Compteur analogique et imaqeur incorporant un tel compteur
L'invention concerne un compteur analogique et un imageur, notamment infrarouge, incorporant un tel compteur analogique.
Les imageurs, notamment dans le domaine infrarouge, sont classiquement formés d'un grand nombre de pixels aptes chacun à mesurer la quantité de rayonnement qu'il reçoit (chaque pixel étant en général associé à une direction particulière du rayonnement reçu au moyen d'un système optique).
La grandeur physique mesurée au niveau de chaque pixel (au moyen d'un capteur prévu à cet effet) doit être convertie en un signal facilement exploitable, par exemple de type numérique. II a dans ce cadre été prévu qu'une partie du traitement de conversion soit intégrée à chaque pixel de l'imageur de manière notamment à ne transmettre à l'extérieur du pixel que des signaux suffisamment robustes.
On sait que l'on recherche par ailleurs à réduire autant que possible les dimensions des pixels, ce qui implique notamment de réduire les dimensions des circuits de traitement prévus comme expliqué ci-dessus dans chaque pixel.
Il a dans ce contexte été proposé par l'article "A Multi-Spectral Analog Photon Counting Read-Out circuit for X-ray Hybrid Pixel Detectors", de M. Prenzoni et al. in Instrumentation and Measurements Technology Conférence, Sorrento, Italie, 24-27 avril 2006 [IMTC 2006], IEEE, pp. 2003- 2006 d'utiliser des compteurs analogiques en lieu et place de compteurs binaires afin de réduire la surface nécessaire.
La mise en œuvre proposée dans ce document est toutefois rudimentaire et il est souhaitable d'améliorer en particulier la répétabilité et la précision du compteur afin d'obtenir un imageur de bonne qualité.
L'invention propose ainsi un compteur analogique comprenant, pour au moins un étage, une entrée destinée à recevoir des impulsions électriques,
des moyens pour modifier par incréments ou décréments successifs une tension de stockage à chaque impulsion reçue et des moyens de réinitialisation de la tension de stockage, comprenant un comparateur de la tension de stockage à un seuil apte à générer une information de dépassement et des moyens de commande aptes à commander les moyens de réinitialisation en cas de détection simultanée de l'information de dépassement du comparateur et d'une impulsion en entrée.
La réinitialisation (dont la mise en œuvre peut éventuellement être utilisée en tant que signal d'entrée de l'étage suivant) est ainsi faite en synchronisme avec une impulsion reçue en entrée, ce qui assure un fonctionnement précis du compteur.
Le comparateur peut comprendre des moyens de maintien de l'information de dépassement en l'absence de réinitialisation (notamment en attente de l'impulsion suivante), c'est-à-dire jusqu'à une réinitialisation ultérieure, ce qui permet d'assurer que la réinitialisation aura bien lieu malgré la condition mentionnée plus haut.
On peut prévoir également que le comparateur soit apte à générer l'information de dépassement postérieurement à la présence de l'impulsion en entrée ayant entraîné la tension de stockage au-delà du seuil, ce qui permet de déclencher la réinitialisation précisément sur l'impulsion suivant celle ayant entraîné le dépassement du seuil et d'utiliser ainsi complètement l'excursion en tension prévue pour la tension de stockage.
On peut ainsi prévoir de rendre possible la détection simultanée de l'information de dépassement et de l'impulsion en entrée uniquement lors de la réception d'une impulsion postérieure à une impulsion en entrée ayant entraîné la génération de l'information de dépassement.
En pratique, le comparateur a par exemple un temps de réponse supérieur à la durée des impulsions et inférieur à la période séparant deux impulsions, ce qui permet que l'information de dépassement apparaisse après l'impulsion en entrée ayant entraîné la tension de stockage au-delà du seuil mais avant l'impulsion suivante, qui entraînera donc la réinitialisation.
Le compteur analogique peut comprendre en outre des moyens pour forcer la tension de stockage à une tension prédéterminée supérieure au seuil, commandés par un signal de réinitialisation forcée. On réalise ainsi de manière particulièrement astucieuse des moyens de réinitialisation forcée de l'étage. Les moyens de commande peuvent être aptes à transmettre, à destination de l'entrée d'un étage suivant, une impulsion conditionnée par la présence de l'information de dépassement et de ladite impulsion en entrée. Les deux étages concernés travaillent ainsi de manière synchrone et le comptage est donc particulièrement précis. L'impulsion transmise à l'étage suivant peut en pratique être appliquée en tant que signal de commande desdits moyens de réinitialisation, ce qui simplifie la conception du dispositif.
