WO2008113571A1 - Gas distribution system - Google Patents

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WO2008113571A1
WO2008113571A1 PCT/EP2008/002196 EP2008002196W WO2008113571A1 WO 2008113571 A1 WO2008113571 A1 WO 2008113571A1 EP 2008002196 W EP2008002196 W EP 2008002196W WO 2008113571 A1 WO2008113571 A1 WO 2008113571A1
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WO
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gas
channel system
gas supply
gas distributor
outlet nozzles
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PCT/EP2008/002196
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French (fr)
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WO2008113571A9 (en
Inventor
Andreas Pflug
Michael Siemers
Bernd Szyszka
Michael Geisler
Original Assignee
Leybold Optics Gmbh
Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V.
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Publication date
Application filed by Leybold Optics Gmbh, Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. filed Critical Leybold Optics Gmbh
Publication of WO2008113571A1 publication Critical patent/WO2008113571A1/en
Publication of WO2008113571A9 publication Critical patent/WO2008113571A9/en

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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431Constructional details of the reactor
    • H01J37/3244Gas supply means
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563Gas nozzles
    • C23C16/45565Shower nozzles
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431Constructional details of the reactor
    • H01J37/3244Gas supply means
    • H01J37/32449Gas control, e.g. control of the gas flow

Definitions

  • the invention relates to a gas distribution system according to the preamble of the independent claims.
  • Parallel-plate plasma reactors are used in particular in the field of photovoltaics for the purpose of depositing amorphous or microcrystalline silicon layers in a SiH 4 -H 2 plasma.
  • T. Repmann "Stacked solar cells made of amorphous and microcrystalline silicon” describes such a parallel plate reactor, here it turns out that over the entire coating surface consistent electrical quality of the solar cell can only be achieved if sufficient homogeneity of a -Si / Dc-Si layer is given both in terms of the layer thickness and the morphology.
  • the gas inlet is designed in the form of a gas shower, which is integrated in the form of a regular array of gas inlet nozzles in one of the two electrode plates.
  • the known quaternary branching system uses quadruple branches each.
  • the channels in different levels of branching run partially overlapping, so that this concept is structurally relatively complex to implement.
  • the object of the invention is to provide a gas distribution can be avoided with the disadvantages of the prior art.
  • the gas distribution system has at least three, preferably solid plates, of which the first has a gas supply line, the third has a preferably two-dimensional arrangement of gas outlet nozzles.
  • the second plate is disposed between the first and the third, wherein the second plate includes at least one channel system which interconnects gas supply and outlet nozzles.
  • a subregion of the channel system with at least 60% of the total area of the channel system is arranged in the middle plate, preferably non-overlapping and preferably in one plane, and that at least 60% of the branching points of the channel system are binary branch points.
  • a branch point of the channel system is defined as a position in the channel system in which the gas can flow from a volume into more than one volume. For example, at a binary branch point, the gas may flow in two volumes.
  • the non-overlapping and / or lying in a plane portion of the channel system has at least 70%, 80%, 90% or 95% share of the total area of the channel system. It is further preferred if at least 70%, 80%, 90% or 95% of the branch points of the channel system are binary branch points.
  • An embodiment of the invention is preferred with a common gas supply line and / or a regular array of gas outlet nozzles, wherein the channel system connects the common gas supply line with the gas outlet nozzles in such a way that the flow conductance values of each connection are equal within the manufacturing tolerances.
  • the connections between gas supply line and gas outlet openings are realized by channels milled within a rectangular, solid plate, which preferably have a rectangular cross-section.
  • the channel system is realized in one plane and / or the channel system contains only binary branches.
  • the plate is clamped vacuum-tight between two further rectangular plates.
  • the openings for gas supply and -austrittsö réelleen be realized through holes whose longitudinal axes are preferably perpendicular to the aforementioned channels within the middle plate.
  • only three superimposed or successively arranged metal plates are provided, of which the middle contains a preferably milled channel system, while the two outer plates contain the common gas inlet or the grid of the gas outlet nozzles in the form of circular holes.
  • this relates to a plasma reactor comprising two parallel plates which are connected to an electrical power supply. At least one of the two plates in this case contains a gas distributor which contains at least one channel system which connects gas supply line and outlet nozzles with one another. According to the invention, a subregion of the channel system with at least 60% of the total area of the channel system is arranged in the middle plate, preferably non-overlapping and preferably in one plane, and that at least 60% of the branching points of the channel system are binary branch points.
  • the plasma reactor consists of two parallel plates and / or the channel system or the partial area connects the common gas supply line with the gas outlet nozzles in such a way that the flow conductance values of each connection are equal within the manufacturing tolerances and / or has exclusively binary branch points.
  • Figure 1 an illustration of the design rule for the milling pattern of a two-dimensional, binary gas distributor system.
  • Figure 2 exemplary embodiments for the connection of a plurality of gas distributors of the third order by U-shaped channels in order to provide non-square surfaces with a uniform grid of gas outlet nozzles can.
  • FIG. 3 Exemplary embodiments using two gas flow regulators for a gas distributor system
  • Figure 4 Calculated H 2 pressure distribution along the dashed line in the left graph.
  • the realization according to the invention of a uniform flow conductance value of all duct connections is illustrated by the following concept: on a rectangular plate with the dimensions L X + 2U, L Y + 2V, in the first step a horizontal line of length L x / 2 and two vertical lines of length are formed L ⁇ / 2 an H - shape drawn centrally on the rectangular plate.
  • the parameters U and V specify horizontal and vertical edges in which no gas outlet nozzles are provided.
  • the H-shape has four ends which have a distance L x / 2 in the horizontal direction and a distance L ⁇ / 2 from each other in the vertical direction.
  • Each line now represents the central axis of a channel to be milled.
