WO2011023641A2 - Strahlungsemittierende vorrichtung und verfahren zur herstellung einer strahlungsemittierenden vorrichtung - Google Patents

Strahlungsemittierende vorrichtung und verfahren zur herstellung einer strahlungsemittierenden vorrichtung Download PDF

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WO2011023641A2
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radiation
emitting device
potting material
additive
lead frame
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Osram Opto Semiconductors GmbH
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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/852—Encapsulations
    • H10H20/854—Encapsulations characterised by their material, e.g. epoxy or silicone resins

Definitions

  • a radiation-emitting device according to claim 1 is specified.
  • Radiation-emitting device are attacked by corrosion and restricted in their functioning. The components can even be damaged by the corrosion
  • Corrosion is generally understood to mean the reaction of a material with its environment, which is a measurable one
  • corrosion refers to the chemical reaction or electrochemical reaction of a material with materials from its environment, with a measurable change in the material.
  • a nobler metal comes into contact with a less noble metal, a local element is created at the contact point Corrosion of the less noble metal can lead. This can lead to the oxidation of the less noble metal, which is the
  • Formation of metal ions result, which can go into solution or migrate into an adjacent substance.
  • atmospheric moisture or reactive gases from the air / atmosphere surrounding the device penetrate into the interior of the device and lead here to the corrosion of, for example, metallic components of the device.
  • Radiation-emitting device can penetrate.
  • the electrochemical potential is the chemical potential of an ion or other charge carriers, such as electrons, in an electrical potential. Potential difference is the ability of a system
  • the object of reducing the corrosion is achieved by a radiation-emitting device according to claim 1. Further embodiments of the radiation-emitting device are the subject of further dependent
  • Conductor frame electrically conductively connects to the radiation source
  • Radiation source is arranged,
  • the potting material comprising an additive capable of absorbing H + ions or neutralizing them by release of OH ⁇ ions.
  • H + ions which penetrate from the outside into the component or are formed by a reaction in the component, contribute to the corrosion.
  • electrons are taken up by the H + ions from the nobler metal of the local element, whereby H 2 forms. These electrons are derived from the less noble metal of the
  • the additive can be distributed in the potting material
  • the additive can deliberately prevent a partial reaction which contributes to corrosion or to chemical reactions which can lead to corrosion.
  • the additive may, for example, in powder form the
  • Casting material can be added. Such a powder could then additionally assume the function of a diffuser and contribute to the homogenization of the radiation characteristic.
  • the additive should also meet one or more of the following criteria:
  • Temperature stability against the heat emitted by the radiation source e.g., UV radiation
  • chemical compatibility with the potting material e.g., UV radiation
  • the electrons can be done for example by electron transport.
  • the electrons flow from the less noble metal to the nobler metal.
  • electrons are transferred from copper to gold.
  • the corrosion occurring in a device has a velocity which is related to the magnitude of the current flowing through these devices.
  • the current in turn is due to the reaction rate of
  • the lead frame is in direct contact with the potting material.
  • the potting material comprises a silicone.
  • silicone has better stability against the emitted radiation compared to epoxide. But it is also the use of hybrid material, ie materials which consist of silicone and epoxy materials conceivable.
  • the pH is in the
  • Component of the device have been delivered or were taken from the environment or by a reaction in the
  • Casting material are formed, neutralized.
  • this neutralization for example, the partial reaction of corrosion can be prevented, in which the H + ions absorb electrons from the nobler metal.
  • the pH of the potting material is in the range of 8 to 13. More preferably, the pH of the potting material is in the range of 8 to 11.
  • the potting material In this pH range, the potting material is well able to neutralize free H + ions.
  • the potting material itself is not so strong that it is alkaline
  • the additive comprises a
  • the metal hydroxide may, for example, be Al (OH) 3.
  • the metal hydroxides can be added to the potting material in powder form, for example.
  • the additive comprises a zeolite.
  • the primary building blocks of zeolites are AlC ⁇ tetrahedra or SiO 4 tetrahedra, which share common oxygen ions
  • a three-dimensional crystalline framework is created which, depending on the zeolite, differs from regular pore and cavity systems. Licher size, arrangement and architecture is pervaded.
  • the resulting zeolite framework contains a negative charge which must be compensated for by a positive counter charge. This can be done, for example, by storing cations in the pores and cavities of the zeolite.
  • Cavities of the zeolite are present. These can then be replaced by an ion exchange by other ions, such as an H + ion, and so in one embodiment of the invention as H + -aufmonyder additive in
  • Casting material can be used. Synthetic zeolites, for example, from strongly alkaline, aqueous
  • zeolites are the following compounds:
  • Zeolites also have a high radiation stability and are also chemically inert.
  • the additive comprises a metal hydride.
  • the metal hydrides are lattices which are formed of metals and which have a large internal
  • Hydrogen can be in the
  • Interstitial sites are stored, for example via physisorption.
  • the hydrogen is not installed on lattice sites.
  • Such metal mesh will be
  • the additive comprises an ion exchanger.
  • the ion exchanger may, for example, be a zeolite as described above. But there are also other ion exchangers, which are not zeolites, conceivable. For example, resin ion exchangers with active groups can be used. Depending on the type of ion exchanger, a distinction is made between cation exchangers and anion exchangers. In the case of a cation exchanger as H + -aufmonyden
  • the active group is an anionic group, such as a sulfonic acid group or a
  • the counterion to this anionic group which may be, for example, an Na + ion, may be in
  • Ion exchange process are replaced by an H + ion.
  • the additive is present in a proportion of 0.05 to 2% by weight in the casting material.
  • a suitable amount of additives also depends on the appropriate choice of
  • the leadframe comprises a metal Me.
  • the entire lead frame may be made of the metal Me, or even only the electrically conductive
  • Me is Cu.
  • Cu is a metal that lends itself very well to lead frames or the electrically conductive structures on the lead frame. Cu has a good stability and a high degree of electrical conductivity. Furthermore, Cu
  • the radiation source is an LED.
  • the LED comprises a semiconductor which forms a diode.
  • LEDs are often called III / V semiconductors, i. they are composed of elements of the 3rd and 5th group of the periodic table. Furthermore, the LED includes an anode, which itself
  • the anode can be electrically conductively connected via a bond wire to the lead frame on which the LED can be arranged.
  • the radiation source is an OLED.
  • charge carriers first migrate through holes or electron-transporting layers before they meet in the emitting layer. In this, the electrons recombine with the holes, causing
  • Phosphors which are in the emitting layer to excite radiation.