Les moyens pour modifier la tension de stockage comprennent par exemple en pratique un circuit d'injection de charges, qui peut éventuellement lui-même comprendre trois transistors PMOS en série, dont deux transistors d'extrémité qui reçoivent sur la grille respectivement un signal porteur des impulsions et un signal complémentaire dudit signal porteur.
Le comparateur peut quant à lui comprendre deux transistors formant une paire différentielle et recevant respectivement sur leur grille la tension de stockage et le seuil, ainsi qu'un transistor commandé par l'information de dépassement et connecté en parallèle du transistor recevant le seuil de manière à le court-circuiter en présence de l'information de dépassement. On obtient ainsi de manière particulièrement simple une fonction d'hystérésis comme expliqué plus en détail dans la suite.
On peut prévoir par ailleurs que les moyens de commande comprennent un inverseur recevant en entrée l'information de dépassement et dont une borne de polarisation est connectée à ladite entrée, ce qui permet de réaliser de manière simple la détection de la condition susmentionnée. Un autre inverseur peut en outre mettre en forme l'information de dépassement reçue du comparateur, en particulier lorsque le comparateur génère en sortie une rampe de tension du fait de son temps de réponse précédemment évoqué.
Selon une possibilité de mise en œuvre décrite plus loin, le compteur analogique comprend au moins une capacité (par exemple deux capacités)
mémorisant au moins temporairement la tension de stockage et connectée aux moyens pour modifier la tension de stockage par l'intermédiaire d'un transistor, de manière à pouvoir sélectivement déconnecter la capacité de ces moyens notamment dans le but de lire la valeur mémorisée. Une paire différentielle peut en outre recevoir la tension de stockage, tout en étant sélectivement alimentée en fonction d'un signal de lecture, de manière à transmettre la valeur mémorisée à l'extérieur du pixel à travers la paire différentielle sur commande du signal de lecture.
L'invention propose également un imageur comprenant des moyens de mesure générant un signal électrique porteur d'impulsions dont la fréquence est représentative d'un rayonnement reçu, et un compteur analogique tel que décrit ci-dessus, le signal électrique étant appliqué à ladite entrée.
D'autres caractéristiques et avantages de l'invention apparaîtront mieux à la lumière de la description qui suit, faite en référence aux dessins annexés dans lesquels :
- la figure 1 représente les éléments principaux d'un pixel d'un imageur incorporant un compteur analogique conforme aux enseignements de la présente invention ;
- la figure 2 représente schématiquement les éléments fonctionnels d'un exemple de compteur analogique réalisé conformément aux enseignements de l'invention ;
- la figure 3 représente un exemple détaillé de réalisation possible pour un étage du compteur analogique de la figure 2 ;
- la figure 4 représente la conception du bus permettant la connexion de l'étage représenté à la figure 3 aux autres éléments de la colonne de pixels concernée ;
- la figure 5 illustre le comportement temporel de certains signaux présents dans le circuit de la figure 3.
La figure 1 représente le schéma général d'un pixel 2 d'imageur infrarouge comprenant un compteur réalisé selon les enseignements de l'invention. Un imageur infrarouge est naturellement composé d'une matrice d'un grand nombre de tels pixels 2.
Chaque pixel 2 comprend un capteur 4 (comprenant par exemple un micro-bolomètre et un transistor de polarisation) apte à générer un courant I indicatif (c'est-à-dire variable en fonction) du flux de rayonnement infrarouge reçu dans une bande passante donnée. Le courant I ainsi généré est appliqué à un circuit de conversion courant-fréquence qui émet en sortie des impulsions électriques à une fréquence dépendant du courant I.
On remarque que les impulsions électriques peuvent être constituées par un niveau logique haut ou en variante par un niveau logique bas (comme d'ailleurs représenté sur la figure 1 et dans les exemples décrits ci-après).
Les impulsions électriques émises par le circuit de conversion 6 sont appliquées à un compteur analogique 8, décrit en détail dans la suite, et dont le rôle consiste principalement à compter le nombre d'impulsions reçues sur une durée prédéterminée (le compteur 8 étant réinitialisé avec une période égale à cette durée) dans le but d'émettre en sortie sur un bus 10 des signaux représentant le nombre compté, et par conséquent représentatifs du flux de rayonnement infrarouge reçu par le capteur 4.
