WO2008068951A1 - 弾性表面波フィルタ装置 - Google Patents

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WO2008068951A1
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surface acoustic
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Inventor
Norio Watanabe
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Murata Manufacturing Co., Ltd.
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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46Filters
    • H03H9/64Filters using surface acoustic waves
    • H03H9/6423Means for obtaining a particular transfer characteristic
    • H03H9/6433Coupled resonator filters
    • H03H9/644Coupled resonator filters having two acoustic tracks
    • H03H9/6456Coupled resonator filters having two acoustic tracks being electrically coupled
    • H03H9/6469Coupled resonator filters having two acoustic tracks being electrically coupled via two connecting electrodes
    • H03H9/6476Coupled resonator filters having two acoustic tracks being electrically coupled via two connecting electrodes the tracks being electrically parallel

Definitions

  • the present invention relates to a longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filter device, and more specifically, two-stage cascade connection of first and second longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filters on a piezoelectric substrate. This relates to a surface acoustic wave filter device.
  • a longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filter device has been widely used as a band-pass filter for an RF stage of a cellular phone!
  • a structure in which a plurality of longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filters are cascaded is used. Often used.
  • Patent Document 1 discloses a two-stage cascade connection type longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filter device shown in FIG.
  • an electrode structure schematically shown in FIG. 5 is formed on a piezoelectric substrate 102.
  • the piezoelectric substrate 102 also has a 36 ° Y-cut X-propagation LiTaO force.
  • a type surface acoustic wave filter 103 and a second longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filter 104 are connected in cascade.
  • the longitudinally coupled resonator-type surface acoustic wave filter 103 includes first and second IDTs 103a and 103b disposed at a distance, for example, in the surface acoustic wave propagation direction.
  • Reflectors 103c and 103d are arranged on both sides of the region provided in the I DT 103a and 103b in the surface wave propagation direction.
  • the second longitudinally coupled resonator-type surface acoustic wave filter 104 also includes first and second IDTs 104a and 104b, and 104c and 104d arranged on both sides of the surface wave propagation direction of the region where the IDTs 104a and 104b are provided. Have.
  • One end of the first IDT 103a of the first longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filter 103 is connected to the input terminal 105, and the other end is connected to the ground potential.
  • One end of the second IDT 103 b is connected to the ground potential, and the other end is connected to the first IDT 104 a of the second longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filter 104 by the signal line 107.
  • One end of IDT104a The other end of the signal line 107 is connected to the ground potential.
  • One end of the second IDT 104 b of the second longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filter 104 is connected to the ground potential, and the other end is connected to the output terminal 106.
  • a comb electrode 108 is connected between the signal line 107 and a ground potential.
  • the comb-shaped electrode 108 is provided to insert a capacitance between the interstage connection signal line 107 and the ground potential, which is said to suppress spurious in the passband. Yes.
  • Patent Document 1 JP-A-7-74588
  • the comb-shaped electrode in the longitudinally coupled resonator-type surface acoustic wave filter device 101, the comb-shaped electrode
  • the electrode structures of the neutral surface wave filters 103 and 104 on the piezoelectric substrate 102 and the formation region of the signal line 107 and wiring connected to the ground potential tend to be limited.
  • the surface acoustic wave filter device must be large, which hinders downsizing! /.
  • the layout of electrodes and wiring is limited, it is difficult to improve the characteristics by devising these layouts.
  • the object of the present invention is to reduce the size of the electrode structure and the wiring layout on the piezoelectric substrate, as well as to suppress spurious noise in the passband, in view of the current state of the prior art described above. It is an object of the present invention to provide a longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filter device that can increase the degree of freedom of the above.
  • the piezoelectric substrate, the first IDT formed on the piezoelectric substrate, and the second and third IDTs disposed on both sides of the surface acoustic wave propagation direction of the first IDT.
  • first and second longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filters having a pair of reflectors disposed on both sides of the surface wave propagation direction of the region where the first to third IDTs are provided.
  • a surface wave filter device is provided.
  • the at least one capacitor In the surface acoustic wave filter device according to the present invention, preferably, the at least one capacitor
  • the comb-shaped electrode can provide a large capacity while being small, thereby further miniaturizing the surface acoustic wave filter device.
  • the first IDTs of the first and second longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filters are the first and second non-resonant, respectively. Connected to balanced signal terminal.
  • the first and second longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filters each having the first to third IDTs are the second IDTs.
  • the signal terminals are connected by the first signal line
  • the signal terminals of the third IDT are connected by the second signal line, so that they are connected in cascade, and between the first and second signal lines.
  • At least one capacitor is connected to each other, and the capacitor inserts a capacitor between stages to suppress spurious in the passband.
