WO2007118895A1 - Filtre spectral micro-structure et capteur d'images - Google Patents

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WO2007118895A1
WO2007118895A1 PCT/EP2007/053800 EP2007053800W WO2007118895A1 WO 2007118895 A1 WO2007118895 A1 WO 2007118895A1 EP 2007053800 W EP2007053800 W EP 2007053800W WO 2007118895 A1 WO2007118895 A1 WO 2007118895A1
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spectral filter
metal layer
sub
filter
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PCT/EP2007/053800
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Yohan Desieres
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Commissariat A L'energie Atomique
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    • G01J2003/1213—Filters in general, e.g. dichroic, band

Definitions

  • the invention relates to the field of filtering techniques, and in particular that of spectral filters used in image sensors.
  • Image sensors which are found especially in mobile phones and digital cameras, consist mainly of a matrix of photodetectors and focusing optics. This optics makes it possible to form the image of an object on the matrix of photodetectors.
  • To obtain color images it is known to align a network 20 of color filters on the pixels of the sensor. The matrixing of this network 20 is done according to a so-called "BAYER" scheme, as shown in FIG. 1A, which matrix a red filter 2, two green filters 4, 6, and a blue filter 8.
  • Each of the photodetectors arranged under these filters constitutes a sub-pixel.
  • the set of these four sub-pixels constitutes a pixel 10 of the photodetector matrix.
  • the color of the image is reconstructed numerically from the "mono-color" signals received by the pixels of the photodetector array.
  • These filters are usually positioned a few micrometers above photodetectors 12, electrical interconnections 14 and dielectric passivation layers 16, as shown in FIG. 1B.
  • the sensor In the field of consumer image sensors, the sensor is placed at the focus of a high aperture lens: the average angle of incidence of the light beams on the sensor can vary from -25 ° to + 25 ° between two sensor corners and the angular aperture on each pixel of the sensor is typically of the order of +/- 10 °.
  • Each filter is illuminated under multiple incidences.
  • Another limitation is related to the existence of electromagnetic modes on the surface of the metal layer forming the network of slots, called surface plasmons. These electromagnetic modes can be excited during the diffraction of the incident light on the slots of the metal layer. This excitation, selective in wavelength and angle, degrades the bandpass filter function performed by the slots.
  • An object of the present invention is to provide a device performing filtering wavelengths, whose transmission properties are constant regardless of the angle of incidence of the light beams and to obtain a high photometric efficiency.
  • the present invention proposes a spectral filter comprising at least one metal layer structured by a network of through slots, the network being constituted by at least two first sub-networks of through slots intersecting perpendicular to each other.
  • the invention makes it possible to adjust the wavelength transmitted by the filter by means of its geometrical parameters and not of chemical parameters related to the filter.
  • the spectral filter may further comprise at least a third subnet of traversing slots intersecting the slots of the first two sub-networks.
  • the slots of the third subnet can cut the slots of the first two sub-networks at an angle of about 45 degrees.
  • the spectral filter may also further comprise at least a fourth subnet of traversing slots intersecting the slots of the first two sub-networks and the slots of the third subnet.
  • the slots of the fourth subnet can perpendicularly cut the slots of the third subnet.
  • the slots of the third subnet cut the slots of the first two sub-networks with an angle equal to about 45 degrees
  • the slots of the fourth subnet also cut the slots of the first two sub-networks with an angle equal to about 45 degrees, forming four sub gratings of slots shifted 45 degrees from each other.
  • the slots of one or each sub-network may be regularly spaced from each other and / or each have an identical width.
  • Each sub-network may be formed by the repetition of a periodic pattern, said periodic pattern having one of the slots of the sub-network and a portion of the metal layer separating two adjacent slots of the sub-network.
  • the width of the periodic pattern of one or each subarray may be less than about 350 nm.
  • the spectral filter may also further include at least one first dielectric layer disposed above the structured metal layer and / or at least one second dielectric layer disposed below the structured metal layer.
  • the thickness of the first and / or second dielectric layer may be between about 50 nanometers (nm) and a few hundred nm.
  • the present invention also relates to an image sensor comprising at least a first and a second spectral filter, objects of the present invention, arranged in the same horizontal plane, and at least two photodetectors arranged under the spectral filters.
  • the thickness of the metal layer of the first spectral filter may be different or identical to the thickness of the metal layer of the second spectral filter.
  • the width of the periodic pattern and / or the width of the slots of the two spectral filters may be identical or different.
  • the image sensor may further comprise a protective layer covering the spectral filters.
  • the image sensor may further comprise a third and a fourth spectral filter, the four spectral filters forming a Bayer filter, and at least two other photodetectors each disposed under one of the third and fourth spectral filters, the Bayer filter. and the four photodetectors forming a pixel of the image sensor.
  • the image sensor may also include a support layer disposed between the photodetectors and the spectral filters.
  • the present invention also relates to a method for producing a spectral filter, comprising the following steps: forming a network of slots in a dielectric layer, the network consisting of at least two sub-networks of slots intersecting one another perpendicularly to the others, deposition of a metal layer in the network of slots formed in the dielectric layer, - planarization of the metal layer.
  • the invention also covers another method of producing a spectral filter, comprising the steps of: depositing a metal layer on a dielectric layer, printing the metal layer forming a network of slots in the metal layer, the network of slots consisting of at least two sub-networks of slots intersecting perpendicular to each other,
  • the method may comprise a step of transferring the spectral filter to another dielectric layer via the dielectric layer of the spectral filter.
  • the present invention also relates to a method for producing an image sensor, comprising, before the step of producing at least one spectral filter, object of the present invention, a step of depositing a support layer. on at least one photodetector, the spectral filter being produced or transferred to the support layer.
  • FIGS. 1A and 1B show a network of color filters arranged on a matrix of photodetectors according to the prior art
  • FIG. 2A represents a spectral filter, object of the present invention, according to a first embodiment
  • FIG. 2B represents the metallic layer of a spectral filter, object of the present invention, according to a variant of the first embodiment
  • the FIG. 3 represents transmission curves of a spectral filter, object of the present invention, as a function of the angle of incidence of the light beams
  • FIG. 4 represents transmission curves of a spectral filter, object of the present invention.
  • FIG. 5 represents an exemplary embodiment of an image sensor, also object of the present invention
  • FIGS. 6A to 6F represent the steps of a method embodiment of a spectral filter and an image sensor comprising this filter, objects of the present invention, according to a first embodiment
  • FIGS. 7A and 7B represent the steps of a pro embodiment of a spectral filter and an image sensor comprising this filter
  • FIGS. 8A to 8D represent the steps of a method of producing a spectral filter and an image sensor comprising this filter
  • FIGS. 9A to 9B show the steps of a method for producing a spectral filter and an image sensor comprising this filter, objects of the present invention, according to a variant of the three embodiments,
  • Figure 2A shows a spectral filter 100, object of the present invention, according to a first embodiment.
  • This spectral filter 100 comprises a structured metal layer 101.
  • This structure is formed by slots 102a to 102e forming a first subnet, and slots 103a to 103h forming a second subnet.
  • These slots 102a to 102e and 103a to 103h are through, that is to say formed throughout the thickness of the metal layer 101.
  • the slots 102a to 102e of the first sub-array perpendicularly cut the slots 103a to 103h of the second sub network.
  • One of the two sub-networks therefore has the function of carrying out the filtering and the transmission of the polarized light TM, for example the slots 103a to 103h, the slots 102a to 102e of the other sub-network, to carry out the filtering and the transmission of the TE polarized light.
  • the metal layer 101 is made from less absorbent metals possible in the range of transmitted wavelengths.
  • visible wavelengths it will be for example aluminum, and / or silver and / or gold. It is also possible to use other metals, for example for longer wavelengths than those in the visible range.