  • this comprises a cathode and an anode.
  • the anode at the same current to a greater current density than the cathode.
  • the current density is a function of the current and the surface involved. For example, indicate the anode and the cathode or the metal surfaces where cathodic or anodic
  • Defective which has only a very small size.
  • the contact which runs through the potting material, with almost its entire surface in contact with the potting material. This surface difference, which can result in very high current densities in very small areas, may be responsible for locally very high levels
  • the absorption of the H + ions reduces the corrosion in the component.
  • the uptake of the H + ions can be carried out by the additive.
  • the absorption of the H + ions controls the pH in the potting material.
  • the pH in the potting material By taking up the H + ions, which can be done by the additive, the pH in the potting material to a
  • desired value can be set. This refers both to the pH present in the potting material when it is applied in or on the device, that is to say in a state in which no chemical reactions still take place. It also refers to the pH value that is sought when chemical reactions occur throughout Lifetime of the radiation-emitting device in the
  • lowering the H + ion concentration reduces the following reaction: 2H + + 2e - ⁇ H 2 (Reaction 1).
  • the reduction of Reaction 1 reduces the following reaction: Me ⁇ Me m + + me ⁇ (Reaction 2).
  • reaction 1 Due to the trapping of the H + ions by the additive, the electrons in reaction 1 lack the reaction partners, so that this reaction can only proceed with difficulty. Because no electrons are "consumed” in reaction 1, the reaction 2, in which new electrons are made available, is reduced because there are no consumers available for them. By reducing reaction 2, the transition from Me to Me m + , that is, the solution of metal ions from which the lead frame is made,
  • this includes the
  • Potting material (4) wherein the potting material (4) comprises an additive (5) which is able to take up H + ions, or these by the release of OH ⁇ ions to
  • an additive may be used, as described for example in the embodiments previously in connection with the device.
  • FIG. 1 shows a schematic cross section through an embodiment according to the invention
  • FIGS. 2a and 2b each show a further one
  • FIG. 1 schematic cross section, which comprises a housing.
  • Figures 3a and 3b each show a section of a
  • FIG. 1 shows a schematic cross section of a
  • Embodiment comprising a lead frame 1.
  • a radiation source 3 is arranged, which is electrically conductively connected with its underside with a first portion of the lead frame 1.
  • the top side of the radiation source 3 is connected via a contact 2
  • Lead frame 1 connected, which compared to the first
  • Part area is electrically isolated.
  • the contact 2 and the lead frame 1 in this case form a contact region 6.
  • Both the radiation source 3 and the contact 2 are surrounded by a potting material 4, whereby these two components are encapsulated.
  • the potting material 4 in this case comprises the additive 5.
  • the lead frame 1 may comprise, for example, Cu, the
  • Contact 2 for example Au.
  • a radiation source 3 for example, an LED can be used.
  • Potting material 4 may include, for example, a silicone.
  • the leadframe 1 and the contact 2 are made of different materials or of materials which have a different electrochemical potential, there is a potential difference between the contact 2 and the leadframe 1 in the contact region 6.
  • Humidity it can contribute to the formation of a
  • FIG. 2a shows a schematic cross-section of another embodiment of the radiation-emitting device.
  • Embodiment also a lead frame 1, a
  • Contact 2 connects the upper side of the radiation source 3 in an electrically conductive manner to a partial region of the leadframe 1.
  • the contact 2 and the leadframe 1 form a contact region 6 in the region in which they are connected to one another.
  • the embodiment shown in Figure 2a additionally comprises a housing 7.
  • the cavity of the housing 7, in which the radiation source 3 is arranged, is filled with a potting material 4. This includes the additive 5.
  • FIG. 2b The embodiment illustrated in FIG. 2b as a schematic cross section largely corresponds to that which is shown in FIG. 2a.
  • the embodiment shown in Figure 2b additionally comprises a barrier layer 8.
  • the barrier layer 8 is arranged between the radiation source 3 and the lead frame 1, whereby the latter is masked.
  • the underside of the radiation source 3 is electrically conductively connected via the barrier layer 8 to the lead frame 1.
  • the contact 2 extends from the top of the radiation source 3 now to the surface of the barrier layer 8.
  • the contact region 6 is thus in this embodiment
  • Barrier layer 8 can largely prevent, for example, a dissolution of the leadframe 1, that is to say a release of metal ions from the leadframe into the potting material 4.
  • a barrier may also be used, for example Have pores or voids through which metal ions can migrate.
  • FIG. 3 a shows a section of an embodiment of the radiation-emitting device as a schematic cross-section.
  • the section shows a lead frame 1, on which a barrier layer 8 is applied.
  • the contact 2 is applied, which leads in its extension, not shown, to the radiation source 3.
  • the contact 2 is electrically conductively connected to a portion of the Leiterrahmes 1 via the barrier layer 8.
  • the potting material 4 is applied over the barrier layer 8 and is in the area in which the barrier layer 8
  • the potting material 4 comprises a
  • the barrier layer 8 may be interrupted for example by defects 9 or pores in the material. The flaws, for example, a consequence of a
  • the potting material 4 comprises in this embodiment a silicone.
  • the lead frame 1 made of Cu, the
  • Section, as shown in Figure 3a, can run. Due to the high permeability of silicone, H 2 O and SO 2 from the environment can penetrate into the potting material and react to form 2 H + and SO 3 2 ⁇ , sulphurous acid.
  • the sulfur may also be introduced into the potting material 4 from outside by, for example, H 2 S or other sulfur-containing compounds.
  • the H + ions can now accept electrons at the contact 2, which is made of the noblest of the three metals, whereby they are converted into H 2 .
  • the contact 2 is made of the noblest of the three metals, whereby they are converted into H 2 .
  • Barrier layer 8 is the potting material 4 in direct
  • Potting material 4 can be discharged, whereby electrons are discharged. In the transition from Cu to Cu 2+ two electrons are released, which are forwarded via the barrier layer 8 for contacting 2 due to the potential difference described above.
  • the Cu 2+ ions in the potting material 4 can further react with the S ⁇ 3 2 ⁇ ions to CUSO 3 , which can be deposited on the barrier layer 8.
  • Electrons are formed, prevented or reduced. This means that at the defect 9 thus less or no Cu ions go into solution more. The life of the lead frame 1 is thus improved
  • Potting material 4 can penetrate, and this is in some areas in direct contact with the lead frame 1.