  • a capacitance is inserted between the first and second signal lines. In this case, the capacitance required to suppress spurious is reduced. Can be small.
  • the filter characteristics can be improved with a smaller capacity, so that the surface acoustic wave filter device can be miniaturized and the degree of freedom of layout of electrodes and wirings on the piezoelectric substrate can be increased. Is possible. Therefore, the layout of electrodes and wiring The characteristics can be improved by the husband, and a small surface acoustic wave filter device having good characteristics can be provided.
  • FIG. 1 is a schematic plan view of a surface acoustic wave filter device according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a schematic plan view of a surface acoustic wave filter device prepared for comparison.
  • FIG. 3 is a diagram showing attenuation frequency characteristics of the surface acoustic wave filter device prepared for comparison with the embodiment shown in FIG.
  • FIG. 4 is a diagram showing attenuation frequency characteristics of the embodiment shown in FIG. 1 and a surface acoustic wave filter device prepared for comparison.
  • FIG. 5 is a schematic plan view showing an example of a conventional surface acoustic wave filter device. Explanation of symbols
  • FIG. 1 is a schematic plan view of a surface acoustic wave filter device according to a first embodiment of the present invention.
  • the surface acoustic wave filter device 1 has a piezoelectric substrate 2.
  • the piezoelectric substrate 2 is a LiTaO substrate in this embodiment. However, the piezoelectric substrate 2 is a LiTaO substrate with other cut angles.
  • It may be made of a piezoelectric ceramic.
  • a first longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filter 3 and a second longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filter 4 are configured on the piezoelectric substrate 2.
  • the first longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filter 3 includes a first IDT 3a and second and third IDTs 3b, 3c arranged on both sides of the surface wave propagation direction of the first IDT 3a. Reflectors 3d and 3e are formed on both sides of the area where the first to third IDTs 3a to 3c are provided in the surface wave propagation direction.
  • the second longitudinally coupled resonator-type surface acoustic wave filter 4 also includes a first IDT 4a and second and third IDTs 4b and 4c arranged on both sides of the first IDT 4a in the surface wave propagation direction. Have. Reflectors 4d and 4e are arranged on both sides of the surface wave propagation direction of the area where IDTs 4a to 4c are arranged.
  • One end of the first IDT 3a is connected to the first unbalanced terminal 5 as one of the input / output terminals.
  • the other end of the IDT 3a is connected to the ground line 7.
  • the ground line 7 connects the IDT 3a to the reflector 3e, and the reflector 3e is connected to the ground potential. Therefore, the other end of the IDT 3a is connected to the ground potential.
  • the ground line 7 is also connected to the reflector 4e, and the reflector 4e is also connected to the ground potential.
  • One end of the second IDT 3b is connected to the ground potential, and the other end is connected to the first signal line 9.
  • the first signal line 9 connects the other end of the second IDT 3b and one end of the second IDT 4b of the second longitudinally coupled resonator-type surface acoustic wave filter 4! /.
  • the other end of the second ID T4b is connected to the ground potential.
  • the signal terminal of the second IDT 3b and the signal terminal of the second IDT 4b are electrically connected by the first signal line 9.
  • one end of the third IDT 3 c is connected to the ground potential, and the other end, ie, the signal terminal is connected to the second signal line 10.
  • the second signal line 10 is connected to one end of the third ID T4c, that is, the signal terminal.
  • the other end of the third IDT4c is connected to the ground potential.
  • One end of the first IDT 4 a is connected to a second unbalanced terminal 6 as the other input / output terminal, and the other end is connected to the ground line 8.
  • the ground line 8 is electrically connected to the other end of the IDT 4a and the reflectors 3d and 4d. Reflector 4d is connected to ground potential. Therefore, the terminal on the opposite side of the IDT 4a connected to the unbalanced terminal 6 is connected to the ground potential.
  • the phase of the signal transmitted through the first signal line 9 is different from the phase of the signal transmitted through the second signal line 10 by 180 °. That is, the first and second signal lines 9 and 10 constitute a balanced signal line. However, the number of electrode fingers of the first IDT3a, 4a is an even number, and the number of electrode fingers of the second, third IDT3b, 3c, 4b, 4c is an odd number.
  • the surface acoustic wave filter device 1 has an output.
  • first and second signal lines 9 and 10 can be configured as balanced signal lines.
  • first to third IDTs 3a, 4a, 3b, 3c, 4b, and 4c are all odd numbers.
  • the direction of the second IDTs 3b and 4b may be turned upside down with respect to the direction of the third IDs T3c and 4c.
  • the elastic surface of the present embodiment is characterized in that a filter device 1 is characterized in that a capacitor composed of a comb-shaped electrode 11 is connected between the first and second signal lines 9 and 10.
  • a filter device 1 is characterized in that a capacitor composed of a comb-shaped electrode 11 is connected between the first and second signal lines 9 and 10.
