WO2007014975A1 - Procedimiento para la obtención de patrones en un sustrato orgánico conductor y material de naturaleza orgánica así obtenido - Google Patents

Procedimiento para la obtención de patrones en un sustrato orgánico conductor y material de naturaleza orgánica así obtenido Download PDF

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Jaume VECIANA MIRÓ
María Concepción ROVIRA ANGULO
Elena E. Laukhina
Marta Mas Torrent
Vladimir Laukhin
Dmitri V. Petrov
Caitriona M. Creely
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Institucio Catalana de Recerca i Estudis Avancats ICREA
Institut de Ciencies Fotoniques ICFO
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Consejo Superior de Investigaciones Cientificas CSIC
Institucio Catalana de Recerca i Estudis Avancats ICREA
Institut de Ciencies Fotoniques ICFO
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    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/611—Charge transfer complexes

Definitions

  • the present invention relates to a process for obtaining standards in an organic substrate with semiconductor, superconductive or metallic conductive properties.
  • the invention also relates to the material of an organic nature thus obtained for application in electronic devices such as resistors, capacitors, transistors, sensors or electrodes among the most common, or other applications where a certain pattern of conductive or semiconductor zones is necessary regarding less conductive or non-conductive or insulating areas.
  • the components of electronic devices are based on inorganic semiconductors and, in particular, on silicon.
  • silicon due to the characteristics and limitations of silicon technology, a great scientific effort is currently being devoted to the development of molecular electronics and electronics based on plastic materials.
  • Electronic devices of an organic nature would offer properties such as flexibility, low weight, moldability, manufacturability, low cost and bio-compatibility compared to those of current electronic devices based on silicon.
  • Optical lithography This technique is based on transferring a geometric shape from a mask to a substrate.
  • the substrate is covered with a specific polymeric material and then exposed to ultraviolet radiation through the mask.
  • the radiation exposed part undergoes a modification in the solubility properties of the polymer so that it can become more or less soluble in a certain organic solvent.
  • the part of the polymer that is more soluble can then be removed by dissolution thus leaving a pattern in the substrate. In this way, it is possible to deposit an organic material on the areas not covered by the polymeric material. Finally, by dissolving with another solvent, the remaining part of the polymer can be removed leaving the organic material in the substrate with the desired pattern.
  • Another alternative of this technique is to expose the organic compound with which you want to do the patterning to ultraviolet radiation. This process, however, can result in a chemical or physical deterioration of the organic material film.
  • One of the main disadvantages of these techniques is that it is required to use organic solvents that can deteriorate organic materials. In addition, it is a process with a relatively high cost per unit area and the substrate size is limited by the area that can be exposed to radiation and by the wavelength of radiation that determines, in part, the maximum level lateral resolution that can be achieved with this technique. 2) Use of masks: This technique is based on the evaporation of an organic material on a substrate through a mask that contains a pattern. This is a dry process because no organic solvents are used that can modify or deteriorate the active material. The limitation of the technique is the size of the mask that typically has a resolution of about 25-30 microns, although they can be improved by performing evaporations by applying angles. Another limitation is that the organic material must evaporate at a temperature at which it does not decompose, which is sometimes not possible if it is not at very low working pressures.
  • Screen printing It consists in passing a solution of an organic material through a surface with a mask. The resolution is limited to structures of 75 microns.
  • Ink-jet printing It is simply based on replacing the ink of a printer with a solution of an organic material.
  • the smallest possible structures to draw are about 25 microns, but 200 nm channel sizes can be reached if organic film rupture processes are used due to molecule-substrate interactions.
  • Laser thermal transfer printing It is a dry process used for printing large areas. It is based on transferring an organic film by ablative methods. It is based on a multilayer film and irradiated with an infrared laser on the back of a film in the areas where a polymer is to be transferred to a substrate. The radiation is converted into heat and causes the formation of air bubbles in the areas where the organic material decomposes. These, consecutively, push the organic polymer on the receiving substrate without decomposing or altering the organic polymer.
  • Microcontact printing It is a microcontact printing process in which materials from a seal are transferred to a substrate induced by the interactions on a nanometric scale between the substrate and the seal. You can have resolutions up to about 30 nm.
  • Embossing Process used to print microstructures in thermoplastic materials.
  • CoId Welding Refers to the formation of a metallic bond between two metal surfaces when applying pressure.
  • the electrodes are designed independently on a substrate and, in a second stage, a laminate of these is made on a substrate.
