WO2006137461A1 - 電子デバイス用基板、電子デバイス用基板の製造方法、電子デバイスおよび電子機器 - Google Patents

電子デバイス用基板、電子デバイス用基板の製造方法、電子デバイスおよび電子機器 Download PDF

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Definitions

  • Electronic device substrate method for manufacturing electronic device substrate, electronic device and electronic apparatus
  • the present invention relates to an electronic device substrate, an electronic device substrate manufacturing method, an electronic device, and an electronic apparatus.
  • an electronic device that includes an organic semiconductor substrate and an electronic device substrate that is provided with an organic semiconductor layer and an inorganic material layer so that they are in contact with each other, for example, an organic electroluminescence element (hereinafter simply referred to as “organic”). EL device)), organic thin-film transistors, etc.
  • organic organic electroluminescence element
  • organic EL elements are promising for use as display elements (light-emitting elements) provided in solid-state, inexpensive, large-area full-color display devices, and many developments have been made.
  • an organic EL element has a light emitting layer between a cathode and an anode.
  • an electric field is applied between the cathode and the anode, electrons are injected into the light emitting layer from the cathode side, and the anode side From which holes are injected.
  • This light emission is performed in the vicinity of the light emitting layer, and the ratio of the light emission within the excitation energy is greatly influenced by the molecular structure of the organic EL material and the molecular aggregation state.
  • an organic EL element having a structure in which a light emitting layer and an organic semiconductor layer are stacked between an anode and a cathode, in order to obtain high light emission efficiency, the molecular structure and molecules of the organic EL material and the organic semiconductor material.
  • the aggregation state of the light emitting layer and the number and position of the stacked layers of the light emitting layer and the organic semiconductor layer are studied.
  • Patent Document 1 Japanese Patent Laid-Open No. Hei 9). — 2 See publication 55774.
  • the organic semiconductor material has a larger interaction between the organic semiconductor materials than the interaction between the organic semiconductor material and the inorganic material (for example, a metal material) constituting the inorganic layer. Due to the repulsion of the inorganic material, sufficient adhesion between the organic semiconductor layer and the inorganic layer cannot be obtained, and carriers can be smoothly transferred between these layers. I have found out.
  • a hole injection layer mainly composed of a metal complex such as copper phthalocyanine is provided between an anode (inorganic layer) and a hole transport layer (organic semiconductor layer).
  • a method for improving carrier transport by using a vapor deposition method such as a vacuum deposition method or an ion beam deposition method has been disclosed (for example, Patent Document 2: JP 2002-151269 A). See the official gazette.)
  • An object of the present invention is to provide an electronic device substrate excellent in carrier transport capability, an electronic device substrate manufacturing method capable of manufacturing a coverable electronic device substrate, and such an electronic device substrate. To provide excellent electronic devices and highly reliable electronic equipment is there.
  • a method for manufacturing an electronic device substrate of the present invention includes:
  • An electronic device substrate having an organic semiconductor layer, an inorganic layer, and an intermediate layer provided between the organic semiconductor layer and the inorganic layer so as to be in contact with both, wherein the intermediate layer is
  • the compound represented by the general formula R—X—O—M is mainly composed of a hydrocarbon group R along the thickness direction of the intermediate layer and the atom M as the organic semiconductor layer side. It is characterized by being oriented toward the inorganic layer side.
  • R represents a hydrocarbon group
  • X represents a single bond, a carbo group or a sulfo group
  • M represents a hydrogen atom or a metal atom. Represents any atom.
  • the hydrocarbon group R is preferably a saturated hydrocarbon.
  • the hydrocarbon group R preferably has 1 to 30 carbon atoms.
  • the atom M is a metal atom and belongs to the same group in the element periodic table as the atom contained in the constituent material of the inorganic layer.
  • the affinity between the atom M and the constituent material of the inorganic layer can be further improved, and the adhesion between the intermediate layer and the inorganic layer can be further improved.
  • the atom M is preferably an alkali metal or an alkaline earth metal.
  • Alkali metal and alkaline earth metal are metals having a small work function, so When the intermediate layer is formed in a state where a part of the compound represented by the general formula R—X—O—M having a powerful metal as an atom M enters the inorganic layer, the work function of the inorganic layer is further reduced. be able to.
  • the atom M is preferably Li, Na, K, Be, Mg, Cs, Zn or Ca! /.
  • these atoms M are suitably used as a constituent material of an inorganic layer that transports electrons having a particularly small work function, the adhesion between the intermediate layer and the inorganic layer can be reliably improved. The work function of the inorganic layer can be reliably reduced.
  • the bonding group X is preferably a carbonyl group or a sulfonyl group! /.
  • the intermediate layer preferably has an average thickness of 10 nm or less.
  • a method for producing an electronic device substrate of the present invention includes an organic semiconductor layer, an inorganic layer, A method for producing a substrate for an electronic device having an intermediate layer provided between an organic semiconductor layer and the inorganic layer so as to be in contact with both,
  • a liquid material containing a compound represented by the general formula R—X—O—M is supplied to one surface of the organic semiconductor layer, and depending on the affinity between the hydrocarbon group R and the constituent material of the organic semiconductor layer.
  • the compound is oriented with the hydrocarbon group R on the organic semiconductor layer side and the atoms M on the opposite side of the organic semiconductor layer along the thickness direction of the organic semiconductor layer.
  • R represents a hydrocarbon group
  • X represents a single bond, a carbo group or a sulfo group
  • M represents a hydrogen atom or a metal atom. Represents any atom.
  • the liquid material contains a solvent or a dispersion medium capable of dissolving or swelling the organic semiconductor layer,
  • the first step by supplying the liquid material to one surface of the organic semiconductor layer, the vicinity of the surface is dissolved or swollen so that a part of the compound enters the organic semiconductor layer. I prefer that.
  • the electronic device substrate of the present invention is manufactured by the method for manufacturing an electronic device substrate of the present invention.
  • carriers can be smoothly transferred from the inorganic layer to the organic semiconductor layer via the intermediate layer, and an electronic device substrate having excellent carrier transport capability can be obtained.
  • An electronic device of the present invention comprises the electronic device substrate of the present invention.
  • the electronic device of the present invention is preferably an organic electoluminescence element.
  • An electronic apparatus of the present invention includes the electronic device of the present invention.
  • FIG. 1 is a longitudinal sectional view showing an example of an organic EL element.
  • FIG. 2 is a schematic diagram (longitudinal sectional view) showing an enlarged vicinity of the interface of the intermediate layer of the organic EL element shown in FIG.
  • FIG. 3 is a longitudinal sectional view showing an embodiment of a display device including an organic EL element.
  • FIG. 4 is a perspective view showing a configuration of a mopile type (or notebook type) personal computer to which the electronic apparatus of the present invention is applied.
  • FIG. 5 is a perspective view showing a configuration of a mobile phone (including PHS) to which the electronic device of the present invention is applied.
  • FIG. 6 is a perspective view showing a configuration of a digital still camera to which the electronic apparatus of the invention is applied.
  • organic EL element an organic-electric-luminescence element
  • FIG. 1 is a longitudinal sectional view showing an embodiment of an organic EL element.
  • Figure 2 shows the organic shown in Figure 1.
  • FIG. 2 is an enlarged view (schematic diagram) showing the vicinity of an interface of an intermediate layer of an EL element.
  • the upper side in FIGS. 1 and 2 will be described as “upper” and the lower side as “lower”.
  • the organic EL element 1 shown in FIG. 1 includes an anode 3, a cathode 7, a hole transport layer 4 sequentially laminated between the anode 3 and the cathode 7, and a light emission.
  • a laminate 9 comprising a layer 5 and an intermediate layer 6 is provided.
  • the entire organic EL element 1 is provided on the substrate 2 and
  • the sealing member 8 is used for sealing.
  • the light emitting layer (organic semiconductor layer) 5, the intermediate layer 6, and the cathode (inorganic layer) 7 constitute the electronic device substrate of the present invention.
  • the substrate 2 serves as a support for the organic EL element 1.
  • the organic EL element 1 is configured to extract light from the side opposite to the substrate 2 (top emission type)
  • the substrate 2 and the anode 3 are not particularly required to be transparent.
  • the organic EL element 1 is configured to extract light from the substrate 2 side (bottom emission type)
  • the substrate 2 and the anode 3 are substantially transparent (colorless transparent, colored transparent, translucent), respectively. What has is used.
  • Examples of the substrate 2 include a resin material such as polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, polypropylene, cycloolefin polymer, polyamide, polyethersulfone, polymethyl methacrylate, polycarbonate, polyarylate, and quartz glass.
  • An oxide film (insulating film) was formed on the surface of a transparent substrate made of a glass material such as soda glass, a substrate made of a ceramic material such as alumina, or a metal substrate such as stainless steel.
  • An opaque substrate such as a substrate made of an opaque resin material can be used.
  • the average thickness of the substrate 2 is not particularly limited, but is preferably about 0.1 to about LOmm, and more preferably about 0.1 to 5 mm.
  • the anode 3 is an electrode that injects holes into the hole transport layer 4 described later.
  • anode material As a constituent material (anode material) of the anode 3, it is preferable to use a material having a large work function and excellent conductivity from the viewpoint of injecting holes.
  • Examples of such anode materials include ITO (Indium Tin Oxide) and IZO (Indium
  • Zinc Oxide In O, SnO, Sb-containing SnO, Al-containing ZnO oxides, Au, Pt,
  • Ag, Cu, and A include alloys containing these, and at least one of these can be used.
  • the average thickness of the anode 3 is not particularly limited, but is preferably about 10 to 200 nm, more preferably about 50 to 150 nm. If the thickness of the anode 3 is too thin, the function as the anode 3 may not be sufficiently exhibited. On the other hand, if the anode 3 is too thick, the light emission efficiency of the organic EL element 1 may be reduced. [0059]
  • the surface resistance of the anode 3 is preferably as low as possible, more specifically, 100 ⁇ or less, more preferably 50 ⁇ or less. The lower limit of the surface resistance is not particularly limited, but it is usually preferably about 0.1 ⁇ .
  • the cathode 7 is an electrode for injecting electrons into an intermediate layer 6 described later.
  • a constituent material of the cathode 7 it is preferable to use a material having a small work function! /.
  • Constituent materials of the cathode 7 include, for example, cesium oxide, pyrolytic products of cesium carbonate, Li, Na, K, Rb, Cs, Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Sc, Y, La, Ce Eu, Er, Yb, Ag, Zn, Cu, A, and alloys containing these can be used, and one or more of these can be used in combination.
  • an alloy when used as the constituent material of the cathode 7, an alloy containing a stable metal element such as Ag, Al, or Cu, specifically, an alloy such as MgAg, AlLi, or CuLi is used. Is preferred.
  • a strong alloy as the constituent material of the cathode 7, the electron injection efficiency and stability of the cathode 7 can be improved.
  • the cathode 7 may have a multilayer structure.
  • the layer closer to the intermediate layer 6 is preferably made of a cathode material having a lower work function.
  • a layer far from the intermediate layer 6 is made of Ca as a main material
  • a layer near the intermediate layer 6 is made of Al, Ag, or an alloy containing these. Can be configured as the main material.
  • the average thickness of the cathode 7 is not particularly limited, but is preferably about 1 to about LOOOnm, more preferably about 100 to 400 nm. If the thickness of the cathode 7 is too thin, the specific resistance becomes high and a voltage drop may occur, or the electrical conductivity characteristics may become unstable due to the acid-acid reaction, and the function as the cathode 7 may not be fully exhibited. On the other hand, if the cathode 7 is too thick, when the cathode 7 is formed by using a vacuum deposition method or a sputtering method, the temperature in the film is remarkably increased or the residual stress is increased. The intermediate layer 6 may be destroyed, or the cathode 7 and the intermediate layer 6 may be peeled off, resulting in a decrease in the light emission efficiency of the organic EL element 1.
  • the lower limit of surface resistance is not particularly limited Usually, it is preferably about 0.1 ⁇ well.
  • a laminated body 9 in which a hole transport layer 4, a light emitting layer (organic semiconductor layer) 5, and an intermediate layer 6 are laminated in this order from the anode 3 side. It is formed so as to be in contact with the anode 3 and the cathode 7.
  • the hole transport layer 4 has a function of transporting holes injected from the anode 3 to the light emitting layer 5.
  • the constituent material of the hole transport layer 4 may be any material as long as it has a hole transport capability. It is preferably a conjugated compound having a molecular pore transport material as a basic structure. Conjugated compounds are particularly excellent in hole transport ability because they can transport holes very smoothly due to their unique electron cloud spread.
  • a low-molecular hole transport material allows the dense hole transport layer 4 to be obtained, so that the hole transport efficiency of the hole transport layer 4 is improved.
  • a high-molecular hole transport material is used for the hole transport layer 4, it can be dissolved in a solvent relatively easily. Can be easily formed.
  • a hole transport layer 4 that is dense and excellent in hole transport efficiency can be formed by ink jet printing or the like. The effect that it can form easily by various application methods is acquired.
  • Low molecular weight hole transport materials include 1,1-bis (4 di-paratriaminophenol) cyclohexane, 1,1,1-bis (4 di-paratritriaminophenol) mono 4 phenolic monocyclic cycloalkane compounds such as oral hexane, 4, 4 ', 4 "-trimethyltrifluoroamine, N, N, N ,, N, 1 tetraphenyl 1, 1, 1 Bi-Fuel 4, 4, 1-diamin, N, N, 1-diphenyl 1 N, N, 1-bis (3-methylphenol) 1, 1, 1-biphenyl 4, 4, 1-diamin (TPD1) ), N, N, One Diphenylenol N, N, One Bis (4-methoxyphenolinole)-1, 1, Bibi-Nole 4, 4, Diamine (TPD2), N, N, ⁇ ', ⁇ , -Tetrakis (4 methoxyphenyl) 1, 1, 1, 1 biphenyl 4, 4, 1 diamine (TP
  • Polymeric hole transport materials include prepolymers and polymers (polymeric hole transport materials) that have the above-mentioned monomer or oligomer (low molecular weight hole transport material) compound in the main chain or side chain. Material).
  • Examples of other hole transport materials include poly (thiophene Z styrene sulfonic acid) -based compounds such as poly (3,4-ethylenedioxythiophene Z styrene sulfonic acid) (PEDOTZPSS). Polymeric hole transport materials can also be used. This has a high hole transport ability.
  • the average thickness of the hole transport layer 4 is not particularly limited, but is preferably about 10 to 150 nm, more preferably about 50 to about LOOnm. If the thickness of the hole transport layer 4 is too thin, pinholes may be generated. On the other hand, if the hole transport layer 4 is too thick, the light transmittance of the hole transport layer 4 may be deteriorated, resulting in organic The chromaticity (hue) of the emission color of EL element 1 may change.
  • the intermediate layer 6 has a function of delivering electrons injected from the cathode 7 to the light emitting layer 5.
  • each of the cathode 7 and the light emitting layer 5 is mainly composed of a metal material as described above and an organic light emitting material as described later. Therefore, when the cathode 7 and the light emitting layer 5 are formed in contact with each other without providing the intermediate layer 6, the interaction between the same kind of materials is larger than the interaction between different kinds of materials.
  • the repulsive force (interfacial tension) force S is generated between the metal material and the light emitting material (organic material) at the interface where the contact is made.
  • the distance between the metal material and the light emitting material is increased, so that sufficient adhesion between the cathode 7 and the light emitting layer 5 cannot be obtained.
  • the resistance value between the cathode 7 and the light emitting layer 5 increases, and there is a problem that electrons are not smoothly transferred between the cathode 7 and the light emitting layer 5.
  • the organic EL element 1 (an electronic device including the electronic device substrate of the present invention) has a configuration in which the cathode 7 and the light emitting layer 5 are in contact with both of them.
