WO2005081603A1 - Method for producing substrates - Google Patents

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WO2005081603A1 PCT/EP2005/050187 EP2005050187W WO2005081603A1 WO 2005081603 A1 WO2005081603 A1 WO 2005081603A1 EP 2005050187 W EP2005050187 W EP 2005050187W WO 2005081603 A1 WO2005081603 A1 WO 2005081603A1
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Thomas Cwik
Uwe Metka
Roland STÜTZER
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Hitachi Via Mechanics, Ltd.
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Abstract

The invention relates to a method for producing substrates (200) which are produced by successive planar process steps and which comprise a first layer (210) and at least one second layer (220) suited to the first layer (210). In a first step, a plurality of marks (211) is measured on the first layer (210) and a deviation of the actual position from the desired position is determined for every mark (211). These deviations are used to determine a transformation FTrans 1 for the position deviation from any grid point of the first layer (210) and a transformation FTrans 2 for any position deviation from grid points of the second layer (220). The transformation FTrans 2 is determined while taking into account known marginal conditions for a possible warping behavior of the second layer. When the second layer (220) is treated, a combined transformation from the two previously determined transformations FTrans 1 and FTrans 2 is taken into account. The inventive method allows for a reliable contacting of strip conductors despite different degrees of warping of the two layers (210, 220), thereby reducing the portion of refuse of defect circuit boards in the production of multilayer circuit boards.

Description

BesehreibungBesehreibung
Verfahren zum Herstellen von SubstratenProcess for the production of substrates
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen von mehrschichtigen Substraten, welche durch aufeinanderfolgende flächige Prozessschritte mit einer ersten Schicht und zumindest einer auf die erste Schicht abgestimmten zweiten Schicht hergestellt werden.The invention relates to a method for producing multilayer substrates which are produced by successive two-dimensional process steps with a first layer and at least one second layer matched to the first layer.
Beim Aufbau von mehrschichtigen Leiterplatten werden die einzelnen Schichten der Leiterplatten mehrfach miteinander verpresst. Die dabei zugeführte Temperatur- und Druckbeanspruchung führt bei den für Leiterplatten verwendeten Materi- alien zu ungewollten Verzügen, wie beispielsweise Schrumpfungen bzw. Dehnungen. Bei den unterschiedlichen Verpress orgängen können sich die Leiterplatten bis zum fertigen Zustand mehrmals in ihrer Dimension verändern. Abhängig von dem Leiterplatten-Layout, d.h. der durch Kupferflächen realisier- ten Leiterbahnstrukturen in einzelnen Schichten, kann es dabei auc ä,zu nichtlinearen Verzügen kommen, bei denen ,die Dehnung bzw. Schrumpfung in unterschiedlichen Richtungen unterschiedlich stark ausfällt.When building multilayer printed circuit boards, the individual layers of the printed circuit boards are pressed together several times. The applied temperature and pressure stress leads to unwanted distortions, such as shrinkage or expansion, for the materials used for printed circuit boards. The dimensions of the printed circuit boards can change several times until the finished state. Depending on the PCB layout, ie the-realized by copper surfaces interconnect structures in single layers, it can thereby auc etc., lead to non-linear distortions in which the expansion or shrinkage in different directions to different extents fails.
Um bei einer schichtweise aufgebauten Leiterplatte verschiedene, in unterschiedlichen Schichten ausgebildete Leiterbahnstrukturen gezielt elektrisch miteinander verbinden zu können, muss man bei der Leiterplattenherstellung sowohl beim Aufbringen von Schichten als auch beim Durchkontaktieren von verschiedenen Anschlussflächen unterschiedlicher Leiterbahnstrukturen senkrecht zur Schichtebene den in der Ausgangsschicht vorhandenen Verzügen folgen. Um diesen Verzügen zu folgen, werden üblicherweise auf der Ausgangsschicht Markierungen angebracht bzw. freigelegt, die von einem optischen System vermessen werden. Aus den Abweichungen der Ist- Position von der Soll-Position dieser Markierungen wird dann der Verzug der Ausgangsschicht ermittelt. Um diesen Verzug für alle Gitterpunkte der AusgangsSchicht zu bestimmten, wird aus den zuvor ermittelten Abweichungen eine mathematische Transformation bestimmt, mittels welcher der Verzug für jeden beliebigen Gitterpunkt der AusgangsSchicht errechnet werden kann. Dabei ist unter dem Begriff Gitterpunkt jeder beliebige Punkt der Ausgangsschicht zu verstehen, also nicht nur ausgewählte Punkte, die auf einem diskreten Gitter liegen.In order to be able to selectively electrically connect different printed circuit structures formed in different layers to one another in a layered printed circuit board, one has to follow the distortions present in the starting layer both when applying layers and when making contact with different connection surfaces of different conductor structures perpendicular to the layer level. In order to follow these delays, markings are usually applied or exposed on the starting layer, which are measured by an optical system. The distortion of the starting layer is then determined from the deviations of the actual position from the target position of these markings. About this delay To determine for all grid points of the starting layer, a mathematical transformation is determined from the previously determined deviations, by means of which the distortion can be calculated for any grid point of the starting layer. The term lattice point is understood to mean any point in the starting layer, that is to say not only selected points which lie on a discrete lattice.