  • Hot Lift-Off It is a subtractive method in which a standard seal formed by an epoxy polymer is pressed on top of an organic film and heated. Once the seal is removed, the part of the film that has been in contact with it is also removed as it is adhered.
  • Organic conductive polymer films can be formed by electropolymerization from solutions of the precursor monomers.
  • EP134026 a method is described for the manufacture of a continuous film of composite material having an electrical conductive surface formed by organic charge transfer complexes and the sine of the film is composed of an insulating or semiconductor polymer.
  • a solid solution of a low molecular weight donor and / or acceptor compound and a non-conductive polymer is prepared.
  • the polymer softens and the organic material migrates towards the surface crystallizing in it and giving rise to a conductive surface.
  • a continuous conductive film is obtained without containing any pattern.
  • a first aspect of the invention is to provide a chemical process that allows obtaining standards on an organic substrate with semiconductor, superconductive or metallic conductive properties (in the present description referred to herein as "organic substrate conductor ”) from a heat source.
  • a second aspect of the invention is the organic material obtainable from the process defined according to the first aspect of the invention.
  • a material of an organic nature is provided with different electrical properties on its surface designed to measure.
  • Conductive organic substrate is a salt or charge transfer complex with conductive properties comprising a molecule B and a dopant F, wherein said molecule B is an organic donor or electron acceptor macromolecule or macromolecule capable of forming a salt or conductive complex but without being doped it does not show conductivity and said dopant F is an electron acceptor or donor compound, with oxidizing or reducing properties, capable of forming a salt or conductive complex with the molecule or macromolecule B.
  • Said molecule or macromolecule B may be a derivative of acene, coronary, tetrathiafulvalene, tetracyanoquinodimethane or a conjugated polymer such as polythiophene, polyaniline, polyvinylphenylene, etc.
  • said molecule B is bis (ethylenethio) tetrathiafulvalene (BET-TTF), bis (ethylenedithium) tetrathiafulvalene (BEDT-TTF) or bis (ethylenedioxo) tetrathiafulvalene (BEDO-TTF).
  • said dopant F is a volatile species.
  • said volatile species is selected from iodine, bromine or iodine bromide.
  • said salt is selected from OC- (BEDT-TTF) 2I3 and ⁇ - (BET-TTF) 2,513, where BET-TTF is bis (ethylenedium) tetrathiafulvalene and BEDT-TTF is bis (ethylenedithium) tetrathiafulvalene.
  • a method for obtaining standards on a conductive organic substrate comprising: exposing a conductive organic substrate to a heat source, wherein said conductive organic substrate is a conductive salt or complex comprising a molecule B and a dopant F, said molecule B being an organic donor or electron acceptor molecule or macromolecule capable of forming a conductive salt or complex and said dopant F being an electron acceptor or donor compound, preferably volatile, capable of forming a salt or conductive complex with the molecule or macromolecule B, so that a thermal reaction takes place that modifies the chemical composition of said organic substrate leaving areas free of dopant F according to the following reaction:
  • the heat source can be applied locally on the conductive organic substrate following a pattern designed on a millimeter, micrometric or nanometric scale, or generally on the entire surface by using thermally insulating intermediate masks having the previously designed determined pattern. .
  • a mask can also be used on the heated organic substrate, so that the thermal reaction takes place in the part of the mask in contact with the organic substrate.
  • a desired pattern is provided on the conductive surface of the organic substrate using a local heat source, which may consist of a laser radiation or a hot tip, or a non-heat source. local if an intermediate mask is used. It is also an object of the present invention to carry out the process according to the first aspect on a conductive organic substrate comprising a base substrate of different nature. Said base substrate may be a layer of different composition to that of the conductive organic substrate intimately bound thereto or a layer adhered by physical or chemical means to the conductive organic substrate.
  • a pattern is obtained from a chemical reaction, defined above, in which heat causes the elimination of dopant F, consequently leaving a non-conductive surface.
  • dopant F is removed by evaporation when this is a volatile species.
  • the final result is, therefore, the obtaining of a material of an organic nature with different conductive properties on its surface designed by a previously chosen pattern tailored to the needs of the final application of said material.
  • an organic material obtainable in accordance with the first aspect of the invention comprising a base substrate.
  • Said base substrate can be inorganic, such as silicon oxide, alumina oxide, metallic or polymeric and flexible, or on a three-dimensional glass.
  • said base substrate is a non-conductive organic polymer. Even more preferably it is selected from polycarbonate, polymethylmethacrylate, polyethylene or polypropylene.
  • the process defined in the first aspect of the invention avoids the use of organic solvents on the conductive organic material and the transfer steps are avoided. of the material between different substrates since the obtaining of the pattern according to the process of the invention is carried out directly on the desired surface using a point source that generates heat locally, such as a laser beam, an atomic force microscopy tip, among others , or other type of heat source with the presence of a thermally insulating intermediate mask.