  • the channel width D must be smaller than half the grid spacing of the end points of the last iteration step. It now results, for example by complete induction, that the flow conductance values from the middle of the first H-shape to the end points of the H-shapes of the last iteration stage are equal within the production tolerances.
  • the basic form of the gas distributor according to the invention is characterized in that, in the two-dimensional arrangement of the gas outlet nozzles, the number of columns and rows is 2 M in each case, wherein M corresponds to the number of iteration stages in the design.
  • An approximately square plate can be coated with this concept with a grid of gas outlet nozzles, in which the vertical and vertical distances between adjacent nozzles are approximately equal.
  • this concept would require a corresponding distortion between horizontal and vertical spacing of adjacent nozzles.
  • an embodiment of the invention provides for connecting two channel networks of order M through a further, U-shaped channel, as shown in FIG.
  • Figure 3 shows a rectangle with a length to width ratio of 2/3 (left graph) and 4/5 (right graph), which is coated with a uniform grid of gas outlet nozzles.
  • the gas distributors described can be used, for example, in a plasma reactor consisting of two parallel or three plates, which are connected to an electrical power supply, wherein at least one of the two plates contains a gas distributor.
  • the gas distributor can have a channel system which connects the gas supply line and outlet nozzles with one another such that the flow conductance between the gas supply line and each gas outlet nozzle is equal within the production tolerances, and it is provided that the channel system does not overlap between the gas supply line and the gas outlet nozzles in the middle plate is constructed in a single plane and contains only binary branches.
  • gas distributors can consist of 2 M linearly arranged, binary, two-dimensional gas distributors according to a), wherein the 2 M gas supply lines of the 2 M gas distributors are fed by means of a binary, one-dimensional gas distributor.
  • the gas distributor may consist of several independent mass flow controllers according to a) or b), wherein a corresponding number of gas distributors are combined with each other.
  • a simulation calculation of the gas flow of H 2 by a binary gas distributor system of order 3 with 64 gas outlet openings with area dimensions of 300 * 375 mm 2 shows that the gas distribution system according to the invention behaves particularly advantageous compared to manufacturing tolerances in the production of the channel system.
  • the thickness of the plate containing the channel system is 5 mm, the channel cross section is 5x5 mm 2 .
  • cylindrical end nozzles are assumed with 3 mm in diameter and 10 mm in length.
  • the width is varied for the vertical channel which adjoins the center piece on the right, in order to be able to read the effect of manufacturing tolerances on the outflow homogeneity of the gas distributor.
  • the simulation of the pressure distribution was firstly done with the Direct Simulation Monte Carlo method (see A. Pflug et al., Parallel DSMC Gasflow Simulation of an In-Line Coater for Reactive Sputtering) and secondly with the help of analytical semiempirical formulas performed for the Strömungsleitute the channel sections.
  • the semiempirical model calculates the gas pressure in individual test volumes V 1 , which are respectively arranged at the branch points and in the center of the gas distributor.
  • F 1 is the optional gas inlet in volume j and S PJ is an absorbency of an optional pump in volume /
  • S PJ is an absorbency of an optional pump in volume /
  • FIG. 4 shows the simulation calculations carried out with both methods for the symmetrical case as well as for the case where the width of the vertical channel adjoining the centerpiece on the right has been reduced by 20%. This results in an increased admission pressure on the gas supply side of this channel and consequently an increased pressure difference across this channel, whereby according to Eq. (2) the effect of the reduced flow coefficient is partially compensated.

Abstract

The invention relates to a gas distribution system comprising at least three plates, the first having a common gas supply line, the third an array of gas outlet nozzles and the second plate between situated between said first and third plates. The third plate contains at least one conduit system that interconnects the gas supply line and the outlet nozzles, a sub-region of said system, accounting for at least 60% of the total surface of the system, being located in the central plate in a non-overlapping manner and/or or one plane. At least 60% of the branching points of the conduit system are binary branching points.

Description

Beschreibung description
GasverteilersystemGas distribution system
Die Erfindung betrifft ein Gasverteilersystem nach dem Oberbegriff der unabhängigen Patentansprüche.The invention relates to a gas distribution system according to the preamble of the independent claims.
Parallelplatten-Plasmareaktoren kommen insbesondere im Bereich der Photovoltaik zwecks Abscheidung von amorphen oder mikrokristallinen Siliziumschichten in einem SiH4-H2-Plasma zum Einsatz. In der Dissertation von T. Repmann, »Stapelsolarzellen aus amorphem und mikrokristallinem Silizium« wird ein derartiger Parallelplattenreaktor beschrieben, hierbei stellt sich heraus, dass eine über die gesamte Beschichtungsfläche gleich bleibende elektrische Qualität der Solarzellen nur erzielt werden kann, wenn eine hinreichende Homogenität der a-Si / Dc-Si - Schicht sowohl bzgl. der Schichtdicke als auch der Morphologie gegeben ist.Parallel-plate plasma reactors are used in particular in the field of photovoltaics for the purpose of depositing amorphous or microcrystalline silicon layers in a SiH 4 -H 2 plasma. In the dissertation by T. Repmann, "Stacked solar cells made of amorphous and microcrystalline silicon" describes such a parallel plate reactor, here it turns out that over the entire coating surface consistent electrical quality of the solar cell can only be achieved if sufficient homogeneity of a -Si / Dc-Si layer is given both in terms of the layer thickness and the morphology.
Zur Erzielung einer hinreichenden Schichthomogenität ist der Gaseinlass in Form einer Gasdusche ausgeführt, die in Form eines regelmäßigen Arrays von Gaseinlassdüsen in eine der beiden Elektrodenplatten integriert ist.To achieve a sufficient layer homogeneity, the gas inlet is designed in the form of a gas shower, which is integrated in the form of a regular array of gas inlet nozzles in one of the two electrode plates.
