WO2008099717A1 - スクラップウエハ再利用方法および太陽電池用シリコン基板の製造方法 - Google Patents
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Abstract
再利用する際に資源の無駄を少なくし、シリコンウエハを溶解することなく再生インゴットにすることで、単結晶に近い状態で再利用できるスクラップウエハ再利用方法および太陽電池用シリコン基板の製造方法を提供することを課題とする。
スクラップウエハ再利用方法は、スクラップウエハWに形成された膜を除去する膜除去工程S3と、スクラップウエハの膜を除去した表裏面を鏡面に研磨する鏡面研磨工程S5と、鏡面に研磨されたスクラップウエハの結晶方位を揃えて重ね合わせ、円柱状に整列させる整列工程S8と、円柱状に整列させた前記スクラップウエハを加熱炉に入れて400°C~1350°Cの範囲で加熱することで前記スクラップウエハ同士を拡散接合させ再生インゴットIGを製造する加熱工程S9と、を含む手順とした。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007030750 | 2007-02-09 | ||
JP2007-030750 | 2007-11-07 | ||
JP2008-025251 | 2008-02-05 | ||
JP2008025251A JP2008218993A (ja) | 2007-02-09 | 2008-02-05 | スクラップウエハ再利用方法および太陽電池用シリコン基板の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
WO2008099717A1 true WO2008099717A1 (ja) | 2008-08-21 |
Family
ID=39689961
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
PCT/JP2008/051877 WO2008099717A1 (ja) | 2007-02-09 | 2008-02-05 | スクラップウエハ再利用方法および太陽電池用シリコン基板の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
WO (1) | WO2008099717A1 (ja) |
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-
2008
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