WO2010040342A1 - Optoelektronisches bauteil - Google Patents

Optoelektronisches bauteil Download PDF

Info

Publication number
WO2010040342A1
WO2010040342A1 PCT/DE2009/001391 DE2009001391W WO2010040342A1 WO 2010040342 A1 WO2010040342 A1 WO 2010040342A1 DE 2009001391 W DE2009001391 W DE 2009001391W WO 2010040342 A1 WO2010040342 A1 WO 2010040342A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
basic elements
group
optoelectronic component
elements
base body
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/DE2009/001391
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Georg Bogner
Siegfried Herrmann
Thomas Zeiler
Karl Engl
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ams Osram International GmbH
Original Assignee
Osram Opto Semiconductors GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Osram Opto Semiconductors GmbH filed Critical Osram Opto Semiconductors GmbH
Publication of WO2010040342A1 publication Critical patent/WO2010040342A1/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Ceased legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00—Package configurations
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21K—NON-ELECTRIC LIGHT SOURCES USING LUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING ELECTROCHEMILUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING CHARGES OF COMBUSTIBLE MATERIAL; LIGHT SOURCES USING SEMICONDUCTOR DEVICES AS LIGHT-GENERATING ELEMENTS; LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21K9/00—Light sources using semiconductor devices as light-generating elements, e.g. using light-emitting diodes [LED] or lasers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/857—Interconnections, e.g. lead-frames, bond wires or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/858—Means for heat extraction or cooling

