturing method of the optical device module illustrated in FIGS. 3A and 3B.
도 6은 도 3a 및 도 3b에 도시된 광소자 모듈의 일 제조 방법을 설명하기 위한 플로우챠트이고, 도 7 내지 도 11은 도 6의 광소자 모듈의 일 제조 방법을 설명하기 위한 도면들이다. 6 is a flowchart for describing a method of manufacturing the optical device module illustrated in FIGS. 3A and 3B, and FIGS. 7 to 11 are views for explaining a method of manufacturing the optical device module of FIG. 6.
도 6을 참조하면, 도 3a 및 도 3b에 도시된 광소자 모듈(300)의 일 제조 방법은 광소자 패키지 준비 단계(S1), 모듈 기판 준비 단계(S2) 및 광소자 패키지 결합 단계(S3)를 포함한다. Referring to FIG. 6, one method of manufacturing the optical device module 300 illustrated in FIGS. 3A and 3B may include an optical device package preparing step S1, a module substrate preparing step S2, and an optical device package combining step S3. It includes.
도 7을 참조하면, 상기 광소자 패키지 준비 단계(S1)는 제 1 광소자 영역(114), 제 1 광소자 영역(114)의 측면에 이격되는 제 2 광소자 영역(115), 및 제 1 광소자 영역(114)과 제 2 광소자 영역(115) 사이에 개재되는 광소자 절연층(116)을 포함하는 광소자 기판(111)과, 광소자 기판(111)의 상부에 형성되는 광소자(117)를 포함하는 적어도 하나의 광소자 패키지(110)를 준비하는 단계이다. 여기서, 상기 광소자 패키지(110)는 광소자(117)와 제 2 광소자 영역(115)을 전기적으로 연결하는 도전성 와이어(118)와, 광소자(117)와 도전성 와이어(118)를 감싸는 보호층(119)을 더 포함할 수 있다. 상기 광소자 패키지(110)는 이미 앞에서 상세하게 설명하였으므로 중복된 설명은 생략하기로 한다. Referring to FIG. 7, the optical device package preparing step S1 may include a first optical device region 114, a second optical device region 115 spaced apart from a side of the first optical device region 114, and a first optical device package 114. An optical device substrate 111 including an optical device insulating layer 116 interposed between the optical device region 114 and the second optical device region 115, and an optical device formed on the optical device substrate 111. At least one optical device package 110 including 117 is prepared. The optical device package 110 may include a conductive wire 118 that electrically connects the optical device 117 and the second optical device region 115, and protects the optical device 117 and the conductive wire 118. The layer 119 may be further included. Since the optical device package 110 has already been described in detail above, duplicate description thereof will be omitted.
도 8a 내지 도 8e를 참조하면, 상기 모듈 기판 준비 단계(S1)는 제 1 모듈 영역(도 3a의 123), 제 1 모듈 영역(123)의 측면에 이격되는 제 2 모듈 영역(도 3a의 124), 및 제 1 모듈 영역(123)과 제 2 모듈 영역(124) 사이에 형성되는 제 1 모듈 절연층(도 3a의 325)을 포함하는 모듈 기판(도 3a의 320)을 준비하는 단계이다. 8A to 8E, the module substrate preparing step S1 may include a first module region (123 of FIG. 3A) and a second module region (124 of FIG. 3A) spaced apart from side surfaces of the first module region 123. ), And a module substrate (320 of FIG. 3A) including a first module insulating layer (325 of FIG. 3A) formed between the first module region 123 and the second module region 124.
먼저, 도 8a에 도시된 바와 같이 상기 모듈 기판 준비 단계(S2)는 금속 플레이트(320')의 상면 및 하면을 감싸도록 패턴층(10)을 형성한다. 상기 금속 플레이트(320')는 구리, 구리 합금, 알루미늄 및 알루미늄 합금 중 선택된 어느 하나의 재질로 형성될 수 있다. 또한, 상기 패턴층(10)은 마스크 용액을 도포한 이후 노광 및 현상을 하거나, 또는 패턴된 필름을 부착하는 방식을 통해 형성될 수 있다.First, as shown in FIG. 8A, the module substrate preparation step S2 forms the pattern layer 10 to cover the top and bottom surfaces of the metal plate 320 ′. The metal plate 320 ′ may be formed of any one material selected from copper, a copper alloy, aluminum, and an aluminum alloy. In addition, the pattern layer 10 may be formed through exposure and development after applying a mask solution, or by attaching a patterned film.
그리고, 도 8b에 도시된 바와 같이 상기 모듈 기판 준비 단계(S2)는 패턴층(10)에 의해 외부로 노출된 영역을 아노다이징(anodizing) 처리하여 제 1 층(325a)과 제 2 층(325b)을 갖는 제 1 모듈 절연층(325)을 형성한다. 상기 제 1 모듈 절연층(325)은 금속 플레이트(320')의 두께 방향 즉, 수직 방향으로 관통하여 형성되며, 금속 플레이트(320')의 길이 방향을 따라 형성된다. 상기 제 1 모듈 절연층(325)은 금속 플레이트(320')를 제 1 모듈 영역(123), 제 2 모듈 영역(124) 및 제 3 모듈 영역(327)으로 분리함으로써, 제 1 모듈 영역(123), 제 2 모듈 영역(124) 및 제 3 모듈 영역(327)을 갖는 모듈 기판(320)을 구성한다. 또한, 상기 제 1 모듈 절연층(325)은 수직 방향을 따라 평평한 측면을 갖도록 도시되어 있으나, 금속 플레이트(320')의 상면 및 하면에서 아노다이징이 진행됨에 따라 측면의 중앙이 오목한 더블콘(double cone)의 형상을 갖도록 형성될 수도 있다. 한편, 제 1 모듈 절연층(325)의 형성 이후, 제 1 모듈 절연층(325)의 내부에 존재하는 미세 크기의 기공을 BCB(Benzocyclobuten), 절연 유기물 및 증류수 중에서 선택된 어느 하나 또는 그 조합을 이용하여 채우거나 상기 기공의 미세 기공의 입구를 막아주는 봉공 공정 또는 경화 공정이 더 수행될 수 있다.In addition, as shown in FIG. 8B, the module substrate preparation step S2 is anodized on an area exposed to the outside by the pattern layer 10 to form a first layer 325a and a second layer 325b. A first module insulating layer 325 is formed. The first module insulating layer 325 is formed to penetrate in the thickness direction of the metal plate 320 ', that is, in the vertical direction, and is formed along the length direction of the metal plate 320'. The first module insulating layer 325 separates the metal plate 320 ′ into the first module region 123, the second module region 124, and the third module region 327, thereby forming the first module region 123. ), A module substrate 320 having a second module region 124 and a third module region 327. In addition, although the first module insulating layer 325 is illustrated to have a flat side along the vertical direction, a double cone having a concave center at the side as anodizing proceeds from the top and bottom surfaces of the metal plate 320 ′. It may be formed to have a shape of). On the other hand, after the formation of the first module insulating layer 325, fine pores present in the interior of the first module insulating layer 325 using any one selected from BCB (Benzocyclobuten), insulating organic material and distilled water or a combination thereof. By filling or blocking the opening of the micropores of the pores may be further performed a sealing process or a curing process.