Auch in anderen Beschichtungs-Technologien wie z.B. großflächiger PVD-Beschichtung sind derartige Gasverteilersysteme hilfreich, wenn die Homogenität der Beschichtung kritisch und damit die Homogenität der Gasdruckverteilung über die Substratfläche eine kritische Prozessgröße ist.Also in other coating technologies such as e.g. large-area PVD coating, such gas distribution systems are helpful if the homogeneity of the coating critical and thus the homogeneity of the gas pressure distribution over the substrate surface is a critical process variable.
Im Patent EP1 1 18693B1 von White et al. ist eine »hängende Gasverteilung« beschrieben, diese besteht aus zwei horizontal angeordneten Platten, die einen schmalen Hohlraum einschließen. In der oberen Platte befindet sich mittig eine zentrale Gaszuführung, während die untere Platte, die mittels flexibler Bleche an die obere Platte angehängt ist, ein Array von Gasaustrittsöffnungen aufweist. Die Gasdruckverteilung im Hohlraum stellt sich aufgrund des Querleitwerts derart ein, dass in einem begrenzten Prozessfenster eine ausreichende Homogenität der Ausströmung durch die Gasaustrittsdüsen erfolgt. Eine derartige Anordnung wird kritisch, sobald hohe Gasflüsse verwendet werden oder ein geringer Druck in der Prozesskammer - z. B. bei PVD-Prozessen - herrscht, so dass sich im Hohlraum des Gaseinlass-Systems ein signifikanter Druck-Gradient aufbaut.In the patent EP1 1 18693B1 of White et al. is a "hanging gas distribution" described, this consists of two horizontally arranged plates, which include a narrow cavity. In the upper plate is centrally located a central gas supply, while the lower plate, which is attached by means of flexible sheets to the upper plate, having an array of gas outlet openings. Due to the transverse conductance value, the gas pressure distribution in the cavity adjusts in such a way that sufficient homogeneity of the outflow through the gas outlet nozzles takes place in a limited process window. Such an arrangement becomes critical as soon as high gas flows are used or a low pressure in the process chamber - e.g. As in PVD processes - prevails, so that builds up in the cavity of the gas inlet system, a significant pressure gradient.
Mit diesem Hintergrund ist in der Patentschrift US6502530B1 von Turlot et al. ein Konzept für eine Gasdusche bestehend aus einer Platte mit einem Array von Gasaustrittsdüsen sowie einer gemeinsamen Gaszuleitung beschrieben, bei der durch eine Kanalanordnung gewährleistet ist, dass der Strömungsleitwert zwischen gemeinsamer Gaszuleitung und jeder Gasaustrittsdüse annähernd gleich ist. Erreicht wird dies mit einem Kanalsystem zwischen Gaszuleitung und Gasaustrittsdüsen, welches entweder als binärer oder quatemärer Verzweigungsbaum ausgelegt ist. Der zuerst beschriebene Fall ermöglicht die Konstruktion eindimensionaler Gaslanzen, d. h. für ein zweidimensionales Array von Gasaustrittsdüsen müsste man eine Vielzahl dieser binären Verzweigungsbäume erstellen und diese mit einem weiteren binären Kanalsystem miteinander kombinieren.With this background, US Pat. No. 6,502530B1 to Turlot et al. a concept for a gas shower consisting of a plate with an array of gas outlet nozzles and a described common gas supply, in which it is ensured by a channel arrangement that the Strömungsleitwert between the common gas supply line and each gas outlet nozzle is approximately equal. This is achieved with a duct system between gas supply and gas outlet nozzles, which is designed either as a binary or quaternary branch tree. The first case described allows the construction of one-dimensional gas lances, ie for a two-dimensional array of gas outlet nozzles one would have to create a large number of these binary branching trees and combine them with another binary channel system.
Das bekannte quaternäre Verzweigungssystem verwendet jeweils Vierfach-Abzweigungen. Die Kanäle in unterschiedlichen Verzweigungsebenen verlaufen hierbei teilweise überlappend, so dass dieses Konzept konstruktiv relativ aufwändig zu realisieren ist.The known quaternary branching system uses quadruple branches each. The channels in different levels of branching run partially overlapping, so that this concept is structurally relatively complex to implement.
Aufgabe der Erfindung ist es, eine Gasverteilung zu schaffen mit dem Nachteile des Standes der Technik vermieden werden können.The object of the invention is to provide a gas distribution can be avoided with the disadvantages of the prior art.
Die erfindungsgemäße Lösung der Aufgabe gelingt mit den Merkmalen der unabhängigen Patentansprüche.The achievement of the object of the invention succeeds with the features of the independent claims.
Das erfindungsgemäße Gasverteilersystem weist zumindest drei, vorzugsweise massiven Platten auf, von denen die erste eine Gaszuleitung, die dritte eine vorzugsweise zweidimensionale Anordnung von Gasaustrittsdüsen besitzt. Die zweite Platte ist zwischen der ersten und der dritten angeordnet, wobei die zweite Platte zumindest ein Kanalsystem enthält, welches Gaszuleitung und Austrittsdüsen miteinander verbindet. Erfindungsgemäß ist vorgesehen, dass ein Teilbereich des Kanalsystems mit zumindest 60% Anteil an der Gesamtfläche des Kanalsystems in der mittleren Platte, vorzugsweise nicht-überlappend und vorzugsweise in einer Ebene angeordnet ist und dass zumindest 60% der Verzweigungspunkte des Kanalsystems binäre Verzweigungspunkte sind.The gas distribution system according to the invention has at least three, preferably solid plates, of which the first has a gas supply line, the third has a preferably two-dimensional arrangement of gas outlet nozzles. The second plate is disposed between the first and the third, wherein the second plate includes at least one channel system which interconnects gas supply and outlet nozzles. According to the invention, a subregion of the channel system with at least 60% of the total area of the channel system is arranged in the middle plate, preferably non-overlapping and preferably in one plane, and that at least 60% of the branching points of the channel system are binary branch points.