  • the metal layer 101 may also be made according to a variant shown in Figure 2B.
  • two further sub-gratings 109 and 112 are formed in the metal layer 101. 2B, the slots of these two sub-networks 109 and 112 are perpendicular relative to each other, cutting the slots 102a, 102b, ... and 103a, 103b, ... of the first two sub-networks according to a angle equal to about 45 °.
  • Four slot gratings 102a to 102e, 103a to 103h, 109 and 112 are then shifted by an angle of approximately 45 ° to one another.
  • the transmissions of polarized light TE and obliquely polarized TM light are further symmetrized.
  • each of the subarrays of Figure 2A or Figure 2B may be considered to be formed by a repeating periodic pattern several times.
  • all the slots have an identical width and are regularly spaced from each other.
  • the periodic pattern may for example comprise the slot 102a and a portion 107 of the metal layer 101 separating the adjacent slots 102a and 102b.
  • the subnet is then formed by repeating this periodic pattern six times.
  • the periodic pattern comprises for example the slot 103a and a portion 106 of the metal layer 101 separating the two adjacent slots 103a and 103b.
  • the distance between two periodic patterns ie the width of a periodic pattern
  • the period of one or of each sub-array may for example be less than 350 nm.
  • the width of each of the slots of one or each sub-network is preferably between about 10% and 50% of the period of this or these sub-networks.
  • the spectral filter 100 of FIG. 2A also comprises dielectric layers 104 and 105, for example thin layers, respectively disposed below and above the metal layer 101.
  • the space created by the slots 102a to 102e and 103a to 103h in the metal layer 101 is also filled with a dielectric material 108, for example similar to that of the dielectric layers 104 and 105.
  • This dielectric material 108 is transparent to the wavelengths that are intended to be transmitted by the spectral filter 100
  • the refractive index of the dielectric material 108 may preferably be less than 1.6, thus helping to ensure the angular stability of the filter 100, by avoiding the resonant excitation of surface plasmons on the metal layer 101.
  • the dielectric material may for example be based on silicon oxide, and / or SiOC, and / or nanoporous SiOC, and / or nanoporous silica, and / or polymers.
  • the thickness of the first and / or the second dielectric layer 104 and 105 is between about 50 nm and a few hundred nm. In FIG. 2A, the dielectric layers 104 and 105 have a thickness of about 100 nm. These dielectric layers 104 and 105 may also have structures, for example to reduce their average index.
  • These structures may or may not be similar to those of the metal layer 101, that is to say to the slits
  • These structures made in the dielectric layers 104 and 105 can be open, that is to say made in the entire thickness of the dielectric layer, or not.
  • These structures may also be for example slits whose width and / or spacing differ from the slots made in the metal layer 101.
  • these structures of the dielectric layers 104 and 105 may be different from a photodetector at the other.
  • Figure 3 shows simulated transmission curves of a spectral filter similar to that shown in Figure 2A.
  • the transmission coefficient is here expressed as a function of the transmitted wavelength, expressed in nanometers.
  • the metal layer of the spectral filter is made of aluminum and has a thickness of about 150 nm.
  • this metal layer comprises two sub-networks of slots intersecting perpendicularly to one another.
  • the width of the slots here is about 85 nm, the period of the two sub-networks being about 300 nm.
  • Curve 301 represents transmissions TE and TM when light beams arrive on the filter with a zero angle of incidence relative to the plane of the metal layer. In this case, the transmissions TE and TM are identical.
  • the values measured here differ little from those obtained when the metal layer has only one sub-network of slots all oriented in the same direction, as described in the prior art. Indeed, photons are mainly transmitted by the favorably oriented slits before being reflected by the unfavorably oriented slits. But for a non-polarized beam, this structure allows a net gain in transmission compared to the devices of the prior art.
  • the curve 302 represents the transmission TM
  • the curve 303 the transmission TE, when the angle of incidence of the light beams is approximately 15 °. It can be seen that the angular behavior of the filter is very stable because the transmission values TE and TM deviate very little from the calculated transmission at zero incidence.
  • the thickness of the metal layer of a filter also has an influence on the transmission achieved by the filter. In general, this thickness is between about 50 nm and a few hundred nm. The thickness is chosen according to the desired transmitted wavelength, the dielectric used in the slots of the metal layer, and the selectivity of the desired filter.
  • FIG. 4 represents the transmission carried out by a spectral filter, similar to that represented in FIG. 2A, as a function of the thickness of the metal layer of the filter.
  • the width of the slots is about 85 nm and the period of the sub-networks is about 300 nm.
  • the spectral filter is here surrounded by air.
  • the value of the transmission coefficient is expressed as a function of the wavelength transmitted, in nanometers.
  • Curve 304 corresponds to a thickness of about 130 nm, curve 305 to a thickness of about 160 nm, and curve 306 to a thickness of about 210 nm.
  • the increase in the thickness of the metal layer causes a decrease in the selectivity of the filter, but also a shift of the maximum transmission to longer wavelengths. It is therefore possible to make N filters of N different colors by juxtaposing N layers of metal of different heights, structured by the same network of slots.
  • FIG. 5 represents an exemplary embodiment of an image sensor 200, object of the present invention.
  • the image sensor 200 actually has several thousands or millions of pixels.
  • the photodetectors 202 are made on a substrate 201, for example made of silicon, which can integrate digital reading and processing circuits.
  • the filters 100a and 100b each comprise a metal layer 101a and 101b, respectively. As in the example of FIG.
  • the metal layers 101a and 101b comprise a network of through slots consisting of two sub-gratings of crossing slots intersecting perpendicularly to one another.
  • the dimensions of these slots can example be similar to those of the filter 100 of Figure 2A.
  • the filters 100a and 100b are for example arranged above a pixel having 4 sub-pixels configured according to a Bayer scheme, the filter 100a being for example intended to filter and transmit the green color, and the filter 100b the blue color.
  • the layers 101a and 101b each have a different thickness, to filter only the desired wavelength.
  • the metal layers 101a and 101b are arranged between two thin layers of dielectric 104 and 105, for example similar to the layers 104 and 105 of FIG.
  • the metal layers 101a and 101b are for example made from a single metal layer etched according to the desired metal height, that is to say the wavelength to filter and transmit.
  • the metal layers 101a and 101b form, with the two dielectric layers 104, 105, the filter layer of the sensor 200.
  • the spectral filters 100a, 100b are separated from the photodetectors 202 by a support layer 203, for example based on a dielectric such as silicon nitride or silicon oxide, serving as mechanical support for the spectral filters 100a, 100b .
  • This support layer 203 may also comprise focusing elements, not shown in this figure, for concentrating the incident beams on the photodetectors 202.
  • This layer 203 may also comprise electrical contacts connected to the photodetectors 202 to collect the signal obtained, as well as perform the isolation and passivation of photodetectors 202.
  • This support layer 203 is here transparent to the wavelengths that the sensor 200 detects.
  • the filters 100a and 100b are covered with a protective layer 204, for example based on polymeric materials, which can integrate as a function the chemical and mechanical protection of the spectral filters 100a, 100b, as well as the concentration of the light beams on the photodetectors 202.
  • This protective layer 204 is here transparent to the wavelengths that the sensor 200 detects.
  • the metal layers 101a and 101b of the filters 100a and 100b have an equal height. In this case, so that everyone realizes a transmission at a different wavelength
  • the dimensions of the slots of the metal layer 101a are different from the dimensions of the slots of the other metal layer 101b. These dimensions can be the width of the slots and / or the period of the network.
  • the image sensor 200 also comprises a third 100c and a fourth 10Od spectral filter, not shown in Figure 5, forming with the other two spectral filters 100a, 100b, a Bayer filter, and at least two other photodetectors 202 each arranged under one of the third 100c and fourth 10Od spectral filters.
