WO2011117161A3 - Capteur de lumière à structure semi-conductrice photosensible - Google Patents

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WO2011117161A3
WO2011117161A3 PCT/EP2011/054173 EP2011054173W WO2011117161A3 WO 2011117161 A3 WO2011117161 A3 WO 2011117161A3 EP 2011054173 W EP2011054173 W EP 2011054173W WO 2011117161 A3 WO2011117161 A3 WO 2011117161A3
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Michael Franke
Lars Lehmann
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Iee International Electronics & Engineering S.A.
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Abstract

L'invention concerne un capteur de lumière comportant une structure semi-conductrice photosensible comprenant un substrat semi-conducteur modérément à hautement dopé et une couche semi-conductrice épitaxique qui est appliquée sur celui-ci et présente un dopage plus faible du même type que celui du substrat. Un nœud de collecte sous la forme d'une zone à dopage élevé de nouveau du même type est disposé sur le côté de la couche épitaxique opposé au substrat de telle manière que soit formé, par application d'une tension entre le nœud de collecte et le substrat, un champ électrique s'étendant à travers la couche épitaxique, lequel attire sur le nœud de collecte des porteurs de charge minoritaires générés par la lumière incidente sur la couche épitaxique.
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