WO2007054073A1 - Vorrichtung und verfahren zur herstellung von licht emittierenden elementen mit organischen verbindungen - Google Patents

Vorrichtung und verfahren zur herstellung von licht emittierenden elementen mit organischen verbindungen Download PDF

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Jörg AMELUNG
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    • H10K71/441—Thermal treatment, e.g. annealing in the presence of a solvent vapour in the presence of solvent vapors, e.g. solvent vapour annealing

Definitions

  • the invention relates to a device and a method for producing light-emitting elements with organic compounds. These elements are provided with organic light emitting diodes and can be displays or lighting elements with such light emitting diodes.
  • OLEDs organic light-emitting diodes
  • layer structure layers of organic compounds are included, which by activation by means of an applied electrical voltage for emission of light are suitable.
  • individual light-emitting elements are formed on a substrate, which are usually referred to as pixels.
  • a substrate which are usually referred to as pixels.
  • the same or different organic compounds suitable for the emission of light can be used.
  • the elements are produced in vacuo by evaporation of suitable substances and chemical compounds with a structuring and a layer structure.
  • shadow masks are used for the planar structuring, through the openings of the gaseous compounds or substances locally differentiated impinge on a surface and locally form a limited layer whose thickness can be specified.
  • individual light-emitting elements on a substrate must be formed discreetly in order to enable a separate activation or to avoid an overlap of different colors of adjacent light-emitting elements.
  • No. 6,811,808 B2 describes the use of shadow masks with which a structuring on substrates for multicolor displays is to be formed.
  • layers of organic compounds for light with red, green and blue color are to be deposited on a substrate on electrodes formed in structured form.
  • a shadow mask with openings is gradually moved and positioned the openings in the process.
  • the deposition of the gaseous organic compounds takes place with a larger separation or scattering angle than is the case in a subsequent deposition of further layers, with which, for example, a further electrode can be formed above the layers formed from organic compounds.
  • another differently structured shadow mask is used for this upper layer (s).
  • the elements in question are vapor-deposited by means of point sources, which are arranged around a central chamber, in a vacuum.
  • This has several disadvantages, since an increased expenditure of time is required for the handling of the substrates.
  • a large proportion of the vaporized organic compounds is lost because they are deposited within the vacuum chamber and also a large part are sucked out of the vacuum chamber.
  • the required time can be reduced.
  • it is a complex exchange of shadow masks within the system required, which in particular concerns the maintenance of vacuum conditions and the required high-precision adjustment of the shadow masks. The necessary movements during the adjustment release particles, which reduce the yield during production.
  • already pre-treated substrates are further processed in a vacuum coating plant.
  • at least one electrode is already formed on a suitable substrate over which at least one layer of an organic compound capable of emitting light, e.g. due to electro-luminescence, is suitable to be deposited.
  • At least one source with which the respective organic compound is to be converted into the gas phase, is present.
  • the gaseous organic compound passes through at least one aperture of a shadow mask on the surface and forms locally limited a layer, in the form of a pixel.
  • the gas flow takes place with a very small scattering angle or deposition angle and is oriented at least approximately orthogonally with respect to the surface of the substrate. As a result, there is a very small undercut in the deposition.
  • the substrate and the same mask are positioned relative to at least one other source.
  • a substance for example an electrically conductive metal, is transferred into the gas phase and directed through one or more openings of the same shadow mask onto the surface area (s) provided with organic / organic layer (s), and there formed a cover electrode.
  • the gas stream with a larger scattering angle or deposition angle e.g. in the form of a cone-shaped gas stream, directed onto the respective surface area, so that a greater undercut of the shadow mask and an enlarged top electrode area is achieved compared with the area coated with organic compound.
  • the distance between substrate and shadow mask in the formation of the cover electrode (s) may be greater than in the formation of organic layers. This change in distance can be made during transport of the organic / organic layer (s) provided substrate.
  • cover electrode (s) sources that have a higher base pressure compared to sources that can be used for the formation of organic layers.
  • a wider angular distribution can also be achieved by means of tilted sources.
