WO2005038825A1 - Varnish for insulating film and insulating film - Google Patents

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WO2005038825A1
WO2005038825A1 PCT/JP2004/015212 JP2004015212W WO2005038825A1 WO 2005038825 A1 WO2005038825 A1 WO 2005038825A1 JP 2004015212 W JP2004015212 W JP 2004015212W WO 2005038825 A1 WO2005038825 A1 WO 2005038825A1
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formula
group
acid
insulating film
varnish
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PCT/JP2004/015212
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French (fr)
Japanese (ja)
Inventor
Masahiro Tada
Mitsumoto Murayama
Original Assignee
Sumitomo Bakelite Company, Ltd.
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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09DCOATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D179/00Coating compositions based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing nitrogen, with or without oxygen, or carbon only, not provided for in groups C09D161/00 - C09D177/00
    • C09D179/04Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain; Polyhydrazides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01BCABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B3/00Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties
    • H01B3/18Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of organic substances
    • H01B3/30Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of organic substances plastics; resins; waxes
    • H01B3/303Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups H01B3/38 or H01B3/302
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104Forming layers
    • H01L21/02107Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02118Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer carbon based polymeric organic or inorganic material, e.g. polyimides, poly cyclobutene or PVC
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/22Secondary treatment of printed circuits
    • H05K3/28Applying non-metallic protective coatings
    • H05K3/285Permanent coating compositions
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/46Manufacturing multilayer circuits
    • H05K3/4644Manufacturing multilayer circuits by building the multilayer layer by layer, i.e. build-up multilayer circuits
    • H05K3/4673Application methods or materials of intermediate insulating layers not specially adapted to any one of the previous methods of adding a circuit layer
    • H05K3/4676Single layer compositions

Definitions

  • the present invention relates to a varnish for an insulating film and an insulating film.
  • polybenzoxazole resin that exhibits better performance in terms of heat resistance, water absorption, and electrical properties than a polyimide resin, and its application to various fields has been attempted.
  • those having a structure consisting of 4,4,1-diamino-13,3'-dihydroxybiphenyl and terephthalanolic acid, consisting of 2,2-bis (3-amino-4-hydroxyphenylinoxy) hexafluoropropane and terephthalanolic acid Polybenzoxazole resin having a structure.
  • Polybenzoxazole resins having a structure consisting of 4,4, diamino-1,3,3, dihydroxybiphenyl and terephthalic acid show excellent heat resistance, but their electrical properties such as dielectric constant are not sufficient.
  • the introduction of fluorine into the polymer improves the electrical properties, but lowers the heat resistance and raises concerns about the generation of fluorine-based gas, which is a corrosive gas. — See No.
  • has a problem in that the insulating film peels off due to the shearing force in the CMP process, so semiconductor applications such as interlayer insulating films, etching stopper films, and adhesion-imparting films (primer layers)
  • semiconductor applications such as interlayer insulating films, etching stopper films, and adhesion-imparting films (primer layers)
  • it is required to have high level and high adhesion to the inorganic material produced by chemical vapor deposition / sputtering method and to the heterogeneous interface with the wiring metal.
  • An object of the present invention is to provide a varnish for an insulating film which provides a film excellent in all of electrical characteristics, thermal characteristics and physical characteristics, and particularly excellent in heat resistance and adhesion, and an insulating film using the same. .
  • Benzoxazole resin does not contain fluorine in the resin structure, has high heat resistance, and is synthesized from a monomer having a bulky structure, so that the resin can be highly formed without forming micropores in the resin.
  • Low dielectric constant characteristics without lowering the heat resistance, and by reducing the oxygen element ratio in the resin to a specific range, the heat resistance and the low dielectric constant characteristics are reduced. Without doing so, it was found that an insulating film having higher adhesion could be obtained, and further improvement studies were advanced, and the present invention was completed.
  • the present invention mainly comprises (A) a polybenzoxazole resin precursor obtainable by reacting a bisaminophenol compound represented by the formula (1) with a dicarboxylic acid compound represented by the formula (4).
  • a varnish for an insulating film characterized by comprising a polymer having a structure, and (B) an organic solvent capable of dissolving or dispersing the knitted polymer (A).
  • [In the formula (2) represents a divalent group selected from the groups represented by the formula (3), and on the benzene ring of the group represented by the formulas (2) and (3).
  • Equation (4) Y is represented by Equation (5) — 1 and Equation (5) 1-2, Equation (6), Equation (7), Equation (8), Equation (9) ⁇ and Equation (10). It represents a divalent group selected from the groups represented. ]
  • the hydrogen atom on the carbon ring of the group represented by the formula (6), the formula (7), the formula (8), the formula (9), and the formula (10) is a methyl group, an ethyl group, a propyl group, It is substituted with a monovalent organic group selected from isopropyl, butyl, isobutyl, t-butynole, cyclohexyl, pheninole, trimethinolesilyl and triethylsilyl groups. Is also good.
  • R represents a monovalent organic group.
  • the bisaminophenol conjugate represented by the formula (1) is preferably a compound having a fluorene skeleton.
  • Compounds having a fluorene skeleton represented by the formula (1) include 9,9-bis [4- (4-amino-3-hydroxy) phenoxypheninole] phthalene / 9,9-bis (3 —Amino-4-hydroxyphenoleno) funolelene, more preferably 9,9-bis [2-methinole-5-cyclohexyl-4- (4-amino-3-hydroxy) phenoxyphenyl] fluorene, and others.
  • Examples of the bisaminophenol compound represented by the above formula (1) include 2,2-bis [3-cyclohexyl 4- (4-amino-3-hydroxy) phenoxyphenyl / propane] and 1,1-bis [3-cyclohexyl ⁇ -4- (4-amino-3-hydroxy) phenoxyphenyl] cyclohexane is preferred.
  • represents a divalent group selected from the groups represented by the formulas (5) -1 and (5) -2 and the formula (6). And preferably has a divalent group selected from the groups represented by formulas (7), (8), (9) and (10). Is preferred.
  • includes the groups represented by Formula (5) -1 and Formula (5) -12 and Formula (6), the adhesiveness becomes When the group represented by the formulas (7) to (10) is included, heat resistance such as a glass transition temperature and a modulus of elasticity during heating can be improved.
  • a terminal blocking compound represented by the formula (11) the heat resistance of the polybenzoxazole resin precursor can be improved, and the storage stability of the insulating film varnish can be improved.
  • R represents a monovalent organic group.
  • the polybenzoxazole resin precursor obtained by reacting the bisaminophenol compound represented by the formula (1) with the dicarboxylic acid compound represented by the formula (4) is a 5- to 5-part polybenzoxazole resin precursor. It is preferable to have an oxygen element ratio of 10 mol%. Thereby, an insulating film having higher adhesion can be obtained without lowering the heat resistance and the low dielectric constant characteristics.
  • the polybenzoxazole resin precursor used in the present invention is prepared from a bisaminophenol compound represented by the formula (1) and a dicarboxylic acid compound represented by the formula (4) by a conventional acid chloride method and an active ester method.
  • Method a synthesis method by a condensation reaction in the presence of a dehydrating condensing agent such as dicyclohexylcarbodiimide polyphosphate and the like.
  • a reaction mole of a bisaminophenol compound (M mole) represented by the formula (1) and a dicarboxylic acid (N mole) represented by the formula (4) is not particularly limited, but is preferably in the range of 0.5 to 2.0, more preferably in the range of 1.0 to 1.2.
  • M / N bisaminophenol compound
  • N mole dicarboxylic acid
  • the ratio (M / N) is not particularly limited, but is preferably in the range of 0.5 to 2.0, more preferably in the range of 1.0 to 1.2.
  • Examples of the bisaminophenol compound represented by the formula (1) used in the present invention include, for example, 2,4-diaminoresorcinol, 2,4-diaminol 3-methylresorcinol, 4,6-diaminoresorcinol, , 6-diaminol 2-methylresorcinol, 2,2-bis (3-amino-4-hydroxy-7-nore) propane, 2,2-bis (3-amino-4-hydroxy-2-methylphenyl) propane, 2,2-bis (4-amino-3-hydroxyhydrinole) propane, 2,2-bis (4-amino-3-hydroxy-1-2-methynolephene) propane, 2,2-bis [3-cyclo Hexyl-1- (4-amino-3-hydroxy) phenoxyphene-propane, bis (3-amino-14-hydroxyphenolene) snorefone, bis (3-amino-1-hydroxy-2-methinolefe) Re) Snorefon, bis (4-amino-3-hydroxyhydrin
  • the dicarboxylic acid compound represented by the formula (4) used in the present invention is represented by the formula (5) 1, having a divalent group selected from the groups represented by formula (5) — 2, formula (6), formula (7), formula (8), formula (9), and formula (10)
  • the monovalent group R in the above formula (8) includes an alkyl group such as a methyl group, an ethyl group, an 'isopropyl group and a t-butyl group, and a group selected from a phenyl group and the like.
  • dicarboxylic acid compound represented by the formula (4) as the dicarboxylic acid compound having a divalent group represented by the formula (5) -1 and the formula (5) -2 as Y, for example, isophthalic acid , 4-methylisophthalic acid, 4-phenylenediisophthalenoic acid, 4_t-butylisophthalic acid, 4-trimethylsilylisophthalic acid, 4-adamantylisophthalic acid, 5-methylisophthalanolic acid, 5-phenylisolantanoleic acid, 5-t-butylisophthalic acid, 5-trimethylsilylisophthalanoic acid, 5-adamantinoleisophthalic acid, terephthalanolic acid, 2-methylinoterephthalic acid,
  • isophthalic acid 5-methylisophthalic acid, 5-phenylisophthalic acid, 5-t-butylisophthalic acid, 5-trimethylsilylisophthalanoic acid, 5-adamantinoleisophthalic acid, 4,4'-oxybis Benzoic acid, 4,4'-sulfonylbisbenzoic acid, 9,9-bis [4- (4-carboxyphenoxy) phenyl] furylene are preferred. These can be used alone or in combination of two or more.
  • Y represents the formula (
  • Examples of the dicarboxylic acid compound having a divalent group represented by 6) include, for example, 1,3-adamantanedicarboxylic acid, 2,5-dimethyladamantane_1,3-dicarboxylic acid, and 2,5-diphenyl ⁇ / Adamantane-1,3-dicarboxylic acid, 2,5-bis (t-butynole) adamantane-1,3-dicarboxylic acid, etc.
  • the power is not limited to these.
  • 1,3-adamantane dicarboxylic acid is preferred. These can be used alone or in combination of two or more.
  • Y represents the formula (
  • dicarboxylic acid compound having a divalent group represented by 7) examples include, for example, 3-ethini Luphthalenic acid, 4-ethynylphthalic acid, 2-ethynylisophthalic acid, 4-ethynylisophthalic acid, 5-ethynylisophthalanolic acid, 2-ethylurethanephthalic acid, 3-ethynylterephthalic acid, 5-ethynylterephthalic acid , 2-Ethynyl-1,5-naphthalenedicarboxylic acid, 3-ethynyl-1,5-naphthalenedicarboxylic acid, 4-ethynyl-1,5_naphthalenedicarboxylic acid, 1-ethynyl 2,6-naphthalenedicarboxylic acid , 3-ethynyl -2,6-naphthalenedicarboxylic acid, 4-ethyninolee 2,6-naphthalenedicar
  • 2-ethynyl isophthalic acid 4-ethyl isophthalic acid, 5-ethyl isophthalenoleic acid, 2,2-bis (4-carboxy-1-2-ethynylphenyl) propane, 2,2-bis (4-1 Carboxy-3-ethynylphenyl) propane is preferred. These may be used alone or in combination of two or more. Can be used.
  • examples of the dicarboxylic acid compound having a divalent group represented by the formula (8) as Y in the dicarboxylic acid compound represented by the formula (4) include, for example, , 3-phenylethynyl phthalic acid, 4-phenylethynyl phthalic acid, 2-phenyl ethynyl isophthalic acid, 4-phenyl / ethynyl isophthalic acid, 5-phenyl ethynyl isophthalanolic acid, 2 —Funelecetir terephthalenoleic acid, 3—Fuelechulterephthalinoleic acid, 2-Feninoleetininoleic acid 1,5,1-Naphthalenedicanoleponic acid, 3-Fenylechelel-1,5-Naphthalenediolenoic acid 1,4-phenylenetinol 1,5-naphthalenedi
  • Examples of the dicarboxylic acid compound represented by the formula (4) in which Y is Y and R in the dicarboxylic acid compound having a divalent group represented by the formula (8) is an alkyl group include: 3-hexylphthalanol Acid, 4-hexyl phthalic acid, 2-hexynyl isophthalic acid, 4-hexyl isophthalic acid, 5-hexyl isophthalanolic acid, 2-hexynyl terephthalic acid, 3-hexynyl terephthalic acid, 2- Hexchel 1,5-naphthalenedicarboxylic acid, 3-hexinolene 1,5-naphthalenedicarboxylic acid, 4-hexinolene 1,5-naphthalenedicarboxylic acid, 1-hexinolene 2,6-naphthalenedicarboxylic acid, 3 1-hexynyl _ 2,6-naphthalenedicarboxylic acid, 4-hexynyl-1,2,6-naphthal
  • R is more preferably a phenyl group, and furthermore, 2-phenylethyleisophthalic acid, 4-phenylethynylisophthalenoleic acid, 5-phenylethynylisophthalic acid, 2,2-bis Preferred are (4-carboxy-1-phenylenethynylphenyl) propane and 2,2-bis (4-potassyl-3-phenyl / ethynylphenyl) propane. These can be used alone or in combination of two or more.
  • Y represents the formula (
  • Examples of the dicarboxylic acid compound having a divalent group represented by 9) include, for example, 1,2-biphenylenediene / levonic acid, 1,3-biphenylenediene / reponic acid, and 1,4-biphenylenediate Nolevonic acid, 1,5-biphenylenedicarboxylic acid, 1,6-biphenylenedicarboxylic acid, 1,7-biphenylenedicarboxylic acid ⁇ ⁇ Bonic acid, 1,8-biphenylenedicarboxylic acid, 2, Examples include 3-biphenylenedicanoleponic acid, 2,6-biphenylenediolenoic acid, 2,7-biphenylenediolenoic acid, and the like. Benedicarboxylic acid and 2,7-biphenylenedicarboxylic acid are particularly preferred. These can be used alone or in combination of two or more.
  • Y represents the formula (
  • Examples of the dicarboxylic acid compound having a divalent group represented by 10) include, for example, 4,4, transdicarboxylic acid, 3,4′-trandicarboxylic acid, 3,3′_trandicarboxylic acid, , 4'-Transdicarboxylic acid, 2,3'-transdicarboxylic acid, 2,2,1-transdicarboxylic acid, and the like. These can be used alone or in combination of two or more.
  • the dicarboxylic acid compound used in the present invention can be used in combination of two or more kinds.
  • a compound represented by the formula (5) -1 and the formula (5) -12 and the formula (6) A divalent group selected from groups represented by one or more groups selected from the groups represented by formulas (7), (8), (9) and (10) Can be used in combination.
  • the group represented by the formula (5) -1 and the formula (5) and the formula (6) is included, the adhesion is improved, and the group represented by the formula (7) to the formula (10) is included.
  • the heat resistance such as the glass transition ⁇ i and the elastic modulus when heated is improved.
  • a bisaminophenol compound and a dicarponic acid compound other than the bisaminophenol compound and the dicarponic acid compound may be used within a range that does not affect the properties of the insulating film of the present invention.
  • a resin terminal is used in order to improve the storage stability of a polybenzoxazole resin precursor and a varnish for an insulating film containing the same. It is preferable that the end capping compound is reacted to perform end capping.
  • the terminal blocking compound include: phthalic anhydride, phthalic anhydride such as 3-ethynyl-phthalic anhydride and 3-phthalene di-butanoic anhydride; and maleic anhydride and 5-norbornene-2.
  • Acid anhydrides such as, 3-dicarboxylic anhydride; benzoic acid compounds such as benzoic acid, 4-ethynylbenzoic acid, 3-ethynylbenzoic acid, 4-phenylmethynylbenzoic acid and 3-phenylbenzoic acid
  • Adamantyl carboxylic acid compounds such as 1-adamantyl carboxylic acid and 1-adamantyl ethynyl carboxylic acid
  • conjugates examples include a group having a carbon-carbon double bond such as maleic anhydride-5-norpolene-1,2,3-dicarboxylic anhydride, and a ethul group or a ferulethane group.
  • Compounds having a cross-linking group such as a group having a carbon-carbon triple bond such as a phenyl group are preferred.
  • Oxygen element ratio of polybenzoxazole O benzoxazole resin precursor used in the present invention is 5; preferably 1 0 mol%, 5.
  • an acid chloride to be used is prepared.