Die Transformation von einer Soll-Position zu einer Ist- Position lässt sich in einem x-y-Koordinatensystem nach folgender Gleichung 1 bestimmten: xist = al +bl - xsoll + cx ysoll + dx xsoll ysoll yist ~ ü2 + "2 " ysoll "*" C2 ' Xsoll + "2 " Xsoll ' 'sollThe transformation of a target position to an actual position can be in an xy coordinate system by the following equation 1 given: x i t = a l + b l - x soll + c x y to + d x x should y should yist ~ u 2 + "2" y s oll "*" C 2 '+ X to "2" X should' 'to
Dabei beschreiben die Parameter ai und a2 eine lineare Verschiebung, die Parameter bi, b2, cj. und c2 beschreiben eine Dehnung bzw. Schrumpfung sowie eine Drehung und die Parameter di, d2 beschreiben eine eventuell auftretende Scherung der AusgangsSchicht . Da dieses Gleichungssystem für jede Koordi- nate vier zu bestimmende Parameter a, b, c und d aufweist, müssen zur vollständigen Bestimmung dieser Parameter insgesamt vier Markierungen vermessen werden, so dass das resultierende Gleichungssystem mit insgesamt acht unbekannten Parametern eindeutig lösbar ist.The parameters ai and a 2 describe a linear shift, the parameters bi, b 2 , cj. and c 2 describe an elongation or shrinkage as well as a rotation and the parameters di, d 2 describe a possible shear of the starting layer. Since this system of equations has four parameters a, b, c and d to be determined for each coordinate, a total of four markings must be measured to completely determine these parameters, so that the resulting system of equations can be uniquely solved with a total of eight unknown parameters.
Es wird darauf hingewiesen, dass für eine Reihe von Anwendungsfällen eine Scherung der Ausgangsschicht vernachlässigbar ist und somit die Koeffizienten di und d2 gleich Null gesetzt werden können. In diesem Fall genügt die Vermessung von drei Markierungen um die verbleibenden Parameter ai, a2, bi, b2, ci und c2 eindeutig zu bestimmen.It is pointed out that for a number of applications, shear of the starting layer is negligible and thus the coefficients di and d 2 can be set to zero. In this case, the measurement of three markings is sufficient to uniquely determine the remaining parameters ai, a 2 , bi, b 2 , ci and c 2 .
Verschiedene Schichten weisen jedoch häufig ein unterschiedliches Verzugverhalten auf oder eine nachfolgende Schicht kann aus prozesstechnischen Gründen einem bestimmten Verzug der darunter liegenden Schicht nicht folgen. In einem solchen Fall sind die Anschlussflächen verschiedener Leiterplattenstrukturen bei Verwendung der mit Gleichung 1 beschriebenen Transformation häufig versetzt zueinander angeordnet, so dass der Überlapp zwischen den zu kontaktierenden Anschlussflächen häufig nicht ausreichend groß ist, um einen zuverlässigen . elektrischen Kontakt der betreffenden Anschlussflächen zu ermöglichen. Derart produzierte Leiterplatten sind daher häufig fehlerhaft und müssen aus dem Herstellungsprozess aussortiert werden.However, different layers often have different warping behavior, or a subsequent layer can have a certain warping due to technical reasons do not follow the layer below. In such a case, when using the transformation described with equation 1, the connection areas of different printed circuit board structures are often arranged offset from one another, so that the overlap between the connection areas to be contacted is often not large enough to be reliable. to allow electrical contact of the relevant connection surfaces. Printed circuit boards produced in this way are therefore often defective and must be removed from the manufacturing process.
Es ist daher Aufgabe der Erfindung, ein Verfahren zum Herstellen von mehrschichtigen Substraten zu schaffen, bei dem trotz auftretender Verzüge ein zuverlässiger Kontakt zwischen ausgewählten Bereichen verschiedener Schichten gewährleistet ist und damit eine geringere Ausschussrate bei der Herstellung von schichtweise aufgebauten Leiterplatten erreicht wird.It is therefore an object of the invention to provide a method for producing multilayer substrates in which reliable contact between selected areas of different layers is ensured in spite of delays occurring and thus a lower rejection rate is achieved in the production of circuit boards built up in layers.
Diese Aufgabe wird gelöst durch ein Verfahren zum Herstellen von mehrschichtig aufgebauten Substraten mit den Merkmalen des unabhängigen Anspruchs 1.This object is achieved by a method for producing multi-layer substrates with the features of independent claim 1.
Er indungsgemäß wird zunächst auf einer ersten Schicht eine Mehrzahl von auf dieser Schicht aufgebrachten Markierungen vermessen und nachfolgend für jede Markierung eine Abweichung der gemessenen Ist-Position von einer vorbekannten Soll- Position bestimmt. Anhand der bestimmten Abweichungen werden zwei unterschiedliche Transformationen für die Bestimmung der Positionsabweichungen von Gitterpunkten der ersten Schicht bestimmt, wobei bei der Bestimmung von zumindest einer der beiden Transformationen vorbekannte Randbedingungen für mögliche Positionsabweichungen von Gitterpunkten der zweiten Schicht berücksichtigt werden. Dabei sind die Randbedingungen in geeigneter Weise durch entsprechende Beziehungen zwischen den Parametern a, b, c und d der obigen Gleichung 1 vorgegeben. Danach werden die beiden ermittelten Transformationen miteinander kombiniert und die erste Schicht wird unter Berücksichtigung der kombinierten Transformation bearbeitet.According to the invention, a plurality of markings applied to this layer are first measured on a first layer and subsequently a deviation of the measured actual position from a previously known target position is determined for each marking. On the basis of the determined deviations, two different transformations are determined for the determination of the position deviations of lattice points of the first layer, with previously known boundary conditions for possible position deviations of lattice points of the second layer being taken into account when determining at least one of the two transformations. The boundary conditions are suitably predetermined by corresponding relationships between parameters a, b, c and d of equation 1 above. Then the two identified transformations combined with each other and the first layer is processed taking into account the combined transformation.