그리고, 도 8c에 도시된 바와 같이 상기 모듈 기판 준비 단계(S2)는 패턴층(10)을 모듈 기판(320)으로부터 분리하여 제거한다. 상기 패턴층(10)는 마스크 용액으로 이루어진 경우 에싱 공정을 통해 제거될 수 있고, 필름의 경우 모듈 기판(320)으로부터 탈착하여 제거될 수 있다. 여기서, 제 2 모듈 절연층(도 3a의 126)의 형성을 위해 패턴층(10) 중 모듈 기판(310)의 하부에 위치하는 부분만 제거하여 모듈 기판(310)의 하부를 외부로 노출시킨다. As illustrated in FIG. 8C, the module substrate preparing step S2 is performed by separating the pattern layer 10 from the module substrate 320. The pattern layer 10 may be removed through an ashing process in the case of a mask solution, and may be removed by being detached from the module substrate 320 in the case of a film. Here, only a portion of the pattern layer 10 positioned below the module substrate 310 is removed to form the second module insulating layer 126 of FIG. 3A, thereby exposing the lower portion of the module substrate 310 to the outside.
그리고, 도 8d에 도시된 바와 같이 상기 모듈 기판 준비 단계(S2)는 노출된 모듈 기판(320)의 하부 위치하는 제 1 모듈 영역(123) 및 제 2 모듈 영역(124)을 아노다이징 처리하여 제 2 모듈 절연층(126)을 형성한다. In addition, as illustrated in FIG. 8D, the module substrate preparing step S2 may be performed by anodizing the first module region 123 and the second module region 124 disposed under the exposed module substrate 320. The module insulating layer 126 is formed.
도 9를 참조하면, 상기 광소자 패키지 결합 단계(S3)는 제 1 모듈 영역(123) 및 제 2 모듈 영역(124) 각각을 제 1 광소자 영역(114) 및 상기 제 2 광소자 영역(115) 각각에 전기적으로 접속시키는 단계이다. 구체적으로, 상기 광소자 패키지 결합 단계(S3)는 솔더층(130)을 통해 제 1 광소자 영역(114)을 제 1 모듈 영역(123)에 부착하여 전기적으로 연결시키고 제 2 제 1 광소자 영역(115)을 제 2 모듈 영역(124)에 부착하여 전기적으로 연결시킨다. 한편, 모듈 기판(120)의 제 1 모듈 영역(123)과 제 2 모듈 영역(124)이 알루미늄 또는 알루미늄 합금으로 형성된 경우, 제 1 모듈 영역(123)과 제 2 모듈 영역(124) 위에 직접 솔더층(130)을 형성하기 어려울 수 있다. 이 경우, 도시하진 않았지만 상기 광소자 패키지 결합 단계(S3)는 먼저 제 1 모듈 영역(123)과 제 2 모듈 영역(124)의 상부에 금, 은, 니켈 구리의 조합 중 선택된 어느 하나를 무전해 도금법, 전해 도금법, 페이스트법, 스프레이법(플라즈마 아크 스프레이법, 콜드 스프레이법), 잉크 프린팅법 중에서 선택된 어느 하나 또는 이들의 조합을 통해 도금하여 전극층을 형성하고, 그 상부에 솔더층(130)을 형성할 수 있다. 또한, 상기 광소자 패키지 결합 단계(S3)는 별도의 도금 없이 솔더층(130)의 재질로서 납과 주석의 합금에 아연(Zn), 안티몬(Sb), 티타늄(Ti), 실리콘(Si), 알루미늄(Al) 및 구리(Cu) 등을 미량 첨가하여 이루어진 알루미늄 전용 솔더를 이용함으로써, 제 1 모듈 영역(123)과 제 2 모듈 영역(124)의 표면에 형성된 산화막을 제거하면서 솔더링을 수행할 수 있다.Referring to FIG. 9, in the combining of the optical device package S3, each of the first module area 123 and the second module area 124 may be divided into a first optical device area 114 and a second optical device area 115. ) Is electrically connected to each other. Specifically, in the optical device package coupling step S3, the first optical device region 114 is attached to the first module region 123 through the solder layer 130 to be electrically connected to the second optical device region. 115 is attached to and electrically connected to the second module region 124. Meanwhile, when the first module region 123 and the second module region 124 of the module substrate 120 are formed of aluminum or an aluminum alloy, solder directly on the first module region 123 and the second module region 124. It may be difficult to form layer 130. In this case, although not shown, the optical device package coupling step S3 may be performed by electrolessly selecting any one of a combination of gold, silver, and nickel copper on the first module region 123 and the second module region 124. The electrode layer is formed by plating through any one or a combination of the plating method, the electrolytic plating method, the paste method, the spray method (plasma arc spray method, the cold spray method), and the ink printing method , and the solder layer 130 is formed thereon. Can be formed. In addition, the optical device package bonding step (S3) is zinc (Zn), antimony (Sb), titanium (Ti), silicon (Si) in the alloy of lead and tin as a material of the solder layer 130 without additional plating, By using an aluminum-only solder made by adding a small amount of aluminum (Al) and copper (Cu), soldering can be performed while removing oxide films formed on the surfaces of the first module region 123 and the second module region 124. have.
상기와 같은 제조 방법에 의해 제조된 광소자 모듈(300)은 또다른 원하는 회로 구조를 위해 도 10에 도시된 바와 같이 소잉 라인(SL)을 따라 모듈 기판(320)을 절단하여, 다른 회로 구조를 가지는 또다른 광소자 모듈로 구현될 수 있다. The optical device module 300 manufactured by the above manufacturing method cuts the module substrate 320 along the sawing line SL, as shown in FIG. 10, for another desired circuit structure. The branch may be implemented as another optical device module.
한편, 도 11은 소잉 공정에 의해 여러 가지 회로 구조를 구현할 수 있는 광소자 모듈의 예를 도시한 것으로, 예를 들어 소잉 라인(SL1)을 따라 모듈 기판(610)을 절단하면 도 1b의 광소자 모듈(100)이 구현될 수 있으며, 소잉 라인(SL2)을 따라 모듈 기판(610)을 절단하면 도 2a의 광소자 모듈(200)이 구현될 수 있고, 소잉 라인(SL3)을 따라 모듈 기판(610)을 절단하면 도 3a의 광소자 모듈(300)이 구현될 수 있다. Meanwhile, FIG. 11 illustrates an example of an optical device module capable of implementing various circuit structures by a sawing process. For example, when the module substrate 610 is cut along the sawing line SL1, the optical device of FIG. The module 100 may be implemented, and when the module substrate 610 is cut along the sawing line SL2, the optical device module 200 of FIG. 2A may be implemented, and the module substrate along the sawing line SL3 may be implemented. When cutting 610, the optical device module 300 of FIG. 3A may be implemented.