  • An intermediate layer 6 having the characteristics is provided.
  • an intermediate mainly composed of a compound represented by the general formula R—X—O—M (hereinafter, this compound is referred to as “compound (1)”).
  • Layer 6 is provided, and in this intermediate layer 6, compound (1) emits light from nonpolar part 61 composed of hydrocarbon group R along the thickness direction of intermediate layer 6, as shown in FIG. Layer (organic semiconductor layer) on the 5 side, atom M
  • the polar part 62 composed of the part other than the hydrocarbon group R containing is directed to the negative electrode (inorganic layer) 7 side and is oriented toward S.
  • R represents a hydrocarbon group
  • X represents a single bond, a carbo group or a sulfo group
  • M represents a hydrogen atom or a metal atom. Represents any atom.
  • the polar part 62 oriented on the cathode 7 side has an X—O—M structure and the distribution of the electron cloud is larger than that of the hydrocarbon group R. Demonstrates excellent affinity for the metal materials that make up it. As a result, the distance between the cathode 7 and the intermediate layer 6 can be reduced, and sufficient adhesion between the cathode 7 and the intermediate layer 6 can be obtained. Thereby, the transfer of electrons between the cathode 7 and the intermediate layer 6 can be performed smoothly.
  • the nonpolar portion 61 or the hydrocarbon group R oriented to the light emitting layer 5 side is composed of the light emitting layer 5 made of an organic material (light emitting material). Since it contains a hydrocarbon group (for example, an alkyl group), it exhibits excellent affinity for the light emitting material. As a result, the distance between the light emitting layer 5 and the intermediate layer 6 can be reduced, and sufficient adhesion between the light emitting layer 5 and the intermediate layer 6 can be obtained. As a result, electrons can be smoothly transferred between the light emitting layer 5 and the intermediate layer 6.
  • a hydrocarbon group for example, an alkyl group
  • the intermediate layer 6 having a strong structure between the light emitting layer 5 and the cathode 7, between the cathode 7 and the intermediate layer 6, and between the light emitting layer 5 and the intermediate layer 6, It will be possible to transfer electrons smoothly between the two. In other words, electrons can be smoothly transferred from the cathode 7 to the light emitting layer 5 through the intermediate layer 6. As a result, the electronic device substrate has an excellent electron (carrier) transport ability.
  • the compound (1) may be in contact with the cathode 7, but a part (polar part 62 side) of the compound (1) enters the cathode 7 as shown in FIG. It is preferable. Thereby, the adhesion between the intermediate layer 6 and the cathode 7 is further improved, and electrons can be transferred from the cathode 7 to the intermediate layer 6 more smoothly.
  • the compound (1) may be in contact with the light emitting layer 5 in the same manner, but a part (nonpolar part 61 side) of the compound (1) contacts the light emitting layer 5 as shown in FIG. It is preferable to enter. As a result, the adhesion between the intermediate layer 6 and the light emitting layer 5 is further improved, and the electrons from the intermediate layer 6 to the light emitting layer 5 are improved. Can be delivered more smoothly.
  • the structure of this compound (1) is set (determined) in the intermediate layer 6 so that the nonpolar part 61 can be oriented on the light emitting layer 5 side and the polar part 62 can be oriented on the cathode 7 side. .
  • the nonpolar part 61 is constituted by a hydrocarbon group R.
  • the hydrocarbon group R may be either a saturated hydrocarbon or an unsaturated hydrocarbon, but more preferably a saturated hydrocarbon. As a result, the bias of the electron cloud distribution in the hydrocarbon group R can be reduced, and the affinity between the luminescent material and the hydrocarbon group R can be further improved.
  • the structure of the hydrocarbon group R may include any of a linear structure, a branched structure, and a cyclic structure.
  • a part of the compound (1) (hydrocarbon group R) emits light relatively easily in the intermediate layer forming step [4] described later. You can get into layer 5.
  • the hydrocarbon group R includes a branched structure or a cyclic structure, the adhesion between the light emitting layer 5 into which a part of the compound (1) has entered and the intermediate layer 6 can be further improved.
  • the number of carbon atoms of the hydrocarbon group R is not particularly limited, but is preferably 1-30, more preferably 8-22.
  • the affinity that is, the interaction between the hydrocarbon group R and the luminescent material is improved (larger), and the hydrocarbon group R can be more reliably oriented to the luminescent layer 5 side, and the cathode 7 Can be smoothly transferred to the light emitting layer 5 side.
  • the polar part 62 is composed of a linking group X, an oxygen atom, and an atom M.
  • the bonding group X may be any of a bonding bond, a carbo group or a sulfol group, but may be a carbo group or a sulfol group. Is more preferable. As a result, the distribution of the electron cloud in the polar part 62 can be more unevenly distributed, the affinity with the metal material can be improved, and the polar part 62 (atom M) can be reliably oriented to the cathode 7 side. You can.
  • the atom M may be either a hydrogen atom or a metal atom, and is not particularly limited, but when it is a metal atom, it is included in the constituent material (metal material) of the cathode 7 It is preferable that the atom and the element belong to the same group in the periodic table. As a result, the affinity between the atomic M, that is, the polar part 62, and the metal material can be further improved, and the adhesion between the intermediate layer 6 and the cathode 7 can be further improved.
  • the atom M is not particularly limited as long as it can be bonded to an oxygen atom, but is preferably a metal atom having a low work function.
  • metal atoms include Be, Mg, Zn and the like in addition to alkali metals and alkaline earth metals.
  • Such an atom M is particularly preferably Li, Na, K, Be, Mg, Cs, Zn or Ca. Since these metal atoms are suitably used as a constituent material of the cathode 7 having a particularly small work function, the effects as described above can be exhibited more remarkably.
  • metal salt metal salt
  • the intermediate layer 6 may be composed of one of the compounds (1) as described above, or may be composed of a combination of two or more.
  • the thickness (average) of the intermediate layer 6 varies slightly depending on the composition of the compound (1), but is preferably 1 Onm or less, more preferably about 1 to 5 nm.
  • the intermediate layer 6 can be formed relatively easily as a monomolecular film of the compound (1) in which the polar part 62 is oriented on the cathode 7 side and the nonpolar part 61 is oriented on the light emitting layer 5 side. it can.
  • the middle layer 6 Electrons are transported in one molecule in the thickness direction, and electrons can be transferred from the cathode 7 to the light emitting layer 5 through the intermediate layer 6 more smoothly. .
  • the anode 3 side force can also inject holes and electrons from the cathode 7 side, and can provide a field where holes and electrons recombine. Any material can be used.
  • Examples of such luminescent materials include various low-molecular luminescent materials and various high-molecular luminescent materials as described below, and at least one of them can be used.
  • a dense light-emitting layer 5 can be obtained, so that the light-emitting efficiency of the light-emitting layer 5 is improved.
  • the light-emitting layer 5 can be easily formed by various coating methods such as an ink jet printing method.
  • a combination of a low-molecular light-emitting material and a high-molecular light-emitting material it has the effect of using a low-molecular light-emitting material and a high-molecular light-emitting material. The effect that the layer 5 can be easily formed by various coating methods such as an ink jet printing method is obtained.
  • Examples of low-molecular light emitting materials include benzene compounds such as distyrylbenzene (DSB) and diaminodistyrylbenzene (DADSB), naphthalene compounds such as naphthalene and nile red, and phenanthrene compounds such as phenanthrene.
  • benzene compounds such as distyrylbenzene (DSB) and diaminodistyrylbenzene (DADSB)
  • naphthalene compounds such as naphthalene and nile red
  • phenanthrene compounds such as phenanthrene.
  • Talycene, 6--Talycene compounds such as trotalisene, perylene, N, N, monobis (2,5 di-tert-butylphenol) 1, 3, 4, 9, 10 perylene monodicarboximide ( Perylene compounds such as BPPC), coronene compounds such as coronene, anthracene compounds such as anthracene and bisstyrylanthracene, pyrene compounds such as pyrene, 4 (Gisocyanomethyle) 2) -Methyl 6- (Para-dimethylaminostyryl) 4H Pyran-based compounds such as pyran (DCM), Atalidine-based compounds such as atalidine, Stilbene-based compounds such as stilbene, 2, 5 Dibenzoxazole Thiophene compounds such as thiophene, benzoxazole compounds such as benzoxazole, benzoimidazole compounds such as benzimidazole, 2, 2, 1 (para-diene-diylene
  • Fluorene compounds such as florene, (8-hydroxyquinoline) aluminum (Alq)
  • polymer light-emitting materials include polyacetylene-based materials such as trans-type polyacetylene, cis-type polyacetylene, poly (di-phenylacetylene) (PDPA), and poly (alkyl, phenylacetylene) (PAPA).
  • polyacetylene-based materials such as trans-type polyacetylene, cis-type polyacetylene, poly (di-phenylacetylene) (PDPA), and poly (alkyl, phenylacetylene) (PAPA).
  • the thickness (average) of the light emitting layer 5 is not particularly limited, but is preferably about 10 to 150 nm, more preferably 50 to about LOOnm. By setting the thickness of the light emitting layer 5 within the above range, recombination of holes and electrons is efficiently performed, and the light emission efficiency of the light emitting layer 5 can be further improved.
  • the light emitting layer 5 is not limited to a single layer.
  • the light emitting layer 5 should be a multilayer having an electron transporting layer excellent in electron transporting ability on the side in contact with the intermediate layer 6. You can also. By making the light emitting layer 5 powerful, the electron transport ability in the light emitting layer 5 can be further improved.
  • the constituent material (electron transport material) of the electron transport layer is not particularly limited, but for example, 1, 3, 5 tris [(3 phenol-6 trifluoromethyl) quinoxaline-2-yl ] Benzene (TPQ1), 1, 3, 5 Tris [ ⁇ 3— (4— t-Butylphenol) — 6 Trisfluoromethyl ⁇ Quinoxaline— 2-yl] Benzene compounds such as benzene (TPQ2) (star Burst compounds), naphthalene compounds such as naphthalene, phenanthrene compounds such as phenanthrene, talycene compounds such as tarisene, perylene compounds such as perylene, anthracene compounds such as anthracene, pyrene Pyrene compounds, Atalidine compounds such as atalidine, Stilbene compounds such as stilbene, Thiophene compounds such as BB OT, Butadiene Such butadiene compounds, coumarin compounds such as coumarin,
  • the sealing member 8 is provided so as to cover the anode 3, the hole transport layer 4, the light emitting layer 5, the intermediate layer 6 and the cathode 7, and these are hermetically sealed to block oxygen and moisture. It has a function. Providing the sealing member 8 suppresses or prevents the oxidation of the cathode 7 in particular, thereby improving the reliability of the organic EL device 1 and preventing deterioration (deterioration) (improvement of durability). It is done.
  • Examples of the constituent material of the sealing member 8 include Al, Au, Cr, Nb, Ta, Ti, alloys containing these, silicon oxide, various types of resin materials, and the like.
  • the sealing member 8 may be formed in a flat plate shape so as to face the substrate 2 and be sealed with a sealing material such as a thermosetting resin.
  • Such an organic EL element 1 has such a characteristic that when a voltage of 0.5 V is applied so that the cathode 7 is negative and the anode 3 is positive, the resistance value is 100 Q Zcm 2 or more. It is more preferable to have a characteristic of lk ⁇ / cm 2 or more.
  • the strong characteristic is that, in the organic EL element 1, a short circuit (leakage) between the cathode 7 and the anode 3 is preferably prevented or suppressed.
  • the organic EL element 1 having such characteristics has particularly high luminous efficiency.
  • Such an organic EL element 1 can be manufactured, for example, as follows.
  • the step of forming the cathode (inorganic layer) 7 (cathode forming step), the method for producing a substrate for electronic devices of the present invention is applied.
  • a substrate 2 is prepared, and an anode 3 is formed on the substrate 2.
  • the anode 3 is formed by, for example, chemical vapor deposition (CVD) such as plasma CVD, thermal CVD, or laser CVD, dry plating methods such as vacuum deposition, sputtering, or ion plating, electrolytic plating, immersion plating, electroless plating, etc. It can be formed using a wet plating method, thermal spraying method, sol-gel method, MOD method, metal foil bonding, or the like.
  • CVD chemical vapor deposition
  • thermal CVD thermal CVD
  • laser CVD dry plating methods
  • vacuum deposition sputtering, or ion plating
  • electrolytic plating electrolytic plating
  • immersion plating immersion plating
  • electroless plating etc. It can be formed using a wet plating method, thermal spraying method, sol-gel method, MOD method, metal foil bonding, or the like.
  • the hole transport layer 4 is formed on the anode 3.
  • the hole transport layer 4 is made of, for example, a hole transport layer material obtained by dissolving the hole transport material as described above in a solvent or dispersing it in a dispersion medium. It can be obtained by removing the solvent or the dispersion medium contained in the hole transport layer material after coating (supplying) on the anode 3.
  • a method for supplying the hole transport layer material onto the anode 3 various methods can be used. For example, an inkjet method, a spin coating method, a liquid mist chemical volume method (LSMCD method)
  • Casting method micro gravure coating method, gravure coating method, bar coating method, roll coating method, wire bar coating method, dip coating method, spray coating method, screen printing method, flexographic printing method, offset printing method, micro contact Examples thereof include a coating method such as a printing method, and one or more of these can be used in combination.
  • Examples of the solvent or dispersion medium include inorganic solvents such as nitric acid, sulfuric acid, ammonia, hydrogen peroxide, water, carbon disulfide, carbon tetrachloride, and ethylene carbonate, methyl ethyl ketone (MEK), acetone, Jetyl ketone, methyl isobutyl ketone (MIBK), methyl isopro Ketone solvents such as pyrketone (MIPK) and cyclohexanone, alcohol solvents such as methanol, ethanol, isopropanol, ethylene glycol, diethylene glycol (DEG), and glycerin, jetyl ether, diisopropyl ether, 1,2-dimethoxyethane Ether solvents such as methyl (DME), 1,4-dioxane, tetrahydrofuran (THF), tetrahydropyran (THP), azole, diethylene glycol dimethyl ether (diglycerin,
  • Amide solvents dichloromethane, chloroform, halogenated solvents such as 1,2-dichloroethane, ester solvents such as ethyl acetate, methyl acetate and ethyl formate, sulfur such as dimethyl sulfoxide (DMSO) and sulfolane
  • organic solvents such as organic solvent such as formic acid, acetic acid, trichloroacetic acid, trifluoroacetic acid, or the like, or organic solvents such as formic acid solvents, acetonitrile, propio-tolyl, acrylo-tolyl, etc. And a mixed solvent containing.
  • the light emitting layer 5 is formed on the hole transport layer 4.
  • the light emitting layer 5 can be formed in the same manner as the hole transport layer 4. That is, the light emitting layer 5 can be formed using the light emitting material as described above by the method described in the hole transport layer forming step [2].
  • the intermediate layer 6 is formed on the light emitting layer 5.
  • Examples of the method for forming the intermediate layer 6 include various methods. For example, [I] a method in which a liquid material containing the compound (1) is supplied onto the light emitting layer 5 by a coating method; A method in which the compound (1) is supplied on the light-emitting layer 5 by a vapor deposition method such as a vacuum deposition method, a sputtering method, or a cluster ion beam method, and [III] a thin compound oriented on the liquid surface. A molecular film of the product (1) is formed, and the substrate on which the luminescent layer 5 is formed is gently immersed in this solution to form a thin film with aligned molecular directions on the surface of the substrate (luminescent layer 5).
  • a thin compound (1) molecular film oriented on the liquid surface is formed, and the substrate on which the light-emitting layer 5 is formed is gently brought into contact with the substrate ( Light emitting layer 5)
  • One or two or more of the methods for transferring a thin film with aligned molecular directions on the surface can be used.