Der Erfindung liegt die Erkenntnis zugrunde, dass bei der Bearbeitung der zweiten Schicht nicht ausschließlich derThe invention is based on the knowledge that when processing the second layer, not only the
Verzug der Ausgangsschicht berücksichtigt wird, sondern dass vielmehr bereits im Vorfeld mögliche prozesstechnische Beschränkungen bei der Kompensation dieses Verzuges beim Aufbringen der zweiten Schicht zumindest zum Teil berücksichtigt werden. Somit nimmt man bei der Bearbeitung der erstenWarping of the initial layer is taken into account, but rather that possible process-technical restrictions in the compensation of this warping when applying the second layer are at least partially taken into account in advance. So you take when editing the first
Schicht bewusst eine nicht optimale Kompensation des Verzuges der Ausgangssc icht in Kauf. Dieser in den meisten Anwendungsfällen nur scheinbare Nachteil wird beim Aufbringen der zweiten Schicht mehr als kompensiert.Layer deliberately not optimal compensation of the delay of the output layer in purchase. This disadvantage, which is only apparent in most applications, is more than compensated for when the second layer is applied.
Es wird darauf hingewiesen, dass zur Vermessung der Markierungen beispielsweise eine Kamera verwendet werden kann, die bei der Herstellung von schichtweise aufgebauten Substraten ohnehin vorhanden ist und üblicherweise zur Positionsbestim- mung des herzustellenden Substrates eingesetzt wird.It is pointed out that, for measuring the markings, a camera can be used, for example, which is present in any case in the production of layered substrates and is usually used to determine the position of the substrate to be produced.
Gemäß Anspruch 2 werden unter Berücksichtigung der kombinierten Transformation Löcher durch die erste Schicht gebohrt. Ein nachfolgendes Aufbringen der zweiten Schicht auf die durch Bohren bearbeitete erste Schicht kann dann entweder indirekt unter Berücksichtigung der Bohrpositionen oder direkt unter Berücksichtigung der kombinierten Transformation aufgebracht werden. Die gebohrten Löcher, welche entweder Sacklöcher oder Durchgangslöcher sind, dienen insbesondere zur Kontaktierung von verschiedenen Anschlussflächen in unterschiedlichen Schichten. Ein elektrischer Kontakt wird dabei durch ein Metallisieren des entsprechenden Bohrlochs realisiert.According to claim 2, holes are drilled through the first layer, taking into account the combined transformation. Subsequent application of the second layer to the first layer machined by drilling can then be applied either indirectly taking into account the drilling positions or directly taking into account the combined transformation. The drilled holes, which are either blind holes or through holes, are used in particular for contacting different connection surfaces in different layers. Electrical contact is achieved by metallizing the corresponding borehole.
Gemäß Anspruch 3 werden die Löcher bevorzugt mittels Laserstrahlen hergestellt. Dies hat den Vorteil, dass beim Einsatz von modernen Laserbearbeitungsmaschinen zum Laserbohren von Mehrschichtsubstraten sowohl eine hohe Ausbeute, d.h. eine hohe Anzahl an pro Zeiteinheit gebohrten Löchern erreicht werden kann. Ferner können die räumlichen Dimensionen der Löcher so klein gehalten werden, dass eine hohe Packungsdich- te von elektronischen Baugruppen auf schichtweise aufgebauten Leiterplatten realisiert werden kann.According to claim 3, the holes are preferably produced by means of laser beams. This has the advantage that when using modern laser processing machines for laser drilling Multi-layer substrates both a high yield, ie a high number of holes drilled per unit time can be achieved. Furthermore, the spatial dimensions of the holes can be kept so small that a high packing density of electronic assemblies can be realized on printed circuit boards built up in layers.
Gemäß Anspruch 4 wird unter Berücksichtigung der kombinierten Transformation bei der Bearbeitung der ersten Schicht (210) eine Zwischenschicht zwischen der ersten Schicht (210) und der zweiten Schicht (220) ausgebildet. Dies hat den Vorteil, dass senkrecht zur Schichtebene stets eine maximaler Überlap- pung zwischen ausgewählten Bereichen sämtlicher Schichten erreicht werden kann.According to claim 4, taking into account the combined transformation when processing the first layer (210), an intermediate layer is formed between the first layer (210) and the second layer (220). This has the advantage that a maximum overlap between selected areas of all layers can always be achieved perpendicular to the layer plane.