Comme cela ressortira notamment des explications qui suivent, le compteur 8 génère sur chaque élément conducteur du bus 10 une tension sur un nombre prédéterminé N de niveaux (et qui représente par conséquent sur chaque élément conducteur un entier compris entre 0 et N-1 ), de telle sorte que l'ensemble du bus représentera le nombre d'impulsions compté en base N, d'où l'appellation compteur base N (où N est de préférence strictement supérieur à 2 afin d'obtenir les avantages en termes de réduction de surface déjà mentionnés).
Les niveaux de tension portés par le bus 10 peuvent alors être transmis sur un bus principal 12 sur lequel sont transmises successivement
(c'est-à-dire par multiplexage temporel) les valeurs mesurées pour les différents pixels d'une colonne en vue de les convertir en numérique puis de les mémoriser.
Des variantes sont naturellement envisageable, comme par exemple la conversion analogique-numérique des signaux présents sur le bus 10 avant
leur transmission en pied de colonne au moyen du bus principal 12. On peut prévoir également des mécanismes de sauvegarde temporaire des niveaux de tension au moyen de capacités.
La figure 2 représente sous forme d'un schéma fonctionnel général un exemple de réalisation du compteur 8.
Le compteur 8 représenté à la figure 2 comprend un premier étage 81 et un second étage 82. On peut naturellement prévoir un nombre supérieur d'étages, chaque étage étant chaîné à l'étage suivant de la même manière que le premier étage 81 est chaîné au second étage 82 comme décrit plus bas. Tous les étages (ici le premier 81 et le second étage 82) sont formés sur la même architecture et on va donc décrire à présent l'architecture d'un étage 8,.
Chaque étage 8, reçoit en entrée un train d'impulsions électriques e, qui est alors appliqué d'une part à un circuit d'injection de charges 20, et d'autre part à un circuit de réinitialisation 24, (sur lequel on reviendra plus loin).
Le circuit d'injection de charges 20, est conçu pour augmenter sa tension de sortie V, d'une valeur fixe (ou incrément de tension) ΔV à chaque impulsion du signal e, (impulsion qui correspond à un niveau bas dans l'exemple décrit ici comme déjà mentionné). Cette augmentation du niveau de tension d'un incrément fixe est obtenue en pratique par l'injection par le circuit 20, d'une quantité fixe de charges, maintenues au point noté R (qui porte la tension V,) du fait de la présence d'une capacité dans le circuit de mémorisation 26, comme décrit plus en détail dans la suite.
Des circuits de ce type sont par exemple décrits dans la demande de brevet FR 2 888 074.
On utilise par exemple 8 niveaux analogiques (N=8) pour une excursion en tension de l'ordre de 1 ,4 V, ici entre un niveau analogique le plus bas de 0 V (potentiel de la masse GND) et un niveau analogique le plus haut d'environ 1 ,4 V (la tension d'alimentation étant de 1 ,8 V). On pourrait naturellement prévoir des valeurs différentes ; le niveau analogique le plus bas pourrait par exemple être non nul.
La tension V1 est appliquée notamment à l'entrée d'un comparateur 22, qui génère en sortie un signal de dépassement S1 lorsque la tension V1 a atteint son niveau analogique le plus haut (ce qui est déterminé par exemple par comparaison à un seuil légèrement inférieur à ce niveau analogique). Le comparateur 22, comprend un mécanisme d'hystérésis de sorte que, une fois que la tension V, a dépassé le seuil, l'information de dépassement S, est maintenue tant que la tension V, n'est pas revenue à son niveau analogique le plus bas comme expliqué à présent.
Le comparateur 22, a par ailleurs un temps de réponse supérieur à la durée des impulsions e, (mais inférieur à la durée séparant deux impulsions) de telle sorte que l'information de dépassement Si est générée après l'impulsion ayant provoqué son apparition, comme illustré en figure 5. En pratique, les impulsions ayant une durée de l'ordre de quelques nanosecondes (moins de 10 ns) et étant séparées l'une de l'autre d'au minimum 300 ns, on peut prévoir un temps de réponse de l'ordre de 100 ns.
L'information de dépassement S, est appliquée au circuit de réinitialisation 24,, qui reçoit également le signal e, porteur d'impulsions reçu en entrée.
Le circuit de réinitialisation 24, commande le retour de la tension V, au niveau analogique le plus bas lorsqu'il reçoit en entrée à la fois l'information de dépassement S, et une impulsion du signal d'entrée e,. Comme on le verra dans la suite, la réinitialisation est par exemple réalisée par la décharge de la capacité de mémorisation de la tension V, déjà mentionnée ci-dessus. On notera alors que la durée nécessaire à l'annulation de l'information de dépassement après réception d'une impulsion est de préférence supérieure à la durée de cette impulsion et inférieure à la durée minimale entre deux impulsions consécutives.