  • the four photodetectors 202 form a sensor pixel 200, the light filtering being performed by the Bayer filter 100a, 100b, 100c, 10Od.
  • FIGS. 6A to 6F representing the various steps of a method for producing a spectral filter 110 and an image sensor 210 comprising the spectral filter 110.
  • the sensor of images 210 comprises four spectral filters of which only the realization of the filter 110 will be detailed.
  • a dielectric layer 104 is deposited on a support layer 203, for example similar to the support layer 203 shown in FIG. 5, as shown in FIG. 6A.
  • the index of the material used for producing the dielectric layer 104 is here less than 1.6.
  • This dielectric layer 104 has height variations as a function of the filter that will be achieved.
  • the dielectric layer 104 forms four pads: a first pad 104a intended for producing a filter for a blue sub-pixel, a second and third pad 104b, 104d, each intended for a filter of a green sub-pixel, and a fourth pad 104c for a filter of a red sub-pixel.
  • Each pad has for example the length of its sides between about 0.5 micrometer and a few tens of micrometers and a height between about 50 nm and 200 nm. The height variation between two pads is generally between 0 nm and 100 nm.
  • These pads can be made for example by lithography photo or nanoprint. This step is used to define and align the red, green and blue filter zones.
  • a metal layer 101 is then deposited on the dielectric pads 104a to 104d, as shown in Figure 6B.
  • the metal used is for example aluminum. This deposit is for example made by sputtering.
  • FIG. 6C represents a planarization step of the metal layer 101. Chemical mechanical polishing techniques can be used for this planarization.
  • the remaining metal layer 101 has a thickness between about 50 nm and 200 nm.
  • An etching mask 111 is then deposited on the metal layer 101, as shown in FIG. 6D. This etching mask 111 is structured by a network of through slots comprising two sub-network of through slots intersecting perpendicularly to each other.
  • the period of the slot subnet is in general between about 100 nm and 400 nm, and the width of the slots between 30 nm and 150 nm.
  • This mask 111 may for example be based on dielectric polymer. Optical or electronic insolation techniques in a full layer of photosensitive polymer may be used for producing the etching mask 111. For low-cost mass production, it will be advantageous to use nano-printing or even holographic insolation techniques.
  • an etching, such as an anisotropic etching, of the metal layer 101 using the structured polymer layer is then performed as an etching mask 111.
  • the pattern of the perpendicular slits is thus reproduced over the entire thickness of the metal layer. 101 so as to form through slots.
  • a dielectric layer 105 for example with an index less than 1.6 and a few hundred nm thick, is deposited on the metal layer 101, as shown in FIG. 6F.
  • This layer 105 makes it possible to fill the space between the metallic patterns by dielectric material and to form the upper dielectric layer of the filter.
  • a planarization step by chemical mechanical polishing is carried out if other elements (in particular optical) are added on this dielectric layer 105.
  • the filter 110 is made on a photodetector 202 forming a sub-pixel of the image sensor 210.
  • the image sensor 210 comprises a Bayer filter made from four spectral filters, including the filter 110.
  • a photodetector 202, not shown, is present under each of the filters, thus forming a pixel of the image sensor 210.
  • a structured dielectric layer 104 having an index of less than 1.6 is carried out.
  • This dielectric layer 104 is disposed on the support layer 203.
  • This printing step uses the nano printing techniques to define simultaneously the first dielectric layer disposed under the metal layer of the filter, and the network of perpendicular slots. The pattern is here performed in reverse because the printing produces recesses for receiving the metal to form the structured metal layer.
  • a metal layer 101 is then deposited on the structured dielectric layer 104 to fill the recesses formed in the structure of the the dielectric layer 104.
  • a sputtering technique may for example be used.
  • Planarization is then carried out by chemical mechanical polishing of the metal layer 101 until the appearance of the buried dielectric pads of the dielectric layer 104, as shown in FIG. 7A.
  • FIGS. 8A to 8D represent a third embodiment of a method for producing spectral filters according to FIG. invention and image sensors, also according to the invention.
  • a dielectric layer 104 for example with an index less than 1.6, is deposited on a support layer 203, as shown in FIG. 8A.
  • This deposit can for example be made by PVD deposition.
  • hot nano-printing of metal pads is carried out in a metal layer 101 deposited on the dielectric layer 104.
  • These pads comprise a network of slots perpendicular to one another.
  • Each of the formed pads forms the metal layer of a spectral filter.
  • the slots are not made through and a metal underlayer 131 remains formed under the slots.
  • Different heights of studs are performed in order to obtain different color filters. It is also possible to make pads of similar height, but whose slot network has slit widths and / or different periods depending on the desired filtering.
  • a step of etching the metal layer 101 etches the metal sub-layer 131, thus making the slots through, as shown in Figure 8C.
  • a dielectric layer 105 for example an inorganic layer with an index of less than 1.6, is deposited by PVD technique on the metal layer 101, thus filling the slots of a dielectric material and forming the dielectric layer higher.
  • This upper layer of protection could also be based on a planarizing polymer, also index less than 1.6. In this case, the deposition could be carried out by "spin coating" (or deposition by centrifugation).
  • a protective layer 204 is deposited on the dielectric layer 105, thus covering the spectral filters produced.
  • spectral filters 110, 120, 130 on a temporary and / or transparent support layer 203, for example based on silicon or glass, and then assembled on the photodetectors by aligned molecular bonding techniques.
  • This spectral filter 110, 120 or 130 carried out previously is then transferred to this dielectric layer 142.
  • Each of the spectral filters is aligned with a photodetector located under the support layer 141. It is the upper dielectric layer 105 of the spectral filter which is in contact with the new dielectric layer 142.
  • the support layer 203 used during the realization the spectral filter is not transparent to the wavelength transmitted by the filter, this support layer 203 which is at the top of the spectral filter is etched to be deleted.

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Abstract

L'invention concerne un filtre spectral (100) comportant au moins une couche métallique (101) structurée par un réseau de fentes traversantes (102a à 102e, 103a à 103h). Le réseau est constitué d'au moins deux sous réseaux de fentes traversantes (102a à 102e, 103a à 103h) se coupant perpendiculairement les unes aux autres.

Description

FILTRE SPECTRAL MICRO-STRUCTURE ET CAPTEUR D'IMAGES
DESCRIPTION
DOMAINE TECHNIQUE ET ART ANTÉRIEUR
L' invention concerne le domaine des techniques de filtrage, et en particulier celui des filtres spectraux utilisés dans les capteurs d'images.