  • a catalyst such as N, N_dimethylformamide
  • a dicarboxylic acid compound represented by the formula (4) for example, isophthalic acid
  • chloridion thionyl is added at room temperature to 75 °
  • excess thionyl chloride is distilled off by heating and reduced pressure, and the residue is recrystallized with a solvent such as hexane to obtain isophthalic chloride.
  • a bisaminophenol compound represented by the formula (1) for example, 2,2-bis (3-amino-14-hydroxyphenyl) propane is usually treated with N-methyl-1-pyrrolidone, N, N —Dissolved in a polar solvent such as dimethylacetamide, and reacted with the previously prepared chloride compound of dicarboxylic acid in the presence of an acid acceptor such as triethylamine at room temperature at ⁇ 30 ° C.
  • an acid acceptor such as triethylamine
  • an acid sulfide compound of the terminal compound represented by the formula (11), for example, benzoic acid oxalate, prepared in advance in the same manner as the dicarboxylic acid compound, may be prepared by adding an acid acceptor such as triethylamine. By reacting at room temperature to ⁇ 30 ° C. in the presence of the agent, a polybenzoxazole resin precursor having a terminal capped can be obtained.
  • a dicarboxylic acid compound represented by the formula (4) By reacting the active ester compound with a bisaminophenol compound, a polybenzoxazole resin precursor can be obtained.
  • the varnish for an insulating film of the present invention generally comprises dissolving or dissolving the polybenzoxazole resin precursor obtained above in a solvent capable of dissolving or dispersing the polybenzoxazole resin precursor. It can be dispersed to obtain a varnish.
  • the solvent examples include N-methyl-1-pyrrolidone, ⁇ -butyrolactone, ⁇ , ⁇ -dimethylacetamide, dimethylsulfoxide, diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycolone retinoleatene, diethyleneglyconelebutyate / leeteneole, Propylene glycol monomethyl ether, dipropylene glycol monomethinole ether, propylene glycol monomethinole ether acetate, methylinole lactate, ethyl lactate, butyrate lactate, methyl 1,3-butylene glycol acetate, 1,3_ Butylene glycol-3 monomonomethyl ether, methyl pyruvate, ethyl pyruvate, methyl-3-methoxypropionate, cyclohexanone, etc., can be used alone or in combination of two or more. .
  • the amount of the solvent used is not particularly limited, but is generally preferably about 5 to 100
  • the varnish for an insulating film of the present invention may include a surfactant, a coupling agent, etc. as various additives, if necessary, to form an interlayer insulating film, a protective film, and an etching stopper film for a semiconductor. It can be used as an adhesion-imparting film, an interlayer insulating film of a multilayer circuit, a cover coat of a flexi-bonding board, a solder resist film, a liquid crystal alignment film and the like.
  • the insulating film of the present invention can be used as a photosensitive resin composition by using it together with a naphthoquinonediazide compound as a photosensitive agent.
  • the varnish for an insulating film of the present invention is applied to a suitable support, for example, a glass, metal, silicon wafer, ceramic substrate, or the like, to form a coating film.
  • a suitable support for example, a glass, metal, silicon wafer, ceramic substrate, or the like
  • the coating method include spin coating using a spinner, spray coating using a spray coater, dipping, printing, and roll coating.
  • the coating film thus obtained is subjected to a calo-heat treatment and converted into a resin by a dehydration condensation reaction to obtain an insulating film comprising a resin layer having a polybenzoxazole resin as a main structure. preferable.
  • Insulation according to the present invention is an interlayer insulating film for semiconductors, a protective film, an etching stopper film, an adhesion-imparting film, an interlayer insulating film for a hard mask multi-layer circuit, a flexipno, a cover coat for a coaxial board, a solder resist film, and a liquid crystal. It can be used for an alignment film or the like.
  • the measurement was performed at a measurement frequency of 1 MHz using a Hewlett-Packard anne HP-4284A Precision LCR meter.
  • a stud bin is attached vertically to the top surface of the resin film with an epoxy adhesive, and the stud bin is pulled perpendicular to the resin film using a Quadruple Sea V-type strength tester. (Stud pull strength) was measured.
  • Example 1 A stud bin is attached vertically to the top surface of the resin film with an epoxy adhesive, and the stud bin is pulled perpendicular to the resin film using a Quadruple Sea V-type strength tester. (Stud pull strength) was measured.
  • Example 1 9,25-bis [2-methyl-5-cyclohexyl-1- (4-amino-3-hydroxy) phenoxyphenyl] fluorene was added to 7.25 parts (lOmmol). Instead of using Example 2, except that 6.08 parts (1 Ommo 1) of 2,2-bis [3-cyclohexyl 4- (4-amino-13-hydroxy) phenoxyphenyl] propane was used instead. Similarly, a polybenzoxazole resin precursor having an oxygen element ratio of 5.2 mol% was synthesized. When the molecular weight was measured by GPC, the number average molecular weight (Mn) was 7.0 ⁇ 10 3 and the weight average molecular weight (Mw) was 1.36 ⁇ 10 4 in terms of polystyrene. Thereafter, a varnish was prepared in the same manner as in Example 1, and a resin film for an insulating film was prepared and evaluated.
  • Mn number average molecular weight
  • Mw weight average molecular weight
  • Example 1 9,9-bis [2-methyl-1-5-cyclohexyl-1- (4-amino-3-hydroxy) phenoxyphenyl] fluorene 7.25 parts (l Ommol) )
  • Example 1 except that 6.41 parts (1 Ommo 1) of 1,1-bis [3-cyclohexyl 4- (4-amino-13-hydroxy) phenoxycyclophenyl] cyclohexane was used.
  • a polybenzoxazole resin precursor having an oxygen element ratio of 5.2 mol% was synthesized.
  • Example 1 9,9-bis [2-methyl-1-5-cyclohexyl-1- (4-amino-3-hydroxy) phenoxyphenyl] fluorene 7.25 parts (1 Ommo 1 ) was replaced by 5.65 parts (10 mmo 1) of 9,9-bis [4- (4-amino-13-hydroxy) phenoxypheninole] funolene, all in the same manner as in Example 1.
  • a polybenzoxazole resin precursor having an oxygen element ratio of 6.3 mol% was synthesized.
  • Mn number average molecular weight
  • Mw weight average molecular weight
  • Example 1 9.25 parts (1 Ommo 1) were replaced with 9,9-bis [2-methynole-5-cyclohexyl 4- (4-amino-3-hydroxy) phenoxyphenyl] fluorene. 4,9,9-Bis (3-amino-4-hydroxyphenyl) fluorene 3.80 parts (10 mmo 1) were replaced with 2.46 parts (9.5 mmo 1) of 5-t-butyl isophthalic dichloride solid, and 4,4 Except for using 2.80 parts (9.5 mmo 1) of solid, monooxybisbenzoic acid dichloride, all in the same manner as in Example 1 and the oxygen element ratio was 6.9 mol. / 0 A polybenzoxazole resin precursor was synthesized.
  • the molecular weight was measured by GPC, the number average molecular weight in terms of polystyrene (Mn) is 8.0 XI 0 3, weight average molecular weight (Mw) of 1.80 X 10 4. Thereafter, a varnish was prepared in the same manner as in Example 1, and a resin film for an insulating film was prepared and evaluated.
  • Example 1 2.46 parts of solid of 5-t-butylisophthalic acid dichloride (9. 5 mmo 1) was replaced with 1,3-adamantane dicarboxylic chloride solid, 2.03 parts (9.5 mm ⁇ 1) in the same manner as in Example 1 except that the oxygen element ratio was 5.6 mol%.
  • a polybenzoxazole resin precursor was synthesized. The molecular weight was measured by GPC, the number average molecular weight in polystyrene bell (Mn) is 4.0X 10 3, a weight average molecular weight (Mw) of 1.25 X 10 4. Thereafter, a glass was prepared in the same manner as in Example 1, and a resin film for an insulating film was prepared and evaluated.
  • Example 1 instead of 2.46 parts (9.5 mmo 1) of 5_t-butyl isophthalic acid dichloride solid, 2.88 parts (9.5 mm mm) of solid of 5-ferruetinyl isophthalanolic acid chloride was used. Except for using o 1), the same procedure as in Example 1 was carried out except that the oxygen element ratio was 5.8 mol 0 /. The synthesis of a polybenzoxazole resin precursor was performed. When the molecular weight was measured by GPC, polystyrene had a number average molecular weight (Mn) of 6.0 ⁇ 10 3 and a weight average molecular weight ( Mw ) of 1.31 ⁇ 10 4 . Thereafter, a varnish was prepared in the same manner as in Example 1, and a resin film for an insulating film was prepared and evaluated.
  • Mn number average molecular weight
  • Mw weight average molecular weight
  • Example 1 9,9-bis [2-methyl-1-5-cyclohexyl-1- (4-amino-3-hydroxy) phenoxyphenyl] fluorene 7.25 parts (1 Ommo 1 ) Is replaced by 3.80 parts (10 mm o 1) of 9,9-bis (3-amino-4-pidroxyphenyl) fluorene and 2.46 parts (9.5 mm) of 5-t-butylisophthalic acid dichloride solid o
  • the oxygen element ratio was 5.8 mol%.
  • a certain polybenzoxazole resin precursor was synthesized.
  • Example 1 9,9-bis [2-methynoleic 5-hexylhexyl 4- (4-amino-3-hydroxy) phenoxypheninole] funolelene 7.25 parts (lOmmol) was replaced with 9,9-bis Monobis [4 -— (4-amino-3-hydroxy) phenoxypheninole] funolelene 5.65 parts (1 Ommo 1) is replaced with 2.46 parts (9.5 mmo 1) of 5-t-butylisophthalic acid dichloride solid, and 5.17 parts (9.5 mmo 1) of 5-ethynyl-isophthalenoyl chloride solid Except for using, all in the same manner as in Example 1 and the oxygen element ratio was 7.1 mol. /. Was synthesized.
  • Example 1 instead of 9,25-bis [2-methinole 5-six-hexoxyl 4- (4-amino-3-hydroxy) phenoxyphenyl] fluorene 7.25 parts (lOmmol), 9 4,4,1 transcript was obtained by replacing 3.80 parts (10 mmo 1) of, 9_bis (3-amino-4-hydroxyphenyl) fluorene with 2.46 parts (9.5 mmo 1) of 5-t-butylisophthalic dichloride solid.
  • a polybenzoxazole resin precursor having an oxygen element ratio of 5.5 mol% was synthesized in the same manner as in Example 1 except that 2.88 parts (9.5 mmo 1) of a solid of dicarboxylic acid chloride was used.
  • Example 1 9,9-bis [2-methyl-5-cyclohexyl-14- (4-amino-3-hydroxy) phenoxyphenyl] fluorene instead of 7.25 parts (l Ommol) was replaced with 9 Instead of 3.80 parts (10 mmo 1) of 1,9-bis (3-amino-4-hydroxyphenyl) fluorene, 2.46 parts (9.5 mmo 1) of 5-t-butylisophthalenoleic dichloride was replaced with 5-t- Except that 1.92 parts (7.6 mmo 1) of butyl isophthalic acid dichloride solid and 0.43 part (1.9 mmo 1) of 5-ethynyl-isophthalic chloride solid were used, the same procedure as in Example 1 was carried out.
  • a polybenzoxazole resin precursor 5.7 mol% was synthesized.
  • the molecular weight was measured by GPC, the number average molecular weight in the port polystyrene Fuji (Mn) is 6.8 XI 0 3, weight average molecular weight (Mw) of 1.45 X 10 4.
  • Mn number average molecular weight in the port polystyrene Fuji
  • Mw weight average molecular weight
  • Example 1 9,9-bis [2-methyl-1-5-cyclohexyl-4- (4-amino-3-hydroxy) phenoxyphenyl] fluorene 7.25 parts (1 Ommo 1 ) Is replaced with 3.80 parts (10 mmo 1) of 9,9-bis (3-amino-4-hydroxyphenyl) fluorene and 2.46 parts (9.5 mmo 1) of 5-t-butylisophthalic dichloride solid. , 4,4,1-Oxybisbenzoic acid dichloride solids, 2.24 parts (7.6 mmo, 1) and 5-phenylenephthaloisophthalic acid solids, 0.58 parts (1.9 mmo 1), were used.
  • Example 2 In the same manner as in Example 1, a polybenzoxazole resin precursor having an oxygen element ratio of 6.65 mol% was synthesized. The molecular weight was measured by GPC, the number average molecular weight in terms of polystyrene (Mn) is 8.3 XI 0 3, weight average molecular weight (Mw) of 1.81 X 10 4. Thereafter, a varnish was prepared in the same manner as in Example 1, and a resin film for an insulating film was prepared and evaluated.
  • Mn number average molecular weight in terms of polystyrene
  • Mw weight average molecular weight
  • 2.24 parts (7.6 mm o 1) of 4,4, mono-oxybisbenzoic dichloride solid and 0.58 part (1.9 mmo 1) of 5-phenylene diisophthalic acid solid instead of using 0.1 part (O.lmmo1) of 0.1 part (O.lmmol) of 1,5-norpolonene-1,2,3-dicarboxylic anhydride, 0.13 part (O.lmmo1) of 4-phenylenedicarboxylic acid chloride was used.
  • Example 13 In the same manner as in Example 13, a polybenzoxazole resin precursor having an oxygen element ratio of 6.65 mol% and a sealed end was synthesized. Measurement of the molecular weight by GPC, the number average molecular weight in terms of polystyrene (Mn) is 8.6 XI 0 3, weight average molecular weight (Mw) of 1.78 X 10 4. Thereafter, a varnish was prepared in the same manner as in Example 1, and a resin film for an insulating film was prepared and evaluated.
  • Mn number average molecular weight in terms of polystyrene
  • Mw weight average molecular weight
  • Example 1 instead of 7.25 parts (lOmmol) of 9,9-bis [2-methyl-15-cyclohexyl-14- (4-amino-3-hydroxy) phenoxyphenyl] fluorene 9,80-bis (3-amino-4-hydroxyphenyl) fluorene to 3.80 parts (10 mmo'l), 5-t-butylisophthalic acid dichloride solid 2.46 parts (9.5 mmo 1)
  • Example 1 was repeated except that instead of using 4,4,-[1,4-phenylenebis (1-methylethylidene) dibenzoic acid diclotide 'solid 4.28 parts (9.5 mmo 1), Similarly to the above, a polybenzoxazole resin precursor having an oxygen element ratio of 3.6 mol% was synthesized.
  • Example 1 instead of 9,9-bis [2-methyl-15-cyclohexynoleic 4- (4-amino-3-hydroxy) phenoxyphenyl] fluorene 7.25 ⁇ (1 Ommo 1) Then, instead of 2,40-diaminoresorcinol 1.40 parts (lOmmol) with 2.46 parts (9.5 mmol 1) of 5-t-butyl isophthalic dichloride solid, 4,4,1- (oxyphenylenedioxy) 2 A polybenzoxazole resin precursor having an oxygen element ratio of 11.1 mol% was synthesized in the same manner as in Example 1 except that 4.54 parts (9.5 mmol) of benzoic dichloride solid was used.
  • the molecular weight was measured by GPC, the number average molecular weight in terms of polystyrene (Mn) is 5.0 XI 0 3, weight average molecular weight (Mw) of 1.15 X 10 4. Thereafter, a varnish was prepared in the same manner as in Example 1, and a resin film for an insulating film was prepared and evaluated.
  • an insulating film having excellent electrical properties, thermal properties, mechanical properties, and physical properties, particularly having an extremely low dielectric constant, high heat resistance, and excellent adhesion.

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Abstract

A varnish for insulating films, characterized by comprising (A) a polymer obtained by reacting a bisaminophenol compound having a bulky structure with a dicarboxylic acid compound and constituted mainly of a polybenzoxazole resin precursor and (B) an organic solvent in which the polymer (A) can be dissolved or dispersed. Also provided is an insulating film characterized by being an organic insulating film obtained from the varnish and comprising a resin layer constituted mainly of a polybenzoxazole resin obtained via dehydrating condensation reaction. The insulating film is excellent in electrical properties, thermal properties, mechanical properties, and physical properties, and in particular, has a low permittivity and excellent heat resistance.