  • the capacitance when a capacitance is inserted by the comb-shaped electrode 11, the capacitance is the same as that of the comb-shaped electrode 108 of the conventional surface acoustic wave filter device 101 described in Patent Document 1 with a smaller capacity.
  • the spurious suppression effect of can be obtained. Therefore, since the characteristics can be improved by the small comb electrode 11, the surface acoustic wave filter device 1 can be downsized.
  • the electrode structure and signal lines 9 and 10 that form the longitudinally coupled resonator-type surface acoustic wave filters 3 and 4 on the piezoelectric substrate 2 and 10 are ground lines 7 and 8 Or connect IDT3b, 3c, 4b, 4c and reflectors 3e, 4d to ground potential. It is possible to increase the degree of freedom of layout such as routing wiring to be continued. Therefore, it is easy to improve the characteristics by devising the layout of the electrode structure and wiring.
  • the conductive material forming the electrode structure, wiring, and the like is not particularly limited.
  • the electrode structure, wiring, etc. are formed by a laminated metal film in which a plurality of metal films are laminated! /.
  • the surface acoustic wave filter device 1 of the present embodiment can improve the characteristics with a small capacity.
  • the surface acoustic wave filter device 1 was manufactured with the following specifications.
  • the crossing widths in IDTs 3a to 3c and 4a to 4c were set to 19 when the wavelength determined by the pitch of the electrode fingers in IDTs 3a to 3c was used. Further, the duty ratios of IDTs 3a to 3c, 4a to 4c and reflectors 3d, 3e, 4d, and 4e are all set to 0.55.
  • the electrode film thickness in the IDT and reflector was 0.03 mm.
  • the number of pairs of electrode fingers was 12, and the electrode finger cross width 330 111 was used.
  • the number of pairs of electrode fingers of the first IDT arranged in the center is 25.5 pairs, that is, the number of electrode fingers.
  • the number of electrodes is 52 and several, while the number of electrodes for the second and third IDTs 3b, 3c, 4b, and 4c in the outer rule is 31, that is, an odd number.
  • the piezoelectric substrate 2 is formed of a LiTaO substrate, and the electrodes and wiring patterns are
  • FIG. 3 shows the attenuation frequency characteristics of the surface acoustic wave filter device 1 formed as described above.
  • FIG. Fig. 4 shows the attenuation frequency characteristics in the frequency range from 0 to 1500 MHz
  • Fig. 3 shows a part of the frequency range from 290 to 340 MHz.
  • Fig. 3 also shows the characteristics of the main part of the passband expanded on the right scale.
  • a surface acoustic wave filter device 51 shown in FIG. 2 was prepared.
  • the surface acoustic wave filter device 51 is the same as the surface acoustic wave filter device 1 except that the connection mode between the longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filters 3 and 4 and the electrodes constituting the interstage capacitance are different. It was. That is, as shown in FIG. 2, the first and second IDTs 3b and 3c of the first longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filter 3 are connected in common and connected to the signal line 52.
  • each of the second and third IDTs 4b and 4c of the second longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filter 4 is also connected in common and connected to the signal line 52. That is, the first and second longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filters 3 and 4 are connected by the signal line 52.
  • comb electrodes 53 and 54 were connected between the ground lines 7 and 8 and the signal line 52, respectively. The comb electrodes 53 and 54 are connected between the signal line and the ground potential between the stages.
  • the electrodes of the comb-shaped electrodes 53, 54 are configured so as to suppress spurious in the passband, that is, to obtain equivalent filter characteristics, as in the above-described embodiment.
  • the finger crossing width, the number of pairs of electrode fingers, etc. were adjusted.
  • the filter characteristics indicated by broken lines in FIGS. 3 and 4 were obtained.
  • the filter characteristics indicated by the broken lines in FIG. 3 and FIG. 4 and the filter characteristics indicated by the solid lines have substantially the same filter characteristics, and no large spurious appears in the passband.
  • the area occupied by the comb electrodes 53 and 54 is very large at 92400 m 2
  • the comb type The area occupied by electrode 11 remains 23100 m 2 . Therefore, according to the above-described embodiment, the size of the comb electrode 11 constituting the interstage capacitance can be reduced as well as the spurious within the passband can be reduced by the interstage capacitance, so that the surface acoustic wave can be reduced. It can be seen that the filter device 11 can be downsized.
  • the region of the portion where the comb-shaped electrode 11 is provided can be reduced, For example, an electrode pad connected to the ground potential can be disposed around the comb electrode 11. Accordingly, it is possible to improve the out-of-passband characteristics by increasing the degree of freedom of layout of electrodes and wiring including electrode pads.
