WO2006100022A1 - Verfahren zur herstellung von kohlenstoffnitrid - Google Patents

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WO2006100022A1
WO2006100022A1 PCT/EP2006/002551 EP2006002551W WO2006100022A1 WO 2006100022 A1 WO2006100022 A1 WO 2006100022A1 EP 2006002551 W EP2006002551 W EP 2006002551W WO 2006100022 A1 WO2006100022 A1 WO 2006100022A1
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Jürgen Meyer
Jochen Glaser
Katharina Gibson
Sonja Tragl
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Universität Tübingen
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Definitions

  • the present invention relates to a process for the preparation of carbon nitrides, in particular of carbon nitrides, which have a stoichiometric ratio of C to N between 3: 4 and 3: 4.4.
  • the compound C 3 N 4 was first introduced by Franklin in 1922 by presenting a condensed, layered carbon-nitrogen ring system as a structural model (EC Franklin, J. Am. Chem. Soc. 1922, 44, 507). , Subsequent theoretical work, for example, by Cohen (ML Cohen, Phys.Rev. 1985, B32, 7988), Liu (AY Liu, ML Cohen, Science 1989, 245, 841, Phys. Rev.
  • C 3 N 4 Due to the predicted interesting properties of C 3 N 4 , considerable preparative efforts have been made in recent years to produce C 3 N 4 .
  • many of the processes known from the prior art for the production of carbon nitrides of the ideal composition C 3 N 4 are associated with high expenditure on equipment and are not suitable for the production of relatively large amounts.
  • products were always obtained with properties which indicated that the preparations obtained were not pure or not were uniform.
  • the infrared spectra of many products from hitherto known production methods show strong N-V bands in the range from 3000 to 4000 cm -1 .
  • a possible precursor compound for the production of C3N 4 is C 3 N 3 (NH 2 ) 3 (melamine), which is known in the art Autoclave at 500 ° C.
  • the C- and N-containing films are produced by thermal decomposition of the starting materials in a CVD apparatus (Chemical Vapor Deposition). Carbon nitrides produced by the process contain several percent oxygen.
  • Zhang et. al. report the preparation of another carbon nitride compound that has structural similarity to proposed structures of C 3 N 4 graphitic phases (Zhang, Z. Leinenweber, K., Bauer, M. Garvie, L .; McMillan, P. Wolf , G., J. Am. Chem, Soc., 2001, 123, 7788-7796).
  • the prepared compound has the formal composition C 6 N 9 H 3 * HCl and is described as being crystalline. It is obtained by a decomposition of 2-amino-4,6-dichloro-1,3,5-triazine at temperatures between 500 ° C. and 600 ° C. and at pressures in the range between 1.0 and 1.5 GPa.
  • the object of the present invention is to provide the simplest possible access to carbon nitrides with the ideal composition C 3 N 4 .
  • the method should enable the preparation of such carbon nitrides in larger quantities and in particular lead to a very uniform product with the lowest possible levels of impurities.
  • the invention proposes a method with the features of claim 1.
  • Preferred embodiments of the method according to claim 1 are described in the dependent claims 2 to 18.
  • carbonitrides having the features of claims 19 and 20, the preferred embodiments of which are described in claims 21 to 28.
  • the use of the carbon nitrides according to the invention according to the independent claim 29 is also the subject of this invention.
  • the wording of all claims is hereby incorporated by reference into the content of this specification.
  • the process according to the invention comprises a heat treatment of a substituted triazine compound of the formula C 3 N 3 XXXNH 2 ).
  • the variables X and X 'in the formula each denote a halogen atom (fluoro) - A -
  • a reaction mixture forms, i.a. contains the volatile by-products HX and HX '.
  • the process further comprises substantially complete separation of by-products HX and HX 'from the reaction mixture.
  • the process produces, in particular, carbonitrides which have a stoichiometric ratio of C to N of between 3: 4 and 3: 4.4, in particular between 3: 4 and 3: 4.2.
  • the substituted triazine compound is preferably present as a monomeric starting compound.
  • 2-amino-4,6-dichloro-1,3,5-triazine is preferred as the starting compound.
  • the heat treatment comprises a pretreatment preceding a main treatment of the substituted triazine compound.
  • the pretreatment comprises heating the starting compound to a pretreatment temperature, lingering at this pretreatment temperature, and then cooling to room temperature.
  • the pretreatment temperature is preferably in the range between 200 ° C. and 450 ° C., in particular between 300 ° C. and 400 ° C.
  • the duration of the residence is basically an uncritical parameter, but is preferably not less than 1 h.
  • a residence time at the pretreatment temperature is usually between 12 h and 48 h.
  • the pretreatment forms a reaction mixture which, in contrast to the starting compound, preferably the monomerically present substituted triazine compound, is much more difficult to sublime at high temperatures. It is assumed that the monomeric starting compound is partially dimerized or oligomerized as part of the pretreatment, with the formation of relatively high molecular weight, hardly sublimable condensates.
  • the main treatment preferably comprises heating the starting compound or, where appropriate, the reaction mixture resulting from the pretreatment to a main treatment temperature, lingering at this main treatment temperature and cooling to room temperature.
  • the main treatment temperature is preferably in the range between 400 0 C and 600 ° C, in particular between 450 0 C and 550 0 C.
  • the duration of the dwell in the main treatment temperature is also generally not critical and is preferably not less than 1 h. Retention periods of up to several days are possible.
  • the heat treatment of the substituted triazine compound is preferably carried out in a gas-tight container, in particular in an autoclave or in a glass ampoule.
  • a gas-tight container in particular in an autoclave or in a glass ampoule.
  • this is evacuated after filling with the substituted triazine compound and then sealed.
  • the preferred glass ampoules are designed for a maximum internal pressure of 20 bar to 30 bar. Above this pressure, they burst.
  • the heat treatment comprises at least one repetition of the main treatment.
  • a reaction mixture obtained from a pretreatment or from a main treatment is homogenized before each further main treatment. This is done in particular by triturating the mixture to a powder. The trituration is preferably carried out under exclusion of air.
  • the reaction mixture is preferably triturated under solvent, preferably under an organic solvent or solvent mixture, in particular under diethyl ether, ethanol and / or acetone.
  • by-products HX and HX ' are separated from the reaction mixture after each pretreatment and main treatment. If necessary, further by-products are removed as well.
  • the separation of the by-products HX and HX ' preferably comprises a washing of the reaction mixture with a solvent.
  • the reaction mixture is preferably triturated, analogously to the above-described homogenization, under a solvent or under a solvent mixture (preferably organic solvents or solvent mixtures, in particular diethyl ether, ethanol and / or acetone). If another main treatment is followed by the separation, the washing process described here and the process of homogenization described above are identical to one another.
  • the removal of the by-products HX and HX ' should preferably also be understood to mean the release of these by-products, provided they are free.
  • the volatile or gaseous by-products formed during the heat treatment can be allowed to escape, for example, when the gas-tight container is opened.