  • a point source that generates heat locally, such as a laser beam, an atomic force microscopy tip, among others , or other type of heat source with the presence of a thermally insulating intermediate mask.
  • Organic molecule B means an organic donor or electron acceptor molecule or macromolecule that can form a salt or conductive complex. Preferably it will be a derivative of tetrathiafulvalene.
  • Polymer C is understood as a non-conductive organic polymer and soluble in some organic solvent.
  • this polymer will be polycarbonate, polymethyl methacrylate, polyethylene or polypropylene.
  • Solvent D means any solvent in which B and C are soluble at a certain temperature and which does not alter these two compounds.
  • Solution A means the homogeneous solution of B, C and D. When said solution is deposited on a substrate and the solvent is allowed to evaporate, the solid film A 'is obtained. Film A 'means a solid solution, usually formed by B and C, and a residual proportion of trapped solvent D may also remain.
  • Solvent E means a volatile organic solvent that solubilizes dopant F.
  • Dopant F is an electron acceptor or donor compound that can have oxidizing or reducing properties capable of forming a salt or conductive complex with molecule or macromolecule B. Preferably it is a volatile species such as iodine, bromine or iodine bromide.
  • Conductive organic substrate is a salt or BF charge transfer complex formed by the molecule or macromolecule B and the dopant F and which has conductive properties (semiconductor, superconductive or metallic).
  • a solid film A ' is prepared preferably by the method of drop-casting (direct deposition of the solution on a substrate) or by spin-coating (deposition of the solution on a rotating substrate). At this stage it may also be necessary to heat the substrate to evaporate the solvent from the solution.
  • the film A ' is exposed to vapors of an organic solvent E containing a volatile dopant F. This process induces a swelling of the polymer causing a migration of the molecule or macromolecule B towards the surface (s) that have been treated. In turn, the molecule or macromolecule B reacts with the dopant F resulting in a salt or BF complex that has conductive properties.
  • the conductive organic film or substrate can also be prepared by other methods such as by direct evaporation of the precursor compounds B and F, directly giving rise to an organic film or substrate conducting the salt or BF complex. Accordingly, steps 1-3 can be modified.
  • Said step consists in exposing said conductive organic substrate to a heat source, so that a thermal reaction takes place that modifies the chemical composition of said organic substrate leaving areas free of dopant F according to the following reaction:
  • the pattern of the conductive surface can be specially designed for the preparation of electrical elements such as organic electrodes or sensors or the preparation of electronic elements such as resistance, capacitor or transistor.
  • the resolution of the process of the invention will be determined by the diameter of the radiation beam in the event that a light source is used. However, nanometric resolutions can also be reached if hot AFM or electron lithography tips are used.
  • Figure 1 shows the resistance measured on a conductive organic substrate before and after carrying out the process according to the first aspect of the invention, the average length and width of the eight conductor channels being 75 and 8 micrometers, respectively.
  • Figure 2 shows the profile in the analysis of sulfur (S) and iodine (I) content, before carrying out the process of the invention, of a conductive organic substrate comprising a non-conductive base substrate. From this figure it can be seen that the organic substrate, in this case the salt ⁇ - (BET-TTF) 2 , sl3, is conductive.
  • the organic substrate in this case the salt ⁇ - (BET-TTF) 2 , sl3
  • Figure 3 shows the values in the X-ray energy dispersion spectroscopy (EDX) analysis of the conductive (dark) zone C and of the non-conductive N-C zone
  • Example 1 Manufacturing of patterns on films based on CC- (BEDT-TTF) 2I 3 and polycarbonate
  • PC poly- (bisphenol-A-carbonate)
  • BEDT-TTF poly-(bisphenol-A-carbonate)
  • PC poly- (bisphenol-A-carbonate)
  • BEDT-TTF bis-tetrathiafulvalene
  • the surface of the film is exposed to vapors of a saturated solution of iodine in chloride of methylene
  • a saturated solution of iodine in chloride of methylene This results in the formation of a semiconductor surface layer formed by micro and nanocrystals of the OC- (BEDT-TTF) 2I 3 salt.
  • These films have been characterized by X-rays, electron microscopy and X-ray energy dispersion spectroscopy (EDX). Its electrical properties have also been characterized; Its conductivity at room temperature is 10 S / cm.
  • Example 2 Manufacture of standards and electronic devices based on ⁇ - (BET-TTF) 2,513 and polycarbonate Dissolves at 8O 0 C in 50 ml of 1,2-dichlorobenzene
  • X-ray, electron microscopy and X-ray energy dispersion spectroscopy Its conductivity at room temperature it is 10 S / cm. It has also been seen by electron microscope that the thickness of the conductive layer is about 1-1.5 microns.
  • the desired pattern is drawn. Also in this case, the irradiated area ceases to be conductive because the heat caused by the radiation causes the loss of the halogen. This fact has been verified again by studying the current-voltage responses obtained locally with the tip of an atomic force microscope.
  • the result of the EDX analysis on the relative atomic percentage of sulfur and iodine is 83% and 17%, respectively, in the non-irradiated areas, and 93% and 7%, respectively, in the irradiated areas.