Description

明細書 絶縁膜用ワニスおよぴ絶纏 技術分野  Description Varnish for insulating film
本発明は、 絶縁膜用ワニスおよび絶縁膜に関する。 背景技術  The present invention relates to a varnish for an insulating film and an insulating film. Background art
半導体用材料には、 必要とされる特性に応じて、 無 才料、 有 料などが、 様々 な部分で用いられている。 例えば、 半導体用の層間絶縁膜としては、 化学気相法で作 製した二酸化ケイ素等の無機酸化物膜が使用されている。 しかしながら、 近年の半導 体の高速化、 高性能化に伴い、 上記のような無機酸化物膜では、 比誘電率が高いこと が問題となっている。 この改良手段の一つとして、 有斜才料の適用が検討されている 半導体用途の有機材料としては、 耐熱性、 電気特性、 觀特性などに優れたポリイ ミド樹脂が挙げられ、 ソルダーレジスト、 カバーレイ、 液晶配向膜などに用いられて レ、る。 しかしながら、 一般にポリイミド樹脂はイミド環にカルボ-ル基を 2個有して いることから、 吸水性、 電気特性に問題がある。 これらの問題に対して、 フッ素ある いはフッ素含有基を有機高分子内に導入することにより、 吸水性、 電気特性を改良す ることが試みられており、 実用化されているものもある。  In semiconductor materials, talentless and paid materials are used in various parts depending on the required characteristics. For example, as an interlayer insulating film for a semiconductor, an inorganic oxide film such as silicon dioxide manufactured by a chemical vapor deposition method is used. However, with the recent increase in the speed and performance of semiconductors, there has been a problem that the inorganic oxide film as described above has a high relative dielectric constant. As one of the improvement measures, the application of oblique materials is being studied. As organic materials for semiconductors, polyimide resins having excellent heat resistance, electrical characteristics, and visual characteristics are cited. Ray, used for liquid crystal alignment films. However, polyimide resins generally have two carboxy groups on the imide ring, and thus have problems in water absorption and electrical properties. To solve these problems, attempts have been made to improve water absorption and electrical properties by introducing fluorine or a fluorine-containing group into an organic polymer, and some of them have been put to practical use.
また、 ポリイミド樹脂に比べて、 耐熱性、 吸水' I生、 電気特性に関して、 より優れた 性能を示すポリベンゾォキサゾール樹脂があり、 様々な分野への適用力 S試みられてレヽ る。 例えば、 4,4,一ジァミノ一 3 , 3 '—ジヒドロキシビフエニルとテレフタノレ酸から なる構造を有するもの、 2,2—ビス(3—ァミノ一 4ーヒドロキシフエ二ノレ)へキサフ ルォロプロパンとテレフタノレ酸からなる構造を有するポリベンゾォキサゾール樹脂等 がめる。  In addition, there is a polybenzoxazole resin that exhibits better performance in terms of heat resistance, water absorption, and electrical properties than a polyimide resin, and its application to various fields has been attempted. For example, those having a structure consisting of 4,4,1-diamino-13,3'-dihydroxybiphenyl and terephthalanolic acid, consisting of 2,2-bis (3-amino-4-hydroxyphenylinoxy) hexafluoropropane and terephthalanolic acid Polybenzoxazole resin having a structure.
しかしながら、 半導体素子の高集積化および多層化が進み、 半導体素子の配線にお ける信^!延ゃ消費電力の増大の対策として、 配線金属に鲖を用い、 層間絶縁膜には 低誘電報料が使用される先端分野においては、 さらに厳しい特性、 例えば、 耐熱性 、 電気特性、 «特性および吸水性等の向上を要求されており、 このような要求全て を満足する材料は、 未だ得られていないのが現状である。 その具体例の一つとして、However, as semiconductor devices become more highly integrated and multi-layered, signals in the wiring of semiconductor devices are becoming increasingly important. As a measure to increase total power consumption, use 鲖 for the wiring metal and use a low dielectric constant for the interlayer insulating film. There is a demand for improvements in electrical properties, electrical properties, water absorption, and the like, and a material that satisfies all of these requirements has not yet been obtained. As one specific example,
4,4,ージァミノ一 3,3,ージヒドロキシビフエ二ルとテレフタル酸からなる構造を有 するポリベンゾォキサゾール樹脂は優れた耐熱性を示すが、 誘電率等の電気特性は十 分ではなく、 また、 高分子内にフッ素を導入することにより電気特性は向上するもの の、 耐熱性が低下し、 腐食ガスであるフッ素系ガスの発生が懸念される (例えば、 特 開 2 0 0 0— 1 2 8 9 8 4号公報参照。)。 さらに、 多層化する:^は、 CMP工程で のせん断力により絶縁膜が剥れることが問題となっているため、 層間絶縁膜やエッチ ングストッパー膜、 密着付与膜 (プライマー層) などの半導体用途の絶縁膜に有猶才 料を適用する場合には、 化学気相法ゃスパッタ法で作成された無機系材料、 また配線 金属との異種界面に対して高レ、密着性が求められてレ、る。 Polybenzoxazole resins having a structure consisting of 4,4, diamino-1,3,3, dihydroxybiphenyl and terephthalic acid show excellent heat resistance, but their electrical properties such as dielectric constant are not sufficient. In addition, the introduction of fluorine into the polymer improves the electrical properties, but lowers the heat resistance and raises concerns about the generation of fluorine-based gas, which is a corrosive gas. — See No. 1,289,84.) Further, multi-layering: ^ has a problem in that the insulating film peels off due to the shearing force in the CMP process, so semiconductor applications such as interlayer insulating films, etching stopper films, and adhesion-imparting films (primer layers) In the case of applying a marginal fee to the insulating film of the above, it is required to have high level and high adhesion to the inorganic material produced by chemical vapor deposition / sputtering method and to the heterogeneous interface with the wiring metal. RU
¾明の開示 ' Disclosure of Description ''
本発明は、 電気特性、 熱特性及び物理特性の全てに優れ、 特に耐熱性と密着性に優 れた膜を提供する絶縁膜用ワニスおよびこれを用いた絶縁膜を提供することを目的と する。  An object of the present invention is to provide a varnish for an insulating film which provides a film excellent in all of electrical characteristics, thermal characteristics and physical characteristics, and particularly excellent in heat resistance and adhesion, and an insulating film using the same. .
本発明者らは、 このような従来の有機絶縁膜用材料の問題点に鑑み、 意検討を重 ねた結果、 特定構造のビスアミノフエノール化合物とジカルボン酸化合物とを反応さ せて得られるポリべンゾォキサゾール樹脂が、 樹脂構造中にフッ素を含まず、 高耐熱 性を有し、 また、 嵩高い構造を有するモノマーから合成することにより、 樹脂中に微 細孔を形成することなく樹脂が «度化されることで、 耐熱性を低下させずに低誘電 率特性が得られ、 さらには、 樹脂中の酸素元素比率を特定の範囲にすることにより耐 熱 !■生および低誘電率特性を低下させずに、 より高い密着性を有する絶縁膜が得られる ことを見いだし、 更なる向上検討を進めて、 本発明を完成するに至った。  In view of such problems of the conventional materials for organic insulating films, the present inventors have made extensive studies and as a result, have found that a polyamino compound obtained by reacting a bisaminophenol compound having a specific structure with a dicarboxylic acid compound is obtained. Benzoxazole resin does not contain fluorine in the resin structure, has high heat resistance, and is synthesized from a monomer having a bulky structure, so that the resin can be highly formed without forming micropores in the resin. Low dielectric constant characteristics without lowering the heat resistance, and by reducing the oxygen element ratio in the resin to a specific range, the heat resistance and the low dielectric constant characteristics are reduced. Without doing so, it was found that an insulating film having higher adhesion could be obtained, and further improvement studies were advanced, and the present invention was completed.
即ち本発明は、 (A) 式 (1 ) で表されるビスアミノフエノール化合物と、 式 (4 ) で表されるジカルボン酸化合物とを反応させることにより得ることができるポリベン ゾォキサゾール樹脂前駆体を主構造とする重合体、 および (B ) 編己重合体 (A) を 溶解もしくは分散することが可能である有機溶剤、 を含むことを特 ί敷とする、 絶縁膜' 用ワニスであり、 さらには前記絶縁膜用ワニスを用レ、て得られた有機絶縁膜であって 、 脱水縮合反応を経て調製された、 ポリベンゾォキサゾール榭脂を主構造とする樹脂 層からなることを特徴とする絶縁膜である。 That is, the present invention mainly comprises (A) a polybenzoxazole resin precursor obtainable by reacting a bisaminophenol compound represented by the formula (1) with a dicarboxylic acid compound represented by the formula (4). A varnish for an insulating film, characterized by comprising a polymer having a structure, and (B) an organic solvent capable of dissolving or dispersing the knitted polymer (A). An organic insulating film obtained by using the insulating film varnish, An insulating film comprising a resin layer having a main structure of polybenzoxazole resin prepared through a dehydration condensation reaction.
Figure imgf000004_0001
Figure imgf000004_0001
[式 (2) 中、 は式 (3) で表される基の中から選ばれる二価の基を示し、 これら 式 (2) およぴ式 (3) で表される基のベンゼン環上の水素原子は、 メチル基、 ェチ ル基、 プロピル基、 イソプロピル基、 プチノレ基、 イソブチノレ基、 tーブチノレ基、 シク 口へキシル基、 フエニル基、 トリメチノレシリノレ基、 トリェチルシリル基おょぴァダマ ンチル基の中から選ばれる、 一価の有機基で置換されてレ、てもよ!/、。] [In the formula (2), represents a divalent group selected from the groups represented by the formula (3), and on the benzene ring of the group represented by the formulas (2) and (3). Are hydrogen, methyl, ethyl, propyl, isopropyl, butylinole, isobutynole, t-butynole, cyclohexyl, phenyl, trimethinolesilinole, triethylsilyl, etc. It may be substituted with a monovalent organic group selected from adamantyl groups. ]
Figure imgf000005_0001
Figure imgf000005_0001
HOOC-Y-COOH (4) HOOC-Y-COOH (4)
[式 (4) 中、 Yは式 (5) — 1及び式 (5) 一 2、 式 (6)、 式 (7)、 式 (8)、 式 (9)ι 及ぴ式 (10) で表される基の中から選ばれる二価の基を示す。] [In Equation (4), Y is represented by Equation (5) — 1 and Equation (5) 1-2, Equation (6), Equation (7), Equation (8), Equation (9) ι and Equation (10). It represents a divalent group selected from the groups represented. ]
Figure imgf000006_0001
Figure imgf000006_0001
ZliSlO/^OOZdf X3d SJ88£0/S00Z OAV
Figure imgf000007_0001
ZliSlO / ^ OOZdf X3d SJ88 £ 0 / S00Z OAV
Figure imgf000007_0001
[式 (5) — 1及び式 (5) 一 2中、 は上記式 (3) で表される基の中から選ばれ る二価の基を示し、 これら式 (3) ならびに (5) — 1及ぴ式 (5) —2で表される 基のベンゼン環上の水素原子は、 メチル基、 ェチノレ基、 プロピル基、 イソプロピノレ基 、 ブチノレ基、 イソブチル基、 t一ブチル基、 シクロへキシル基、 フエ-ノレ基、 トリメ チルシリル基、 トリェチルシリル基およぴァダマンチノレ基の中から選ばれる、 一価の 有機基で置換されていてもよレ、。 ] [In the formula (5) — 1 and the formula (5) 1-2, represents a divalent group selected from the groups represented by the above formula (3), and these formulas (3) and (5) — The hydrogen atom on the benzene ring of the group represented by Formula 1 and Formula (5) -2 is methyl, ethylenol, propyl, isopropynole, butynole, isobutyl, t-butyl, cyclohexyl Or a phenyl group, a phenyl group, a trimethylsilyl group, a triethylsilyl group or an adamanchinole group, which may be substituted with a monovalent organic group. ]
Figure imgf000007_0002
Figure imgf000007_0002
Figure imgf000008_0001
請 oozdf/ェ:) d
Figure imgf000008_0001
Oozdf / e :) d
Figure imgf000009_0001
Figure imgf000009_0001
雕 OOZdf/ェ ) d O Sculpture OOZdf / e) d O
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Figure imgf000010_0001
[式 (6)、 式 (7)、 式 (8)、 式 (9)、 及ぴ式 (10) で表される基の炭素環上の 水素原子は、 メチル基、 ェチル基、 プロピル基、 イソプロピル基、 ブチル基、 イソブ チル基、 tーブチノレ基、 シクロへキシル基、 フエ二ノレ基、 トリメチノレシリル基おょぴ トリェチルシリル基の中から選ばれる、 一価の有機基で置換されていてもよい。 式 ( 8) 中、 Rは一価の有機基を示す。] [The hydrogen atom on the carbon ring of the group represented by the formula (6), the formula (7), the formula (8), the formula (9), and the formula (10) is a methyl group, an ethyl group, a propyl group, It is substituted with a monovalent organic group selected from isopropyl, butyl, isobutyl, t-butynole, cyclohexyl, pheninole, trimethinolesilyl and triethylsilyl groups. Is also good. In the formula (8), R represents a monovalent organic group. ]
また、 前記絶縁用ワニスにおいて、 前記式 (1) で表されるビスアミノフエノール ィ匕合物は、 フルオレン骨格を有する化合物であることが好ましい。 これにより、絶縁膜 の耐熱性を保持しながら、 低誘電率特性が得られ、 更には絶縁膜用ワニスを作製する 際に重合体の溶解性が向上する。 フルオレン骨格を有する式 (1) で表される化合物 としては、 9, 9一ビス [4—(4—アミノー 3—ヒ ドロキシ)フエノキシフエ二ノレ]フ^/ォ レン、 9,9—ビス(3—アミノー 4—ヒ ドロキシフエ二ノレ)フノレオレン、 9, 9一ビス [ 2—メチノレ一 5—シク口へキシルー 4— (4一アミノー 3—ヒ ドロキシ)フエノキシフ ェニル]フルオレンであることがより好ましく、 他の前記式 (1) で表されるビスアミ ノフエノール化合物としては、 2, 2—ビス [3—シク口へキシルー 4—(4—アミノー 3—ヒ ドロキシ)フエノキシフエェ/レ]プロパン、 1,1—ビス [3—シクロへキシ Λ^— 4 一(4—アミノー 3—ヒ ドロキシ)フエノキシフエ二ノレ]シクロへキサンであることが好 ましい。  In the insulating varnish, the bisaminophenol conjugate represented by the formula (1) is preferably a compound having a fluorene skeleton. As a result, low dielectric constant characteristics can be obtained while maintaining the heat resistance of the insulating film, and the solubility of the polymer is improved when a varnish for an insulating film is produced. Compounds having a fluorene skeleton represented by the formula (1) include 9,9-bis [4- (4-amino-3-hydroxy) phenoxypheninole] phthalene / 9,9-bis (3 —Amino-4-hydroxyphenoleno) funolelene, more preferably 9,9-bis [2-methinole-5-cyclohexyl-4- (4-amino-3-hydroxy) phenoxyphenyl] fluorene, and others. Examples of the bisaminophenol compound represented by the above formula (1) include 2,2-bis [3-cyclohexyl 4- (4-amino-3-hydroxy) phenoxyphenyl / propane] and 1,1-bis [3-cyclohexyl ^^-4- (4-amino-3-hydroxy) phenoxyphenyl] cyclohexane is preferred.
前記式 (4) で表されるジカルボン酸化合物としては、 Υとして式 (5) — 1及び 式 (5) —2ならびに式 (6) で表される基の中から選ばれる 2価の基を有するもの であることが好ましく、 また、 Υとして式 (7)、 式 (8)、 式 (9) 及び式 (10) で表される基の中から選ばれる 2価の基を有するものであることが好ましい。 Υとし て、 式 (5) — 1及び式 (5) 一 2ならびに式 (6) で表される基を含むと、 密着性 が向上し、 式 (7 ) 〜式 (1 0 ) で表される基を含むと、 ガラス転移温度や熱時の弾 性率などの耐熱性が向上することができる。 As the dicarboxylic acid compound represented by the formula (4), 、 represents a divalent group selected from the groups represented by the formulas (5) -1 and (5) -2 and the formula (6). And preferably has a divalent group selected from the groups represented by formulas (7), (8), (9) and (10). Is preferred. When Υ includes the groups represented by Formula (5) -1 and Formula (5) -12 and Formula (6), the adhesiveness becomes When the group represented by the formulas (7) to (10) is included, heat resistance such as a glass transition temperature and a modulus of elasticity during heating can be improved.
また、 嫌己式 ( 1 ) で表されるビスアミノフヱノール化合物と、 式 (4 ) で表され るジカルボン酸化合物とを反応させることにより得ることができるポリベンゾォキサ ゾール樹脂前駆体の末端は、 式 (1 1 ) で表される末端封止化合物で封止されている ことがより好ましい。 これにより、 ポリベンゾォキサゾール樹脂前駆体の耐熱性を向 上すると共に、 絶縁膜用ヮニスの保存性を向上することができる。  In addition, the terminal of the polybenzoxazole resin precursor obtained by reacting the bisaminophenol compound represented by the abominable formula (1) with the dicarboxylic acid compound represented by the formula (4) More preferably, it is sealed with a terminal blocking compound represented by the formula (11). Thereby, the heat resistance of the polybenzoxazole resin precursor can be improved, and the storage stability of the insulating film varnish can be improved.