Definitions

  • An optoelectronic component is specified.
  • Optoelectronic components such as light emitting or photodiodes have found a wide technical application. Some aspects that have contributed to the proliferation of such components are their high efficiency and long life. Individual optoelectronic components, such as, for example, light-emitting diode chips, can be combined in many ways to form different types of light sources. Composites of semiconductor chips can in this case be modular, for example.
  • One problem to be solved is to specify an easily manageable optoelectronic component.
  • this comprises a planar main body.
  • Planar may mean that the main body has two opposing, just designed, mutually parallel main sides. The main sides can be penetrated by about a recess.
  • the main body is designed in particular mechanically rigid and self-supporting.
  • the main body can have, for example, a square or rectangular floor plan. Also possible, for example, a hexagonal or trigonal floor plan.
  • this has at least one group of Basic elements.
  • the group comprises at least two basic elements, preferably a plurality of basic elements.
  • each base element is designed with one, in particular with exactly one, optoelectronic semiconductor element.
  • the base element comprises a substrate on which the semiconductor element is applied and with which it is electrically contacted.
  • the semiconductor element is, for example, a light-emitting diode chip.
  • the semiconductor element may be a thin-film chip or a substrateless light-emitting diode.
  • the main body has a mounting surface on an upper side.
  • the mounting surface is preferably planar and planar.
  • the basic elements are mounted on the mounting surface of the main body. This may mean that the basic elements are glued or soldered to the mounting surface. Preferably, however, the basic elements are reversibly mounted on the mounting surface, so that, for example, after the end of the life of a primitive, this can be replaced.
  • Attachment can be done with spring, tension or compression forces.
  • the basic elements of the group are arranged in a row laterally adjacent to the mounting surface. With regard to a projection onto the mounting surface, therefore, the basic elements do not overlap.
  • the basic elements of the group are electrically connected in series. This may mean that only two electrical connections are necessary to electrically energize the entire group of primitives.
  • At least two basic elements of the group are made in one piece. Integral here means that a plurality of basic elements has a common substrate, on which all other components of the basic elements, in particular the optoelectronic semiconductor elements, are applied. For example, a plurality of basic elements in the wafer composite with a
  • Wafer which may be designed with silicon manufactured.
  • the wafer can then be separated into parts such that one of the parts has at least two basic elements.
  • the basic elements are electrically contacted with the base body via spring and / or pressure contacts.
  • the electrical contacting takes place in particular via a reversible connection.
  • no solder or no electrically conductive adhesive is needed for electrical contacting between the base body and the group of basic elements.
  • the contacting is for example via a clamping, pressure or spring force, which is a component perpendicular to the mounting side, realized. It is possible that an electrically conductive spring, which is connected to an electrical line of the base body, presses on a conductor track of the base element and thus serves for electrical contacting.
  • this comprises a planar main body and at least one group with at least two basic elements, each basic element having an optoelectronic component
  • the basic elements are mounted on a mounting surface on an upper side of the base body. Furthermore, the basic elements of the group are arranged in a row laterally adjacent to the mounting surface and electrically connected in series. At least two basic elements of the group are made in one piece. The group of basic elements is contacted via spring and / or pressure contacts with the main body electrically.
  • Basic elements mounted on a base body The plurality of semiconductor elements can thus be handled in combination.
  • the primitive serves as a kind of standardized intermediate carrier comprising, for example, the semiconductor element. Because the main body bigger
  • the handling is simplified and the sensitivity of the optoelectronic device against damage, such as during assembly, reduced.
  • all basic elements of the group are made in one piece. So all basic elements have, for example a common substrate.
  • the basic elements of the group are arranged like ingots. Characterized in that all the basic elements are made in one piece, a high positioning accuracy of the semiconductor elements is relatively possible, since the semiconductor elements can be applied, for example, in the wafer composite on, for example, the basic elements common substrate. A high positioning accuracy of
  • Semiconductor elements relative to one another may facilitate imaging of radiation generated by the optoelectronic device.
  • the mounting surface is located in a recess of the base body.
  • the recess in particular penetrates the upper side of the main body. Due to the recess formed boundary surfaces of the body, which are visible in plan view of the top of the body are considered to belong to the top.
  • the recess can be designed so that a fitting fit the
  • Basic elements of a group in the recess is made possible. As a result, a good thermal contact between the base member and the base body is also ensured.
  • the base elements located in the recess on the mounting surface are mechanically fixed at least with respect to two, in particular with respect to three lateral directions.
  • a recess also facilitates contacting via spring and / or pressure contacts, since the basic elements in the recess, for example at edge regions of the recess, can be positioned relative to the base body with comparatively high accuracy.
  • the edge region of the recess at least in places, forms a Stop for at least one base element, so that the base element touches the edge region of the recess.
  • a mechanical contacting of the group of the basic elements takes place on the main body by the spring and / or pressure contacts.
  • the basic elements of the group are pressed by the spring contacts on the mounting surface and thereby fixed.
  • the mechanical attachment of the group of basic elements via the spring and / or pressure contacts. That is, the group of primitives can be reversibly attached to the body without the aid of adhesion promoters such as adhesives or solders. If a group of the basic elements has failed during operation of the optoelectronic component, it can be replaced without much effort.
  • an electrical connection between two adjacent basic elements of the group takes place via an integral, areally configured conductor track on a base element upper side facing away from the main body.
  • the conductor is in particular not in direct contact with the body. If the basic elements are produced in the wafer composite, the printed conductors can also be fabricated in the wafer composite across all elementary elements.
  • the individual basic elements are designed identically within the scope of the manufacturing tolerances.
  • the basic elements are similar to each other. This makes it possible that the optoelectronic component can be modular. For example, the number of - -
  • Basic elements comprising a group, thereby easily varied and / or adapted. Even different basic body can be combined with the basic elements without much effort.
  • the semiconductor elements have electrical contacts which are located on mutually opposite main surfaces of the semiconductor elements.
  • the semiconductor elements are therefore not designed in particular as flip-chips.
  • the spring contacts are designed with spring clips.
  • Spring clips allow a comparatively high mechanical contact pressure of the basic elements on the mounting surface.
  • relatively large lateral tolerances with respect to the electrical contacting of the basic elements with the basic body can be accepted via spring clips.
  • the semiconductor elements project at least partially beyond the base body in a direction perpendicular to the mounting surface.
  • the semiconductor elements completely project beyond the main body. This means in particular that the semiconductor elements are not located in a volume or cavity formed by the recess.
  • the joint serves to compensate for different thermal expansion coefficients of basic elements and basic body. For example, are more than - -
  • the joint can be realized in that two non-integral executed basic elements abut directly against each other.
  • the gap is filled with air.
  • a buffer material such as a silicone, at least partially fills the joint. Since the lateral dimensions of the optoelectronic component are in the range of mm to cm, it is sufficient that the gap has a width in the range of 1 .mu.m to 200 .mu.m, in particular between 5 .mu.m and 35 .mu.m.
  • the joint does not completely separate two adjacent primitives.
  • the joint may also represent a local reduction of a thickness of a substrate common to the primitives, in a direction perpendicular to the mounting surface.
  • the neighboring primitives are completely separated from each other.
  • this comprises at least two groups of basic elements. In this way, a matrix or array-like structure of the optoelectronic component can be realized.
  • the optoelectronic component can also have a pixel-like structure.
  • the at least two groups of the component are arranged laterally next to one another in a direction perpendicular to a longitudinal extent of the groups.
  • the groups of primitives are striped. - S -
  • At least two basic elements of the group have singulation tracks on edge surfaces.
  • Edge surfaces are, in particular, those surfaces which produce a connection between a main side of the basic elements facing the base body and the base element upper side.
  • the singulation traces can be due to a sawing, laser or crushing process.
  • this is designed without bond wires.
  • Bond wires can be mechanically stressed only lightly, without causing destruction of the bond wires.
  • the application of bonding wires is comparatively complicated.
  • this consists of the basic body, the group of basic elements, the spring and / or pressure contacts and electrical lines.
  • the electrical lines can in this case electrical contacts of the semiconductor element, conductor tracks of the main body or of the basic elements and / or
  • the optoelectronic component has no frame which surrounds the basic elements and / or the semiconductor elements.
  • the component have a cover, for example in the form of a glass plate, or a potting body surrounding the semiconductor element.
  • a particularly compact optoelectronic component can be realized.
  • a thickness of the component, in a direction perpendicular to the mounting surface is less than 500 ⁇ m, in particular less than 300 ⁇ m, preferably less than 200 ⁇ m. If the semiconductor elements have a thickness of at most 20 microns and the
  • Basic elements a substrate having a thickness of at most 200 .mu.m and is the substrate of the basic elements completely or almost completely in the recess, so a mechanically stable base body with a thickness of several 100 microns can be used to realize such an optoelectronic device.
  • the thickness of the component can thus be determined essentially by the thickness of the base body.
  • the group comprises at least six basic elements, which are made in one piece.
  • Basic elements in a direction parallel to the mounting surface, less than 4, in particular less than 2.5. That is, a longitudinal side of the base member is at most 2.5 times or four times longer than a lateral side of the base member. Preferably, the ratio of the lateral extents is in the range between 1.5 and 2.5.
  • the base body is designed with a ceramic, a metal core board or a semiconductor material, in particular with silicon. Such materials can have a high thermal conductivity of more than 50 W / (m K).
  • the group of the basic elements is contacted with exactly two spring and / or pressure contacts. Preferably, the group of basic elements via the spring and / or pressure contacts is also attached to the body.
  • optoelectronic components described here can be used in various areas of application in which optoelectronic components described here can be used are, for example, the backlighting of displays or display devices. Furthermore, the optoelectronic components described here can also be used in illumination devices. The optoelectronic components described here can be used, for example, in projectors, in headlamps, in particular in motor vehicle headlamps, or in light emitters. Likewise, it is possible that optoelectronic components described here are used in the field of general lighting, in particular for large-area lighting devices.
  • Figure 1 is a schematic plan view (A) and a schematic sectional view (B) of an embodiment of an optoelectronic device described herein, and - -
  • Figure 2 is a schematic sectional view of a
  • FIG. 1 shows an exemplary embodiment of an optoelectronic component 1.
  • a base body 2 which is designed with a metal core board or with a ceramic provided with electrical lines, has a recess 7. Through the recess 7, an upper side 9 of the base body 2 is penetrated.
  • a main surface of the recess 7 forms a mounting surface 5.
  • a group 30 of primitives 3 is mounted on the mounting surface 5. According to FIG. 1, the group 30 consists of six
  • Basic elements which are arranged laterally adjacent to a longitudinal extent L.
  • the number of basic elements 3 of the group 30 is scalable here.
  • the group 30 of the basic elements 3 is accurately inserted into the recess 7.
  • the basic elements 3 are, in the context of
  • An optoelectronic semiconductor element 4 is located on the electrical contact 17b which is in contact with the base element top side 31.
  • the semiconductor element 4 is referred to as substratloser LED chip designed and has a thickness of less than 20 ⁇ ra.
  • On a side facing away from the substrate 13 light exit surface 14 of the semiconductor element 4 is another electrical contact 17a.
  • the electric feeds 8 are electrically connected on the one hand to the contact 17b and on the other hand, via a bridge 12, to the electrical contact 17a at the light exit surface 14 via the electrical contacts 17a, 17b.
  • the substrate 13 of the base member 3 is located almost completely in the recess 7.
  • the semiconductor element 4 projects beyond the base body 2, in a direction perpendicular to the mounting surface 5, completely.
  • the six basic elements 3 of group 30 are made in one piece. That is, all the basic elements 3 have the same, the basic elements 3 cross substrate 13.
  • the substrate 13 may be designed with silicon.
  • Individual primitives 3 are separated from each other by the primitive boundary 15.
  • the primitive boundary 15 is preferably a fictitious line indicating a kind of unit cell with respect to the primitives 3.
  • the group 30 of the basic elements 3 can be produced in the wafer composite.
  • the printed conductors 8 and optionally the electrical contacts 17b are generated on the substrate 13.
  • Substrate 13 applied.
  • the relative Positioning accuracy is substantially the accuracy of a photolithographic manufacturing process in the manufacture of the semiconductor elements 4.
  • bridges 12 About the creation of bridges 12 is a contacting at the light exit surface 14 of the semiconductor elements 4.
  • the bridges 12 may be designed with an electrically insulating paint in conjunction with a metallization thereon.
  • the substrate 13 can be cut into individual bars or ingots, for example via saws.
  • the severing is preferably along the base element boundaries 15.
  • the longitudinal extent L of a group 30 and thus the number of its basic elements 3 is limited in principle for a group 30 thus produced only by the diameter of the substrate 13, over which the base elements 3 are generated.
  • the group 30 of the basic elements 3 is contacted via spring contacts designed with spring clips 6 electrically connected to the base body 2 and also mechanically fixed to the main body 2 via the spring contacts 6.
  • the base body 2 has electrical lines, not shown in Figure 1, with which an electrical connection between an external, not part of the optoelectronic device and not shown device or carrier and the basic elements 3 of the group 30 can be produced.
  • the main body 2 may have different shapes.
  • the group 30 of basic elements 3 in different basic bodies 2, which are designed for various concrete applications, identically designed basic elements 3 and / or semiconductor elements 4 are used.
  • the number of basic elements 3 comprising a group 30 and the number of groups 30 mounted on a base body 2 can be adjusted in this way efficiently and without great expense.
  • the group 30 of the basic elements 3 has a large number of basic elements 3, for example 50 or more
  • Basic elements 3, 1 voltages can occur during operation of the optoelectronic component 1 due to different thermal expansion coefficients of the material of the base body 2 and the base elements 3, in particular of the substrate 13.
  • the group 30 may be separated into two subgroups by a joint (not shown). Through the joint, two adjacent basic elements 3 are separated from each other.
  • the group 30 may thus consist of two joined, individual, strip-shaped ingot of basic elements 3.
  • the joint preferably has a width, to the longitudinal extent L of the group 30, of approximately 10 microns.
  • Pressure contacts 6 electrically and / or mechanically contacted or fastened. It is sufficient if the electrical contact only over two - -
  • the additional spring and / or pressure contacts can only serve for mechanical fastening.
  • FIG. 1 A further exemplary embodiment of an optoelectronic component 1 is shown in FIG.
  • Each group 30a, 30b has its own substrate 13, via which the basic elements 3 belonging to the respective group are integrally connected to one another.
  • a thickness D of the component 1, in a direction perpendicular to the mounting surface 5, is approximately 300 ⁇ m.