이하에서는 본 발명의 실시예에 따른 광소자 모듈의 제조 방법에 대해 도 3a 및 도 3b에 도시된 광소자 모듈의 다른 제조 방법을 예로 들어 설명하기로 한다. Hereinafter, another manufacturing method of the optical device module illustrated in FIGS. 3A and 3B will be described with reference to the manufacturing method of the optical device module according to an exemplary embodiment of the present invention.
도 12는 도 3a 및 도 3b에 도시된 광소자 모듈의 다른 제조 방법을 설명하기 위한 플로우챠트이고, 도 13a 내지 도 13d는 도 11의 광소자 모듈의 다른 제조 방법을 설명하기 위한 도면들이다.12 is a flowchart for explaining another method of manufacturing the optical device module illustrated in FIGS. 3A and 3B, and FIGS. 13A to 13D are views for explaining another method of manufacturing the optical device module of FIG. 11.
도 12를 참조하면, 도 3a 및 도 3b에 도시된 광소자 모듈(300)의 다른 제조 방법은 광소자 패키지 준비 단계(S1), 모듈 기판 준비 단계(S12) 및 광소자 패키지 결합 단계(S3)를 포함한다. 상기 광소자 패키지 준비 단계(S1)와 광소자 패키지 결합 단계(S3)는 이미 앞에서 설명되었으므로 중복된 설명은 생략하기로 한다. Referring to FIG. 12, another method of manufacturing the optical device module 300 illustrated in FIGS. 3A and 3B may include an optical device package preparing step S1, a module substrate preparing step S12, and an optical device package combining step S3. It includes. Since the optical device package preparing step S1 and the optical device package combining step S3 have already been described above, a redundant description thereof will be omitted.
도 13a 내지 도 13d를 참조하면, 상기 모듈 기판 준비 단계(S12)는 제 1 모듈 영역(도 3a의 123), 제 1 모듈 영역(123)의 측면에 이격되는 제 2 모듈 영역(도 3a의 124), 및 제 1 모듈 영역(123)과 제 2 모듈 영역(124) 사이에 형성되는 제 1 모듈 절연층(도 3a의 325)을 포함하는 모듈 기판(도 3a의 320)을 준비하는 단계이다. 13A to 13D, the module substrate preparation step S12 may include a first module region (123 of FIG. 3A) and a second module region (124 of FIG. 3A) spaced apart from side surfaces of the first module region 123. ), And a module substrate (320 of FIG. 3A) including a first module insulating layer (325 of FIG. 3A) formed between the first module region 123 and the second module region 124.
먼저, 도 13a에 도시된 바와 같이 상기 모듈 기판 준비 단계(S12)는 판상으로 이루어진 세 개의 금속 플레이트(320')를 준비한다. 여기서, 상기 금속 플레이트(320')는 세 개로 도시되어 있지만 이에 한정되는 것은 아니며, 원하는 기판의 영역에 대응되는 수로 구비될 수 있다. 상기 금속 플레이트(320')는 알루미늄, 알루미늄 합금, 구리 및 구리 합금 중에서 선택된 어느 하나로 이루어질 수 있다. 또한, 상기 금속 플레이트(320')는 이후 접착 부재와 부착력을 높이고, 금속 플레이트(320')간의 절연성 및 내전압성을 증가시키기 위해 표면이 아노다이징 처리될 수 있다. 또한, 상기 금속 플레이트(320')는 접착 부재와의 부착력을 높이기 위해 경계면에 샌드 블라스트(sand blast), 화학적 에칭, 그라인딩 또는 폴리싱 처리를 하여 표면 거칠기를 구비할 수도 있다. 각 금속 플레이트(320')는 수직 방향으로 나란하게 위치하며, 이후 모듈 기판의 각 영역을 구성하게 된다. 또한, 상기 모듈 기판 준비 단계(S12)는 금속 플레이트(320')의 사이 경계면에 접착 부재(325a', 325b')를 형성한다. 상기 접착 부재(325a', 325b')는 금속 플레이트(320')를 결합시키되, 상기 금속 플레이트(320')들이 서로 전기적으로 독립되도록 한다. 상기 접착 부재(325a', 325b')는 액상 형태의 접착제 또는 시트 형태의 필름으로 이루어질 수 있다. 상기 접착 부재(325a', 325b')는 이후 모듈 기판(320)의 제 1 모듈 절연층(325)을 구성하게 된다. 또한, 상기 모듈 기판 준비 단계(S12)는 접착 부재(325a', 325b')를 통해 금속 플레이트(320')를 적층한다. 즉, 상기 금속 플레이트(320')의 사이에 접착 부재(325a', 325b')가 구비되어, 부착력 및 전기적 절연을 제공한다.First, as shown in FIG. 13A, the module substrate preparing step S12 prepares three metal plates 320 ′ made of a plate shape. Here, the metal plate 320 ′ is illustrated as three, but is not limited thereto. The metal plate 320 ′ may be provided in a number corresponding to an area of the substrate. The metal plate 320 ′ may be made of any one selected from aluminum, aluminum alloy, copper, and copper alloy. In addition, the metal plate 320 ′ may then be anodized to increase the adhesion between the adhesive member and the dielectric plate, and to increase the insulation and voltage resistance of the metal plate 320 ′. In addition, the metal plate 320 ′ may have a surface roughness by sand blasting, chemical etching, grinding, or polishing the interface to increase adhesion to the adhesive member. Each metal plate 320 ′ is positioned side by side in the vertical direction, and then constitutes each region of the module substrate. In addition, the module substrate preparing step (S12) forms adhesive members 325a ′ and 325 b ′ on the interface between the metal plates 320 ′. The adhesive members 325a 'and 325b' couple the metal plates 320 ', but the metal plates 320' are electrically independent of each other. The adhesive members 325a 'and 325b' may be formed of an adhesive in a liquid form or a film in a sheet form. The adhesive members 325a 'and 325b' then form the first module insulating layer 325 of the module substrate 320. In addition, in the module substrate preparing step S12, the metal plate 320 ′ is laminated through the adhesive members 325a ′ and 325b ′. That is, adhesive members 325a 'and 325b' are provided between the metal plates 320 'to provide adhesion and electrical insulation.