Comme déjà indiqué, le circuit de mémorisation 26, permet la mémorisation temporaire (notamment durant le comptage) de la tension V, au moyen d'une capacité, puis, lorsque la durée de comptage est écoulée, la transmission de la tension V, obtenue en fin de comptage (qui représente donc le nombre d'impulsions reçues dans l'entrée e, modulo N) sur le bus 10.
Le signal émis en sortie du circuit de réinitialisation 24, est par ailleurs transmis en tant que signal d'entrée e,+i de l'étage suivant (sauf naturellement lorsqu'il s'agit du dernier étage), comme montré en figure 2 où la sortie du circuit de réinitialisation 24i est appliquée en tant que signal d'entrée e2 du second étage 82, et donc en pratique au circuit d'injection 2O2 et au circuit de réinitialisation 242 du second étage 82.
Chaque étage (à partir du second étage) compte ainsi une impulsion lorsque l'étage précédent, après avoir balayé les N niveaux analogiques, est réinitialisé (ce qui constitue le principe de base du comptage en base N). On remarque que, du fait que le circuit de réinitialisation 24, émet son signal en sortie seulement en présence d'une impulsion dans le signal e, qu'il reçoit en entrée, les impulsions de ce signal de sortie du circuit de réinitialisation 24, sont synchrones avec les impulsions du signal e, sur le plan de la phase (c'est-à-dire de l'instant de début des impulsions). De plus, dans le cas où l'annulation de l'information de dépassement est suffisamment lente par rapport à l'impulsion du signal e, l'ayant généré, les impulsions du signal de sortie du circuit de réinitialisation 24, sont sensiblement de même durée que les impulsions du signal e,.
L'utilisation de ce signal en sortie comme entrée de l'étage suivant, permet ainsi d'une part de faire correspondre précisément les impulsions reçues à l'étage e,+i à celles du signal e, reçues en entrée de l'étage précédent, et donc d'obtenir un fonctionnement synchrone des différents étages.
De plus, la durée des impulsions en entrée étant la même pour l'étage concerné (signal e,) et l'étage suivant (signal e,+i), la quantité de charge injectée par les divers circuits d'injection 20,, qui dépend naturellement de la durée des impulsions reçues en entrée, est particulièrement homogène sur l'ensemble des étages, ce qui permet d'obtenir des incréments en tension identiques dans les différents étages.
L'architecture présentée ci-dessus permet par ailleurs, en particulier grâce au temps de réaction du comparateur, de déclencher la remise à zéro précisément lors de l'arrivée de l'impulsion suivant celle qui a entraîné le dépassement du seuil (c'est-à-dire l'arrivée au dernier niveau de tension
analogique) ce qui entraîne ici aussi un fonctionnement très précis du compteur (alors qu'à l'opposé la réinitialisation sur la base de la simple information de dépassement prévue dans les systèmes classiques serait prématurée et entraînerait la perte du dernier niveau analogique). Cette propriété permet ainsi d'utiliser pleinement l'excursion en tension. Par rapport aux systèmes classiques, on peut soit obtenir un niveau analogique supplémentaire pour un même incrément en tension (avec une sensibilité au bruit identique), soit obtenir un incrément en tension plus grand pour un nombre de niveaux identique et donc avoir un meilleur rapport signal/bruit.
La figure 3 représente un exemple détaillé de mise en œuvre envisageable pour chaque étage 81, 82 du compteur de la figure 2.
On remarque d'ores et déjà que, dans cette mise en œuvre détaillée, on utilise non seulement les signaux e, porteur d'impulsions en entrée de chaque étage, mais également le signal complémentaire ^ .
On note par ailleurs que, sur la figure 3, l'alimentation de certains circuits par la tension d'alimentation nominale du circuit électronique est notée V0C (ici Vcc=1 ,8 V), tandis que la connexion à un triangle représente une connexion à la masse. Le circuit d'injection de charges 20, comprend trois transistors PMOS
Ti, T2, T3 connectés en série (c'est-à-dire le drain de l'un étant relié à la source de l'autre), la source du premier Ti de ces trois transistors PMOS étant reliée à la tension Vcc tandis que le drain du troisième transistor PMOS T3 forme la sortie du circuit d'injection 20,, où s'établit la tension V, représentative du nombre d'impulsions dénombrées.