  • the capacitance is formed by the comb-shaped electrode 11, but the capacitance may be inserted between the stages by a structure other than the comb-shaped electrode 11.
  • a structure includes a structure in which linear electrodes are opposed to each other at a predetermined distance on the piezoelectric substrate 2, and a dielectric layer is formed on the piezoelectric substrate 2.
  • a structure in which a pair of electrodes are formed with a body layer interposed therebetween can be used.
  • a sufficiently large capacity can be formed in a smaller space, and the miniaturization can be further promoted.
  • a two-stage cascaded surface acoustic wave filter device in which the first and second longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filters 3 and 4 are cascade-connected is formed! /
  • the present invention can also be applied to a surface acoustic wave filter device having three or more stages.
  • a fifth IDT is installed! /, 5 IDT type longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filter can be used.
  • each end of the 4th and 5th IDTs should be connected in common with the end connected to the unbalanced terminal of the 1st IDT, and each other end should be connected to the ground potential. .

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Abstract

 段間に容量が挿入されている縦続接続型の縦結合共振子型の弾性表面波フィルタ装置の小型化を図る。  圧電基板2上に、第1,第2の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ3,4が構成されており、第1の縦結合共振子型弾性表面波フィルタの中央の第1のIDT3aの一端が第1の不平衡端子5に、第2の縦結合共振子型弾性表面波フィルタの中央の第1のIDT4aの一端が第2の不平衡端子6に接続されており、第1,第2の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ3,4の第2のIDT3b,4bの信号端子同士が第1の信号ライン9により接続されており、第3のIDT3c,4cの信号端子同士が第2の信号ライン10により接続されており、第1,第2の信号ライン9,10間に容量11が接続されている、弾性表面波フィルタ装置1。

Description

明 細 書
弾性表面波フィルタ装置
技術分野
[0001] 本発明は、縦結合共振子型の弾性表面波フィルタ装置に関し、より詳細には、圧電 基板上において、第 1 ,第 2の縦結合共振子型弾性表面波フィルタが 2段縦続接続さ れて!/、る弾性表面波フィルタ装置に関する。
背景技術
[0002] 従来、携帯電話機の RF段の帯域フィルタとして、縦結合共振子型の弾性表面波フ ィルタ装置が広く用いられて!/、る。縦結合共振子型弾性表面波フィルタ装置にぉレ、 て、通過帯域外の減衰量を大きくすることが求められる場合には、複数の縦結合共 振子型弾性表面波フィルタを縦続接続した構造が用いられることが多い。
[0003] 例えば下記の特許文献 1には、図 5に示す 2段縦続接続型の縦結合共振子型弾性 表面波フィルタ装置が開示されている。
[0004] 図 5に示す縦結合共振子型弾性表面波フィルタ装置 101では、圧電基板 102上に 、図 5に略図的に示されている電極構造が形成されている。圧電基板 102は、 36° Yカット X伝搬の LiTaO力もなる。圧電基板 102上において、第 1の縦結合共振子
3