그리고, 도 13b에 도시된 바와 같이 상기 모듈 기판 준비 단계(S12)는 접착부재(325a', 325b')를 통해 적층된 상기 금속 플레이트(320')를 수직 방향을 따라 소잉(sawing)하여 모듈 기판(320)을 형성하는 단계이다. 그 결과, 상기 금속 플레이트(320')는 각각 모듈 기판(320)의 제 1 모듈 영역(123), 제 2 모듈 영역(124) 및 제 3 광소자 영역(327)을 구성하고, 접착 부재((325a', 325b')는 모듈 기판(320)의 제 1 모듈 절연층(325)을 구성한다. 결국, 소잉시 수평 방향으로의 이격 간격(t)은 모듈 기판(320)의 최종적인 수직 방향으로의 두께를 형성하게 된다. 또한, 이후에는 버(burr) 및 스크래치(scratch)를 제거하고, 광소자의 광원을 보다 효율적으로 반사시키기 위한 연마 공정이 더 수행될 수 있다.In addition, as shown in FIG. 13B, the module substrate preparing step S12 may be performed by sawing the metal plates 320 ′ stacked in the vertical direction through the adhesive members 325a ′ and 325 b ′ in the vertical direction. Step 320 is formed. As a result, the metal plate 320 'constitutes the first module region 123, the second module region 124, and the third optical element region 327 of the module substrate 320, respectively, and the adhesive member (( 325a 'and 325b' constitute the first module insulating layer 325 of the module substrate 320. As a result, the spacing t in the horizontal direction during sawing is in the final vertical direction of the module substrate 320. In addition, a polishing process may be further performed to remove burrs and scratches and to more efficiently reflect the light source of the optical device.
그리고, 도 13c 및 도 13d에 도시된 바와 같이 상기 모듈 기판 준비 단계(S12)는 모듈 기판(320)의 상부에 패턴층(20)을 형성하고 패턴층(20)의 외부로 노출된 영역을 아노다이징하여 모듈 기판(320)의 하부에 제 2 모듈 절연층(126)을 더 형성한다. 13C and 13D, in the preparing of the module substrate S12, the pattern layer 20 is formed on the module substrate 320, and the area exposed to the outside of the pattern layer 20 is anodized. Thus, a second module insulating layer 126 is further formed below the module substrate 320.
이하에서는 본 발명의 실시예에 따른 광소자 모듈의 제조 방법에 대해 도 4에 도시된 광소자 모듈의 일 제조 방법을 예로 들어 설명하기로 한다. Hereinafter, a method of manufacturing the optical device module according to an embodiment of the present invention will be described by taking an example of the manufacturing method of the optical device module shown in FIG.
도 14는 도 4에 도시된 광소자 모듈의 일 제조 방법을 설명하기 위한 플로우챠트이고, 도 15a 내지 도 15d는 도 14의 광소자 모듈의 일 제조 방법을 설명하기 위한 도면들이다. 14 is a flowchart for describing a method of manufacturing the optical device module illustrated in FIG. 4, and FIGS. 15A to 15D are views for explaining a method of manufacturing the optical device module of FIG. 14.
도 14를 참조하면, 도 4에 도시된 광소자 모듈(400)의 일 제조 방법은 광소자 패키지 준비 단계(S1), 모듈 기판 준비 단계(S22) 및 광소자 패키지 결합 단계(S3)를 포함한다. 상기 광소자 패키지 준비 단계(S1)와 광소자 패키지 결합 단계(S3)는 이미 앞에서 설명되었으므로 중복된 설명은 생략하기로 한다. Referring to FIG. 14, one manufacturing method of the optical device module 400 illustrated in FIG. 4 includes an optical device package preparing step S1, a module substrate preparing step S22, and an optical device package combining step S3. . Since the optical device package preparing step S1 and the optical device package combining step S3 have already been described above, a redundant description thereof will be omitted.
도 15a 내지 도 15d를 참조하면, 상기 모듈 기판 준비 단계(S22)는 제 1 모듈 영역(423), 제 1 모듈 영역(423)과 이격되는 제 2 모듈 영역(424), 및 제 1 모듈 영역(423)과 제 2 모듈 영역(424) 사이에 형성되는 제 1 모듈 절연층(425)을 포함하는 모듈 기판(420)을 준비하는 단계이다. 15A to 15D, the module substrate preparation step S22 may include a first module region 423, a second module region 424 spaced apart from the first module region 423, and a first module region ( A step of preparing a module substrate 420 including a first module insulating layer 425 formed between the 423 and the second module region 424.
먼저, 도 15a 및 도 15b에 도시된 바와 같이, 상기 모듈 기판 준비 단계(S22)는 모재(30)를 구비하고 모재(30)의 일면에 아노다이징을 수행한다. First, as shown in FIGS. 15A and 15B, the module substrate preparing step S22 includes a base material 30 and performs anodizing on one surface of the base material 30.
상기 모재(30)는 구리, 구리 합금, 알루미늄, 알루미늄 합금 중에서 선택된 어느 하나로 이루어지며, 적어도 일면에 반복적인 홈(30a)을 구비한다. 상기 홈(30a)은 모재(10)의 길이 방향을 따라 형성하며, 일정 간격으로 이격되어 복수개가 형성된다. 상기 모재(30)를 이루는 면 중에서 홈(30a)이 구비된 면에 아노다이징이 수행되면, 모재(30)의 면의 형상을 따라 일정한 두께로 산화가 발생하여 아노다이징층(31)이 형성된다. 한편, 아노다이징층(31)의 형성 이후, 아노다이징층(31)의 내부에 존재하는 미세 크기의 기공을 BCB(Benzocyclobuten) 및 절연 유기물 중에서 선택된 어느 하나 또는 그 조합을 이용하여 채우거나 상기 기공의 미세 기공의 입구를 막아주는 봉공 공정 또는 경화 공정이 더 수행될 수 있다.The base material 30 is made of any one selected from copper, a copper alloy, aluminum, and an aluminum alloy, and has at least one surface of the groove 30a. The groove 30a is formed along the longitudinal direction of the base material 10, and a plurality of grooves 30a are spaced apart at regular intervals. When anodizing is performed on the surface of the base material 30 provided with the groove 30a, oxidation occurs to a predetermined thickness along the shape of the surface of the base material 30 to form the anodizing layer 31. On the other hand, after the formation of the anodizing layer 31, the pores of the fine size present in the interior of the anodizing layer 31 is filled using any one or a combination thereof selected from BCB (Benzocyclobuten) and the insulating organic material or the fine pores of the pores Sealing process or curing process to block the inlet of may be further performed.
그리고, 도 15c에 도시된 바와 같이, 상기 모듈 기판 준비 단계(S22)는 한 쌍의 모재(30)의 사이에 부재(40)를 위치시켜서 모재(30)와 부재(40)를 결합한다. 상기 모재(30)는 아노다이징층(31) 간에 맞닿도록 결합되며, 부재(40)는 아노다이징층(31)의 맞물린 형상에 대응하여 원통형으로 형성된다. 또한, 상기 부재(40)는 구리, 구리 합금, 알루미늄 및 알루미늄 합금 중에서 선택된 어느 하나의 재질로 형성되며, 모재(30)의 아노다이징층(31)과 정합된다. 이때, 상기 모재(30)와 부재(40)간의 접합력을 높이기 위해 접한 사이에는 접착제가 사용될 수 있다. 또한, 별도로 도시하지는 않았지만, 상기 모재(30)와 부재(40) 사이의 접합력을 증가시키기 위해 샌드 블라스팅 등의 공정을 통해 부재(40)에 거칠기를 형성하는 공정이 더 이루어질 수도 있다.As shown in FIG. 15C, the module substrate preparing step S22 couples the base material 30 and the member 40 by placing the member 40 between the pair of base materials 30. The base material 30 is coupled to abut between the anodizing layer 31, the member 40 is formed in a cylindrical shape corresponding to the meshed shape of the anodizing layer 31. In addition, the member 40 is formed of any one material selected from copper, a copper alloy, aluminum, and an aluminum alloy, and is matched with the anodizing layer 31 of the base material 30. In this case, an adhesive may be used between the base material 30 and the member 40 in contact with each other to increase the bonding force. In addition, although not separately illustrated, a process of forming a roughness on the member 40 through sand blasting or the like may be further performed to increase the bonding force between the base material 30 and the member 40.