Landscapes

  • Led Device Packages (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

Strahlungsemittierende Vorrichtung, umfassend einen Leiterrahmen (1), eine Strahlungsquelle (3), welche auf dem Leiterrahmen angeordnet ist, eine elektrisch leitende Kontaktierung (2), welche den Leiterrahmen elektrisch leitend mit der Strahlungsquelle verbindet, ein Vergussmaterial (4), welches auf der Oberfläche der Strahlungsquelle angeordnet ist, wobei das Vergussmaterial einen Zusatzstoff (5) umfasst, welcher in der Lage ist H+- Ionen aufzunehmen, oder diese durch Abgabe von OH--Ionen zu neutralisieren.

Description

Beschreibung
Strahlungsemittierende Vorrichtung und Verfahren zur
Herstellung einer Strahlungsemittierenden Vorrichtung
Diese Patentanmeldung beansprucht die Priorität der deutschen Patentanmeldung 10 2009 039 245.9, deren Offenbarungsgehalt hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird.
Es wird eine Strahlungsemittierende Vorrichtung nach dem Anspruch 1 angegeben.
Ein weit verbreitetes Problem von Strahlungsemittierenden Vorrichtungen ist es, dass es zu Ausfällen oder
Beschädigungen durch Korrosion kommen kann. Hierbei können einzelne Bauelemente, welche Bestandteil der
Strahlungsemittierenden Vorrichtung sind, durch Korrosion angegriffen und in ihrer Funktionsfähigkeit eingeschränkt werden. Die Bauteile können sogar durch die Korrosion
gänzlich ihre Funktionsfähigkeit verlieren, was einen Ausfall der gesamten Strahlungsemittierenden Vorrichtung zur Folge haben kann.
Unter Korrosion versteht man im Allgemeinen die Reaktion eines Werkstoffs mit seiner Umgebung, die eine messbare
Veränderung des Werkstoffs bewirkt und zu einer
Beeinträchtigung der Funktion eines Bauteils oder eines
Systems führen kann. In der Chemie bezeichnet Korrosion die chemische Reaktion oder eine elektrochemische Reaktion eines Werkstoffs mit Stoffen aus seiner Umgebung, wobei eine messbare Veränderung am Werkstoff eintritt. Wenn ein edleres Metall mit einem unedleren Metall in Berührung kommt, entsteht an der Kontaktstelle ein Lokalelement, das zur Korrosion des unedleren Metalls führen kann. Hierbei kann es zur Oxidation des unedleren Metalls kommen, was die
Ausbildung von Metallionen zur Folge hat, welche in Lösung gehen können oder in einen angrenzenden Stoff wandern können. So können beispielsweise Luftfeuchtigkeit oder reaktive Gase aus der die Vorrichtung umgebenden Luft/Atmosphäre in das Innere der Vorrichtung eindringen und hier zur Korrosion der beispielsweise metallischen Bauteile der Vorrichtung führen.
Um diesem Problem entgegenzuwirken, wurden bisher
unterschiedliche Ansätze verfolgt. Einer davon basiert darauf, die Vorrichtung an ihrer Strahlungsaustrittsseite abzudichten, so dass kaum noch Feuchtigkeit in die
Strahlungsemittierende Vorrichtung eindringen kann. Das
Problem hier ist, dass es sehr aufwändig ist, eine
ausreichende Dichtigkeit zu erzielen. Einige der Materialien, welche eine ausreichende Dichtigkeit erzielen könnten, erfüllen dafür andere notwendigen Anforderungen nicht, wie beispielsweise, ausreichende Transparenz für die von der Strahlungsemittierenden Vorrichtung emittierten Strahlung oder eine ausreichende Stabilität gegenüber der emittierten Strahlung.
Bei einem anderen Ansatz wird versucht, Materialien zu verwenden, die sich im elektrochemischen Potenzial nicht unterscheiden, wodurch die Ausbildung eines Lokalelements vermieden wird. Das elektrochemische Potenzial ist das chemische Potenzial eines Ions oder anderer Ladungsträger, wie Elektronen, in einem elektrischen Potenzial. Über die Potenzialdifferenz wird die Fähigkeit eines Systems
beschrieben, Arbeit zu verrichten. So laufen beispielsweise chemische Reaktionen unter Beteiligung von Ladungsträgern so lange ab, bis die elektrochemischen Potenziale der beteiligten Systemkomponenten ausgeglichen sind.
Potenzialdifferenzen treten beispielsweise an den
Kontaktflächen von zwei metallischen Materialien auf, die ein unterschiedliches elektrochemisches Potenzial aufweisen. Das kann dazu führen, dass für die Fertigung der Vorrichtung für sämtliche metallischen Bauelemente sehr teure Metalle
verwendet werden müssen, obwohl dies aus ihrer Funktion heraus nicht notwendig wäre. Dies führt zu einer deutlichen Steigerung der Produktionskosten.
In einem weiteren Ansatz wird versucht, die
korrosionsempfindlichen Bauteile der Vorrichtung mittels eines inerten Materials zu maskieren. Dies kann
beispielsweise mit Sperrschichten, die zwischen den
metallischen Schichten mit Potenzialdifferenz eingebracht werden, geschehen. Dies erfordert jedoch zusätzliche
Verfahrensschritte und einen zusätzlichen Materialeinsatz, was wiederum die Kosten in der Herstellung steigert.
Die Aufgabe, die Korrosion zu vermindern, wird durch eine Strahlungsemittierende Vorrichtung nach dem Anspruch 1 gelöst. Weitere Ausführungsformen der Strahlungsemittierenden Vorrichtung sind Gegenstand weiterer abhängiger
Patentansprüche. Des Weiteren wird ein Verfahren zur
Herstellung einer Strahlungsemittierenden Vorrichtung
beansprucht .
Eine Ausführungsform der Strahlungsemittierenden Vorrichtung umfasst
- einen Leiterrahmen,
- eine Strahlungsquelle, welche auf dem Leiterrahmen
angeordnet ist, - eine elektrisch leitende Kontaktierung, welche den
Leiterrahmen elektrisch leitend mit der Strahlungsquelle verbindet,
- ein Vergussmaterial, welches auf der Oberfläche der
Strahlungsquelle angeordnet ist,
wobei das Vergussmaterial einen Zusatzstoff umfasst, welcher in der Lage ist H+-Ionen aufzunehmen, oder diese durch Abgabe von OH~-Ionen zu neutralisieren.