  • the volatile by-products HX and HX ' are continuously separated from the reaction mixture during the heat treatment.
  • the continuous separation of the volatile by-products is preferably realized by means of negative pressure.
  • the heat treatment is carried out in an evacuated quartz tube or other suitable receptacle connected to a vacuum source (as is the case, for example, in a chemical vapor deposition (CVD) apparatus). Resulting volatile by-products can be separated continuously from such a container. Repeated main treatments followed by separation of the by-products formed (see above) are generally unnecessary in this procedure to achieve the fullest possible conversion.
  • the heat treatment be carried out with the utmost exclusion of oxygen and water. Although this is not absolutely necessary, it has positive effects on the yield and on the purity of the carbon nitrides produced.
  • the heat treatment of the triazine compound is under Addition of a catalyst made.
  • a catalyst metal halides are preferably used.
  • the Lewis acid AICI 3 has proven to be a suitable catalyst.
  • a suitable catalyst such as AICI 3 makes it possible to carry out the heat treatment at much lower temperatures than is the case without a catalyst.
  • the heat treatment with addition of a catalyst at temperatures between 25 ° C and 600 0 C, preferably between 25 0 C and 400 0 C, in particular between 25 0 C and 250 0 C, made.
  • the reaction of substituted triazine compounds to carbon nitrides by the process according to the invention generally proceeds approximately quantitatively. Usually, yields of more than 90% are achieved. Carbonitrides having a substantially uniform elemental composition are reproducibly obtained.
  • the invention likewise relates to carbonitrides which are prepared or can be prepared by the process according to the invention. These preferably have a stoichiometric ratio of C to N between 3: 4 and 3: 4.4, in particular between 3: 4 and 3: 4.2.
  • carbon nitrides according to the invention have a proportion of hydrogen of not more than 0.8% by weight determined by elemental analysis (the term elemental analysis is to be understood here as C, H, N combustion analysis).
  • carbonitrides according to the invention are free of hydrogen.
  • the infrared spectrum of carbon nitrides according to the invention has no NH oscillation bands in the range between 3000 cm -1 and 4000 cm -1 .
  • a carbon nitride according to the invention preferably has a chlorine content of not more than 4% by weight determined by elemental analysis.
  • the proportion of chlorine is not more than 2 wt .-%, in particular, a carbon nitride according to the invention is substantially free of chlorine.
  • a carbon nitride according to the invention preferably has a content of oxygen, determined by elemental analysis, of not more than 2% by weight.
  • the proportion of oxygen is not more than 1 wt .-%, in particular, a carbon nitride according to the invention is substantially free of oxygen.
  • a carbon nitride according to the invention preferably shows no further signals except for a signal in the range between 153 ppm and 159 ppm and in the range between 161 ppm and 167 ppm.
  • the chemical shifts of the signals are related to tetramethylsilane (TMS).
  • a carbon nitride according to the invention in the 13 C solid-state NMR spectrum particularly preferably in each case shows a signal at 156 ppm and one at 164 ppm.
  • a carbon nitride according to the invention is present as a powder.
  • a carbon nitride according to the invention is equally preferred when it is present as a coating.
  • the carbon nitrides according to the invention can be used as precursor or
  • the compounds produced by the process according to the invention have further properties which make their use particularly advantageous in a wide variety of fields, e.g. in the manufacture of lightweight or composite materials, as hydrogen or energy storage, as electrode materials, solid-state electrolytes, (Li-ion) batteries, micro- or nanoelectronic components, optical components (photonic crystals), sensors, fuel cells, membranes and filters with pores in the nm or pm range or as (metal-coated) catalysts.
  • P- or n-type dopants allow the use as semiconductors or semiconducting layers, metallic conductors or superconductors in the construction of electronic components. In this case, the properties can change by reversible incorporation of atoms or electrochemical incorporation of ions, whereby applications such. as electronic switches or optical displays can result.
  • Fig. 1 shows the differential thermal analysis of the course of the reaction in the inventive treatment of C 3 N 3 Cl 2 (NHa) in a closed ampule.
  • the endothermic effect at about 235 0 C corresponds to the melting of C 3 N 3 Cl 2 (NH 2 ).
  • two further thermal effects can be recognized, one between 160 ° C. and 180 ° C., the other at approximately 245 ° C.
  • Fig. 2 shows about 150 mg of carbon nitride powder, which was obtained by the method according to the invention.
  • Fig. 3 shows an infrared spectrum of carbon nitride according to the invention, which was obtained according to Embodiment 1.
  • Fig. 4 shows an infrared spectrum of carbon nitride according to the invention, which was obtained according to Embodiment 2.
  • FIG. 5 shows a 13 C solid-state NMR spectrum of carbon nitride according to the invention. Only 2 signals can be seen, one at 155.81 ppm, the other at 164.1 ppm. The chemical shifts are related to TMS.
  • FIG. 6 shows the result of a thermogravimetric investigation of carbon nitride according to the invention in the N 2 stream.
  • the residue was filled into a silica glass ampule. This was evacuated, sealed and slowly heated to 500 0 C. The ampoule was left at 500 ° C. for about 12 h, and after cooling to room temperature, the product was rehydrated under ether, which was then decanted.
  • the carbon nitride according to the invention was obtained in the form of a brittle, yellow-brown powder.
  • the composition of the obtained powder was determined by a combustion analysis (CHN).
  • CHN combustion analysis
  • the starting material used was X-ray-pure 2-amino-4,6-dichloro-1,3,5-triazine (ADT), which was prepared by reacting cyanuric chloride (Aldrich, 99%) dissolved in diethyl ether (Merck, 99%) with ammonia gas (BASF ) was produced.
  • the reaction aid used was AICI 3 (alpha, 99.99%, ultra-dry). 575 mg ADT and 9.3 mg AICI 3 were placed under an inert gas in an autoclave. This was heated after closing to about 210 0 C and left for 48 h at this temperature. After cooling, any residual pressure that may occur is released. After opening the autoclave, the brittle, yellow to brown reaction product was triturated under diethyl ether. The ether was then decanted.
  • the product was repeatedly triturated with solvent until no more substance went into solution.
  • the product thus obtained was pushed in a boat into a quartz tube, which was subsequently evacuated. Once the final vacuum (in the range from about 10 "2 to 10 '3 mbar) was reached, the mixture was heated to about 500 ° C. This temperature and the vacuum were kept for about 16 hours subjected further workup of an elemental analysis.
  • the formal composition of the material thus obtained was determined to be C 3 N 4 , i 4 ⁇ o, o 6 Cl o, o 4 .
  • the starting material used was X-ray-pure 2-amino-4,6-dichloro-1,3,5-triazine (ADT), which was prepared by reacting cyanuric chloride (Aldrich, 99%) dissolved in diethyl ether (Merck, 99%) with ammonia gas (BASF ) was produced.
  • ADT X-ray-pure 2-amino-4,6-dichloro-1,3,5-triazine
  • a silica glass ampoule about 10 mg ADT and a glass slide are given.