  • the liquid may be either a solution in which the compound (1) is dissolved in a solvent or a dispersion in which the liquid (1) is dispersed in a dispersion medium, but is preferably a solution.
  • the compound (1) can be surely oriented.
  • the same solvents as those mentioned in the above step [2] can be used.
  • the concentration of the compound (1) in the liquid material varies slightly depending on the type of the compound (1), but is preferably about 0.01-0. 5 molZL, about 0.1-0.3 molZL. Is more preferable.
  • the intermediate layer 6 can be a monomolecular film composed of the compound (1). it can.
  • the compound (1) causes the hydrocarbon group R to move along the thickness direction of the luminescent layer 5 on the luminescent layer 5 side.
  • the polar portion 62 (atomic M) is oriented with the light emitting layer 5 on the opposite side.
  • the solvent or dispersion medium used for preparing the liquid material is selected to be one that can dissolve or swell the light-emitting layer 5, that is, the light-emitting material.
  • the solvent or dispersion medium By the solvent or dispersion medium, the vicinity of the upper surface of the light emitting layer 5 is dissolved or swollen.
  • the compound (1) can be oriented in a state in which a part (the nonpolar part 61) enters the light emitting layer 5.
  • the adhesion of the intermediate layer 6 obtained in the next step [43] to the light emitting layer 5 can be further improved.
  • the method for drying the liquid material is not particularly limited.
  • the liquid material may be forcibly dried, such as heat drying or vacuum drying, in addition to natural drying.
  • the temperature of the atmosphere is preferably about 20 to 90 ° C, more preferably about 50 to 80 ° C.
  • the pressure of the atmosphere is preferably about 0.1 to about LOPa, more preferably about 1 to 5 Pa.
  • the treatment time varies depending on the material forming the intermediate layer 6 and is preferably about 1 to 90 minutes, more preferably about 5 to 30 minutes.
  • the intermediate layer 6 after drying may be subjected to post-treatment such as heat treatment or mechanical orientation treatment in which soft fibers are lightly and repeatedly rubbed in one direction. .
  • post-treatment such as heat treatment or mechanical orientation treatment in which soft fibers are lightly and repeatedly rubbed in one direction.
  • the orientation state of the compound (1) in the intermediate layer 6 is further stabilized, that is, each compound with the hydrocarbon group R on the light emitting layer 5 side and the atom M on the opposite side to the light emitting layer 5. (1) can be oriented more reliably.
  • the cathode 7 is formed on the intermediate layer 6, that is, on the surface opposite to the side in contact with the light emitting layer 5.
  • the cathode 7 can be formed using, for example, a vacuum deposition method, a sputtering method, a cluster ion beam method, or the like.
  • a forceful method the constituent material of the cathode 7 is supplied so as to surround the atoms M oriented on the side opposite to the light emitting layer 5 side of the intermediate layer 6. Can do.
  • the cathode 7 is in a state where a part of the compound (1) (polar part 62) has entered the surface on the side in contact with the light emitting layer 5.
  • the adhesion property between the cathode 7 and the intermediate layer 6 can be further improved.
  • the sealing member 8 is formed so as to cover the anode 3, the hole transport layer 4, the light emitting layer 5, the intermediate layer 6, and the cathode 7.
  • the sealing member 8 can be formed (provided), for example, by bonding a box-shaped protective cover made of the above-described material with various curable greases (adhesives).
  • thermosetting resin thermosetting resin
  • photocurable resin reactive cured resin
  • anaerobic cured resin can be used as the curable resin.
  • the organic EL element 1 is manufactured through the processes as described above.
  • the organic EL element 1 including the intermediate layer 6 provided between the cathode 7 and the light emitting layer 5 so as to be in contact with both of them has been described.
  • the intermediate layer 6 may be disposed between the anode 3 and the hole transport layer 4 so as to be in contact with each other.
  • the intermediate layer 6 is provided between the anode 3 and the hole transport layer 4, the intermediate layer 6 between the cathode 7 and the light emitting layer 5 may be omitted.
  • the organic EL element 1 can be used as a light source or the like in addition to the power that can be used for a display device, for example, and can be used for various optical applications.
  • the organic EL element 1 when used for a display device, the force with which the plurality of organic EL elements 1 are provided in the display device.
  • Examples of such a display device include the following.
  • FIG. 3 is a longitudinal sectional view showing a display device including a plurality of organic EL elements.
  • the display device 100 shown in FIG. 3 includes a base body 20 and a plurality of organic EL elements 1 provided on the base body 20 !.
  • the base body 20 includes a substrate 21 and a circuit unit 22 formed on the substrate 21.
  • the circuit unit 22 includes a protective layer 23 formed on the substrate 21 and made of, for example, an oxide silicon layer.
  • the driving TFT (switching element) 24 formed on the protective layer 23 and the first interlayer insulating layer 2
  • the driving TFT 24 includes a semiconductor layer 241 made of silicon, a gate insulating layer 242 formed on the semiconductor layer 241, a gate electrode 243 formed on the gate insulating layer 242, and a source electrode 244. And a drain electrode 245.
  • the organic EL elements 1 are provided corresponding to the respective driving TFTs 24. Adjacent organic EL elements 1 are partitioned by a first partition wall portion 31 and a second partition wall portion 32.
  • each organic EL element 1 constitutes a pixel electrode, and each driving TFT
  • each organic EL element 1 is electrically connected to 24 drain electrodes 245 by wiring 27.
  • the cathode 7 of each organic EL element 1 is a common electrode.
  • a sealing member (not shown) is joined to the base 20 so as to cover each organic EL element 1, and each organic EL element 1 is sealed.
  • the display device 100 can perform color display by selecting a light-emitting material used for each organic EL element 1, which may be monochrome display.
  • a display device comprising the organic EL element 1 (the electronic device of the present invention) as described above
  • FIG. 4 is a perspective view showing a configuration of a mopile type (or notebook type) personal computer to which the electronic apparatus of the present invention is applied.
  • a personal computer 1100 includes a main body 1104 provided with a keyboard 1102 and a display unit 1106 provided with a display.
  • the display unit 1106 is connected to the main body 1104 via a hinge structure. It is rotatably supported.
  • the display unit included in the display unit 1106 is configured by the display device 100.
  • FIG. 5 is a perspective view showing a configuration of a mobile phone (including PHS) to which the electronic apparatus of the present invention is applied.
  • the mobile phone 1200 includes a plurality of operation buttons 1202, a receiving telephone 1204, A mouthpiece 1206 and a display unit are provided.
  • the display unit is configured by display device 100.
  • FIG. 6 is a perspective view showing the configuration of a digital still camera to which the electronic apparatus of the present invention is applied. In this figure, connection with an external device is also simply shown.
  • an ordinary camera sensitizes a silver halide photographic film with a light image of a subject
  • a digital still camera 1300 photoelectrically converts a light image of a subject with an imaging device such as a CCD (Charge Coupled Device).
  • the image signal (image signal) is generated by conversion.
  • a display unit is provided to display based on the CCD image signal, and it functions as a viewfinder that displays the subject as an electronic image. To do.
  • the display unit is configured by the display device 100.
  • a circuit board 1308 is installed inside the case.
  • the circuit board 1308 is provided with a memory capable of storing (storing) an imaging signal.
  • a light receiving unit 1304 including an optical lens (imaging optical system), a CCD, and the like is provided on the front side of the case 1302 (on the back side in the illustrated configuration).
  • a video signal output terminal 1312 and an input / output terminal 1314 for data communication are provided on the side surface of the case 1302.
  • a television monitor 1430 is connected to the video signal output terminal 1312 and a personal computer 1440 is connected to the input / output terminal 1314 for data communication as necessary.
  • the imaging signal power stored in the memory of the circuit board 1308 is output to the television monitor 1430 or the personal computer 1440 by a predetermined operation.
  • the electronic apparatus of the present invention is a personal computer (mopile type personal computer) shown in FIG. Computer), mobile phone in FIG. 5 and digital still camera in FIG. 6, for example, television, video camera, viewfinder type, monitor direct view type video tape recorder, laptop personal computer, car navigation system Device, pager, electronic notebook (including communication functions), electronic dictionary, calculator, electronic game device, word processor, workstation, video phone, security TV monitor, electronic binoculars, point-of-sale terminal, touch panel (E.g. cash dispensers of financial institutions, automatic ticket vending machines), medical equipment (e.g.
  • thermometers electronic thermometers, blood pressure monitors, blood glucose meters, electrocardiographs, ultrasonic diagnostics, endoscopes), fish detectors, various Measuring equipment, instrumentation (e.g., vehicle, aircraft, ship instrumentation), flight simulator, and other various modules It can be applied to projection display devices such as Nita and projectors.
  • the electronic device of the present invention including the substrate for an electronic device of the present invention can be applied to the above-described organic EL element, and can also be applied to, for example, a photoelectric conversion element and a thin film transistor.
  • a sputtering method is used on a transparent glass substrate with an average thickness of 0.5 mm.
  • An ITO electrode (anode) having an average thickness of 150 nm was formed.
  • the intermediate layer forming material prepared in the above step 4A- was applied on the light emitting layer by spin coating, and then dried under a nitrogen atmosphere at 60 ° C for 30 minutes. Thus, an intermediate layer having an average thickness of 5 nm was formed.
  • an AlLi electrode (negative electrode) having an average thickness of 300 nm was formed on the intermediate layer by vacuum deposition.
  • An organic EL device was produced in the same manner as in Example 1A, except that in Step 4A-, the intermediate layer forming material was obtained using sodium laurate instead of lithium stearate.
  • An organic EL device was produced in the same manner as in Example 1A, except that in Step 4A-, an intermediate layer forming material was obtained using behenic acid instead of lithium stearate.
  • Step 4A instead of lithium stearate, palmityl alcohol
  • An organic EL device was produced in the same manner as in Example 1A except that the intermediate layer forming material was obtained using
  • An organic EL device was produced in the same manner as in Example 1A, except that an intermediate layer forming material was obtained using isoalkyl alcohol represented by CH—OH.
  • An organic EL device was produced in the same manner as in Example 1A except that in Step 4A-, the intermediate layer forming material was obtained using lithium stearylbenzene sulfonate instead of lithium stearate.
  • An organic EL device was produced in the same manner as in Example 1A, except that in Step 4A-, the intermediate layer forming material was obtained using laurylbenzene sulfonic acid instead of lithium stearate.
  • An organic EL device was produced in the same manner as in Example 1A, except that Step 4A— to Step 6A— (intermediate layer forming step) were omitted.
  • an ITO electrode (positive electrode) having an average thickness of 150 nm was formed in the same manner as in the above step 1A.
  • Owt% xylene solution was applied by spin coating and then dried to form a hole transport layer with an average thickness of 50 nm
  • a light emitting layer having an average thickness of 50 nm composed of (weight average molecular weight 200000) was formed.
  • Step 8B Next, in the same manner as in Step 8A—, the organic EL element was manufactured by sealing with a protective cover made of polycarbonate.
  • An organic EL device was produced in the same manner as in Example 1B except that, in the step 2B, instead of lithium stearate, sodium laurate was used to obtain an intermediate layer forming material.
  • An organic EL device was produced in the same manner as in Example 1B, except that, in Step 2B—, an intermediate layer forming material was obtained using behenic acid instead of lithium stearate.
  • Example 4B An organic EL device was produced in the same manner as in Example 1B except that, in Step 2B—, an intermediate layer forming material was obtained using palmityl alcohol instead of lithium stearate.
  • An organic EL device was produced in the same manner as in Example 1B, except that an intermediate layer forming material was obtained using isoalkyl alcohol represented by CH—OH.
  • An organic EL device was produced in the same manner as in Example 1B, except that, in Step 2B—, the intermediate layer forming material was obtained using lithium stearylbenzenesulfonate instead of lithium stearate.
  • An organic EL device was produced in the same manner as in Example 1B except that, in Step 2B—, the intermediate layer forming material was obtained using laurylbenzenesulfonic acid instead of lithium stearate.
  • An organic EL device was prepared in the same manner as in Example 1B, except that a 0.1 wt% diluted acetic acid solution of oxyfluorene was used as the intermediate layer forming material instead of the intermediate layer forming material prepared in Step 2B-. Manufactured.
  • An organic EL device was produced in the same manner as in Example 1B except that Step 2B- to Step 4B- (intermediate layer forming step) were omitted.
  • Example 2 An organic EL device was manufactured in the same manner as 1B.
  • the energization current (A), The light intensity (cdZm 2 ) and maximum luminous efficiency (lmZW) were measured, and the time (half-life) during which the light emission brightness was half the initial value was measured.
  • each measurement value measured in Example 1A to Example 8A using each measurement value (energization current, light emission luminance, maximum light emission efficiency, half-life) measured in Comparative Example 1A as a reference value Were evaluated according to the following four criteria.
  • Comparative Example 1A 1.25 times or more and less than 50 times compared to the measured value of Comparative Example 1A ⁇ : 1.00 times or more and less than 1.25 times compared to the measured value of Comparative Example 1A X: The measurement results of Comparative Example 1A are 0.75 times or more and less than 1.00 times. The evaluation results are shown in Table 1 below.
  • each of the organic EL elements of each example was superior in terms of energization current, emission luminance, maximum luminous efficiency, and half-life compared to the organic EL elements of each comparative example. Results were obtained.
  • the adhesion at the interface between the cathode and the intermediate layer and the interface between the light-emitting layer and the light-emitting layer was improved. It was clear that electrons were suitably delivered to the optical layer.
  • each of the organic EL devices of each example was superior in terms of energization current, emission luminance, maximum luminous efficiency, and half-life as compared with the organic EL devices of each comparative example. result was gotten.
  • an electronic device including a substrate for an electronic device is in contact with both of the organic semiconductor layer (light emitting layer) and the inorganic layer (cathode). It has an intermediate layer.
  • the intermediate layer is mainly composed of a compound represented by the general formula R—X—O—M, and this compound is composed of a hydrocarbon group R along the thickness direction of the intermediate layer.
  • the nonpolar portion is oriented on the organic semiconductor layer side, and the polar portion composed of the portion other than the hydrocarbon group R containing the atom M is oriented on the inorganic layer side. Since the nonpolar part and the polar part exhibit excellent affinity to the constituent materials of the organic semiconductor layer and the inorganic layer, respectively, the intermediate layer has both an organic layer and an inorganic layer. Each contact surface has excellent adhesion.
  • an electronic device including the electronic device substrate having the above-described configuration can be manufactured by the method for manufacturing an electronic device substrate of the present invention. Further, an electronic device including an electronic device having a profitable structure is highly reliable. Therefore, it has industrial applicability.