  • at least one source is aligned at an obliquely inclined angle with respect to the substrate surface on which a coating is to be formed, so that the gas flow emerging from such a tilted source has a correspondingly inclined at an angle with respect to the substrate surface center axis.
  • An analogous effect can also be achieved with at least one pivotable source.
  • the pivoting can take place about an axis or else about a point.
  • the gas flow is then directed as a function of the respective pivoting angle for coating through an opening in the shadow mask, thereby forming the cover electrode.
  • thermal evaporation sources can be used.
  • Such sources may also be used for training
  • Cover electrodes are used. Especially under However, for the sake of the preferred, desired, elevated base pressure, CVD sources, and more preferably, PVD sources, should be used. An example of this is a magnetron sputtering source.
  • organic layers all suitable organic compounds can be used. This also applies to the substances used for the formation of cover electrodes.
  • the respective desired layer thicknesses of the individual layers can likewise be maintained in a known form, for example by means of predefinable coating times or a predeterminable speed of the translatory movement.
  • large-area substrates can be processed and thereby a plurality of discretely arranged light-emitting elements are formed on the substrate.
  • FIG. 1 A first figure.
  • a substrate 10 By a non-illustrated vacuum continuous coating system, a substrate 10, as indicated by the arrows translatorisch moves through.
  • the substrate 10 has already been patterned with separate base electrodes 21 and 22.
  • no relative movement takes place between the substrate 10 and the shadow mask 30 in the direction of the translatory movement.
  • Substrate 10 and shadow mask 30 then pass into the area of influence of sources 40.
  • Gaseous organic compounds for the formation of organic layers 23 are directed from the sources 40 onto the surface of the substrate 10 through the aperture of the shadow mask 30.
  • a plurality of such layers 23 can be formed one above the other and at least one layer of an organic compound suitable for the emission of light is formed.
  • the gas stream is directed with a narrow angular distribution, at least almost orthogonal to the surface and widens only slightly, if at all, in the direction of the substrate 10.
  • the substrate 10 and the shadow mask 30 reach the area of influence of further sources 50 with which the formation of a cover electrode 24 on the organic layers 23 can be realized.
  • a metal or a metal alloy for example aluminum, is transferred by means of the sources 50 into the gas phase and the deposition takes place in comparison to the previously described deposition of organic layers 23 with wider angular distribution, with which a greater undercut of the shadow mask 30 and a larger-area coating is achieved can be.
  • the thus formed cover electrode 24 is electrically conductively connected to the base electrode 21, as can be seen from the right-hand illustration of FIG. Via the base electrodes 21 and 22, the light-emitting element is controllable.
  • the sources 40 may be formed as a thermal evaporation source.
  • the sources 50 may be PVD sources or even CVD sources, e.g. Be magneton sputtering sources.
  • At least one of the sources 50 should be tilted in relation to the surface to be coated, ie aligned at an obliquely inclined angle.
  • This and / or possibly an increased base pressure of sources 50 compared to the base pressure of the sources 40 leads to a wider angular distribution and greater undercut of the shadow mask 30 in the deposition and formation of the cover electrode 24.
  • Electrodes 24 can be achieved.
  • the respective change in distance can be selected taking into account the clear width of apertures in the shadow mask 30, the distance of the sources 40 and 50 to the respective surface to be coated and the desired surface sizes to be coated.

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Abstract

Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung und ein Verfahren zur Herstellung von Licht emittierenden Elementen mit organischen Verbindungen. Diese Elemente sind mit organischen Leuchtdioden versehen und Displays oder auch Beleuchtungselemente mit solchen Leuchtdioden sein. Es ist Aufgabe der Erfindung den Aufwand für die Herstellung bezüglich der Kosten des Zeitaufwandes zu reduzieren. Dabei werden in einer Vakuum-Durchlaufbeschichtungsanlage bereits vorbehandelte Substrate weiter bearbeitet. Auf einem solchen Substrat ist eine Elektrode ausgebildet, über der mindestens eine Schicht einer organischen Verbindung, die zur Emission von Licht geeignet ist, abgeschieden werden soll. Die Abscheidung soll mit unterschiedlichen Winkelverteilungen erfolgen. Dabei werden Schattenmasken eingesetzt. Die Anpassung der Winkelverteilung bei der Abscheidung kann durch Variation des Abstandes der Schattenmaske zum Substrat und/oder des Basisdruckes von Quellen für die Abscheidung der Deckelektrode und der organischen Schicht(en) erfolgen.