Gemäß Anspruch 5 kann die Anzahl der vermessenen Markierungen variieren. Bei der Vermessung von nur zwei Markierungen kann somit mittels der beiden Transformationen lediglich eine Verschiebung und zusätzlich entweder eine Dehnung bzw. Schrumpfung oder alternativ eine Drehung berücksichtigt werden. Bei der Vermessung von drei Markierungen kann neben einer Verschiebung der Ausgangsschicht auch noch eine Dehnung bzw. Schrumpfung sowie eine Drehung berücksichtigt werden. Bei der Vermessung von vier Markierungen kann im Vergleich zu der Vermessung von drei Markierungen zusätzlich noch eine durch den Einfluss von Scherkräften erzeugte Scherung berücksichtigt werden.According to claim 5, the number of markings measured can vary. When measuring only two markings, only a displacement and additionally either an expansion or shrinkage or alternatively a rotation can therefore be taken into account by means of the two transformations. When measuring three markings, in addition to shifting the starting layer, expansion or shrinkage and rotation can also be taken into account. When measuring four markings, a shear generated by the influence of shear forces can also be taken into account in comparison to the measurement of three markings.
Es wird darauf hingewiesen, dass selbstverständlich auch jeweils mehr als die Mindestanzahl an zu vermessenden Marken vermessen werden können. Dies hat zur Folge, dass ein Gleichungssystem mit einer Überbestimmung der Transformationspa- rameter aufgestellt werden kann, welches auf vorteilhafte Weise für eine genauere Bestimmung (insbesondere durch Mit- telwertbildung) der einzelnen Transformationsparameter genutzt werden kann. Dabei kann auf allgemein bekannte Verfah- ren zur Lösung von überbestimmten GleichungsSystemen zurückgegriffen werden.It is pointed out that more than the minimum number of brands to be measured can of course also be measured. The consequence of this is that an equation system with an over-determination of the transformation parameters can be set up, which can advantageously be used for a more precise determination (in particular by averaging) of the individual transformation parameters. It can be based on well-known procedures to solve over-determined systems of equations.
Das Verfahren nach Anspruch 6, bei dem für die zweite Schicht eine Scherung ausgeschlossen ist, hat hohe praktische Bedeutung, da der schichtweise Aufbau von Substraten in der Regel eine Belichtung zum Ausbilden einer Leiterbahnstruktur aufweist. Derartige prozesstechnische Belichtungen werden üblicherweise unter Verwendung einer Maske durchgeführt, bei der lediglich eine (gegebenenfalls in x- und in y-Richtung unterschiedliche) Dehnung bzw. Schrumpfung der ersten Schicht berücksichtigt werden kann. Die Innenwinkel einer üblicherweise rechtwinkligen Maske sind aber mit 90° fest vorgegeben. Eine derartige Transformation, bei der die oben angegebenen Parameter di und d2 gleich Null sind, wird deshalb auch als sog. orthogonale Transformation bezeichnet.The method according to claim 6, in which shear is excluded for the second layer, is of great practical importance, since the layer-by-layer construction of substrates generally has an exposure to form a conductor track structure. Process-related exposures of this type are usually carried out using a mask, in which only one (possibly different in the x and y directions) expansion or shrinkage of the first layer can be taken into account. The inside angles of a usually rectangular mask are fixed at 90 °. Such a transformation, in which the parameters di and d 2 given above are equal to zero, is therefore also referred to as a so-called orthogonal transformation.
Gemäß Anspruch 7 wird als Kombination eine gewichtete Überlagerung der beiden Transformationen verwendet. Dabei wird ein Gewichtungsfaktor z verwendet, der den Anteil der zweitenAccording to claim 7, a weighted superposition of the two transformations is used as a combination. A weighting factor z is used, which is the proportion of the second
Transformation an der Gesamttransformation bestimmt. Bevorzugt ergibt sich der Gewichtungsfaktor z aus der Größe der Flächen, die jeweils für die ausgewählten Bereiche der ersten Schicht verwendet werden geteilt durch die Summe aus der Größe der Flächen, die jeweils für die ausgewählten Bereiche der ersten Schicht und für die ausgewählten Bereiche der zweiten Schicht verwendet werden. Ausgewählte Bereiche sind insbesondere auf der ersten Schicht und/oder auf der zweiten Schicht ausgebildete Anschlussflächen zur Herstellung von elektrischen Kontakten zwischen einzelnen Schichten.Transformation determined on the overall transformation. The weighting factor z preferably results from the size of the areas which are used in each case for the selected areas of the first layer divided by the sum of the size of the areas which are in each case for the selected areas of the first layer and for the selected areas of the second layer be used. Selected areas are, in particular, connection areas formed on the first layer and / or on the second layer for producing electrical contacts between individual layers.
Gemäß Anspruch 8 sind die ausgewählten Bereiche Anschlussflächen zur Kontaktierung der ersten Schicht mit der zweiten Schicht, so dass durch eine senkrecht zur Schichtebene durch- geführte Kontaktierung auf verschiedenen Schichten ausgebildete Leiterbahnstrukturen gezielt miteinander kontaktiert werden können. Weitere Vorteile und Merkmale der vorliegenden Erfindung ergeben sich aus der folgenden beispielhaften Beschreibung einer derzeit bevorzugten Ausführungsform.According to claim 8, the selected areas are connection areas for contacting the first layer with the second layer, so that interconnect structures formed on different layers can be made to contact one another in a targeted manner by contacting made perpendicular to the layer plane. Further advantages and features of the present invention result from the following exemplary description of a currently preferred embodiment.
