WO2008052762A3 - Halbleiteranordnung und verfahren zur herstellung einer halbleiteranordnung - Google Patents

Halbleiteranordnung und verfahren zur herstellung einer halbleiteranordnung Download PDF

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Abstract

Halbleiteranordnung und Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung: mit einem Substrat (1), mit einer Bauelementeschicht (3) aus einem einkristallinem Halbleitermaterial, mit einer Isolatorschicht (2), die zwischen dem Substrat (1 ) und der Bauelementeschicht (3) ausgebildet ist und die Bauelementeschicht (3) vom Substrat (1) isoliert (SOI), mit einer Anzahl von Bauelementen (140), die in der Bauelementeschicht (3) ausgebildet sind, mit einer Grabenstruktur (13), die an die Isolatorschicht (2) angrenzt und die mit einer Füllung verfüllt ist um zumindest ein Bauelement (140) der Anzahl von Bauelementen (140) innerhalb der Bauelementeschicht (3) in lateraler Richtung zu isolieren, wobei die Füllung ein Dielektrikum aufweist, und mit einer freitragenden Mikrostruktur (150, 250, 350, 450, 550), die in einem durch die Grabenstruktur (13) festgelegten Strukturbereich (151, 251, 351, 451, 551 ) ausgebildet ist.
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