型弾性表面波フィルタ 103と、第 2の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ 104とが縦 続接続されている。縦結合共振子型弾性表面波フィルタ 103は、弾性表面波伝搬方 向において例えば距離を隔てて配置された第 1 ,第 2の IDT103a, 103bを有する。 I DT103a, 103bに設けられている領域の表面波伝搬方向両側には、反射器 103c, 103dが配置されている。第 2の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ 104も、第 1 ,第 2の IDT104a, 104bと、 IDT104a, 104bカ設けられている領域の表面波伝搬方向 両側に配置された 104c, 104dとを有する。
[0005] 第 1の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ 103の第 1の IDT103aの一端が入力 端子 105に接続されており、他端がグラウンド電位に接続されている。第 2の IDT10 3bの一端がグラウンド電位に、他端が信号ライン 107により、第 2の縦結合共振子型 弾性表面波フィルタ 104の第 1の IDT104aに接続されている。 IDT104aの一端が 上記信号ライン 107に接続されており、他端はグラウンド電位に接続されている。第 2 の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ 104の第 2の IDT104bの一端がグラウンド電 位に接続されており、他端が出力端子 106に接続されている。
[0006] 縦結合共振子型弾性表面波フィルタ装置 101では、上記信号ライン 107とグラウン ド電位との間に、くし型電極 108が接続されている。くし型電極 108は、段間接続用 の信号ライン 107とグラウンド電位との間に容量を揷入するために設けられており、そ れによって、通過帯域内におけるスプリアスが抑制されると述べられている。
特許文献 1 :特開平 7— 74588号公報
発明の開示
[0007] しかしながら、縦結合共振子型弾性表面波フィルタ装置 101では、上記くし型電極
108により、スプリアスを抑制するための十分な容量を揷入するには、比較的大きなく し型電極 108を形成しなければならなかった。そのため、圧電基板 102上における弹 性表面波フィルタ 103, 104の電極構造、並びに信号ライン 107及びグラウンド電位 に接続される配線等の形成領域が制限されがちであった。
[0008] よって、弾性表面波フィルタ装置が大きくならざるを得ず、小型化の妨げとなって!/、 た。加えて、電極や配線のレイアウトが制限されるため、これらのレイアウトを工夫する ことにより特性の改善を図ることも困難であった。
[0009] 本発明の目的は、上述した従来技術の現状に鑑み、通過帯域内におけるスプリア スを抑制し得るだけでなぐ小型化を図ることができ、かつ圧電基板上における電極 構造や配線のレイアウトの自由度を高めることを可能とする縦結合共振子型弾性表 面波フィルタ装置を提供することにある。
[0010] 本発明によれば、圧電基板と、前記圧電基板上に形成された第 1の IDTと、第 1の I DTの弾性表面波伝搬方向両側に配置された第 2,第 3の IDTと、第 1〜第 3の IDT が設けられている領域の表面波伝搬方向両側に配置された一対の反射器とを有す る第 1 ,第 2の縦結合共振子型弾性表面波フィルタを備え、前記第 1の縦結合共振子 型弾性表面波フィルタの前記第 2の IDTの信号端子と、前記第 2の縦結合共振子型 弾性表面波フィルタの前記第 2の IDTの信号端子とを接続している第 1の信号ライン と、前記第 1の縦結合共振子型弾性表面波フィルタの前記第 3の IDTの信号端子と、 前記第 2の縦結合共振子型弾性表面波フィルタの前記第 3の IDTの信号端子とを接 続している第 2の信号ラインと、前記第 1 ,第 2の信号ライン間に接続されている少なく とも 1個の容量とをさらに備え、前記第 1の信号ラインを伝送される電気信号に対して 、前記第 2の信号ラインを伝送される電気信号の位相が 180° 異なっている、弾性表 面波フィルタ装置が提供される。
[0011] 本発明に係る弾性表面波フィルタ装置では、好ましくは、前記少なくとも 1個の容量
1S 前記圧電基板上に形成されたくし型電極からなる。くし型電極により、小型であり ながら大きな容量を得ることができ、それによつて弾性表面波フィルタ装置の小型化 をより一層進めることができる。
[0012] 本発明に係る弾性表面波フィルタ装置では、好ましくは、前記第 1 ,第 2の縦結合 共振子型弾性表面波フィルタの前記第 1の IDTが、それぞれ、第 1 ,第 2の不平衡信 号端子に接続されている。この場合には、本発明に従って、小型であり、通過帯域内 スプリアスの影響が少な!/、、特性の良好な不平衡入出力型の帯域フィルタを提供す ること力 Sでさる。
(発明の効果)
[0013] 本発明に係る弾性表面波フィルタ装置では、それぞれが、第 1〜第 3の IDTを有す る第 1 ,第 2の縦結合共振子型弾性表面波フィルタが、第 2の IDTの信号端子同士を 第 1の信号ラインにより接続し、かつ第 3の IDTの信号端子同士を第 2の信号ラインに より接続することにより、縦続接続されており、第 1 ,第 2の信号ライン間に少なくとも 1 個の容量が接続されており、該容量により、段間に容量が揷入されて、通過帯域内 におけるスプリアスが抑制されている。そして、特許文献 1に記載の弾性表面波フィ ルタ装置では、段間容量が、信号ラインとグラウンド電位との間に接続されていたた め、十分なスプリアス抑制効果を得るには大きなくし型電極を設けなければならなか つたのに対し、本発明では、第 1 ,第 2の信号ライン間に容量が揷入されており、この 場合には、スプリアスを抑制するのに必要な容量の大きさを小さくすることができる。