Le premier transistor Ti reçoit sur sa grille le signal ^ complémentaire du signal d'entrée e,, le second transistor T2 reçoit sur sa grille une tension fixe VCharge et le troisième transistor T3 reçoit sur sa grille le signal d'entrée e,. Ainsi, lorsqu'une impulsion arrive dans le signal d'entrée e, (une impulsion étant représentée par un niveau bas de ce signal dans l'exemple décrit ici comme déjà mentionné ci-dessus), le troisième transistor PMOS T3
devient passant (tandis que le premier transistor Ti est bloqué du fait de l'application du signal complémentaire et ) de sorte que les charges précédemment accumulées entre les premier et troisième transistors Ti, T3 (avant l'arrivée de l'impulsion) sont transférées à la sortie du circuit d'injection 20, et provoquent donc l'augmentation de la tension V, d'un incrément prédéterminé ΔV.
Une fois l'impulsion dans le signal e, passée, le troisième transistor T3 se bloque tandis que le premier transistor Ti devient passant, ce qui provoque l'accumulation de charges à transmettre en sortie au cours de l'impulsion suivante.
La tension fixe VCharge est fournie par une source de tension et utilisée par plusieurs étages, voire plusieurs pixels. Le niveau de cette tension fixe Vcharge est constant au cours du fonctionnement d'acquisition mais on peut prévoir qu'il soit variable, par exemple au cours d'une phase de calibration, de manière à régler la quantité de charges transmises à chaque impulsion.
On utilise par ailleurs de préférence dans le circuit d'injection 20, des transistors PMOS comme déjà indiqué du fait de la faiblesse généralement constatée de leur courant de fuite par rapport à des transistors réalisés en technologie NMOS. Comme déjà mentionné à propos de la figure 2, la tension V, en sortie du circuit d'injection 20, (point R) est appliquée en entrée du comparateur 22,, où elle est comparée à une tension fixe VSΘUιi légèrement inférieure (par exemple d'environ 100 mV dans le présent exemple où les niveaux analogiques diffèrent d'environ 200 mV) au niveau analogique le plus haut que peut prendre la tension V,. On notera ici également que la tension est éventuellement réglable lors d'une phase de calibration précédant le fonctionnement normal, dans le but notamment de compenser des dispersions technologiques éventuelles (défaut d'uniformité des valeurs obtenues en pratique sur l'ensemble des pixels). Le comparateur 22, comprend un transistor PMOS T4 dont la grille reçoit la tension V, et un transistor PMOS T5 dont la grille reçoit la tension VSΘUιi, les transistors T4 et T5 étant reliés par leurs sources respectives à un point où
est également connecté le drain d'un transistor PMOS T8 dont la source est mise à la tension d'alimentation VCc et dont la grille reçoit une tension de polarisation Vp0iar-
Les drains des transistors T4 et T5 sont respectivement reliés à la masse GND par un transistor NMOS T6 et par un transistor NMOS T7 (ayant chacun leur source à la masse), les transistors T6 et T7 étant reliés par leurs grilles respectives à un point également connecté au drain du transistor T7.
On prévoit également de relier la source et le drain du transistor T5 avec interposition d'un transistor PMOS TH (les sources des transistors T5 et TH étant en contact) de manière à créer une branche dite "d'hystérésis", le transistor TH recevant également sur sa grille la tension S1 présente au niveau du drain du transistor T4.
Tant que la tension V1 est inférieure à la tension VSΘUιi, la tension S1 (présente notamment au niveau du drain du transistor T4 comme il vient d'être indiqué) est au niveau haut (représentatif dans l'exemple décrit ici d'une absence d'information de dépassement).
Le transistor TH, auquel est également appliquée la tension S, et qui permet de générer la fonction d'hystérésis comme décrit plus bas, est alors désactivé. Lorsque la tension V1 augmente du fait du comptage des impulsions comme décrit plus haut jusqu'à dépasser la tension VSΘUιi, la tension S1 passe, avec le temps de réaction déjà mentionné (cf. figure 5), à zéro (indiquant ainsi le dépassement du seuil au circuit de réinitialisation 24, avec les conséquences détaillées ci-après), ce qui a en outre pour effet de commander la fermeture du transistor TH et d'activer la branche dite "d'hystérésis" qui comporte ce transistor TH et qui court-circuite de ce fait le transistor T5 du comparateur qui reçoit la tension VSΘUιi-
De ce fait, le comparateur continuera à délivrer l'information de dépassement (S1 à zéro) tant que la tension V1 ne sera elle-même revenue à zéro du fait de la réinitialisation à venir comme expliqué à présent.