Ein Verzweigungspunkt des Kanalsystems ist dabei definiert als eine Position im Kanalsystem, in der das Gas aus einem Volumen in mehr als ein Volumina strömen kann. Beispielsweise kann bei einem binären Verzweigungspunkt das Gas in zwei Volumina strömen.A branch point of the channel system is defined as a position in the channel system in which the gas can flow from a volume into more than one volume. For example, at a binary branch point, the gas may flow in two volumes.
Bevorzugt ist es, wenn der nicht - überlappende und/oder in einer Ebene liegende Teilbereich des Kanalsystems zumindest 70%, 80%, 90% oder 95% Anteil an der Gesamtfläche des Kanalsystems aufweist. Ferner ist bevorzugt, wenn zumindest 70%, 80%, 90% oder 95% der Verzweigungspunkte des Kanalsystems binäre Verzweigungspunkte sind. Bevorzugt ist eine Ausführungsform der Erfindung mit einer gemeinsamen Gaszuleitung und/oder einem regelmäßigen Array von Gasaustrittsdüsen, wobei das Kanalsystem die gemeinsame Gaszuleitung mit den Gasaustrittsdüsen derart verbindet, dass die Strömungsleitwerte jeder Verbindung im Rahmen der Fertigungstoleranzen gleich sind. Die Verbindungen zwischen Gaszuleitung und Gasaustrittsöffnungen sind durch innerhalb einer rechteckigen, massiven Platte gefräste Kanäle realisiert, die bevorzugt einen rechteckigen Querschnitt aufweisen. Das Kanalsystem ist hierbei in einer Ebene realisiert und/oder das Kanalsystem enthält ausschließlich binäre Verzweigungen. Die Platte ist zwischen zwei weiteren rechteckigen Platten vakuumdicht eingespannt. In letzteren werden die Öffnungen für Gaszuleitung und -Ausfrittsöffnungen durch Bohrungen realisiert, deren Längsachsen vorzugsweise senkrecht auf den vorgenannten Kanälen innerhalb der mittleren Platte stehen.It is preferred if the non-overlapping and / or lying in a plane portion of the channel system has at least 70%, 80%, 90% or 95% share of the total area of the channel system. It is further preferred if at least 70%, 80%, 90% or 95% of the branch points of the channel system are binary branch points. An embodiment of the invention is preferred with a common gas supply line and / or a regular array of gas outlet nozzles, wherein the channel system connects the common gas supply line with the gas outlet nozzles in such a way that the flow conductance values of each connection are equal within the manufacturing tolerances. The connections between gas supply line and gas outlet openings are realized by channels milled within a rectangular, solid plate, which preferably have a rectangular cross-section. The channel system is realized in one plane and / or the channel system contains only binary branches. The plate is clamped vacuum-tight between two further rectangular plates. In the latter, the openings for gas supply and -austrittsöffnungen be realized through holes whose longitudinal axes are preferably perpendicular to the aforementioned channels within the middle plate.
Ist das Kanalsystem in nicht-überlappend und/oder einer einzigen zweidimensionalen Ebene angeordnet, vereinfacht dies seine technische Realisierung beträchtlich.If the channel system is arranged in non-overlapping and / or a single two-dimensional plane, this simplifies its technical realization considerably.
In einer bevorzugten Ausführungsform sind lediglich drei übereinander oder hintereinander angeordnete Metaliplatten vorgesehen, von denen die mittlere ein vorzugsweise gefrästes Kanalsystem enthält, während die beiden äußeren Platten die gemeinsame Gaszuleitung bzw. das Raster der Gasaustrittsdüsen in Form von kreisförmigen Bohrungen enthalten.In a preferred embodiment, only three superimposed or successively arranged metal plates are provided, of which the middle contains a preferably milled channel system, while the two outer plates contain the common gas inlet or the grid of the gas outlet nozzles in the form of circular holes.
Gemäß einem weiteren Aspekt der Erfindung betrifft diese einen Plasmareaktor umfassend zwei parallele Platten, die mit einer elektrischen Stromversorgung verbunden sind. Mindestens eine der beiden Platten enthält dabei einen Gasverteiler welcher zumindest ein Kanalsystem enthält, welches Gaszuleitung und Austrittsdüsen miteinander verbindet. Erfindungsgemäß ist vorgesehen, dass ein Teilbereich des Kanalsystems mit zumindest 60% Anteil an der Gesamtfläche des Kanalsystems in der mittleren Platte, vorzugsweise nicht-überlappend und vorzugsweise in einer Ebene angeordnet ist und dass zumindest 60% der Verzweigungspunkte des Kanalsystems binäre Verzweigungspunkte sind.According to a further aspect of the invention, this relates to a plasma reactor comprising two parallel plates which are connected to an electrical power supply. At least one of the two plates in this case contains a gas distributor which contains at least one channel system which connects gas supply line and outlet nozzles with one another. According to the invention, a subregion of the channel system with at least 60% of the total area of the channel system is arranged in the middle plate, preferably non-overlapping and preferably in one plane, and that at least 60% of the branching points of the channel system are binary branch points.
Bevorzugt ist, wenn der Plasmareaktor aus zwei parallelen Platten besteht und/oder das Kanalsystem oder der Teilbereich die gemeinsame Gaszuleitung mit den Gasaustrittsdüsen derart verbindet, dass die Strömungsleitwerte jeder Verbindung im Rahmen der Fertigungstoleranzen gleich sind und/oder ausschließlich binäre Verzweigungspunkte aufweist.It is preferred if the plasma reactor consists of two parallel plates and / or the channel system or the partial area connects the common gas supply line with the gas outlet nozzles in such a way that the flow conductance values of each connection are equal within the manufacturing tolerances and / or has exclusively binary branch points.