Les capteurs d'images, que l'on trouve notamment dans les téléphones portables et les appareils photo numériques, sont constitués principalement d'une matrice de photodétecteurs et d'une optique de focalisation. Cette optique permet de former l'image d'un objet sur la matrice de photodétecteurs. Pour obtenir des images en couleurs, il est connu d'aligner un réseau 20 de filtres colorés sur les pixels du capteur. Le matriçage de ce réseau 20 se fait suivant un schéma dit de « BAYER », comme cela est représenté sur la figure IA, qui matrice un filtre rouge 2, deux filtres verts 4, 6, et un filtre bleu 8. Chacun des photodétecteurs disposés sous ces filtres constitue un sous pixel. L'ensemble de ces quatre sous pixels constitue un pixel 10 de la matrice de photodétecteurs. La couleur de l'image est reconstruite numériquement à partir des signaux « mono couleurs » reçus par les pixels de la matrice de photodétecteurs. Ces filtres sont habituellement positionnés à quelques micromètres au dessus de photodétecteurs 12, d'interconnexions électriques 14 et de couches de passivation diélectrique 16, comme cela est représenté sur la figure IB. Dans le domaine des capteurs d' images grand public, le capteur est placé au foyer d'une lentille de forte ouverture: l'angle moyen d'incidence des faisceaux lumineux sur le capteur peut varier de -25° à +25° entre deux coins du capteur et l'ouverture angulaire sur chaque pixel du capteur est typiquement de l'ordre de +/- 10°. Chaque filtre est illuminé sous de multiples incidences. Pour réaliser le filtrage des couleurs, il est important que les propriétés des filtres (longueur d'onde de transmission, niveau de transmission, largeur spectrale) soient constantes quelque soit l'angle d'incidence. Des filtres dont les propriétés sont indépendantes de l'angle d'incidence doivent être utilisés. Pour cela, il est connu d'utiliser un réseau de fentes parallèles pour filtrer de la lumière : ce filtre est, de par ses caractéristiques géométriques, adapté à une gamme de longueurs d'ondes. En effet, le document US 2003/0103150 décrit un réseau unidimensionnel de fentes débouchantes dans une couche métallique pour réaliser la fonction de filtrage des couleurs. Avec cette géométrie, les calculs montrent que ce sont les fentes qui assurent également la transmission des faisceaux lumineux filtrés à travers la couche métallique. Ils montrent aussi que le filtrage est plus sélectif lorsque les fentes ont une largeur inférieure aux longueurs d' ondes de la lumière visible .
Toutefois, le rendement photométrique de ces filtres est très faible car seule une polarisation de la lumière est filtrée et transmise, ce qui est un inconvénient majeur pour le domaine d'application visé.
Une autre limitation est liée à l'existence de modes électromagnétiques à la surface de la couche métallique formant le réseau de fentes, appelés plasmons de surface. Ces modes électromagnétiques peuvent être excités lors de la diffraction de la lumière incidente sur les fentes de la couche métallique. Cette excitation, sélective en longueur d'onde et en angle, dégrade la fonction de filtre passe bande réalisée par les fentes.
EXPOSÉ DE L' INVENTION
Un but de la présente invention est de proposer un dispositif réalisant un filtrage en longueurs d'ondes, dont les propriétés de transmission soient constantes quelque soit l'angle d'incidence des faisceaux lumineux et permettant d'obtenir un rendement photométrique élevé.
Pour cela, la présente invention propose un filtre spectral comportant au moins une couche métallique structurée par un réseau de fentes traversantes, le réseau étant constitué d'au moins deux premiers sous réseaux de fentes traversantes se coupant perpendiculairement les unes aux autres. Ainsi, avec un tel filtre spectral, il est possible de réaliser la transmission et le filtrage à la fois des modes polarisés transverse électrique TE et des modes polarisés transverse magnétique TM des faisceaux lumineux reçus, permettant d'obtenir un bon rendement photométrique du filtre, notamment dans les conditions d' incidence de capteurs d' images de type CMOS.
De plus, l'invention permet d'ajuster la longueur d'onde transmise par le filtre au moyen de ses paramètres géométriques et non de paramètres chimiques liés au filtre.
Le filtre spectral peut comporter en outre au moins un troisième sous réseau de fentes traversantes coupant les fentes des deux premiers sous réseaux.
Les fentes du troisième sous réseau peuvent couper les fentes des deux premiers sous réseaux selon un angle égal à environ 45 degrés.
Le filtre spectral peut également comporter en outre au moins un quatrième sous réseau de fentes traversantes coupant les fentes des deux premiers sous réseaux et les fentes du troisième sous réseau.
Les fentes du quatrième sous réseau peuvent couper perpendiculairement les fentes du troisième sous réseau. Ainsi, lorsque les fentes du troisième sous réseau coupent les fentes des deux premiers sous réseaux avec un angle égal à environ 45 degrés, les fentes du quatrième sous réseau coupent également les fentes des deux premiers sous réseaux avec un angle égal à environ 45 degrés, formant quatre sous réseaux de fentes décalés de 45 degrés les uns des autres.
Les fentes d'un ou de chacun des sous réseaux peuvent être régulièrement espacées les unes des autres et/ou comporter chacune une largeur identique. Chaque sous réseau peut être formé par la répétition d'un motif périodique, ledit motif périodique comportant une des fentes du sous réseau et une partie de la couche métallique séparant deux fentes adjacentes du sous réseau.
La largeur du motif périodique d'un ou de chacun des sous réseaux peut être inférieure à environ 350 nm.
Le filtre spectral peut également comporter en outre au moins une première couche diélectrique disposée au dessus de la couche métallique structurée et/ou au moins une seconde couche diélectrique disposée en dessous de la couche métallique structurée.
L'épaisseur de la première et/ou la seconde couche diélectrique peut être comprise entre environ 50 nanomètres (nm) et quelques centaines de nm.
La présente invention concerne également un capteur d' images comportant au moins un premier et un second filtre spectral, objets de la présente invention, disposés dans un même plan horizontal, et au moins deux photodétecteurs disposés sous les filtres spectraux .
L'épaisseur de la couche métallique du premier filtre spectral peut être différente ou identique à l'épaisseur de la couche métallique du second filtre spectral.
La largeur du motif périodique et/ou la largeur des fentes des deux filtres spectraux peuvent être identiques ou différentes. Le capteur d' image peut comporter en outre une couche de protection recouvrant les filtres spectraux .
Le capteur d' images peut comporter en outre un troisième et un quatrième filtre spectral, les quatre filtres spectraux formant un filtre de Bayer, et au moins deux autres photodétecteurs disposés chacun sous l'un des troisième et quatrième filtres spectraux, le filtre de Bayer et les quatre photodétecteurs formant un pixel du capteur d'images.
Le capteur d' images peut également comporter une couche support disposée entre les photodétecteurs et les filtres spectraux.
La présente invention concerne également un procédé de réalisation d'un filtre spectral, comportant les étapes suivantes : réalisation d'un réseau de fentes dans une couche diélectrique, le réseau étant constitué d'au moins deux sous réseaux de fentes se coupant perpendiculairement les unes aux autres, dépôt d'une couche métallique dans le réseau de fentes formé dans la couche diélectrique, - planarisation de la couche métallique. L' invention couvre également un autre procédé de réalisation d'un filtre spectral, comportant les étapes de : dépôt d'une couche métallique sur une couche diélectrique, impression de la couche métallique réalisant, dans la couche métallique, un réseau de fentes, le réseau de fentes étant constitué d'au moins deux sous réseaux de fentes se coupant perpendiculairement les unes aux autres,
- gravure de la couche métallique au niveau des fentes pour les rendre traversantes, - dépôt d'une couche diélectrique sur la couche métallique, planarisation de ladite couche diélectrique .
Après l'étape de planarisation, le procédé peut comporter une étape de report du filtre spectral sur une autre couche de diélectrique par l'intermédiaire de la couche diélectrique du filtre spectral .
Enfin, la présente invention concerne aussi un procédé de réalisation d'un capteur d'images, comportant, avant l'étape de réalisation d'au moins un filtre spectral, objet de la présente invention, une étape de dépôt d'une couche support sur au moins un photodétecteur, le filtre spectral étant réalisé ou reporté sur la couche support.