그리고, 도 15d에 도시된 바와 같이, 상기 모듈 기판 준비 단계(S22)는 결합된 상태의 모재(30) 및 부재(40)를 소잉하여 개별적인 모듈 기판(420)을 형성한다. In addition, as shown in FIG. 15D, the module substrate preparing step (S22) forms an individual module substrate 420 by sawing the base material 30 and the member 40 in a coupled state.
상기 모재(30) 및 부재(40)는 일정한 크기를 갖도록 소잉된다. 이러한 소잉에 의해 형성된 모듈 기판(도 4의 420)에는 부재(40)에 대응되는 제 1 모듈 영역(423), 모재(30)에 대응되는 제 2 모듈 영역(424), 모재(30)의 아노다이징층(31)에 대응되는 제 1 모듈 절연층(425)이 형성된다. 상기 제 1 모듈 영역(423) 및 제 2 모듈 영역(424)은 제 1 모듈 절연층(425)에 의해 이격되어 있으며, 전기적으로도 독립된다.The base material 30 and the member 40 are sawed to have a constant size. An anodizing of the first module region 423 corresponding to the member 40, the second module region 424 corresponding to the base material 30, and the base material 30 is formed on the module substrate 420 of FIG. 4 formed by the sawing. The first module insulating layer 425 corresponding to the layer 31 is formed. The first module region 423 and the second module region 424 are spaced apart by the first module insulating layer 425 and are electrically independent.
이하에서는 본 발명의 실시예에 따른 광소자 모듈의 제조 방법에 대해 도 4에 도시된 광소자 모듈의 다른 제조 방법을 예로 들어 설명하기로 한다. Hereinafter, another manufacturing method of the optical device module illustrated in FIG. 4 will be described as an example of the manufacturing method of the optical device module according to an exemplary embodiment of the present invention.
도 16은 도 4에 도시된 광소자 모듈의 다른 제조 방법을 설명하기 위한 플로우챠트이고, 도 17a 내지 도 17e는 도 16의 광소자 모듈의 다른 제조 방법을 설명하기 위한 도면들이다.16 is a flowchart for describing another method of manufacturing the optical device module illustrated in FIG. 4, and FIGS. 17A to 17E are views for explaining another method of manufacturing the optical device module of FIG. 16.
도 16을 참조하면, 도 4에 도시된 광소자 모듈(400)의 다른 제조 방법은 광소자 패키지 준비 단계(S1), 모듈 기판 준비 단계(S32) 및 광소자 패키지 결합 단계(S3)를 포함한다. 상기 광소자 패키지 준비 단계(S1)와 광소자 패키지 결합 단계(S3)는 이미 앞에서 설명되었으므로 중복된 설명은 생략하기로 한다. Referring to FIG. 16, another manufacturing method of the optical device module 400 illustrated in FIG. 4 includes an optical device package preparing step S1, a module substrate preparing step S32, and an optical device package combining step S3. . Since the optical device package preparing step S1 and the optical device package combining step S3 have already been described above, a redundant description thereof will be omitted.
도 17a 내지 도 17e를 참조하면, 상기 모듈 기판 준비 단계(S32)는 제 1 모듈 영역(423), 제 1 모듈 영역(423)과 이격되는 제 2 모듈 영역(424), 및 제 1 모듈 영역(423)과 제 2 모듈 영역(424) 사이에 형성되는 제 1 모듈 절연층(425)을 포함하는 모듈 기판(420)을 준비하는 단계이다. 17A to 17E, the module substrate preparing step S32 may include a first module region 423, a second module region 424 spaced apart from the first module region 423, and a first module region ( A step of preparing a module substrate 420 including a first module insulating layer 425 formed between the 423 and the second module region 424.
먼저, 도 17a 및 도 17b에 도시된 바와 같이, 상기 모듈 기판 준비 단계(S32)는 일면으로부터 대응되는 반대면에 이르기까지 적어도 하나의 관통홀(50a)이 형성된 구리, 구리 합금, 알루미늄 및 알루미늄 합금 중에서 선택된 어느 하나로 이루어진 모재(50)를 구비하고, 관통홀(50a)의 내부를 아노다이징하는 상기 아노다이징은 상기 관통홀(50a)의 형상을 따라 일정한 두께로 산화가 발생하여 이루어지고, 그 결과 아노다이징층(51)이 형성된다. 한편, 상기 아노다이징 이후에는 아노다이징층(51)의 내부에 존재하는 미세 크기의 기공을 BCB(Benzocyclobuten) 및 절연 유기물 중에서 선택된 어느 하나 또는 그 조합을 이용하여 채우거나 상기 기공의 미세 기공의 입구를 막아주는 봉공 공정 또는 경화 공정이 더 수행될 수 있다.First, as illustrated in FIGS. 17A and 17B, the module substrate preparing step S32 may include copper, a copper alloy, aluminum, and an aluminum alloy in which at least one through hole 50a is formed from one surface to a corresponding opposite surface. The anodizing device having the base material 50 formed of any one selected from among the anodizing and anodizing the inside of the through hole 50a is formed by oxidizing to a predetermined thickness along the shape of the through hole 50a, and as a result, the anodizing layer 51 is formed. On the other hand, after the anodizing to fill the pores of the fine size present in the interior of the anodizing layer 51 using any one or a combination thereof selected from BCB (Benzocyclobuten) and insulating organic material or to block the inlet of the pores of the pores A sealing process or a curing process may be further performed.
그리고, 도 17c에 도시된 바와 같이, 상기 모듈 기판 준비 단계(S32)는 아노다이징층(51)의 내부에 수축된 부재(60')를 결합한다. 여기서, 상기 수축된 부재(60')는 구리, 구리 합금, 알루미늄 및 알루미늄 합금 중에서 선택된 어느 하나로 이루어지며, 극저온의 환경에 노출되어 부피가 수축된 상태에서 상기 아노다이징층(51)의 내부에 결합된다. 이때, 상기 수축된 부재(60')의 직경은 상기 아노다이징층(51)의 내부 직경에 비해 작게 형성되어, 상기 수축된 부재(60')는 상기 아노다이징층(51)의 내부에 용이하게 위치할 수 있다.As shown in FIG. 17C, the module substrate preparing step (S32) couples the contracted member 60 ′ to the inside of the anodizing layer 51. Here, the contracted member 60 'is made of any one selected from copper, a copper alloy, aluminum, and an aluminum alloy, and is bonded to the inside of the anodizing layer 51 in a state in which the volume is contracted by being exposed to a cryogenic environment. . In this case, the diameter of the contracted member 60 'is smaller than the inner diameter of the anodizing layer 51, so that the contracted member 60' is easily located inside the anodizing layer 51. Can be.