  • the vial is evacuated, sealed and slowly heated to 500 0 C. The temperature is held for 48 h, then cooled to room temperature and the vial opened. On the glass plate has deposited a few microns thick layer of carbon nitride.

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Abstract

Das erfindungsgemässe Verfahren umfasst eine Wärmebehandlung einer substituierten Triazinverbindung der Formel C3N3XX'(NH2). Die Variablen X und X' in der Formel bezeichnen jeweils ein Halogenatom (Fluor, Chlor, Brom oder Iod) oder eine Azidgruppe. Bei der Wärmebehandlung bildet sich ein Reaktionsgemisch, das u.a. die flüchtigen Nebenprodukte HX und HX' enthält. Das Verfahren umfasst weiterhin im wesentlichen vollständige Abtrennung der gebildeten Nebenprodukte HX und HX' aus dem Reaktionsgemisch. Durch das Verfahren werden insbesondere Kohlenstoffnitride hergestellt, die ein stöchiometrisches Verhältnis von C zu N zwischen 3:4 und 3:4,4 aufweisen.

Description

Beschreibung Verfahren zur Herstellung von Kohlenstoffnitrid
Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Kohlenstoffnitriden, insbesondere von Kohlenstoffnitriden, die ein stöchio- metrisches Verhältnis von C zu N zwischen 3:4 und 3:4,4 aufweisen.
Die Verbindung C3N4 wurde erstmals im Jahr 1922 von Franklin einge- führt, indem er ein kondensiertes, schichtenartig aufgebautes Kohlenstoff-Stickstoff-Ringsystem als Strukturmodell vorstellte (E. C. Franklin, J. Am. Chem. Soc. 1922, 44, 507). Nachfolgende theoretische Arbeiten z.B. von Cohen (M. L. Cohen, Phys. Rev. 1985, B32, 7988), Liu (A. Y. Liu, M. L. Cohen, Science 1989, 245, 841 ; Phys. Rev. 1990, B41, 10727), Teter und Hemley (D. M. Teter, R. J. Hemley, Science 1996, 271 , 53) regten großes Interesse für weitere Untersuchungen an, indem sie zeigten, dass eine C3N4-Phase mit ß-Si3N4-Struktur sowie eine kubische C3N4-Phase ähnliche mechanische Eigenschaften wie Diamant haben könnten. Aus theoretischen Rechnungen wurden Strukturmodelle für C3N4-Phasen in Betracht gezogen, die sich überwiegend eng an die für Si3N4 bekannten Strukturen aber auch an andere Strukturmodelle anlehnen, ohne dass bis heute eine Struktur bekannt ist, die sich auf experimentelle Befunde stützt (E. Kroke, M. Schwarz, Coord. Chem. Rev. 2004, 248, 493).
Aufgrund der vorhergesagten interessanten Eigenschaften von C3N4 wurden in den letzten Jahren erhebliche präparative Anstrengungen zur Herstellung von C3N4 unternommen. Viele der aus dem Stand der Technik bekannten Verfahren zur Erzeugung von Kohlenstoffnitriden der ide- alen Zusammensetzung C3N4 sind jedoch mit hohem apparativen Aufwand verbunden und nicht zur Herstellung von größeren Mengen geeignet. Zudem wurden stets Produkte mit Eigenschaften erhalten, die darauf hinwiesen, dass die erhaltenen Präparate nicht rein oder nicht ein- heitlich waren. So zeigen beispielsweise die Infrarotspektren vieler Produkte aus bislang bekannten Herstellungsverfahren starke NH- Schwingungsbanden im Bereich zwischen 3000 und 4000 cm"1. Eine mögliche Vorläuferverbindung zur Herstellung von C3N4 ist C3N3(NH2)3 (Melamin), welches sich im Autoklaven bei 500 0C in ein weißes Pulver mit der Zusammensetzung C6H6Ni0 (Meiern) zersetzt (T. Komatsu, Makromol. Chem. Phys. 2001, 202, 19; B. Jürgens, E. Irran, J. Senker, P. Kroll, H. Müller, W. Schnick, J. Am. Chem. Soc. 2003, 125, 10288). Aus weiteren Zersetzungen konnte aber bisher kein C3N4 her- gestellt werden (T. Komatsu, J. Mater. Chem. 2001 , 11, 799).
Eine Synthese für amorphe C3N4-Materialien wurde von Khabashesku et al. über eine Festkörperreaktion zwischen C3N3CI3 und Li3N im Stahlautoklaven bei 380 °C vorgestellt (V. N. Khabashesku, J. L. Zimmermann, J. L. Margrave, Chem. Mater. 2000, 12, 3264, US-6,428,762). In den erhaltenen orangen bis dunkelbraunen Produkten wurden aber noch recht hohe Anteile an Sauerstoff und Chlor (2 bis 5 Mol-%) gefunden.
Eine Synthese von C- und N-haltigen Filmen, die ein stöchiometrisches Verhältnis von C zu N zwischen 3,2:4 und 3:4 aufweisen, ist aus der US- 5,606,056 bekannt. Die angegebenen Zusammensetzungen basieren allerdings nicht auf Daten aus Verbrennungsanalysen sondern wurden über Streuungsexperimente (Rutherford backscattering analysis) bestimmt. Die Herstellung der Filme erfolgt durch thermische Zersetzung von organometallischen Verbindungen der allgemeinen Formel C3N3XX1N(MR3)(M1R3). X und X' stehen in der Formel für Fluor, Chlor, Brom oder lod. Die Variablen M und M' bezeichnen Metalle aus der 4. Hauptgruppe, R und R' bezeichnen Alkylsubstituenten. Die C- und N- haltigen Filme werden durch thermische Zersetzung der Ausgangsmate- rialien in einer CVD-Apparatur (Chemical Vapor Deposition) hergestellt. Nach dem Verfahren hergestellte Kohlenstoffnitride enthalten mehrere Prozent Sauerstoff. Zhang et. al. berichten über die Darstellung einer weiteren Kohlenstoffnitridverbindung, die strukturelle Ähnlichkeit mit vorgeschlagenen Strukturen von graphitischen C3N4-Phasen hat (Zhang, Z.; Leinenweber, K.; Bauer, M.; Garvie, L.; McMillan, P.; Wolf, G., J. Am. Chem, Soc. 2001 , 123, 7788-7796). Die hergestellte Verbindung weist die formale Zusammensetzung C6N9H3*HCI auf und wird als kristallin beschrieben. Sie wird über eine Zersetzung von 2-Amino-4,6-dichlor-1 ,3,5-triazin bei Temperaturen zwischen 500 0C und 600 0C sowie bei Drücken im Bereich zwi- sehen 1.0 und 1.5 GPa gewonnen.
Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen möglichst einfachen Zugang zu Kohlenstoffnitriden mit der idealen Zusammensetzung C3N4 bereitzustellen. Das Verfahren soll die Darstellung solcher Kohlenstoffnitride in größeren Mengen ermöglichen und insbesondere zu einem möglichst einheitlichen Produkt mit möglichst geringen Anteilen an Verunreinigungen führen.
Zur Lösung dieser Aufgabe schlägt die Erfindung ein Verfahren mit den Merkmalen des Anspruchs 1 vor. Bevorzugte Ausführungsformen des erfindungsgemäßen Verfahrens gemäß Anspruch 1 sind in den abhängigen Ansprüchen 2 bis 18 beschrieben. Ebenfalls Erfindungsgegenstand sind Kohlenstoffnitride mit den Merkmalen der Ansprüche 19 und 20, deren bevorzugte Ausführungsformen in den Ansprüchen 21 bis 28 beschrieben werden. Auch die Verwendung der erfindungsgemäßen Kohlenstoffnitride gemäß dem unabhängigen Anspruch 29 ist Gegenstand dieser Erfindung. Der Wortlaut sämtlicher Ansprüche wird hiermit durch Bezugnahme zum Inhalt dieser Beschreibung gemacht.
Das erfindungsgemäße Verfahren umfasst eine Wärmebehandlung einer substituierten Triazinverbindung der Formel C3N3XXXNH2). Die Variablen X und X' in der Formel bezeichnen jeweils ein Halogenatom (Flu- - A -
or, Chlor, Brom oder lod) oder eine Azidgruppe. Bei der Wärmebehandlung bildet sich ein Reaktionsgemisch, das u.a. die flüchtigen Nebenprodukte HX und HX' enthält. Das Verfahren umfasst weiterhin eine im wesentlichen vollständige Abtrennung der Nebenprodukte HX und HX' aus dem Reaktionsgemisch. Durch das Verfahren werden insbesondere Kohlenstoffnitride hergestellt, die ein stöchiometrisches Verhältnis von C zu N zwischen 3:4 und 3:4,4, insbesondere zwischen 3:4 und 3:4,2, aufweisen.
Die substituierte Triazinverbindung liegt vorzugsweise als monomere Ausgangsverbindung vor. Insbesondere 2-Amino-4,6-dichlor-1 ,3,5- triazin ist als Ausgangsverbindung bevorzugt.
Es ist bevorzugt, dass die Wärmebehandlung eine Vorbehandlung um- fasst, die einer Hauptbehandlung der substituierten Triazinverbindung vorangeht. Die Vorbehandlung umfasst insbesondere ein Erwärmen der Ausgangsverbindung auf eine Vorbehandlungstemperatur, ein Verweilen bei dieser Vorbehandlungstemperatur und ein anschließendes Abkühlen auf Raumtemperatur. Die Vorbehandlungstemperatur liegt vorzugsweise im Bereich zwischen 200 0C und 450 0C, insbesondere zwischen 300 0C und 400 0C. Die Dauer des Verweilens ist grundsätzlich ein unkritischer Parameter, beträgt vorzugsweise aber nicht unter 1 h. Üblich liegt eine Verweildauer bei der Vorbehandlungstemperatur zwischen 12 h und 48 h.
Durch die Vorbehandlung bildet sich ein Reaktionsgemisch, das im Gegensatz zur Ausgangsverbindung, der vorzugsweise monomer vorliegenden substituierten Triazinverbindung, bei hohen Temperaturen sehr viel schwerer sublimiert. Es wird vermutet, dass die monomere Aus- gangsverbindung im Rahmen der Vorbehandlung teilweise dimerisiert bzw. oligomerisiert, wobei sich höhermolekulare, schwer sublimierbare Kondensate bilden. Die Hauptbehandlung umfasst vorzugsweise ein Erwärmen der Ausgangsverbindung bzw. gegebenenfalls des aus der Vorbehandlung resultierenden Reaktionsgemischs auf eine Hauptbehandlungstemperatur, ein Verweilen bei dieser Hauptbehandlungstemperatur und ein Abkühlen auf Raumtemperatur. Die Hauptbehandlungstemperatur liegt vorzugsweise im Bereich zwischen 400 0C und 600 °C, insbesondere zwischen 450 0C und 550 0C. Die Dauer des Verweilens bei der Hauptbehandlungstemperatur ist auch hier grundsätzlich unkritisch und beträgt vor- zugsweise nicht unter 1 h. Verweildauern von bis zu mehreren Tagen sind möglich.
Die Wärmebehandlung der substituierten Triazinverbindung wird bevorzugt in einem gasdichten Behältnis vorgenommen, insbesondere in ei- nem Autoklaven oder in einer Glasampulle. Im Falle einer Glasampulle ist es bevorzugt, dass diese nach Befüllen mit der substituierten Triazinverbindung evakuiert und dann zugeschmolzen wird. Die bevorzugt verwendeten Glasampullen sind für einen maximalen Innendruck von 20 bar bis 30 bar ausgelegt. Oberhalb dieses Drucks platzen sie.
Um eine möglichst vollständige Umsetzung zu gewährleisten, ist es bevorzugt, dass die Wärmebehandlung eine mindestens einmalige Wiederholung der Hauptbehandlung umfasst.
Vorzugsweise wird ein aus einer Vorbehandlung oder aus einer Hauptbehandlung erhaltenes Reaktionsgemisch vor jeder weiteren Hauptbehandlung homogenisiert. Dies geschieht insbesondere durch Verreiben des Gemischs zu einem Pulver. Das Verreiben erfolgt vorzugsweise unter Luftausschluss. Dazu wird das Reaktionsgemisch bevorzugt unter Lösungsmittel verrieben, vorzugsweise unter einem organischen Lösungsmittel oder Lösungsmittelgemisch, insbesondere unter Diethyl- ether, Ethanol und/oder Aceton. Vorzugsweise werden die Nebenprodukte HX und HX' nach jeder Vorbehandlung und Hauptbehandlung aus dem Reaktionsgemisch abgetrennt. Gegebenenfalls werden dabei auch weitere Nebenprodukte ent- fernt.
Das Abtrennen der Nebenprodukte HX und HX' umfasst vorzugsweise ein Waschen des Reaktionsgemischs mit einem Lösungsmittel. Konkret wird das Reaktionsgemisch bevorzugt, analog zur oben beschriebenen Homogenisierung, unter einem Lösungsmittel oder unter einem Lösungsmittelgemisch (vorzugsweise organische Lösungsmittel oder Lösungsmittelgemische, insbesondere Diethylether, Ethanol und/oder Aceton) verrieben. Sofern sich eine weitere Hauptbehandlung an das Abtrennen anschließt, sind der hier beschriebene Waschvorgang und der oben beschriebene Vorgang der Homogenisierung miteinander identisch.
Bevorzugt soll im vorliegenden Fall unter dem Abtrennen der Nebenprodukte HX und HX' auch ein Entweichenlassen dieser Nebenprodukte, soweit sie frei vorliegen, verstanden werden. Die bei der Wärmebehandlung entstehenden flüchtigen bzw. gasförmigen Nebenprodukte kann man beispielsweise beim Öffnen des gasdichten Behältnisses entweichen lassen.