Landscapes

  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

In mindestens einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauteils (1) umfasst dieses einen planaren Grundkörper (2) und zumindest eine Gruppe (30) mit wenigstens zwei Grundelementen (3), wobei jedes Grundelement (3) mit einem optoelektronischen Halbleiterelement (4) gestaltet ist. Die Grundelemente (3) sind auf einer Montagefläche (5) an einer Oberseite (31) des Grundkörpers (2) angebracht. Weiterhin sind die Grundelemente (3) der Gruppe (30) in einer Reihe lateral benachbart auf der Montagefläche (5) angeordnet und elektrisch in Serie geschaltet. Wenigstens zwei Grundelemente (3) der Gruppe (30) sind einstückig ausgeführt. Die Gruppe (30) der Grundelemente (3) ist über Feder- und/oder Druckkontakte (6) mit dem Grundkörper (2) elektrisch kontaktiert.

Description

Beschreibung
Optoelektronisches Bauteil
Es wird ein optoelektronisches Bauteil angegeben.
Optoelektronische Bauteile wie etwa Leucht- oder Fotodioden haben eine breite technische Anwendung gefunden. Einige Gesichtspunkte, die der Verbreitung von solchen Bauteilen Vorschub leisteten, sind deren hohe Effizienz und große Lebensdauer. Einzelne optoelektronische Bauteile, wie beispielsweise Leuchtdiodenchips, lassen sich auf vielfältige Weise zu verschiedenartigen Lichtquellen kombinieren. Verbünde aus Halbleiterchips können hierbei beispielsweise modular aufgebaut sein.
Eine zu lösende Aufgabe besteht darin, ein gut handhabbares optoelektronisches Bauteil anzugeben.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauteils umfasst dieses einen planaren Grundkörper. Planar kann hierbei bedeuten, dass der Grundkörper zwei einander gegenüberliegende, eben ausgestaltete, parallel zueinander orientierte Hauptseiten aufweist. Die Hauptseiten können hierbei etwa von einer Ausnehmung durchdrungen sein. Der Grundkörper ist insbesondere mechanisch starr und selbsttragend ausgestaltet. Der Grundkörper kann zum Beispiel einen quadratischen oder rechteckigen Grundriss aufweisen. Ebenso möglich ist beispielsweise ein hexagonaler oder trigonaler Grundriss.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauteils weist dieses zumindest eine Gruppe von Grundelementen auf. Die Gruppe umfasst wenigstens zwei Grundelemente, bevorzugt eine Mehrzahl von Grundelementen.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauteils ist jedes Grundelement mit einem, insbesondere mit genau einem, optoelektronischen Halbleiterelement gestaltet. Beispielsweise umfasst das Grundelement ein Substrat, auf dem das Halbleiterelement aufgebracht und mit dem es elektrisch kontaktiert ist. Das Halbleiterelement ist beispielsweise ein Leuchtdiodenchip. Bei dem Halbleiterelement kann es sich um einen Dünnfilmchip oder um eine substratlose Leuchtdiode handeln. Derartige Halbleiterelemente sind in der Druckschrift WO 2005/081919 Al und in der Druckschrift DE 10 2007 004 304 Al beschrieben, deren Offenbarungsgehalt hinsichtlich des dort beschriebenen Halbleiterelements durch Rückbezug mit aufgenommen wird.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauteils weist der Grundkörper eine Montagefläche an einer Oberseite auf. Die Montagefläche ist bevorzugt planar und eben ausgestaltet.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauteils sind die Grundelemente auf der Montagefläche des Grundkörpers angebracht. Das kann bedeuten, dass die Grundelemente auf der Montagefläche aufgeklebt oder aufgelötet sind. Bevorzugt jedoch sind die Grundelemente reversibel auf der Montagefläche angebracht, so dass, beispielsweise nach Ablauf der Lebensdauer eines Grundelements, dieses ersetzt werden kann. Ein solches
Anbringen kann mit Feder-, Spann- oder Druckkräften erfolgen. Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauteils sind die Grundelemente der Gruppe in einer Reihe lateral benachbart auf der Montagefläche angeordnet. Bezüglich einer Projektion auf die Montagefläche überlappen die Grundelemente also nicht.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauteils sind die Grundelemente der Gruppe elektrisch in Serie geschaltet. Das kann bedeuten, dass lediglich zwei elektrische Anschlüsse notwendig sind, um die gesamte Gruppe von Grundelementen elektrisch zu beschälten.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauteils sind wenigstens zwei Grundelemente der Gruppe einstückig ausgeführt. Einstückig bedeutet hierbei, dass eine Vielzahl von Grundelementen ein gemeinsames Substrat aufweist, auf dem alle weiteren Komponenten der Grundelemente, insbesondere die optoelektronischen Halbleiterelemente, aufgebracht sind. Beispielsweise wird eine Vielzahl von Grundelementen im Waferverbund mit einem
Wafer, der mit Silizium gestaltet sein kann, gefertigt. Der Wafer kann anschließend derart in Teile separiert werden, dass eines der Teile wenigstens zwei Grundelemente aufweist.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauteils sind die Grundelemente über Feder- und/oder Druckkontakte mit dem Grundkörper elektrisch kontaktiert. Die elektrische Kontaktierung erfolgt insbesondere über eine reversible Verbindung. Zur elektrischen Kontaktierung zwischen Grundkörper und der Gruppe der Grundelemente ist beispielsweise kein Lot oder kein elektrisch leitfähiger Kleber vonnöten. Die Kontaktierung ist beispielsweise über eine Spann-, Druck- oder Federkraft, die eine Komponente senkrecht zur Montageseite aufweisen kann, realisiert. Es ist möglich, dass eine elektrisch leitende Feder, die mit einer elektrischen Leitung des Grundkörpers verbunden ist, auf eine Leiterbahn des Grundelements drückt und somit zur elektrischen Kontaktierung dient.
In mindestens einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauteils umfasst dieses einen planaren Grundkörper und zumindest eine Gruppe mit wenigstens zwei Grundelementen, wobei jedes Grundelement mit einem optoelektronischen
Halbleiterelement gestaltet ist. Die Grundelemente sind auf einer Montagefläche an einer Oberseite des Grundkörpers angebracht. Weiterhin sind die Grundelemente der Gruppe in einer Reihe lateral benachbart auf der Montagefläche angeordnet und elektrisch in Serie geschaltet. Wenigstens zwei Grundelemente der Gruppe sind einstückig ausgeführt. Die Gruppe der Grundelemente ist über Feder- und/oder Druckkontakte mit dem Grundkörper elektrisch kontaktiert.
Es ist also eine Mehrzahl von Halbleiterelementen über
Grundelemente auf einem Grundkörper angebracht. Die Mehrzahl von Halbleiterelementen kann somit im Verbund gehandhabt werden. Mit anderen Worten dient das Grundelement als eine Art standardisierter Zwischenträger, der zum Beispiel das Halbleiterelement umfasst. Da der Grundkörper größere