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Abstract

La presente invención se refiere a un procedimiento químico que permite de manera directa el diseño de un patrón sobre un sustrato orgánico con propiedades conductoras de tipo semiconductoras, superconductoras o metálicas. La invención también se refiere al material de naturaleza orgánica así obtenido para su aplicación en dispositivos electrónicos tales como resistencias, condensadores, transistores, sensores o electrodos entre los más habituales, u otras aplicaciones en las que sea preciso un patrón determinado de zonas conductoras o semiconductoras respecto zonas menos conductoras o no conductoras o aislantes.

Description

TITULO
PROCEDIMIENTO PARA LA OBTENCIÓN DE PATRONES EN UN SUSTRATO
ORGÁNICO CONDUCTOR Y MATERIAL DE NATURALEZA ORGÁNICA ASÍ
OBTENIDO
Campo de la invención
La presente invención se refiere a un procedimiento para la obtención de patrones en un sustrato orgánico con propiedades conductoras de tipo semiconductoras, superconductoras o metálicas.
La invención también se refiere al material de naturaleza orgánica asi obtenido para su aplicación en dispositivos electrónicos tales como resistencias, condensadores, transistores, sensores o electrodos entre los más habituales, u otras aplicaciones en las que sea preciso un patrón determinado de zonas conductoras o semiconductoras respecto zonas menos conductoras o no conductoras o aislantes .
Antecedentes de la invención
Por lo general, los componentes de dispositivos electrónicos se basan en semiconductores inorgánicos y, en particular, en el silicio. Sin embargo, debido a las caracteristicas y a las limitaciones de la tecnologia del silicio, actualmente se está dedicando un gran esfuerzo cientifico al desarrollo de la electrónica molecular y de la electrónica basada en materiales plásticos . Los dispositivos electrónicos de naturaleza orgánica ofrecerian propiedades como son flexibilidad, bajo peso, moldeabilidad, manufacturabilidad, bajo coste y bio-compatibilidad comparadas con las de los dispositivos electrónicos actuales basados en silicio.
No obstante, para poder utilizar materiales orgánicos en dispositivos de diversa Índole como, por ejemplo, chips es imprescindible desarrollar técnicas que permitan diseñar a voluntad un patrón (lo que se conoce como patterning) , las cuales deben ser compatibles con las etapas de procesamiento y permitan además diseñar los circuitos .
Las técnicas existentes de fabricación de patrones o patterning de materiales orgánicos pueden dividirse en cuatro grupos :
1) Litografía óptica: Esta técnica se basa en transferir una forma geométrica de una máscara a un sustrato. Para conseguir este propósito, se cubre el sustrato con un material polimérico determinado y, seguidamente, se expone a radiaciones de ultravioleta a través de la máscara. La parte expuesta a la radiación sufre una modificación en las propiedades de solubilidad del polímero de forma que éste puede volverse más o menos soluble en un determinado disolvente orgánico. La parte del polímero que queda más soluble se puede entonces eliminar por disolución dejando así un patrón en el sustrato. De este modo, es posible depositar un material orgánico sobre las zonas no recubiertas por el material polimérico. Finalmente, por disolución con otro disolvente se puede eliminar la parte restante del polímero quedando en el sustrato el material orgánico con el patrón deseado.
Otra alternativa de esta técnica consiste en exponer a una radiación ultravioleta directamente el compuesto orgánico con el que se desea hacer el patterning. Este proceso, sin embargo, puede resultar en un deterioro químico o físico de la película del material orgánico.
Una de las principales desventajas de estas técnicas es que se requiere utilizar disolventes orgánicos que pueden deteriorar los materiales orgánicos. Además, es un proceso con un coste por unidad de área relativamente elevado y el tamaño del sustrato se ve limitado por el área que se puede exponer a la radiación y por la longitud de onda de la radiación que determina, en parte, el nivel máximo de resolución lateral que se puede alcanzar con esta técnica. 2) Utilización de máscaras : Esta técnica se basa en la evaporación de un material orgánico sobre un sustrato a través de una máscara que contiene un patrón. Éste es un proceso seco debido a que no se utilizan disolventes orgánicos que pueden modificar o deteriorar el material activo. La limitación de la técnica es el tamaño de la máscara que tipicamente tiene una resolución de unas 25-30 mieras, aunque se pueden mejorar mediante la realización de evaporaciones aplicando ángulos. Otra de las limitaciones es que el material orgánico debe evaporarse a una temperatura a la que no se descomponga, lo que a veces no es posible realizar si no es a presiones de trabajo muy reducidas .
3) Técnicas de impresión: Estas técnicas son de un gran interés para la preparación de dispositivos de bajo coste y que requieran recubrimiento de grandes áreas y sustratos flexibles . Entre estas técnicas encontramos :
Screen printing: Consiste en hacer pasar una disolución de un material orgánico a través de una superficie con una máscara. La resolución se limita a estructuras de 75 mieras.
Ink-jet printing: Se basa simplemente en sustituir la tinta de una impresora por una disolución de un material orgánico. Las estructuras más pequeñas posibles de dibujar son de unas 25 mieras, pero se puede llegar a tamaños de canales de 200 nm si se usan procesos de ruptura de la pelicula orgánica debido a interacciones molécula-sustrato.
Láser thermal transfer printing: Es un proceso seco utilizado para la impresión de grandes áreas. Se basa en transferir una pelicula orgánica por métodos ablativos. Se parte de una pelicula multicapa y se irradia con un láser de infrarrojo sobre la parte posterior de una pelicula en las zonas que se desea transferir un polimero a un sustrato. La radiación se convierte en calor y provoca la formación de burbujas de aire en las zonas en las que el material orgánico descompone. Éstas, consecutivamente, empujan el polímero orgánico sobre el sustrato receptor sin descomponer ni alterar el polímero orgánico.
Microcontact printing: Es un proceso de impresión por microcontacto en el que se transfiere materiales de un sello a un sustrato inducido por las interacciones a escala nanométrica entre el sustrato y el sello. Se pueden tener resoluciones de hasta unos 30 nm.
