WO2009028114A1 - エッチング装置 - Google Patents

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WO2009028114A1
WO2009028114A1 PCT/JP2007/072920 JP2007072920W WO2009028114A1 WO 2009028114 A1 WO2009028114 A1 WO 2009028114A1 JP 2007072920 W JP2007072920 W JP 2007072920W WO 2009028114 A1 WO2009028114 A1 WO 2009028114A1
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buffers
etching chamber
cylinder
etching
etching system
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PCT/JP2007/072920
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English (en)
French (fr)
Inventor
Minoru Suzuki
Yoshimasa Miyajima
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Ulvac, Inc.
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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching

Abstract

　反応性ガスの消費を抑えるとともに、稼働率の低下を抑制することができるエッチング装置。エッチング装置の第１及び第２バッファ（２３，２５）は、シリンダ（２１）とエッチング室（１１）との間に、それぞれバルブ（２２ａ，２４ａ，２６ａ）を有する配管（２２，２４，２６）を介して直列に接続されている。制御装置（４０）は、バルブ（２２ａ，２４ａ，２６ａ）を個別に制御する。配管（２２，２４，２６）ならびに第１及び第２バッファ（２３，２５）は、シリンダ（２１）からエッチング室（１１）に続くガス供給経路を形成する。シリンダ（２１）は、エッチング室（１１）の圧力よりも高い圧力に設定されている。第１及び第２バッファ（２３，２５）ならびにエッチング室（１１）は、それらの圧力がガス供給経路の上流から下流に向かって順に低くなるように異なる圧力に設定されている。
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