WO2009025118A1 - Résonateur piézoélectrique et procédé pour sa fabrication - Google Patents

Résonateur piézoélectrique et procédé pour sa fabrication Download PDF

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Korekiyo Ito
Keiichi Umeda
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Murata Manufacturing Co., Ltd.
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Abstract

L'invention concerne un résonateur piézoélectrique dans lequel les caractéristiques ne sont pas compromises même si le nombre de couches de réflexion acoustique est réduit. L'invention concerne aussi son procédé de fabrication. Un résonateur piézoélectrique (10) comprend (a) un substrat (12), (b) une partie oscillante (2) dans laquelle un film mince piézoélectrique (16) est pris en sandwich entre une paire d'électrodes (15, 17), et (c) une couche de réflexion acoustique (4) dans laquelle une pluralité de couches à faible impédance acoustique (13a, 13b, 13c) composées d'un matériau ayant une relativement faible impédance acoustique et une pluralité de couches à impédance acoustique élevée (14a, 14b) composées d'un matériau ayant une impédance acoustique relativement élevée sont disposées de façon alternée au moins entre le substrat (12) et la partie oscillante (2). Au moins une des couches à impédance acoustique faible (13a, 13b, 13c) est un film d'oxyde de silicium ayant une contrainte de traction, et au moins une des couches à impédance acoustique élevée (14a, 14b) est un film de tungstène ayant une contrainte de compression.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014020788A1 (fr) * 2012-08-01 2014-02-06 パナソニック株式会社 Procédé de fabrication d'élément électroluminescent organique
JP2014154864A (ja) * 2013-02-14 2014-08-25 Ricoh Co Ltd アクチュエータの製造方法、アクチュエータ、液滴吐出ヘッド、インクカートリッジ、および画像形成装置
WO2023171715A1 (fr) * 2022-03-09 2023-09-14 京セラ株式会社 Dispositif à ondes élastiques, filtre de dérivation, dispositif de communication et procédé de fabrication de dispositif à ondes élastiques

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05326445A (ja) * 1992-05-20 1993-12-10 Matsushita Electron Corp 半導体装置の製造方法
JP2004119938A (ja) * 2002-09-30 2004-04-15 Samco International Inc 酸化シリコン膜製造方法及び装置
JP2005244184A (ja) * 2004-01-28 2005-09-08 Toshiba Corp 薄膜圧電素子及び薄膜圧電素子の製造方法
JP2006050021A (ja) * 2004-07-30 2006-02-16 Toshiba Corp 薄膜圧電共振器及びその製造方法
JP2007181185A (ja) * 2005-12-01 2007-07-12 Sony Corp 音響共振器およびその製造方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05326445A (ja) * 1992-05-20 1993-12-10 Matsushita Electron Corp 半導体装置の製造方法
JP2004119938A (ja) * 2002-09-30 2004-04-15 Samco International Inc 酸化シリコン膜製造方法及び装置
JP2005244184A (ja) * 2004-01-28 2005-09-08 Toshiba Corp 薄膜圧電素子及び薄膜圧電素子の製造方法
JP2006050021A (ja) * 2004-07-30 2006-02-16 Toshiba Corp 薄膜圧電共振器及びその製造方法
JP2007181185A (ja) * 2005-12-01 2007-07-12 Sony Corp 音響共振器およびその製造方法

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014020788A1 (fr) * 2012-08-01 2014-02-06 パナソニック株式会社 Procédé de fabrication d'élément électroluminescent organique
US20140349432A1 (en) * 2012-08-01 2014-11-27 Panasonic Corporation Method for manufacturing organic electroluminescent element
US9312488B2 (en) 2012-08-01 2016-04-12 Joled Inc. Method for manufacturing organic electroluminescent element with bi-layer cathode
JPWO2014020788A1 (ja) * 2012-08-01 2016-07-21 株式会社Ｊｏｌｅｄ 有機電界発光素子の製造方法
JP2014154864A (ja) * 2013-02-14 2014-08-25 Ricoh Co Ltd アクチュエータの製造方法、アクチュエータ、液滴吐出ヘッド、インクカートリッジ、および画像形成装置
WO2023171715A1 (fr) * 2022-03-09 2023-09-14 京セラ株式会社 Dispositif à ondes élastiques, filtre de dérivation, dispositif de communication et procédé de fabrication de dispositif à ondes élastiques

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