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Abstract

　キャリア輸送能に優れた電子デバイス用基板、かかる電子デバイス用基板を製造し得る電子デバイス用基板の製造方法、かかる電子デバイス用基板を備え、特性に優れた電子デバイスおよび信頼性の高い電子機器を提供することにある。電子デバイス用基板は、発光層（有機半導体層）と、陰極（無機物層）と、発光層と陰極との間に、これらの双方に接触するように設けられた中間層とを有し、中間層は、一般式Ｒ－Ｘ－Ｏ－Ｍで表される化合物（１）により主として構成され、この化合物（１）は、中間層の厚さ方向に沿って炭化水素基Ｒを発光層側に、原子Ｍを陰極側にして配向しているものである。［一般式中、Ｒは、炭化水素基を表し、Ｘは、単結合、カルボニル基またはスルホニル基のうちのいずれかの結合基を表し、Ｍは、水素原子または金属原子のうちのいずれかの原子を表す。］

Description

電子デバイス用基板、電子デバイス用基板の製造方法、電子デバイスお よび電子機器
技術分野
[0001] 本発明は、電子デバイス用基板、電子デバイス用基板の製造方法、電子デバイス および電子機器に関するものである。
背景技術
[0002] 有機半導体層と無機物層とを備え、これらのものがお互いに接触するように設けら れた電子デバイス用基板を備える電子デバイスとして、例えば、有機エレクトロルミネ ッセンス素子 (以下、単に「有機 EL素子」という。）や、有機薄膜トランジスタ等がある
[0003] これらのうち、有機 EL素子は、固体発光型の安価な大面積フルカラー表示装置が 備える表示素子 (発光素子)としての用途が有望視され、多くの開発が行われている
[0004] 一般に、有機 EL素子は、陰極と陽極との間に発光層を有する構成であり、陰極と 陽極との間に電界を印加すると、発光層に陰極側から電子が注入され、陽極側から 正孔が注入される。
[0005] この際に、有機 EL材料 (発光層材料)の分子構造や分子の集合状態が特定の状 態である場合に、前記注入された電子と正孔とが即座に結合せず、特別の励起状態 として一定の時間保持される。そのため、通常の状態である基底状態と比較して分子 の総エネルギーは、励起エネルギー分だけ増加する。この特別な励起状態を保持し て 、る電子と正孔との対を励起子 (エキシトン）と呼ぶ。
[0006] そして、前記保持された一定の時間経過後に励起子が崩壊して電子と正孔とが結 合すると、増加していた励起エネルギー分が外部に熱や光として放出される。
[0007] この光放出は、発光層付近においてなされ、前記励起エネルギー分の内の光放出 する割合は、有機 EL材料の分子構造や分子の集合状態によって大きく影響される。
[0008] さらに、このような有機 EL素子において、高い発光を得るためには、キャリア（電子 または正孔)のキャリア輸送性の異なる有機半導体材料で構成される有機半導体層 を、発光層と、陰極および Zまたは陽極との間に積層する素子構造が有効であること も判っている。
[0009] そこで、発光層と有機半導体層とを、陽極と陰極との間に積層した構成の有機 EL 素子において、高い発光効率を得るために、有機 EL材料および有機半導体材料の 分子構造や分子の集合状態、さらには、発光層および有機半導体層の積層する数 や位置等につ!、て検討が行われて 、る。
[0010] し力しながら、このような構成の有機 EL素子においても、発光効率等の特性の向上 が期待するほど得られていないのが実情であった (例えば、特許文献 1：特開平 9— 2 55774号公報参照。）。
[0011] そして、このことは、有機半導体材料と無機物層を構成する無機材料 (例えば、金 属材料)との相互作用よりも有機半導体材料同士間の相互作用が大きぐ有機半導 体材料と無機材料とが反発するため、有機半導体層と無機物層との密着性が十分に 得られず、これらの層同士間でキャリアの受け渡しが円滑に行われて ヽな 、ことに起 因して 、ることが判ってきた。
[0012] このような問題を解決する方法として、陽極 (無機物層）と正孔輸送層 (有機半導体 層）との間に、銅フタロシアニンのような金属錯体を主材料とする正孔注入層を、真空 蒸着法やイオンビーム蒸着法のような気相成膜法を用いて形成して、キャリア輸送を 向上す方法が開示されて!、る（例えば、特許文献 2：特開 2002— 151269号公報参 照。）。
[0013] し力しながら、このような方法を用いた場合においても、陽極と正孔注入層との間の 密着性を十分に向上させることができず、有機 EL素子の特性の向上は、十分に得ら れていない。
[0014] このような問題は、有機薄膜トランジスタ等にも同様に生じることが懸念されている。
発明の開示
[0015] 本発明の目的は、キャリア輸送能に優れた電子デバイス用基板、カゝかる電子デバィ ス用基板を製造し得る電子デバイス用基板の製造方法、かかる電子デバイス用基板 を備え、特性に優れた電子デバイスおよび信頼性の高 、電子機器を提供することに ある。
[0016] 上記目的を達成するために、本発明の電子デバイス用基板の製造方法は、
有機半導体層と、無機物層と、前記有機半導体層と前記無機物層との間に、これら の双方に接触するように設けられた中間層とを有する電子デバイス用基板であって、 前記中間層は、一般式 R— X— O— Mで表される化合物により主として構成され、 当該化合物は、前記中間層の厚さ方向に沿って炭化水素基 Rを前記有機半導体 層側に、原子 Mを前記無機物層側にして配向していることを特徴とする。
[一般式中、 Rは、炭化水素基を表し、 Xは、単結合、カルボ-ル基またはスルホ-ル 基のうちのいずれかの結合基を表し、 Mは、水素原子または金属原子のうちのいず れかの原子を表す。 ]
これにより、中間層を介した無機物層から有機半導体層へのキャリアの受け渡しが 円滑に行われ、キャリア輸送能に優れた電子デバイス用基板とすることができる。
[0017] 本発明の電子デバイス用基板では、前記炭化水素基 Rは、飽和炭化水素であるこ とが好ましい。
[0018] これにより、炭化水素基 R中の電子雲の分布の偏りを小さくして、有機半導体層の 構成材料と炭化水素基 Rとの親和性をより向上させることができる。
[0019] 本発明の電子デバイス用基板では、前記炭化水素基 Rの炭素数は、 1〜30である ことが好ましい。
[0020] これにより、炭化水素基 Rと有機半導体層の構成材料との親和性を向上させて、炭 化水素基 Rを有機半導体層側により確実に配向させることができる。
[0021] 本発明の電子デバイス用基板では、前記原子 Mは、金属原子であり、無機物層の 構成材料に含まれる原子と元素周期表において同じ族に属するものであることが好 ましい。
[0022] これにより、原子 Mと無機物層の構成材料との親和性をより向上させることができ、 中間層と無機物層との密着性をより優れたものとすることができる。
[0023] 本発明の電子デバイス用基板では、前記原子 Mは、アルカリ金属またはアルカリ土 類金属であることが好ま 、。
[0024] アルカリ金属およびアルカリ土類金属は、仕事関数の小さい金属であることから、か 力る金属を原子 Mとして備える一般式 R—X—O— Mで表される化合物の一部が無 機物層に入り込んだ状態で中間層を形成すると、無機物層の仕事関数をより小さく することができる。
[0025] 本発明の電子デバイス用基板では、前記原子 Mは、 Li、 Na、 K、 Be、 Mg、 Cs、 Zn または Caであることが好まし!/、。
[0026] これらの原子 Mは、仕事関数が特に小さぐ電子を輸送する無機物層の構成材料 として好適に用いられることから、中間層と無機物層との密着性を確実に向上させる ことができるとともに、無機物層の仕事関数を確実に小さくさせることができる。
[0027] 本発明の電子デバイス用基板では、前記結合基 Xは、カルボニル基またはスルホ ニル基であることが好まし!/、。
[0028] これにより、一般式 R— X— O— Mで表される化合物において、炭化水素基 R以外 の部分の電子雲の分布の偏りをより大きくすることができ、この部分と無機物層の構 成材料との親和性を向上させることができる。その結果、一般式 R—X—O— Mで表 される化合物は、原子 Mを無機物層側にして、確実に配向し得るものとなる。
[0029] 本発明の電子デバイス用基板では、前記化合物は、その一部が前記有機半導体 層に入り込んで 、ることが好まし!/、。
[0030] これにより、中間層と有機半導体層との密着性がより向上して、中間層から有機半 導体層へのキャリアの受け渡しをより円滑に行うことができる。
[0031] 本発明の電子デバイス用基板では、前記化合物は、その一部が前記無機物層に 入り込んで 、ることが好まし!/、。
[0032] これにより、中間層と無機物層との密着性がより向上して、無機物層から中間層へ のキャリアの受け渡しをより円滑に行うことができる。
[0033] 本発明の電子デバイス用基板では、前記中間層は、その平均厚さが 10nm以下で あることが好ましい。
[0034] これにより、中間層を、炭化水素基 Rが有機半導体層側に原子 Mが無機物層側に それぞれ配向した一般式 R— X— O— Mで表される化合物の単分子膜として比較的 容易に形成することができる。
[0035] 本発明の電子デバイス用基板の製造方法は、有機半導体層と、無機物層と、前記 有機半導体層と前記無機物層との間に、これらの双方に接触するように設けられた 中間層とを有する電子デバイス用基板の製造方法であって、
前記有機半導体層の一方の面に、一般式 R— X— O— Mで表される化合物を含有 する液状材料を供給し、炭化水素基 Rと前記有機半導体層の構成材料との親和性 により、前記化合物を、前記有機半導体層の厚さ方向に沿って炭化水素基 Rを前記 有機半導体層側に、原子 Mを前記有機半導体層と反対側にして配向させた後、前 記液状材料を乾燥して前記中間層を形成する第 1の工程と、
前記中間層の前記有機半導体層と反対の面に接触する前記無機物層を形成する 第 2の工程とを有することを特徴とする。
[一般式中、 Rは、炭化水素基を表し、 Xは、単結合、カルボ-ル基またはスルホ-ル 基のうちのいずれかの結合基を表し、 Mは、水素原子または金属原子のうちのいず れかの原子を表す。 ]
これにより、中間層を介した無機物層から有機半導体層へのキャリアの受け渡しが 円滑に行われ、キャリア輸送能に優れた電子デバイス用基板を製造することができる
[0036] 本発明の電子デバイス用基板の製造方法では、前記液状材料は、前記有機半導 体層を溶解または膨潤し得る溶媒または分散媒を含有し、
前記第 1の工程おいて、前記有機半導体層の一方の面に前記液状材料を供給す ることにより、当該面付近を溶解または膨潤させて、前記化合物の一部を前記有機 半導体層に入り込ませることが好まし 、。
[0037] これにより、中間層の有機半導体層に対する密着性をより向上させることができる。
[0038] 本発明の電子デバイス用基板は、本発明の電子デバイス用基板の製造方法により 製造されたことを特徴とする。
[0039] これにより、中間層を介した無機物層から有機半導体層へのキャリアの受け渡しが 円滑に行われ、キャリア輸送能に優れた電子デバイス用基板とすることができる。
[0040] 本発明の電子デバイスは、本発明の電子デバイス用基板を備えることを特徴とする
[0041] これにより、特性に優れた電子デバイスが得られる。 [0042] 本発明の電子デバイスは、有機エレクト口ルミネッセンス素子であることが好ましい。
[0043] これにより、発光効率等の特性に優れた有機 EL素子が得られる。
[0044] 本発明の電子機器は、本発明の電子デバイスを備えることを特徴とする。
[0045] これにより、信頼性の高い電子機器が得られる。
図面の簡単な説明
[0046] [図 1]図 1は、有機 EL素子の一例を示した縦断面図である。
[図 2]図 2は、図 1に示す有機 EL素子の中間層の界面付近を拡大して示す模式図（ 縦断面図）である。
[図 3]図 3は、有機 EL素子を備えるディスプレイ装置の実施形態を示す縦断面図で ある。
[図 4]図 4は、本発明の電子機器を適用したモパイル型 (またはノート型）のパーソナ ルコンピュータの構成を示す斜視図である。
[図 5]図 5は、本発明の電子機器を適用した携帯電話機 (PHSも含む)の構成を示す 斜視図である。
[図 6]図 6は、本発明の電子機器を適用したディジタルスチルカメラの構成を示す斜 視図である。
発明を実施するための最良の形態
[0047] 以下、本発明の電子デバイス用基板、電子デバイス用基板の製造方法、電子デバ イスおよび電子機器を添付図面に示す好適実施形態に基づいて詳細に説明する。
[0048] なお、以下では、本発明の電子デバイスを、有機エレクト口ルミネッセンス素子（以 下、単に「有機 EL素子」という。）に適用した場合を一例として説明する。
[0049] <有機 EL素子 >
図 1は、有機 EL素子の実施形態を示した縦断面図である。図 2は、図 1に示す有機
EL素子の中間層の界面付近を拡大して示す図 (模式図）である。なお、以下では、 説明の都合上、図 1および図 2中の上側を「上」、下側を「下」として説明を行う。
[0050] 図 1に示す有機 EL素子 1は、陽極 3と、陰極 7と、陽極 3と陰極 7との間に、陽極 3側 カゝら順次積層された、正孔輸送層 4と、発光層 5と、中間層 6とからなる積層体 9を備 えるものである。そして、有機 EL素子 1は、その全体が基板 2上に設けられるとともに 、封止部材 8で封止されている。
[0051] なお、本実施形態では、この有機 EL素子 1において、発光層（有機半導体層） 5と 中間層 6と陰極 (無機物層） 7とにより本発明の電子デバイス用基板が構成される。
[0052] 基板 2は、有機 EL素子 1の支持体となるものである。有機 EL素子 1が基板 2と反対 側から光を取り出す構成（トップェミッション型)である場合、基板 2および陽極 3には 、それぞれ、透明性は、特に要求されない。また、有機 EL素子 1が基板 2側から光を 取り出す構成 (ボトムェミッション型)である場合、基板 2および陽極 3には、それぞれ 、実質的に透明（無色透明、着色透明、半透明)性を有するものが用いられる。
[0053] 基板 2としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリ プロピレン、シクロォレフインポリマー、ポリアミド、ポリエーテルサルフォン、ポリメチル メタタリレート、ポリカーボネート、ポリアリレートのような榭脂材料や、石英ガラス、ソー ダガラスのようなガラス材料等で構成される透明基板や、アルミナのようなセラミックス 材料で構成された基板、ステンレス鋼のような金属基板の表面に酸ィ匕膜 (絶縁膜)を 形成したもの、不透明な榭脂材料で構成された基板のような不透明基板を用いること ができる。
[0054] このような基板 2の平均厚さは、特に限定されないが、 0. 1〜： LOmm程度であるの が好ましぐ 0. l〜5mm程度であるのがより好ましい。
[0055] 陽極 3は、後述する正孔輸送層 4に正孔を注入する電極である。
[0056] 陽極 3の構成材料（陽極材料)としては、正孔を注入すると ヽぅ観点から、仕事関数 が大きぐ導電性に優れる材料を用いるのが好まし 、。
[0057] このような陽極材料としては、例えば、 ITO (Indium Tin Oxide)、 IZO (Indium
Zinc Oxide)、 In O、 SnO、 Sb含有 SnO、 Al含有 ZnO等の酸化物、 Au、 Pt、
3 3 2 2
Ag、 Cu、 Aほたはこれらを含む合金等が挙げられ、これらのうちの少なくとも 1種を用 いることがでさる。