Comme déjà indiqué, l'information de dépassement portée par la tension S1 est appliquée en entrée du circuit de réinitialisation 24,.
Le circuit de réinitialisation 24, comprend successivement trois inverseurs h, I2, h.
Le premier inverseur h comprend un transistor PMOS T9 et un transistor NMOS Ti0 reliés par leurs drains respectifs (en un point qui constitue la sortie du premier inverseur h) et recevant chacun la tension S1 sur leur grille, les sources des transistors T9 et Ti0 étant reliées respectivement à la tension d'alimentation VCc et à la masse GND.
Le second inverseur I2 comprend un transistor PMOS Tn et un transistor NMOS Ti2 reliés par leurs drains respectifs (en un point qui constitue la sortie du second inverseur I2) et recevant chacun la sortie du premier inverseur h sur leur grille, la source du transistor Tn étant reliée à la tension d'alimentation VCc tandis que le signal e, reçu en entrée de l'étage concerné est appliqué à la source du transistor Ti2.
Le signal en sortie du second inverseur I2 est transmis à l'étage suivant en tant que signal d'entrée e,+i comme expliqué ci-après.
Le troisième inverseur I3 comprend un transistor PMOS Ti3 et un transistor NMOS Ti4 reliés par leurs drains respectifs (en un point qui constitue la sortie du troisième inverseur I3) et recevant chacun la sortie du second inverseur I2 sur leur grille, les sources des transistors Ti3 et Ti4 étant reliées respectivement à la tension d'alimentation VCc et à la masse GND.
Le signal en sortie du troisième inverseur I3 est notamment transmis à l'étage suivant en tant que signal e1+ι complémentaire du signal d'entrée e,+i.
On explique à présent le fonctionnement de ces trois inverseurs en série. Comme déjà indiqué, la tension S, est appliquée à l'entrée du premier inverseur h qui génère donc en sortie un signal dans lequel l'information de dépassement générée par le comparateur 22, correspond à un niveau haut.
On remarque que le premier inverseur h réalise une remise en forme du signal S, (qui présente la forme d'une rampe de tension du fait du temps de réaction du comparateur supérieur à la durée des impulsions comme déjà mentionné) et que l'on peut ainsi considérer que l'information de dépassement
est générée lorsque que le signal S1 est suffisamment faible pour entraîner le basculement du premier inverseur h, ici vers un niveau haut en sortie.
Le second inverseur I2 reçoit quant à lui (au niveau de la source du transistor NMOS Ti2 comme déjà indiqué) le signal e, porteur d'impulsions et reçu en entrée de l'étage 8, concerné de telle sorte que la sortie du second inverseur I2 est à un niveau bas si et seulement si sont présentes simultanément une impulsion (niveau bas) dans le signal e, et l'information de dépassement reçue du comparateur 22,. La sortie du second inverseur I2 peut ainsi être utilisée en tant que signal d'entrée e,+i de l'étage suivant, avec des impulsions sensiblement synchrones à celles du signal e, (le décalage temporel généré par le second inverseur I2 étant négligeable dans la présente application).
Ce signal est également appliqué au troisième inverseur I3 ce qui permet de générer à la fois le signal complémentaire e1+ι destiné à l'étage suivant et la commande d'un transistor de réinitialisation NMOS TR qui décharge, lorsqu'il devient passant (c'est-à-dire lorsque le signal en sortie du troisième inverseur I3 est au niveau haut), la tension V, accumulée en sortie du circuit injecteur 20,, ce qui provoque la réinitialisation (ou remise à zéro) de l'étage du compteur. On remarque qu'on a ainsi un très bon synchronisme entre la réinitialisation (ou remise à zéro) d'un étage 8, et le comptage d'une impulsion à l'étage 8,+i, caractéristiques du comptage en base N.
Selon une variante envisageable, on pourrait remplacer les deux inverseurs h et I2 par une bascule de type flip-flop et obtenir les mêmes fonctionnalités : la bascule reçoit dans ce cas en entrée le signal S, et sur son entrée d'horloge le signal e,, ce qui permet d'obtenir en sortie un signal e,+i conforme à ce qui est décrit ci-dessus.