Die Erfinder haben erkannt, dass H+-Ionen, welche von außen in das Bauelement eindringen, oder durch eine Reaktion im Bauelement gebildet werden, zur Korrosion beitragen. In einer Teilreaktion werden von den H+-Ionen Elektronen vom edleren Metall des Lokalelements aufgenommen, wodurch sich H2 bildet. Diese Elektronen werden von dem unedleren Metall des
Lokalelements an das edlere Metall auf Grund der unterschiede der elektrochemischen Potentiale abgegeben. Die Oxidation der unedleren Metallionen kann zur Korrosion des Bauteils führen, welches aus dem unedleren Metall gefertigt ist.
Des Weiteren haben die Erfinder erkannt, dass das Vermindern einer Teilreaktion zur Verminderung aller an diesem Vorgang beteiligten Reaktionen und somit auch der Korrosion führt.
Der Zusatzstoff kann in dem Vergussmaterial verteilt
vorliegen und als H+-Ionenfänger oder als OH~- Ionenspender wirken. Der Zusatzstoff kann beispielsweise gezielt eine Teilreaktion, welche einen Beitrag zur Korrosion oder zu chemischen Reaktionen, welche eine Korrosion zur Folge haben können, unterbinden.
Der Zusatzstoff kann beispielsweise in Pulverform dem
Vergussmaterial zugesetzt werden. Ein solches Pulver könnte dann zusätzlich die Funktion eines Diffusors übernehmen und zur Homogenisierung der Abstrahlcharakteristik beitragen.
Der Zusatzstoff sollte des Weiteren eines oder vorzugsweise mehrere der folgenden Kriterien erfüllen:
Temperaturstabilität gegenüber der von der Strahlungsquelle abgegebenen Wärme, Strahlungsstabilität gegenüber der von der Strahlungsquelle emittierten Strahlung (z.B. UV-Strahlung) und chemische Kompatibilität mit dem Vergussmaterial.
In einer weiteren Ausführungsform der Strahlungsemittierenden Vorrichtung besteht zwischen dem Leiterrahmen und der
Kontaktierung im Kontaktbereich eine elektrochemische
Potenzialdifferenz .
Eine solche elektrochemische Potenzialdifferenz kann
beispielsweise dadurch auftreten, dass für den Leiterrahmen und die Kontaktierung zwei unterschiedliche Metalle verwendet werden, was die Ausbildung eines Lokalelements zur Folge hat. Das System aus Leiterrahmen und Kontaktierung ist nun
bestrebt, die Potenzialdifferenz auszugleichen, was
beispielsweise durch einen Elektronentransport erfolgen kann. Hierbei fließen die Elektronen vom unedleren Metall zum edleren Metall. So werden beispielsweise bei einem System von Kupfer und Gold die Elektronen vom Kupfer auf das Gold übertragen .
Die in einer Vorrichtung auftretende Korrosion weist eine Geschwindigkeit auf, welche im Zusammenhang mit der Höhe des Stroms steht, der durch diese Bauelemente fließt. Der Strom wiederum wird durch die Reaktionsgeschwindigkeit der
langsamsten Reaktion bestimmt, welche am Ladungstransport beteiligt ist. In einer weiteren Ausführungsform steht der Leiterrahmen in direktem Kontakt mit dem Vergussmaterial.
Somit kann es beispielsweise zur Abgabe von Ionen des
Metalls, aus dem der Leiterrahmen gefertigt ist, direkt in das Vergussmaterial kommen. Durch die Abgabe der positiv geladenen Metallionen kann es somit zum Ladungsausgleich gegenüber den auf andere Bauelemente übertragenen Elektronen kommen .
In einer weiteren Ausführungsform umfasst das Vergussmaterial ein Silikon. Silikon weist beispielsweise gegenüber Epoxid eine bessere Stabilität gegenüber der emittierten Strahlung auf. Es ist aber auch der Einsatz von Hybridmaterial, also Materialien, welche aus Silikon- und Epoxidmaterialien bestehen, denkbar.
In einer weiteren Ausführungsform der Strahlungsemittierenden Vorrichtung wird über den Zusatzstoff der pH-Wert im
Vergussmaterial eingestellt. Über den pH-Wert sollen wiederum Teilreaktionen der Korrosion geregelt bzw. unterbunden werden .
In einer weiteren Ausführungsform liegt der pH-Wert im
Vergussmaterial über 7. Das bedeutet, dass der pH-Wert im alkalischen Bereich liegt. Dadurch können H+-Ionen, welche im Vergussmaterial vorliegen, weil sie entweder von einem
Bauelement der Vorrichtung abgegeben wurden oder aus der Umgebung aufgenommen wurden oder durch eine Reaktion im
Vergussmaterial entstanden sind, neutralisiert werden. Durch diese Neutralisation kann beispielsweise die Teilreaktion der Korrosion unterbunden werden, in der die H+-Ionen Elektronen vom edleren Metall aufnehmen. Vorzugsweise liegt der pH-Wert für das Vergussmaterial im Bereich von 8 bis 13. Besonders bevorzugt liegt der pH-Wert für das Vergussmaterial im Bereich von 8 bis 11.
In diesem pH-Bereich ist das Vergussmaterial gut in der Lage, freie H+-Ionen zu neutralisieren. Das Vergussmaterial an sich ist aber auch nicht so stark alkalisch, dass es zur
Schädigung der Bauelemente der Strahlungsemittierenden
Vorrichtung kommt.
In einer Ausführungsform umfasst der Zusatzstoff ein
Metallhydroxid.
Ein Metallhydroxid hat den Vorteil, dass es eine gute
Strahlungsstabilität aufweist. Des Weiteren sind
Metallhydroxide abgesehen von der gewünschten Eigenschaft ihrer Alkalität chemisch inert, sodass keine unerwünschten chemischen Reaktionen zwischen dem Zusatzstoff und dem
Vergussmaterial auftreten. Bei dem Metallhydroxid kann es sich beispielsweise um Al (OH) 3 handeln. Die Metallhydroxide können beispielsweise in Pulverform dem Vergussmaterial zugesetzt werden.
In einer weiteren Ausführungsform umfasst der Zusatzstoff ein Zeolith.