Figure imgf000011_0001
[式 (1 1 ) 中、 Rは一価の有機基を示す。] さらに、 ΙΐίΙ己式 ( 1 ) で表されるビスアミノフエノール化合物と、 式 (4 ) で表さ れるジカルボン酸化合物とを反応させることにより得ることができるポリベンゾォキ サゾール榭脂前駆体は、 5〜 1 0モル%の酸素元素比率を有することが好ましレヽ。 こ れにより、 耐熱性および低誘電率特性を低下させずに、 より高い密着性を有する絶縁 膜が得られる。
Figure imgf000011_0001
[In the formula (11), R represents a monovalent organic group. Furthermore, the polybenzoxazole resin precursor obtained by reacting the bisaminophenol compound represented by the formula (1) with the dicarboxylic acid compound represented by the formula (4) is a 5- to 5-part polybenzoxazole resin precursor. It is preferable to have an oxygen element ratio of 10 mol%. Thereby, an insulating film having higher adhesion can be obtained without lowering the heat resistance and the low dielectric constant characteristics.
本発明によれば、 電気特性、 熱特性、 機械特性および物理特性の全てに優れ、 特に 誘電率が極めて低く、 高耐熱性を有し密着性に優れた絶縁膜を提供できる。 発明を実施するための最良の形態 According to the present invention, electrical properties, thermal properties, mechanical properties and physical properties are all excellent, especially An insulating film having extremely low dielectric constant, high heat resistance, and excellent adhesion can be provided. BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
本発明に用いる、 ポリべンゾォキサゾール樹脂前駆体は、 式 (1 ) で表されるビス ァミノフエノール化合物と、 式 (4 ) で表されるジカルボン酸化合物とから、 従来の 酸クロリド法、 活性エステル法、 ポリリン酸ゃジシクロへキシルカルポジイミド等の 脱水縮合剤の存在下での縮合反応による合成方法等により得ることができる。  The polybenzoxazole resin precursor used in the present invention is prepared from a bisaminophenol compound represented by the formula (1) and a dicarboxylic acid compound represented by the formula (4) by a conventional acid chloride method and an active ester method. Method, a synthesis method by a condensation reaction in the presence of a dehydrating condensing agent such as dicyclohexylcarbodiimide polyphosphate and the like.
本発明に用いるポリべンゾォキサゾール樹脂前駆体の合成において、 式 (1 ) で表 されるビスアミノフエノール化合物 (Mモル) と、 式 (4 ) で表されるジカルボン酸 (Nモル) との反応モル比 (M/N) は、 特に限定されないが、 0.5 ~ 2. 0の範囲が 好ましく、 1 .0 1〜1 .2の範囲が、 より好ましレ、。 反応モル比 (M/N) が前記範囲 である 、 より高分子量の重合体が再現性良く得られ、 成膜性も良好であり、 機械 特性および物理特性に優れた絶縁膜が得られる。  In the synthesis of the polybenzoxazole resin precursor used in the present invention, a reaction mole of a bisaminophenol compound (M mole) represented by the formula (1) and a dicarboxylic acid (N mole) represented by the formula (4) The ratio (M / N) is not particularly limited, but is preferably in the range of 0.5 to 2.0, more preferably in the range of 1.0 to 1.2. When the reaction molar ratio (M / N) is within the above range, a polymer having a higher molecular weight can be obtained with good reproducibility, the film forming property is good, and an insulating film having excellent mechanical and physical properties can be obtained.
本発明に用いる式 (1 ) で表されるビスアミノフエノール化合物としては、 例えば , 2 , 4 -ジァミノレゾルシノール、 2 , 4—ジァミノー 3—メチルレゾルシノール、 4 , 6一ジァミノレゾルシノール、 4, 6—ジァミノー 2—メチルレゾルシノール、 2 , 2 一ビス(3—アミノー 4—ヒ ドロキシ 7ェ-ノレ)プロパン、 2 , 2—ビス(3—ァミノ _ 4 ーヒ ドロキシー 2—メチルフエニル)プ パン、 2 , 2—ビス(4ーァミノ _ 3—ヒ ドロ キシフエ二ノレ)プロパン、 2 , 2—ビス(4一アミノー 3—ヒ ドロキシ一 2—メチノレフエ 二ノレ)プロパン、 2 , 2—ビス [3—シクロへキシル一4— (4一アミノー 3—ヒ ドロキシ )フエノキシフエ-ノレ]プロパン、 ビス(3—ァミノ一 4—ヒ ドロキシフエュノレ)スノレフォ ン、 ビス(3—ァミノ一 4—ヒ ドロキシー 2—メチノレフェェノレ)スノレフォン、 ビス(4— ァミノ一 3—ヒ ドロキシフエ二ノレ)スノレフォン、ビス(4ーァミノ一 3—ヒドロキシー 2 ーメチノレフエニル)スルフォン、 3 , 3,ージァミノ一4,4 '—ジヒ ドロキシビフエニル、 4,4,一ジァミノ一3,3,ージヒ ドロキシビフエニル、 ビス(3—ァミノ一 4—ヒ ドロキ シ一 2—メチノレフエ-ノレ)、 ビス(4—アミノー 3—ヒ ドロキシ一 2—メチノレフエ二ノレ) 、ビス [( 3ーシク口へキシルー 2—メチノレ)一 4一(4一アミノー 3—ヒ ドロキシ)フエノ キシフエ二ノレ]、 9 , 9一ビス [4 _(4ーァミノ一 3—ヒ ドロキシ)フエノキシフエ二ノレ] フゾレオレン、 9 , 9一ビスー[4一(4—ァミノ一 3—ヒ ドロキシ)フエノキシ一 3—メチ ノレフエ-ノレ]フノレオレン、 9,9ービスー[4_(4ーァミノー3—ヒ ドロキシ)フエノキシ 一 3—フエニノレフェニノレ]フノレオレン、 9,9一ビス [4一(3—アミノー 4—ヒ ドロキシ )フエノキシフエ二ノレ]フノレオレン、 9,9—ビス一 [4一(3—ァミノ _4ーヒ ドロキシ) フエノキシ一3—メチルフエニル]フルオレン、 9,9—ビス一 [4— (3—アミノー 4一 ヒ ドロキシ)フエノキシ一 3—フエユルフェニル]フルオレン、 9,9—ビス(4ーァミノ 一 3—ヒ ドロキシフエ二ノレ)フノレオレン、 9, 9一ビス(3—アミノー 4ーヒ ドロキシフ ェ二ノレ)フノレオレン、 9 , 9一ビス [ 2—メチルー 5—シクロへキシノレ一 4一( 4—ァミノ 一 3—ヒ ドロキシ)フエノキシフエニル]フルオレン、 3,3,一ジァミノー 4,4,一ジヒ ドロキシビフエ-ルエーテル、 3, 3,ージアミノー 4, 4'ージヒドロキシ一2, 2,一ジ メチルビフエ-ルエーテル、 4,4,一ジァミノー 3, 3,一ジヒ ドロキシビフエニルエー テル、 4,4'ージァミノー3,3,一ジヒドロキシ一 2, 2,一ジメチルビフエニルエーテ ル、 1, 1'一 [1,4一フエ二レン一ビス(1—メチルェチリデン)]ビス [( 3—シクロへキ シル一 2—メチノレ)一 4一(4—アミノー 3—ヒドロキシ)フエノキシフエ二ル]、 2,2 一ビス [ 3—シク口へキシル一 4— (4—アミノー 3—ヒ ドロキシフエノキシ)フエニル ]プロパン、 1,1一ビス [3—シクロへキシノレ一 4— (4一アミノー 3—ヒ ドロキシ)フエ ノキシフエニル]シクロへキサンなどを挙げることができる力 s、 必ずしもこれらに限ら れるものではない。 これらのビスアミノフヱノール化合物中でも、 フルオレン骨格を 有する化合物が好ましレヽ。 これにより、絶縁膜の耐熱性を保持しながら、低誘電率特性 が得られ、 更には絶縁膜用ワニスを作製する際に重合体の溶解性が向上する。 フルォ レン骨格を有するィ匕合物の中でも、 9,9—ビス [4— (4一アミノー 3—ヒドロキシ)フ エノキシフエ-ノレ]フノレオレン、 9, 9一ビス(3—ァミノ一 4—ヒ ドロキシフエ二ノレ)フ ルオレン、 9, 9—ビス [2—メチル一 5—シク口へキシルー 4— (4—アミノー 3—ヒ ドロキシ)フエノキシフエ -ル]フルォレンなどのフルォレン骨格を有する化合物がよ り好ましい。 また、 フルオレン骨格を有するィ匕合物の他には、 2, 2—ビス [3—シクロ へキシゾレー 4— (4—アミノー 3—ヒ ドロキシフエノキシ)フエ二ノレ]プロパン、 1,1— ビス [ 3—シク口へキシメレー 4一(4—アミノー 3—ヒ ドロキシ)フエノキシフエ二ノレ] シクロへキサンが好ましレ、。 また、 これらは 1種または 2種以上を組み合わせて用い ることができる。 Examples of the bisaminophenol compound represented by the formula (1) used in the present invention include, for example, 2,4-diaminoresorcinol, 2,4-diaminol 3-methylresorcinol, 4,6-diaminoresorcinol, , 6-diaminol 2-methylresorcinol, 2,2-bis (3-amino-4-hydroxy-7-nore) propane, 2,2-bis (3-amino-4-hydroxy-2-methylphenyl) propane, 2,2-bis (4-amino-3-hydroxyhydrinole) propane, 2,2-bis (4-amino-3-hydroxy-1-2-methynolephene) propane, 2,2-bis [3-cyclo Hexyl-1- (4-amino-3-hydroxy) phenoxyphene-propane, bis (3-amino-14-hydroxyphenolene) snorefone, bis (3-amino-1-hydroxy-2-methinolefe) Re) Snorefon, bis (4-amino-3-hydroxyhydrino), snorefon, bis (4-amino-3-hydroxy-2-methinolephenyl) sulfone, 3,3, diamino-1,4'-dihydroxy Biphenyl, 4,4,1-diamino-1,3,3-dihydroxybiphenyl, bis (3-amino-14-hydroxy-1 2-methynolephen), bis (4-amino-3-hydroxy-1 2) —Methinolepheninole), bis [(3-six-hexyl-2-l-methinole) -1 4- (4-amino-3-hydroxy) phenoxypheninole], 9,9-bis [4 _ (4-amino-1 3— (Hydroxy) phenoxyphenolene] fusololelen, 9,9-bis [4- (4-amino-3-hydroxy) phenoxy-1-3-methyl Norefue-nore] phneolelene, 9,9-bis- [4_ (4-amino3-hydroxy) phenoxy-1-3-pheninolepheninole] phnoleolene, 9,9-bis [4-1 (3-amino-4-hydroxy) phenoxyphene Nore] phneolelen, 9,9-bis [4- (3-amino-4-hydroxy) phenoxy-1-3-methylphenyl] fluorene, 9,9-bis [4- (3-amino-4hydroxy) phenoxy 3-Fuyurphenyl] fluorene, 9,9-bis (4-amino-3-hydroxyphenole) funolelene, 9,9-bis (3-amino-4-hydroxyphenylene) funolelene, 9,9-bis [2-Methyl-5-cyclohexynole-1- (4-amino-13-hydroxy) phenoxyphenyl] fluorene, 3,3,1-diamino-4,4,1-dihydroxybiphenyl ether, 3,3, diamino- 4,4'-dihydroxy-1,2,1-dimethyl biphenyl ether, 4,4,1-diamino 3,3,1-hydroxybiphenyl ether, 4,4'-diamino 3,3,1-dihydroxy 1,2,2 , 1-dimethylbiphenyl ether, 1,1 '-[1,4-phenylene-bis (1-methylethylidene)] bis [(3-cyclohexyl-12-methylinole) -14- (4-amino- 3-hydroxy) phenoxyphenyl], 2,2-bis [3-cyclohexyl-1- 4- (4-amino-3-hydroxyphenoxy) phenyl] propane, 1,1-bis [3-cyclohexane Xinole 4- (4-amino-3-hydroxy) phenoxyphenyl] cyclohexane and the like are not necessarily limited to these. Among these bisaminophenol compounds, compounds having a fluorene skeleton are preferred. As a result, low dielectric constant characteristics can be obtained while maintaining the heat resistance of the insulating film, and the solubility of the polymer is improved when a varnish for an insulating film is produced. Among the conjugates having a fluorene skeleton, 9,9-bis [4- (4-amino-3-hydroxy) phenoxyphene-nore] funolelene and 9,9-bis (3-amino-14-hydroxyphene) Compounds having a fluorene skeleton, such as nore) fluorene and 9,9-bis [2-methyl-15-cyclohexyl-4- (4-amino-3-hydroxy) phenoxyphenyl] fluorene, are more preferred. Further, in addition to the disulfide compound having a fluorene skeleton, 2,2-bis [3-cyclohexizolee 4- (4-amino-3-hydroxyphenoxy) pheninole] propane, 1,1- Bis [3-cyclohexylene 4- (4-amino-3-hydroxy) phenoxyphenyl] Cyclohexane is preferred. These can be used alone or in combination of two or more.