[0014] 従って、より小さな容量でフィルタ特性の改善を図ることができるので、弾性表面波 フィルタ装置の小型化を図ることができるとともに、圧電基板上における電極や配線 のレイアウトの自由度を高めることが可能となる。よって、電極や配線のレイアウトのェ 夫により特性の改善等を図ることも可能であり、良好な特性を有する小型の弾性表面 波フィルタ装置を提供することが可能となる。
図面の簡単な説明
[0015] [図 1]図 1は、本発明の一実施形態に係る弾性表面波フィルタ装置の模式的平面図 である。
[図 2]図 2は、比較のために用意した弾性表面波フィルタ装置の模式的平面図である
[図 3]図 3は、図 1に示した実施形態及び比較のために用意した弾性表面波フィルタ 装置の減衰量周波数特性を示す図である。
[図 4]図 4は、図 1に示した実施形態及び比較のために用意した弾性表面波フィルタ 装置の減衰量周波数特性を示す図である。
[図 5]図 5は、従来の弾性表面波フィルタ装置の一例を示す模式的平面図である。 符号の説明
[0016] 1…弾性表面波フィルタ装置
2· · ·圧電基板
3 · · ·第 1の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ
3a〜3c…第 1〜第 3の IDT
3d, 3e…反射器
4· · ·第 2の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ
4a〜4c…第 1〜第 3の IDT
4d, 4e…反射器
5· · ·第 1の不平後端子
6· · ·第 2の不平衡端子
7, 8· · ·グランドライン
9, 10· · ·第 1 ,第 2の信号ライン
11…くし形電極
発明を実施するための最良の形態
[0017] 以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発 明を明らかにする。
[0018] 図 1は、本発明の第 1の実施形態に係る弾性表面波フィルタ装置の模式的平面図 である。
[0019] 弾性表面波フィルタ装置 1は、圧電基板 2を有する。圧電基板 2は、本実施形態で は、 LiTaO基板からなる。もっとも、圧電基板 2は、他のカット角の LiTaO基板であ
3 3 つてもよく、または LiNbOや水晶などの他の圧電単結晶を用いて形成されていても
3
よぐ圧電セラミックスにより構成されていてもよい。
[0020] 圧電基板 2上に、模式的に示されている電極構造及び配線が形成されている。
[0021] すなわち、圧電基板 2上において、第 1の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ 3と 、第 2の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ 4とが構成されている。第 1の縦結合共 振子型弾性表面波フィルタ 3は、第 1の IDT3aと、第 1の IDT3aの表面波伝搬方向 両側に配置された第 2,第 3の IDT3b, 3cとを有する。第 1〜第 3の IDT3a〜3cが設 けられている領域の表面波伝搬方向両側には、反射器 3d, 3eが形成されている。
[0022] 第 2の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ 4もまた、第 1の IDT4aと、第 1の IDT4a の表面波伝搬方向両側に配置された第 2,第 3の IDT4b, 4cとを有する。 IDT4a〜 4cが配置されている領域の表面波伝搬方向両側には、反射器 4d, 4eが配置されて いる。第 1の IDT3aの一端は、入出力端子の一方としての第 1の不平衡端子 5に接 続されている。 IDT3aの他端は、グランドライン 7に接続されている。グランドライン 7 は、 IDT3aを反射器 3eに接続しており、反射器 3eは、グラウンド電位に接続されて いる。従って、 IDT3aの他端はグラウンド電位に接続されている。
[0023] また、グランドライン 7は、反射器 4eにも接続されており、反射器 4eもまたグラウンド 電位に接続されている。
[0024] 第 2の IDT3bの一端がグラウンド電位に接続されており、他端が第 1の信号ライン 9 に接続されている。第 1の信号ライン 9により、第 2の IDT3bの他端と、第 2の縦結合 共振子型弾性表面波フィルタ 4の第 2の IDT4bの一端とが接続されて!/、る。第 2の ID T4bの他端はグラウンド電位に接続されている。言い換えれば、第 2の IDT3bの信号 端子と、第 2の IDT4bの信号端子とが第 1の信号ライン 9により電気的に接続されて いる。 [0025] 同様に、第 3の IDT3cの一端がグラウンド電位に接続されており、他端がすなわち 信号端子が第 2の信号ライン 10に接続されている。第 2の信号ライン 10は、第 3の ID T4cの一端、すなわち信号端子に接続されている。第 3の IDT4cの他端はグラウンド 電位に接続されている。第 1の IDT4aの一端が入出力端子の他方としての第 2の不 平衡端子 6に接続されており、他端がグランドライン 8に接続されている。グランドライ ン 8は、 IDT4aの他端と、反射器 3d, 4dと電気的に接続している。反射器 4dはグラウ ンド電位に接続されている。従って、 IDT4aの不平衡端子 6に接続されている側とは 反対側の端子はグラウンド電位に接続されている。