Die Primärbaueinheiten von Zeolithen sind AlC^-Tetraeder bzw. SiO4-Tetraeder, die über gemeinsame Sauerstoffionen
miteinander zu den Sekundärbaueinheiten verbunden werden. Durch Verknüpfung der Sekundärbaueinheiten entsteht ein dreidimensionales kristallines Gerüst, das je nach Zeolith von regelmäßigen Poren- und Hohlraumsystemen unterschied- licher Größe, Anordnung und Architektur durchzogen ist. Für jeden in das Aluminosilikatgerüst eingebauten A104-Tetraeder enthält das resultierende Zeolithgerüst eine negative Ladung, die durch eine positive Gegenladung kompensiert werden muss. Dies kann beispielsweise dadurch erfolgen, dass Kationen in die Poren und Hohlräume des Zeolithen eingelagert werden. So können beispielsweise Na+-, Ca2+- oder K+-Ionen in den
Hohlräumen des Zeolithen vorliegen. Diese können durch einen Ionenaustausch dann durch andere Ionen, wie beispielsweise ein H+-Ion, ersetzt werden und so in einer Ausführungsform der Erfindung als H+-aufnehmender Zusatzstoff im
Vergussmaterial verwendet werden. Synthetische Zeolithe werden beispielsweise aus stark alkalischen, wässrigen
Lösungen aus Silizium- und Aluminiumverbindungen hergestellt. Beispiele für Zeolithe sind die folgenden Verbindungen:
Na2Ca[Al2Si4Oi2J2 "Faujasit", Ca[Al2Si4Oi2] "Chabasit",
Na2[Al2SiI0O24] "Mordenit" oder Na2 [Al2Si3Oi0] "Natrolith". Auch Zeolithe weisen eine hohe Strahlungsstabilität auf und sind ebenfalls chemisch inert.
In einer weiteren Ausführungsform umfasst der Zusatzstoff ein Metallhydrid.
Bei den Metallhydriden handelt es sich um Gitter, welche aus Metallen ausgebildet werden, und die eine große innere
Oberfläche aufweist. Wasserstoff kann hierbei in die
Zwischengitterplätze beispielsweise über Physisorption eingelagert werden. Der Wasserstoff wird hierbei nicht auf Gitterplätzen eingebaut. Solche Metallgitter werden
beispielsweise von TiFe, Mg2Ni, ZrMn2 oder LaNi5 ausgebildet. Auch diese Systeme sind strahlungsstabil und die Metallgitter sind chemisch inert. In einer weiteren Ausführungsform umfasst der Zusatzstoff einen Ionentauscher .
Bei dem Ionentauscher kann es sich beispielsweise um einen wie zuvor beschriebenen Zeolithen handeln. Es sind aber auch andere Ionentauscher, welche keine Zeolithe sind, denkbar. So können beispielsweise Kunstharz-Ionentauscher mit aktiven Gruppen verwendet werden. Je nach Art von Ionentauscher unterscheidet man Kationenaustauscher und Anionenaustauscher . Im Falle eines Kationenaustauschers als H+-aufnehmenden
Zusatzstoff ist die aktive Gruppe eine anionische Gruppe, wie beispielsweise eine SuIfonsäuregruppe oder eine
Carboxylgruppe . Das Gegenion zu dieser anionischen Gruppe, welches beispielsweise ein Na+-Ion sein kann, kann im
Ionenaustauschprozess durch ein H+-Ion ausgetauscht werden.
In einer weiteren Ausführungsform liegt der Zusatzstoff zu einem Anteil von 0,05 bis 2 Gew-% im Vergussmaterial vor.
In diesen Mengen vermindert der Zusatzstoff einerseits die unerwünschten Korrosionsreaktionen behindert aber
andererseits nicht die emittierte Strahlung in einem
unerwünschten Maße. Eine geeignete Menge an Zusatzstoffen hängt hierbei auch von der entsprechenden Wahl des
Zusatzstoffes ab. Es besteht auch die Möglichkeit, im
Vergussmaterial unterschiedliche Zusatzstoffe zu kombinieren.
In einer weiteren Ausführungsform umfasst der Leiterrahmen ein Metall Me.
Hierbei kann der gesamte Leiterrahmen aus dem Metall Me gefertigt sein, oder auch nur die elektrisch leitenden
Strukturen, welche auf dem Leiterrahmen aufgebracht sind. In einer weiteren Ausführungsform steht Me für Cu.
Cu ist ein Metall, welches sich sehr gut für Leiterrahmen bzw. die elektrisch leitenden Strukturen auf dem Leiterrahmen eignet. Cu weist eine gute Stabilität sowie ein hohes Maß an elektrischer Leitfähigkeit auf. Des Weiteren ist Cu
verglichen mit anderen Metallen wie Ag oder Au relativ preisgünstig.
In einer weiteren Ausführungsform der Strahlungsemittierenden Vorrichtung handelt es sich bei der Strahlungsquelle um eine LED.
Die LED umfasst einen Halbleiter der eine Diode ausbildet. LEDs sind oft sogenannte III/V-Halbleiter, d.h. sie sind aus Elementen der 3. und 5. Gruppe des Periodensystems aufgebaut. Des weitern umfasst die LED eine Anode, welche sich
beispielsweise auf der Oberseite der LED befindet, und eine Kathode, welche entsprechen an der Unterseite angeordnet sein kann. Die Anode kann über einen Bond-Draht elektrisch leitend mit dem Leiterrahmen verbunden werden, auf dem die LED angeordnet sein kann. Wenn eine Spannung in Durchlassrichtung anliegt, wandern Elektronen zur Rekombinationsschicht am p-n- Übergang. Auf der n-dotierten Seite bevölkern die Elektronen das Leitungsband, um nach Überschreiten der Grenzfläche auf das energetisch günstigere p-dotierte Valenzband zu wechseln. Dort rekombinieren die Elektroden dann mit den hier
vorhandenen Löchern.
Es sind jedoch auch Ausführungsformen denkbar, bei denen es sich bei der Strahlungsquelle um eine OLED handelt. Der
Schichtenstapel, welcher eine OLED ausbilden kann, umfasst eine Anode sowie eine Kathode. Von diesen werden durch Anlegen von Spannung Löcher bzw. Elektroden abgegeben, welche in Richtung der jeweils anderen Elektrode wandern. Die
Ladungsträger wandern hierbei beispielsweise erst durch löcher- bzw. elektronen-transportierende Schichten, bevor sie in der emittierenden Schicht aufeinandertreffen. In dieser rekombinieren die Elektronen mit den Löchern, wodurch
Excitonen gebildet werden. Die Excitonen können dann
Leuchtstoffe, welche sich in der emittierenden Schicht befinden zur Abgabe von Strahlung anregen.