Weitere Ausgestaltungen und Vorteile der Erfindung ergeben sich auch unabhängig von den Patentansprüchen in der nachfolgenden Beschreibung an Hand von Zeichnungen. Es zeigenFurther embodiments and advantages of the invention will become apparent independently of the patent claims in the following description with reference to drawings. Show it
Figur 1 : eine Veranschaulichung der Konstruktionsvorschrift für das Fräsmuster eines zweidimensionalen, binären Gasverteiler-Systems.Figure 1: an illustration of the design rule for the milling pattern of a two-dimensional, binary gas distributor system.
Figur 2: Ausgestaltungsbeispiele für die Verbindung mehrerer Gasverteiler der dritten Ordnung durch U-förmige Kanäle, um auch nicht-quadratische Flächen mit einem gleichmäßigen Raster von Gasaustrittsdüsen versehen zu können.Figure 2: exemplary embodiments for the connection of a plurality of gas distributors of the third order by U-shaped channels in order to provide non-square surfaces with a uniform grid of gas outlet nozzles can.
Figur 3: Ausgestaltungsbeispiele unter Verwendung zweier Gasflussregler für ein GasverteilersystemFIG. 3: Exemplary embodiments using two gas flow regulators for a gas distributor system
Figur 4: Gerechnete H2-Druckverteilung entlang der gestrichelten Linie in der linken Grafik.Figure 4: Calculated H 2 pressure distribution along the dashed line in the left graph.
In Figur 1 a - d ist eine Vorschrift zur Konstruktion des Fräsmusters veranschaulicht. Der Pfeil zeigt die Position der gemeinsamen Gaszuleitung an.In Figure 1 a - d, a rule for the construction of the Fräsmuster is illustrated. The arrow indicates the position of the common gas supply line.
Die erfindungsgemäße Realisierung eines einheitlichen Strömungsleitwerts aller Kanalverbindungen wird durch folgendes Konzept veranschaulicht: Auf einer rechteckigen Platte mit den Abmessungen LX+2U, LY+2V wird im ersten Schritt aus einer waagerechten Linie der Länge Lx/2 sowie zweier senkrechter Linien der Länge Lγ/2 eine H - Form mittig auf die rechteckige Platte gezeichnet. Die Parameter U und V spezifizieren waagerechte und senkrechte Ränder, in denen keine Gasaustrittsdüsen vorgesehen sind. Die H-Form weist vier Enden auf, die in waagerechter Richtung einen Abstand Lx/2 und in senkrechter Richtung einen Abstand Lγ/2 voneinander haben. In einem nächsten Schritt wird mittig zu jedem Endpunkt der vorherigen H - Form jeweils eine H - Form mit gegenüber der vorherigen H - Form halbierten Abmessungen, d. h. Lx/4 in waagerechter und Lγ/4 in senkrechter Richtung gezeichnet. Es resultieren nun 16 Endpunkte, die in einem regelmäßigen Raster mit waagerechtem Abstand Lχ/4 und senkrechtem Abstand Lγ/4 angeordnet sind. Dieser Vorgang wird mit den neu entstandenen Endpunkten und weiteren H - Formen mit wiederum jeweils halbierten Abmessungen iterativ wiederholt, bis das aus den Endpunkten entstehende Raster die erwünschte Dichte aufweist.The realization according to the invention of a uniform flow conductance value of all duct connections is illustrated by the following concept: on a rectangular plate with the dimensions L X + 2U, L Y + 2V, in the first step a horizontal line of length L x / 2 and two vertical lines of length are formed L γ / 2 an H - shape drawn centrally on the rectangular plate. The parameters U and V specify horizontal and vertical edges in which no gas outlet nozzles are provided. The H-shape has four ends which have a distance L x / 2 in the horizontal direction and a distance L γ / 2 from each other in the vertical direction. In a next step, in each case an H-shape is drawn in the middle of each end point of the previous H-shape with dimensions halved relative to the previous H-shape, ie L x / 4 in horizontal and L γ / 4 in vertical direction. This results in now 16 endpoints, which are arranged in a regular grid with horizontal distance Lχ / 4 and vertical distance L γ / 4. This process is repeated iteratively with the newly created endpoints and further H - shapes, again in each case halved dimensions, until the raster resulting from the endpoints has the desired density.
Jede Linie stellt nun die Mittelachse eines zu fräsenden Kanals dar. Die Kanalbreite D muss hierbei kleiner gewählt sein als der halbe Raster-Abstand der Endpunkte der letzten Iterationsstufe. Es ergibt sich nun, beispielsweise durch vollständige Induktion, dass die Strömungsleitwerte von der Mitte der ersten H - Form bis hin zu den Endpunkten der H - Formen der letzten Iterationsstufe im Rahmen der Fertigungstoleranzen gleich sind. Die Grundform des erfindungsgemäßen Gasverteilers ist dadurch gekennzeichnet, dass in der zweidimensionalen Anordnung der Gasaustrittsdüsen die Anzahl der Spalten und Zeilen jeweils 2M beträgt, wobei M der Anzahl der Iterationsstufen im Design entspricht. Eine annähernd quadratische Platte kann mit diesem Konzept mit einem Raster von Gasaustrittsdüsen überzogen werden, bei dem die vertikalen und senkrechten Abstände zwischen benachbarten Düsen annähernd gleich sind. Für rechteckige Platten, bei der Länge und Breite stark unterschiedlich sind, würde dieses Konzept eine entsprechende Verzerrung zwischen horizontalen und vertikalen Abständen benachbarter Düsen bedingen.Each line now represents the central axis of a channel to be milled. The channel width D must be smaller than half the grid spacing of the end points of the last iteration step. It now results, for example by complete induction, that the flow conductance values from the middle of the first H-shape to the end points of the H-shapes of the last iteration stage are equal within the production tolerances. The basic form of the gas distributor according to the invention is characterized in that, in the two-dimensional arrangement of the gas outlet nozzles, the number of columns and rows is 2 M in each case, wherein M corresponds to the number of iteration stages in the design. An approximately square plate can be coated with this concept with a grid of gas outlet nozzles, in which the vertical and vertical distances between adjacent nozzles are approximately equal. For rectangular panels, where length and width are widely different, this concept would require a corresponding distortion between horizontal and vertical spacing of adjacent nozzles.