Abmessungen aufweist als ein einzelnes Grundelement oder ein einzelnes Halbleiterelement, ist die Handhabung vereinfacht und die Empfindlichkeit des optoelektronischen Bauteils gegenüber Beschädigung, etwa bei der Montage, verringert.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauteils sind alle Grundelemente der Gruppe einstückig ausgeführt. Es weisen also alle Grundelemente beispielsweise ein gemeinsames Substrat auf . Die Grundelemente der Gruppe sind beispielsweise barrenartig angeordnet. Dadurch, dass alle Grundelemente einstückig ausgeführt sind, ist eine hohe Positioniergenauigkeit der Halbleiterelemente relativ zueinander ermöglicht, da die Halbleiterelemente beispielsweise im Waferverbund auf beispielsweise dem den Grundelementen gemeinsamen Substrat aufgebracht werden können. Eine hohe Positioniergenauigkeit der
Halbleiterelemente relativ zueinander kann eine Abbildung von vom optoelektronischen Bauteil erzeugter Strahlung erleichtern.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauteils befindet sich die Montagefläche in einer Ausnehmung des Grundkörpers . Die Ausnehmung durchdringt insbesondere die Oberseite des Grundkörpers. Aufgrund der Ausnehmung gebildete Begrenzungsflächen des Grundkörpers, die in Draufsicht auf die Oberseite des Grundkörpers sichtbar sind, werden als zur Oberseite gehörig betrachtet . Die Ausnehmung kann so gestaltet sein, dass ein passgenaues Anbringen der
Grundelemente einer Gruppe in der Ausnehmung ermöglicht ist. Hierdurch ist ebenfalls ein guter thermischer Kontakt zwischen Grundelement und Grundkörper gewährleistet. Beispielsweise kann über die Ausnehmung erreicht werden, dass die sich in der Ausnehmung auf der Montagefläche befindlichen Grundelemente mindestens bezüglich zwei, insbesondere bezüglich drei lateralen Richtungen mechanisch fixiert sind. Eine Ausnehmung erleichtert auch eine Kontaktierung über Feder- und/oder Druckkontakte, da die Grundelemente in der Ausnehmung, beispielsweise an Randbereichen der Ausnehmung, mit vergleichsweise hoher Genauigkeit relativ zum Grundkörper positionierbar sind. Mit anderen Worten bildet der Randbereich der Ausnehmung, zumindest stellenweise, einen Anschlag für zumindest ein Grundelement, so dass das Grundelement den Randbereich der Ausnehmung berührt.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauteils erfolgt eine mechanische Kontaktierung der Gruppe der Grundelemente am Grundkörper durch die Feder- und/oder Druckkontakte. Beispielsweise werden die Grundelemente der Gruppe durch die Federkontakte auf die Montagefläche gepresst und hierdurch fixiert. Bevorzugt erfolgt auch die mechanische Befestigung der Gruppe der Grundelemente über die Feder- und/oder Druckkontakte. Das heißt, die Gruppe der Grundelemente kann ohne Zuhilfenahme von Haftvermittlern wie Klebern oder Lote insbesondere reversibel am Grundkörper befestigt sein. Ist im Betrieb des optoelektronischen Bauteils eine Gruppe der Grundelemente etwa ausgefallen, so kann diese ohne größeren Aufwand ersetzt werden.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauteils erfolgt eine elektrische Verbindung zwischen zwei benachbarten Grundelementen der Gruppe über eine einstückige, flächig ausgestaltete Leiterbahn an einer dem Grundkörper abgewandten Grundelementoberseite. Die Leiterbahn steht insbesondere nicht in direktem Kontakt zum Grundkörper. Sind die Grundelemente im Waferverbund gefertigt, so können die Leiterbahnen grundelementübergreifend ebenfalls im Waferverbund gefertigt sein.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauteils sind die einzelnen Grundelemente, im Rahmen der Herstellungstoleranzen, identisch ausgestaltet. Mit anderen
Worten gleichen sich die Grundelemente einander. Hierdurch ist es ermöglicht, dass das optoelektronische Bauteil modular aufgebaut sein kann. Beispielsweise kann die Anzahl an - -
Grundelementen, die eine Gruppe umfasst, hierdurch auf einfache Art variiert und/oder angepasst werden. Auch verschiedenartige Grundkörper sind ohne großen Aufwand mit den Grundelementen kombinierbar.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauteils weisen die Halbleiterelemente elektrische Kontakte auf, die sich auf einander gegenüberliegenden Hauptflächen der Halbleiterelemente befinden. Die Halbleiterelemente sind also insbesondere nicht als Flip-Chips gestaltet.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauteils sind die Federkontakte mit Federbügeln gestaltet. Federbügel ermöglichen einen vergleichsweise hohen mechanischen Anpressdruck der Grundelemente auf der Montagefläche. Außerdem können über Federbügel verhältnismäßig große laterale Toleranzen bezüglich der elektrischen Kontaktierung der Grundelemente mit dem Grundkörper akzeptiert werden.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauteils überragen die Halbleiterelemente den Grundkörper, in einer Richtung senkrecht zur Montagefläche, mindestens teilweise. Insbesondere überragen die Halbleiterelemente den Grundkörper vollständig. Das heißt insbesondere, dass sich die Halbleiterelemente nicht in einem durch die Ausnehmung gebildeten Volumen beziehungsweise Hohlraum befinden.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauteils ist zwischen zumindest zwei Grundelementen der
Gruppe eine Fuge angebracht. Die Fuge dient zum Ausgleich unterschiedlicher thermischer Ausdehnungskoeffizienten von Grundelementen und Grundkörper. Sind beispielsweise mehr als - -
zehn oder mehr als 50 Grundelemente einstückig ausgeführt, so kann im Betrieb des optoelektronischen Bauteils entstehende Wärme zu thermisch bedingten Spannungen zwischen den Grundelementen und dem Grundkörper führen. Über eine Fuge können diese thermischen Spannungen reduziert werden. Die Fuge kann dadurch realisiert werden, dass zwei nicht einstückig ausgeführte Grundelemente direkt aneinander stoßen. Bevorzugt ist die Fuge mit Luft gefüllt. Ebenso möglich ist es aber auch, dass ein Puffermaterial, etwa ein Silikon, die Fuge mindestens teilweise füllt. Da die lateralen Ausmessungen des optoelektronischen Bauteils im Bereich von mm bis cm liegen, ist es ausreichend, dass die Fuge eine Breite im Bereich von 1 μm bis 200 μm, insbesondere zwischen 5 μm und 35 μm, aufweist. Es ist auch möglich, dass die Fuge zwei benachbarte Grundelemente nicht vollständig voneinander trennt. Die Fuge kann also auch eine lokale Reduzierung einer Dicke eines den Grundelementen gemeinsamen Substrats, in einer Richtung senkrecht zur Montagefläche, darstellen. Bevorzugt jedoch sind die benachbarten Grundelemente vollständig voneinander separiert.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauteils umfasst dieses mindestens zwei Gruppen von Grundelementen. Hierdurch kann ein matrix- beziehungsweise arrayartiger Aufbau des optoelektronischen Bauteils realisiert werden. Das optoelektronische Bauteil kann auch eine pixelartige Struktur aufweisen.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauteils sind die mindestens zwei Gruppen des Bauteils, in einer Richtung senkrecht zu einer Längsausdehnung der Gruppen, lateral nebeneinander angeordnet. Beispielsweise sind die Gruppen von Grundelementen streifenartig gestaltet. - S -