Bei einer weiteren Ausführungsform besteht zwischen der Strahlungsquelle und der Kontaktierung im Kontaktbereich eine elektrochemische Potenzialdifferenz .
Wird für die Kontaktierung, welche beispielsweise über einen Bond-Draht erfolgen kann, ein anderes Material verwendet als für den Bereich des Bauelements an dem die Kontaktierung erfolgt, beispielsweise die obere Elektrode, so hat dies die Ausbildung eines Lokalelements zur Folge. Wie bereits oben zur Potenzialdifferenz ausgeführt, kann es somit auch in diesem Kontaktbereich zur Übertragung von Elektronen vom unedleren Metall auf das edlere Metall kommen.
In einer weiteren Ausführungsform der Strahlungsemittierenden Vorrichtung umfasst diese eine Kathode und eine Anode.
In einer weiteren Ausführungsform weist die Anode bei gleichem Strom eine größere Stromdichte auf als die Kathode.
Ein weiteres Kriterium für die lokale Korrosionsgeschwindigkeit ist die Stromdichte. Hohe Stromdichten führen zu hohen Korrosionsgeschwindigkeiten. Die Stromdichte ist eine Funktion des Stroms und der beteiligten Oberfläche. Weisen beispielsweise die Anode und die Kathode bzw. die Metalloberflächen, an denen kathodische oder anodische
Reaktionen stattfinden, eine unterschiedliche Größe auf, so hat dies eine unterschiedliche Stromdichte zur Folge. So können sich beispielsweise in einer Strahlungsemittierenden Vorrichtung, bei der die Oberflächen der Anode und Kathode einen sehr großen Größenunterschied aufweisen, leichter
Kurzschlusselemente ausbilden. Beispielsweise kann die
Oberfläche der einen Reaktion lediglich eine kleine
Fehlstelle sein, welche nur eine sehr geringe Größe aufweist. Demgegenüber kann beispielsweise die Kontaktierung, welche durch das Vergussmaterial verläuft, mit fast ihrer gesamten Oberfläche in Kontakt mit dem Vergussmaterial stehen. Dieser Oberflächenunterschied, welcher sehr hohe Stromdichten in sehr kleinen Bereichen zur Folge haben kann, kann dafür verantwortlich sein, dass lokal sehr hohe
Korrosionsgeschwindigkeiten auftreten .
In einer weiteren Ausführungsform wird durch die Aufnahme der H+-Ionen die Korrosion im Bauelement vermindert. Die Aufnahme der H+-Ionen kann durch den Zusatzstoff erfolgen.
In einer weiteren Ausführungsform wird durch die Aufnahme der H+-Ionen der pH-Wert im Vergussmaterial gesteuert. Durch die Aufnahme der H+-Ionen, welche durch den Zusatzstoff erfolgen kann, kann der pH-Wert im Vergussmaterial auf einen
gewünschten Wert eingestellt werden. Dies bezieht sich sowohl auf den pH-Wert, der im Vergussmaterial vorliegt, wenn dieses in oder auf die Vorrichtung aufgebracht wird, also in einem Zustand vorliegt, in dem noch keine chemischen Reaktionen stattfinden. Es bezieht sich aber auch auf den pH-Wert, der angestrebt ist wenn chemische Reaktionen während der gesamten Lebenszeit der Strahlungsemittierenden Vorrichtung im
Vergussmaterial stattfinden.
In einer weiteren Ausführungsform wird durch das Absenken der H+-Ionen-Konzentration die folgende Reaktion reduziert: 2H+ + 2e~ → H2 (Reaktion 1) .
In einer weiteren Ausführungsform wird durch die Reduktion der Reaktion 1 die folgende Reaktion vermindert: Me → Mem+ + m e~ (Reaktion 2) .
Durch das Abfangen der H+-Ionen durch den Zusatzstoff fehlen den Elektronen in der Reaktion 1 die Reaktionspartner, sodass diese Reaktion nur erschwert ablaufen kann. Dadurch, dass in der Reaktion 1 keine Elektronen "aufgebraucht" werden, wird auch die Reaktion 2, in der neue Elektronen zur Verfügung gestellt werden, vermindert, da für diese keine Abnehmer zur Verfügung stehen. Durch das Vermindern der Reaktion 2 wird der Übergang von Me zu Mem+, also das in Lösung gehen der Metallionen, aus dem der Leiterrahmen gefertigt ist,
reduziert. Somit wird eine Schädigung des Leiterrahmens vermindert .
Neben der Strahlungsemittierenden Vorrichtung wird auch ein Verfahren zur Herstellung einer Strahlungsemittierenden
Vorrichtung beansprucht.
In einer Variante dieses Verfahrens umfasst dieses die
Verfahrensschritte :
A) Bereitstellen eines Leiterrahmens (1),
B) Aufbringen einer Strahlungsquelle (3) auf den Leiterahmen (D, C) Herstellen einer elektrisch leitenden Verbindung zwischen Leiterrahmen (1) und Strahlungsquelle (3) mittels einer elektrisch leitenden Kontaktierung (2),
D) Verkapseln der Strahlungsquelle (3) mit einem
Vergussmaterial (4), wobei das Vergussmaterial (4) einen Zusatzstoff (5) umfasst, welcher in der Lage ist H+-Ionen aufzunehmen, oder diese durch Abgabe von OH~-Ionen zu
neutralisieren .
In dem Verfahrensschritt D) kann ein Zusatzstoff verwendet werden, wie er beispielsweise in den Ausführungen zuvor im Zusammenhang mit der Vorrichtung beschrieben wurde.
Die im Zusammenhang mit der Vorrichtung ausgeführt Merkmale und Vorteile, gelten entsprechend auch für die Bauteile / Materialien, welche im Verfahren herangezogen werden.
Im Folgenden sollen Varianten der Erfindung anhand von
Figuren und Ausführungsbeispielen näher erläutert werden.
Figur 1 zeigt einen schematischen Querschnitt durch eine erfindungsgemäße Ausführungsform einer
Strahlungsemittierenden Vorrichtung .
Figuren 2a und 2b zeigen jeweils eine weitere
erfindungsgemäße Ausführungsform einer
Strahlungsemittierenden Vorrichtung im
schematischen Querschnitt, welche ein Gehäuse umfasst .
Figuren 3a und 3b zeigen jeweils einen Ausschnitt aus einer
Strahlungsemittierenden Vorrichtung im schematischen Querschnitt in der unerwünschte
Korrosionsreaktionen ablaufen.