Description

Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung von Licht emittierenden Elementen mit organischen Verbindungen
Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung und ein Ver- fahren zur Herstellung von Licht emittierenden Elementen mit organischen Verbindungen. Diese Elemente sind mit organischen Leuchtdioden versehen und können Displays oder auch Beleuchtungselemente mit solchen Leuchtdioden sein.
Dabei kann Licht mit unterschiedlichen Wellenlängen, also in verschiedenen Farben oder auch lediglich Licht in einer Farbe emittiert werden.
Bekanntermaßen werden solche Elemente mit organischen Leuchtdioden (OLED' s) durch eine flächige Abscheidung auf verschiedensten Substraten hergestellt. Im Schichtaufbau sind Schichten aus organischen Verbindungen enthalten, die durch eine Aktivierung mittels einer angelegten elektrischen Spannung zur Emission von Licht geeignet sind.
Dabei werden einzelne Licht emittierende Elemente auf einem Substrat ausgebildet, die üblicherweise auch als Pixel bezeichnet werden. Dabei können gleiche o- der auch unterschiedliche für die Emission von Licht geeignete organische Verbindungen eingesetzt werden.
Bei der Herstellung, ist eine Strukturierung und ein geeigneter Schichtaufbau, zu berücksichtigen. Hierfür werden an sich bekannte Anlagentechnik und Technologien der Dünnschichttechnik eingesetzt. Bisher werden überwiegend relativ kleinformatige Elemente, als Sub- displays hergestellt. Es ist davon auszugehen, dass die Einsatzgebiete organischer Leuchtdioden weiter zu nehmen und diese für erheblich größere Displays oder Beleuchtungselemente zunehmend Verwendung finden.
Die Elemente werden im Vakuum durch Verdampfung von geeigneten Stoffen und chemischen Verbindungen mit einer Strukturierung und einem Schichtaufbau hergestellt . Dabei werden für die flächige Strukturierung Schattenmasken eingesetzt, durch deren Durchbrechungen die gasförmigen Verbindungen oder Stoffe lokal differenziert auf eine Oberfläche auftreffen und lokal begrenzt eine Schicht bilden, deren Schichtdicke vorgegeben werden kann. Dabei treten Probleme bei der gleichzeitigen Strukturierung großer Flächen auf, da große Schattenmasken zum Verziehen neigen. Außerdem setzen sich Durchbrechungen von Schattenmasken mit den chemischen Verbindungen oder auch Stoffen nach mehr oder weniger langen Einsatzzeiträumen, bis hin zur Verstopfung, zu. Daher ist eine entsprechend häufige Reinigung oder ein Austausch erforderlich. Dies wirkt sich besonders nachteilig bei der Vakuumtechnik aus und es kommt zu Unterbrechungen bei der Ferti- gung .
Einzelne Licht emittierende Elemente auf einem Substrat müssen aber diskret ausgebildet werden, um eine gesonderte Ansteuerung zu ermöglichen oder eine Überlappung unterschiedlicher Farben benachbarter Licht emittierender Elemente zu vermeiden.
In US 6,811,808 B2 ist die Verwendung von Schatten- masken beschrieben mit denen eine Strukturierung auf Substraten für mehrfarbige Displays ausgebildet werden soll. Dabei sollen auf einem Substrat auf in strukturierter Form ausgebildeten Elektroden, Schichten organischer Verbindungen für Licht mit roter, grüner und blauer Farbe abgeschieden werden. Hierfür wird eine Schattenmaske mit Durchbrechungen schrittweise bewegt und die Durchbrechungen dabei positioniert. Dabei erfolgt die Abscheidung der gasförmigen organischen Verbindungen mit größerem Abscheide- oder Streuwinkel, als dies bei einer nachfolgenden Abscheidung weiterer Schichten der Fall ist, mit denen beispielsweise auch eine weitere Elektrode oberhalb der aus organischen Verbindungen gebildeten Schichten ausgebildet werden kann. Dabei wird für diese obe- re (n) Schicht (en) eine weitere anders strukturierte Schattenmaske eingesetzt.