BRÈVE DESCRIPTION DES DESSINS
La présente invention sera mieux comprise à la lecture de la description d'exemples de réalisation donnés à titre purement indicatif et nullement limitatif en faisant référence aux dessins annexés sur lesquels : les figures IA et IB représentent un réseau de filtres colorés disposés sur une matrice de photodétecteurs selon l'art antérieur, la figure 2A représente un filtre spectral, objet de la présente invention, selon un premier mode de réalisation, la figure 2B représente la couche métallique d'un filtre spectral, objet de la présente invention, selon une variante du premier mode de réalisation, la figure 3 représente des courbes de transmission d'un filtre spectral, objet de la présente invention, en fonction de l'angle d'incidence des faisceaux lumineux, la figure 4 représente des courbes de transmission d'un filtre spectral, objet de la présente invention, en fonction de l'épaisseur de la couche métallique du filtre, la figure 5 représente un exemple de réalisation d'un capteur d'images, également objet de la présente invention, les figures 6A à 6F représentent les étapes d'un procédé de réalisation d'un filtre spectral et d'un capteur d'images comportant ce filtre, objets de la présente invention, selon un premier mode de réalisation, les figures 7A et 7B représentent les étapes d'un procédé de réalisation d'un filtre spectral et d'un capteur d'images comportant ce filtre, objets de la présente invention, selon un second mode de réalisation, les figures 8A à 8D représentent les étapes d'un procédé de réalisation d'un filtre spectral et d'un capteur d'images comportant ce filtre, objets de la présente invention, selon un troisième mode de réalisation, les figures 9A à 9B représentent les étapes d'un procédé de réalisation d'un filtre spectral et d'un capteur d'images comportant ce filtre, objets de la présente invention, selon une variante des trois modes de réalisation,
Des parties identiques, similaires ou équivalentes des différentes figures décrites ci-après portent les mêmes références numériques de façon à faciliter le passage d'une figure à l'autre.
Les différentes parties représentées sur les figures ne le sont pas nécessairement selon une échelle uniforme, pour rendre les figures plus lisibles.
EXPOSÉ DÉTAILLÉ DE MODES DE RÉALISATION PARTICULIERS
On se réfère tout d' abord à la figure 2A qui représente un filtre spectral 100, objet de la présente invention, selon un premier mode de réalisation.
Ce filtre spectral 100 comporte une couche métallique 101 structurée. Cette structure est réalisée par des fentes 102a à 102e formant un premier sous réseau, et des fentes 103a à 103h formant un second sous réseau. Ces fentes 102a à 102e et 103a à 103h sont traversantes, c'est-à-dire formées dans toute l'épaisseur de la couche métallique 101. Les fentes 102a à 102e du premier sous réseau coupent perpendiculairement les fentes 103a à 103h du second sous réseau. Ces deux sous réseaux perpendiculaires l'un par rapport à l'autre permettent de réaliser le filtrage et la transmission, à la fois des modes polarisés transverse électrique TE et des modes polarisés transverse magnétique TM, ces deux modes étant perpendiculaires l'un par rapport à l'autre. Un des deux sous réseaux a donc pour fonction de réaliser le filtrage et la transmission de la lumière polarisée TM, par exemple les fentes 103a à 103h, les fentes 102a à 102e de l'autre sous réseau de réaliser le filtrage et la transmission de la lumière polarisée TE.
Afin d'obtenir des transmissions élevées des faisceaux lumineux filtrés, la couche métallique 101 est réalisée à partir de métaux les moins absorbants possible dans la gamme des longueurs d'ondes transmises. Pour les longueurs d'ondes visibles, il s'agira par exemple de l'aluminium, et/ou de l'argent et/ou de l'or. Il est également possible d'utiliser d'autres métaux, par exemple pour des longueurs d'ondes plus grandes que celles du domaine du visible.
La couche métallique 101 peut également être réalisée selon une variante représentée sur la figure 2B. En plus des deux sous réseaux de fentes 102a, 102b, ... et 103a, 103b, ... formés dans la couche 101, deux autres sous réseaux de fentes traversantes 109 et 112 sont formés dans la couche métallique 101. Dans l'exemple de la figure 2B, les fentes de ces deux sous réseaux 109 et 112 supplémentaires sont perpendiculaires les unes par rapport autres, coupant les fentes 102a, 102b, ... et 103a, 103b, ... des deux premiers sous réseaux selon un angle égal à environ 45°. On obtient alors quatre sous réseaux de fentes 102a à 102e, 103a à 103h, 109 et 112 décalés d'un angle environ égal à 45° les uns des autres. Ainsi, on symétrise encore plus les transmissions de la lumière polarisée TE et de la lumière polarisée TM à incidence oblique .
Chacun des sous réseaux de la figure 2A ou de la figure 2B peut être envisagé comme étant formé par un motif périodique répété plusieurs fois. Ainsi, dans chaque sous réseau, toutes les fentes ont une largeur identique et sont régulièrement espacées les unes des autres. Sur l'exemple de la figure 2A, pour le sous réseau de fentes 102a à 102e, le motif périodique peut par exemple comporter la fente 102a et une partie 107 de la couche métallique 101 séparant les fentes adjacentes 102a et 102b. Le sous réseau est alors formé en répétant six fois ce motif périodique. Pour le sous réseau de fentes 103a à 103h, le motif périodique comporte par exemple la fente 103a et une partie 106 de la couche métallique 101 séparant les deux fentes 103a et 103b adjacentes. La distance entre deux motifs périodiques, c'est à dire la largeur d'un motif périodique, est appelée pas ou période du sous réseau. Pour obtenir une bonne réponse du filtre 100, peu dépendante de l'angle de la lumière incidente, la période d'un ou de chacun des sous réseaux peut par exemple être inférieure à 350 nm. Ainsi, avec une telle période, on évite l'excitation résonante de plasmons de surface sur la couche métallique 101 et on garanti une bonne stabilité angulaire du filtre 100. De manière générale, la largeur de chacune des fentes d'un ou de chacun des sous réseaux est de préférence comprise entre environ 10 % et 50 % de la période de ce ou ces sous réseaux.
Le filtre spectral 100 de la figure 2A comporte également des couches de diélectriques 104 et 105, par exemple des couches minces, disposées respectivement en dessous et au dessus de la couche métallique 101. L'espace créé par les fentes 102a à 102e et 103a à 103h dans la couche métallique 101 est également rempli d'un matériau diélectrique 108, par exemple similaire à celui des couches diélectriques 104 et 105. Ce matériau diélectrique 108 est transparent aux longueurs d' ondes qui sont destinées à être transmises par le filtre spectral 100. L'indice de réfraction du matériau diélectrique 108 peut de préférence être inférieur à 1,6, participant ainsi à garantir la stabilité angulaire du filtre 100, en évitant l'excitation résonante de plasmons de surface sur la couche métallique 101. Le matériau diélectrique peut par exemple être à base d'oxyde de silicium, et/ou de SiOC, et/ou de SiOC nanoporeux, et/ou de silice nanoporeuses, et/ou de polymères. De manière générale, l'épaisseur de la première et/ou la seconde couche diélectrique 104 et 105 est comprise entre environ 50 nm et quelques centaines de nm. Sur la figure 2A, les couches diélectriques 104 et 105 ont une épaisseur d'environ 100 nm. Ces couches diélectriques 104 et 105 peuvent également présenter des structurations, par exemple pour diminuer leur indice moyen. Ces structurations peuvent être similaires ou non à celles de la couche métallique 101, c'est-à-dire aux fentes réalisées dans la couche métallique 101. Ces structurations réalisées dans les couche diélectriques 104 et 105 peuvent être débouchantes, c'est-à-dire réalisées dans toute l'épaisseur de la couche diélectrique, ou non. Ces structurations peuvent également être par exemple des fentes dont la largeur et/ou l'espacement diffèrent par rapport aux fentes réalisées dans la couche métallique 101. Enfin, ces structurations des couche diélectriques 104 et 105 peuvent être différentes d'un photodétecteur à l'autre.