Die Figur 1 zeigt als schematischen Querschnitt eine
Ausführungsform, welche einen Leiterrahmen 1 umfasst. Auf dem Leiterrahmen 1 ist eine Strahlungsquelle 3 angeordnet, die mit ihrer Unterseite elektrisch leitend mit einem ersten Teilbereich des Leiterrahmen 1 verbunden ist. Die Oberseite der Strahlungsquelle 3 ist über eine Kontaktierung 2
elektrisch leitend mit einem zweiten Teilbereich des
Leiterrahmens 1 verbunden, welcher gegenüber dem ersten
Teilbereich elektrisch isoliert ist. Die Kontaktierung 2 und der Leiterrahmen 1 bilden hierbei einen Kontaktbereich 6 aus. Sowohl die Strahlungsquelle 3 wie auch die Kontaktierung 2 sind mit einem Vergussmaterial 4 umgeben, wodurch diese beiden Bauteile verkapselt sind. Das Vergussmaterial 4 umfasst hierbei den Zusatzstoff 5.
Der Leiterrahmen 1 kann beispielsweise Cu umfassen, die
Kontaktierung 2 beispielsweise Au. Als Strahlungsquelle 3 kann beispielsweise eine LED verwendet werden. Das
Vergussmaterial 4 kann beispielsweise ein Silikon umfassen.
Für den Fall, dass der Leiterrahmen 1 und die Kontaktierung 2 aus unterschiedlichen Materialien gefertigt sind bzw. aus Materialien, welche ein anderes elektrochemisches Potenzial aufweisen, liegt im Kontaktbereich 6 eine Potenzialdifferenz zwischen der Kontaktierung 2 und dem Leiterrahmen 1 vor.
Durch das Eindringen eines Elektrolyten, beispielsweise
Luftfeuchtigkeit, kann es zur Ausbildung eines
Kurzschlusselements kommen. Die Figur 2a zeigt im schematischen Querschnitt eine weitere Ausführungsform der Strahlungsemittierenden Vorrichtung.
Diese umfasst, wie die in Figur 1 dargestellte
Ausführungsform, ebenfalls einen Leiterrahmen 1, eine
Strahlungsquelle 3 und eine Kontaktierung 2. Die
Kontaktierung 2 verbindet die Oberseite der Strahlungsquelle 3 elektrisch leitend mit einem Teilbereich des Leiterrahmens 1. Hierbei bilden die Kontaktierung 2 und der Leiterrahmen 1 in dem Bereich, in welchem sie miteinander verbunden sind, einen Kontaktbereich 6 aus. Die in Figur 2a dargestellte Ausführungsform umfasst zusätzlich ein Gehäuse 7. Die Kavität des Gehäuses 7, in dem die Strahlungsquelle 3 angeordnet ist, ist mit einem Vergussmaterial 4 ausgefüllt. Dieses umfasst den Zusatzstoff 5.
Die in Figur 2b als schematischer Querschnitt dargestellte Ausführungsform entspricht weitgehend jener, welche in der Figur 2a dargestellt ist. Jedoch umfasst die in Figur 2b dargestellte Ausführungsform zusätzlich eine Sperrschicht 8. Die Sperrschicht 8 ist zwischen der Strahlungsquelle 3 und dem Leiterrahmen 1 angeordnet, wodurch letztere maskiert wird. Die Unterseite der Strahlungsquelle 3 ist elektrisch leitend über die Sperrschicht 8 mit dem Leiterrahmen 1 verbunden. Die Kontaktierung 2 verläuft von der Oberseite der Strahlungsquelle 3 nun zur Oberfläche der Sperrschicht 8. Der Kontaktbereich 6 wird somit in dieser Ausführungsform
zwischen der Kontaktierung 2 und der Sperrschicht 8
ausgebildet. Aber auch zwischen der Sperrschicht 8 und dem Leiterrahmen 1 liegt eine Potentialdifferenz vor. Die
Sperrschicht 8 kann beispielsweise ein in Lösunggehen des Leiterrahmens 1, also eine Abgabe von Metallionen aus dem Leiterrahmen in das Vergussmaterial 4, weitgehend verhindern. Jedoch kann auch eine solche Sperrschicht beispielsweise Poren oder Fehlstellen aufweisen, durch welche Metallionen hindurchwandern können.
Die Figur 3a zeigt einen Ausschnitt aus einer Ausführungsform der Strahlungsemittierenden Vorrichtung als schematischen Querschnitt. Der Ausschnitt zeigt einen Leiterrahmen 1, auf dem eine Sperrschicht 8 aufgebracht ist. Auf der Sperrschicht 8 ist die Kontaktierung 2 aufgebracht, welche in ihrer nicht dargestellten Verlängerung zur Strahlungsquelle 3 führt. Die Kontaktierung 2 ist über die Sperrschicht 8 elektrisch leitend mit einem Teilbereich des Leiterrahmes 1 verbunden. Das Vergussmaterial 4 ist über der Sperrschicht 8 aufgetragen und steht in dem Bereich, in dem die Sperrschicht 8
unterbrochen ist, auch in direktem Kontakt mit dem
Leiterrahmen 1. Das Vergussmaterial 4 umfasst einen
Zusatzstoff 5. Die Sperrschicht 8 kann beispielsweise durch Fehlstellen 9 oder Poren im Material unterbrochen sein. Die Fehlstellen können beispielsweise auch eine Folge einer
Reaktion des Materials der Sperrschicht 8 mit einem
Schadstoff aus der Umgebung oder einer Verunreinigung sein: Ag+ + S~ -> AgS. Das Vergussmaterial 4 umfasst in diesem Ausführungsbeispiel ein Silikon. In der hier dargestellten Ausführungsform besteht der Leiterrahmen 1 aus Cu, die
Sperrschicht 8 aus Ag und die Kontaktierung 2 aus Au. Somit bilden der Leiterrahmen 1, die Sperrschicht 8 und die
Kontaktierungen 2 bzw. die Metalle, aus denen sie gefertigt sind, eine elektrochemische Kette Cu/Ag/Au. Hierbei ist Cu das unedelste Metall und Au das edelste Metall. In den
Bereichen, in denen die Bauelemente aus diesen Metallen in Kontakt zueinander stehen, liegt somit eine
Potenzialdifferenz vor. Diese Potenzialdifferenz ist die treibende Kraft für die Wanderung von Elektronen aus dem Leiterrahmen 1 durch die Sperrschicht 8 zur Kontaktierung 2. Figur 3b zeigt nun mögliche Reaktionen, welche in dem
Ausschnitt, wie er in Figur 3a dargestellt ist, ablaufen können. Aufgrund der hohen Permeabilität von Silikon können H2O und SO2 aus der Umwelt in das Vergussmaterial eindringen und zu 2 H+ und SO3 2~, schwefliger Säure, reagieren.