Bei der Wärmebehandlung wird grundsätzlich und bevorzugt drucklos gearbeitet. Insbesondere wird kein äußerer Druck angelegt. Allerdings kann es bei der Wärmebehandlung in einem gasdichten Behältnis, bedingt durch die Entstehung gasförmiger Nebenprodukte, zu einem leichten Anstieg des Innendrucks in dem Gefäß kommen. Dem kann man vorbeugen, indem das gasdichte Behältnis mit einem Druckregulierungsmittel wie beispielsweise einem Sicherheitsventil versehen wird, das sich jedes Mal öffnet, wenn ein bestimmter, vorzugsweise einstell- barer Druck in dem Behältnis überschritten wird. Die gebildeten Nebenprodukte HX und HX' können so „quasikontinuierlich" entweichen.
In einer weiteren bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfin- düng werden die flüchtigen Nebenprodukte HX und HX' während der Wärmebehandlung kontinuierlich aus dem Reaktionsgemisch abgetrennt.
Das kontinuierliche Abtrennen der flüchtigen Nebenprodukte wird vor- zugsweise mittels Unterdruck realisiert. In einer besonders bevorzugten Ausführungsform wird die Wärmebehandlung in einem evakuierten Quarzrohr oder einem anderen geeigneten Behältnis vorgenommen, das mit einer Vakuumquelle verbunden ist (wie es z.B. bei einer CVD(Che- mical-Vapour-Deposition)-Apparatur der Fall ist). Entstehende flüchtige Nebenprodukte können aus einem solchen Behältnis kontinuierlich abgetrennt werden. Wiederholte Hauptbehandlungen mit anschließendem Abtrennen der entstandenen Nebenprodukte (vgl. oben) sind bei diesem Vorgehen zum Erzielen einer möglichst vollständigen Umsetzung in der Regel dann nicht erforderlich.
Grundsätzlich ist es bevorzugt, dass die Wärmebehandlung unter wei- testgehendem Ausschluss von Sauerstoff und Wasser vorgenommen wird. Dies ist zwar nicht zwingend erforderlich, hat aber positive Auswirkungen auf die Ausbeute und auf die Reinheit der hergestellten Kohlen- stoffnitride.
Gleiches gilt für das Abtrennen der Nebenprodukte HX und HX'. Auch dabei wird vorzugsweise auf den Ausschluss von Sauerstoff und Wasser geachtet.
In einer besonders bevorzugten Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens wird die Wärmebehandlung der Triazinverbindung unter Zusatz eines Katalysators vorgenommen. Als Katalysator werden bevorzugt Metallhalogenide verwendet. Insbesondere die Lewis-Säure AICI3 hat sich als geeigneter Katalysator erwiesen.
Der Zusatz eines geeigneten Katalysators wie AICI3 ermöglicht es, die Wärmebehandlung bei sehr viel niedrigeren Temperaturen vornehmen zu können als dies ohne Katalysator der Fall ist. Bevorzugt wird die Wärmebehandlung bei Zusatz eines Katalysators bei Temperaturen zwischen 25 °C und 600 0C, vorzugsweise zwischen 25 0C und 400 0C, insbesondere zwischen 25 0C und 250 0C, vorgenommen.
Die Umsetzung von substituierten Triazinverbindungen zu Kohlenstoffnitriden nach dem erfindungsgemäßen Verfahren verläuft in der Regel annähernd quantitativ. Üblicherweise werden Ausbeuten von mehr als 90 % erzielt. Es werden reproduzierbar Kohlenstoffnitride mit im wesentlichen einheitlicher Elementarzusammensetzung gewonnen.
Ebenfalls Erfindungsgegenstand sind Kohlenstoffnitride, die nach dem erfindungsgemäßen Verfahren hergestellt werden bzw. herstellbar sind. Diese weisen bevorzugt ein stöchiometrisches Verhältnis von C zu N zwischen 3:4 und 3:4,4, insbesondere zwischen 3:4 und 3:4,2, auf.
Es ist bevorzugt, dass erfindungsgemäße Kohlenstoffnitride einen durch Elementaranalyse (unter dem Begriff Elementaranalyse soll hier eine C,H,N-Verbrennungsanalyse verstanden werden) bestimmten Anteil an Wasserstoff von nicht mehr als 0,8 Gew.-% aufweisen. Insbesondere sind erfindungsgemäße Kohlenstoffnitride frei von Wasserstoff.
Gleichfalls ist es bevorzugt, dass das Infrarotspektrum von erfindungs- gemäßen Kohlenstoffnitriden keine NH-Schwingungsbanden im Bereich zwischen 3000 cm"1 und 4000 cm'1 aufweist. Ein erfindungsgemäßes Kohlenstoffnitrid weist bevorzugt einen durch Elementaranalyse bestimmten Anteil an Chlor von nicht mehr als 4 Gew.-% auf. Vorzugsweise beträgt der Anteil an Chlor nicht mehr als 2 Gew.-%, insbesondere ist ein erfindungsgemäßes Kohlenstoffnitrid im wesentlichen frei von Chlor.
Ein erfindungsgemäßes Kohlenstoffnitrid weist bevorzugt einen durch Elementaranalyse bestimmten Anteil an Sauerstoff von nicht mehr als 2 Gew.-% auf. Vorzugsweise beträgt der Anteil an Sauerstoff nicht mehr als 1 Gew.-%, insbesondere ist ein erfindungsgemäßes Kohlenstoffnitrid im wesentlichen frei von Sauerstoff.
Im 13C-Festkörper-NMR-Spektrum zeigt ein erfindungsgemäßes Kohlenstoffnitrid bevorzugt keine weiteren Signale außer jeweils einem Signal im Bereich zwischen 153 ppm und 159 ppm sowie im Bereich zwischen 161 ppm und 167 ppm. Die chemischen Verschiebungen der Signale sind bezogen auf Tetramethylsilan (TMS).
In Weiterbildung zeigt ein erfindungsgemäßes Kohlenstoffnitrid im 13C- Festkörper-NMR-Spektrum besonders bevorzugt jeweils ein Signal bei 156 ppm und eines bei 164 ppm.
Bevorzugt liegt ein erfindungsgemäßes Kohlenstoffnitrid als Pulver vor. Da es jedoch gelungen ist, z.B. Substrate aus Metall, Glas oder Korund mit dem erfindungsgemäßen Kohlenstoffnitrid zu beschichten, ist ein erfindungsgemäßes Kohlenstoffnitrid gleichermaßen bevorzugt, wenn es als Beschichtung vorliegt.
Theoretische Untersuchungen sagen für kubisches C3N4, wie eingangs erwähnt, ein sehr hohes Kompressionsmodul voraus. Gegebenenfalls können die erfindungsgemäßen Kohlenstoffnitride als Vorstufe bzw.