Außerdem werden die in Rede stehenden Elemente mittels Punktquellen, die um eine zentrale Kammer ange- ordnet sind, im Vakuum bedampft. Dies hat mehrere Nachteile, da für die Handhabung der Substrate ein erhöhter Zeitaufwand erforderlich ist. Außerdem geht ein großer Anteil der verdampften organischen Verbindungen verloren, da sie innerhalb der Vakuumkammer deponiert und auch ein großer Teil aus der Vakuumkammer abgesaugt werden. In Durchlauf-Vakuumbeschichtungsanlagen kann die erforderliche Zeit reduziert werden. Es ist aber ein aufwendiger Austausch von Schattenmasken innerhalb der Anlage erforderlich, was insbesondere die Einhaltung der Vakuumbedingungen und die erforderliche hochgenaue Justierung der Schattenmasken betrifft. Durch die erforderlichen Bewegungen bei der Justage werden Partikel frei gesetzt, die die Ausbeute bei der Fertigung reduzieren.
Es ist daher Aufgabe der Erfindung den Aufwand für die Herstellung, was die Kosten und den Zeitaufwand betrifft, zu reduzieren.
Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe mit einer Vorrichtung, die die Merkmale des Anspruchs 1 aufweist, gelöst. Das erfindungsgemäße Herstellungsverfahren ist mit dem Anspruch 10 vorgegeben.
Vorteilhafte Ausgestaltungen und Weiterbildungen der Erfindung können mit den in den untergeordneten Ansprüchen bezeichneten Merkmalen erreicht werden.
Bei der Erfindung werden in einer Vakuumbeschich- tungsanlage bereits vorbehandelte Substrate weiter bearbeitet. So ist auf einem geeigneten Substrat bereits mindestens eine Elektrode ausgebildet, über der mindestens eine Schicht einer organischen Verbindung, die zur Emission von Licht, z.B. infolge von Elektro- Lumineszenz, geeignet ist, abgeschieden werden soll.
Es werden unterschiedliche Winkelverteilungen bei der Abscheidung organischer Schichten und der Abscheidung für die Ausbildung von Deckelektroden gewählt. Dabei ist die Winkelverteilung bei der Abscheidung für die Bildung von Deckelektroden breiter.
Hierfür ist mindestens eine Quelle, mit der die jeweilige organische Verbindung in die Gasphase über- führt werden soll, vorhanden. Die gasförmige organische Verbindung gelangt durch mindestens eine Durchbrechung einer Schattenmaske auf die Oberfläche und bildet dort lokal begrenzt eine Schicht, in Form eines Pixels. Die Gasströmung erfolgt mit sehr geringem Streuwinkel bzw. Abscheidewinkel und ist zumindest nahezu orthogonal in Bezug zur Oberfläche des Substrates ausgerichtet . Dadurch tritt eine sehr kleine Unterschneidung bei der Abscheidung auf.
Bei der translatorischen Bewegung durch die Vakuum- Durchlaufbeschichtungsanlage werden das Substrat und die gleiche Maske in Bezug zu mindestens einer weiteren Quelle positioniert. Mittels dieser weiteren Quelle (n) wird ein Stoff, beispielsweise ein elekt- risch leitendes Metall, in die Gasphase überführt und durch eine oder mehrere Durchbrechung (en) derselben Schattenmaske auf den/die mit organischer/organischen Schicht (en) versehenen Oberflächenbereiche gerichtet und dort ein Deckelektrode ausgebildet .
Dabei wird der Gasstrom mit größerem Streuwinkel bzw. Abscheidewinkel, z.B. in Form eines kegelförmig ausgebildeten Gasstromes, auf den jeweiligen Oberflächenbereich gerichtet, so dass eine größere Unter- schneidung der Schattenmaske und eine gegenüber der mit organischer Verbindung beschichteter Fläche, vergrößerte Deckelektrodenfläche erreicht wird.