本発明で用いる、 式 (4) で表されるジカルボン酸化合物は、 Yとして式 (5) 1、 式 (5) — 2、 式 (6)、 式 (7)、 式 (8)、 式 (9)、 及び式 (10) で表され る基の中から選ばれる二価の基を有するものであり、 上記式 (8) 中の一価の 基 Rとしては、 メチル基、 ェチル基、'イソプロピル基及ぴ t—プチル基等のアルキル基 、 または、 フエニル基などから選ばれる基が挙げられる。 式 (4) で表されるジカル ボン酸化合物において Yとして、 式 (5) — 1及ぴ式 (5) —2に表される 2価の基 を有するジカルボン酸化合物としては、 例えば、 イソフタル酸、 4—メチルイソフタ ル酸、 4一フエ二ノレイソフタノレ酸、 4_ tーブチルイソフタル酸、 4ートリメチルシ リルイソフタル酸、 4ーァダマンチルイソフタル酸、 5—メチルイソフタノレ酸、 5— フェ二ルイソルタノレ酸、 5— t—プチルイソフタル酸、 5—トリメチルシリルイソフ タノレ酸、 5—ァダマンチノレイソフタル酸、 テレフタノレ酸、 2—メチノレテレフタル酸、The dicarboxylic acid compound represented by the formula (4) used in the present invention is represented by the formula (5) 1, having a divalent group selected from the groups represented by formula (5) — 2, formula (6), formula (7), formula (8), formula (9), and formula (10) And the monovalent group R in the above formula (8) includes an alkyl group such as a methyl group, an ethyl group, an 'isopropyl group and a t-butyl group, and a group selected from a phenyl group and the like. Can be In the dicarboxylic acid compound represented by the formula (4), as the dicarboxylic acid compound having a divalent group represented by the formula (5) -1 and the formula (5) -2 as Y, for example, isophthalic acid , 4-methylisophthalic acid, 4-phenylenediisophthalenoic acid, 4_t-butylisophthalic acid, 4-trimethylsilylisophthalic acid, 4-adamantylisophthalic acid, 5-methylisophthalanolic acid, 5-phenylisolantanoleic acid, 5-t-butylisophthalic acid, 5-trimethylsilylisophthalanoic acid, 5-adamantinoleisophthalic acid, terephthalanolic acid, 2-methylinoterephthalic acid,
2—フエニルテレフタル酸、 2— t—ブチノレテレフタル酸、 2—トリメチルシリルテレ フタル酸、 2—ァダマンチルテレフタル酸、 4, 4,ービフエニルジカルボン酸、 3,4, —ビフエニルジカルボン酸、 3, 3,ービフエニルジカルボン酸、 1,4一ナフタレンジ カルボン酸、 2, 3—ナフタレンジカルボン酸、 2,6—ナフタレンジカルボン酸、 4, 4,一スルホニルビス安息香酸、 3, 4,一スルホニルビス安息香酸、 3, 3,ースルホニル ビス安息香酸、 4, 4,一ォキシビス安息香酸、 3, 4,一ォキシビス安息香酸、 3,3'- ォキシビス安息香酸、 2,2—ビス(4一カルボキシフエ二ノレ)プロパン、 2,2—ビス(2-phenylterephthalic acid, 2-t-butynoleterephthalic acid, 2-trimethylsilylterephthalic acid, 2-adamantylterephthalic acid, 4,4, -biphenyldicarboxylic acid, 3,4, -biphenyldicarboxylic acid , 3,3-biphenyldicarboxylic acid, 1,4-naphthalenedicarboxylic acid, 2,3-naphthalenedicarboxylic acid, 2,6-naphthalenedicarboxylic acid, 4,4,1-sulfonylbisbenzoic acid, 3,4, Monosulfonylbisbenzoic acid, 3,3, -sulfonylbisbenzoic acid, 4,4, oxybisbenzoic acid, 3,4, oxybisbenzoic acid, 3,3'-oxybisbenzoic acid, 2,2-bis (4-1 Carboxypheninole) propane, 2,2-bis (
3—力ルポキシフエニル)プロパン、 2 , '2,一ジメチル一 4, 4,ービフエ二ルジカルボン 酸、 3, 3,一ジメチルー 4,4,_ビフヱニルジカルボン酸、 2,2,一ジメチルー 3,3,一 ビフエ二ルジカルボン酸、 9,9—ビス [4— (·4一力ルポキシフエノキシ)フエ二ノレ]フル オレン、 9,9—ビス [4— (3—カルボキシフエノキシ)フエニル]フルオレン、 4, 4'一 ビス(4—力/レポキシフエノキシ)ビフエ二ノレ、 4 , 4,一ビス( 3—カノレポキシフエノキシ )ビフエニル、 3, 4,一ビス(4—力ルポキシフエノキシ)ビフエニル、 3,4,一ビス(3— 力ルポキシフエノキシ)ビフエニル、 3, 3,一ビス(4一力ルポキシフエノキシ)ビフエ二 ノレ、 3, 3'—ビス(3—カルボキシフエノキシ)ビフエ-ル、 4,4,一ビス(4一カルボキ シフエノキシ)一ρ—ターフェ二ノレ、 4, 4,一ビス(4—カルボキシフエノキシ)一m—タ 一フエニル、 3,4,一ビス(4—カルボキシフエノキシ)一 p—ターフェニル、 3, 3,一 ビス(4—カノレポキシフエノキシ)一 ρ—ターフェ二ノレ、 3, 4,一ビス(4—カノレポキシフ エノキシ)一m—ターフェ二ノレ、 3,3'—ビス(4—カノレポキシフエノキシ)一m—ターフ ェニル、 4, 4,_ビス(3—カルボキシフエノキシ)一 ρ—ターフェニル、 4, 4,一ビス( 3—カノレボキシフェノキシ)一m—ターフェニル、 3 , 4,一ビス( 3—カルボキシフエノ キシ)一 p—ターフェ二ノレ、 3, 3,一ビス(3—力ルポキシフエノキシ)一 p—ターフェ二 ル、 3, 4,一ビス(3—カルボキシフエノキシ)一m—ターフェ-ル、 3, 3,一ビス(3— カノレボキシフエノキシ)一 m—ターフェ二ノレ、 4,4,一ビス(2— t—ブチノレ)フエエノレジ カルボン酸、 4, 4 '一ビス( 3— t—プチル)フエ-ルジカルボン酸、 4 , 4,一ビス( 2 - トリメチルシリル)フエ二ルジカルポン酸、 4 , 4,一ビス( 3—トリメチルシリル)フエ二 ルジカルボン酸、 4,4,一ビス(2—ァダマンチル)フエニルジカルボン酸、 4,4'ービ ス(3—ァダマンチル)フエ-ルジカルボン酸、 6—メチノレナフタレン一 1, 4—ジカル ボン酸、 6— tーブチルナフタレン一 1, 4—ジカルボン酸、 6—トリメチルシリノレナ フタレン一 1 ,4ージカノレボン酸、 6—ァダマンチノレナフタレン一 1 ,4ージ力/レポン酸 、 4—メチルナフタレン一 2, 6—ジカルボン酸、 4一 tーブチルナフタレン一 2,6— ジカルボン酸、 4—トリメチルシリルナフタレン一 2,6—ジカルボン酸、 4ーァダマ ンチルナフタレン一 2 , 6ージカルボン酸などを挙げることができるが、 必ずしもこれ らに限られるものではない。 これらの内、 イソフタル酸、 5—メチルイソフタル酸、 5—フエ-ルイソルタル酸、 5— t—ブチルイソフタル酸、 5—トリメチルシリルイ ソフタノレ酸、 5—ァダマンチノレイソフタル酸、 4, 4'一ォキシビス安息香酸、 4,4'- スルホニルビス安息香酸、 9, 9一ビス [4— (4—カルボキシフエノキシ)フエニル]フル 才レンが好ましい。 また、 これらは 1種または 2種以上を組み合わせて用いることが できる。 3-potoxyphenyl) propane, 2, '2,1-dimethyl-1,4,4-biphenyldicarboxylic acid, 3,3,1-dimethyl-4,4, _biphenyldicarboxylic acid, 2,2,1-dimethyl-3, 3,1-Biphenyldicarboxylic acid, 9,9-bis [4- (· 4 lipoxyphenoxy) pheninole] fluorene, 9,9-bis [4- (3-carboxyphenoxy) ) Phenyl) fluorene, 4,4'-bis (4-force / repoxyphenoxy) biphenyl, 4,4,1-bis (3-canolepoxphenoxy) biphenyl, 3,4,1-bis (4-force-loxyphenoxy) biphenyl, 3,4,1-bis (3-force-loxyphenoxy) biphenyl, 3,3,1-bis (4-force-loxyphenoxy) biphenyl, 3,3'-bis (3-carboxyphenoxy) biphenyl, 4,4,1-bis (4-carboxyphenoxy) -ρ-terfeninole, 4,4, Bis (4-carboxyphenoxy) -1-m-phenyl, 3,4,1-bis (4-carboxyphenoxy) -p-terphenyl, 3,3,1-bis (4-canolepoxyphenoxy) 1) ρ-terfeninole, 3,4,1-bis (4-canolepoxif enoxy) 1m-terfeninole, 3,3'-bis (4-canolepoxifenoxy) 1m-turf Phenyl, 4,4, _bis (3-carboxyphenoxy) -1-ρ-terphenyl, 4,4,1-bis (3-canoleboxoxyphenoxy) -1m-terphenyl, 3,4,1-bis (3 —Carboxyphenoxy) -p-terpheninole, 3,3,1-bis (3-potassyloxyphenoxy) -p-terphenyl, 3,4,1-bis (3-carboxyphenoxy) 1-m-terfel, 3,3,1-bis (3-canoleboxyphenoxy) 1-m-terfenyl, 4,4,1-bis (2-t-butynole) pheno-resin carboxylic acid, 4,4 '1-bis (3-t-butyl) phenyldicarboxylic acid, 4,4,1-bis (2-trimethylsilyl) phenyldicarboxylic acid, 4,4,1-bis (3-trimethylsilyl) phenyldicarboxylic acid, 4 4,4,1-bis (2-adamantyl) phenyldicarboxylic acid, 4,4'-bis (3-adamantyl) phenyldicarboxylic acid, 6 Methynorenaphthalene-1,4-dicarbonic acid, 6-t-butylnaphthalene-1,4-dicarboxylic acid, 6-trimethylsilinorenaphthalene-1,4, dicanolevonic acid, 6-adamantinolenenaphthalene 1,4 Di-force / reponic acid, 4-methylnaphthalene-1,2,6-dicarboxylic acid, 4-tert-butylnaphthalene-1,2,6-dicarboxylic acid, 4-trimethylsilylnaphthalene-1,2,6-dicarboxylic acid, 4-adamantylnaphthalene Examples thereof include 1,2,6-dicarboxylic acid, but are not necessarily limited thereto. Of these, isophthalic acid, 5-methylisophthalic acid, 5-phenylisophthalic acid, 5-t-butylisophthalic acid, 5-trimethylsilylisophthalanoic acid, 5-adamantinoleisophthalic acid, 4,4'-oxybis Benzoic acid, 4,4'-sulfonylbisbenzoic acid, 9,9-bis [4- (4-carboxyphenoxy) phenyl] furylene are preferred. These can be used alone or in combination of two or more.
本発明で用いる、 式 (4) で表されるジカルボン酸化合物において Yとして、 式 ( In the dicarboxylic acid compound represented by the formula (4) used in the present invention, Y represents the formula (
6) に表される 2価の基を有するジカルボン酸化合物としては、 例えば、 1,3—ァダ マンタンジカルボン酸、 2,5—ジメチルァダマンタン _ 1,3—ジカルボン酸、 2,5 ージフェニ^/ァダマンタン一 1,3—ジカルボン酸、 2, 5—ビス(t—ブチノレ)ァダマン タン一 1, 3—ジカルボン酸などが挙げられる力 必ずしもこれらに限られるものでは ない。 これらの内、 1,3—ァダマンタンジカルボン酸が好ましい。 また、 これらは 1 種または 2種以上を組み合わせて用いることができる。 Examples of the dicarboxylic acid compound having a divalent group represented by 6) include, for example, 1,3-adamantanedicarboxylic acid, 2,5-dimethyladamantane_1,3-dicarboxylic acid, and 2,5-diphenyl ^ / Adamantane-1,3-dicarboxylic acid, 2,5-bis (t-butynole) adamantane-1,3-dicarboxylic acid, etc. The power is not limited to these. Of these, 1,3-adamantane dicarboxylic acid is preferred. These can be used alone or in combination of two or more.
本発明で用いる、 式 (4) で表されるジカルボン酸化合物において Yとして、 式 ( In the dicarboxylic acid compound represented by the formula (4) used in the present invention, Y represents the formula (
7) に表される 2価の基を有するジカルボン酸化合物としては、 例えば、 3—ェチニ ルフタノレ酸、 4ーェチニルフタル酸、 2—ェチニルイソフタル酸、 4ーェチニルイソ フタル酸、 5—ェチニルイソフタノレ酸、 2—ェチュルテレフタル酸、 3—ェチニルテ レフタル酸、 5—ェチニルーテレフタル酸、 2—ェチニル一 1,5—ナフタレンジカル ボン酸、 3—ェチニルー 1,5—ナフタレンジカルボン酸、 4一ェチニルー 1,5_ナフ タレンジカルボン酸、 1—ェチ二ルー 2 , 6—ナフタレンジカルボン酸、 3ーェチニル -2,6—ナフタレンジカルボン酸、 4ーェチニノレー 2, 6—ナフタレンジカルボン酸、 2—ェチ二ルー 1, 6—ナフタレンジカルボン酸、 3—ェチ二ルー 1 , 6—ナフタレンジ カルボン酸、 4ーェチュル一 1,6—ナフタレンジカルボン酸、 5—ェチニル一 1,6— ナフタレンジカルボン酸、 7—ェチニルー 1,6—ナフタレンジカルボン酸、 8—ェチ 二ルー 1,6—ナフタレンジカルボン酸、 3, 3'—ジェチ二ルー 2,2,ービフエ二ルジカ ルボン酸、 4, 4,一ジェチ二ルー 2, 2,ービフエニルジカルボン酸、 5,5'—ジェチ- ノレ一 2, 2,ービフエ ルジ力ルボン酸、 6,6'-ジェチ二/レー 2, 2,一ビフエ二ルジカ ノレボン酸、 2, 2'—ジェチニル一3, 3,一ビフエニルジカルボン酸、 4, 4,一ジェチ- ノレ一 3 , 3,ービフエニルジカルボン酸、 5 , 5,一ジェチュル一 3,3'-ビフエ二ルジカ ルボン酸、 6, 6,一ジェチ二ルー 3, 3'—ビフエニルジカルボン酸、 2,2,一ジェチ二 ノレ一 4, 4,一ビフヱ -ルジカルボン酸、 3, 3,一ジェチュル一 4, 4 '—ビフエ二ルジカ ルボン酸、 2, 2—ビス(2—カルボキシー 3—ェチニルフエニル)プロパン、 2, 2—ビ ス(2 _力ルポキシー 4—ェチュルフエ 'エル)プロパン、 2, 2—ビス(2—カルボキシー 5ーェチニルフエニル)プロパン、 2, 2—ビス( 2—カルボキシー 6—ェチ二/レフェニ ノレ)プロパン、 2, 2—ビス(3—力ルポキシ _ 2—ェチニルフエニル)プロパン、 2,2— ビス(3—カルボキシ一 4—ェチニルフエニル)プロパン、 2, 2—ビス(3—カルボキシ 一 5ーェチニルフエニル)プロパン、 2, 2—ビス(3—カルボキシー 6—ェチニルフエ -ル)プロパン、 2, 2—ビス(4—カルボキシ一 2—ェチニルフエニル)プロパン、 2, 2一ビス(4一カルボキシー 3—ェチニルフエ-ル)プロパン、 4—ェチ二ルー 1,3- ジカルポキシシクロプロパン、 5—ェチニル一 2, 2—ジカルボキシシクロプロパン等 が挙げられるが、 これらに限定されるものではない。 これらの内、 2—ェチニルイソ フタル酸、 4—ェチュルイソフタル酸、 5—ェチュルイソフタノレ酸、 2, 2—ビス(4一 カルボキシ一 2—ェチニルフエニル)プロパン、 2, 2—ビス(4一カルボキシー 3—ェ チニルフエ-ル)プロパンが好ましレ、。 また、 これらは 1種または 2種以上を組み合わ せて用いることができる。 Examples of the dicarboxylic acid compound having a divalent group represented by 7) include, for example, 3-ethini Luphthalenic acid, 4-ethynylphthalic acid, 2-ethynylisophthalic acid, 4-ethynylisophthalic acid, 5-ethynylisophthalanolic acid, 2-ethylurethanephthalic acid, 3-ethynylterephthalic acid, 5-ethynylterephthalic acid , 2-Ethynyl-1,5-naphthalenedicarboxylic acid, 3-ethynyl-1,5-naphthalenedicarboxylic acid, 4-ethynyl-1,5_naphthalenedicarboxylic acid, 1-ethynyl 2,6-naphthalenedicarboxylic acid , 3-ethynyl -2,6-naphthalenedicarboxylic acid, 4-ethyninolee 2,6-naphthalenedicarboxylic acid, 2-ethynyl-1,6-naphthalenedicarboxylic acid, 3-ethynyl-1,6-naphthalenedicarboxylic acid , 4-Ethyl-1,6-naphthalenedicarboxylic acid, 5-Ethynyl-1,6-naphthalenedicarboxylic acid, 7-Ethynyl-1,6-naphthalenedicarboxylic acid, 8-Ethylene 2,6-naphthalenedicarboxylic acid, 3,3'-Ethylene 2,2,2-biphenyldicarboxylic acid, 4,4,1-Jethinyl 2,2, -biphenyldicarboxylic acid, 5,5'-Jetinole-1,2,2-biphenyldicarboxylic acid, 6,6'-Jetini / lei 2,2,1-biphenyldicanolevonic acid, 2,2'-Jetinyl-1,3,3, 1,4-biphenyldicarboxylic acid, 4,4,1-diphenyl-1,3,3-biphenyldicarboxylic acid, 5,5,1-diethyl-1,3'-biphenyldicarboxylic acid, 6,6,1-diethyldicarboxylic acid 3,3'-Biphenyldicarboxylic acid, 2,2,1-diethyl-1,4,4-biphenyldicarboxylic acid, 3,3,1-Jetul-1,4,4'-Biphenyldicarboxylic acid, 2 , 2-bis (2-carboxy-3-ethynylphenyl) propane, 2,2-bis (2-hydroxypropyl 4-ethulhue) 2,2-bis (2-carboxy-5-ethynylphenyl) propane, 2,2-bis (2-carboxy-6-ethynii / refeninole) propane, 2,2-bis (3-caproloxy) _ 2-Ethynylphenyl) propane, 2,2-bis (3-carboxy-14-ethynylphenyl) propane, 2,2-bis (3-carboxy-1-5-ethynylphenyl) propane, 2,2-bis (3— Carboxy-6-ethynylphenyl) propane, 2,2-bis (4-carboxy-1-ethynylphenyl) propane, 2,2-bis (4-carboxy-3-ethynylphenyl) propane, 4-ethynyl 1, Examples include, but are not limited to, 3-dicarboxycyclopropane, 5-ethynyl-1,2,2-dicarboxycyclopropane, and the like. Of these, 2-ethynyl isophthalic acid, 4-ethyl isophthalic acid, 5-ethyl isophthalenoleic acid, 2,2-bis (4-carboxy-1-2-ethynylphenyl) propane, 2,2-bis (4-1 Carboxy-3-ethynylphenyl) propane is preferred. These may be used alone or in combination of two or more. Can be used.