[0058] このような陽極 3の平均厚さは、特に限定されないが、 10〜200nm程度であるのが 好ましぐ 50〜150nm程度であるのがより好ましい。陽極 3の厚さが薄すぎると、陽 極 3としての機能が充分に発揮されなくなるおそれがあり、一方、陽極 3が厚すぎると 、有機 EL素子 1の発光効率が低下するおそれがある。 [0059] また、陽極 3の表面抵抗は、低い程好ましぐ具体的には、 100 ΩΖ口以下である のが好ましぐ 50 ΩΖ口以下であるのがより好ましい。表面抵抗の下限値は、特に限 定されないが、通常 0. 1 ΩΖ口程度であるのが好ましい。
[0060] 陰極 7は、後述する中間層 6に電子を注入する電極である。この陰極 7の構成材料 としては、仕事関数の小さ!/、材料を用いるのが好ま 、。
[0061] 陰極 7の構成材料としては、例えば、酸化セシウム、炭酸セシウムの熱分解物、 Li、 Na、 K、 Rb、 Cs、 Be、 Mg、 Ca、 Sr、 Ba、 Sc、 Y、 La、 Ce、 Eu、 Er、 Yb、 Ag、 Zn、 C u、 Aほたはこれらを含む合金等が挙げられ、これらのうちの 1種または 2種以上を組 み合わせて用いることができる。
[0062] 特に、陰極 7の構成材料として合金を用いる場合には、 Ag、 Al、 Cu等の安定な金 属元素を含む合金、具体的には、 MgAg、 AlLi、 CuLi等の合金を用いるのが好まし い。力かる合金を陰極 7の構成材料として用いることにより、陰極 7の電子注入効率お よび安定性の向上を図ることができる。
[0063] なお、陰極 7は、複数層の積層構造とすることもできる。この場合、中間層 6に近い 側の層を、より仕事関数が低い陰極材料で構成するのが好ましい。例えば、陰極 7を 2層の積層構成とする場合、中間層 6から遠い側の層を Caを主材料として構成し、中 間層 6に近い側の層を、 Al、 Agまたはこれらを含む合金を主材料として構成すること ができる。
[0064] このような陰極 7の平均厚さは、特に限定されないが、 1〜： LOOOnm程度であるのが 好ましぐ 100〜400nm程度であるのがより好ましい。陰極 7の厚さが薄すぎると比抵 抗が高くなつて電圧降下を生じたり、酸ィ匕反応により電気導電特性が不安定となり、 陰極 7としての機能が充分に発揮されなくなるおそれがある。一方、陰極 7が厚過ぎる と、真空蒸着法やスパッタリング法等を用いて陰極 7を形成する際に、膜中の温度が 著しく上昇したり、残留応力が増カロして、後述する下層として設けられている中間層 6 を破壊したり、陰極 7や中間層 6がはがれてしまい、有機 EL素子 1の発光効率が低 下するおそれがある。
[0065] また、陰極 7の表面抵抗も低い程好ましぐ具体的には、 50 ΩΖ口以下であるのが 好ましぐ 20 ΩΖ口以下であるのがより好ましい。表面抵抗の下限値は、特に限定さ れないが、通常 0. 1 ΩΖ口程度であるのが好ましい。
[0066] さて、陽極 3と陰極 7との間には、正孔輸送層 4と発光層（有機半導体層） 5と中間層 6とがこの順で陽極 3側から積層された積層体 9が陽極 3と陰極 7とに接触するよう〖こ 形成されている。
[0067] また、正孔輸送層 4は、陽極 3から注入された正孔を発光層 5まで輸送する機能を 有するものである。
[0068] 正孔輸送層 4の構成材料は、正孔輸送能力を有するものであればいかなるのもで あっても良いが、以下に示すような、各種低分子の正孔輸送材料、各種高分子の正 孔輸送材料を基本構造とし、共役系の化合物であるのが好ましい。共役系の化合物 は、その特有な電子雲の広がりによる性質上、極めて円滑に正孔を輸送できるため、 正孔輸送能力に特に優れる。
[0069] なお、低分子の正孔輸送材料を用いることにより緻密な正孔輸送層 4が得られるた め、正孔輸送層 4の正孔輸送効率は向上する。また、正孔輸送層 4に高分子の正孔 輸送材料を用いると比較的容易に溶剤に溶解させることができるため、インクジェット 印刷法やスピンコート印刷法等の各種塗布法による正孔輸送層 4の形成を容易に行 うことができる。さら〖こ、低分子の正孔輸送材料と高分子の正孔輸送材料とを組み合 わせて用いることにより、緻密かつ正孔輸送効率に優れる正孔輸送層 4を、インクジ エツト印刷法等の各種塗布法により、容易に形成できるという効果が得られる。
[0070] 低分子の正孔輸送材料としては、 1, 1—ビス (4 ジ一パラ一トリァミノフエ-ル)シ クロへキサン、 1, 1，一ビス（4 ジ一パラ一トリルァミノフエ-ル）一 4 フエ-ル一シク 口へキサンのようなァリールシクロアルカン系化合物、 4, 4' , 4"—トリメチルトリフエ -ルァミン、 N, N, N，， N，一テトラフエ-ルー 1, 1，一ビフエ-ルー 4, 4，一ジァミン 、 N, N，一ジフエ-ル一 N, N，一ビス（3—メチルフエ-ル）一 1, 1，一ビフエ-ル一 4 , 4，一ジァミン（TPD1)、 N, N，一ジフエ二ノレ一 N, N，一ビス（4—メトキシフエ二ノレ） - 1, 1，ービフエ-ノレ 4, 4，ージァミン（TPD2)、 N, N, Ν' , Ν，ーテトラキス（4 メトキシフエ-ル）一 1, 1，一ビフエ-ル一 4, 4，一ジァミン（TPD3)、 Ν, N，一ジ（1— ナフチル） N, N，一ジフエニル一 1, 1，一ビフエニル一 4, 4，一ジァミン（α— NPD ；)、 ΤΡΤΕのようなァリールアミン系化合物、 Ν, Ν, Ν' , Ν，—テトラフエ-ルーパラ— フエ-レンジァミン、 N, N, Ν' , Ν，一テトラ（パラ一トリル）一パラ一フエ-レンジァミン 、Ν, Ν, Ν' , Ν，一テトラ（メタ一トリル）一メタ一フエ-レンジァミン（PDA)のようなフ ェ-レンジアミン系化合物、カルバゾール、 N—イソプロピルカルバゾール、 N—フエ -ルカルバゾールのような力ルバゾール系化合物、スチルベン、 4ージ—パラートリル アミノスチルベンのようなスチルベン系化合物、 O Zのようなォキサゾール系化合物、 トリフエ-ルメタン m—MTDATAのようなトリフエ-ルメタン系化合物、 1—フエ-ル一 3—（パラージメチルァミノフエ-ル）ピラゾリンのようなピラゾリン系化合物、ベンジン（ シクロへキサジェン）系化合物、トリァゾールのようなトリァゾール系化合物、イミダゾ ールのようなイミダゾール系化合物、 1, 3, 4 ォキサジァゾール、 2, 5 ジ（4ージメ チルァミノフエニル） 1, 3, 4, ーォキサジァゾールのようなォキサジァゾ一ル系化 合物、アントラセン、 9一（4ージェチルアミノスチリル）アントラセンのようなアントラセン 系化合物、フルォレノン、 2, 4, 7, —トリ-トロ一 9 フルォレノン、 2, 7 ビス（2 ヒ ドロキシ 3—（2 クロ口フエ-ルカルバモイル） 1 ナフチルァゾ）フルォレノンの ようなフルォレノン系化合物、ポリア-リンのようなァ-リン系化合物、シラン系化合物 、ポリチォフェン、ポリ（チォフェンビ-レン）のようなチォフェン系化合物、ポリ（2, 2， チェ-ノレピロ一ノレ）、 1, 4ージチオケトー 3, 6 ジフエ-ノレ ピロロー（3, 4— c)ピ ロロピロールのようなピロール系化合物、フローレンのようなフローレン系化合物、ポ ルフィリン、金属テトラフエ-ルポルフィリンのようなポルフィリン系化合物、キナクリドン のようなキナクリドン系化合物、フタロシアニン、銅フタロシアニン、テトラ（tーブチル） 銅フタロシアニン、鉄フタロシアニンのような金属または無金属のフタロシア-ン系化 合物、銅ナフタロシアニン、バナジルナフタロシアニン、モノクロ口ガリウムナフタロシ ァニンのような金属または無金属のナフタロシアニン系化合物、 N, N，ージ（ナフタレ ン一 1—ィル） N, N，一ジフエ二ルーベンジジン、 N, N, Ν' , Ν，一テトラフエ-ル ベンジジンのようなベンジジン系化合物等が挙げられ、これらのうちの 1種または 2種 以上を組み合わせて用いることができる。これらのものは、いずれも、高い正孔輸送 能を有している。
高分子の正孔輸送材料としては、前記モノマーやオリゴマー (低分子の正孔輸送 材料)化合物を主鎖または側鎖に有するプレボリマーやポリマー（高分子の正孔輸送 材料）として用いることができる。
[0072] その他の正孔輸送材料としては、例えば、ポリ（3, 4—エチレンジォキシチォフェン Zスチレンスルホン酸）（PEDOTZPSS)のようなポリ（チォフェン Zスチレンスルホ ン酸)系化合物等の高分子の正孔輸送材料を用いることもできる。このものは、高い 正孔輸送能を有している。
[0073] このような正孔輸送層 4の平均厚さは、特に限定されないが、 10〜150nm程度で あるのが好ましぐ 50〜： LOOnm程度であるのがより好ましい。正孔輸送層 4の厚さが 薄すぎると、ピンホールが生じるおそれがあり、一方、正孔輸送層 4が厚過ぎると、正 孔輸送層 4の光の透過率が悪くなる原因となり、有機 EL素子 1の発光色の色度 (色 相）が変化してしまうおそれがある。
[0074] 中間層 6は、陰極 7から注入された電子を発光層 5に受け渡しする機能を有するも のである。
[0075] ところで、陰極 7と発光層 5とは、それぞれ、前述したような金属材料と、後述するよう な有機系の発光材料とにより主として構成されている。そのため、中間層 6を設けるこ となく陰極 7と発光層 5とを接触させて形成すると、異種の材料同士の相互作用よりも 同種の材料同士の相互作用が大きいため、陰極 7と発光層 5とが接触する界面にお いて、金属材料と発光材料 (有機系の材料)との間に反発力 (界面張力）力 S生じること となる。その結果、金属材料と発光材料との間の距離が大きくなることにより、陰極 7と 発光層 5との間に十分な密着性が得られなくなる。これにより、陰極 7と発光層 5との 間での抵抗値が大きくなり、陰極 7と発光層 5との間の電子の受け渡しが円滑に行わ れないという問題が生じる。
[0076] これに対して、有機 EL素子 1 (本発明の電子デバイス用基板を備える電子デバイス )では、陰極 7と発光層 5との間に、これらの双方に接触するように、その構成に特徴 を有する中間層 6が設けられて 、る。
[0077] すなわち、有機 EL素子 1では、一般式 R— X— O— Mで表される化合物（以下、こ の化合物を「ィ匕合物（1)」という。）により主として構成される中間層 6が設けられ、この 中間層 6において、化合物（1)が、図 2に示すように、中間層 6の厚さ方向に沿って、 炭化水素基 Rにより構成される非極性部 61を発光層（有機半導体層） 5側に、原子 M を含む炭化水素基 R以外の部分により構成される極性部 62を陰極 (無機物層） 7側 にして酉 S向している。
[一般式中、 Rは、炭化水素基を表し、 Xは、単結合、カルボ-ル基またはスルホ-ル 基のうちのいずれかの結合基を表し、 Mは、水素原子または金属原子のうちのいず れかの原子を表す。 ]
ここで、陰極 7側に配向している極性部 62は、 X— O— Mの構造を有し、炭化水素 基 Rと比較して電子雲の分布の偏りが大きいことから、陰極 7を主として構成する金属 材料に対して優れた親和性を発揮する。その結果、陰極 7と中間層 6との間の距離を 小さくすることができ、陰極 7と中間層 6との間に十分な密着性を得ることができる。こ れにより、陰極 7と中間層 6との間の電子の受け渡しを円滑に行うことができる。
[0078] また、発光層 5側に配向している非極性部 61すなわち炭化水素基 Rは、発光層 5 が有機系の材料 (発光材料）により構成され、さらに、発光材料中に、通常、炭化水 素基 (例えば、アルキル基）が含まれることから、発光材料に対して優れた親和性を 発揮する。その結果、発光層 5と中間層 6との間の距離を小さくすることができ、発光 層 5と中間層 6との間に十分な密着性を得ることができる。これにより、発光層 5と中間 層 6との間の電子の受け渡しを円滑に行うことができる。
[0079] これらのことから、力かる構成の中間層 6を発光層 5と陰極 7との間に設けることによ り、陰極 7と中間層 6との間および発光層 5と中間層 6との間の電子の受け渡しを円滑 に行うことができるようになる。すなわち、中間層 6を介した陰極 7から発光層 5への電 子の受け渡しを円滑に行うことができるようになる。その結果、電子デバイス用基板が 優れた電子 (キャリア）輸送能を有するものとなる。
[0080] このような中間層 6において、化合物（1)は、陰極 7と接触していればよいが、図 2に 示すように、その一部 (極性部 62側）が陰極 7に入り込んでいるのが好ましい。これに より、中間層 6と陰極 7との密着性がより向上して、陰極 7から中間層 6への電子の受 け渡しをより円滑に行うことができる。
[0081] また、化合物（1)は、発光層 5に対しても同様に接触していればよいが、図 2に示す ように、その一部（非極性部 61側）が発光層 5に入り込んでいるのが好ましい。これに より、中間層 6と発光層 5との密着性がより向上して、中間層 6から発光層 5への電子 の受け渡しをより円滑に行うことができる。
[0082] この化合物（1)は、中間層 6中において、非極性部 61を発光層 5側に、極性部 62 を陰極 7側に配向し得るように、その構造が設定 (決定)される。
[0083] 以下、化合物（1)の各部（非極性部 61および極性部 62)について説明する。
[0084] 非極性部 61は、炭化水素基 Rにより構成されている。
[0085] 炭化水素基 Rは、飽和炭化水素または不飽和炭化水素のうちのいずれであっても よいが、飽和炭化水素であるのがより好ましい。これにより、炭化水素基 R中の電子雲 の分布の偏りを小さくして、発光材料と炭化水素基 Rとの親和性をより向上させること ができる。
[0086] 炭化水素基 Rは、その構造が、直鎖状構造、分枝状構造または環状構造のうちの いずれを含むものであってもよい。なお、炭化水素基 Rを直鎖状のものとすることによ り、後述する中間層形成工程 [4]において、化合物（1) (炭化水素基 R)の一部を比 較的容易に発光層 5に入り込ませることができる。また、炭化水素基 Rを分枝状構造 または環状構造を含むものとすることにより、化合物（1)の一部が入り込んだ発光層 5 と中間層 6との密着性をより向上させることができる。
[0087] また、炭化水素基 Rの炭素数は、特に限定されないが、 1〜30であるのが好ましぐ 8〜22であるのがより好ましい。これにより、炭化水素基 Rと発光材料との親和性すな わち相互作用を向上 (大きく）させて、炭化水素基 Rを発光層 5側により確実に配向さ せることができるとともに、陰極 7から注入された電子を発光層 5側に円滑に受け渡す ことができる。
[0088] さて、極性部 62は、結合基 Xと、酸素原子と、原子 Mとにより構成されて ヽる。
[0089] 結合基 Xは、単結合（bonding dash)、カルボ-ル基またはスルホ-ル基のうちの!/ヽ ずれであってもよいが、カルボ-ル基またはスルホ-ル基であるのがより好ましい。こ れにより、極性部 62の電子雲の分布の偏りをより大きくすることができ、金属材料との 親和性を向上させて、極性部 62 (原子 M)を陰極 7側に確実に配向させることができ る。
[0090] 原子 Mは、水素原子または金属原子のうちのいずれであってもよぐ特に限定され るものではないが、金属原子である場合、陰極 7の構成材料 (金属材料）に含まれる 原子と、元素周期表において同じ族に属するものであるのが好ましい。これにより、原 子 Mすなわち極性部 62と金属材料との親和性をより向上させることができ、中間層 6 と陰極 7との密着性がより優れたものとなる。
[0091] この原子 M (金属原子）は、酸素原子と結合し得るものであればよぐ特に限定され るものではないが、仕事関数の小さい金属原子であるのが好ましい。このような金属 原子としては、アルカリ金属やアルカリ土類金属の他、例えば、 Be、 Mgおよび Zn等 が挙げられる。力かる金属原子を原子 Mとして備える化合物（1)を用いて、化学物（1 )の一部が陰極 7に入り込んだ状態で中間層 6を形成すると、陰極 7の仕事関数をより 小さくすることができる。その結果、陰極 7としての特性をより向上させることができると いう効果が得られる。