Um stark verzerrte Anordnungen von Gasaustrittsdüsen zu vermeiden, sieht eine Ausgestaltung der Erfindung vor, zwei Kanalnetze der Ordnung M durch einen weiteren, U-förmig geformten Kanal zu verbindend, wie in Figur 2 gezeigt,In order to avoid strongly distorted arrangements of gas outlet nozzles, an embodiment of the invention provides for connecting two channel networks of order M through a further, U-shaped channel, as shown in FIG.
Hierdurch können rechteckige Flächen mit einem Verhältnis von 2:1 bzw. 4:1 zwischen Länge und Breite mit einem gleichmäßigen Düsenraster versehen werden. Durch die in Figur 3 gezeigte Kombination mehrerer unterschiedlicher Gasverteiler-Anordnungen können weitere Verhältnisse von Länge zu Breite realisiert werden. Hierzu sind dann jedoch mindestens zwei unabhängige Massendurchflussregler erforderlich. Figur 3 zeigt ein Rechteck mit einem Längen-zu-Breiten-Verhältnis von 2/3 (linke Grafik) bzw. 4/5 (rechte Grafik), welches mit einem gleichmäßigen Raster von Gasaustrittsdüsen überzogen wird oder ist.As a result, rectangular areas with a ratio of 2: 1 or 4: 1 between length and width can be provided with a uniform nozzle grid. By the combination of several different gas distributor arrangements shown in FIG. 3, further ratios of length to width can be realized. However, this requires at least two independent mass flow controllers. Figure 3 shows a rectangle with a length to width ratio of 2/3 (left graph) and 4/5 (right graph), which is coated with a uniform grid of gas outlet nozzles.
Die beschriebenen Gasverteiler können beispielsweise bei einem Plasmareaktor bestehend aus zwei parallelen oder drei Platten, die mit einer elektrischen Stromversorgung verbunden sind, eingesetzt werden, wobei mindestens eine der beiden Platten einen Gasverteiler enthält.The gas distributors described can be used, for example, in a plasma reactor consisting of two parallel or three plates, which are connected to an electrical power supply, wherein at least one of the two plates contains a gas distributor.
a)a)
Der Gasverteiler kann dabei ein Kanalsystem aufweisen, welches Gaszuleitung und Austrittsdüsen derart miteinander verbindet, dass der Strömungsleitwert zwischen Gaszuleitung und jeder Gasaustrittsdüse im Rahmen der Fertigungstoleranzen gleich ist, und wobei vorgesehen ist, dass das Kanalsystem zwischen Gaszuleitung und Gasaustrittsdüsen in der mittleren Platte nicht-überlappend in einer einzigen Ebene konstruiert ist und ausschließlich binäre Verzweigungen enthält. b)The gas distributor can have a channel system which connects the gas supply line and outlet nozzles with one another such that the flow conductance between the gas supply line and each gas outlet nozzle is equal within the production tolerances, and it is provided that the channel system does not overlap between the gas supply line and the gas outlet nozzles in the middle plate is constructed in a single plane and contains only binary branches. b)
Ferner kann Gasverteiler aus 2M linear angeordneten, binären, zweidimensionalen Gasverteilern nach a) bestehen, wobei die 2M Gaszuleitungen der 2M Gasverteiler mit Hilfe eines binären, eindimensionalen Gasverteilers gespeist werden.Furthermore, gas distributors can consist of 2 M linearly arranged, binary, two-dimensional gas distributors according to a), wherein the 2 M gas supply lines of the 2 M gas distributors are fed by means of a binary, one-dimensional gas distributor.
c)c)
Ferner kann der Gasverteiler aus mehreren unabhängigen Massendurchflussreglern nach a) oder b) bestehen, wobei eine entsprechende Anzahl von Gasverteilern miteinander kombiniert werden.Further, the gas distributor may consist of several independent mass flow controllers according to a) or b), wherein a corresponding number of gas distributors are combined with each other.
Eine Simulationsrechnung der Gasströmung von H2 durch ein binäres Gasverteilersystem der Ordnung 3 mit 64 Gasaustrittsöffnungen mit Flächenabmessungen von 300*375 mm2 zeigt, dass sich das erfindungsgemäße Gasverteilersystem besonders vorteilhaft gegenüber Fertigungstoleranzen bei der Herstellung des Kanalsystems verhält.A simulation calculation of the gas flow of H 2 by a binary gas distributor system of order 3 with 64 gas outlet openings with area dimensions of 300 * 375 mm 2 shows that the gas distribution system according to the invention behaves particularly advantageous compared to manufacturing tolerances in the production of the channel system.
Die Stärke der das Kanalsystem enthaltenden Platte sei 5 mm, der Kanalquerschnitt beträgt 5x5 mm2. An den Gasaustrittsöffnungen werden zylindrische Enddüsen mit 3 mm Durchmesser und 10 mm Länge angenommen. Für den rechts am Mittelstück anschließenden, vertikalen Kanal wird die Breite variiert, um daraus die Auswirkung von Fertigungstoleranzen auf die Ausström-Homogenität des Gasverteilers ablesen zu können.The thickness of the plate containing the channel system is 5 mm, the channel cross section is 5x5 mm 2 . At the gas outlet openings cylindrical end nozzles are assumed with 3 mm in diameter and 10 mm in length. The width is varied for the vertical channel which adjoins the center piece on the right, in order to be able to read the effect of manufacturing tolerances on the outflow homogeneity of the gas distributor.