[0026] 第 1の信号ライン 9を伝送される信号の位相と、第 2の信号ライン 10を伝送される信 号の位相とは 180° 異なっている。すなわち、第 1 ,第 2の信号ライン 9, 10は、平衡 信号ラインを構成している。もっとも、第 1の IDT3a, 4aの電極指の本数が偶数本、 第 2,第 3の IDT3b, 3c, 4b, 4cの電極指の本数が奇数本とされ、それによつて不平 衡入カー不平衡出力を有する弾性表面波フィルタ装置 1とされている。
[0027] なお、第 1 , 2の信号ライン 9, 10を平衡信号ラインに構成できればよぐ例えば第 1 〜第 3の IDT3a, 4a, 3b, 3c, 4b, 4cの電極旨本数カ全て奇数本とされ、第 3の ID T3c, 4cの向きに対して第 2の IDT3b, 4bの向きが上下反転されてもよい。
[0028] 本実施形態の弾性表面はフィルタ装置 1の特徴は、第 1 ,第 2の信号ライン 9, 10間 に、くし型電極 11からなる容量が接続されていることにある。すなわち、第 1 ,第 2の 縦結合共振子型の弾性表面波フィルタ 3, 4を縦続接続した構造では、通過帯域内 のスプリアスが現れる力 S、容量をくし型電極 11により段間に揷入することにより、スプリ ァスを抑圧することができる。
[0029] しかも、くし型電極 11により、容量を揷入した場合には、特許文献 1に記載の従来 の弾性表面波フィルタ装置 101の場合のくし型電極 108に比べて、小さい容量で同 様のスプリアス抑圧効果を得ることができる。従って、小さなくし型電極 11により特性 改善を図ることができるので、弾性表面波フィルタ装置 1の小型化を進めることができ る。加えて、くし型電極 11を小さくし得るので、圧電基板 2上における上記縦結合共 振子型弾性表面波フィルタ 3, 4を形成している電極構造や信号ライン 9, 10ゃグラン ドライン 7, 8、あるいは IDT3b, 3c, 4b, 4c及び反射器 3e, 4dをグラウンド電位に接 続するための引回し配線などのレイアウトの自由度を高めることができる。よって、電 極構造や配線等のレイアウトの工夫により特性改善を図ることも容易となる。
[0030] なお、上記電極構造や配線等を形成する導電性材料については特に限定されず
、適宜の金属もしくは合金を用いることができる。また、電極構造や配線等が、複数の 金属膜を積層した積層金属膜により形成されて!/、てもよレ、。
[0031] 次に、本実施形態の弾性表面波フィルタ装置 1にお!/、て、小さな容量で特性を改 善し得ることをより具体的な実験例に基づき明らかにする。
[0032] 弾性表面波フィルタ装置 1を以下の仕様で作製した。
[0033] 第 1の IDT3a, 4aの電極指の対数: 25. 5対
第 2, 3の IDT3b, 3c, 4b, 4cの電極指の対数: 15対
反射器 3d, 3e, 4d, 4eにおける電極旨の本数:54本
また、 IDT3a〜3c, 4a〜4cにおける交叉幅は、 IDT3a〜3cにおける電極指のピッ チで定まる波長えとした場合に 19えとした。また、 IDT3a〜3c, 4a〜4c及び反射器 3d, 3e, 4d, 4eにおけるデューティはいずれも 0. 55とした。 IDT及び反射器におけ る電極膜厚は 0. 03えとした。
[0034] くし型電極 11の容量: 2. 5pF
くし型電極 11については、電極指の対数を 12対とし、電極指交叉幅 330 111とし た。この場合、圧電基板 2上におけるくし型電極 11の専有面積は 330 m X 70 m = 23100〃m2である。
[0035] 本実施形態では、信号ライン 9, 10を伝送する信号を平衡信号とするために、中央 に配置されている第 1の IDTの電極指の対数を 25. 5対、すなわち電極指の本数を 5 2本と禺数本とし、他方、外ィ則の第 2,第 3の IDT3b, 3c, 4b, 4cの電極旨の本数を 3 1本、すなわち奇数本とした。
[0036] なお、上記圧電基板 2は、 LiTaO基板で形成し、電極及び配線パターンについて
3
は、 A1により形成した。
[0037] 上記のようにして形成された弾性表面波フィルタ装置 1の減衰量周波数特性を図 3 及び図 4に実線で示す。なお、図 4は、 0〜1500MHzまでの周波数域における減衰 量周波数特性を示しており、図 3はその一部である 290〜340MHzの周波数域にお ける減衰量周波数特性を示しており、さらに図 3においては、その通過帯域の要部を 右側のスケールで拡大した特性をも示している。
[0038] 比較のために、図 2に示した弾性表面波フィルタ装置 51を用意した。弾性表面波フ ィルタ装置 51では、縦結合共振子型弾性表面波フィルタ 3, 4間の接続態様及び段 間容量を構成する電極が異なることを除いては上記弾性表面波フィルタ装置 1と同 様とした。すなわち、図 2に示すように、第 1の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ 3 の第 2,第 3の IDT3b, 3cの各一端を共通接続し、信号ライン 52に接続している。ま た、第 2の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ 4の第 2,第 3の IDT4b, 4cの各一端 も共通接続され、上記信号ライン 52に接続されている。すなわち、信号ライン 52によ り、第 1 ,第 2の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ 3, 4が接続されている。他方、グ ランドライン 7, 8と、上記信号ライン 52との間に、それぞれ、くし型電極 53, 54を接続 した。くし型電極 53, 54は、段間において信号ラインとグランド電位との間に接続さ れていることになる。