Dies kann in zwei Alternativen erreicht werden, die jeweils allein aber auch gemeinsam angewendet werden können . So kann zum einen der Abstand zwischen Substrat und Schattenmaske bei der Ausbildung der Deckelektrode (n) größer, als bei der Ausbildung von organischen Schichten sein. Diese Abstandsänderung kann während des Transports des mit organischer/organischen Schicht (en) versehenen Substrates vorgenommen werden.
Als zweite Alternative besteht die Möglichkeit, für die Ausbildung der Deckelektrode (n) Quellen einzusetzen, die einen höheren Basisdruck gegenüber Quellen, die für die Ausbildung organischer Schichten eingesetzt werden können, aufweisen.
Eine breitere Winkelverteilung kann auch mittels verkippter Quellen erreicht werden. Dabei ist mindestens eine Quelle in einem schräg geneigten Winkel in Bezug zur Substratoberfläche, auf der eine Beschichtung ausgebildet werden soll, ausgerichtet ist, so dass der aus einer so verkippten Quelle austretende Gasstrom eine entsprechend in einem Winkel in Bezug zur Substratoberfläche geneigte Mittenachse aufweist .
Ein analoger Effekt kann auch mit mindestens einer verschwenkbaren Quelle erreicht werden, Dabei kann die Verschwenkung um eine Achse oder auch um einen Punkt erfolgen. Die Gasströmung wird dann in Abhängigkeit des jeweiligen Schwenkwinkels zur Beschichtung durch eine Durchbrechung der Schattenmaske ge- richtet und dadurch die Deckelektrode ausgebildet.
Für die Ausbildung organischer Schichten können thermische Verdampfungsquellen eingesetzt werden.
Solche Quellen können auch für die Ausbildung von
Deckelektroden eingesetzt werden. Insbesondere unter dem Aspekt des bevorzugt gewünschten erhöhten Basis- drucks sollten jedoch CVD-Quellen und besonders bevorzugt PVD-Quellen eingesetzt werden. Ein Beispiel hierfür ist eine Magnetron-Sputterquelle .
Für die Ausbildung organischer Schichten können alle geeigneten organischen Verbindungen eingesetzt werden. Dies trifft auch auf die für die Ausbildung von Deckelektroden eingesetzten Stoffe zu. Die jeweilig gewünschten Schichtdicken der Einzelschichten können ebenfalls in bekannter Form, beispielsweise mittels vorgebbarer Beschichtungszeiten oder eine vorgebbare Geschwindigkeit der translatorischen Bewegung eingehalten werden.
Mit der Erfindung können großflächige Substrate bearbeitet und dabei eine Vielzahl diskret zueinander angeordneter Licht emittierender Elemente auf dem Substrat ausgebildet werden.
Mit der Erfindung kann äußerst vorteilhaft auf einen Wechsel von Schattenmasken während des Bearbeitungs- prozesses verzichtet werden. Dies führt zu einer deutlichen Vereinfachung des Prozesses und zu einer Ausbeuteerhöhung. Es kann die bei der Abscheidung auftretende Partikeldichte reduziert werden.
Durch die vergrößerte Unterschneidüng bei der Ausbildung von Deckelektroden kann ein in In-situ Kontakt von Deckelektroden erreicht werden.
Nachfolgend soll die Erfindung beispielhaft näher erläutert werden. Dabei zeigt :
Figur 1
In schematischer Form ein Beispiel nach der Erfindung.