Embossing: Proceso utilizado para imprimir microestructuras en materiales termoplásticos . CoId Welding: Hace referencia a la formación de un enlace metálico entre dos superficies metálicas al aplicar presión.
Soft Lamination of Electrodes: Se diseñan los electrodos independientemente en un sustrato y, en una segunda etapa, se hace un laminado de estos sobre un sustrato .
Hot Lift-Off: Es un método sustractivo en el que un sello patrón formado por un polímero epoxi se presiona encima de una película orgánica y se calienta. Una vez se quita el sello, se quita también la parte de la película que ha estado en contacto con éste ya que queda adherida.
4) Polimerización electroquímica selectiva:
Películas de polímeros conductores orgánicos se pueden formar por electropolimerización partiendo de soluciones de los monómeros precursores.
En la patente EP134026 se describe un método para la fabricación de una película continua de material compuesto que posee una superficie conductora eléctrica formada por complejos orgánicos de transferencia de carga y el seno de la película se compone de un polímero aislante o semiconductor. Para su obtención se prepara una solución sólida de un compuesto dador y/o aceptor de bajo peso molecular y un polímero no conductor. Por tratamiento con vapores de un disolvente orgánico el polímero reblandece y el material orgánico migra hacia la superficie cristalizando en ella y dando lugar a una superficie conductora. Sin embargo, con este procedimiento se obtiene una pelicula conductora continua sin contener ningún patrón.
Por lo tanto, quedan todavia aspectos por resolver si se desea, a partir de estas peliculas conductoras continuas, la obtención de componentes electrónicos de naturaleza orgánica con un diseño de un patrón adecuado para su posterior aplicación.
Breve descripción de la invención Un primer aspecto de la invención es proporcionar un procedimiento quimico que permita la obtención de patrones sobre un sustrato orgánico con propiedades conductoras de tipo semiconductoras, superconductoras o metálicas (en la presente descripción denominado a partir de este punto "sustrato orgánico conductor") a partir de una fuente de calor.
De acuerdo con el primer aspecto de la invención se proporciona un procedimiento de obtención de patrones que permite de manera directa el diseño de un patrón sobre un sustrato orgánico conductor.
Un segundo aspecto de la invención es el material de naturaleza orgánica obtenible a partir del procedimiento definido según el primer aspecto de la invención. De acuerdo con el segundo aspecto de la invención se proporciona un material de naturaleza orgánica con diferentes propiedades eléctricas en su superficie diseñadas a medida.
Descripción detallada de la invención
En la presente invención por:
Sustrato orgánico conductor se entiende una sal o complejo de transferencia de carga con propiedades conductoras que comprende una molécula B y un dopante F, donde dicha molécula B es una molécula o macromolécula orgánica dadora o aceptora de electrones capaz de formar una sal o complejo conductor pero que sin estar dopada no presenta conductividad y dicho dopante F es un compuesto aceptor o dador de electrones, con propiedades oxidantes o reductoras, capaz de formar una sal o complejo conductor con la molécula o macromolécula B.
Dicha molécula o macromolécula B puede ser un derivado del aceno, del coroneno, del tetratiafulvaleno, del tetracianoquinodimetano o un polimero conjugado como el politiofeno, polianilina, polivinilfenileno, etc.
Preferiblemente, dicha molécula B es bis (etilentio) tetratiafulvaleno (BET-TTF) , bis (etilenditio) tetratiafulvaleno (BEDT-TTF) o bis (etilendioxo) tetratiafulvaleno (BEDO-TTF) . Preferiblemente, dicho dopante F es una especie volátil. Ventajosamente, dicha especie volátil se selecciona entre yodo, bromo o bromuro de yodo.
Ventajosamente dicha sal se selecciona entre OC- (BEDT-TTF) 2I3 Y β- (BET-TTF) 2,513, donde BET-TTF es bis (etilentio) tetratiafulvaleno y BEDT-TTF es bis (etilenditio) tetratiafulvaleno.
De acuerdo con el primer aspecto de la invención se proporciona un procedimiento para la obtención de patrones sobre un sustrato orgánico conductor que comprende: exponer un sustrato orgánico conductor a una fuente de calor, donde dicho sustrato orgánico conductor es una sal o complejo conductor que comprende una molécula B y un dopante F, siendo dicha molécula B una molécula o macromolécula orgánica dadora o aceptora de electrones capaz de formar una sal o complejo conductor y siendo dicho dopante F un compuesto aceptor o dador de electrones, preferiblemente volátil, capaz de formar una sal o complejo conductor con la molécula o macromolécula B, de manera que tiene lugar una reacción térmica que modifica la composición quimica de dicho sustrato orgánico dejando zonas exentas de dopante F de acuerdo con la siguiente reacción:
Δ BxF ^ x B + F
Opcionalmente, la fuente de calor puede aplicarse localizadamente sobre el sustrato orgánico conductor siguiendo un patrón diseñado a escala milimétrica, micrométrica o nanométrica, o bien de manera general en toda la superficie mediante la utilización de máscaras intermedias aislantes térmicamente que poseen el patrón determinado diseñado previamente.
Opcionalmente, también se puede utilizar una máscara sobre el sustrato orgánico que se calienta, de forma que en la parte de la máscara en contacto con el sustrato orgánico tiene lugar la reacción térmica.
Por lo tanto, forma parte del conocimiento general de un experto en la materia seleccionar el tipo de fuente de calor dependiendo de si dicha exposición se realiza de manera local como, por ejemplo, con radiación electromagnética, o se realiza de manera general en toda la superficie como, por ejemplo, con una fuente de calor luminosa o electrónica irradiada a través de la máscara.
El tipo de máscaras más utilizadas son de tipo polimérico, aunque forma igualmente parte del conocimiento general de un experto en la materia seleccionar el tipo de máscara más adecuada en función del tipo de fuente de calor escogida.