[0092] このような原子 Mとしては、特に、 Li、 Na、 K、 Be、 Mg、 Cs、 Znまたは Caであるの が好ましい。これらの金属原子は、仕事関数が特に小さぐ陰極 7の構成材料として 好適に用いられることから、上述したような効果をより顕著に発揮させることができる。
[0093] 具体的には、このような化合物（1)としては、例えば、ステアリン酸リチウム、ステアリ ン酸マグネシウム、ステアリン酸カルシウム、ラウリン酸ナトリウムのような高級脂肪酸 金属塩 (金属石ケン）、ラウリン酸、パルミチン酸、ミリスチン酸、ォレイン酸、ベへニン 酸のような高級脂肪酸、ラウリルアルコール、ミリスチルアルコール、パルミチルアルコ ール、ステアリルアルコール、ベへ-ルアルコールのような高級アルコールおよびラウ リルベンゼンスルホン酸ナトリウム、ステアリルベンゼンスルホン酸リチウムのような高 級アルキルベンゼンスルホン酸金属塩、ラウリルベンゼンスルホン酸、ステアリルベン ゼンスルホン酸のような高級アルキルベンゼンスルホン酸、 9 フルォレノール、ォキ シフルオレンのようなフルオレンのアルコール誘導体等が挙げられる。
[0094] なお、中間層 6は、上述したような化合物（1)のうちの 1種で構成されていてもよいし 、 2種以上を組み合わせたもので構成されて 、てもよ 、。
[0095] このような中間層 6の厚さ（平均）は、化合物（1)の構成によっても若干異なるが、 1 Onm以下であるのが好ましぐ l〜5nm程度であるのがより好ましい。これにより、中 間層 6を、極性部 62が陰極 7側に非極性部 61が発光層 5側にそれぞれ配向したィ匕 合物（1)の単分子膜として比較的容易に形成することができる。その結果、中間層 6 中の電子の輸送が、その厚さ方向に対して、 1つの分子中で行われることなり、中間 層 6を介した陰極 7から発光層 5への電子の受け渡しをより円滑に行うことができる。
[0096] 陽極 3と陰極 7との間に通電 (電圧を印カロ）すると、正孔輸送層 4中を正孔が、また、 中間層 6を介した後、発光層 5中を電子が移動し、主に発光層 5の正孔輸送層 4側の 界面付近において正孔と電子とでエキシトン (励起子）が生成する。このエキシトンは 、一定時間で再結合するがその際に、前記エキシトン生成で蓄積された励起エネル ギ一分を主として蛍光やりん光等の光として放出する。これがエレクトロルミネセンス 発光である。
[0097] この発光層 5の構成材料としては、電圧印加時に陽極 3側力も正孔を、また、陰極 7 側から電子を注入することができ、正孔と電子が再結合する場を提供できるものであ れば、いかなるものであってもよい。
[0098] このような発光材料には、以下に示すような、各種低分子の発光材料、各種高分子 の発光材料があり、これらのうちの少なくとも 1種を用いることができる。
[0099] なお、低分子の発光材料を用いることにより、緻密な発光層 5が得られるため、発光 層 5の発光効率が向上する。また、高分子の発光材料を用いることにより、比較的容 易に溶剤へ溶解させることができるため、インクジェット印刷法等の各種塗布法による 発光層 5の形成を容易に行うことができる。さらに、低分子の発光材料と高分子の発 光材料とを組み合わせて用いることにより、低分子の発光材料および高分子の発光 材料を用いる効果を併有すること、すなわち、緻密かつ発光効率に優れる発光層 5を 、インクジェット印刷法等の各種塗布法により、容易に形成することができるという効 果が得られる。
[0100] 低分子の発光材料としては、例えば、ジスチリルベンゼン（DSB)、ジァミノジスチリ ルベンゼン（DADSB)のようなベンゼン系化合物、ナフタレン、ナイルレッドのような ナフタレン系化合物、フエナントレンのようなフエナントレン系化合物、タリセン、 6— - トロタリセンのようなタリセン系化合物、ペリレン、 N, N，一ビス（2, 5 ジ一 t—ブチル フエ-ル）一 3, 4, 9, 10 ペリレン一ジ一カルボキシイミド（BPPC)のようなペリレン 系化合物、コロネンのようなコロネン系化合物、アントラセン、ビススチリルアントラセン のようなアントラセン系化合物、ピレンのようなピレン系化合物、 4 （ジーシァノメチレ ン） 2—メチル 6— (パラ一ジメチルアミノスチリル） 4H ピラン（DCM)のような ピラン系化合物、アタリジンのようなアタリジン系化合物、スチルベンのようなスチルベ ン系化合物、 2, 5 ジベンゾォキサゾールチオフェンのようなチォフェン系化合物、 ベンゾォキサゾールのようなべンゾォキサゾール系化合物、ベンゾイミダゾールのよう なべンゾイミダゾール系化合物、 2, 2，一（パラ一フエ-レンジビ-レン）一ビスべンゾ チアゾールのようなべンゾチアゾール系化合物、ビスチリル（1, 4ージフエ二ルー 1, 3—ブタジエン）、テトラフェニルブタジエンのようなブタジエン系化合物、ナフタルイミ ドのようなナフタルイミド系化合物、クマリンのようなクマリン系化合物、ペリノンのような ペリノン系化合物、ォキサジァゾールのようなォキサジァゾール系化合物、アルダジ ン系化合物、 1, 2, 3, 4, 5 ペンタフェ-ル 1, 3 シクロペンタジェン（PPCP)の ようなシクロペンタジェン系化合物、キナクリドン、キナクリドンレッドのようなキナタリド ン系化合物、ピロ口ピリジン、チアジアゾロピリジンのようなピリジン系化合物、 2, 2' , 7, 7'—テトラフエ二ルー 9, 9'ースピロビフル才レンのようなスピロ化合物、フタロシア ニン（H Pc)、銅フタロシアニンのような金属または無金属のフタロシアニン系化合物
2
、フローレンのようなフローレン系化合物、（8—ヒドロキシキノリン）アルミニウム（Alq )
3
、トリス（4—メチル 8キノリノレート）アルミニウム（III) (Almq )、 （8—ヒドロキシキノリ
3
ン）亜鉛（Znq )、 (1, 10 フエナント口リン）—トリス—（4, 4, 4 トリフルォロ 1— (
2
2 チェ-ル）一ブタン一 1, 3 ジォネート）ユーロピウム（III) (Eu (TTA) (phen) )
3
、ファクトジス（2 フ m二ノレピリジン）イリジウム（Ir (ppy) )、 (2, 3, 7, 8, 12, 13, 17
3
, 18—オタタエチル— 21H, 23H ポルフィン）プラチナム（II)のような各種金属錯 体等が挙げられる。
高分子の発光材料としては、例えば、トランス型ポリアセチレン、シス型ポリアセチレ ン、ポリ（ジ—フエ-ルアセチレン）（PDPA)、ポリ（アルキル，フエ-ルアセチレン）（P APA)のようなポリアセチレン系化合物、ポリ（パラーフェンビ-レン） (PPV)、ポリ（2 , 5—ジアルコキシ一パラ一フエ-レンビ-レン）（RO— PPV)、シァノ一置換一ポリ（ ノ ラ一フェンビ-レン）（CN— PPV)、ポリ（2—ジメチルォクチルシリル一パラ一フエ 二レンビ-レン）（DMOS— PPV)、ポリ（2—メトキシ， 5— (2，一ェチノレへキソキシ） -パラ フエ二レンビニレン） (MEH - PPV)のようなポリパラフエ-レンビ-レン系化 合物、ポリ（3—アルキルチオフェン）（PAT)、ポリ（ォキシプロピレン）トリオール（PO PT)のようなポリチォフェン系化合物、ポリ（9, 9ージアルキルフルオレン）（PDAF)、 α , ω—ビス [N, N，—ジ (メチルフエ-ル）アミノフヱ-ル]—ポリ [9, 9 ビス（2 ェ チルへキシル）フルオレン 2, 7 ジル] (PF2Z6am4)、ポリ（9, 9ージォクチルー 2, 7 ジビ-レンフルォレ -ル一オルト一コ（アントラセン一 9, 10 ジィル）のような ポリフルオレン系化合物、ポリ（パラーフエ-レン）（PPP)、ポリ（1, 5 ジアルコキシ —パラ一フエ-レン）（RO— PPP)のようなポリパラフエ-レン系化合物、ポリ（N ビ -ルカルバゾール）（PVK)のようなポリ力ルバゾール系化合物、ポリ（メチルフエ-ル シラン）（PMPS)、ポリ（ナフチルフエ-ルシラン）（PNPS)、ポリ（ビフエ二リルフエ二 ルシラン） (PBPS)のようなポリシラン系化合物等が挙げられる。
[0102] 発光層 5の厚さ（平均）は、特に限定されないが、 10〜150nm程度であるのが好ま しぐ 50〜： LOOnm程度であるのがより好ましい。発光層 5の厚さを前記範囲とするこ とにより、正孔と電子との再結合が効率よくなされ、発光層 5の発光効率をより向上さ せることができる。
[0103] なお、発光層 5は、単層のものに限定されず、例えば、中間層 6と接触する側に、電 子輸送能に優れた電子輸送層を備えた複層のものとすることもできる。発光層 5をか 力る構成のものとすることにより、発光層 5中における電子輸送能をより向上させること ができる。
[0104] 電子輸送層の構成材料 (電子輸送材料）としては、特に限定されな 、が、例えば、 1, 3, 5 トリス [ (3 フエ-ル一 6 トリ一フルォロメチル）キノキサリン一 2—ィル]ベ ンゼン（TPQ1)、 1, 3, 5 トリス [ { 3— (4— t—ブチルフエ-ル）— 6 トリスフルォロ メチル }キノキサリン— 2—ィル]ベンゼン (TPQ2)のようなベンゼン系化合物（スター バースト系化合物）、ナフタレンのようなナフタレン系化合物、フエナントレンのようなフ ェナントレン系化合物、タリセンのようなタリセン系化合物、ペリレンのようなペリレン系 化合物、アントラセンのようなアントラセン系化合物、ピレンのようなピレン系化合物、 アタリジンのようなアタリジン系化合物、スチルベンのようなスチルベン系化合物、 BB OTのようなチォフェン系化合物、ブタジエンのようなブタジエン系化合物、クマリンの ようなクマリン系化合物、キノリンのようなキノリン系化合物、ビスチリルのようなビスチリ ル系化合物、ピラジン、ジスチリルビラジンのようなピラジン系化合物、キノキサリンの ようなキノキサリン系化合物、ベンゾキノン、 2, 5 ジフエ-ルーパラーべンゾキノンの ようなベンゾキノン系化合物、ナフトキノンのようなナフトキノン系化合物、アントラキノ ンのようなアントラキノン系化合物、ォキサジァゾール、 2—（4ービフエ-リル）ー5—（ 4 t ブチルフエ-ル）—1, 3, 4ーォキサジァゾール（PBD)、： BMD、 BND、 BD D、 BAPDのようなォキサジァゾール系化合物、トリァゾール、 3, 4, 5—トリフエ-ル - 1, 2, 4ートリアゾールのようなトリァゾール系化合物、ォキサゾール系化合物、ァ ントロンのようなアントロン系化合物、フルォレノン、 1, 3, 8 トリ-トロ一フルォレノン (TNF)のようなフルォレノン系化合物、ジフエノキノン、 MBDQのようなジフエノキノ ン系化合物、スチルペンキノン、 MBSQのようなスチルベンキノン系化合物、アントラ キノジメタン系化合物、チォピランジオキシド系化合物、フルォレニリデンメタン系化 合物、ジフエ-ルジシァノエチレン系化合物、フローレンのようなフローレン系化合物 、フタロシアニン、銅フタロシアニン、鉄フタロシアニンのような金属または無金属のフ タロシアニン系化合物、（8—ヒドロキシキノリン）アルミニウム（Alq )、ベンゾォキサゾ
3
ールやべンゾチアゾールを配位子とする錯体のような各種金属錯体等が挙げられ、 これらのうちの少なくとも 1種を用いることができる。
[0105] 封止部材 8は、陽極 3、正孔輸送層 4、発光層 5、中間層 6および陰極 7を覆うように 設けられ、これらを気密的に封止し、酸素や水分を遮断する機能を有する。封止部 材 8を設けることにより、特に陰極 7の酸ィ匕を抑制または防止して、有機 EL素子 1の 信頼性の向上や、変質'劣化の防止 (耐久性向上)等の効果が得られる。
[0106] 封止部材 8の構成材料としては、例えば、 Al、 Au、 Cr、 Nb、 Ta、 Tiまたはこれらを 含む合金、酸ィ匕シリコン、各種榭脂材料等を挙げることができる。
[0107] また、封止部材 8は、平板状として、基板 2と対向させ、これらの間を、例えば熱硬 化性榭脂等のシール材で封止するようにしてもょ 、。
[0108] このような有機 EL素子 1は、陰極 7が負、陽極 3が正となるようにして、 0. 5Vの電圧 を印加したとき、その抵抗値が、 100 Q Zcm2以上となる特性を有するのが好ましぐ lk Ω /cm2以上となる特性を有するのがより好ましい。力かる特性は、有機 EL素子 1 において、陰極 7と陽極 3との間での短絡 (リーク）が好適に防止または抑制されてい ることを示すものであり、このような特性を有する有機 EL素子 1は、発光効率が特に 高いものとなる。
[0109] このような有機 EL素子 1は、例えば、次のようにして製造することができる。
[0110] この有機 EL素子 1の製造方法において、中間層 6を設ける工程（中間層形成工程
)と陰極 (無機物層） 7を設ける工程 (陰極形成工程)とに本発明の電子デバイス用基 板の製造方法が適用される。
[0111] [1]陽極形成工程
まず、基板 2を用意し、この基板 2上に陽極 3を形成する。
陽極 3は、例えば、プラズマ CVD、熱 CVD、レーザー CVDのような化学蒸着法 (C VD)、真空蒸着、スパッタリング、イオンプレーティング等の乾式メツキ法、電解メツキ 、浸漬メツキ、無電解メツキ等の湿式メツキ法、溶射法、ゾル 'ゲル法、 MOD法、金属 箔の接合等を用いて形成することができる。
[0112] [2]正孔輸送層形成工程
次に、陽極 3上に正孔輸送層 4を形成する。
正孔輸送層 4は、前記工程 [1]で説明した乾式メツキ法の他、例えば、前述したよう な正孔輸送材料を溶媒に溶解または分散媒に分散してなる正孔輸送層材料を、陽 極 3上に塗布 (供給)した後、正孔輸送層材料に含まれる溶媒または分散媒を除去 すること〖こより、得ることができる。
[0113] 陽極 3上に正孔輸送層材料を供給する方法としては、各種の方法を用いることがで きるが、例えば、インクジェット法、スピンコート法、液体ミスト化学体積法 (LSMCD法
)、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロー ルコート法、ワイヤーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印 刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、マイクロコンタクトプリンティング法のような 塗布法等が挙げられ、これらのうちの 1種または 2種以上を組み合わせて用いること ができる。
[0114] 溶媒または分散媒としては、例えば、硝酸、硫酸、アンモニア、過酸化水素、水、二 硫化炭素、四塩化炭素、エチレンカーボネイト等の無機溶媒や、メチルェチルケトン (MEK)、アセトン、ジェチルケトン、メチルイソブチルケトン（MIBK)、メチルイソプロ ピルケトン（MIPK)、シクロへキサノン等のケトン系溶媒、メタノール、エタノール、イソ プロパノール、エチレングリコール、ジエチレングリコール（DEG)、グリセリン等のァ ルコール系溶媒、ジェチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、 1, 2—ジメトキシエタ ン（DME)、 1, 4—ジォキサン、テトラヒドロフラン (THF)、テトラヒドロピラン（THP)、 ァ-ソール、ジエチレングリコールジメチルエーテル（ジグリム）、ジエチレングリコー ルェチルエーテル（カルビトール）等のエーテル系溶媒、メチルセ口ソルブ、ェチルセ 口ソルブ、フエ-ルセ口ソルブ等のセロソルブ系溶媒、へキサン、ペンタン、ヘプタン、 シクロへキサン等の脂肪族炭化水素系溶媒、トルエン、キシレン、ベンゼン、トリメチ ルベンゼン、テトラメチルベンゼン等の芳香族炭化水素系溶媒、ピリジン、ピラジン、 フラン、ピロール、チォフェン、メチルピロリドン等の芳香族複素環化合物系溶媒、 N , N—ジメチルホルムアミド（DMF)、 N, N—ジメチルァセトアミド（DMA)等のアミド 系溶媒、ジクロロメタン、クロ口ホルム、 1, 2—ジクロロェタン等のハロゲン化合物系溶 媒、酢酸ェチル、酢酸メチル、ギ酸ェチル等のエステル系溶媒、ジメチルスルホキシ ド（DMSO)、スルホラン等の硫黄ィ匕合物系溶媒、ァセトニトリル、プロピオ-トリル、ァ クリロ-トリル等の-トリル系溶媒、ギ酸、酢酸、トリクロ口酢酸、トリフルォロ酢酸等の 有機酸系溶媒のような各種有機溶媒、または、これらを含む混合溶媒等が挙げられ る。