Die Simulation der Druckverteilung wurde zum einen mit der »Direct Simulation Monte Carlo«- Methode (siehe A. Pflug et al., Parallel DSMC Gasflow Simulation of an In-Line Coater for Reactive Sputtering) und zum andern mit Hilfe von analytischen, semiempirischen Formeln für die Strömungsleitwerte der Kanalabschnitte durchgeführt. Das Semiempirische Modell berechnet den Gasdruck in einzelnen Testvolumina V1, die jeweils an den Verzweigungspunkten und im Mittelpunkt des Gasverteilers angeordnet sind.The simulation of the pressure distribution was firstly done with the Direct Simulation Monte Carlo method (see A. Pflug et al., Parallel DSMC Gasflow Simulation of an In-Line Coater for Reactive Sputtering) and secondly with the help of analytical semiempirical formulas performed for the Strömungsleitwerte the channel sections. The semiempirical model calculates the gas pressure in individual test volumes V 1 , which are respectively arranged at the branch points and in the center of the gas distributor.
Die zeitliche Druckentwicklung lässt sich im semiempirischen Modell näherungsweise mit folgender Differentialgleichung beschreiben, diese entspricht einer Zeitableitung der idealen Gasgleichung:The temporal pressure development can be described approximately in the semiempirical model with the following differential equation, which corresponds to a time derivation of the ideal gas equation:
vJ ^r = kTF l - pJsPJ + ∑(pk - PJ )sjk. (Dv J ^ r = kTF 1 -p J s PJ + Σ (p k -P J ) s jk . (D
Ol k≠ i Ol k ≠ i
Hierbei sind F1 der optionale Gaseinlass in Volumen j und SPJ ein Saugvermögen einer optionalen Pumpe an Volumen / Für den Strömungsleitwert zwischen den Volumina j und k wird zunächst die Knudsen-Formel (siehe M. Wutz, H. Adam, W. Walcher, K. Jousten: Handbuch Vakuumtechnik, 7. erw. Auflage, 2000) für Gasströmung durch Rohre mit rundem Querschnitt eingesetzt: ,„ } (2)
Figure imgf000009_0001
In this case, F 1 is the optional gas inlet in volume j and S PJ is an absorbency of an optional pump in volume / For the flow conductance between the volumes j and k, first the Knudsen formula (see M. Wutz, H. Adam, W. Walcher, K. Jousten: Handbook Vacuum Technology, 7. erw. Edition, 2000) for gas flow through tubes with a round cross-section:, "} ( 2 )
Figure imgf000009_0001
Bei der Strömung durch ein Rohr mit isotropem Gaseinlass vor der Rohröffnung hat sich gezeigt (siehe A. Pflug, Simulation des reaktiven Magnetron-Sputterns, Dissertation Uni Gießen, 2006), dass man zusätzlich zum Leitwert nach Knudsen je einen EinströmleitwertIn the flow through a tube with an isotropic gas inlet before the tube opening has been shown (see A. Pflug, Simulation of reactive magnetron sputtering, Dissertation Uni Giessen, 2006) that in addition to conductance according to Knudsen each Einströmleitleit
jk orißce = A^ (3)jk orissa = A ^ (3)
berücksichtigen muss, so dass in Gl. (1) das harmonische Mittel aus beiden Leitwerten eingesetzt werden muss:must take into account, so that in Eq. (1) the harmonic mean of both guiding values must be used:
1 ' + (4) 1 ' + (4)
^Jk " jk knudsen "-> jk orifice^ Jk "jk knudsen" -> jk orifice
Mit den in Gl. (2)-(4) beschriebenen Schritten wurden sowohl die Leitwerte der einzelnen Rohrabschnitte als auch die Leitwerte der Düsen mit D=3 mm und L=10 mm berechnet.With the in Eq. (2) - (4), both the guide values of the individual pipe sections and the guide values of the nozzles with D = 3 mm and L = 10 mm were calculated.
Figur 4 zeigt die mit beiden Verfahren durchgeführten Simulationsrechnungen für den symmetrischen Fall sowie für den Fall, dass die Breite des rechts am Mittelstück anschließenden, vertikalen Kanals um 20% reduziert wurde. Hierdurch entsteht auf der Gaszuleitungsseite dieses Kanals ein erhöhter Vordruck und mithin eine erhöhte Druckdifferenz über diesen Kanal, wodurch nach Gl. (2) der Effekt des verringerten Strömungsleitwertes teilweise kompensiert wird.FIG. 4 shows the simulation calculations carried out with both methods for the symmetrical case as well as for the case where the width of the vertical channel adjoining the centerpiece on the right has been reduced by 20%. This results in an increased admission pressure on the gas supply side of this channel and consequently an increased pressure difference across this channel, whereby according to Eq. (2) the effect of the reduced flow coefficient is partially compensated.
Auf der Gaszuleitungsseite eines Kanals mit reduziertem Querschnitt stellt sich ein erhöhter Vordruck ein, der aus dem verringerten Kanalquerschnitt resultierende verringerte Strömungsleitwert wird daher durch die erhöhte Druckdifferenz über diesen Kanal teilweise kompensiert. Die durchgezogene und gestrichelte Kurve repräsentieren die DSMC-Rechnungen im symmetrischen bzw. asymmetrischen Fall, die schwarzen und grauen Symbole repräsentierten die vereinfachten, semiempirischen Rechnungen.On the gas supply side of a channel with a reduced cross-section, an increased pre-pressure, the resulting from the reduced channel cross-section reduced Strömungsleitwert is therefore partially compensated by the increased pressure difference across this channel. The solid and dashed curves represent the DSMC calculations in the symmetric and asymmetric case, the black and gray symbols representing the simplified semiempirical calculations.