Alternativ kann der Schwefel auch durch beispielsweise H2S oder andere schwefelhaltige Verbindungen von außen in das Vergussmaterial 4 eingetragen werden. Die H+-Ionen können jetzt an der Kontaktierung 2, welche aus dem edelsten der drei Metall gefertigt ist, Elektronen aufnehmen, wodurch sie in H2 umgewandelt werden. In der Fehlstelle 9 der
Sperrschicht 8 steht das Vergussmaterial 4 in direktem
Kontakt mit dem Leiterrahmen 1. Hierdurch ist es möglich, dass die Cu-Ionen des Leiterrahmens direkt in das
Vergussmaterial 4 abgegeben werden können, wodurch Elektronen abgegeben werden. Bei dem Übergang von Cu in Cu2+ werden zwei Elektronen frei, welche aufgrund der zuvor beschriebenen Potenzialdifferenz über die Sperrschicht 8 zur Kontaktierung 2 weitergeleitet werden. Die Cu2+-Ionen im Vergussmaterial 4 können des Weiteren mit den Sθ3 2~-Ionen zu CUSO3 reagieren, welches sich auf der Sperrschicht 8 ablagern kann.
Durch den Zusatzstoff 5 im Vergussmaterial 4 werden nun die H+-Ionen abgefangen (durch den Pfeil schematisch angedeutet) , sodass die Reaktion von H+-Ionen zu Wasserstoff an der
Kontaktierung 2 nicht mehr stattfinden kann. Für den Fall, dass es sich bei dem Zusatzstoff 5 um Al (OH) 3 handelt, kann das Abfangen der H+-Ionen durch folgende Reaktion erfolgen: Al(OH)3 + 3 H+ -> Al3+ + 3 H2O. Dadurch, dass die Reaktion, in der die Elektronen aufgebraucht werden, nun unterdrückt oder vermindert wird, wird auch die Reaktion, in der die
Elektronen gebildet werden, unterbunden bzw. vermindert. Dies bedeutet, dass an der Fehlstelle 9 somit weniger bzw. keine Cu-Ionen mehr in Lösung gehen. Die Lebensdauer des Leiterrahmens 1 wird somit durch eine verbesserte
Korrosionsstabilität erhöht. Dadurch, dass keine oder weniger Cu-Ionen in Lösung gehen können, wird auch gleichzeitig die Bildung des CuSθ3-Niederschlags reduziert bzw. verhindert. Hierdurch kann der Leiterrahmen 1 effektiv vor Korrosion geschützt werden, obwohl Feuchtigkeit von außen in das
Vergussmaterial 4 eindringen kann, und dieses in manchen Bereichen in direktem Kontakt mit dem Leiterrahmen 1 steht.
Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele beschränkt. Vielmehr umfasst die
Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von
Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn diese Merkmale oder diese Merkmalkombination selbst nicht explizit in den Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist.

Claims

Patentansprüche
1. Strahlungsemittierende Vorrichtung, umfassend
- einen Leiterrahmen (1),
- eine Strahlungsquelle (3), welche auf dem Leiterrahmen (1) angeordnet ist,
- eine elektrisch leitende Kontaktierung (2), welche den Leiterrahmen (1) elektrisch leitend mit der Strahlungsquelle
(3) verbindet,
- ein Vergussmaterial (4), welches auf der Oberfläche der Strahlungsquelle (3) angeordnet ist,
wobei das Vergussmaterial (4) einen Zusatzstoff (5) umfasst, welcher in der Lage ist H+-Ionen aufzunehmen, oder diese durch Abgabe von OH~-Ionen zu neutralisieren.
2. Strahlungsemittierende Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei zwischen dem Leiterrahmen (1) und der Kontaktierung (2) im Kontaktbereich (6) eine elektrochemische
Potentialdifferenz besteht.
3. Strahlungsemittierende Vorrichtung nach einem der
vorhergehenden Ansprüche,
wobei der Leiterrahmen (1) in direktem Kontakt mit dem
Vergussmaterial (4) steht.
4. Strahlungsemittierende Vorrichtung nach einem der
vorhergehenden Ansprüche,
wobei das Vergussmaterial (4) ein Silikon umfasst.
5. Strahlungsemittierende Vorrichtung nach einem der
vorhergehenden Ansprüche,
wobei über den Zusatzstoff (5) der pH-Wert im Vergussmaterial
(4) eingestellt wird.
6. Strahlungsemittierende Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
wobei der pH-Wert im Vergussmaterial (4) über 7 liegt.
7. Strahlungsemittierende Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
wobei der Zusatzstoff (5) ein Metallhydroxid umfasst.
8. Strahlungsemittierende Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
wobei der Zusatzstoff (5) einen Zeolith umfasst.
9. Strahlungsemittierende Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
wobei der Zusatzstoff (5) ein Metallhydrid umfasst.
10. Strahlungsemittierende Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
wobei der Zusatzstoff (5) einen Ionentauscher umfasst.
11. Strahlungsemittierende Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
wobei der Zusatzstoff (5) zu einem Anteil von 0,05 bis 2 Gew-% im Vergussmaterial (4) vorliegt.
12. Strahlungsemittierende Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
wobei der Leiterrahmen (1) ein Metall Me umfasst.
13. Strahlungsemittierende Vorrichtung nach Anspruch 12, wobei Me für Cu steht.
14. Strahlungsemittierende Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
wobei es sich bei der Strahlungsquelle (3) um eine LED handelt .
15. Verfahren zur Herstellung einer Strahlungsemittierenden Vorrichtung, umfassend die Verfahrensschritte:
A) Bereitstellen eines Leiterrahmens (1),
B) Aufbringen einer Strahlungsquelle (3) auf den Leiterahmen
(D,
C) Herstellen einer elektrisch leitenden Verbindung zwischen Leiterrahmen (1) und Strahlungsquelle (3) mittels einer elektrisch leitenden Kontaktierung (2),
D) Verkapseln der Strahlungsquelle (3) mit einem
Vergussmaterial (4), wobei das Vergussmaterial (4) einen Zusatzstoff (5) umfasst, welcher in der Lage ist H+-Ionen aufzunehmen, oder diese durch Abgabe von OH~-Ionen zu neutralisieren .
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