Figur 1 zeigt in einer schematischen Darstellung eine aus dem Stand der Technik bekannte Herstellung einer Leiterplatte mit zwei unterschiedlichen Leiterbahnstrukturen, welche mittels Laserbohren miteinander kontak- • tiert werden, undFIG. 1 shows a schematic representation of a production of a printed circuit board known from the prior art with two different conductor track structures, which are contacted with one another by means of laser drilling, and
Figur 2 zeigt die Herstellung einer Leiterplatte gemäß einem Ausführungsbeispiel der Erfindung, wobei durch das Laserbohren an durch eine Kombination unterschiedlicher Transformationen bestimmten Bohrpositionen eine zuverlässige Kontaktierung zwischen verschiedenen Leiterbahnstrukturen erreicht wird.FIG. 2 shows the manufacture of a printed circuit board according to an exemplary embodiment of the invention, reliable drilling of different interconnect structures being achieved by laser drilling at drilling positions determined by a combination of different transformations.
An dieser Stelle bleibt anzumerken, dass sich in der Zeichnung die Bezugszeichen einander entsprechender Elemente lediglich in ihrer ersten Ziffer unterscheiden.At this point it should be noted that in the drawing the reference numerals of corresponding elements differ only in their first digit.
Die Figuren la und lb illustrieren die Herstellung einer schichtweise aufgebauten Leiterplatte 100 gemäß dem Stand der Technik. Der Aufbau der Leiterplatte 100 beginnt mit einer ersten Schicht 110, auf welcher vier Markierungen 111 aufgebracht sind. Die Positionen dieser Markierungen werden vermessen und aus den Abweichungen von den Ist-Positionen zu den jeweiligen Soll-Positionen wird eine Transformation gemäß Gleichung 1 bestimmt, mittels welcher der Verzug für sämtli- ehe Gitterpunkte der ersten Schicht 110 bestimmt wird. Dieser Verzug ist im allgemeinen für sämtliche Gitterpunkte sehr gut ermittelbar.Figures la and lb illustrate the production of a layered printed circuit board 100 according to the prior art. The construction of the printed circuit board 100 begins with a first layer 110, on which four markings 111 are applied. The positions of these markings are measured and a transformation according to equation 1 is determined from the deviations from the actual positions to the respective desired positions, by means of which the distortion is determined for all grid points of the first layer 110. This delay can generally be determined very well for all grid points.
Die auf der ersten Schicht 110 ausgebildete Leiterbahnstruk- tur weist gemäß dem hier dargestellten Ausführungsbeispiel insgesamt sechs erste Anschlussflächen 112 auf, welche in zwei Gruppen mit je drei ersten Anschlussflächen 112 aufge- teilt sind. Die Anschlussflächen 112 von jeder der beiden Gruppen sind durch zwei erste Leiterbahnen 113 miteinander verbunden .According to the exemplary embodiment shown here, the conductor track structure formed on the first layer 110 has a total of six first connection areas 112, which are arranged in two groups with three first connection areas 112 each. are divided. The connection areas 112 of each of the two groups are connected to one another by two first conductor tracks 113.
Da der Verzug von jedem Gitterpunkt der ersten Schicht 110 bei Anwendung von Gleichung 1 sehr gut berechnet werden kann, kann durch eine entsprechende Ansteuerung einer nicht dargestellten Laserbohrmaschine die erste Schicht 110 derart gebohrt werden, dass die Bohrungen 114, 114a im wesentlichen in der Mitte der dargestellten ersten Anschlussflächen 112 angebracht werden. Somit wird der Verzug der ersten Schicht 110 durch eine gezielte Wahl der Bohrpositionen nahezu optimal kompensiert.Since the distortion of each lattice point of the first layer 110 can be calculated very well using equation 1, the first layer 110 can be drilled in such a way that the holes 114, 114a are essentially in the middle of the hole by a corresponding control of a laser drilling machine, not shown First connection surfaces 112 shown are attached. The distortion of the first layer 110 is thus almost optimally compensated for by a targeted selection of the drilling positions.