本発明で用いる、 式 (4 ) で表されるジカルボン酸化合物において Yとして、 式 ( 8 ) によって表される 2価の基を有するジカルボン酸化合物としては、 例えば、 が フエニル基である例としては、 3—フエ二ルェチニルフタル酸、 4一フエ二ルェチ二 ルフタル酸、 2—フエニルェチュルイソフタル酸、 4一フヱ二/レエチニルイソフタル 酸、 5—フエニルェチニルイソフタノレ酸、 2—フエ二ルェチ二ルテレフタノレ酸、 3— フエエルェチュルテレフタノレ酸、 2—フエニノレエチニノレー 1, 5一ナフタレンジカノレポ ン酸、 3—フエニルェチェル一 1, 5—ナフタレンジ力ノレボン酸、 4一フエニルェチニ ルー 1, 5一ナフタレンジカルボン酸、 1—フエニノレエチニノレ一 2, 6一ナフタレンジ力 ルボン酸、 3—フエニルェチュル一 2 , 6—ナフタレンジカルボン酸、 4—フエニルェ チュル一 2, 6一ナフタレンジカルボン酸、 2—フエ二ルェチ二ルー 1 , 6一ナフタレン ジカルボン酸、 3—フエ二ルェチニル一 1 , 6—ナフタレンジ力ノレボン酸、 4一フエ二 ノレェチニノレー 1 , 6—ナフタレンジ力ノレボン酸、 5 _フエニノレエチニノレ一 1 , 6—ナフタ レンジカノレポン酸、 7—フエニノレエチニルー 1, 6—ナフタレンジ力ノレボン酸、 8—フ ェニルェチニルー 1, 6—ナフタレンジカルボン酸、 3 , 3,ージフエニルェチュル一 2, 2,一ビフエ -ルジカルボン酸、 4, 4 'ージフエニルェチ-ルー 2 , 2,一ビフエ二ルジカ ルボン酸、 5 , 5,一ジフエ二ルェチ二ルー 2, 2 '—ビフエニルジカルボン酸、 6 , 6 '— ジフェ二ルェチ二ルー 2 , 2 '—ビフエ ノレジカルボン酸、 2 , 2 '-ジフェニルェチニル — 3 , 3,一ビフエニルジカルボン酸、 4, 4 '一ジフェ二ルェチ二ルー 3 , 3,一ビフエ二 ルジカルボン酸、 5, 5,ージフエニルェチェル _ 3, 3,一ビフエ二ルジカルボン酸、 6 , 6,一ジフエ二ルェチ二ルー 3, 3,ービフエニルジカルボン酸、 2 , 2,一ジフエ -ルェチ -ル一 4, 4 'ービフエニルジカルボン酸、 3, 3,一ジフエニルェチニルー 4, 4,ービフ ェ -ルジカルポン酸、 2, 2—ビス(2—力ルポキシ一 3—フエニルェチニルフエ-ル) プロパン、 2 , 2—ビス(2—力ルポキシ一 4一フエニルェチュルフエニル)プロパン、 2 , 2—ビス(2—カルボキシ一 5—フエニルェチュルフエニル)プロパン、 2 , 2—ビス( 2一カルボキシ一 6—フエ二ルェチユルフェニル)プロパン、 2 , 2—ビス(3—カルボ キシ _ 2—フエニノレエチニルフエニル)プロパン、 2 , 2—ビス(3—カルボキシー 4— フエニルェチニルフエニル)プロパン、 2, 2 _ビス(3—力ルポキシ一 5—フエニルェ チュルフエニル)プロパン、 2 , 2—ビス(3—カルボキシ一 6—フエ二/レエチュルフエ 二ノレ)プロパン、 2, 2—ビス(4一カルボキシー 2—フエニルェチニルフエニル)プロパ ン、 2, 2—ビス(4一力ノレボキシ一3—フエニノレエチ二/レフェニノレ)プロパン. 4ーフ ェニノレエチェノレ一 1 , 3
Figure imgf000018_0001
5一フエ二ルェテ二ルー 2
In the dicarboxylic acid compound represented by the formula (4) used in the present invention, examples of the dicarboxylic acid compound having a divalent group represented by the formula (8) as Y in the dicarboxylic acid compound represented by the formula (4) include, for example, , 3-phenylethynyl phthalic acid, 4-phenylethynyl phthalic acid, 2-phenyl ethynyl isophthalic acid, 4-phenyl / ethynyl isophthalic acid, 5-phenyl ethynyl isophthalanolic acid, 2 —Funelecetir terephthalenoleic acid, 3—Fuelechulterephthalinoleic acid, 2-Feninoleetininoleic acid 1,5,1-Naphthalenedicanoleponic acid, 3-Fenylechelel-1,5-Naphthalenediolenoic acid 1,4-phenylenetinol 1,5-naphthalenedicarboxylic acid, 1-phenylenethyninole-1,6-naphthalenediline rubonic acid, 3-phenylenyl-2,6-naphtha Dicarboxylic acids, 4-phenyl-1,2-naphthalenedicarboxylic acid, 2-phenylenediyl-1,6-naphthalene dicarboxylic acid, 3-phenylethynyl-1,6-naphthalenediolenoic acid, 4-1 1,6-naphthalenedinolenoic acid 1, 6-naphthalenedicanoleponic acid, 7-pheninolethinyl-1, 6-naphthalenedinolenoic acid, 8-phenylenetinyl-1,6-naphthalenedinolenic acid 6-naphthalenedicarboxylic acid, 3,3, diphenylethyl 2,2,1-biphenyldicarboxylic acid, 4,4'diphenylethyl-2,2,1-biphenyldicarboxylic acid, 5,5,1 Diphenyle-2,2'-biphenyldicarboxylic acid, 6,6'-Diphenyle-2,2'-biphenyleoleic acid, 2,2'-diphenylethynyl 3,3,1-biphenyldicarboxylic acid, 4,4'-diphenylethylcarboxylic acid 3,3,1-biphenyldicarboxylic acid, 5,5, diphenylethyl _3,3,1-biphenyldicarboxylic acid Acid, 6, 6, 1-diphenyl-2,3,3-biphenyldicarboxylic acid, 2,2,1-diphenyl-l-4,4'-biphenyldicarboxylic acid, 3,3,1-diphenyl Ethynyl-4,4, -biphenyl-dicarboxylic acid, 2,2-bis (2-potassium 3-propenyl) propane, 2,2-bis (2-potenoxy) (Phenylphenyl) propane, 2,2-bis (2-carboxy-1-5-phenylethylfurenyl) propane, 2,2-bis ((2-carboxy-1-6-phenylethylphenyl) propane , 2,2-bis (3-carboxy_2-pheninoleethynylphenyl) propane, 2,2- Bis (3-carboxy-4-phenylethynylphenyl) propane, 2,2-bis (3-capilloxy-5-phenylurchurphenyl) propane, 2,2-bis (3-carboxy-1-6-phenyl / lechulphen) 2,4-bis (4-carboxy-2-phenylethynylphenyl) propane, 2,2-bis (4,1-norreboxyl-13-pheninoleetinii / refeninole) propane. Ninoré Chenole 1, 3
Figure imgf000018_0001
5 1 2
2—ジカルボキシシクロプロパン等が挙げられる。 2-dicarboxycyclopropane and the like.
又、 式 (4) で表されるジカルボン酸化合物において Yとして、 式 (8) によって 表される 2価の基を有するジカルボン酸化合物における Rがアルキル基である例とし ては、 3—へキシュルフタノレ酸、 4一へキシュルフタル酸、 2—へキシニルイソフタ ル酸、 4一へキシュルイソフタル酸、 5—へキシェルイソフタノレ酸、 2—へキシニル テレフタル酸、 3—へキシニルテレフタル酸、 2—へキシェル一 1,5—ナフタレンジ カルポン酸、 3一へキシニノレー 1, 5一ナフタレンジ力ノレボン酸、 4—へキシニノレー 1 ,5—ナフタレンジカルボン酸、 1一へキシニノレー 2, 6—ナフタレンジカルボン酸、 3 一へキシニル _ 2, 6一ナフタレンジカルボン酸、 4一へキシニル一 2, 6一ナフタレン ジカルボン酸、 2—へキシニルー 1 , 6—ナフタレンジカルボン酸、 3一へキシュルー 1 , 6一ナフタレンジカルボン酸、 4一へキシェル一 1, 6一ナフタレンジカルボン酸、 5一へキシェル一 1 , 6一ナフタレンジ力ノレボン酸、 7一へキシュノレ一 1, 6—ナフタレ ンジカルボン酸、 8—へキシニルー 1,6—ナフタレンジカルボン酸、 3, 3'—ジへキ シニノレー 2 , 2,一ビフエニノレジカノレポン酸、 4,4'-ジへキシュノレ一 2 , 2,ービフエ二 ルジカルポン酸、 5, 5'—ジへキシュルー 2, 2,ービフエニルジカルボン酸、 6,6'_ ジへキシニルー 2 , 2,ービフエニルジカルボン酸、 2, 2,ージへキシニルー 3, 3,一ビ フヱニルジカルボン酸、 4,4,一ジへキシュルー 3, 3,ービフエ-ルジカルボン酸、 5, 5 '―ジへキシ-ルー 3, 3,ービフエ二ルジカルポン酸、 6 , 6, _ジへキシニル一 3,3' ービフエニルジカルボン酸、 2, 2,一ジへキシニルー 4, 4,ービフエニルジカルボン酸 、 3, 3,ージへキシニルー 4, 4,_ビフヱニルジカルボン酸、 2,2—ビス(2—カルボ キシー 3—へキシニノレフエ-ノレ)プロパン、 2, 2—ビス(2—力ノレボキシ一 4一へキシ ユルフェニル)プロパン、 2,2—ビス(2—カルボキシ _ 5—へキシニルフエ二ノレ)プロ パン、 2, 2—ビス(2—カルボキシ一 6—へキシュルフエ二ノレ)プロパン、 2, 2—ビス( 3一力ノレボキシ一 2—へキシュノレフエニル)プロパン、 2, 2—ビス(3 _カルボキシ一 4—へキシニルフエニル)プロパン、 2, 2—ビス(3—力ルポキシ一 5—へキシュルフ ェニル)プロパン、 2, 2 _ビス(3—カノレポキシ一 6—へキシュノレフエニル)プロパン. 2 , 2 -ビス(4一力ノレボキシ一 2—へキシニノレフエ二ノレ)プロパン、 2 , 2 -ビス(4一力 ルボキシ一 3—へキシニルフエ二ノレ)プロパン、 4一へキシュルー 1 , 3—ジカルポキシ シクロプロパン、 5—ェチニルー 2, 2—ジカルボキシシクロプロパン、 3—プロピニ ルフタノレ酸、 4—プロピニルフタル酸、 2—プロピニルイソフタノレ酸、 4一プロピ- ルイソフタル酸、 5—プロピニルイソフタノレ酸、 3—ブチエルフタル酸、 4—ブチニ ノレフタル酸、 2—プチ二ルイソフタル酸、 4—プチ二ルイソフタノレ酸、 5—ブチニル イソフタル酸、 3 _イソプロピルェチニルフタノレ酸、 4 _イソプロピルェチニルフタ ル酸、 2—イソプロピルェチニルイソフタノレ酸、 4 ソプロピルェチュルイソフタ ル酸、 5—イソプロピノレエチニルイソフタル酸、 3—イソプロピルェチュルイソフタ ル酸、 4 - t—プチルェチュルフタル酸、 2— t—プチルェチ二ルイソフタル酸、 4 一 t一プチルェチ二ルイソフタノレ酸、 5 - t -プチルェチ二ルイソフタル酸、 等が挙 げられるが、 これらに限定されるものではない。 Examples of the dicarboxylic acid compound represented by the formula (4) in which Y is Y and R in the dicarboxylic acid compound having a divalent group represented by the formula (8) is an alkyl group include: 3-hexylphthalanol Acid, 4-hexyl phthalic acid, 2-hexynyl isophthalic acid, 4-hexyl isophthalic acid, 5-hexyl isophthalanolic acid, 2-hexynyl terephthalic acid, 3-hexynyl terephthalic acid, 2- Hexchel 1,5-naphthalenedicarboxylic acid, 3-hexinolene 1,5-naphthalenedicarboxylic acid, 4-hexinolene 1,5-naphthalenedicarboxylic acid, 1-hexinolene 2,6-naphthalenedicarboxylic acid, 3 1-hexynyl _ 2,6-naphthalenedicarboxylic acid, 4-hexynyl-1,2,6-naphthalene dicarboxylic acid, 2-hexynyl-1,6-naphthalenedicarboxylic acid -1,3-hexyl-1,6-naphthalenedicarboxylic acid, 4-hexyl-1,6-naphthalenedicarboxylic acid, 5-hexyl-1,6-naphthalenedicarboxylic acid, 7-hexyl-1,6- Naphthalene dicarboxylic acid, 8-hexynyl-1,6-naphthalenedicarboxylic acid, 3,3'-dihexinoleno 2,2,1-biphenylinolecanoleponic acid, 4,4'-dihexinole 1 2,2, -biphenyldicarboxylic acid, 5,5'-dihexyl 2,2, -biphenyldicarboxylic acid, 6,6'_dihexynyl-2,2,2-biphenyldicarboxylic acid, 2,2, di Hexinyl-3,3,1-biphenyldicarboxylic acid, 4,4,1-dihexyl-3,3-biphenyldicarboxylic acid, 5,5'-dihexyl-3,3, -biphenyldicarboxylic acid , 6, 6, _dihexynyl-1,3,3'-biphenyldicarboxylic acid, 2, 2 1-dihexynyl-4,4, -biphenyldicarboxylic acid, 3,3, dihexynyl-4,4, _biphenyldicarboxylic acid, 2,2-bis (2-carboxy 3-hexyninolephene) Propane, 2,2-bis (2-nitrohexylphenyl) propane, 2,2-bis (2-carboxy_5-hexynylpheninole) propane, 2,2-bis (2-carboxy) One 6-hexylphenyl-2-propane, 2,2-bis (31-norhexoxy-2-hexynenorphenyl) propane, 2,2-bis (3_carboxy-14-hexynylphenyl) propane, 2, 2-bis (3-dipropoxy-5-hexylphenyl) propane, 2,2_bis (3-canolepoxy-1-6-hexnolephenyl) propane. 2,2-bis (4-hydroxyhexylinolephenoxy) propane, 2,2-bis (4-hexyloxy-3-hexynylpheninole) propane, 4-hexyl-1,3-dicarboxycyclo Propane, 5-ethynyl-2,2-dicarboxycyclopropane, 3-propynylphthalanolic acid, 4-propynylphthalic acid, 2-propynylisophthalanolic acid, 4-propynylisophthalic acid, 5-propynylisophthalanolic acid, 3 -Butyphthalic acid, 4-butyninolephthalic acid, 2-butynylisophthalic acid, 4-butynylisophthalenoic acid, 5-butynyl isophthalic acid, 3_isopropylethynylphthalanolic acid, 4_isopropylethynylphthalic acid, 2-Isopropylethynylisophthalenoic acid, 4 Sopropylethylusophthalic acid, 5-Isopropynoleethynylisophthalic acid, 3— Sopropylethyl isophthalic acid, 4-t-butyl ethyl phthalic acid, 2-t-butyl ethyl isophthalic acid, 4-t-butyl ethyl isophthalanolic acid, 5-t-butyl ethyl isophthalic acid, etc. However, the present invention is not limited to these.
これらの内、 Rはフエニル基がより好ましく、 さらには 2—フエニルェチュルイソ フタル酸、 4 _フエニルェチニルイソフタノレ酸、 5—フエ二ルェチ二ルイソフタル酸 、 2 , 2—ビス(4—カルボキシ一 2—フエニノレエチニルフエ二ゾレ)プロパン、 2 , 2—ビ ス(4—力ルポキシ一 3—フエ二/レエチニルフエニル)プロパンが好ましい。 また、 これ らは 1種または 2種以上を組み合わせて用いることができる。  Among these, R is more preferably a phenyl group, and furthermore, 2-phenylethyleisophthalic acid, 4-phenylethynylisophthalenoleic acid, 5-phenylethynylisophthalic acid, 2,2-bis Preferred are (4-carboxy-1-phenylenethynylphenyl) propane and 2,2-bis (4-potassyl-3-phenyl / ethynylphenyl) propane. These can be used alone or in combination of two or more.
本発明で用いる、 式 (4 ) で表されるジカルボン酸化合物において Yとして、 式 ( In the dicarboxylic acid compound represented by the formula (4) used in the present invention, Y represents the formula (
9 ) に表される 2価の基を有するジカルボン酸化合物としては、 例えば、 1,2—ビフ ェニレンジ力/レボン酸、 1 , 3—ビフエ二レンジ力/レポン酸、 1,4ービフエ二レンジ力 ノレボン酸、 1, 5—ビフエ二レンジカルボン酸、 1, 6—ビフエ二レンジ力ノレボン酸、 1 , 7—ビフエ二レンジ力^ ^ボン酸、 1, 8—ビフエ二レンジ力ノレボン酸、 2,3—ビフエ ェレンジカノレポン酸、 2 , 6—ビフエ二レンジ力ノレボン酸、 2,7—ビフエ二レンジ力ノレ ボン酸などが挙げられ、 得られる塗膜の性能から、 2, 6—ビフエ二レンジカルボン酸 、 2 , 7—ビフエ-レンジカルボン酸が特に好ましい。 また、 これらは 1種または 2種 以上を組み合わせて用いることができる。 Examples of the dicarboxylic acid compound having a divalent group represented by 9) include, for example, 1,2-biphenylenediene / levonic acid, 1,3-biphenylenediene / reponic acid, and 1,4-biphenylenediate Nolevonic acid, 1,5-biphenylenedicarboxylic acid, 1,6-biphenylenedicarboxylic acid, 1,7-biphenylenedicarboxylic acid ^ ^ Bonic acid, 1,8-biphenylenedicarboxylic acid, 2, Examples include 3-biphenylenedicanoleponic acid, 2,6-biphenylenediolenoic acid, 2,7-biphenylenediolenoic acid, and the like. Benedicarboxylic acid and 2,7-biphenylenedicarboxylic acid are particularly preferred. These can be used alone or in combination of two or more.