La réinitialisation, qui vient d'être décrite comme conséquence de l'atteinte du niveau analogique le plus haut par la tension de sortie V,, peut également être commandée par application d'une impulsion d'un signal RST à la grille d'un transistor PMOS TRSτ dont le drain est relié au point R (porteur de la tension V,) et dont la source est connectée à la tension d'alimentation Vcc : le
transistor TRSτ devenant passant, la tension nominale (tension d'alimentation) V0C est appliquée au point R ; la tension V1 est alors égale à la tension d'alimentation Vcc et par conséquent supérieure au niveau analogique le plus haut (et donc à la tension VSΘUιi), ce qui déclenche le fonctionnement déjà décrit au sein du comparateur 22, et du circuit de réinitialisation 24, et par suite la réinitialisation de la tension V,.
On notera que la réinitialisation du compteur s'effectue en pratique lors de l'arrivée d'une impulsion en entrée du compteur. Ce type de réinitialisation est préférable à une réinitialisation au moyen d'un transistor NMOS de décharge. En effet, lors de l'ouverture d'un tel transistor NMOS après décharge, une tension négative peut apparaître sur le point R. Ceci accentue les fuites des transistors reliés à ce nœud et il est alors difficile d'assurer un niveau bas analogique fixe et déterminé. Cette incertitude sur le niveau du point R peut en outre être accentuée si le temps d'attente entre la réinitialisation et le comptage effectif n'est pas maîtrisé. Ainsi, en réinitialisant le compteur comme indiqué ci-dessus, à un moment où on souhaite comptabiliser des impulsions en entrée, il est possible de maitriser la tension présente sur le nœud R après réinitialisation. En outre, le fait d'assurer une réinitialisation du nœud R à une tension égale ou supérieure à la masse, permet de diminuer les fuites parasites vers le nœud R de chaque étage. Le niveau analogique bas est ainsi sensiblement le même pour chaque étage indépendamment de l'instant de début de comptage de chaque étage.
On obtient ainsi de manière très simple un mécanisme de réinitialisation forcé de l'étage, qui utilise en outre les mêmes éléments et le même processus que la réinitialisation de l'étage à chaque dépassement du seuil lors du comptage, ce qui permet d'obtenir dans tous les cas une réinitialisation identique de la tension V, (et donc bien calibrée) ; ce mécanisme est notamment utilisé pour remettre à zéro le compteur (réinitialisation forcée de tous les étages du compteur) lorsque la durée de comptage est écoulée (et naturellement après mémorisation de la valeur comme décrit maintenant).
Le circuit de mémorisation 26, comprend deux capacités Ci, C2, chacune étant connectée à la sortie du circuit d'injection 20, (point R de tension
V1) par un transistor NMOS (respectivement noté Ti5, Ti6) commandé respectivement par des signaux Pi, P2.
Les signaux appliqués Pi, P2 sont tel qu'en fonctionnement une seule des deux capacités Ci, C2 est connectée à la sortie du circuit d'injection 20,, la capacité connectée (par exemple Ci) permettant la mémorisation (ou stockage) temporaire de la valeur pendant la durée du comptage.
Lorsque cette durée est écoulée, le transistor précédemment fermé s'ouvre (du fait naturellement de sa commande appropriée, dans l'exemple par le signal Pi) ce qui permet d'isoler la capacité concernée (dans l'exemple Ci) et de conserver la valeur représentative du nombre d'impulsions dénombré.
On peut alors fermer le transistor permettant la connexion de l'autre capacité (dans l'exemple C2) à la sortie du circuit d'injection 20, et commander la réinitialisation forcée de l'étage (simultanément d'ailleurs à celle des autres étages du compteur) par commande à l'aide du signal RST comme mentionné plus haut.
Le dénombrement des impulsions reçues reprend donc avec mémorisation temporaire sur cet autre transistor (C2 dans l'exemple). On profite de cette nouvelle durée de comptage pour transmettre la valeur mémorisée sur la première capacité (Ci dans l'exemple) vers le bus 10 comme décrit ci-après (lecture de la valeur mémorisée sur la capacité vers le bus 10 à l'aide de circuits suiveurs commandés par les signaux de lecture Li, L2).
Chaque capacité Ci, C2 est en effet connectée au bus 10 par l'intermédiaire d'une paire différentielle alimentée à travers un transistor PMOS (respectivement noté Ti7, Ti8) recevant sur sa grille le signal de lecture (respectivement Li, L2).
Plus précisément, la borne de la capacité Ci liée au transistor T15 est également connectée à la grille d'un transistor PMOS T21 dont la source est reliée d'une part à la source d'un transistor PMOS T22 (pour former la paire différentielle) et d'autre part au drain du transistor Ti7. La grille du transistor T22 est par ailleurs reliée au drain de ce même transistor T22.