Nachfolgend wird eine zweite Schicht 120 auf die ersteSubsequently, a second layer 120 is applied to the first
Schicht aufgetragen, wobei die erste Schicht 110 und die zweite Schicht 120 durch eine nicht dargestellte Isolationsschicht voneinander getrennt sind. Gemäß dem hier dargestellten Ausführungsbeispiel weist die zweite Schicht 120 insge- samt zwölf Anschlussflächen 122, 122a auf, welche gemeinsammit den zweiten Leiterbahnen 123 die Leiterbahnstruktur der zweiten Schicht 120 darstellen. Für den Aufbau dieser Leiterbahnstruktur wird ein nicht dargestelltes Belichtungs erfahren verwendet, bei dem eine Belichtungsmaske eingesetzt wird, bei welcher zwar die Dehnung bzw. Schrumpfung frei gewählt werden kann, die Eckenbereiche der Maske jedoch durch einen 90° Winkel fest vorgegeben sind. Somit kann die zweite Schicht 120 lediglich durch eine Verschiebung 130, eine Drehung 131 sowie durch eine nicht dargestellte Dehnung bzw. Schrumpfung der für die Belichtung verwendeten Maske an die Leiterbahnstruktur der ersten Schicht 110 angepasst werden. Dies hat zur Folge, dass insbesondere die Bohrungen 114a nur den Außenbereich der Anschlussflächen 122a treffen und somit nur ein schlechter oder gar ein unterbrochener Kontakt zwi- sehen den gegeneinander verschoben angeordneten Anschlussflächen 112 und 122a ausgebildet wird. Es wird darauf hingewiesen, dass in Anbetracht der mit modernen Laserbohrmaschinen möglichen kleinen Kontaktierungslö- chern bereits ein geringer Unterschied zwischen dem ungewollten ersten Verzug der ersten Schicht 110 und dem gewollten zweiten Verzug der zweiten Schicht 120 zu einem so großen Versatz zwischen zu kontaktierenden Anschlussflächen führen kann, dass eine Kontaktierung senkrecht zur Schichtebene nicht mehr möglich ist.Layer applied, wherein the first layer 110 and the second layer 120 are separated from each other by an insulation layer, not shown. According to the exemplary embodiment shown here, the second layer 120 has a total of twelve connection areas 122, 122a which, together with the second conductor tracks 123, represent the conductor track structure of the second layer 120. For the construction of this conductor track structure an exposure, not shown, is used, in which an exposure mask is used, in which the expansion or shrinkage can be freely selected, but the corner regions of the mask are, however, predetermined by a 90 ° angle. The second layer 120 can thus be adapted to the conductor track structure of the first layer 110 only by means of a displacement 130, a rotation 131 and an expansion or contraction (not shown) of the mask used for the exposure. The consequence of this is that, in particular, the bores 114a only meet the outer region of the connection surfaces 122a and thus only poor or even an interrupted contact is formed between the connection surfaces 112 and 122a, which are displaced relative to one another. It is pointed out that, in view of the small contact holes that are possible with modern laser drilling machines, even a slight difference between the unwanted first warping of the first layer 110 and the desired second warping of the second layer 120 can lead to such a large offset between contact surfaces to be contacted that contact perpendicular to the layer level is no longer possible.
Die Figuren 2a und 2b zeigen einen Herstellungsprozess einer schichtweise aufgebauten Leiterplatte gemäß einem derzeit bevorzugten Ausführungsbeispiel der Erfindung. Dieser Herstellungsprozess unterscheidet sich von dem bekannten in Figur la und lb dargestellten Herstellungsprozess dadurch, dass die Bohrpositionen 214, 214a nicht lediglich auf dieFigures 2a and 2b show a manufacturing process of a layered printed circuit board according to a currently preferred embodiment of the invention. This manufacturing process differs from the known manufacturing process shown in FIGS. 1a and 1b in that the drilling positions 214, 214a are not only based on the
Anschlussflächen 212 der ersten Schicht 210 optimiert werden. Vielmehr wird bei der Wahl der Bohrpositionen zusätzlich auch die beschränkten Verzugsmöglichkeiten der zweiten Schicht 220 berücksichtigt. In dem hier dargestellten Ausführungsbeispiel werden die durch die Orthogonalität der Belichtungsmaske begrenzten Verzugsmöglichkeiten der zweiten Schicht 220 bereits bei der Wahl der Bohrpositionen 214, 214a berücksichtigt. Dies bedeutet, dass bei der Wahl der Bohrpositionen 214, 214a bewusst auf eine optimale Zentrierung relativ zu den Anschlussflächen 212 verzichtet wird. Dieser im allgemeinen nur scheinbare Nachteil wird auf jeden Fall durch einen besseren Überlapp der Anschlussflächen 222, 222a der zweiten Schicht 220 mit den Bohrungen 214, 214a mehr als ausgeglichen.Pads 212 of the first layer 210 can be optimized. Rather, when selecting the drilling positions, the limited warping options of the second layer 220 are also taken into account. In the exemplary embodiment shown here, the warping possibilities of the second layer 220, which are limited by the orthogonality of the exposure mask, are already taken into account when selecting the drilling positions 214, 214a. This means that when selecting the drilling positions 214, 214a, optimal centering relative to the connection surfaces 212 is deliberately dispensed with. This disadvantage, which is generally only apparent, is more than compensated for in any case by a better overlap of the connection areas 222, 222a of the second layer 220 with the bores 214, 214a.