De acuerdo con el procedimiento según el primer aspecto de la invención se proporciona un patrón deseado sobre la superficie conductora del sustrato orgánico utilizando una fuente de calor local, que puede consistir en una radiación láser o una punta caliente, o bien una fuente de calor no local si se utiliza una máscara intermedia. Forma igualmente objeto de la presente invención, llevar a cabo el procedimiento según el primer aspecto sobre un sustrato orgánico conductor que comprende un sustrato base de distinta naturaleza. Dicho sustrato base puede ser una capa de distinta composición a la del sustrato orgánico conductor intimamente unida a éste o una capa adherida por medios fisicos o quimicos al sustrato orgánico conductor.
Sorprendentemente, con el procedimiento de la invención se obtiene un patrón a partir de una reacción quimica, definida más arriba, en la que el calor provoca la eliminación del dopante F dejando consecuentemente a su paso una superficie no conductora. Asi, por ejemplo, el dopante F se elimina por evaporación cuando éste es una especie volátil .
El resultado final es, por lo tanto, la obtención de un material de naturaleza orgánica con diferentes propiedades conductoras en su superficie diseñadas por un patrón previamente escogido a la medida de las necesidades de la aplicación final de dicho material.
Forma parte igualmente objeto de la presente invención un material de naturaleza orgánica obtenible de acuerdo con el primer aspecto de la invención que comprende un sustrato base. Dicho sustrato base puede ser inorgánico como, por ejemplo, óxido de silicio, óxido de alúmina, metálico o polimérico y flexible, o sobre un cristal de tres dimensiones. Preferiblemente, dicho sustrato base es un polimero orgánico no conductor. Todavia más preferiblemente se selecciona entre policarbonato, polimetilmetacrilato, polietileno o polipropileno.
Ventajosamente, con el procedimiento definido en el primer aspecto de la invención se evita la utilización de disolventes orgánicos sobre el material de naturaleza orgánica conductor y se evitan las etapas de transferencia del material entre diferentes sustratos ya que la obtención del patrón según el procedimiento de la invención se realiza directamente sobre la superficie deseada empleando una fuente puntual que genera calor localmente, como puede ser un rayo láser, una punta de microscopia de fuerza atómica, entre otras, u otro tipo de fuente de calor con presencia de una máscara térmicamente aislante intermedia.
Ventajosamente, con el procedimiento de la invención sólo se requieren pequeñas cantidades de material conductor lo que sin duda constituye un procedimiento muy económico, útil para la fabricación de patrones de elementos de circuitos electrónicos tales como resistencias, condensadores o transistores entre otros y también para el diseño de electrodos orgánicos o la fabricación de sensores.
Si bien no forma parte del objeto de la presente invención proporcionar un procedimiento para la obtención de dicho sustrato orgánico conductor, se incluye a continuación de forma detallada una de las posibles vias para la obtención de un sustrato orgánico conductor, seguido de la obtención de patrones sobre dicho sustrato de acuerdo con el procedimiento de la invención.
Para mayor comprensión de dicha descripción detallada se define previamente que por:
Molécula orgánica B se entiende una molécula o macromolécula orgánica dadora o aceptora de electrones que puede formar una sal o complejo conductor. Preferentemente será un derivado del tetratiafulvaleno .
Polimero C se entiende un polimero orgánico no conductor y soluble en algún disolvente orgánico.
Preferiblemente, este polimero será poli-carbonato, poli- metilmetracrilato, polietileno o polipropileno. Disolvente D se entiende cualquier disolvente en el que B y C son solubles a una determinada temperatura y que no altera estos dos compuestos . Disolución A se entiende la disolución homogénea de B, C y D. Cuando se deposita dicha solución sobre un sustrato y se deja evaporar el disolvente se obtiene la pelicula sólida A' . Pelicula A' se entiende una solución sólida, por lo general, formada por B y C, pudiendo quedar también una proporción residual del disolvente D atrapado.
Disolvente E se entiende un disolvente orgánico volátil que solubiliza el dopante F. Dopante F se entiende un compuesto aceptor o dador de electrones que puede tener propiedades oxidantes o reductoras capaz de formar una sal o complejo conductor con la molécula o macromolécula B. Preferiblemente es una especie volátil como el iodo, bromo o el bromuro de iodo. Sustrato orgánico conductor es una sal o complejo BF de transferencia de carga formada por la molécula o macromolécula B y el dopante F y que presenta propiedades conductoras (semiconductora, superconductora o metálica) .
Para la obtención del sustrato orgánico conductor se llevan a cabo las siguientes etapas:
1) Preparación de una disolución sólida de A formada por una proporción, preferiblemente, de entre un 0,5 y un 4 % en masa de una molécula o macromolécula orgánica B en un polimero no conductor C y en un disolvente orgánico D. Para la preparación de esta disolución puede ser necesario calentar la mezcla.
2) A partir de la disolución A se prepara una pelicula sólida A' preferentemente por el método de drop- casting (deposición directa de la disolución sobre un sustrato) o por spin-coating (deposición de la disolución sobre un sustrato giratorio) . En esta etapa también puede ser necesario el calentamiento del sustrato para evaporar el disolvente de la disolución. 3) La pelicula A' se somete a exposición de vapores de un disolvente orgánico E que contiene un dopante volátil F. Este proceso induce un hinchamiento del polimero provocando una migración de la molécula o macromolécula B hacia la(s) superficie (s) que han sido tratadas. A su vez, la molécula o macromolécula B reacciona con el dopante F dando lugar a una sal o complejo BF que presenta propiedades conductoras . La pelicula o sustrato orgánico conductor también puede prepararse por otros métodos como puede ser por evaporación directa de los compuestos precursores B y F, dando lugar directamente a una pelicula o sustrato orgánico conductor de la sal o complejo BF. Por consiguiente, las etapas 1-3 pueden modificarse.