Durch eine nicht dargestellte Vakuum- Durchlaufbeschichtungsanlage wird ein Substrat 10, wie mit den Pfeilen angedeutet translatorisch hindurch bewegt. Das Substrat 10 ist bereits mit voneinander getrennten Grundelektroden 21 und 22 strukturiert worden. Gemeinsam mit dem Substrat 10 wird die Schattenmaske 30, mit hier einer dargestellten Durchbrechung, die in Bezug zu dem mit den Grundelektroden 21 und 22 versehenen Bereich des Substrates 10 positioniert ist, bewegt. Dabei findet zwischen Substrat 10 und Schattenmaske 30 in Richtung der translatori- sehen Bewegung keine Relativbewegung statt. Substrat 10 und Schattenmaske 30 gelangen dann in den Einflussbereich von Quellen 40. Aus den Quellen 40 werden gasförmige organische Verbindungen für die Ausbildung organischer Schichten 23 auf die Oberfläche des Substrates 10 durch die Durchbrechung der Schattenmaske 30 gerichtet. Dabei können mehrere solcher Schichten 23 übereinander ausgebildet werden und es ist mindestens eine Schicht aus einer für die Emission von Licht geeigneten organischen Verbindung gebil- det.
Dabei ist der Gasstrom mit enger Winkelverteilung, zumindest nahezu orthogonal zur Oberfläche gerichtet und weitet sich in Richtung auf das Substrat 10 nur geringfügig, wenn überhaupt auf. Nach Fertigstellung der organischen Schichten 23 erreichen Substrat 10 und Schattenmaske 30 den Einflussbereich weiterer Quellen 50, mit denen die Ausbildung einer Deckelektrode 24 auf den organischen Schichten 23 realisiert werden kann. Hierbei wird ein Metall oder eine Metalllegierung, z.B. Aluminium, mittels der Quellen 50 in die Gasphase überführt und die Abscheidung erfolgt gegenüber der vorab beschriebenen Abscheidung organischer Schichten 23 mit brei- terer Winkelverteilung, mit der eine größere Unterschneidung der Schattenmaske 30 und eine großflächigere Beschichtung erreicht werden kann. Die so ausgebildete Deckelektrode 24 ist mit der Grundelektrode 21 elektrisch leitend verbunden, wie dies aus der rechten Darstellung von Figur 1 entnommen werden kann. Über die Grundelektroden 21 und 22 ist das Licht emittierende Element ansteuerbar.
Die Quellen 40 können als thermische Verdampferquelle ausgebildet sein.
Die Quellen 50 können PVD-Quellen oder auch CVD- Quellen, wie z.B. Magneton-Sputterquellen sein.
Dabei sollte mindestens eine der Quellen 50 in Bezug zur zu beschichtenden Oberfläche gekippt, also in einem schräg geneigten Winkel ausgerichtet sein. Dies und/oder ggf. ein erhöhter Basisdruck von Quellen 50 im Vergleich zum Basisdruck der Quellen 40 führt zu einer breiteren Winkelverteilung und größeren Unterschneidung der Schattenmaske 30 bei der Abscheidung und Ausbildung der Deckelektrode 24.
Dies kann auch in hier nicht dargestellter Form durch eine Vergrößerung des Abstandes zwischen Substrat 10 und Schattenmaske 30, bei der Ausbildung von Deck- elektroden 24 erreicht werden. Dabei kann die jeweilige Abstandsänderung unter Berücksichtigung der lichten Weite von Durchbrechungen in der Schattenmaske 30, dem Abstand der Quellen 40 und 50 zur jeweils zu beschichtenden Oberfläche und der gewünschten zu beschichtenden Flächengrößen gewählt werden.

Claims

Patentansprüche
1. Vorrichtung zur Herstellung von Licht emittierenden Elementen mit organischen Verbindungen innerhalb einer Vakuum-
DurchlaufbeSchichtungsanläge, bei denen auf einem Substrat mindestens eine Grundelektrode, mindestens eine Schicht einer zur Emission von Licht geeigneten organischen Verbindung und eine Deckelektrode lokal definiert ausgebildet sind, dabei mindestens eine Quelle für die Ausbildung einer oder mehrerer organischer Schicht (en) , eine Schattenmaske und mindestens eine weitere Quelle für die Ausbildung der Deckelektrode (n) innerhalb der Durchlauf-
Vakuumbeschichtungsanlage angeordnet sind, dadurch gekennzeichnet, dass verdampfte organische Verbindung (en) durch mindestens eine Durchbrechung in der Schattenmaske (30) mit kleinerem Streuwinkel in Richtung auf das Substrat (10) gerichtet ist/sind, als ein die Deckelektrode (24) bildender Stoff, der durch die gleiche Schattenmaske (30) auf die bereits ausgebildete (n) organische (n) Schicht (en) (23) geführt ist.
