WO2010064869A3 - Dispositif électroluminescent à semi-conducteurs - Google Patents

Dispositif électroluminescent à semi-conducteurs Download PDF

Info

Publication number
WO2010064869A3
WO2010064869A3 PCT/KR2009/007235 KR2009007235W WO2010064869A3 WO 2010064869 A3 WO2010064869 A3 WO 2010064869A3 KR 2009007235 W KR2009007235 W KR 2009007235W WO 2010064869 A3 WO2010064869 A3 WO 2010064869A3
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
emitting device
semiconductor light
substrate
light
electron
Prior art date
Application number
PCT/KR2009/007235
Other languages
English (en)
Korean (ko)
Other versions
WO2010064869A2 (fr
Inventor
김창태
이태희
Original Assignee
주식회사 에피밸리
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 에피밸리 filed Critical 주식회사 에피밸리
Publication of WO2010064869A2 publication Critical patent/WO2010064869A2/fr
Publication of WO2010064869A3 publication Critical patent/WO2010064869A3/fr

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
    • H01L33/642—Heat extraction or cooling elements characterized by the shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
    • H01L33/46—Reflective coating, e.g. dielectric Bragg reflector

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Abstract

L'invention concerne un dispositif électroluminescent à semi-conducteurs et plus particulièrement un dispositif électroluminescent à semi-conducteurs comprenant un substrat, une couche active formée sur le substrat et générant une lumière par recombinaison électron-trou et une pluralité de blocs formés sous le substrat.
PCT/KR2009/007235 2008-12-04 2009-12-04 Dispositif électroluminescent à semi-conducteurs WO2010064869A2 (fr)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20080122463A KR101062754B1 (ko) 2008-12-04 2008-12-04 반도체 발광소자
KR10-2008-0122463 2008-12-04

Publications (2)

Publication Number Publication Date
WO2010064869A2 WO2010064869A2 (fr) 2010-06-10
WO2010064869A3 true WO2010064869A3 (fr) 2010-08-19

Family

ID=42233754

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/KR2009/007235 WO2010064869A2 (fr) 2008-12-04 2009-12-04 Dispositif électroluminescent à semi-conducteurs

Country Status (2)

Country Link
KR (1) KR101062754B1 (fr)
WO (1) WO2010064869A2 (fr)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101407698B1 (ko) 2012-12-28 2014-06-16 한국광기술원 질화물계 반도체 소자 및 그의 제조 방법

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005064426A (ja) * 2003-08-20 2005-03-10 Mitsubishi Cable Ind Ltd 窒化物系半導体素子の製造方法
WO2006080408A1 (fr) * 2005-01-31 2006-08-03 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Élément luminescent et procédé de fabrication d’un élément luminescent
US20080054290A1 (en) * 2006-09-05 2008-03-06 Epistar Corporation Light emitting device and the manufacture method thereof

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005064426A (ja) * 2003-08-20 2005-03-10 Mitsubishi Cable Ind Ltd 窒化物系半導体素子の製造方法
WO2006080408A1 (fr) * 2005-01-31 2006-08-03 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Élément luminescent et procédé de fabrication d’un élément luminescent
US20080054290A1 (en) * 2006-09-05 2008-03-06 Epistar Corporation Light emitting device and the manufacture method thereof

Also Published As

Publication number Publication date
KR20100064048A (ko) 2010-06-14
WO2010064869A2 (fr) 2010-06-10
KR101062754B1 (ko) 2011-09-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2010044561A3 (fr) Dispositif électroluminescent à semi-conducteurs de nitrure du groupe iii
WO2009142391A3 (fr) Boîtier de composant luminescent et son procédé de fabrication
WO2009002129A3 (fr) Dispositif électroluminescent à semi-conducteur et procédé de fabrication de ce dernier
TW200705709A (en) Method of making a vertical light emitting diode
WO2009014376A3 (fr) Dispositif électroluminescent et procédé de fabrication de celui-ci
WO2009131319A3 (fr) Dispositif luminescent à semi-conducteurs
EP2360749A3 (fr) Diode électroluminescente, boîtier DEL et système d'éclairage l'incorporant
WO2011145850A3 (fr) Diode électroluminescente à haut rendement et son procédé de fabrication
TW200739935A (en) Semiconductor light emitting device and method of fabricating the same
EP2363895A3 (fr) Dispositif électroluminescent, son procédé de fabrication et conditionnement de dispositif électroluminescent
WO2009134029A3 (fr) Dispositif électroluminescent à semi-conducteur
WO2010013936A3 (fr) Dispositif semi-conducteur, dispositif électroluminescent et leur procédé de fabrication
EP2378572A3 (fr) Configuration d'électrode pour un dispositif électroluminescent
WO2009120011A3 (fr) Dispositif électroluminescent et son procédé de fabrication
WO2012164437A3 (fr) Dispositif émetteur de lumière lié à un substrat de support
TW201130176A (en) Package system
WO2009072787A3 (fr) Dispositif électroluminescent utilisant un composé semi-conducteur
EP2341557A3 (fr) Dispositif électroluminescent, emballage de dispositif électroluminescent et système d'éclairage
EP2357682A3 (fr) Dispositif électroluminescent, emballage de dispositif électroluminescent et système d'éclairage
WO2010044642A3 (fr) Dispositif électroluminescent à semiconducteurs et son procédé de fabrication
EP2341560A3 (fr) Dispositif électroluminescent et son procédé de fabrication
EP2355175A3 (fr) Appareil électroluminescent, son procédé de fabrication, paquet de dispositif électroluminescent et système d'éclairage
WO2013083528A3 (fr) Luminaire à semi-conducteur
WO2010011048A3 (fr) Dispositif électroluminescent à semi-conducteur et son procédé de production
EP2262014A3 (fr) Dispositif électroluminescent, conditionnement de dispositif électroluminescent et système d'éclairage l'incluant

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 09830607

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A2

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 09830607

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A2