Para la obtención de un patrón sobre dicho sustrato de acuerdo con el procedimiento de la invención se lleva a cabo otra etapa: 4) Dicha etapa consiste en exponer dicho sustrato orgánico conductor a una fuente de calor, de manera que tiene lugar una reacción térmica que modifica la composición quimica de dicho sustrato orgánico dejando zonas exentas de dopante F de acuerdo con la siguiente reacción:
Δ BxF ^ x B + F
Ventajosamente, con esta última etapa se consigue dibujar el patrón deseado sobre la superficie conductora del sustrato orgánico mediante la eliminación del dopante F.
El resultado es la obtención de un material de naturaleza orgánica que contiene un patrón diseñado a medida sobre un sustrato base que será un polimero flexible si la preparación de las peliculas se hace siguiendo el procedimiento descrito en las etapas 1-3 definidas más arriba.
El patrón de la superficie conductora puede ser especialmente diseñado para la preparación de elementos eléctricos como electrodos orgánicos o sensores o la preparación de elementos electrónicos como resistencia, condensador o transistor. La resolución del procedimiento de la invención vendrá determinada por el diámetro del haz de la radiación en el caso que se utilice una fuente luminosa. Sin embargo, también se pueden llegar a resoluciones nanométricas si se utilizan puntas calientes de AFM o litografia de electrones.
Descripción de las figuras
La figura 1 muestra la resistencia medida sobre un sustrato orgánico conductor antes y después de llevar a cabo el procedimiento según el primer aspecto de la invención, siendo la longitud y anchura media de los ocho canales conductores de 75 y 8 micrómetros, respectivamente.
La figura 2 muestra el perfil en el análisis de contenido de azufre (S) e yodo (I) , antes de llevar a cabo el procedimiento de la invención, de un sustrato orgánico conductor que comprende un sustrato base no conductor. A partir de dicha figura puede observarse que el sustrato orgánico, en este caso la sal β- (BET-TTF) 2,sl3, es conductor.
La figura 3 muestra los valores en el análisis por espectroscopia de dispersión de energia de rayos X (EDX) de la zona C conductora (oscura) y de la zona N-C no conductora
(clara) formados al llevar a cabo el procedimiento de la invención.
Ejemplos
Ejemplo 1. Fabricación de patrones sobre películas basadas en CC- (BEDT-TTF) 2I3 y policarbonato Se prepara una mezcla de 0,98 g de poli- (bisfenol-A- carbonato) (PC) y 0,02 g de bis (etilenoditio) - tetratiafulvaleno (BEDT-TTF) en 50 mi de 1, 2-diclorobenceno y se calienta a 8O0C hasta disolución total. La solución resultante se deposita sobre una superficie de vidrio que se encuentra a 130 °C y se deja que se evapore el disolvente obteniendo así una película de unas 20 mieras de grosor. A continuación, se expone la superficie de la película a vapores de una disolución saturada de yodo en cloruro de metileno. Esto da lugar a la formación de una capa superficial semiconductora formada por micro y nanocristales de la sal OC- (BEDT-TTF) 2I3. Estas peliculas se han caracterizado por rayos X, microscopía electrónica y espectroscopia de dispersión de energia de rayos X (EDX) . También se han caracterizado sus propiedades eléctricas; su conductividad a temperatura ambiente es de 10 S/cm.
Por irradiación con un láser Nd:Yag (1064 nm) directamente sobre la superficie conductora se dibuja el patrón deseado. El calor provocado por la radiación causa la eliminación del halógeno y, consiguientemente, la zona irradiada deja de ser conductora. Este hecho se ha verificado estudiando las respuestas corriente-voltaje obtenidas localmente con la punta de un microscopio de fuerza atómica. Por análisis de EDX también se ha comprobado que el porcentaje atómico relativo de azufre (proveniente del derivado de tetratiafulvaleno) y yodo pasa a ser de un 85% y un 15%, respectivamente, en las zonas no irradiadas, hasta un 98 % y un 2 %, respectivamente, en las zonas irradiadas. Esta pérdida de yodo es la causante de que la pelicula deje de ser conductora.
Ejemplo 2. Fabricación de patrones y dispositivos electrónicos basados en β- (BET-TTF) 2,513 y policarbonato Se disuelve a 8O0C en 50 mi de 1, 2-diclorobenceno
0,98 g de poli- (bisfenol-A-carbonato) (PC) y 0,02 g de bis (etilenotio) tetratiafulvaleno (BET-TTF). La solución resultante se deposita sobre una superficie de vidrio que se encuentra a 130 °C y se deja que se evapore el disolvente, lo que resulta en la obtención de una pelicula de grosor entre 15-30 mieras. La superficie de la pelicula se expone a vapores de una disolución saturada de yodo en cloruro de metileno, dando lugar a la formación en la superficie de una capa metálica formada por una malla basada en micro y nanocristales entrelazados de β- (BET-TTF) 2,513. La caracterización de estas peliculas se ha llevado a cabo mediante rayos X, microscopia electrónica y espectroscopia de dispersión de energia de rayos X (EDX) . Su conductividad a temperatura ambiente es de 10 S/cm. Por microscopio electrónico también se ha visto que el grosor de la capa conductora es de unas 1-1.5 mieras.
Utilizando un láser Nd:Yag (1064 nm) directamente sobre la superficie conductora se dibuja el patrón deseado. También en este caso, la zona irradiada deja de ser conductora debido a que el calor provocado por la radiación causa la pérdida del halógeno. Este hecho se ha verificado nuevamente estudiando las respuestas corriente-voltaje obtenidas localmente con la punta de un microscopio de fuerza atómica. El resultado del análisis de EDX sobre el porcentaje atómico relativo de azufre y yodo es de un 83% y un 17%, respectivamente, en las zonas no irradiadas, y de un 93% y un 7%, respectivamente, en las zonas irradiadas.
Además, se han dibujado sobre la pelicula elementos que podrian formar parte de circuitos electrónicos como son resistencias y condensadores, asi como un posible diseño de electrodos orgánicos. Para ello, se irradió con el láser sobre la superficie conductora. El láser estaba alineado con un microscopio invertido de forma que el haz se enfocaba a través del objetivo sobre el portamuestras . La potencia sobre el plano de la muestra era de 0,9 mW, dando lugar a una densidad de potencia de aproximadamente 1 kW/cm2 utilizando un diámetro de haz de 5 mieras. El movimiento del portamuestras relativo al haz del láser se monitorizó utilizando un controlador en dos direcciones. Esto permitió controlar la velocidad de movimiento asi como la dirección de éste. La velocidad utilizada en este experimento fue de 360 μm/s.