Werden mehrere Streifen bezüglich der Längsausdehnung nebeneinander gelegt, so ist ein arrayartiger Aufbau des optoelektronischen Bauteils erleichtert.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauteils weisen wenigstens zwei Grundelemente der Gruppe an Randflächen Vereinzelungsspuren auf. Randflächen sind insbesondere solche Flächen, die eine Verbindung zwischen einer dem Grundkörper zugewandten Hauptseite der Grundelemente mit der Grundelementoberseite herstellen. Die Vereinzelungsspuren können auf einen Säge-, Laser- oder Brechprozess zurückzuführen sein.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauteils ist dieses ohne Bond-Drähte gestaltet. Bond-Drähte können mechanisch nur schwach belastet werden, ohne eine Zerstörung der Bond-Drähte zu verursachen. Ebenso ist das Aufbringen von Bond-Drähten vergleichsweise aufwändig.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauteils besteht dieses aus dem Grundkörper, der Gruppe von Grundelementen, den Feder- und/oder Druckkontakten und elektrischen Leitungen. Die elektrischen Leitungen können hierbei elektrische Kontakte des Halbleiterelements, Leiterbahnen des Grundkörpers oder der Grundelemente und/oder
Durchkontaktierungen umfassen. Das optoelektronische Bauteil weist insbesondere keinen Rahmen auf, der die Grundelemente und/oder die Halbleiterelemente umrandet. Ebenso wenig weist das Bauteil eine Abdeckung, etwa in Form einer Glasplatte, oder einen das Halbleiterelement umgebenden Vergusskörper auf . Hierdurch ist ein besonders kompaktes optoelektronisches Bauteil realisierbar. - -
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauteils beträgt eine Dicke des Bauteils, in einer Richtung senkrecht zur Montagefläche, weniger als 500 μm, insbesondere weniger als 300 μm, bevorzugt weniger als 200 μm. Weisen die Halbleiterelemente eine Dicke von höchstens 20 μm und die
Grundelemente ein Substrat mit einer Dicke von höchstens 200 μm auf und befindet sich das Substrat der Grundelemente vollständig oder nahezu vollständig in der Ausnehmung, so kann ein mechanisch stabiler Grundkörper mit einer Dicke von mehreren 100 μm verwendet werden, um ein derartiges optoelektronisches Bauteil zu realisieren. Die Dicke des Bauteils kann somit im Wesentlichen durch die Dicke des Grundkörpers bestimmt sein.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauteils umfasst die Gruppe wenigstens sechs Grundelemente, die einstückig ausgeführt sind.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauteils ist ein Verhältnis der lateralen Ausdehnung der
Grundelemente, in einer Richtung parallel zur Montagefläche, kleiner als 4, insbesondere kleiner als 2,5. Das heißt, eine Längsseite des Grundelements ist höchstens 2,5-mal beziehungsweise viermal länger als eine Querseite des Grundelements. Bevorzugt liegt das Verhältnis der lateralen Ausdehnungen im Bereich zwischen 1,5 und 2,5.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauteils ist der Grundkörper mit einer Keramik, einer Metallkernplatine oder einem Halbleitermaterial, insbesondere mit Silizium, gestaltet. Solche Materialen können eine hohe thermische Leitfähigkeit von mehr als 50 W/ (m K) aufweisen. Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauteils ist die Gruppe der Grundelemente mit genau zwei Feder- und/oder Druckkontakten kontaktiert. Bevorzugt ist die Gruppe der Grundelemente über die Feder- und/oder Druckkontakte auch am Grundkörper befestigt.
Einige Anwendungsbereiche, in denen hier beschriebene optoelektronische Bauteile Verwendung finden können, sind etwa die Hinterleuchtung von Displays oder Anzeigeeinrichtungen. Weiterhin können die hier beschriebenen optoelektronischen Bauteile auch in Beleuchtungseinrichtungen eingesetzt werden. Die hier beschriebenen optoelektronischen Bauteile können zum Beispiel in Projektoren, in Scheinwerfern, insbesondere in Kfz -Scheinwerfern, oder in Lichtstrahlern verwendet werden. Ebenso ist es möglich, dass hier beschriebene optoelektronische Bauteile im Bereich der Allgemeinbeleuchtung, insbesondere für großflächige Beleuchtungseinrichtungen, eingesetzt werden.
Nachfolgend wird ein hier beschriebenes optoelektronisches Bauteil unter Bezugnahme auf die Zeichnung anhand von Ausführungsbeispielen näher erläutert. Gleiche Bezugszeichen geben dabei gleiche Elemente in den einzelnen Figuren an. Es sind dabei jedoch keine maßstäblichen Bezüge dargestellt, vielmehr können einzelne Elemente zum besseren Verständnis übertrieben groß dargestellt sein.
Es zeigen:
Figur 1 eine schematische Draufsicht (A) und eine schematische Schnittdarstellung (B) eines Ausführungsbeispiels eines hier beschriebenen optoelektronischen Bauteils, und - -
Figur 2 eine schematische Schnittdarstellung eines
Ausführungsbeispiels eines hier beschriebenen optoelektronischen Bauteils mit zwei Gruppen von Grundelementen.
In Figur 1 ist ein Ausführungsbeispiel eines optoelektronischen Bauteils 1 dargestellt. Ein Grundkörper 2, der mit einer Metallkernplatine oder mit einer mit elektrischen Leitungen versehenen Keramik gestaltet ist, weist eine Ausnehmung 7 auf. Durch die Ausnehmung 7 ist eine Oberseite 9 des Grundkörpers 2 durchdrungen. Eine Hauptfläche der Ausnehmung 7 bildet eine Montagefläche 5. Auf der Montagefläche 5 ist eine Gruppe 30 von Grundelementen 3 angebracht. Gemäß Figur 1 besteht die Gruppe 30 aus sechs
Grundelementen, die bezüglich einer Längsausdehnung L lateral benachbart angeordnet sind. Die Anzahl der Grundelemente 3 der Gruppe 30 ist hierbei skalierbar. Die Gruppe 30 der Grundelemente 3 ist passgenau in die Ausnehmung 7 eingebracht.
Die Grundelemente 3 sind, im Rahmen der
Herstellungstoleranzen, zueinander identisch ausgestaltet und weisen ein Verhältnis von Längs- zu Querseite von zirka 2,4 auf. Auf einer Grundelementoberseite 31 sind Leiterbahnen 8 und ein elektrischer Kontakt 17b angebracht. Die einzelnen Grundelemente 3 sind über die Leiterbahnen 8 elektrisch in Serie geschaltet. Die Leiterbahnen 8 sind durch eine Grundelementgrenze 15 physisch nicht unterbrochen.