[0115] [3]発光層形成工程
次に、正孔輸送層 4上に発光層 5を形成する。
発光層 5は、正孔輸送層 4と同様にして形成することができる。すなわち、発光層 5 は、前述したような発光材料を用いて、前記正孔輸送層形成工程 [2]で説明したよう な方法により形成することができる。
[0116] [4]中間層形成工程 (第 1の工程）
次に、発光層 5上に中間層 6を形成する。
中間層 6を形成する方法としては、各種の方法が挙げられ、例えば、 [I]化合物（1) を含有する液状材料を塗布法により発光層 5上に供給して形成する方法、 [Π]化合 物（1)を真空蒸着法、スパッタリング法、クラスターイオンビーム法、のような気相成膜 法により発光層 5上に供給して形成する方法、 [III]液体表面上に配向した薄い化合 物（1)の分子膜を形成しておき、この液中に発光層 5が形成された基板を静かに浸 漬 '抜き出して基板 (発光層 5)表面上に分子方向の揃った薄膜を形成する方法、ま たは [IV]液体表面上に配向した薄い化合物（1)の分子膜を形成しておき、この液表 面に発光層 5が形成された基板を静かに接触させて基板 (発光層 5)表面上に分子 方向の揃った薄膜を転写する方法等のうちの 1種または 2種以上を組み合わせて用 いることがでさる。
[0117] これらの中でも、中間層 6の形成には、 [I]の方法を用いるのが好ましい。かかる方 法によれば、大掛力りな装置等を用いることなく比較的容易に中間層 6を形成するこ とがでさる。
[0118] 以下では、 [I]の方法を用いて中間層 6を形成する場合を代表に説明する。
[0119] [4- 1] まず、化合物（1)を含有する液状材料を用意する。
[0120] なお、この液体は、化合物（1)を溶媒に溶解した溶液または分散媒に分散した分 散液のいずれであってもよいが、溶液であるのが好ましい。これにより、次工程 [4 2 ]にお 、て化合物（1)を、確実に配向させることができる。
[0121] 液状材料の調製に用いる溶媒または分散媒としては、前記工程 [2]で挙げたものと 同様のものを用いることができる。
[0122] 液状材料中の化合物（1)の濃度は、化合物（1)の種類によっても若干異なるが、 0 . 01-0. 5molZL程度であるのが好ましぐ 0. 1〜0. 3molZL程度であるのがより 好ましい。力かる関係を満足することにより、次工程 [4— 3]において、液状材料を乾 燥させた際に、中間層 6をィ匕合物（1)で構成される単分子膜とすることができる。
[0123] [4-2] 次に、発光層 5上に液状材料を供給する。
[0124] その結果、非極性部 61すなわち炭化水素基 Rと発光材料との親和性により、化合 物（1)が、発光層 5の厚さ方向に沿って炭化水素基 Rを発光層 5側に、極性部 62 (原 子 M)を発光層 5と反対側にして配向することとなる。
[0125] 液状材料を発光層 5上に供給する方法としては、前記工程 [2]で説明した陽極 3上 に正孔輸送層材料を供給する方法と同様の方法を用いることができる。
[0126] なお、前記工程 [4—1]において、液状材料の調製に用いる溶媒または分散媒とし て、発光層 5すなわち発光材料を溶解または膨潤し得るものを選択した場合には、こ の溶媒または分散媒により、発光層 5の上面付近が溶解または膨潤されることとなる。 これにより、化合物（1)を、その一部（非極性部 61)が発光層 5に入り込んだ状態で 配向させることができる。これにより、次工程 [4 3]で得られる中間層 6の発光層 5に 対する密着性をより向上させることができる。
[0127] [4- 3] 次に、発光層 5上の液状材料を乾燥させる。
[0128] これにより、炭化水素基 Rを発光層 5側に、原子 Mを発光層 5と反対側にして配向し た中間層 6を得ることができる。
[0129] 液状材料を乾燥させる方法としては、特に限定されず、例えば、自然乾燥の他、加 熱乾燥や真空乾燥のように強制的に乾燥させるものであってもよい。
[0130] 強制的に乾燥させる方法を用いる場合、雰囲気の温度は、 20〜90°C程度である のが好ましぐ 50〜80°C程度であるのがより好ましい。
[0131] 雰囲気の圧力は、 0. 1〜： LOPa程度であるのが好ましぐ l〜5Pa程度であるのがよ り好ましい。
[0132] 処理時間は中間層 6を形成する材料によっても異なる力 1〜90分程度であるのが 好ましぐ 5〜30分程度であるのがより好ましい。
[0133] 雰囲気の温度と圧力と処理時間とをかかる範囲に設定することにより、液状材料を 確実に乾燥させて中間層 6を形成することができる。
[0134] なお、乾燥させた後の中間層 6には、加熱処理や柔らかい繊維を一方向に物理的 に繰り返し軽くこすり付けた機械的な配向処理等の後処理を施すようにしてもょ 、。こ れにより、中間層 6中の化合物（1)の配向状態をより安定化させること、すなわち、炭 化水素基 Rを発光層 5側に、原子 Mを発光層 5と反対側にして各化合物（1)をより確 実に配向させることができる。
[0135] [5]陰極形成工程 (第 2の工程）
次に、中間層 6上、すなわち、発光層 5と接触しているのと反対側の面に陰極 7を形 成する。
陰極 7は、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、クラスターイオンビーム法等を用 いて形成することができる。力かる方法を用いることにより、中間層 6の発光層 5側と反 対側に配向している原子 Mを取り囲むようにして、陰極 7の構成材料を供給すること ができる。その結果、陰極 7は、発光層 5と接触する側の面において、化合物（1) (極 性部 62)の一部が入り込んだ状態のものとなる。これにより、陰極 7と中間層 6との密 着'性をより向上させることができる。
[0136] [6]封止部材形成工程
次に、陽極 3、正孔輸送層 4、発光層 5、中間層 6、および陰極 7を覆うように、封止 部材 8を形成する。
封止部材 8は、例えば、前述したような材料で構成される箱状の保護カバーを、各 種硬化性榭脂 (接着剤)で接合すること等により形成する (設ける)ことができる。
[0137] 硬化性榭脂には、熱硬化性榭脂、光硬化性榭脂、反応性硬化榭脂、嫌気性硬化 榭脂の!、ずれも使用可能である。
[0138] 以上のような工程を経て、有機 EL素子 1が製造される。
[0139] なお、本実施形態では、陰極 7と発光層 5との間に、これらの双方に接触するように 設けられた中間層 6を備える有機 EL素子 1について説明したが、このような構成に限 定されず、例えば、中間層 6が陽極 3と正孔輸送層 4との間に双方と接触するように設 けられて 、るようなものであってもよ 、。
[0140] また、陽極 3と正孔輸送層 4との間に中間層 6が設けられている場合、陰極 7と発光 層 5との間の中間層 6は、省略するようにしてもよい。
[0141] この有機 EL素子 1は、例えばディスプレイ装置用として用いることができる力 その 他にも光源等としても使用可能であり、種々の光学的用途等に用いることが可能であ る。
[0142] また、有機 EL素子 1をディスプレイ装置用に用いる場合、複数の有機 EL素子 1が ディスプレイ装置に設けられる力 このようなディスプレイ装置は、例えば、次のような ものが挙げられる。
[0143] 図 3は、有機 EL素子を複数備えるディスプレイ装置を示す縦断面図である。
[0144] 図 3に示すディスプレイ装置 100は、基体 20と、この基体 20上に設けられた複数の 有機 EL素子 1とで構成されて!、る。
[0145] 基体 20は、基板 21と、この基板 21上に形成された回路部 22とを有している。
[0146] 回路部 22は、基板 21上に形成された、例えば酸ィ匕シリコン層からなる保護層 23と 、保護層 23上に形成された駆動用 TFT (スイッチング素子) 24と、第 1層間絶縁層 2
5と、第 2層間絶縁層 26とを有している。
[0147] 駆動用 TFT24は、シリコンカゝらなる半導体層 241と、半導体層 241上に形成された ゲート絶縁層 242と、ゲート絶縁層 242上に形成されたゲート電極 243と、ソース電 極 244と、ドレイン電極 245とを有している。
[0148] このような回路部 22上に、各駆動用 TFT24に対応して、それぞれ、有機 EL素子 1 が設けられている。また、隣接する有機 EL素子 1同士は、第 1隔壁部 31および第 2 隔壁部 32により区画されて 、る。
[0149] 本実施形態では、各有機 EL素子 1の陽極 3は、画素電極を構成し、各駆動用 TFT
24のドレイン電極 245に配線 27により電気的に接続されている。また、各有機 EL素 子 1の陰極 7は、共通電極とされている。
[0150] そして、各有機 EL素子 1を覆うように封止部材（図示せず)が基体 20に接合され、 各有機 EL素子 1が封止されている。
[0151] ディスプレイ装置 100は、単色表示であってもよぐ各有機 EL素子 1に用いる発光 材料を選択することにより、カラー表示も可能である。
[0152] く電子機器 >
前述したような、有機 EL素子 1 (本発明の電子デバイス)を備えるディスプレイ装置
100は、各種の電子機器に組み込むことができる。
[0153] 図 4は、本発明の電子機器を適用したモパイル型 (またはノート型）のパーソナルコ ンピュータの構成を示す斜視図である。
[0154] この図において、パーソナルコンピュータ 1100は、キーボード 1102を備えた本体 部 1104と、表示部を備える表示ユニット 1106とにより構成され、表示ユニット 1106 は、本体部 1104に対しヒンジ構造部を介して回動可能に支持されている。
[0155] このパーソナルコンピュータ 1100において、表示ユニット 1106が備える表示部が ディスプレイ装置 100により構成されている。
[0156] 図 5は、本発明の電子機器を適用した携帯電話機 (PHSも含む)の構成を示す斜 視図である。
[0157] この図において、携帯電話機 1200は、複数の操作ボタン 1202、受話ロ 1204およ び送話口 1206とともに、表示部を備えている。
[0158] 携帯電話機 1200において、この表示部がディスプレイ装置 100により構成されて いる。
[0159] 図 6は、本発明の電子機器を適用したディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図 である。なお、この図には、外部機器との接続についても簡易的に示されている。
[0160] ここで、通常のカメラは、被写体の光像により銀塩写真フィルムを感光するのに対し 、ディジタルスチルカメラ 1300は、被写体の光像を CCD (Charge Coupled Device) などの撮像素子により光電変換して撮像信号 (画像信号)を生成する。
[0161] ディジタルスチルカメラ 1300におけるケース（ボディー） 1302の背面には、表示部 が設けられ、 CCDによる撮像信号に基づいて表示を行う構成になっており、被写体 を電子画像として表示するファインダとして機能する。
[0162] ディジタルスチルカメラ 1300において、この表示部がディスプレイ装置 100により 構成されている。
[0163] ケースの内部には、回路基板 1308が設置されている。この回路基板 1308は、撮 像信号を格納 (記憶）し得るメモリが設置されて 、る。
[0164] また、ケース 1302の正面側（図示の構成では裏面側）には、光学レンズ (撮像光学 系）や CCDなどを含む受光ユニット 1304が設けられている。
[0165] 撮影者が表示部に表示された被写体像を確認し、シャツタボタン 1306を押下する と、その時点における CCDの撮像信号力 回路基板 1308のメモリに転送'格納され る。
[0166] また、このディジタルスチルカメラ 1300においては、ケース 1302の側面に、ビデオ 信号出力端子 1312と、データ通信用の入出力端子 1314とが設けられている。そし て、図示のように、ビデオ信号出力端子 1312にはテレビモニタ 1430が、デ―タ通信 用の入出力端子 1314にはパーソナルコンピュータ 1440が、それぞれ必要に応じて 接続される。さらに、所定の操作により、回路基板 1308のメモリに格納された撮像信 号力 テレビモニタ 1430や、パーソナルコンピュータ 1440に出力される構成になつ ている。
[0167] なお、本発明の電子機器は、図 4のパーソナルコンピュータ（モパイル型パーソナ ルコンピュータ）、図 5の携帯電話機、図 6のディジタルスチルカメラの他にも、例えば 、テレビや、ビデオカメラ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ 、ラップトップ型パーソナルコンピュータ、カーナビゲーシヨン装置、ページャ、電子手 帳 (通信機能付も含む)、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサ、ヮー クステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニタ、電子双眼鏡、 POS端末、タツチパ ネルを備えた機器 (例えば金融機関のキャッシュディスペンサー、 自動券売機）、医 療機器 (例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電表示装置、超音波診断装置、内 視鏡用表示装置)、魚群探知機、各種測定機器、計器類 (例えば、車両、航空機、船 舶の計器類)、フライトシユミレータ、その他各種モニタ類、プロジェクタ一等の投射型 表示装置等に適用することができる。
[0168] 以上、本発明の電子デバイス用基板、電子デバイス用基板の製造方法、電子デバ イスおよび電子機器を、図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれらに 限定されるものでない。
[0169] 例えば、本発明の電子デバイス用基板を備える本発明の電子デバイスは、上述し た有機 EL素子に適用することができる他、例えば、光電変換素子や薄膜トランジスタ 等に適用することができる。
実施例
[0170] 次に、本発明の具体的実施例について説明する。
[0171] 1.有機 EL素子の製造
以下の各実施例および各比較例において、有機 EL素子を 5個ずつ製造した。
[0172] (実施例 1A)
- 1A- まず、平均厚さ 0. 5mmの透明なガラス基板上に、スパッタリング法により
、平均厚さ 150nmの ITO電極（陽極）を形成した。
[0173] - 2A- 次に、 ITO電極上に、真空蒸着法により、銅フタロシアニンを蒸着して、 平均厚さ lOnmの正孔輸送層を形成した。
[0174] - 3A- 次に、正孔輸送層上に、ポリ（9, 9ージォクチルー 2, 7—ジビ-レンフル ォレニルーオルトーコ（アントラセン—9, 10—ジィル）（重量平均分子量 200000)の
1. 7wt%キシレン溶液を、スピンコート法により塗布した後、窒素雰囲気下、 100°C X 10分、さらに、減圧下、 100°C X 60分の条件で乾燥して、平均厚さ 50nmの発光 層を形成した。