그리고, 도 17d에 도시된 바와 같이, 상기 모듈 기판 준비 단계(S32)는 모재(50) 및 수축된 부재(60')가 결합된 상태로 온도를 높인다. 상기 승온은 가열을 통해 온도를 높일 수도 있고, 별도의 가열없이 상온에 방치함으로써 이루어질 수도 있다. 그리고 상기 승온에서 수축된 부재(60')는 부피가 팽창하여, 모재(50)의 아노다이징층(51) 내부를 채우게 된다. 그 결과, 부재(60)가 아노다이징층(51)의 내부에 별도의 접착제 없이도 단단하게 고정될 수 있다.In addition, as shown in FIG. 17D, the module substrate preparing step S32 increases the temperature in a state in which the base material 50 and the contracted member 60 ′ are coupled to each other. The elevated temperature may be increased by heating, or may be made by standing at room temperature without additional heating. The member 60 ′ contracted at the elevated temperature expands in volume to fill the inside of the anodizing layer 51 of the base material 50. As a result, the member 60 can be firmly fixed to the inside of the anodizing layer 51 without a separate adhesive.
그리고, 도 17e에 도시된 바와 같이, 상기 모듈 기판 준비 단계(S32)는 결합된 상태의 모재(50) 및 부재(60)를 절단하여 개별적인 모듈 기판(도 4의 420)을 형성한다. 그리고 이에 따라 형성된 기판(420)에는 부재(60)에 대응되는 제 1 모듈 영역(423), 모재(50)에 대응되는 제 2 모듈 영역(424), 모재(50)의 아노다이징층(51)에 대응되는 제 1 모듈 절연층(425)이 형성된다. 상기 제 1 모듈 영역(423) 및 제 2 모듈 영역(424)은 제 1 모듈 절연층(425)에 의해 이격되어 있으며, 전기적으로도 독립된다.In addition, as shown in FIG. 17E, the module substrate preparing step S32 cuts the base material 50 and the member 60 in a coupled state to form individual module substrates (420 of FIG. 4). In addition, the substrate 420 formed according to the first module region 423 corresponding to the member 60, the second module region 424 corresponding to the base material 50, and the anodizing layer 51 of the base material 50 are formed on the substrate 420. The corresponding first module insulating layer 425 is formed. The first module region 423 and the second module region 424 are spaced apart by the first module insulating layer 425 and are electrically independent.
이상에서 설명한 것은 본 발명에 의한 광소자 디바이스 및 그 제조 방법을 실시하기 위한 하나의 실시예에 불과한 것으로서, 본 발명은 상기한 실시예에 한정되지 않고, 이하의 특허청구범위에서 청구하는 바와 같이 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변경 실시가 가능한 범위까지 본 발명의 기술적 정신이 있다고 할 것이다.What has been described above is just one embodiment for carrying out the optical device according to the present invention and a method of manufacturing the same, and the present invention is not limited to the above-described embodiment, as claimed in the following claims. Without departing from the gist of the invention, anyone of ordinary skill in the art to which the present invention will have the technical spirit of the present invention to the extent that various modifications can be made.
본 발명의 실시예에 따른 광소자 모듈 및 그 제조 방법은 모듈 기판에 적어도 하나의 광소자 패키지를 배치하여 원하는 회로 구조로 발광 소자를 구현할 수 있다.An optical device module and a method of manufacturing the same according to an embodiment of the present invention may implement a light emitting device having a desired circuit structure by disposing at least one optical device package on a module substrate.
또한, 본 발명의 실시예에 따른 광소자 모듈 및 그 제조 방법은 모듈 기판을 전도성을 가지며 방열성을 가지는 금속 재질로 형성하여 광소자 패키지에서 발생한 열을 외부로 용이하게 방출시킬 수 있다. In addition, the optical device module and the manufacturing method according to an embodiment of the present invention can be easily discharged heat generated in the optical device package to the outside by forming a module substrate of a conductive and heat-resistant metal material.

Claims (24)

  1. 제 1 광소자 영역, 상기 제 1 광소자 영역과 이격되는 제 2 광소자 영역, 및 상기 제 1 모듈 영역과 상기 제 2 모듈 영역 사이에 형성되는 광소자 절연층을 포함하는 광소자 기판과, 상기 광소자 기판의 상부에 형성되는 광소자를 포함하는 적어도 하나의 광소자 패키지; 및An optical device substrate comprising a first optical device region, a second optical device region spaced apart from the first optical device region, and an optical device insulating layer formed between the first module region and the second module region; At least one optical device package including an optical device formed on the optical device substrate; And
    상기 광소자 패키지의 하부에 형성되며, 제 1 모듈 영역, 상기 제 1 모듈 영역과 이격되는 제 2 모듈 영역, 및 상기 제 1 모듈 영역과 제 2 모듈 영역 사이에 형성되는 제 1 모듈 절연층을 포함하는 모듈 기판을 구비하며,A lower portion of the optical device package and including a first module region, a second module region spaced apart from the first module region, and a first module insulating layer formed between the first module region and the second module region. Has a module substrate,
    상기 제 1 모듈 영역 및 제 2 모듈 영역 각각은 상기 제 1 광소자 영역 및 제 2 광소자 영역 각각에 전기적으로 접속하며, 금속 재질로 형성되는 것을 특징으로 하는 광소자 모듈.Each of the first module region and the second module region is electrically connected to each of the first optical element region and the second optical element region, and is formed of a metal material.
  2. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1,
    상기 모듈 기판은 상기 제 1 모듈 영역 및 제 2 모듈 영역의 하면에 접촉되게 형성되는 제 2 모듈 절연층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광소자 모듈.The module substrate further includes a second module insulating layer formed to contact the lower surface of the first module region and the second module region.
  3. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1,
    상기 제 1 모듈 영역과 제 2 모듈 영역은 구리, 구리 합금, 알루미늄 및 알루미늄 합금 중에서 선택된 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 광소자 모듈.The first module region and the second module region is formed of any one selected from copper, copper alloy, aluminum and aluminum alloy.
  4. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1,
    상기 제 1 광소자 영역과 제 2 광소자 영역은 구리, 구리 합금, 알루미늄 및 알루미늄 합금 중에서 선택된 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 광소자 모듈.And the first optical device region and the second optical device region are formed of any one selected from copper, a copper alloy, aluminum, and an aluminum alloy.
  5. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1,
    상기 제 1 모듈 영역과 제 1 광소자 영역 사이, 및 상기 제 2 모듈 영역과 제 2 광소자 영역 사이에 형성되는 솔더층을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 광소자 모듈.And a solder layer formed between the first module region and the first optical element region, and between the second module region and the second optical element region.