Le bus 10 est ici formé de trois fils 10i, 1 O2, 1 O3 connectés respectivement à la source du transistor Ti7 (pour connexion à une source de
courant en tête de colonne comme expliqué plus loin), au drain du transistor T2i et au drain du transistor T22 (pour connexion à un miroir de courant en pied de colonne comme expliqué plus loin).
De manière identique, la borne de la capacité C2 liée au transistor T16 est également connectée à la grille d'un transistor PMOS T19 dont la source est reliée d'une part à la source d'un transistor PMOS T2o (pour former la paire différentielle) et d'autre part au drain du transistor Ti8. La grille du transistor T20 est par ailleurs reliée au drain de ce même transistor T20.
Les trois fils 10i, 1 O2, 1 O3 du bus 10 sont donc connectés respectivement à la source du transistor Ti8 (pour connexion à la source de courant en tête de colonne), au drain du transistor T19 et au drain du transistor T20 (pour connexion au miroir de courant en pied de colonne).
On a représenté en figure 4 la paire différentielle 30 (transistors T21, T22) et le transistor Ti7 (associés à la capacité Ci comme décrit précédemment) et leur connexion aux éléments en tête de colonne et en pied de colonne rapidement évoquée précédemment. Par souci de simplification, les éléments (T18, T19, T20) associés à la capacité C2 ne sont pas représentés sur la figure 4 ; leur connexion en tête et en pied de colonne est toutefois réalisée de manière identique comme déjà expliqué en référence à la figure 3. Comme bien visible en figure 4, la source du transistor Ti7 recevant le signal de lecture Li est connectée par l'intermédiaire du fil 1 Oi du bus 10 au drain d'un transistor PMOS T23 situé en tête de colonne 30 et formant source de courant (du fait que sa source est mise à la tension d'alimentation VCc)-
Les drains des transistors T21, T22 formant la paire différentielle 34 sont quant à eux respectivement connectés par les fils 1O2, 1 O3 du bus 10 aux drains de transistors NMOS T24, T25 situés en pied de colonne 32 et formant miroir de courant, le drain du transistor T24 étant également connecté aux grilles des transistors T24 et T25 et les sources de ces transistors T24, T25 étant mises à la masse GND. Les éléments (T23, T24, T25) en tête de colonne 30 et en pied de colonne 32 sont communs à l'ensemble des pixels de la colonne ; ainsi, pour chacun des pixels de la colonne, le bus 10 est connecté à ces éléments T23,
T24, T25 de manière identique à ce qui vient d'être décrit pour le pixel représenté en figure 4.
On voit ainsi clairement que la fermeture du transistor Ti7 relatif à un pixel particulier (fermeture commandée par le signal de lecture Li) permet de connecter (entre source de courant et miroir de courant) la paire différentielle 34 du pixel concerné et de lire ainsi sur la grille du transistor T22 une valeur Vs correspondant à celle mémorisée grâce à la capacité Ci dans le pixel concerné.
On lit de la même manière la valeur mémorisée par la capacité C2 par fermeture du transistor Ti8 associé au moyen du signal L2. La valeur lue peut alors être traitée, par exemple convertie en numérique comme déjà indiqué.
Le mode de réalisation qui précède n'est naturellement qu'un exemple possible de mise en œuvre de l'invention, qui ne s'y limite pas.
D'autres circuits que ceux présentés ci-dessus pourraient notamment être utilisés pour assurer les fonctions d'injection de charges, de comparaison et de réinitialisation.
On pourrait également prévoir de dénombrer les impulsions en réinitialisant la tension mémorisée à une valeur maximale et en décrémentant cette valeur à chaque impulsion reçue. On a par ailleurs décrit un exemple de circuit réalisé en technologie
CMOS, mais on pourrait naturellement envisager des implémentations dans d'autres technologies, telle qu'en logique bipolaire, ou avec des transistors complémentaires de ceux qui ont été décrits (auquel cas on pourra par exemple prévoir que l'impulsion en entrée soit appliquée en tête de l'inverseur correspondant à I2).
On pourra en outre, dans le cas où la technologie de réalisation du circuit permet de disposer de transistors "grille mince" fonctionnant par exemple avec une tension maximale de 1 ,8V et de transistors "grille épaisse" fonctionnant par exemple avec une tension 3,3V, utiliser des transistors grille épaisse qui présentent généralement des fuites plus faibles. De tels transistors pourront avantageusement être utilisés pour réaliser le circuit d'injection de charges, les transistors de réinitialisation TR et TRSτ et le premier inverseur h.