Auf dem mit der Grundelementoberseite 31 in Kontakt stehendem elektrischen Kontakt 17b befindet sich ein optoelektronisches Halbleiterelement 4. Das Halbleiterelement 4 ist als substratloser Leuchtdiodenchip gestaltet und weist eine Dicke von weniger als 20 μra auf. An einer dem Substrat 13 abgewandten Lichtaustrittsfläche 14 des Halbleiterelements 4 befindet sich ein weiterer elektrischer Kontakt 17a. Über die elektrischen Kontakte 17a, 17b erfolgt die Stromeinspeisung in das Halbleiterelement 4. Die elektrischen Leiterbahnen 8 sind einerseits mit dem Kontakt 17b und andererseits, über eine Brücke 12, mit dem elektrischen Kontakt 17a an der Lichtaustrittsfläche 14 elektrisch verbunden.
Das Substrat 13 des Grundelements 3 befindet sich nahezu vollständig in der Ausnehmung 7. Das Halbleiterelement 4 überragt den Grundkörper 2, in einer Richtung senkrecht zur Montagefläche 5, vollständig.
Die sechs Grundelemente 3 der Gruppe 30 sind einstückig ausgeführt. Das heißt, alle Grundelemente 3 verfügen über dasselbe, die Grundelemente 3 übergreifende Substrat 13. Das Substrat 13 kann mit Silizium gestaltet sein. Einzelne Grundelemente 3 sind durch die Grundelementgrenze 15 von einander separiert. Die Grundelementgrenze 15 ist bevorzugt eine fiktive Linie, die eine Art Einheitszelle bezüglich der Grundelemente 3 angibt.
Die Gruppe 30 der Grundelemente 3 kann im Waferverbund erzeugt werden. Hierzu werden auf dem Substrat 13 die Leiterbahnen 8 und gegebenenfalls die elektrischen Kontakte 17b, etwa über einen photolithographischen Prozess, erzeugt. Anschließend werden die optoelektronischen Halbleiterelemente 4, zum Beispiel über einen Wafertransferprozess, auf dem
Substrat 13 aufgebracht. Durch den Wafertransferprozess kann eine hohe Positioniergenauigkeit der Halbleiterelemente relativ zueinander gewährleistet sein. Die relative Positioniergenauigkeit beträgt im Wesentlichen der Genauigkeit eines fotolithographischen Herstellungsprozesses bei der Herstellung der Halbleiterelemente 4.
Über das Erstellen von Brücken 12 erfolgt eine Kontaktierung an der Lichtaustrittsfläche 14 der Halbleiterelemente 4. Die Brücken 12 können mit einem elektrisch isolierenden Lack in Verbindung mit einer darauf befindlichen Metallisierung gestaltet sein.
In einem nachfolgenden Prozessschritt kann das Substrat 13 in einzelne Riegel oder Barren, etwa über Sägen, zertrennt werden. Das Zertrennen erfolgt bevorzugt entlang der Grundelementgrenzen 15. Die Längsausdehnung L einer Gruppe 30 und somit die Anzahl deren Grundelemente 3 ist bei einer derart hergestellten Gruppe 30 prinzipiell lediglich durch den Durchmesser des Substrats 13, über das die Grundelemente 3 erzeugt sind, limitiert. Durch ein derartiges Separieren eines das Substrat 13 umfassenden Wafers weisen mindestens Randflächen 11 des, bezüglich der Längsausdehnung L, ersten und letzten Grundelements 3 Vereinzelungsspuren auf.
Die Gruppe 30 der Grundelemente 3 ist über mit Federbügeln gestalteten Federkontakten 6 elektrisch mit dem Grundkörper 2 kontaktiert und ebenfalls über die Federkontakte 6 mechanisch am Grundkörper 2 befestigt. Der Grundkörper 2 weist in Figur 1 nicht dargestellte elektrische Leitungen auf, mit denen eine elektrische Verbindung zwischen einem externen, nicht zum optoelektronischen Bauteil gehörigen und nicht gezeichneten Gerät beziehungsweise Träger und den Grundelementen 3 der Gruppe 30 herstellbar ist. Abhängig von der konkreten Anwendung kann der Grundkörper 2 verschiedene Formgebungen aufweisen. Durch die Verwendung der Gruppe 30 von Grundelementen 3 können in verschiedenen Grundkörpern 2, die für verschiedene konkrete Anwendungen konzipiert sind, gleich gestaltete Grundelemente 3 und/oder Halbleiterelemente 4 verwendet werden. Insbesondere kann die Anzahl der Grundelemente 3, die eine Gruppe 30 umfasst und die Anzahl an Gruppen 30, die auf einem Grundkörper 2 angebracht sind, auf diese Weise effizient und ohne großen Aufwand angepasst werden.
Über ein derart gestaltetes optoelektronisches Bauteil 1 können also verschiedene Module aufgebaut werden, die gleiche Grundelemente 3, gegebenenfalls in unterschiedlicher Anzahl, und unterschiedliche Grundkörper 2 umfassen.
Weist die Gruppe 30 der Grundelemente 3 eine große Anzahl an Grundelementen 3 auf, beispielsweise 50 oder mehr
Grundelemente 3, so können im Betrieb des optoelektronischen Bauteils 1 Spannungen aufgrund unterschiedlicher thermischer Ausdehnungskoeffizienten des Materials des Grundkörpers 2 und der Grundelemente 3, insbesondere des Substrats 13, auftreten. In diesem Falle kann, anders als in Figur IA gezeigt, die Gruppe 30 durch eine nicht dargestellte Fuge in zwei Untergruppen separiert sein. Durch die Fuge sind zwei benachbarte Grundelemente 3 voneinander separiert. Die Gruppe 30 kann also aus zwei aneinander gefügten, einzelnen, streifenförmigen Barren von Grundelementen 3 bestehen. Die Fuge weist bevorzugt eine Breite, zur Längsausdehnung L der Gruppe 30, von zirka 10 μm auf.
Optional kann, anders als in Figur IA illustriert, die Gruppe 30 der Grundelemente 3 mit mehr als zwei Feder- und/oder
Druckkontakten 6 elektrisch und/oder mechanisch kontaktiert beziehungsweise befestigt werden. Es ist hierbei ausreichend, wenn die elektrische Kontaktierung lediglich über zwei sich - -
aneinander gegenüberliegenden, kurzen Seiten der Gruppe 30 befinden und somit das bezüglich der Längsausdehnung L erste und letzte Grundelement 3 elektrisch kontaktiert. Die zusätzlichen Feder- und/oder Druckkontakte können ausschließlich zur mechanischen Befestigung dienen.
Ein weiteres Ausführungsbeispiel eines optoelektronischen Bauteils 1 ist in Figur 2 gezeigt. In der Ausnehmung 7 befinden sich zwei Gruppen 30a, 30b von Grundelementen 3. Jede Gruppe 30a, 30b weist ein eigenes Substrat 13 auf, über das die zur jeweiligen Gruppe gehörigen Grundelemente 3 einstückig miteinander verbunden sind. Zur Vereinfachung der Darstellung ist nur ein Federkontakt 6 bezüglich der Gruppe 30b in Figur 2 dargestellt. Eine Dicke D des Bauteils 1, in einer Richtung senkrecht zur Montagefläche 5, beträgt zirka 300 μm.
Anders als in Figur 2 dargestellt ist es ebenso möglich, dass alle Grundelemente 3 der Gruppen 30a, 30b auf einem gemeinsamen, die gesamte Ausnehmung 7 ausfüllenden Substrat 13 aufgebracht sind.
Die hier beschriebene Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele beschränkt. Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist. - -
Diese Patentanmeldung beansprucht die Priorität der deutschen Patentanmeldung 10 2008 051 044.0, deren Offenbarungsgehalt hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird.