La figure 3 représente des courbes de transmission simulées d'un filtre spectral similaire à celui représenté sur la figure 2A. Le coefficient de transmission est ici exprimé en fonction de la longueur d'onde transmise, exprimée en nanomètres. Ici, la couche métallique du filtre spectral est réalisée à base d'aluminium et a une épaisseur d'environ 150 nm. Comme sur la figure 2A, cette couche métallique comporte deux sous réseaux de fentes se croisant perpendiculairement les unes aux autres. La largeur des fentes est ici d'environ 85 nm, la période des deux sous réseaux étant d'environ 300 nm. La courbe 301 représente les transmissions TE et TM lorsque des faisceaux lumineux arrivent sur le filtre avec un angle d'incidence nul par rapport au plan de la couche métallique. Dans ce cas, les transmissions TE et TM sont identiques. Les valeurs mesurées ici diffèrent peu de celles obtenues lorsque la couche métallique ne comporte qu'un seul sous réseau de fentes orientées toutes dans le même sens, tel que décrit dans l'art antérieur. En effet, les photons sont majoritairement transmis par les fentes favorablement orientées avant d'être réfléchis par les fentes défavorablement orientées. Mais pour un faisceau non polarisé, cette structure permet un gain net en transmission par rapport aux dispositifs de l'art antérieur. La courbe 302 représente la transmission TM, et la courbe 303 la transmission TE, lorsque l'angle d'incidence des faisceaux lumineux est d'environ 15°. On voit que le comportement angulaire du filtre est très stable car les valeurs de transmissions TE et TM s'écartent très peu de la transmission calculée à incidence nulle.
L'épaisseur de la couche métallique d'un filtre a également une influence sur la transmission réalisée par le filtre. De manière générale, cette épaisseur est comprise entre environ 50 nm et quelques centaines de nm. L'épaisseur est choisie en fonction de la longueur d'onde transmise désirée, du diélectrique utilisé dans les fentes de la couche métallique, et de la sélectivité du filtre désirée. La figure 4 représente la transmission réalisée par un filtre spectral, similaire à celui représenté sur la figure 2A, en fonction de l'épaisseur de la couche métallique du filtre. La largeur des fentes est d'environ 85 nm et la période des sous réseaux est d'environ 300 nm. Le filtre spectral est ici entouré d'air. La valeur du coefficient de transmission est exprimée en fonction de la longueur d'onde transmise, en nanomètres. La courbe 304 correspond à une épaisseur d'environ 130 nm, la courbe 305 à une épaisseur d'environ 160 nm, et la courbe 306 à une épaisseur d'environ 210 nm. On voit sur ces courbes que l'augmentation de l'épaisseur de la couche métallique entraîne une baisse de la sélectivité du filtre, mais également un décalage du maximum de transmission vers des longueurs d'ondes plus grandes. II est donc possible de réaliser N filtres de N couleurs différentes en juxtaposant N couches de métal de N hauteurs différentes, structurées par le même réseau de fentes.
Le filtrage et la transmission réalisés par le filtre spectral, objet de la présente invention dépend donc principalement de deux facteurs : les dimensions du réseau de fentes (largeur des fentes et période du réseau) et la hauteur de la couche métallique du filtre. La figure 5 représente un exemple de réalisation d'un capteur d'images 200, objet de la présente invention. Sur cette figure, seulement deux sous pixels, c'est-à-dire deux photodétecteurs 202 et deux filtres spectraux 100a et 100b, sont représentés. Le capteur d'images 200 comporte en réalité plusieurs milliers ou plusieurs millions de pixels. Les photodétecteurs 202 sont réalisés sur un substrat 201, par exemple en silicium, pouvant intégrer des circuits de lecture et de traitements numériques. Les filtres 100a et 100b comportent chacun une couche métallique, respectivement 101a et 101b. Comme sur l'exemple de la figure 2A, les couches métalliques 101a et 101b comportent un réseau de fentes traversantes constitué de deux sous réseaux de fentes traversantes se coupant perpendiculairement les unes aux autres. Les dimensions de ces fentes peuvent par exemple être similaires à celles du filtre 100 de la figure 2A. Les filtres 100a et 100b sont par exemple disposés au dessus d'un pixel comportant 4 sous pixels configurés selon un schéma de BAYER, le filtre 100a étant par exemple destiné à filtrer et transmettre la couleur verte, et le filtre 100b la couleur bleu. Pour cela, les couches 101a et 101b ont chacune une épaisseur différente, permettant de filtrer uniquement la longueur d'onde désirée. Comme sur l'exemple de la figure 2A, les couches métalliques 101a et 101b sont disposées entre deux couches minces de diélectrique 104 et 105, par exemple similaires aux couches 104 et 105 de la figure 2A, et les fentes formées dans les couches métalliques 101a et 101b sont remplies d'un matériau diélectrique 108. Les couches métallique 101a et 101b sont par exemple réalisées à partir d'une unique couche métallique gravée en fonction de la hauteur de métal souhaitée, c'est à dire de la longueur d'onde à filtrer et transmettre. Les couches métalliques 101a et 101b forment, avec les deux couches diélectriques 104, 105, la couche filtrante du capteur 200.
Les filtres spectraux 100a, 100b sont séparés des photodétecteurs 202 par une couche support 203, par exemple à base de d'un diélectrique tel que du nitrure de silicium ou de l'oxyde de silicium, servant de support mécanique aux filtres spectraux 100a, 100b. Cette couche support 203 peut également comporter des éléments de focalisation, non représentés sur cette figure, servant à concentrer les faisceaux incidents sur les photodétecteurs 202. Cette couche 203 peut également comporter des contacts électriques reliés aux photodétecteurs 202 afin de prélever le signal obtenu, ainsi que réaliser l'isolation et la passivation des photodétecteurs 202. Cette couche support 203 est ici transparente aux longueurs d'ondes que le capteur 200 détecte.
Les filtres 100a et 100b sont recouverts d'une couche de protection 204, par exemple à base de matériaux polymères, qui peut intégrer comme fonction la protection chimique et mécanique des filtres spectraux 100a, 100b, ainsi que la concentration des faisceaux lumineux sur les photodétecteurs 202. Cette couche de protection 204 est ici transparente aux longueurs d'ondes que le capteur 200 détecte.
Dans une variante, les couches métalliques 101a et 101b des filtres 100a et 100b ont une hauteur égale. Dans ce cas, pour que chacun réalise une transmission à une longueur d'onde différente
(respectivement par exemple des couleurs verte et bleue) , les dimensions des fentes de la couche métallique 101a sont différentes des dimensions des fentes de l'autre couche métallique 101b. Ces dimensions peuvent être la largeur des fentes et/ou la période du réseau.
Le capteur d'images 200 comporte également un troisième 100c et un quatrième 10Od filtre spectral, non représentés sur la figure 5, formant avec les deux autres filtres spectraux 100a, 100b, un filtre de Bayer, et au moins deux autres photodétecteurs 202 disposés chacun sous l'un des troisième 100c et quatrième 10Od filtres spectraux. Ainsi, les quatre photodétecteurs 202 forment un pixel du capteur d'images 200, le filtrage lumineux étant réalisé par le filtre de Bayer 100a, 100b, 100c, 10Od.
La réalisation d'une matrice de filtres de différentes couleurs peut donc être envisagée de deux manières différentes : par le matriçage de filtres dont l'épaisseur de la couche métallique est variable d'un sous pixel à l'autre. La période et la largeur des fentes des réseaux est alors la même pour tous les filtres de la matrice, par le matriçage de filtres dont les épaisseurs des couches métalliques sont les mêmes, mais dont les tailles de fentes et de périodes différent d'un filtre à l'autre. Dans les deux cas, les filtres de la matrice peuvent être jointifs les uns avec les autres.
Plusieurs procédés de réalisation d'un filtre spectral, également objets de la présente invention, vont maintenant être décrits. Pour chacun de ces procédés, la réalisation d'un capteur d'images comportant quatre filtres spectraux (un bleu, un rouge et deux vert), disposés selon un schéma de BAYER, d'un pixel va être décrite.