[0039] 図 2に示す弾性表面波フィルタ装置 51において、上記実施形態と同様に通過帯域 内におけるスプリアスを抑制するように、すなわち同等のフィルタ特性が得られるよう にくし型電極 53, 54の電極指交叉幅、電極指の対数等を調整した。その結果、くし 型電極 53, 54のそれぞれが、電極指交叉幅 = 660 111、電極指の対数が 12対であ る場合、図 3及び図 4に破線で示すフィルタ特性が得られた。この場合、くし型電極 5 3, 54による専有面積は、 660〃111 X 70〃111 X 2 = 92400〃m2となる。
[0040] 図 3及び図 4における破線で示すフィルタ特性と、実線で示すフィルタ特性とは、ほ ぼ同等のフィルタ特性を有し、通過帯域に大きなスプリアスは現れていない。しかしな がら、弾性表面波フィルタ装置 51では、上記くし型電極 53, 54の占める専有面積は 92400 m2と非常に大きぐこれに対して上記実施形態の弾性表面波フィルタ装置 1では、くし型電極 11の専有面積は 23100 m2に留まっている。従って、上記実施 形態によれば、通過帯域内におけるスプリアスを段間容量により低減し得るだけでな ぐ段間容量を構成するくし型電極 11のサイズを小さくすることができるので、弾性表 面波フィルタ装置 11の小型化を図り得ることがわかる。
[0041] そして、くし型電極 11が設けられている部分の領域を小さくすることができるので、 くし型電極 11の周囲に、例えばグラウンド電位に接続される電極パッド等を配置する ことも可能となる。従って、電極パッドを含む電極や配線等のレイアウトの自由度を高 めて、通過帯域外特性の改善等を図ることも可能となる。
[0042] 上記実施形態の弾性表面波フィルタ装置 1では、くし型電極 11により容量が形成さ れていたが、くし型電極 11以外の構造により段間に容量が揷入されてもよい。このよ うな構造としては、圧電基板 2上にお!/、て所定の距離を隔てて直線状の電極が対向 されている構造、圧電基板 2上において誘電体層が形成されており、該誘電体層を 挟んで一対の電極が形成されている構造などを用いることができる。もっとも、好まし くは、くし型電極 11を用いることにより、より小さなスペースで十分な大きさの容量を形 成することができ、小型化をより一層進めることができる。
[0043] また、上記実施形態では、第 1 ,第 2の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ 3, 4が 縦続接続された 2段縦続接続型の弾性表面波フィルタ装置が形成されて!/、たが、 3 以上の段数の弾性表面波フィルタ装置にも本発明を適用することができる。
[0044] また、第 1〜第 3の IDTを有する 3IDT型の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ 3, 4だけでなぐ例えば第 2,第 3の IDTの表面波伝搬方向両側に第 4,第 5の IDTが設 けられて!/、る 5IDT型の縦結合共振子型弾性表面波フィルタを用いてもょレ、。その場 合には、第 4,第 5の IDTの各一端を第 1の IDTの不平衡端子に接続されている側の 端部と共通接続し、各他端をグラウンド電位に接続すればよい。

Claims

請求の範囲
[1] 圧電基板と、
前記圧電基板上に形成された第 1の IDTと、第 1の IDTの弾性表面波伝搬方向両 側に配置された第 2,第 3の IDTと、第 1〜第 3の IDTが設けられている領域の表面 波伝搬方向両側に配置された一対の反射器とを有する第 1 ,第 2の縦結合共振子型 弾性表面波フィルタを備え、
前記第 1の縦結合共振子型弾性表面波フィルタの前記第 2の IDTの信号端子と、 前記第 2の縦結合共振子型弾性表面波フィルタの前記第 2の IDTの信号端子とを接 続している第 1の信号ラインと、
前記第 1の縦結合共振子型弾性表面波フィルタの前記第 3の IDTの信号端子と、 前記第 2の縦結合共振子型弾性表面波フィルタの前記第 3の IDTの信号端子とを接 続している第 2の信号ラインと、
前記第 1 ,第 2の信号ライン間に接続されている少なくとも 1個の容量とをさらに備え 前記第 1の信号ラインを伝送される電気信号に対して、前記第 2の信号ラインを伝 送される電気信号の位相が 180° 異なっている、弾性表面波フィルタ装置。
[2] 前記少なくとも 1個の容量が、前記圧電基板上に形成されたくし型電極からなる、請 求項 1に記載の弾性表面波フィルタ装置。
[3] 前記第 1 ,第 2の縦結合共振子型弾性表面波フィルタの前記第 1の IDTが、それぞ れ、第 1 ,第 2の不平衡端子に接続されている、請求項 1または 2に記載の弾性表面 波フィルタ装置。
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