Claims

- -Patentansprüche
1. Optoelektronisches Bauteil (1) mit
- einem planaren Grundkörper (2), - zumindest einer Gruppe (30) mit wenigstens zwei
Grundelementen (3), wobei jedes Grundelement (3) mit einem optoelektronischen Halbleiterelement (4) gestaltet ist, wobei - die Grundelemente (3) auf einer Montagefläche (5) an einer Oberseite (9) des Grundkörpers (2) angebracht sind,
- die Grundelemente (3) der Gruppe (30) in einer Reihe lateral benachbart auf der Montagefläche (6) angeordnet und elektrisch in Serie geschaltet sind,
- wenigstens zwei Grundelemente (3) der Gruppe (30) einstückig ausgeführt sind, und
- die Gruppe (30) der Grundelemente (3) über Feder- und/oder Druckkontakte (6) mit dem Grundkörper (2) elektrisch kontaktiert ist.
2. Optoelektronisches Bauteil (1) nach Anspruch 1, bei dem alle Grundelemente (3) der Gruppe (30) einstückig ausgeführt sind.
3. Optoelektronisches Bauteil (1) nach Anspruch 1 oder 2, bei dem sich die Montagefläche (5) in einer Ausnehmung
(7) des Grundkörpers (2) befindet.
4. Optoelektronisches Bauteil (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem eine mechanische Kontaktierung der Gruppe (30) - -
der Grundelemente (3) am Grundkörper (2) durch die Feder- und/oder Druckkontakte (6) erfolgt.
5. Optoelektronisches Bauteil (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem eine elektrische Verbindung zwischen zwei benachbarten Grundelementen (3) der Gruppe (30) über eine einstückige, flächig gestaltete Leiterbahn (8) an einer dem Grundkörper (2) abgewandten Grundelementoberseite (31) erfolgt.
6. Optoelektronisches Bauteil (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die Halbleiterelemente (4) elektrische Kontakte (17) auf einander gegenüberliegenden Hauptflächen der Halbleiterelemente (4) aufweisen.
7. Optoelektronisches Bauteil (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die Federkontakte (6) mit einem Federbügel gestaltet sind.
8. Optoelektronisches Bauteil (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die Halbleiterelemente (4) den Grundkörper (2) vollständig oder teilweise überragen, in einer Richtung senkrecht zur Montagefläche (5) .
9. Optoelektronisches Bauteil (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem zwischen zumindest zwei Grundelementen (3) der Gruppe (30) eine Fuge zum Ausgleichen unterschiedlicher thermischer Ausdehnungskoeffizienten von Grundelementen (3) und Grundkörper (2) angebracht ist.
10. Optoelektronisches Bauteil (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, das zumindest zwei Gruppen (30) von Grundelementen (3) umfasst, wobei die Gruppen (30) , in einer Richtung senkrecht zu einer Längsausdehnung (L) der Gruppen (30) , lateral nebeneinander angeordnet sind.
11. Optoelektronisches Bauteil (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem wenigstens zwei Grundelemente (3) der Gruppe (30) an Randflächen (11) Vereinzelungsspuren aufweisen.
12. Optoelektronisches Bauteil (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, das ohne Bond-Drähte gestaltet ist.
13. Optoelektronisches Bauteil (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, das aus dem Grundkörper (2), der Gruppe (30) von Grundelementen (3) , den Feder- und/oder Druckkontakten (6) und elektrischen Leitungen besteht.
14. Optoelektronisches Bauteil (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei der
- die Gruppe (30) wenigstens sechs Grundelemente (3) umfasst, die einstückig ausgeführt sind,
- das optoelektronische Halbleiterelement (4) als Leuchtdiodenchip ausgestaltet ist, - der Grundkörper (2) mit einer Keramik oder einer Metallkernplatine gestaltet ist, und
- die Gruppe (30) der Grundelemente (3) mit genau zwei Federkontakten (6) mit dem Grundkörper (2) elektrisch und mechanisch kontaktiert ist.
PCT/DE2009/001391 2008-10-09 2009-10-08 Optoelektronisches bauteil Ceased WO2010040342A1 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102008051044A DE102008051044A1 (de) 2008-10-09 2008-10-09 Optoelektronisches Bauteil
DE102008051044.0 2008-10-09