Un premier exemple est décrit en liaison avec les figures 6A à 6F représentant les différentes étapes d'un procédé de réalisation d'un filtre spectral 110 et d'un capteur d'images 210 comportant le filtre spectral 110. Sur ces figures, le capteur d'images 210 comporte quatre filtres spectraux dont seule la réalisation du filtre 110 sera détaillée. On réalise tout d'abord le dépôt d'une couche diélectrique 104 sur une couche support 203, par exemple similaire à la couche support 203 représentée sur la figure 5, comme cela est représenté sur la figure 6A. L'indice du matériau utilisé pour la réalisation de la couche diélectrique 104 est ici inférieur à 1,6. Cette couche diélectrique 104 comporte des variations de hauteur en fonction du filtre qui va être réalisé. Ainsi, la couche diélectrique 104 forme quatre plots : un premier plot 104a destiné à la réalisation d'un filtre pour un sous pixel bleu, un second et troisième plots 104b, 104d, chacun destiné à un filtre d'un sous pixel vert, et un quatrième plot 104c pour un filtre d'un sous pixel rouge. Chaque plot a par exemple la longueur de ses côtés comprise entre environ 0,5 micromètre et quelques dizaines de micromètres et une hauteur comprise entre environ 50 nm et 200 nm. La variation de hauteur entre deux plots est en général comprise entre 0 nm et 100 nm. Ces plots peuvent être réalisés par exemple par photo lithogravure ou par nano impression. Cette étape sert donc à définir et aligner les zones de filtrage rouge, vert et bleu.
Une couche métallique 101 est ensuite déposée sur les plots diélectriques 104a à 104d, comme cela est représenté sur la figure 6B . Pour la réalisation de filtres de lumière visible, le métal utilisé est par exemple de l'aluminium. Ce dépôt est par exemple réalisé par pulvérisation cathodique. La figure 6C représente une étape de planarisation de la couche métallique 101. Des techniques de polissage mécano chimique peuvent être utilisées pour cette planarisation . La couche métallique 101 restante a une épaisseur comprise entre environ 50 nm et 200 nm. On réalise ensuite le dépôt d'un masque de gravure 111 sur la couche métallique 101, comme cela est représenté sur la figure 6D. Ce masque de gravure 111 est structuré par un réseau de fentes traversantes comprenant deux sous réseau de fentes traversantes se coupant perpendiculairement les unes aux autres. La période du sous réseau de fentes est en général comprise entre environ 100 nm et 400 nm, et la largeur des fentes entre 30 nm et 150 nm. Ce masque 111 peut par exemple être à base de polymère diélectrique. Des techniques d'insolation optique ou électronique dans une pleine couche de polymère photosensible peuvent être utilisées pour la réalisation du masque de gravure 111. Pour une production de masse à bas coût, on utilisera avantageusement des techniques de nano impression voire d'insolation holographique.
Sur la figure 6E, on réalise ensuite une gravure, telle une gravure anisotrope, de la couche métallique 101 utilisant la couche de polymère structurée comme masque de gravure 111. Le motif des fentes perpendiculaires est donc reproduit sur toute l'épaisseur de la couche métallique 101 de manière à former des fentes traversantes.
Enfin, on dépose une couche diélectrique 105 par exemple d'indice inférieur à 1,6 et de quelques centaines de nm d'épaisseur sur la couche métallique 101, comme représenté sur la figure 6F. Cette couche 105 permet de combler l'espace entre les motifs métalliques par du matériau diélectrique et de former la couche diélectrique supérieure du filtre. Une étape de planarisation par polissage mécano chimique est réalisée si d'autres éléments (notamment optique) sont ajoutés sur cette couche diélectrique 105.
Le filtre 110 est réalisé sur un photodétecteur 202 formant un sous pixel du capteur d'images 210. Ainsi, le capteur d'images 210 comporte un filtre de Bayer réalisé à partir de quatre filtres spectraux, dont le filtre 110. Un photodétecteur 202, non représenté, est présent sous chacun des filtres, formant ainsi un pixel du capteur d'images 210.
Un procédé de réalisation de filtres spectraux et d'un capteur d'images selon un second mode de réalisation va maintenant être décrit en rapport avec les figures 7A et 7B.
On réalise tout d'abord l'impression d'une couche diélectrique 104 structurée d'indice inférieur à 1,6. Cette couche diélectrique 104 est disposée sur la couche support 203. Cette étape d'impression utilise les techniques de nano impression pour définir simultanément la première couche diélectrique disposée sous la couche métallique du filtre, et le réseau de fentes perpendiculaires. Le motif est ici réalisé en inverse car l'impression réalise des évidements destinés à recevoir le métal pour former la couche métallique structurée.
Une couche métallique 101 est ensuite déposée sur la couche diélectrique 104 structurée afin de remplir les évidements formés dans la structure de la couche diélectrique 104. Une technique de pulvérisation cathodique peut par exemple être utilisée .
On réalise ensuite une planarisation par polissage mécano chimique de la couche métallique 101, jusqu'à l'apparition des plots diélectriques enterrés de la couche diélectrique 104, tel que représenté sur la figure 7A.
Enfin, on dépose une couche diélectrique 105 d'indice inférieur à 1,6, d'une épaisseur comprise entre environ 100 nm et 500 nm, par exemple par PVD
(physical vapor déposition en anglais, ou dépôt physique en phase gazeuse) sur les plots de la couche diélectrique 104 et la couche métallique 101. Les figures 8A à 8D représentent un troisième mode de réalisation d'un procédé de réalisation de filtres spectraux selon l'invention et de capteurs d'images, également selon l'invention.
On dépose une couche diélectrique 104 par exemple d'indice inférieur à 1,6, sur une couche support 203, comme représenté sur la figure 8A. Ce dépôt peut par exemple être réalisé par dépôt PVD.
Sur la figure 8B, on réalise une nano impression à chaud de plots métalliques dans une couche métallique 101 déposée sur la couche diélectrique 104. Ces plots comportent un réseau de fentes perpendiculaires entre elles. Chacun des plots réalisés forme la couche métallique d'un filtre spectral. A cette étape, les fentes ne sont pas réalisées traversantes et une sous-couche métallique 131 reste formée sous les fentes. Différentes hauteurs de plots sont réalisées afin d'obtenir des filtres de couleurs différentes. Il est également possible de réaliser des plots de hauteur similaire, mais dont le réseau de fentes comporte des largeurs de fentes et/ou des périodes différentes en fonction du filtrage souhaité.
Une étape de gravure de la couche métallique 101 grave la sous-couche métallique 131, rendant ainsi les fentes traversantes, comme cela est représenté sur la figure 8C. Enfin, sur la figure 8D, une couche diélectrique 105, par exemple inorganique et d'indice inférieur à 1,6, est déposée par technique PVD sur la couche métallique 101, remplissant ainsi les fentes d'un matériau diélectrique et formant la couche diélectrique supérieure. Cette couche supérieure de protection pourrait également être à base d'un polymère planarisant, également d'indice inférieur à 1,6. Dans ce cas, le dépôt pourrait être réalisé par « spin coating » (ou dépôt par centrifugation) . Enfin, une couche de protection 204 est déposée sur la couche diélectrique 105, recouvrant ainsi les filtres spectraux réalisés.
Dans une variante de ces trois modes de réalisation, il est possible de réaliser les filtres spectraux 110, 120, 130 sur une couche support 203 temporaire et/ou transparente, par exemple à base de silicium ou de verre, puis assemblée sur les photodétecteurs par des techniques de collage moléculaire aligné. Dans ce cas, comme cela est représenté sur la figure 9A, on réalise un dépôt d'une couche diélectrique 142, par exemple d'indice inférieur à 1,6, sur une couche support 141.