本発明で用いる、 式 (4 ) で表されるジカルボン酸化合物において Yとして、 式 ( In the dicarboxylic acid compound represented by the formula (4) used in the present invention, Y represents the formula (
1 0 ) に表される 2価の基を有するジカルボン酸化合物としては、例えば、 4,4,ート ランジカルボン酸、 3, 4 '―トランジカルボン酸、 3, 3 '_トランジカルボン酸、 2 , 4 '一トランジカルボン酸、 2, 3 '—トランジカルボン酸、 2 , 2,一トランジカルボン酸 などを挙げることができる。 また、 これらは 1種または 2種以上を組み合わせて用い ることができる。 Examples of the dicarboxylic acid compound having a divalent group represented by 10) include, for example, 4,4, transdicarboxylic acid, 3,4′-trandicarboxylic acid, 3,3′_trandicarboxylic acid, , 4'-Transdicarboxylic acid, 2,3'-transdicarboxylic acid, 2,2,1-transdicarboxylic acid, and the like. These can be used alone or in combination of two or more.
本発明に用いる前記ジカルボン酸化合物は、 2種以上を組み合わせて用いることが でき、 例えば、 式 (4) における Yとして、 式 (5 ) — 1及び式 ( 5 ) 一 2ならびに 式 (6 ) で表される基より選ばれる 2価の基と、 式 (7 )、 式 (8 )、 式 (9 ) 及ぴ式 ( 1 0 ) で表される基の中から選ばれる 1種または 2種以上を組み合わせて用いるこ とができる。 式 (5 ) — 1及ぴ式 ( 5 ) ならびに式 (6 ) で表される基を含むと、 密 着性が向上し、 式 (7 ) 〜式 (1 0 ) で表される基を含むと、 ガラス転移^ i や熱時 の弾性率などの耐熱性が向上する。  The dicarboxylic acid compound used in the present invention can be used in combination of two or more kinds. For example, as Y in the formula (4), a compound represented by the formula (5) -1 and the formula (5) -12 and the formula (6) A divalent group selected from groups represented by one or more groups selected from the groups represented by formulas (7), (8), (9) and (10) Can be used in combination. When the group represented by the formula (5) -1 and the formula (5) and the formula (6) is included, the adhesion is improved, and the group represented by the formula (7) to the formula (10) is included. As a result, the heat resistance such as the glass transition ^ i and the elastic modulus when heated is improved.
また、 本発明の絶縁膜の特性に影響のなレヽ範囲で、 前記ビスアミノフエノール化合 物および前記ジカルポン酸化合物以外のビスアミノフエノール化合物およびジカルポ ン酸化合物を用いても良い。  Further, a bisaminophenol compound and a dicarponic acid compound other than the bisaminophenol compound and the dicarponic acid compound may be used within a range that does not affect the properties of the insulating film of the present invention.
本発明にぉレ、て、 ポリベンゾォキサゾール榭脂前駆体およびこれを含む絶縁膜用ヮ ニスの保存安定性を向上させる目的で、 ポリベンゾォキサゾール樹脂の合成において 、 樹脂の末端に末端封止化合物を反応させてェンドキヤップすることが好ましい。 前記末端封止化合物としては、 例えば、 無水フタル酸、 3—ェチニルー無水フタル 酸おょぴ 3—フエ-ルェチ二ルー無水クタノレ酸などの無水フタル酸;、 無水マレイン 酸おょぴ 5—ノルボルネンー 2 , 3—ジカルボン酸無水物などの酸無水物;、 安息香酸 、 4—ェチニル安息香酸、 3—ェチニル安息香酸、 4—フエニル工チニル安息香酸お よび 3—フエ-ル安息香酸などの安息香酸化合物;、 1—ァダマンチルカルボン酸、 1—ァダマンチルェチニルカルボン酸などのァダマンチルカルボン酸化合物;、 ァニ リン、 4—ェチニノレア-リン、 3—ェチュルァニリン、 4一フエニノレエチニノレアニリ ンおよび 3—フエニルェチニルァニリンなどのァ-リン化合物;、 2—アミノフエノ —ノレ、 2—アミノー 5—ェチニノレフエノーノレおよび 2—アミノー 5—フエニノレエチニ ルフエノールなどのアミノフエノール化合物;、 等が挙げられ、 これらを単独また 2 種以上を組み合わせて使用しても良レ、。  According to the present invention, in order to improve the storage stability of a polybenzoxazole resin precursor and a varnish for an insulating film containing the same, in the synthesis of a polybenzoxazole resin, a resin terminal is used. It is preferable that the end capping compound is reacted to perform end capping. Examples of the terminal blocking compound include: phthalic anhydride, phthalic anhydride such as 3-ethynyl-phthalic anhydride and 3-phthalene di-butanoic anhydride; and maleic anhydride and 5-norbornene-2. Acid anhydrides such as, 3-dicarboxylic anhydride; benzoic acid compounds such as benzoic acid, 4-ethynylbenzoic acid, 3-ethynylbenzoic acid, 4-phenylmethynylbenzoic acid and 3-phenylbenzoic acid Adamantyl carboxylic acid compounds such as 1-adamantyl carboxylic acid and 1-adamantyl ethynyl carboxylic acid; aniline, 4-ethyninolea-phosphorus, 3-ethyuraniline, 4-pheninoleethyninole Aryl compounds such as aniline and 3-phenylethynylaniline; 2-aminopheno-norre, 2-amino-5-ethyninolephenenole and 2-amino Aminophenol compounds such as over 5 Fueninoreechini Rufuenoru;, etc., and be used in combination either singly or 2 kinds accordance.
これらのィ匕合物にぉレヽて、 無水マレイン酸ゃ 5—ノルポルネン一 2, 3—ジカルボン 酸無水物などの炭素一炭素二重結合を有する基、 およぴェチュル基やフエ-ルェチ二 ル基などの炭素一炭素三重結合を有する基等の架橋基を有する化合物が好ましレヽ。 こ れにより、 ポリべンゾォキサゾール樹脂をカロ熱することにより 3次元網目状に架橋反 応を生じるため、 ポリベンゾォキサゾール樹脂の耐熱性を向上することができる。 本発明に用いるポリベンゾォキサゾール樹脂前駆体の酸素元素比率は 5〜; 1 0モル %が好ましく、 5. 5〜9モル0 /0がより好ましく、 6〜8モル0 /0がさらに好ましい。 酸 素元素比率が前記範囲においては、 耐熱性および低誘電率性を低下させずに、 より高 レヽ密着性を有する絶縁膜が得られる。 このようなポリベンゾォキサゾール樹脂前駆体 を得るにあたり、 前記式 ( 1 ) で表されるビスアミノフエノール化合物および前記式 (4 ) で表されるジカルボン酸化合物において、 式中の X として、 前記式 (3 ) で表 される基の中でエーテル基、 スルホ-ル基およびカルボ二ル基を含む基を有するもの であることが好ましく、 特に、 前記式 (4 ) で表されるジカルボン酸化合物に有する ものであることがより好ましい。 Examples of these conjugates include a group having a carbon-carbon double bond such as maleic anhydride-5-norpolene-1,2,3-dicarboxylic anhydride, and a ethul group or a ferulethane group. Compounds having a cross-linking group such as a group having a carbon-carbon triple bond such as a phenyl group are preferred. Thus, since the polybenzoxazole resin is calo-heated to generate a cross-linking reaction in a three-dimensional network, the heat resistance of the polybenzoxazole resin can be improved. Oxygen element ratio of polybenzoxazole O benzoxazole resin precursor used in the present invention is 5; preferably 1 0 mol%, 5. more preferably 5-9 mole 0/0, more preferably 6-8 mole 0/0 . When the oxygen element ratio is in the above range, an insulating film having higher adhesiveness can be obtained without lowering heat resistance and low dielectric constant. In obtaining such a polybenzoxazole resin precursor, in the bisaminophenol compound represented by the formula (1) and the dicarboxylic acid compound represented by the formula (4), X in the formula: Among the groups represented by the formula (3), those having a group containing an ether group, a sulfol group and a carboxy group are preferable. In particular, the dicarboxylic acid compound represented by the formula (4) is preferable. It is more preferable to have
本発明に用いるポリべンゾォキサゾール樹脂前駆体の製造方法として、 例えば、 酸 クロリド法では、 まず、 使用する酸クロリドを調製する。 一例として、 N,N_ジメチ ルホルムアミド等の触媒存在下で、 式 (4 ) で表されるジカルボン酸化合物、 例えば 、 イソフタル酸と、 過剰量の塩ィ匕チォニルとを、 室温ないし 7 5 °Cで反応させ、 過剰 の塩化チォニルを加熱及び減圧により留去した後、 残渣をへキサン等の溶媒で再結晶 することにより、 イソフタル酸クロリドが得られる。  As a method for producing the polybenzoxazole resin precursor used in the present invention, for example, in an acid chloride method, first, an acid chloride to be used is prepared. As an example, in the presence of a catalyst such as N, N_dimethylformamide, a dicarboxylic acid compound represented by the formula (4), for example, isophthalic acid, and an excess amount of chloridion thionyl are added at room temperature to 75 ° After reacting with C, excess thionyl chloride is distilled off by heating and reduced pressure, and the residue is recrystallized with a solvent such as hexane to obtain isophthalic chloride.
次に、 式 (1 ) で表されるビスアミノフエノール化合物、例えば、 2 , 2—ビス(3— ァミノ一 4ーヒ ドロキシフエニル)プロパンを、 通常、 N—メチル一2—ピロリ ドン、 N,N—ジメチルァセトアミド等の極性溶媒に溶解し、 これに、 予め調製した前記ジカ ルボン酸のクロリド化合物を、 トリェチルァミン等の酸受容剤存在下で、 室温なレヽし - 3 0 °Cで反応させることにより、 ポリベンゾォキサゾール樹脂前駆体を得ることが できる。  Next, a bisaminophenol compound represented by the formula (1), for example, 2,2-bis (3-amino-14-hydroxyphenyl) propane is usually treated with N-methyl-1-pyrrolidone, N, N —Dissolved in a polar solvent such as dimethylacetamide, and reacted with the previously prepared chloride compound of dicarboxylic acid in the presence of an acid acceptor such as triethylamine at room temperature at −30 ° C. Thereby, a polybenzoxazole resin precursor can be obtained.
また、 前記ジカルボン酸化合物と同様な方法で予め調整した、 式 (1 1 ) で表され る末 ¾f止化合物の酸ク口リド化合物、 例えば、 安息香酸ク口リドを、 トリェチルァ ミン等の酸受容剤存在下で、 室温ないしー3 0 °Cで反応させることにより、 末端が封 止されたポリベンゾォキサゾール樹脂前駆体を得ることができる。  Further, an acid sulfide compound of the terminal compound represented by the formula (11), for example, benzoic acid oxalate, prepared in advance in the same manner as the dicarboxylic acid compound, may be prepared by adding an acid acceptor such as triethylamine. By reacting at room temperature to −30 ° C. in the presence of the agent, a polybenzoxazole resin precursor having a terminal capped can be obtained.
また、 前記酸クロリド化合物の代わりに、 式 (4 ) で表されるジカルボン酸化合物 の活性エステル化合物を、 ビスアミノフエノール化合物と反応させることによつても 、 ポリベンゾォキサゾール樹脂前駆体を得ることができる。 Further, instead of the acid chloride compound, a dicarboxylic acid compound represented by the formula (4): By reacting the active ester compound with a bisaminophenol compound, a polybenzoxazole resin precursor can be obtained.
本発明の絶縁膜用ヮニスは、 通常、 上記で得たポリベンゾォキサゾール樹脂前駆体 を、 前記ポリベンゾォキサゾール榭脂前駆体を溶解もしくは分散することが可能な溶 剤に、 溶解もしくは分散させて、 ワニス状にして得ることができる。 前記溶剤として は、 N—メチル一2—ピロリドン、 γ—ブチロラクトン、' Ν,Ν—ジメチルァセトアミ ド、 ジメチルスルホキシド、 ジエチレングリコールジメチルエーテル、 ジエチレング リコーノレジェチノレエーテノレ、 ジエチレングリコーノレジブチ/レエーテノレ、 プロピレング リコーノレモノメチルエーテル、 ジプロピレングリコールモノメチノレエ一テル、 プロピ レングリコールモノメチノレエーテルアセテート、 乳酸メチノレ、 乳酸ェチル、 乳酸ブチ ル、 メチル一1 , 3—ブチレングリコールアセテート、 1, 3 _プチレングリコールー 3 一モノメチルエーテノレ、 ピルビン酸メチル、 ピルビン酸ェチル、 メチル一 3—メ トキ シプロピオネート、 シクロへキサノン等を、 1種、 または 2種以上混合して用いるこ とができる。 前記溶媒の使用量としては、 特に限定されないが、 一般的には、 前記ポ リベンゾォキサゾール樹脂前駆体に対して重量比で 5〜 1 0 0 0倍程度の量が好まし い。  The varnish for an insulating film of the present invention generally comprises dissolving or dissolving the polybenzoxazole resin precursor obtained above in a solvent capable of dissolving or dispersing the polybenzoxazole resin precursor. It can be dispersed to obtain a varnish. Examples of the solvent include N-methyl-1-pyrrolidone, γ-butyrolactone, Ν, Ν-dimethylacetamide, dimethylsulfoxide, diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycolone retinoleatene, diethyleneglyconelebutyate / leeteneole, Propylene glycol monomethyl ether, dipropylene glycol monomethinole ether, propylene glycol monomethinole ether acetate, methylinole lactate, ethyl lactate, butyrate lactate, methyl 1,3-butylene glycol acetate, 1,3_ Butylene glycol-3 monomonomethyl ether, methyl pyruvate, ethyl pyruvate, methyl-3-methoxypropionate, cyclohexanone, etc., can be used alone or in combination of two or more. . The amount of the solvent used is not particularly limited, but is generally preferably about 5 to 100 times the weight of the polybenzoxazole resin precursor.
また、 本発明の絶縁膜用ワニスには、 必要により、 各種添加剤として、 界面活十生剤 やカップリング剤等を^] Πし、 半導体用の層間絶縁膜、 保護膜、 エッチングストッパ 一膜、 密着付与膜、 多層回路の層間絶縁膜、 フレキシブノ 同張板のカバーコート、 ソ ルダーレジスト膜、 液晶配向膜等として用いることができる。  In addition, the varnish for an insulating film of the present invention may include a surfactant, a coupling agent, etc. as various additives, if necessary, to form an interlayer insulating film, a protective film, and an etching stopper film for a semiconductor. It can be used as an adhesion-imparting film, an interlayer insulating film of a multilayer circuit, a cover coat of a flexi-bonding board, a solder resist film, a liquid crystal alignment film and the like.
また、 本発明の絶縁膜用ヮエスは、 感光剤としてのナフトキノンジアジド化合物と 一緒に用いることで、 感光性樹脂組成物として用いることが可能である。  The insulating film of the present invention can be used as a photosensitive resin composition by using it together with a naphthoquinonediazide compound as a photosensitive agent.
本発明の絶縁膜の製造方法としては、 まず、 本発明の絶縁膜用ワニスを、 適当な支 持体、 例えば、 ガラス、 金属、 シリコンウェハーやセラミック基盤等に塗布して、 塗 膜を形成する。 前記塗布方法としては、 スピンナーを用いた回転塗布、 スプレーコー ターを用いた噴霧塗布、 浸漬、 印刷、 ロールコーティング等の方法が挙げられる。 次 いで、 このようにして得た塗膜を、 カロ熱処理をして、 脱水縮合反応により、 樹脂に変 換して、 ポリべンゾォキサゾール樹脂を主構造とする樹脂層からなる絶縁膜を得るの が好ましい。 " 本発明の絶縁 B莫は、 半導体用の層間絶縁膜、 保護膜、 エッチングストッパー膜、 密 着付与膜、 ハー 'ドマスク多層回路の層間絶縁膜、 フレキシプノ 同張板のカバーコート 、 ソルダーレジスト膜、 液晶配向膜等に用いることができる。 実施例 In the method of manufacturing the insulating film of the present invention, first, the varnish for an insulating film of the present invention is applied to a suitable support, for example, a glass, metal, silicon wafer, ceramic substrate, or the like, to form a coating film. . Examples of the coating method include spin coating using a spinner, spray coating using a spray coater, dipping, printing, and roll coating. Next, the coating film thus obtained is subjected to a calo-heat treatment and converted into a resin by a dehydration condensation reaction to obtain an insulating film comprising a resin layer having a polybenzoxazole resin as a main structure. preferable. " Insulation according to the present invention is an interlayer insulating film for semiconductors, a protective film, an etching stopper film, an adhesion-imparting film, an interlayer insulating film for a hard mask multi-layer circuit, a flexipno, a cover coat for a coaxial board, a solder resist film, and a liquid crystal. It can be used for an alignment film or the like. Example
以下、 実施例により本発明を具体的に説明するが、 本発明は実施例の内容になんら 限定されるものではなレヽ。 特性評価のため、 実施例及ぴ比較例で作成したフィルムを 用いて、 誘電率、 耐熱性、 および密度を測定した。 各特性の測定条件は、 次のとおり とし、 その測定結果は第 1表にまとめて示した。 以下、 部は重量部を示す。  Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to examples, but the present invention is not limited to the contents of the examples. For property evaluation, the dielectric constant, heat resistance, and density were measured using the films prepared in Examples and Comparative Examples. The measurement conditions for each characteristic were as follows, and the measurement results are summarized in Table 1. Hereinafter, “parts” indicates “parts by weight”.