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2010040342A1 true WO2010040342A1 (de) 2010-04-15

Family

ID=41531641

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/DE2009/001391 Ceased WO2010040342A1 (de) 2008-10-09 2009-10-08 Optoelektronisches bauteil

Country Status (2)

Country Link
DE (1) DE102008051044A1 (de)
WO (1) WO2010040342A1 (de)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102010045054A1 (de) 2010-09-10 2012-03-15 Osram Opto Semiconductors Gmbh Beleuchtungsvorrichtung
DE102013221141A1 (de) * 2013-10-17 2015-04-23 Annerose Streibl Leuchteinheit

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2001047036A1 (en) * 1999-12-22 2001-06-28 Lumileds Lighting, U.S., Llc Iii-nitride light-emitting device with increased light generating capability
WO2005008791A2 (en) * 2003-07-16 2005-01-27 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor light emitting device, method of manufacturing the same, and lighting apparatus and display apparatus using the same
US20050207165A1 (en) * 2001-08-09 2005-09-22 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. LED illumination apparatus and card-type LED illumination source
US20070237197A1 (en) * 2006-04-05 2007-10-11 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor light emitting device
US20080170396A1 (en) * 2006-11-09 2008-07-17 Cree, Inc. LED array and method for fabricating same

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8025199B2 (en) 2004-02-23 2011-09-27 Tyco Healthcare Group Lp Surgical cutting and stapling device
DE102007004304A1 (de) 2007-01-29 2008-07-31 Osram Opto Semiconductors Gmbh Dünnfilm-Leuchtdioden-Chip und Verfahren zur Herstellung eines Dünnfilm-Leuchtdioden-Chips

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2001047036A1 (en) * 1999-12-22 2001-06-28 Lumileds Lighting, U.S., Llc Iii-nitride light-emitting device with increased light generating capability
US20050207165A1 (en) * 2001-08-09 2005-09-22 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. LED illumination apparatus and card-type LED illumination source
WO2005008791A2 (en) * 2003-07-16 2005-01-27 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor light emitting device, method of manufacturing the same, and lighting apparatus and display apparatus using the same
US20070237197A1 (en) * 2006-04-05 2007-10-11 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor light emitting device
US20080170396A1 (en) * 2006-11-09 2008-07-17 Cree, Inc. LED array and method for fabricating same

Also Published As

Publication number Publication date
DE102008051044A1 (de) 2010-04-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE112016002417B4 (de) Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
EP1328976B1 (de) Led-modul
EP2057681B1 (de) Leuchtdiodenanordnung und verfahren zur herstellung einer solchen
EP2601820B1 (de) Optoelektronisches leuchtmodul und kfz-scheinwerfer
EP2601439B1 (de) Optoelektronisches leuchtmodul und kfz-scheinwerfer
DE102012002605B4 (de) Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils und optoelektronisches Halbleiterbauteil
WO2002005357A1 (de) Led-modul, verfahren zu dessen herstellung und dessen verwendung
WO2009132618A1 (de) Oberflächenmontierbares leuchtdioden-modul und verfahren zur herstellung eines oberflächenmontierbaren leuchtdioden-moduls
DE102012215684A1 (de) Laserbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
DE112015005127B4 (de) Optoelektronisches Halbleiterbauteil und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils
WO2016102474A1 (de) Optoelektronisches bauelement und verfahren zu seiner herstellung
EP2415077A1 (de) Optoelektronisches bauelement
EP3360167A1 (de) Optoelektronisches bauelement mit einem leiterrahmen mit einer versteifungsstruktur
DE112016005807T5 (de) Halbleitereinheit und Verfahren zur Herstellung derselben
DE102018103979B4 (de) Baugruppe mit einer Trägereinrichtung mit einem Chip und einer Komponente, die durch eine Öffnung montiert ist, und Verfahren zur Herstellung und zur Verwendung
DE112014003593B4 (de) Anordnung mit mindestens einem optoelektronischen Halbleiterchip
DE102015115812B4 (de) Bauelement sowie Verfahren zur Herstellung eines Bauelements
WO2010060417A1 (de) Leuchtdiodenmodul und leuchtdiodenbauteil
WO2010040342A1 (de) Optoelektronisches bauteil
WO2010108774A1 (de) Anordnung optoelektronischer bauelemente
WO2011003726A1 (de) Optoelektronisches bauteil und flachlichtquelle
WO2025202477A1 (de) Optoelektronisches bauelement und verfahren zum herstellen eines optoelektronischen bauelements
EP1839344B1 (de) Leuchtdiode sowie led-lichtquelle
WO2025120140A1 (de) Optoelektronisches bauelement
DE102023112753A1 (de) Bauelementpackage und verfahren zu dessen herstellung

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 09744936

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 09744936

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1