On reporte ensuite, sur cette couche diélectrique 142, le filtre spectral 110, 120 ou 130 réalisé précédemment. Chacun des filtres spectraux est aligné avec un photodétecteur se trouvant sous la couche support 141. C'est la couche diélectrique supérieure 105 du filtre spectral qui est en contact avec la nouvelle couche diélectrique 142. Enfin, si la couche support 203 utilisée durant la réalisation du filtre spectral n'est pas transparente à la longueur d'onde transmise par le filtre, cette couche support 203 qui se retrouve au sommet du filtre spectral est gravée pour être supprimée.

Claims

REVENDICATIONS
1. Filtre spectral (100) comportant au moins une couche métallique (101) structurée par un réseau de fentes traversantes (102a à 102e, 103a à 103h) , le réseau étant constitué d'au moins deux premiers sous réseaux de fentes traversantes (102a à 102e, 103a à 103h) se coupant perpendiculairement les unes aux autres.
2. Filtre spectral (100) selon la revendication 1, comportant en outre au moins un troisième sous réseau de fentes traversantes (109) coupant les fentes (102a à 102e, 103a à 103h) des deux premiers sous réseaux.
3. Filtre spectral (100) selon la revendication 2, les fentes (109) du troisième sous réseau coupant les fentes (102a à 102e, 103a à 103h) des deux premiers sous réseaux selon un angle égal à environ 45 degrés.
4. Filtre spectral (100) selon l'une des revendications 2 ou 3, comportant en outre au moins un quatrième sous réseau de fentes traversantes (112) coupant les fentes (102a à 102e, 103a à 103h) des deux premiers sous réseaux et les fentes (109) du troisième sous réseau.
5. Filtre spectral (100) selon la revendication 4, les fentes (112) du quatrième sous réseau coupant perpendiculairement les fentes (109) du troisième sous réseau.
6. Filtre spectral (100) selon l'une des revendications précédentes, les fentes (102a à 102e, 103a à 103h, 109, 112) d'un ou de chacun des sous réseaux étant régulièrement espacées les unes des autres et/ou comportant chacune une largeur identique.
7. Filtre spectral (100) selon l'une des revendications 1 à 6, chaque sous réseau étant formé par la répétition d'un motif périodique, ledit motif périodique comportant une des fentes (102a à 102e, 103a à 103h) du sous réseau et une partie (106, 107) de la couche métallique (101) séparant deux fentes adjacentes du sous réseau.
8. Filtre spectral (100) selon la revendication 7, la largeur du motif périodique d'un ou de chacun des sous réseaux étant inférieure à environ 350 nm.
9. Filtre spectral (100) selon l'une des revendications 7 ou 8, la largeur de chacune des fentes (102a à 102e, 103a à 103h) d'un ou de chacun des sous réseaux étant comprise entre environ 10 % et 50 % de la largeur du motif périodique de ce ou ces sous réseaux.
10. Filtre spectral (100) selon l'une des revendications précédentes, l'épaisseur de la couche métallique (101) étant comprise entre environ 50 nm et quelques centaines de nm
11. Filtre spectral (100) selon l'une des revendications précédentes, la couche métallique (101) étant à base d'aluminium, et/ou d'argent, et/ou d'or.
12. Filtre spectral (100) selon l'une des revendications précédentes, l'espace créé par les fentes (102a à 102e, 103a à 103h, 109, 112) dans la couche métallique (101) étant rempli d'un matériau diélectrique (108).
13. Filtre spectral (100) selon l'une des revendications précédentes, comportant en outre au moins une première couche diélectrique (105) disposée au dessus de la couche métallique (101) structurée et/ou au moins une seconde couche diélectrique (104) disposée en dessous de la couche métallique (101) structurée.
14. Filtre spectral (100) selon la revendication 13, l'épaisseur de la première (105) et/ou la seconde (104) couche diélectrique étant comprise entre environ 50 nm et quelques centaines de nm.
15. Filtre spectral (100) selon l'une des revendications 12 à 14, le diélectrique (104, 105, 108) ayant un indice de réfraction inférieur à environ 1,6.
16. Capteur d'images (200) comportant au moins un premier (100a) et un second (100b) filtre spectral selon l'une quelconque des revendications 1 à 15, disposés dans un même plan horizontal, et au moins deux photodétecteurs (202) disposés sous les filtres spectraux (100a, 100b) .
17. Capteur d'images (200) selon la revendication 16, les filtres (100a, 100b) étant jointifs les uns avec les autres.
18. Capteur d'images (200) selon l'une des revendications 16 ou 17, l'épaisseur de la couche métallique (101a) du premier filtre spectral (100a) étant différente de l'épaisseur de la couche métallique (101b) du second filtre spectral (100b) .
19. Capteur d'images (200) selon l'une des revendications 16 ou 17, l'épaisseur de la couche métallique (101a) du premier filtre spectral (100a) étant identique à l'épaisseur de la couche métallique (101b) du second filtre spectral (100b), et la largeur du motif périodique et/ou la largeur des fentes des deux filtres spectraux (100a, 100b) étant différentes.
20. Capteur d'images (200) selon l'une des revendications 16 à 19, comportant en outre une couche de protection (204) recouvrant les filtres spectraux
(100a, 100b) .
21. Capteur d'images (200) selon l'une quelconque des revendications 16 à 20, comportant en outre un troisième (100c) et un quatrième (10Od) filtre spectral, les quatre filtres spectraux (100a, 100b, 100c, 10Od) formant un filtre de Bayer, et au moins deux autres photodétecteurs (202) disposés chacun sous l'un des troisième (100c) et quatrième (10Od) filtres spectraux, le filtre de Bayer (100a, 100b, 100c, 10Od) et les quatre photodétecteurs (202) formant un pixel du capteur d'images (200).
22. Capteur d'images (200) selon l'une des revendications 16 à 21, les photodétecteurs (202) étant réalisés sur un substrat (201).
23. Capteur d'images (200) selon l'une des revendications 16 à 22, comportant en outre une couche support (203) disposée entre les photodétecteurs (202) et les filtres spectraux (100a, 100b, 100c, 10Od) .
24. Procédé de réalisation d'un filtre spectral (120), comportant les étapes suivantes : réalisation d'un réseau de fentes dans une couche diélectrique (104), le réseau étant constitué d'au moins deux sous réseaux de fentes se coupant perpendiculairement les unes aux autres,
- dépôt d'une couche métallique (101) dans le réseau de fentes formé dans la couche diélectrique (104), - planarisation de la couche métallique
(101) .
25. Procédé de réalisation d'un filtre spectral (130), comportant les étapes de :
- dépôt d'une couche métallique (101) sur une couche diélectrique (104), - impression de la couche métallique (101) réalisant, dans la couche métallique (101), un réseau de fentes, le réseau de fentes étant constitué d'au moins deux sous réseaux de fentes se coupant perpendiculairement les unes aux autres, - gravure de la couche métallique (101) au niveau des fentes pour les rendre traversantes,
- dépôt d'une couche diélectrique (105) sur la couche métallique (101), planarisation de ladite couche diélectrique (105).
26. Procédé de réalisation d'un filtre spectral (120, 130) selon l'une des revendications 24 ou 25, comportant après l'étape de planarisation, une étape de report du filtre spectral (120, 130) sur une autre couche de diélectrique (142) par l'intermédiaire de la couche diélectrique (105) du filtre spectral (120, 130) .
27. Procédé de réalisation d'un capteur d'images (220, 230) comportant, avant la réalisation d'au moins un filtre spectral (120, 130) selon l'une des revendications 1 à 15, une étape de dépôt d'une couche support (203) sur au moins un photodétecteur (202), le filtre spectral (120, 130) étant réalisé ou reporté sur la couche support (203) .
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