  6. 제 5 항에 있어서,The method of claim 5,
    상기 솔더층의 하부에는 무전해 도금법, 전해 도금법, 페이스트법, 스프레이범 및 잉크 프린팅법 중에서 선택된 적어도 어느 하나의 방법으로 형성된 전극층이 더 형성된 것을 특징으로 하는 광소자 모듈.And an electrode layer formed on the lower portion of the solder layer by at least one of electroless plating, electrolytic plating, paste, sprayer and ink printing.
  7. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1,
    상기 광소자는 상기 제 1 광소자 영역의 상부에 결합하며,The optical device is coupled to an upper portion of the first optical device region,
    상기 광소자 패키지는 상기 광소자와 제 2 광소자 영역을 연결하는 도전성 와이어를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광소자 모듈.The optical device package further comprises a conductive wire connecting the optical device and the second optical device region.
  8. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1,
    상기 광소자 패키지가 하나의 상기 제 1 모듈 절연층의 길이 방향을 따라 이격되게 배치되고, 상기 하나의 제 1 모듈 절연층을 가로지르도록 중첩되는 것을 특징으로 하는 광소자 모듈.The optical device package is spaced apart along the longitudinal direction of one of the first module insulating layer, the optical device module, characterized in that overlapping to cross the one first module insulating layer.
  9. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1,
    상기 제 1 모듈 절연층은 상기 제 1 모듈 영역의 측면에 접촉되게 형성되는 제 1 층; 상기 제 2 모듈 영역의 측면에 접촉되게 형성되는 제 2 층; 및 상기 제 1 층과 제 2 층 사이에 형성되는 제 3 층을 포함하며,The first module insulating layer may include a first layer formed to contact the side surface of the first module region; A second layer formed in contact with a side of the second module region; And a third layer formed between the first layer and the second layer,
    상기 모듈 기판은 상기 제 1 층과 제 3 층 사이 및 상기 제 2 층과 제 3 층 사이에 형성되는 제 3 모듈 영역을 포함하고,The module substrate comprises a third module region formed between the first and third layers and between the second and third layers,
    상기 광소자 패키지 각각이 상기 제 1 층, 제 2 층 및 제 3 층 각각의 위에 상기 제 1 층, 제 2 층 및 제 3 층 각각을 가로지르도록 중첩되며,Each of the optical device packages overlaps each of the first, second and third layers on top of each of the first, second and third layers,
    상기 제 3 모듈 영역에, 인접한 상기 광소자 패키지의 제 1 광소자 영역과 제 2 광소자 영역이 함께 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 광소자 모듈.And the first optical device region and the second optical device region of the optical device package adjacent to the third module region are electrically connected together.
  10. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1,
    상기 제 1 모듈 절연층은 상기 제 1 모듈 영역의 측면에 접촉되게 형성되는 제 1 층; 및 상기 제 2 모듈 영역의 측면에 접촉되게 형성되는 제 2 층을 포함하며,The first module insulating layer may include a first layer formed to contact the side surface of the first module region; And a second layer formed in contact with a side of the second module region,
    상기 모듈 기판은 상기 제 1 층과 제 2 층 사이에 형성되는 제 3 모듈 영역을 포함하고,The module substrate comprises a third module region formed between the first and second layers,
    상기 광소자 패키지가 상기 제 1 층 및 제 2 층의 길이 방향을 따라 이격되게 배치되고 상기 제 1 층 및 제 2 층 위에 상기 제 1 층 및 제 2 층 각각을 가르지르도록 중첩되며,The photonic device package is spaced apart along the length direction of the first and second layers and overlaps the first and second layers over each of the first and second layers,
    상기 제 3 모듈 기판에, 상기 제 1 층 위에 중첩되는 광소자 패키지의 제 2 광소자 영역과 상기 제 2 층 위에 중첩되는 광소자 패키지의 제 1 광소자 영역이 함께 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 광소자 모듈.A second optical device region of the optical device package overlapping the first layer and a first optical device region of the optical device package overlapping the second layer are electrically connected to the third module substrate. Optical element module.
  11. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1,
    상기 모듈 기판은 상기 제 2 모듈 영역이 상기 제 1 모듈 영역을 감싸도록 형성되는 것을 특징으로 하는 광소자 모듈.And the module substrate is formed such that the second module region surrounds the first module region.
  12. 제 11 항에 있어서,The method of claim 11,
    상기 광소자 패키지는 상기 광소자가 상기 제 1 모듈 영역 위에 대응되도록 상기 모듈 기판에 배치되는 것을 특징으로 하는 광소자 모듈.And the optical device package is disposed on the module substrate such that the optical device corresponds to the first module area.
  13. 제 12 항에 있어서,The method of claim 12,
    상기 제 1 모듈 영역이 상기 제 2 모듈 영역보다 높은 열전도도를 가지는 금속 재질로 형성되는 것을 특징으로 하는 광소자 모듈.And the first module region is formed of a metal material having a higher thermal conductivity than the second module region.
  14. 제 12 항에 있어서,The method of claim 12,
    상기 제 1 모듈 영역과 제 2 모듈 영역은 동일한 금속 재질로 형성되며,The first module region and the second module region are formed of the same metal material,
    상기 제 1 모듈 영역의 면적이 상기 제 2 모듈 영역의 면적보다 큰 것을 특징으로 하는 광소자 모듈.And an area of the first module region is larger than an area of the second module region.
  15. 제 11 항에 있어서,The method of claim 11,
    상기 광소자 패키지는 상기 광소자가 상기 제 2 모듈 영역 위에 대응되도록 상기 모듈 기판에 배치되는 것을 특징으로 하는 광소자 모듈.And the optical device package is disposed on the module substrate so that the optical device corresponds to the second module area.
  16. 제 15 항에 있어서,The method of claim 15,
    상기 제 2 모듈 영역이 상기 제 1 모듈 영역보다 높은 열전도도를 가지는 금속 재질로 형성되는 것을 특징으로 하는 광소자 모듈.And the second module region is formed of a metal material having a higher thermal conductivity than the first module region.
  17. 제 15 항에 있어서,The method of claim 15,
    상기 제 1 모듈 영역과 제 2 모듈 영역은 동일한 금속 재질로 형성되며,The first module region and the second module region are formed of the same metal material,
    상기 제 2 모듈 영역의 면적이 상기 제 1 모듈 영역의 면적보다 큰 것을 특징으로 하는 광소자 모듈.And an area of the second module area is larger than that of the first module area.