Ausgangsmaterial zur Herstellung von Hartstoffen verwendet werden. Auch eine solche Verwendung ist Gegenstand der vorliegenden Erfindung.
Die nach dem erfindungsgemäßen Verfahren hergestellten Verbindun- gen weisen weitere Eigenschaften auf, die ihre Verwendung auf den unterschiedlichsten Gebieten besonders vorteilhaft machen, z.B. bei der Herstellung von Leichtbau- oder Kompositmaterialien, als Wasserstoffoder Energiespeicher, als Elektrodenmaterialien, Festkörperelektrolyte, (Li-Ionen)-Batterien, mikro- oder nanoelektronische Komponenten, opti- sehe Komponenten (Photonische Kristalle), Sensoren, Brennstoffzellen, Membranen und Filter mit Poren im nm- oder pm-Bereich oder auch als (metallbeschichtete) Katalysatoren. P- oder n-Dotierungen ermöglichen den Einsatz als Halbleiter oder halbleitende Schichten, metallische Leiter oder Supraleiter beim Bau elektronischer Bauteile. Dabei können sich die Eigenschaften durch reversible Einlagerungen von Atomen bzw. elektrochemische Einlagerung von Ionen ändern, wodurch Anwendungen, wie z.B. als elektronische Schalter oder optische Displays, resultieren können.
Weitere Merkmale der Erfindung ergeben sich aus den Zeichnungen sowie aus der nachfolgenden Beschreibung von bevorzugten Ausführungsformen in Verbindung mit den Unteransprüchen. Hierbei können die einzelnen Merkmale jeweils für sich oder zu mehreren in Kombination miteinander bei einer Ausführungsform der Erfindung verwirklicht sein. Die beschriebenen besonderen Ausführungsformen dienen lediglich zur Erläuterung und zum besseren Verständnis der Erfindung und sind in keiner Weise einschränkend zu verstehen.
Auch die nachstehend beschriebenen Zeichnungen sind Bestandteil der vorliegenden Beschreibung, was hiermit durch ausdrückliche Bezugnahme bekräftigt wird. Abb. 1 zeigt die Differenzial-Thermoanalyse des Reaktionsverlaufs bei der erfindungsgemäßen Behandlung von C3N3CI2(NHa) in einer geschlossenen Ampulle. Der endotherme Effekt bei ca. 235 0C entspricht dem Schmelzen von C3N3CI2(NH2). Erkennbar sind insbesondere zwei weitere thermische Effekte, der eine zwischen 160 0C und 180 0C, der andere bei ungefähr 245 0C.
Abb. 2 (Digitalbild) zeigt ca. 150 mg Kohlenstoffnitrid-Pulver, welches über das erfindungsgemäße Verfahren gewonnen wurde.
Abb. 3 zeigt ein Infrarot-Spektrum von erfindungsgemäßem Kohlenstoffnitrid, das gemäß Ausführungsbeispiel 1 gewonnen wurde.
Abb. 4 zeigt ein Infrarot-Spektrum von erfindungsgemäßem Kohlenstoff- nitrid, das gemäß Ausführungsbeispiel 2 gewonnen wurde.
Abb. 5 zeigt ein 13C-Festkörper-NMR-Spektrum von erfindungsgemäßem Kohlenstoffnitrid. Es sind nur 2 Signale zu erkennen, eines bei 155.81 ppm, das andere bei 164.1 ppm. Die chemischen Verschiebun- gen sind bezogen auf TMS.
Abb. 6 zeigt das Ergebnis einer thermogravimetrischen Untersuchung von erfindungsgemäßem Kohlenstoffnitrid im N2-Strom. Man erkennt eine sich beschleunigende Zersetzung ab einer Temperatur von 600 0C.
Beispiel 1
Im folgenden wird die Herstellung eines Kohlenstoffnitrids durch Umset- zung eines substituierten Triazins in einer Glasampulle beschrieben. Bei der Synthese wurde auf den Ausschluss von Wasser und Luft geachtet. AIs Ausgangsstoff wurde röntgenreines 2-Amino-4,6-dichlor-1 ,3,5-triazin (ADT) verwendet, das durch Umsetzung von in Diethylether (Merck, 99 %) gelöstem Cyanurchlorid (Aldrich, 99 %) mit Ammoniakgas (BASF) hergestellt wurde.
3,03 mmol (500 mg) ADT wurden unter Schutzgas in eine zuvor getrocknete Glasampulle eingefüllt. Die Ampulle wurde evakuiert und zugeschmolzen. Die erste Stufe der Umsetzung wurde bei 350 0C durchgeführt. Dazu erhitzte man die Ampulle in einem Ofen langsam auf 350 0C. Die Ampulle wurde für einen Tag bei dieser Temperatur belassen und anschließend langsam wieder abgekühlt. Nach Aufbrechen der Glasampulle wurde das darin enthaltene, bräunliche, spröde Zersetzungsprodukt unter Diethylether zu Pulver verrieben. Das Lösemittel wurde dekantiert. Das Verreiben des Produktes und das anschließende Dekantieren wurde so oft wiederholt, bis keine Substanz mehr in Lösung ging.
In einem zweiten Arbeitsgang wurde der Rückstand in eine Kieselglasampulle gefüllt. Diese wurde evakuiert, zugeschmolzen und langsam auf 500 0C erhitzt. Man beließ die Ampulle ca. 12 h bei 500 °C, öffnete sie nach dem Abkühlen auf Raumtemperatur und verrieb das Produkt wieder unter Ether, der anschließend dekantiert wurde.
Dieser Arbeitsgang wurde noch zweimal wiederholt. Das erfindungsge- mäße Kohlenstoffnitrid wurde in Form eines spröden, gelb-braunen Pulvers erhalten.
Die Zusammensetzung des erhaltenen Pulvers wurde über eine Verbrennungsanalyse (C-H-N) bestimmt. Es ergab sich die folgende Zu- sammensetzung: Kohlenstoff - 36,6 Gew.-%
Stickstoff - 59,0 Gew.-%
Wasserstoff - 0,0 Gew.-% (Gehalt unter Nachweisgrenze)
Chlor - 3,4 Gew.-% Sauerstoff - 0,9 Gew.-%
Daraus ergibt sich ein C/N-Massenverhältnis von 0,620 bzw. ein C/N- Atomverhältnis von 0,724 sowie die formale Zusammensetzung
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Im IR-Spektrum (FT-IR, KBr-Pressling, siehe Abb. 3) tritt im Bereich von 1700-1200 cm"1 eine breite Absorptionsbande auf, die aus 5 überlagerten Signalen besteht. Diese ist wahrscheinlich auf C-N- Streckschwingungen aromatischer Heterocyclen zurückzuführen. Die Absorption bei ca. 810 cm"1 entspricht der C-N-C- Ringdeformationsschwingung, wie sie für CsN3-Ringsysteme typisch ist. Bei 3440 cm"1 erkennt man eine weitere breite Bande (typisch für Restwasser im KBr-Pressling).