Für die Bestimmung der im allgemeinen nicht zentrisch zu den Anschlussflächen 212 angeordneten Bohrungen 214 und insbesondere der Bohrungen 214a wird eine Gesamttransformation G verwendet, welche durch folgende Gleichung 2 beschrieben wird:
Figure imgf000012_0001
An overall transformation G, which is described by the following equation 2, is used to determine the bores 214, which are generally not arranged centrally to the connection surfaces 212, and in particular the bores 214a:
Figure imgf000012_0001
Dabei ist FTrans I eine Transformation, bei der die oben beschriebenen Transformationsparameter ai ,a2, bi, b2, Ci, c2, di und d2 verwendet werden. Die Orthogonalität der Belichtungsmaske wird in FTrans 2 dadurch berücksichtigt, dass diese Transformation lediglich die Transformationsparameter ai ,a2, bα, b2, ci und c2 aufweist. Die Gesamttransformation G bestimmt sich aus einer gewichteten Kombination der beiden Transformationen FTrans j. und Frans iι wobei der Gewichtungsfak- tor z zwischen 0 und 1 gewählt werden kann. Ein Gewichtungsfaktor von z = 1 bedeutet eine Abarbeitung des Herstellungsprozesses nach lediglich der orthogonalen Transformation Fτrans 2- Wählt man die Gewichtungsfaktor z = 0, so bedeutet dies eine Abarbeitung lediglich nach dem Algorithmus FTrans ι- Für z = 0,5 werden bei der Gesamttransformation G beide Transformationen FTrans I und Frans 2 gleich stark gewichtet.F Tr ans I is a transformation in which the transformation parameters ai, a 2 , bi, b 2 , Ci, c 2 , di and d 2 described above are used. The orthogonality of the exposure mask is taken into account in F Trans 2 in that this transformation only has the transformation parameters ai, a 2 , bα, b 2 , ci and c 2 . The total transformation G is determined from a weighted combination of the two transformations F Trans j. and F r ans i ι where the weighting factor z can be chosen between 0 and 1. A weighting factor of z = 1 means processing the manufacturing process after only the orthogonal transformation Fτ r ans 2- Selecting the weighting factor z = 0 means processing only according to the algorithm F Tr ans ι- for z = 0.5 for the total transformation G, both transformations F Tra ns I and F r ans 2 weighted equally.
Eine optimale Ausbeute an zuverlässig kontaktierten An- öehlussflächen erhält man dann, wenn man den Gewichtungsfak- tor z entsprechend der folgenden Gleichung 3 bestimmt:An optimal yield of reliably contacted oiling surfaces can be obtained if the weighting factor z is determined according to the following equation 3:
Toleranz Schicht1 Z - - Toleranz Schicht1+ Toleranz Schicht 2Tolerance Layer1 Z - - Tolerance Layer1 + Tolerance Layer 2
Dabei werden die Toleranzen von Schicht 1 bzw. Schicht 2 durch die Größe der jeweiligen Anschlussflächen in Schicht 1 bzw. Schicht 2 bestimmt. So ergibt sich beispielsweise bei im Vergleich zu den Anschlussflächen in der zweiten Schicht 2 sehr großflächigen Anschlussflächen in der ersten Schicht 1 ein Wert von z, der nur unwesentlich kleiner als 1 ist. Dies bedeutet, dass die Gesamttransformation hauptsächlich durch die Transformation FTrans 2 bestimmt wird.The tolerances of layer 1 or layer 2 are determined by the size of the respective connection areas in layer 1 or layer 2. For example, in the case of very large-area connection areas in the first layer 1 in comparison with the connection areas in the second layer 2, a value of z is obtained which is only insignificantly smaller than 1. This means that the overall transformation is mainly determined by the transformation F Trans 2 .
Zusammenfassend bleibt festzustellen: Die Erfindung schafft ein Verfahren zum Herstellen von Substraten 200, welche durch aufeinanderfolgende flächige Prozessschritte mit einer ersten Schicht 210 und zumindest einer auf die erste Schicht 210 abgestimmten zweiten Schicht 220 hergestellt werden. Zunächst werden auf der ersten Schicht 210 mehrere Markierungen 211 vermessen und für jede Markierung 211 eine Abweichung der Ist-Position von der Soll-Position bestimmt. Aus diesen Abweichungen wird eine Transformation FTrans ι für die Positionsabweichungen von beliebigen Gitterpunkten der ersten Schicht 210 und eine Transformation FTrans 2 für mögliche Posi- tionsabweichungen von Gitterpunkten der zweiten Schicht 220 bestimmt. Bei der Bestimmung der Transformation FTrans 2 werden vorbekannte Randbedingungen für ein mögliches Verhalten des Verzuges der zweiten Schicht berücksichtigt. Beim nachfolgendem Bearbeiten der zweiten Schicht 220 wird eine kombinierte Transformation aus den beiden zuvor bestimmten Transformationen FTrans ι und FTrans 2 berücksichtigt . Dadurch kann trotz unterschiedlicher Verzüge der beiden Schichten 210, 220 eine zuverlässige Kontaktierung von Leiterbahnen gewährleistet werden, so dass bei der Herstellung von mehrschichtigen Leiterplatten ein geringer Ausschuss an defekten Leiterplatten erzeugt wird. In summary, it can be stated: The invention creates a method for producing substrates 200, which by successive two-dimensional process steps with a first layer 210 and at least one second layer 220 matched to the first layer 210 are produced. First, a plurality of markings 211 are measured on the first layer 210 and a deviation of the actual position from the target position is determined for each marking 211. From these deviations, a transformation F Trans ι is determined for the position deviations of any grid points of the first layer 210 and a transformation F Trans 2 for possible position deviations of grid points of the second layer 220. When determining the transformation F Tran s 2 , known boundary conditions for a possible behavior of the distortion of the second layer are taken into account. When the second layer 220 is subsequently processed, a combined transformation from the two previously determined transformations F Tra ns ι and F Tran s 2 is taken into account. In this way, despite different warping of the two layers 210, 220, reliable contacting of conductor tracks can be ensured, so that a small amount of defective printed circuit boards is generated in the production of multilayer printed circuit boards.