  18. 제 1 광소자 영역, 상기 제 1 광소자 영역과 이격되는 제 2 광소자 영역, 및 상기 제 1 광소자 영역과 상기 제 2 광소자 영역 사이에 개재되는 제 1 광소자 절연층을 포함하는 광소자 기판과, 상기 광소자 기판의 상부에 형성되는 광소자를 포함하는 적어도 하나의 광소자 패키지를 준비하는 광소자 패키지 준비 단계;An optical device including a first optical device region, a second optical device region spaced apart from the first optical device region, and a first optical device insulating layer interposed between the first optical device region and the second optical device region An optical device package preparing step of preparing at least one optical device package including a substrate and an optical device formed on the optical device substrate;
    제 1 모듈 영역, 상기 제 1 모듈 영역과 이격되는 제 2 모듈 영역, 및 상기 제 1 모듈 영역과 상기 제 2 모듈 영역 사이에 형성되는 제 1 모듈 절연층을 포함하는 모듈 기판을 준비하는 모듈 기판 준비 단계; 및Preparing a module substrate comprising a first module region, a second module region spaced apart from the first module region, and a first module insulating layer formed between the first module region and the second module region. step; And
    상기 모듈 기판의 상부에 상기 광소자 패키지를 결합시키는 광소자 패키지 결합 단계를 포함하고,An optical device package coupling step of coupling the optical device package to an upper portion of the module substrate,
    상기 광소자 패키지 결합 단계는 상기 제 1 모듈 영역 및 상기 제 2 모듈 영역 각각을 상기 제 1 광소자 영역 및 상기 제 2 광소자 영역 각각에 전기적으로 접속시키며,  The coupling of the optical device package electrically connects each of the first module area and the second module area to each of the first optical device area and the second optical device area,
    상기 제 1 모듈 영역 및 상기 제 2 모듈 영역 각각은 금속 재질로 형성되는 것을 특징으로 하는 광소자 모듈의 제조 방법.And each of the first module region and the second module region is formed of a metal material.
  19. 제 18 항에 있어서,The method of claim 18,
    상기 모듈 기판 준비 단계는The module substrate preparation step
    금속 플레이트의 상면 및 하면을 감싸도록 패턴층을 형성하는 과정;Forming a pattern layer to surround the top and bottom surfaces of the metal plate;
    상기 패턴층의 외부로 노출된 영역을 아노다이징하여 상기 금속 플레이트에 상기 제 1 모듈 영역, 제 2 모듈 영역 및 제 1 모듈 절연층을 형성하여 상기 제 1 모듈 기판을 형성하는 과정; 및Anodizing a region exposed to the outside of the pattern layer to form the first module substrate, the second module region, and the first module insulating layer on the metal plate to form the first module substrate; And
    상기 패턴층을 제거하여 상기 모듈 기판을 노출하는 과정을 포함하는 것을 특징으로 하는 광소자 모듈의 제조 방법.And removing the pattern layer to expose the module substrate.
  20. 제 19 항에 있어서,The method of claim 19,
    상기 모듈 기판 준비 단계는The module substrate preparation step
    상기 제 1 모듈 절연층 형성 후, 상기 패턴층 중 상기 금속 플레이트의 하부에 위치하는 부분을 제거하고 상기 패턴층의 외부로 노출된 영역을 아노다이징하여 상기 제 1 모듈 영역 및 상기 제 2 모듈 영역의 하면에 접촉하는 제 2 모듈 절연층을 더 형성하는 것을 특징으로 하는 광소자 모듈의 제조 방법.After forming the first module insulating layer, a portion of the pattern layer positioned below the metal plate is removed and anodized a region exposed to the outside of the pattern layer to form a lower surface of the first module region and the second module region. And forming a second module insulating layer in contact with the optical device module.
  21. 제 18 항에 있어서,The method of claim 18,
    상기 모듈 기판 준비 단계는The module substrate preparation step
    복수의 금속 플레이트를 준비하고, 상기 금속 플레이트의 경계면에 접착 부재를 형성하는 과정;Preparing a plurality of metal plates and forming an adhesive member on an interface of the metal plates;
    상기 접착 부재를 통해 상기 금속 플레이트를 상호간에 적층하는 과정; 및Laminating the metal plates to each other through the adhesive member; And
    상기 금속 플레이트를 상기 경계면에 수직한 방향으로 소잉하여, 상기 금속 플레이트에 상기 제 1 모듈 영역, 제 2 모듈 영역 및 제 1 모듈 절연층을 형성하여 상기 모듈 기판을 형성하는 과정을 포함하는 것을 특징으로 하는 광소자 모듈의 제조 방법.Sawing the metal plate in a direction perpendicular to the boundary surface to form the first substrate region, the second module region, and the first module insulating layer on the metal plate to form the module substrate. Method for producing an optical device module.
  22. 제 21 항에 있어서,The method of claim 21,
    상기 모듈 기판을 준비 단계는Preparing the module substrate
    상기 모듈 기판의 상부에 패턴층을 형성하고 상기 패턴층의 외부로 노출된 영역을 아노다이징하여 상기 제 1 모듈 영역 및 상기 제 2 모듈 영역의 하면에 접촉하는 제 2 모듈 절연층을 더 형성하는 것을 특징으로 하는 광소자 모듈의 제조 방법.Forming a pattern layer on the module substrate and anodizing a region exposed to the outside of the pattern layer to further form a second module insulating layer in contact with the lower surface of the first module region and the second module region. A manufacturing method of an optical device module.
  23. 제 18 항에 있어서,The method of claim 18,
    상기 모듈 기판 준비 단계는The module substrate preparation step
    모재의 면 중에서 적어도 하나에 길이 방향을 따라 형성된 복수의 홈을 아노다이징(anodizing)하는 과정;Anodizing a plurality of grooves formed in at least one of the surfaces of the base material along a length direction;
    상기 홈이 서로 맞물리도록 복수의 상기 모재를 위치하되, 상기 홈의 내부에 부재를 위치시켜 상기 모재와 부재를 결합하는 과정; 및Positioning a plurality of the base materials so that the grooves engage with each other, and coupling the base material and the members by positioning the members inside the grooves; And
    결합된 상기 모재 및 부재를 상기 모재의 적층 방향으로 절단하여 각각의 모듈 기판을 분리하는 과정을 포함하는 것을 특징으로 하는 광소자 모듈의 제조 방법.And cutting the bonded base material and the member in the stacking direction of the base material to separate each module substrate.
  24. 제 18 항에 있어서,The method of claim 18,
    상기 모듈 기판 준비 단계는The module substrate preparation step
    모재의 일면으로부터 대응되는 반대면을 관통하는 관통홀의 내부를 아노다이징하는 과정;Anodizing the inside of the through hole penetrating the corresponding opposite surface from one surface of the base material;
    상온보다 낮은 온도의 환경에 노출되어 부피가 수축된 부재를 상기 관통홀의 내부에 위치시켜 상기 모재와 부재를 결합하는 과정;Combining the base material and the member by placing the member whose volume is contracted by being exposed to an environment of a temperature lower than room temperature in the through hole;
    결합된 상기 모재 및 부재를 승온하여 상기 부재가 상기 관통홀의 내부를 채우도록 하는 과정; 및Heating the combined base material and the member to fill the inside of the through hole; And
    결합된 상기 모재 및 부재를 상기 모재의 적층 방향으로 절단하여 각각의 모듈 기판을 분리하는 과정을 포함하는 것을 특징으로 하는 광소자 모듈의 제조 방법.And cutting the bonded base material and the member in the stacking direction of the base material to separate each module substrate.
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