Beispiel 2
Im folgenden wird die Herstellung eines Kohlenstoffnitrids durch Umsetzung eines substituierten Triazins in einem Autoklaven und in einem evakuierten Glasrohr unter kontinuierlicher Abtrennung der Nebenpro- dukte HX und HX' beschrieben.
Als Ausgangsstoff wurde röntgenreines 2-Amino-4,6-dichlor-1 ,3,5-triazin (ADT) verwendet, das durch Umsetzung von in Diethylether (Merck, 99 %) gelöstem Cyanurchlorid (Aldrich, 99 %) mit Ammoniakgas (BASF) hergestellt wurde. Als Reaktionshilfe wurde AICI3 (Alpha, 99,99 %, Ultra dry) eingesetzt. 575 mg ADT und 9,3 mg AICI3 wurden unter Schutzgas in einen Autoklaven gegeben. Dieser wurde nach dem Verschließen auf ca. 210 0C erhitzt und für 48 h bei dieser Temperatur belassen. Nach dem Abkühlen wird gegebenenfalls auftretender Restdruck abgelassen. Nach Öff- nen des Autoklaven wurde das spröde, gelbe bis braune Reaktionsprodukt unter Diethylether verrieben. Der Ether wurde anschließend dekantiert.
Das Produkt wurde immer wieder unter Lösemittel verrieben, bis keine Substanz mehr in Lösung ging. Das so erhaltene Produkt wurde in einem Schiffchen in ein Quarzrohr geschoben, das anschließend evakuiert wurde. Sobald das Endvakuum (im Bereich von ca. 10"2 bis 10'3 mbar) erreicht war, wurde auf ca. 500 0C erhitzt. Diese Temperatur sowie das Vakuum wurde für ca. 16 h gehalten. Nach Abkühlen wurde das gewonnene Pulver ohne weitere Aufarbeitung einer Elementaranalyse unterzogen.
Die formale Zusammensetzung des auf diese Weise gewonnenen Materials wurde als C3N4,i4θo,o6Clo,o4 bestimmt.
Eine C-H-N-Verbrennungsanalyse lieferte die folgenden Ergebnisse:
Kohlenstoff - 37,4 Gew.-%
Stickstoff - 60,2 Gew.-% Wasserstoff - 0,0 Gew.-% (Gehalt unter Nachweisgrenze)
Chlor - 1 ,4 Gew.-%
Sauerstoff - 1 ,0 Gew.-%
Daraus errechnet sich ein C/N-Massenverhältnis von 0,621 bzw. ein C/N-Atomverhältnis von 0,725. Für C3N4 errechnet sich eine theoretische Zusammensetzung von 39,1 Gew.-% Kohlenstoff und 60,9 Gew.-% Stickstoff, ein C/N- Massenverhältnis von 0,643 sowie ein C/N-Atomverhältnis von 0,750.
Im IR-Spektrum (FT-IR, KBr-Pressling, siehe Abb. 4) tritt im Bereich von 1700 - 1200 cm"1 eine breite Absorptionsbande auf, die aus 5 überlagerten Signalen besteht. Diese Absorptionsbande ist wahrscheinlich auf C- N-Streckschwingungen aromatischer Heterocyclen zurückzuführen. Die Absorption bei ca. 810 cm"1 entspricht der C-N-C- Ringdeformationsschwingung, wie sie für C3N3-Ringsysteme typisch ist. Auch hier zeigte sich bei 3440 cm"1 eine weitere breite Bande (Restwasser im KBr-Pressling).
Beispiel 3
Im folgenden wird die Herstellung eines Kohlenstoffnitrids durch Umsetzung eines substituierten Triazins in einer geschlossenen Ampulle und dessen Abscheidung als Schicht auf einem Glasplättchen (Objektträger) beschrieben.
Als Ausgangsstoff wurde röntgenreines 2-Amino-4,6-dichlor-1 ,3,5-triazin (ADT) verwendet, das durch Umsetzung von in Diethylether (Merck, 99 %) gelöstem Cyanurchlorid (Aldrich, 99 %) mit Ammoniakgas (BASF) hergestellt wurde.
In eine Kieselglasampulle werden ca. 10 mg ADT sowie ein Glasplättchen gegeben. Die Ampulle wird evakuiert, zugeschmolzen und langsam auf 500 0C erhitzt. Die Temperatur wird für 48 h gehalten, dann wird auf Raumtemperatur abgekühlt und die Ampulle geöffnet. Auf dem Glasplättchen hat sich eine einige μm dicke Schicht aus Kohlenstoffnitrid abgeschieden.

Claims

Patentansprüche
1. Verfahren zur Herstellung von Kohlenstoffnitriden, die ein stöchio- metrisches Verhältnis von C zu N zwischen 3:4 und 3:4,4 aufweisen, umfassend
eine Wärmebehandlung einer substituierten Triazinverbindung der Formel C3N3XX'(NH2) unter Bildung eines Reaktionsgemisches, welches die flüchtigen Nebenprodukte HX und HX' enthält, wobei die Variablen X und X' jeweils ein Halogenatom o- der eine Azidgruppe bezeichnen und eine im wesentlichen vollständige Abtrennung der gebildeten Nebenprodukte HX und HX' aus dem Reaktionsgemisch.
2. Verfahren nach Anspruch 1 , dadurch gekennzeichnet, dass die Wärmebehandlung eine Hauptbehandlung umfasst, insbesondere ein Erwärmen auf eine Hauptbehandlungstemperatur, die vorzugsweise im Bereich zwischen 400 0C und 600 0C liegt, ein Verweilen bei dieser Hauptbehandlungstemperatur und ein Abkühlen auf Raumtemperatur.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Wärmebehandlung eine der Hauptbehandlung vorangehende Vorbehandlung umfasst, insbesondere ein Erwärmen der substituierten Triazinverbindung auf eine Vorbehandlungstemperatur, die vorzugsweise im Bereich zwischen 200 0C und 450 0C liegt, ein Verweilen bei dieser Vorbehandlungstemperatur und ein Abkühlen auf Raumtemperatur.
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Wärmebehandlung in einem gasdichten Behält- nis, insbesondere in einem Autoklaven oder in einer Glasampulle, vorgenommen wird.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 2 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass die Wärmebehandlung eine mindestens einmalige Wiederholung der Hauptbehandlung umfasst.
6. Verfahren nach einem der Ansprüche 2 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass ein Reaktionsgemisch aus einer Vorbehandlung oder aus einer Hauptbehandlung vor jeder weiteren Hauptbehandlung homogenisiert wird, insbesondere durch Pulverisieren des Re- aktionsgemischs.
7. Verfahren nach einem der Ansprüche 2 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass nach jeder Vorbehandlung und Hauptbehandlung die Nebenprodukte HX und HX' aus dem Reaktionsgemisch abgetrennt werden.
8. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Abtrennen ein Waschen des Reaktions- gemischs mit einem Lösungsmittel, vorzugsweise mit einem organischen Lösungsmittel oder Lösungsmittelgemisch, insbesondere mit Diethylether, Ethanol und/oder Aceton, umfasst.
9. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Abtrennen ein Entweichenlassen der Nebenprodukte HX und HX', soweit diese frei vorliegen, umfasst.
10. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Wärmebehandlung ohne Anlegen eines äußeren Drucks vorgenommen wird.
11. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass die flüchtigen Nebenprodukte HX und HX' während der Wärmebehandlung kontinuierlich aus dem Reaktionsgemisch abgetrennt werden.
12. Verfahren nach Anspruch 11 , dadurch gekennzeichnet, dass das kontinuierliche Abtrennen der flüchtigen Nebenprodukte HX und HX' mittels Unterdruck vorgenommen wird.
13. Verfahren nach einem der Ansprüche 11 oder 12, dadurch gekennzeichnet, dass die Wärmebehandlung in einem Behältnis vorgenommen wird, das mit einer Vakuumquelle verbunden ist, vorzugsweise in einem evakuierten Glasrohr oder in einer CVD-Apparatur.
14. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Wärmebehandlung unter Ausschluss von Sauerstoff und Wasser vorgenommen wird.
15. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Abtrennen der Nebenprodukte HX und HX' unter Ausschluss von Sauerstoff und Wasser vorgenommen wird.
16. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Wärmebehandlung der Triazinverbindung unter Zusatz eines Katalysators vorgenommen wird.
17. Verfahren nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, dass als Katalysator ein Metallhalogenid, insbesondere AICI3, verwendet wird.
18. Verfahren nach einem der Ansprüche 16 oder 17, dadurch gekennzeichnet, dass die Wärmebehandlung bei Zusatz eines Katalysators bei Temperaturen zwischen 25 0C und 600 0C, vorzugsweise zwischen 25 0C und 400 0C, vorgenommen wird.
19. Kohlenstoffnitrid mit einem stöchiometrischen Verhältnis von C zu N zwischen 3:4 und 3:4,4, hergestellt nach einem Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche.
20. Kohlenstoffnitrid mit einem stöchiometrischen Verhältnis von C zu N zwischen 3:4 und 3:4,4, herstellbar nach einem Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche.
21. Kohlenstoffnitrid nach einem der Ansprüche 19 oder 20, dadurch gekennzeichnet, dass es einen durch Elementaranalyse bestimmten Anteil an Wasserstoff von nicht mehr als 0,8 Gew.-% aufweist, insbesondere frei von Wasserstoff ist.
22. Kohlenstoffnitrid nach einem der Ansprüche 19 bis 21 , dadurch gekennzeichnet, dass es im Infrarotspektrum keine NH- Schwingungsbanden im Bereich zwischen 3000 cm'1 und 4000 cm'1 aufweist.
23. Kohlenstoffnitrid nach einem der Ansprüche 19 bis 22, dadurch gekennzeichnet, dass es einen durch Elementaranalyse bestimmten Anteil an Chlor von nicht mehr als 4 Gew.-%, vorzugsweise von nicht mehr als 2 Gew.-%, aufweist, insbesondere im wesentlichen frei von Chlor ist.
24. Kohlenstoffnitrid nach einem der Ansprüche 19 bis 23, dadurch gekennzeichnet, dass es einen durch Elementaranalyse bestimmten Anteil an Sauerstoff von nicht mehr als 2 Gew.-%, vorzugsweise von nicht mehr als 1 Gew.-%, aufweist, insbesondere im wesentlichen frei von Sauerstoff ist.
25. Kohlenstoffnitrid nach einem der Ansprüche 19 bis 24, dadurch gekennzeichnet, dass es im 13C-Festkörper-NMR-Spektrum (chemische Verschiebung bezogen auf TMS) außer jeweils einem Signal im Bereich zwischen 153 ppm und 159 ppm sowie im Bereich zwischen 161 ppm und 167 ppm keine weiteren Signale aufweist.
26. Kohlenstoffnitrid nach Anspruch 25, dadurch gekennzeichnet, dass die beiden Signale bei 156 ppm und bei 164 ppm liegen.
27. Kohlenstoffnitrid nach einem der Ansprüche 19 bis 26, dadurch gekennzeichnet, dass es als Pulver vorliegt.
28. Kohlenstoffnitrid nach einem der Ansprüche 19 bis 26, dadurch gekennzeichnet, dass es als Beschichtung vorliegt.
29. Verwendung eines Kohlenstoffnitrids gemäß einem der Ansprüche 19 bis 28 als Ausgangsmaterial zur Herstellung von Hartstoffen.
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5606056A (en) * 1994-05-24 1997-02-25 Arizona Board Of Regents Carbon nitride and its synthesis

Non-Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
COURJAULT ET AL.: "Access routes to carbon nitride CxNy. Examples at the turning point between molecular chemistry and solid chemistry", COMPTES RENDUS DE I'ACADEMIE DES SCIENCES, SERIE IIC: CHIMIE, vol. 2, no. 9-10, pages 487 - 490
COURJAULT, SEBASTIEN ET AL: "Sur quelques voies d'accès aux carbonitrures CxNy. Exemples à la charnière entre chimie moléculaire et chimie du solide.", COMPTES RENDUS DE L'ACADEMIE DES SCIENCES, SERIE IIC: CHIMIE , 2(9-10), 487-490 CODEN: CASCFN; ISSN: 1387-1609, 1999, XP002383184 *
DATABASE CA [online] CHEMICAL ABSTRACTS SERVICE, COLUMBUS, OHIO, US; 28 June 2004 (2004-06-28), KIM, J. I. ET AL: "Preparation of carbon-nitride bulk samples in the presence of seed carbon-nitride films", XP002383186, retrieved from STN Database accession no. 2004:517820 *
JOURNAL OF THE KOREAN PHYSICAL SOCIETY , 44(5, PT. 1), 1071-1074 CODEN: JKPSDV; ISSN: 0374-4884, 2004 *
TODD M ET AL: "NOVEL SYNTHETIC ROUTES TO CARBON NITRIDE", CHEMISTRY OF MATERIALS, AMERICAN CHEMICAL SOCIETY, WASHINGTON, US, vol. 7, no. 7, 1 July 1995 (1995-07-01), pages 1422 - 1426, XP000626859, ISSN: 0897-4756 *
WANG J ET AL: "Low-temperature deposition of carbon nitride films from a molecular azide, (C3N3)(N3)3", PREPARATION AND CHARACTERIZATION, ELSEVIER SEQUOIA, NL, vol. 422, no. 1-2, 20 December 2002 (2002-12-20), pages 62 - 68, XP004399104, ISSN: 0040-6090 *
ZHANG, Z.; LEINENWEBER, ,K.; BAUER, M.; GARVIE, L.; MCMILLAN, P.; WOLF, G., J. AM. CHEM. SOC., vol. 123, 2001, pages 7788 - 7796

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