BezugszeichenlisteLIST OF REFERENCE NUMBERS
100 Leiterplatte 110 erste Schicht 111 Markierung 112 erste Anschlussfläche 113 erste Leiterbahn 114 Bohrung 114a Bohrung 120 zweite Schicht 122 zweite Anschlussfläche 122a schlecht kontaktierte Anschlussfläche 123 zweite Leiterbahn 130 Verschiebung 131 Drehung100 printed circuit board 110 first layer 111 marking 112 first connection surface 113 first conductor track 114 bore 114a bore 120 second layer 122 second connection surface 122a poorly contacted connection surface 123 second conductor track 130 displacement 131 rotation
200 Leiterplatte 210 erste Schicht 211 Markierung 212 erste Anschlussfläche 213 Leiterbahn 214 Bohrung 214a nicht zentrische Bohrung 220 zweite Schicht 222 zweite Ans chluss fläche 222a sicher kontaktierte Anschlussfläche 223 Leiterbahn 230 Verschiebung 231 Drehung 200 circuit board 210 first layer 211 marking 212 first connection area 213 conductor track 214 hole 214a off-center hole 220 second layer 222 second connection area 222a securely contacted connection area 223 conductor track 230 displacement 231 rotation

Claims

Patentansprüche claims
1. Verfahren zum Herstellen von Substraten (200), welche durch aufeinanderfolgende flächige Prozessschritte mit einer ersten Schicht (210) und zumindest einer auf die erste1. A method for producing substrates (200), which is carried out by successive two-dimensional process steps with a first layer (210) and at least one on the first
Schicht (210) abgestimmten zweiten Schicht (220) hergestellt werden, bei demLayer (210) matched second layer (220) are produced, in which
• auf der ersten Schicht (210) eine Mehrzahl von auf der ersten Schicht (210) aufgebrachten Markierungen (211) ver- messen wird,A plurality of markings (211) applied on the first layer (210) are measured on the first layer (210),
• für jede Markierung (211) eine Abweichung der Ist-Position von einer vorbekannten Soll-Position bestimmt wird, welche von einem Layout-Design der ersten Schicht (210) vorgegeben ist, • aus den zuvor bestimmten Abweichungen eine erste Transformation für die Bestimmung der Positionsabweichungen von beliebigen Gitterpunkten der ersten Schicht (210) bestimmt wird,• for each marking (211) a deviation of the actual position from a previously known target position is determined, which is predetermined by a layout design of the first layer (210), • a first transformation for the determination of the from the previously determined deviations Positional deviations from any lattice points of the first layer (210) are determined,
• aus den zuvor bestimmten Abweichungen eine zweite Transfor- mation für mögliche Positionsabweichungen von Gitterpunkten der zweiten Schicht (220) bestimmt wird, wobei bei der Bestimmung der zweiten Transformation vorbekannte Randbedingungen für ein Verhalten des Verzuges der zweiten Schicht berücksichtigt werden, • die beiden Transformationen miteinander kombiniert werden, undA second transformation for possible positional deviations of lattice points of the second layer (220) is determined from the previously determined deviations, with previously known boundary conditions for behavior of the distortion of the second layer being taken into account when determining the second transformation, • the two transformations with one another can be combined, and
• die erste Schicht (210) unter Berücksichtigung der kombinierten Transformation bearbeitet wird.• the first layer (210) is processed taking into account the combined transformation.
2. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem bei der Bearbeitung der ersten Schicht (210) Löcher (214, 214a) durch die erste Schicht (210) gebohrt werden.2. The method of claim 1, wherein holes (214, 214a) are drilled through the first layer (210) during processing of the first layer (210).
3. Verfahren nach Anspruch 2, bei dem die Löcher (214, 214a) mittels Laserstrahlen gebohrt werden.3. The method of claim 2, wherein the holes (214, 214a) are drilled using laser beams.
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, bei dem eine Zwischenschicht zwischen den beiden Schichten (210, 220) ausgebildet wird.4. The method according to any one of claims 1 to 3, in which an intermediate layer is formed between the two layers (210, 220).
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, bei dem zwei, drei oder zumindest vier Markierungen (211) vermessen werden.5. The method according to any one of claims 1 to 4, in which two, three or at least four markings (211) are measured.
6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, bei dem die vorbekannten Randbedingungen für mögliche Positionsabwei- chungen von Gitterpunkten der zweiten Schicht (220) darin bestehen, dass eine Scherung der zweiten Schicht ausgeschlossen ist.6. The method according to any one of claims 1 to 5, in which the previously known boundary conditions for possible position deviations of grid points of the second layer (220) consist in the fact that shear of the second layer is excluded.
7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, bei dem als Kombination eine gewichtete Überlagerung der beiden7. The method according to any one of claims 1 to 6, in which a weighted superposition of the two as a combination
Transformationen verwendet wird, wobei sich ein entsprechender Gewichtungsfaktor aus den flächigen Abmessungen der ausgewählten Bereichen der beiden Schichten (210, 220) ergibt.Transformations is used, with a corresponding weighting factor resulting from the flat dimensions of the selected areas of the two layers (210, 220).
8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, bei dem .... die ausgewählten Bereiche Anschlussflächen (212, 222, 222a) zur Kontaktierung der ersten Schicht (210) mit der zweiten Schicht (220) sind. 8. The method according to any one of claims 1 to 7, wherein the ... , the selected areas are connection areas (212, 222, 222a) for contacting the first layer (210) with the second layer (220).
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