Es zeigt sich, dass bei Verringerung des Kanalquerschnitts um 20% die Ausströmung an den Enddüsen nur um ±7.8% variiert. Hieraus folgt, dass auch mit relativ großzügigen Fertigungstoleranzen mit dem erfindungsgemäßen Gasverteilersystem eine gute Homogenität der Ausströmung realisiert werden kann. It can be seen that when the channel cross-section is reduced by 20%, the outflow at the end nozzles only varies by ± 7.8%. It follows that a good homogeneity of the outflow can be realized even with relatively generous manufacturing tolerances with the gas distribution system according to the invention.

Claims

Patentansprüche claims
1. Gasverteilersystem mit zumindest drei Platten, von denen die erste eine gemeinsame Gaszuleitung, die dritte eine Anordnung von Gasaustrittsdüsen besitzt, und die zweite Platte zwischen der ersten und der dritten angeordnet ist, wobei die dritte Platte zumindest ein Kanalsystem enthält, welches Gaszuleitung und Austrittsdüsen miteinander verbindet, dadurch gekennzeichnet, dass ein Teilbereich des Kanalsystems mit zumindest 60% Anteil an der Gesamtfläche des Kanalsystems in der mittleren Platte, nicht-überlappend und/oder in einer Ebene angeordnet ist und dass zumindest 60% der Verzweigungspunkte des Kanalsystems binäre Verzweigungspunkte sind.A gas distribution system having at least three plates, the first having a common gas supply line, the third having an arrangement of gas outlet nozzles, and the second plate between the first and the third, wherein the third plate includes at least one channel system, which gas supply and outlet nozzles interconnected, characterized in that a portion of the channel system with at least 60% share of the total area of the channel system in the middle plate, non-overlapping and / or arranged in a plane and that at least 60% of the branch points of the channel system are binary branch points.
2. Gasverteilersystem nach Anspruch 1 , dadurch gekennzeichnet, dass der Strömungsleitwert zwischen Gaszuleitung und jeder Gasaustrittsdüse im Rahmen der Fertigungstoleranzen gleich ist.2. Gas distribution system according to claim 1, characterized in that the Strömungsleitwert between the gas supply line and each gas outlet nozzle is equal within the manufacturing tolerances.
3. Gasverteilersystem nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass in dem Teilbereich ausschließlich binäre Verzweigungspunkte vorgesehen sind.3. Gas distribution system according to claim 1 or 2, characterized in that in the sub-area only binary branch points are provided.
4. Gasverteilersystem nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Teilbereich des Kanalsystems mit Abmessungen Lx+U, Lγ+U M Ordnungen H-förmiger Elemente umfasst, wobei ein H-förmiges Element der ersten Ordnung mittig angeordnet ist und horizontale und vertikale Abmessungen von Lx/2 und Lγ/2 aufweist und jeweils an den Enden der H-förmigen Elemente der Ordnung N weitere H-förmige Elemente der Ordnung Λ/+1 mittig angeschlossen sind, deren horizontale und vertikale Abmessungen gegenüber den H-förmigen Elementen der Ordnung N halbiert sind.4. Gas distributor system according to one of the preceding claims, characterized in that the subregion of the channel system with dimensions L x + U, L γ + UM orders H-shaped elements, wherein an H-shaped element of the first order is arranged centrally and horizontal and vertical dimensions of L x / 2 and Lγ / 2 and at the ends of the H-shaped elements of order N further H-shaped elements of the order Λ / + 1 are connected centrally, their horizontal and vertical dimensions relative to the H-shaped Elements of order N are halved.
5. Gasverteilersystem nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Gaszuleitung sowie die Gasaustrittsdüsen in Form von, vorzugsweise zylindrischen Bohrungen realisiert sind.5. Gas distribution system according to one of the preceding claims, characterized in that the gas supply line and the gas outlet nozzles in the form of, preferably cylindrical holes are realized.
6. Gasverteiler, gekennzeichnet durch 2M linear angeordnete Gasverteilersysteme nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die 2M Gaszuleitungen der 2M Gasverteiler mit Hilfe eines binären, eindimensionalen Gasverteilers gespeist werden.6. Gas distributor, characterized by 2 M linearly arranged gas distributor systems according to one of the preceding claims, wherein the 2 M gas supply lines of the 2 M gas distributor are fed by means of a binary, one-dimensional gas distributor.
7. Gasverteileranordnung, gekennzeichnet durch mehrere unabhängige Massendurchflussregler, wobei eine entsprechende Anzahl von Gasverteilersysteme oder Gasverteiler nach zumindest einem der vorhergehenden Ansprüche miteinander kombiniert werden. Plasmareaktor umfassend zumindest zwei parallele Platten, die mit einer elektrischen Stromversorgung verbunden sind, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens eine der beiden Platten einen Gasverteiler zumindest einem Kanalsystem enthält, welches Gaszuleitung und Austrittsdüsen miteinander verbindet, wobei ein Teilbereich des Kanalsystems mit zumindest 60% Anteil an der Gesamtfläche des Kanalsystems nicht- überlappend und/oder in einer Ebene angeordnet ist und dass zumindest 60% der Verzweigungspunkte des Kanalsystems binäre Verzweigungspunkte sind. 7. Gas distributor arrangement, characterized by a plurality of independent mass flow controllers, wherein a corresponding number of gas distributor systems or gas distributor are combined according to at least one of the preceding claims. Plasma reactor comprising at least two parallel plates, which are connected to an electrical power supply, characterized in that at least one of the two plates includes a gas distributor at least one channel system, the gas supply and outlet nozzles interconnected, wherein a portion of the channel system with at least 60% share of the Total area of the channel system is non-overlapping and / or arranged in a plane and that at least 60% of the branch points of the channel system are binary branch points.
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