2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Abstand der Schattenmaske (30) zum Substrat (10) bei der Ausbildung der
Deckelektrode (24) größer, als bei der Ausbil- düng organischer Schichten (23) ist.
3. Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Quelle (n) (50) für die Abscheidung der Deckelektrode (24) einen höheren Basisdruck, als dem Basisdruck mindestens einer Quelle (40) für die Ausbildung organischer Schichten, aufweist/aufweisen.
4. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 3 , dadurch gekennzeichnet, dass Substrat (10) und Schattenmaske (30) translatorisch durch eine
Durchlauf-Vakuumbeschichtungsanlage geführt sind, in der eine oder mehrere Quelle (n) (50) für die Ausbildung von Deckelektroden (24) in Bewegungsrichtung nachfolgend an eine oder meh- rere Quelle (n) (40) für organische Schicht (en)
(23) angeordnet ist/sind.
5. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass bei der translatorischen Bewegung der Abstand zwischen Substrat (10) und Schattenmaske (30) veränderbar ist.
6. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass verdampfte organische Verbindungen zumindest nahezu ortho- gonal durch die Schattenmaske (30) auf das Substrat (10) gerichtet sind.
7. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass für die Ausbildung von Deckelektrode (n) (24) mindestens eine gekippte oder verschwenkbare Quelle (50) vorhanden ist.
8. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Quelle (n) (50) für die Ausbildung der Deckelektrode (24) eine thermische Verdampferquelle, eine PVD-
Quelle und/oder eine CVD-Quelle ist/sind.
9. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die mindestens eine Quelle (40) für die Ausbildung organischer Schicht (en) (23) eine thermische Ver- dampferquelle ist.
10. Verfahren zur Herstellung von Licht emittierenden Elementen mit organischen Verbindungen innerhalb einer Vakuum-
Durchlaufbeschichtungsanlage, bei dem ein Sub- strat (10) mit auf einer Oberfläche ausgebildeten Grundelektrode (n) (21, 22) translatorisch durch eine Vakuumanlage gemeinsam mit einer Schattenmaske (30) hindurch bewegt wird; dabei mindestens eine zur Emission von Licht geeignete gasförmige organische Verbindung für die Ausbildung mindestens einer organischen Schicht (23)von mindestens einer Quelle (40) durch mindestens eine Durchbrechung der Schattenmaske (30) auf einen mit Grundelektrode (n) (21, 22) versehenen Oberflächenbereich des Substrates (10) mit kleinerem Streuwinkel und kleinerer Unterschneidung, als nachfolgend ein gasförmiger Stoff für die Ausbildung einer Deckelektrode (24) von mindestens einer Quelle (50) durch die gleiche (n) Durchbrechung (en) der
Schattenmaske (30) auf die eine oder mehrere organische Schicht (en) (23) gerichtet wird.
11. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass der Abstand der Schattenmaske (30) zum Substrat (10) bei der nachfolgenden Ausbildung der Deckelektrode (24) vergrößert wird.
12. Verfahren nach Anspruch 10 oder 11, dadurch gekennzeichnet, dass die Quelle (n) (50) für die Ausbildung der Deckelektrode (n) (24) mit höherem Basisdruck, als die Quelle (n) (40) für die Ausbildung organischer Schicht (en) (23) betrieben wird/werden.
13. Verfahren nach einem der Ansprüche 10 bis 12, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens eine
Quelle (50) für die Ausbildung der Deckelektrode (n) (24) bei der Beschichtung verschwenkt wird.
14. Verfahren nach einem der Ansprüche 10 bis 13, dadurch gekennzeichnet, dass auf einem Substrat
(10) mehrere diskret zueinander angeordnete Licht emittierende Elemente ausgebildet werden.
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