Claims

REIVINDICACIONES
1. Procedimiento para la obtención de patrones sobre un sustrato orgánico conductor que comprende: exponer un sustrato orgánico conductor a una fuente de calor, donde dicho sustrato orgánico conductor es una sal o complejo conductor que comprende una molécula B y un dopante F, siendo dicha molécula B una molécula o macromolécula orgánica dadora o aceptora de electrones capaz de formar una sal o complejo conductor y siendo dicho dopante F un compuesto aceptor o dador de electrones capaz de formar una sal o complejo conductor con la molécula o macromolécula B, de manera que tiene lugar una reacción térmica que modifica la composición quimica de dicho sustrato orgánico dejando zonas exentas de dopante F de acuerdo con la siguiente reacción:
Δ BxF *- x B + F
2. Procedimiento según la reivindicación 1, caracterizado por el hecho de que dicha fuente de calor se aplica de forma local.
3. Procedimiento según la reivindicación 2, donde dicha fuente de calor se selecciona entre radiación láser, una punta caliente o un haz de electrones .
4. Procedimiento según la reivindicación 1, caracterizado por el hecho de que dicha fuente de calor se aplica de forma general en toda la superficie con presencia de una máscara intermedia.
5. Procedimiento según la reivindicación 1 y 4, donde dicha fuente de calor se selecciona entre una fuente de calor luminosa o electrónica.
6. Procedimiento según la reivindicación 4, donde dicha máscara posee una naturaleza polimérica.
7. Procedimiento según la reivindicación 1, caracterizado por el hecho de que dicha molécula B se selecciona entre un derivado del aceno, coroneno, tetratiafulvaleno, tetracianoquinodimetano o un polímero conjugado como el politiofeno, polianilina o polivinilfenileno .
8. Procedimiento según la reivindicación 7, caracterizado por el hecho que dicho derivado de tetratiafulvaleno se selecciona entre bis (etilentio) tetratiafulvaleno (BET-TTF), el bis (etilenditio) tetratiafulvaleno (BEDT-TTF) o bis (etilendioxo) tetratiafulvaleno (BEDO-TTF) .
9. Procedimiento según la reivindicación 1, caracterizado por el hecho de que dicho dopante F es una especie volátil.
10. Procedimiento según la reivindicación 9, caracterizado por el hecho de que dicha especie volátil se selecciona entre yodo, bromo o bromuro de yodo.
11. Procedimiento según la reivindicación 1, caracterizado por el hecho de que dicha sal se selecciona entre OC- (BEDT-TTF) 2I3 Y β- (BET-TTF) 2,513, donde BET-TTF es bis (etilentio) tetratiafulvaleno y BEDT-TTF es bis (etilenditio) tetratiafulvaleno .
12. Material de naturaleza orgánica que puede obtenerse de acuerdo con el procedimiento definido en cualquiera de las reivindicaciones anteriores 1 a 11 que comprende un sustrato base.
13. Material según la reivindicación 12, caracterizado por el hecho de que dicho sustrato base se selecciona entre un óxido o compuesto inorgánico, un metal, o un material polimérico flexible o un cristal de tres dimensiones .
14. Material según la reivindicación 13, donde dicho material polimérico flexible es un polímero orgánico no conductor.
15. Material según la reivindicación 14, donde dicho polímero orgánico no conductor se selecciona entre policarbonato, polimetilmetacrilato, polietileno o polipropileno .
16. Material según cualquiera de las reivindicaciones 12 a 15, caracterizado por el hecho de que el patrón obtenido presenta una resistencia mayor de 200 MegaOhmios .
17. Utilización de un material de naturaleza orgánica que puede obtenerse de acuerdo con el procedimiento definido en cualquiera de las reivindicaciones anteriores 1 a 11 para la fabricación de un componente eléctrico o un componente electrónico.
18. Utilización según la reivindicación 17, donde dicho componente electrónico se selecciona entre una resistencia, condensador o transistor.
19. Utilización según la reivindicación 17, donde dicho componente eléctrico se selecciona entre un electrodo o un sensor.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009147277A1 (es) 2008-06-06 2009-12-10 Consejo Superior De Investigaciones Científicas Lente de contacto sensora, sistema para la monitorización no invasiva de la presión intraocular y método para su medida
US8343436B2 (en) 2006-11-14 2013-01-01 Consejo Superior De Investigaciones Cientificas Organic sensor device and its applications

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2462693B (en) * 2008-07-31 2013-06-19 Pragmatic Printing Ltd Forming electrically insulative regions
EP4053865B1 (en) * 2021-03-02 2024-04-24 Imec VZW Trench capacitor device for a superconducting electronic circuit, superconducting qubit device and method for forming a trench capacitor device for a qubit device
CN119490740A (zh) * 2025-01-17 2025-02-21 弘煜泰(江苏)科技有限公司 一种新型导电复合接地材料的制备方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1416069A1 (en) * 2001-08-09 2004-05-06 Asahi Kasei Kabushiki Kaisha Organic semiconductor element
US20040188682A1 (en) * 2003-03-24 2004-09-30 Katsura Hirai Thin-film transistor, thin-film transistor sheet and their manufacturing method

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5198153A (en) * 1989-05-26 1993-03-30 International Business Machines Corporation Electrically conductive polymeric
US6331356B1 (en) * 1989-05-26 2001-12-18 International Business Machines Corporation Patterns of electrically conducting polymers and their application as electrodes or electrical contacts
DE69413436T2 (de) * 1993-03-09 1999-05-20 Koninklijke Philips Electronics N.V., Eindhoven Herstellungsverfahren eines Musters von einem elektrisch leitfähigen Polymer auf einer Substratoberfläche und Metallisierung eines solchen Musters
JP3208526B2 (ja) * 1994-08-01 2001-09-17 キヤノン株式会社 導電性膜形成用材料、該材料を用いる導電性膜の形成方法、及び、該形成方法を用いる液晶配向膜の形成方法
DE10116876B4 (de) * 2001-04-04 2004-09-23 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Dotierung elektrisch leitfähiger organischer Verbindungen, organischer Feldeffekttransistor sowie Verfahren zu dessen Herstellung
JP3805312B2 (ja) * 2002-03-08 2006-08-02 株式会社東芝 分割抵抗回路、及び、半導体装置
JP4581423B2 (ja) * 2003-03-24 2010-11-17 コニカミノルタホールディングス株式会社 薄膜トランジスタ素子、当該素子シート及びその作製方法
US7404981B2 (en) * 2003-04-21 2008-07-29 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Printing electronic and opto-electronic circuits
US7586171B2 (en) * 2004-04-14 2009-09-08 Yong Cao Organic electronic device comprising conductive members and processes for forming and using the organic electronic device

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1416069A1 (en) * 2001-08-09 2004-05-06 Asahi Kasei Kabushiki Kaisha Organic semiconductor element
US20040188682A1 (en) * 2003-03-24 2004-09-30 Katsura Hirai Thin-film transistor, thin-film transistor sheet and their manufacturing method

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP1919006A4 *

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8343436B2 (en) 2006-11-14 2013-01-01 Consejo Superior De Investigaciones Cientificas Organic sensor device and its applications
WO2009147277A1 (es) 2008-06-06 2009-12-10 Consejo Superior De Investigaciones Científicas Lente de contacto sensora, sistema para la monitorización no invasiva de la presión intraocular y método para su medida

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