[0175] -4A- 次に、ステアリン酸リチウムの 0. lwt%熱エチルアルコール溶液をテフ口 ン（「テフロン」は登録商標）フィルター（SKC社製、 25nm径)を用いて高温ろ過して
、不溶物をろ別することにより、中間層形成用材料を得た。
[0176] - 5A- 次に、発光層上に、前記工程— 4A—で用意した中間層形成用材料を、 スピンコート法により塗布した後、窒素雰囲気下、 60°C X 30分の条件で乾燥して、 平均厚さ 5nmの中間層を形成した。
[0177] -6A- 次に、この中間層を、減圧雰囲気下で 50°C X 120分の条件で加熱して 中間層の安定化を図った。
[0178] なお、この発光層上に形成された中間層を繰り返し反射型偏光赤外線吸収スぺタト ル法および高分解能二次イオン質量分析法 (TOFSIMS法）により分析した結果、 ヘプタデシル基を発光層側の面にリチウムを発光層と反対側の面にして配向してい ることが確認された。
[0179] - 7A- 次に、中間層上に、真空蒸着法により、平均厚さ 300nmの AlLi電極（陰 極)を形成した。
[0180] -8A- 次に、形成した各層を覆うように、ポリカーボネート製の保護カバーを被 せ、紫外線硬化性榭脂により固定、封止して、有機 EL素子を製造した。
[0181] (実施例 2A)
前記工程—4A—において、ステアリン酸リチウムに代えて、ラウリン酸ナトリウムを 用いて中間層形成用材料を得た以外は、前記実施例 1Aと同様にして有機 EL素子 を製造した。
[0182] (実施例 3A)
前記工程—4A—において、ステアリン酸リチウムに代えて、ベへ-ン酸を用いて中 間層形成用材料を得た以外は、前記実施例 1Aと同様にして有機 EL素子を製造し た。
[0183] (実施例 4A)
前記工程 4A—において、ステアリン酸リチウムに代えて、パルミチルアルコール を用いて中間層形成用材料を得た以外は、前記実施例 1Aと同様にして有機 EL素 子を製造した。
[0184] (実施例 5A)
前記工程—4A—において、ステアリン酸リチウムに代えて、化学式 C H (C H )
8 17 3 7
CH— OHで表されるイソアルキルアルコールを用いて中間層形成用材料を得た以 外は、前記実施例 1Aと同様にして有機 EL素子を製造した。
[0185] (実施例 6A)
前記工程—4A—において、ステアリン酸リチウムに代えて、ステアリルベンゼンス ルホン酸リチウムを用いて中間層形成用材料を得た以外は、前記実施例 1Aと同様 にして有機 EL素子を製造した。
[0186] (実施例 7A)
前記工程—4A—において、ステアリン酸リチウムに代えて、ラウリルベンゼンスルホ ン酸を用いて中間層形成用材料を得た以外は、前記実施例 1Aと同様にして有機 E L素子を製造した。
[0187] (実施例 8A)
前記工程 -4A-で用意した中間層形成用材料に代えて、ォキシフルオレンの 0. lwt%希酢酸溶液を中間層形成用材料とした以外は、前記実施例 1Aと同様にして 有機 EL素子を製造した。
[0188] (比較例 1A)
前記工程— 4A—〜前記工程— 6A— (中間層形成工程)を省略した以外は、前記 実施例 1Aと同様にして、有機 EL素子を製造した。
[0189] (実施例 1B)
- 1B- まず、前記工程— 1A—と同様にして、平均厚さ 150nmの ITO電極（陽 極)を形成した。
[0190] - 2B- 次に、ステアリン酸リチウムの 0. 02wt%熱エチルアルコール溶液をテフ ロン（「テフロン」は登録商標）フィルター（SKC社製、 25nm径)を用いて高温ろ過し て、不溶物をろ別することにより、中間層形成用材料を得た。
[0191] - 3B- 次に、陽極上に、前記工程— 2B—で用意した中間層形成用材料を、ス ピンコート法により塗布した後、窒素雰囲気下、 60°C X 15分の条件で乾燥して、平 均厚さ 5nmの中間層を形成した。
[0192] -4B- 次に、この中間層を、減圧雰囲気下で 50°C X 120分の条件で加熱して 中間層の安定化を図った。
[0193] なお、この陽極上に形成された中間層を繰り返し反射型偏光赤外線吸収スペクトル 法および高分解能二次イオン質量分析法 (TOFSIMS法）により分析した結果、リチ ゥムを陽極側の面にヘプタデシル基を陽極と反対側の面にして配向していることが 確認された。
[0194] - 5B- 次に、中間層上に、 N, N，—ジフエ-ル— N, N，—ビス（3—メチルフエ -ル） 1, 1，一ビフエ-ルー 4, 4，一ジァミン (TPD1)の 2. Owt%キシレン溶液を、 スピンコート法により塗布した後、乾燥して、平均厚さ 50nmの正孔輸送層を形成した
[0195] — 6B— 次に、前記工程— 3A—と同様にして正孔輸送層上に、ポリ（9, 9 ジォ クチル一 2, 7 ジビ-レンフルォレ -ル一オルト一コ（アントラセン一 9, 10 ジィル）
(重量平均分子量 200000)により構成される、平均厚さ 50nmの発光層を形成した。
[0196] - 7B- 次に、中間層上に、真空蒸着法により、 Caおよび A1を連続蒸着して、平 均厚さ 300nmの Caと A1とで構成される複数層電極（陰極)を形成した。
[0197] — 8B— 次に、前記工程— 8A—と同様にして、ポリカーボネート製の保護カバー により封止して、有機 EL素子を製造した。
[0198] (実施例 2B)
前記工程— 2B—において、ステアリン酸リチウムに代えて、ラウリン酸ナトリウムを用 いて中間層形成用材料を得た以外は、前記実施例 1Bと同様にして有機 EL素子を 製造した。
[0199] (実施例 3B)
前記工程 2B—において、ステアリン酸リチウムに代えて、ベへ-ン酸を用いて中 間層形成用材料を得た以外は、前記実施例 1Bと同様にして有機 EL素子を製造し た。
[0200] (実施例 4B) 前記工程 2B—において、ステアリン酸リチウムに代えて、パルミチルアルコール を用いて中間層形成用材料を得た以外は、前記実施例 1Bと同様にして有機 EL素 子を製造した。
[0201] (実施例 5B)
前記工程 2B—において、ステアリン酸リチウムに代えて、化学式 C H (C H )
8 17 3 7
CH— OHで表されるイソアルキルアルコールを用いて中間層形成用材料を得た以 外は、前記実施例 1Bと同様にして有機 EL素子を製造した。
[0202] (実施例 6B)
前記工程 2B—において、ステアリン酸リチウムに代えて、ステアリルベンゼンスル ホン酸リチウムを用いて中間層形成用材料を得た以外は、前記実施例 1Bと同様にし て有機 EL素子を製造した。
[0203] (実施例 7B)
前記工程 2B—において、ステアリン酸リチウムに代えて、ラウリルベンゼンスルホ ン酸を用いて中間層形成用材料を得た以外は、前記実施例 1Bと同様にして有機 E L素子を製造した。
[0204] (実施例 8B)
前記工程 2B—で用意した中間層形成用材料に代えて、ォキシフルオレンの 0. lwt%希酢酸溶液を中間層形成用材料とした以外は、前記実施例 1Bと同様にして 有機 EL素子を製造した。
[0205] (比較例 1B)
前記工程— 2B—〜前記工程— 4B— (中間層形成工程)を省略した以外は、前記 実施例 1Bと同様にして、有機 EL素子を製造した。
[0206] (比較例 2B)
中間層を前記工程 2B 〜前記工程 4B—にようにして形成したのに代えて、 真空蒸着法により銅フタロシアニンを蒸着して、平均厚さ 3nmの中間層を形成した以 外は、前記実施例 1Bと同様にして、有機 EL素子を製造した。
[0207] 2.評価
各実施例および各比較例の有機 EL素子について、それぞれ、通電電流 (A)、発 光輝度 (cdZm2)、最大発光効率 (lmZW)を測定すると共に、発光輝度が初期値 の半分になる時間（半減期）を測定した。
[0208] なお、これらの測定は、陽極と陰極との間に 9Vの電圧を印加することで行った。
[0209] そして、比較例 1 Aで測定された各測定値 (通電電流、発光輝度、最大発光効率、 半減期）を基準値として、実施例 1 A〜実施例 8Aで測定された各測定値を、それぞ れ、以下の 4段階の基準に従って評価した。
[0210] ◎:比較例 1Aの測定値に対し、 1. 50倍以上である
〇：比較例 1Aの測定値に対し、 1. 25倍以上、 1. 50倍未満である △:比較例 1Aの測定値に対し、 1. 00倍以上、 1. 25倍未満である X：比較例 1Aの測定値に対し、 0. 75倍以上、 1. 00倍未満である これらの評価結果を、それぞれ、以下の表 1に示す。
[0211] [表 1] 表 1
Figure imgf000033_0001
[0212] 表 1に示すように、各実施例の有機 EL素子は、いずれも、各比較例の有機 EL素子 と比較して、通電電流、発光輝度、最大発光効率および半減期ともに、優れた結果 が得られた。
[0213] これにより、本発明の有機 EL素子では、陰極と中間層との界面おょぴ中間層と発 光層との界面における密着性がそれぞれ向上したため、中間層を介した陰極から発 光層への電子の受け渡しが好適に行われてレ、ることが明らカ^なつた。
[0214] さらに、実施例 1A、 2Aおよび 6Aにおいて、最大発光効率と半減期とがより優れた ものとなる結果が得られた。これは、化合物（1)に含まれる原子 Mとして仕事関数の 小さい金属原子を有するものを選択することにより、陰極の仕事関数がより小さくなつ ていることに起因すると推察された。
[0215] 次に、比較例 1Bで測定された各測定値 (通電電流、発光輝度、最大発光効率、半 減期）を基準値として、実施例 1B〜実施例 8Bおよび比較例 2Bで測定された各測定 値を、それぞれ、以下の 4段階の基準に従って評価した。
[0216] ◎:比較例 1Bの測定値に対し、 1. 50倍以上である
〇：比較例 1Bの測定値に対し、 1. 25倍以上、 1. 50倍未満である
△:比較例 1Bの測定値に対し、 1. 00倍以上、 1. 25倍未満である
X：比較例 1Bの測定値に対し、 0. 75倍以上、 1. 00倍未満である これらの評価結果を、それぞれ、以下の表 2に示す。
[0217] [表 2]
表 2
Figure imgf000034_0001
[0218] 表 2に示すように、各実施例の有機 EL素子は、いずれも、各比較例の有機 EL素子 と比較して、通電電流、発光輝度、最大発光効率および半減期ともに、優れた結果 が得られた。
[0219] これにより、本発明の有機 EL素子では、陽極と中間層との界面および中間層と正 孔輸送層との界面における密着性がそれぞれ向上したため、中間層を介した陽極か ら正孔輸送層への正孔の受け渡しが好適に行われていることが明ら力となった。 産業上の利用可能性
[0220] 本発明よれば、電子デバイス用基板を備える電子デバイス (有機エレクト口ルミネッ センス素子）は、有機半導体層 (発光層）と無機物層（陰極)との間に、これらの双方 に接触する中間層を備えて 、る。
[0221] ここで、中間層は、主として一般式 R— X— O— Mで表される化合物で構成され、こ の化合物は、中間層の厚さ方向に沿って、炭化水素基 Rにより構成される非極性部 を有機半導体層側に、原子 Mを含む炭化水素基 R以外の部分により構成される極性 部を無機物層側にして配向している。そして、非極性部および極性部は、それぞれ、 有機半導体層および無機物層の構成材料に対して優れた親和性を発揮することか ら、中間層は、有機物層および無機物層の双方に対して、それぞれの接触面におい て、優れた密着性を有するものとなる。その結果、中間層を介した無機物層から有機 物層へのキャリアの受け渡しを円滑に行うことができるようになり、電子デバイス用基 板を備える電子デバイスは、優れたキャリア輸送能を有するものとなる。また、本発明 の電子デバイス用基板の製造方法により、上述したような構成の電子デバイス用基 板を備える電子デバイスを製造することができる。さらに、カゝかる構成の電子デバイス を備える電子機器は、信頼性の高いものとなる。したがって、産業上の利用可能性を 有する。

Claims

請求の範囲
[1] 有機半導体層と、無機物層と、前記有機半導体層と前記無機物層との間に、これら の双方に接触するように設けられた中間層とを有する電子デバイス用基板であって、 前記中間層は、一般式 R— X— O— Mで表される化合物により主として構成され、 当該化合物は、前記中間層の厚さ方向に沿って炭化水素基 Rを前記有機半導体 層側に、原子 Mを前記無機物層側にして配向して ヽることを特徴とする電子デバイス 用基板。
[一般式中、 Rは、炭化水素基を表し、 Xは、単結合、カルボ-ル基またはスルホ-ル 基のうちのいずれかの結合基を表し、 Mは、水素原子または金属原子のうちのいず れかの原子を表す。 ]
[2] 前記炭化水素基 Rは、飽和炭化水素である請求の範囲第 1項に記載の電子デバィ ス用基板。
[3] 前記炭化水素基 Rの炭素数は、 1〜30である請求の範囲第 1項に記載の電子デバ イス用基板。
[4] 前記原子 Mは、金属原子であり、無機物層の構成材料に含まれる原子と元素周期表 において同じ族に属するものである請求の範囲第 1項に記載の電子デバイス用基板
[5] 前記原子 Mは、アルカリ金属またはアルカリ土類金属である請求の範囲第 1項に記 載の電子デバイス用基板。
[6] 前記原子 Mは、 Li、 Na、 K、 Be、 Mg、 Cs、 Znまたは Caである請求の範囲第 1項に 記載の電子デバイス用基板。
[7] 前記結合基 Xは、カルボニル基またはスルホ-ル基である請求の範囲第 1項に記載 の電子デバイス用基板。
[8] 前記化合物は、その一部が前記有機半導体層に入り込んでいる請求の範囲第 1項 に記載の電子デバイス用基板。
[9] 前記化合物は、その一部が前記無機物層に入り込んでいる請求の範囲第 1項に記 載の電子デバイス用基板。
[10] 前記中間層は、その平均厚さが lOnm以下である請求の範囲第 1項に記載の電子 デバイス用基板。
[11] 有機半導体層と、無機物層と、前記有機半導体層と前記無機物層との間に、これら の双方に接触するように設けられた中間層とを有する電子デバイス用基板の製造方 法であって、
前記有機半導体層の一方の面に、一般式 R— X— O— Mで表される化合物を含有 する液状材料を供給し、炭化水素基 Rと前記有機半導体層の構成材料との親和性 により、前記化合物を、前記有機半導体層の厚さ方向に沿って炭化水素基 Rを前記 有機半導体層側に、原子 Mを前記有機半導体層と反対側にして配向させた後、前 記液状材料を乾燥して前記中間層を形成する第 1の工程と、
前記中間層の前記有機半導体層と反対の面に接触する前記無機物層を形成する 第 2の工程とを有することを特徴とする電子デバイス用基板の製造方法。
[一般式中、 Rは、炭化水素基を表し、 Xは、単結合、カルボ-ル基またはスルホ-ル 基のうちのいずれかの結合基を表し、 Mは、水素原子または金属原子のうちのいず れかの原子を表す。 ]
[12] 前記液状材料は、前記有機半導体層を溶解または膨潤し得る溶媒または分散媒を 含有し、
前記第 1の工程おいて、前記有機半導体層の一方の面に前記液状材料を供給す ることにより、当該面付近を溶解または膨潤させて、前記化合物の一部を前記有機 半導体層に入り込ませる請求の範囲第 11項に記載の電子デバイス用基板の製造方 法。
[13] 請求の範囲第 11項に記載の電子デバイス用基板の製造方法により製造されたことを 特徴とする電子デバイス用基板。
[14] 請求の範囲第 1項に記載の電子デバイス用基板を備えることを特徴とする電子デバ イス。
[15] 当該電子デバイスは、有機エレクト口ルミネッセンス素子である請求の範囲第 14項に 記載の電子デバイス。
[16] 請求の範囲第 14項に記載の電子デバイスを備えることを特徴とする電子機器。
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