1. 誘電率 1. Dielectric constant
ヒューレットパッカードネ環 HP— 4284A P r e c i s i on LCRメー ターを用いて、 測定周波数 1MHzで測定を行つた。  The measurement was performed at a measurement frequency of 1 MHz using a Hewlett-Packard anne HP-4284A Precision LCR meter.
2. 耐熱性 '  2. Heat resistance ''
セイコーインスツルメンッ (株) 製 TG/DTA220を用いて、 窒素ガスフロー 下、 昇温速度 10 °C /分の条件により、 重量減少が 5 %に達した時の温度を測定した  Using TG / DTA220 manufactured by Seiko Instruments Inc., the temperature at which the weight loss reached 5% was measured under a nitrogen gas flow at a heating rate of 10 ° C / min.
3. 密着性 (テープテスト) 3. Adhesion (tape test)
クロスカツトにより lmmX 1mmの升目を 100個ィ懷し、 住友スリーェム製ス コツチテープを用いて引き剥がしテストを行い、 100升目中の剥がれた升目数を測 定した。  After 100 squares of lmmX 1mm were cross cut, a peeling test was carried out using a Scotch tape manufactured by Sumitomo 3LEM, and the number of peeled squares in the 100 squares was measured.
4. 密着性 (スタッドプルテスト)  4. Adhesion (stud pull test)
樹脂膜の上面にエポキシ接着剤でスタッドビンを垂直に取りつけ、 Qu a d Gr o u p製セバスチャン V型強度テスターを用いて、 スタツドビンを樹脂膜に対して垂 直方向に引っ張り、 その時の引っ張り石皮壊強度 (スタッドプル強度) を測定した。 実施例 1  A stud bin is attached vertically to the top surface of the resin film with an epoxy adhesive, and the stud bin is pulled perpendicular to the resin film using a Quadruple Sebastian V-type strength tester. (Stud pull strength) was measured. Example 1
9, 9一ビス [2—メチノレー 5—シクロへキシルー 4— (4一アミノー 3—ヒ ドロキシ )フエノキシフエニル]フルオレン 7.25部 (l Ommo l) を、 乾燥窒素雰囲気下で 、 乾燥した 40部の N—メチルー 2—ピロリドンに溶解し、 これに 5°Cで、 5— t— プチルイソフタル酸ジクロリドの固体 2.46部 (9.5mmo 1 ) 'を、 30分かけてゆ つくり添口した。 続いて、 室温まで戻し、 室温で 1時間撤丰した。 その後、 5°Cで、 トリェチルァミン 2.45部 (22mmo 1) を、 30分かけて滴下した。 滴下終了後 、 室温まで戻し、 室温で 3時間撹拌して反応させることにより、 酸素元素比率が 5.8 モル%であるポリベンゾォキサゾール樹脂前駆体を得た。 得られたポリベンゾォキサ ゾール樹脂前駆体を、 東ソー (株) 製 GPCを用いて、 ポリスチレン換算で数平均分 子量 (Mn) を求めたところ、 7.0X 103、 重量平均分子量 (Mw) が 1.36X 1 04であった。 9,9-bis [2-methynoleic 5-cyclohexyl 4- (4-amino-3-hydroxy) phenoxyphenyl] fluorene 7.25 parts (l Ommol), 40 parts dried under dry nitrogen atmosphere Bruno was dissolved in N- methyl-2-pyrrolidone, in which the 5 ° C, solid 2.46 parts of 5-t-Puchiruisofutaru acid dichloride (9 .5mmo 1) ', 30 minutes Kaketeyu I made it. Subsequently, the temperature was returned to room temperature and the room temperature was removed for 1 hour. Thereafter, at 5 ° C., 2.45 parts (22 mmo 1) of triethylamine was added dropwise over 30 minutes. After completion of the dropwise addition, the temperature was returned to room temperature, and the mixture was stirred and reacted at room temperature for 3 hours to obtain a polybenzoxazole resin precursor having an oxygen element ratio of 5.8 mol%. The resulting Poribenzookisa tetrazole resin precursor using a Tosoh Corp. GPC, was determined the number average molecular weight in terms of polystyrene with (Mn), 7.0x 10 3, a weight average molecular weight (Mw) 1.36X It was 1 0 4.
このポリベンゾォキサゾール樹脂前駆体 10 gを、 N—メチルー 2—ピロリドンに 溶解して 20 %の溶液とし、 孔径 0.2 μ mのテフロン (登録商標) フィルターで濾過 し、 ワニスを得た。 このワニスを、 スピンコーターを用いてシリコンウェハーおよび シリコンウェハーに、 S i C膜が 10 nmの膜厚で膜付けされた S i C基板上に塗布 した。 塗布後、 90°Cのホットプレート上で、 240秒乾燥した後、 窒素を流入して 、 酸素濃度を 100 p pm以下に制御したオーブンを用いて、 250°C/60分、 3 50°C/60分の順で加熱し、 脱水縮合反応によりポリベンゾォキサゾール樹脂に変 換し、 絶縁膜用樹脂フィルムを得た。 得られたフィルムを用いて、 各種特性の評価を 行った。  10 g of this polybenzoxazole resin precursor was dissolved in N-methyl-2-pyrrolidone to form a 20% solution, which was filtered through a Teflon (registered trademark) filter having a pore size of 0.2 μm to obtain a varnish. The varnish was applied to a silicon wafer and a silicon wafer using a spin coater on a SiC substrate having a 10 nm thick SiC film. After application, dried on a hot plate at 90 ° C for 240 seconds, nitrogen was introduced, and the oxygen concentration was controlled to 100 ppm or less using an oven, 250 ° C / 60 minutes, 350 ° C The resin was heated in the order of / 60 minutes and converted to a polybenzoxazole resin by a dehydration condensation reaction to obtain a resin film for an insulating film. Various characteristics were evaluated using the obtained film.
実施例 2 Example 2
実施例 1にお 、て、 9 , 9 _ビス [ 2—メチルー 5—シク口へキシル一 4— ( 4一アミ ノ一 3—ヒドロキシ)フエノキシフエニル]フルオレン 7.25部 (l Ommo l) に代 えて、 2,2—ビス [3—シクロへキシルー 4— (4—ァミノ一 3—ヒ ドロキシ)フエノキ シフエ二ル]プロパン 6.08部(1 Ommo 1) を用いた以外は、全て実施例 1と同様 にして、 酸素元素比率が 5.2モル%であるポリベンゾォキサゾール樹脂前駆体の合成 を行った。 GPCにより分子量を測定したところ、 ポリスチレン換算で数平均分子量 (Mn) が 7.0 X 103、重量平均分子量 (Mw) が 1.36 X 104であった。 その後 、 実施例 1と同様にしてワニスを調製し、 絶縁膜用樹脂フィルムを作製して、 評価を 行った。 In Example 1, 9,25-bis [2-methyl-5-cyclohexyl-1- (4-amino-3-hydroxy) phenoxyphenyl] fluorene was added to 7.25 parts (lOmmol). Instead of using Example 2, except that 6.08 parts (1 Ommo 1) of 2,2-bis [3-cyclohexyl 4- (4-amino-13-hydroxy) phenoxyphenyl] propane was used instead. Similarly, a polybenzoxazole resin precursor having an oxygen element ratio of 5.2 mol% was synthesized. When the molecular weight was measured by GPC, the number average molecular weight (Mn) was 7.0 × 10 3 and the weight average molecular weight (Mw) was 1.36 × 10 4 in terms of polystyrene. Thereafter, a varnish was prepared in the same manner as in Example 1, and a resin film for an insulating film was prepared and evaluated.
実施例 3 Example 3
実施例 1におレ、て、 9 , 9—ビス [ 2—メチル一 5—シク口へキシノレ一 4— ( 4一アミ ノー 3—ヒ ドロキシ)フエノキシフエニル]フルオレン 7.25部 (l Ommo l) に代 えて、 1, 1—ビス [3—シク口へキシルー 4—(4—ァミノ一 3—ヒ ドロキシ)フエノキ シフエニル]シクロへキサン 6.41部(1 Ommo 1) を用いた以外は、全て実施例 1 と同様にして、 酸素元素比率が 5.2モル%であるポリベンゾォキサゾール樹脂前駆体 の合成を行った。 G PCにより分子量を測定したところ、 ポリスチレン換算で数平均 分子量 (Mn) が 7.0 X 103、 重量平均分子量 (Mw) が 1.36 X 104であった。 その後、 実施例 1と同様にしてワニスを調製し、 絶縁膜用樹脂フィルムを作製して、 評価を行った。 In Example 1, 9,9-bis [2-methyl-1-5-cyclohexyl-1- (4-amino-3-hydroxy) phenoxyphenyl] fluorene 7.25 parts (l Ommol) ) Example 1 except that 6.41 parts (1 Ommo 1) of 1,1-bis [3-cyclohexyl 4- (4-amino-13-hydroxy) phenoxycyclophenyl] cyclohexane was used. Similarly, a polybenzoxazole resin precursor having an oxygen element ratio of 5.2 mol% was synthesized. When the molecular weight was measured by GPC, the number average molecular weight (Mn) was 7.0 × 10 3 and the weight average molecular weight (Mw) was 1.36 × 10 4 in terms of polystyrene. Thereafter, a varnish was prepared in the same manner as in Example 1, and a resin film for an insulating film was prepared and evaluated.
実施例 4 Example 4
実施例 1におレ、て、 9, 9一ビス [ 2—メチル一 5—シク口へキシル一 4ー( 4—アミ ノー 3—ヒ ドロキシ)フエノキシフエニル]フルオレン 7.25部 (1 Ommo 1 ) に代 えて、 9, 9一ビス [4一(4ーァミノ一 3—ヒ ドロキシ)フエノキシフエ二ノレ]フノレ才レン 5.65部 ( 10 mm o 1 ) を用いた以外は、 全て実施例 1と同様にして、 酸素元素比 率が 6.3モル%であるポリベンゾォキサゾール樹脂前駆体の合成を行つた。 G P Cに より分子量を測定したところ、 ポリスチレン換算で数平均分子量 (Mn) が 7.0X 1 03、 重量平均分子量 (Mw) が 1.30 X 104であった。 その後、 実施例 1と同様に してワニスを調製し、 絶縁膜用樹脂フィルムを作製して、 評価を行った。 In Example 1, 9,9-bis [2-methyl-1-5-cyclohexyl-1- (4-amino-3-hydroxy) phenoxyphenyl] fluorene 7.25 parts (1 Ommo 1 ) Was replaced by 5.65 parts (10 mmo 1) of 9,9-bis [4- (4-amino-13-hydroxy) phenoxypheninole] funolene, all in the same manner as in Example 1. Thus, a polybenzoxazole resin precursor having an oxygen element ratio of 6.3 mol% was synthesized. When the molecular weight was measured by GPC, the number average molecular weight (Mn) was 7.0 × 10 3 and the weight average molecular weight (Mw) was 1.30 × 10 4 in terms of polystyrene. Thereafter, a varnish was prepared in the same manner as in Example 1, and a resin film for an insulating film was prepared and evaluated.
実施例 5 Example 5
実施例 1において、 9 , 9一ビス [2—メチノレ一 5—シク口へキシルー 4—(4一アミ ノ一 3—ヒ ドロキシ)フエノキシフエニル]フルオレン 7.25部 (1 Ommo 1 ) に代 えて、 9, 9一ビス(3—アミノー 4—ヒ ドロキシフエニル)フルオレン 3.80部 (10 mmo 1 ) を、 5— t一ブチルイソフタル酸ジクロリ ドの固体 2.46部 (9.5mmo 1) に代えて、 4, 4,一ォキシビス安息香酸ジクロリドの固体 2.80部 (9.5mmo 1 ) を用いた以外は、 全て実施例 1と同様にして、 酸素元素比率が 6.9モル。 /0である ポリべンゾォキサゾール樹脂前駆体の合成を行った。 GPCにより分子量を測定した ところ、 ポリスチレン換算で数平均分子量 (Mn) が 8.0 X I 03、 重量平均分子量 (Mw) が 1.80 X 104であった。 その後、 実施例 1と同様にしてワニスを調製し 、 絶縁膜用樹脂フィルムを作製して、 評価を行った。 In Example 1, 9.25 parts (1 Ommo 1) were replaced with 9,9-bis [2-methynole-5-cyclohexyl 4- (4-amino-3-hydroxy) phenoxyphenyl] fluorene. 4,9,9-Bis (3-amino-4-hydroxyphenyl) fluorene 3.80 parts (10 mmo 1) were replaced with 2.46 parts (9.5 mmo 1) of 5-t-butyl isophthalic dichloride solid, and 4,4 Except for using 2.80 parts (9.5 mmo 1) of solid, monooxybisbenzoic acid dichloride, all in the same manner as in Example 1 and the oxygen element ratio was 6.9 mol. / 0 A polybenzoxazole resin precursor was synthesized. The molecular weight was measured by GPC, the number average molecular weight in terms of polystyrene (Mn) is 8.0 XI 0 3, weight average molecular weight (Mw) of 1.80 X 10 4. Thereafter, a varnish was prepared in the same manner as in Example 1, and a resin film for an insulating film was prepared and evaluated.
実施例 6 Example 6
実施例 1におレ、て、 5— t—ブチルイソフタル酸ジクロリ ドの固体 2.46部 ( 9. 5mmo 1) に代えて、 1 , 3—ァダマンタンジカルボン酸クロリドの固体 2.03部 ( 9.5 mm ο 1 ) を用いた以外は、全て実施例 1と同様にして、酸素元素比率が 5.6モ ル%であるポリべンゾォキサゾール樹脂前駆体の合成を行った。 GPCにより分子量 を測定したところ、 ポリスチレン鐘で数平均分子量 (Mn) が 4.0X 103、 重量 平均分子量 (Mw) が 1.25 X 104であった。 その後、 実施例 1と同様にしてヮニ スを調製し、 絶縁膜用樹脂フィルムを作製して、 評価を行った。 In Example 1, 2.46 parts of solid of 5-t-butylisophthalic acid dichloride (9. 5 mmo 1) was replaced with 1,3-adamantane dicarboxylic chloride solid, 2.03 parts (9.5 mm ο 1) in the same manner as in Example 1 except that the oxygen element ratio was 5.6 mol%. A polybenzoxazole resin precursor was synthesized. The molecular weight was measured by GPC, the number average molecular weight in polystyrene bell (Mn) is 4.0X 10 3, a weight average molecular weight (Mw) of 1.25 X 10 4. Thereafter, a glass was prepared in the same manner as in Example 1, and a resin film for an insulating film was prepared and evaluated.
実施例 7 Example 7
実施例 1におレ、て、 5 _ t—プチルイソフタル酸ジク口リドの固体 2.46部 ( 9. 5mmo 1 ) に代えて、 5—フエ-ルェチ二ルーイソフタノレ酸クロリ ドの固体 2.88 部 ( 9.5 mm o 1 ) を用いた以外は、 全て実施例 1と同様にして、 酸素元素比率が 5 .8モル0 /。であるポリベンゾォキサゾール樹脂前駆体の合成を行つた。 G P Cにより分 子量を測定したところ、 ポリスチレン で数平均分子量 (Mn) が 6.0X 103、 重量平均分子量 (Mw) が 1.31 X 104であった。 その後、 実施例 1と同様にして ワニスを調製し、 絶縁膜用樹脂フィルムを作製して、 評価を行った。 In Example 1, instead of 2.46 parts (9.5 mmo 1) of 5_t-butyl isophthalic acid dichloride solid, 2.88 parts (9.5 mm mm) of solid of 5-ferruetinyl isophthalanolic acid chloride was used. Except for using o 1), the same procedure as in Example 1 was carried out except that the oxygen element ratio was 5.8 mol 0 /. The synthesis of a polybenzoxazole resin precursor was performed. When the molecular weight was measured by GPC, polystyrene had a number average molecular weight (Mn) of 6.0 × 10 3 and a weight average molecular weight ( Mw ) of 1.31 × 10 4 . Thereafter, a varnish was prepared in the same manner as in Example 1, and a resin film for an insulating film was prepared and evaluated.
実施例 8 Example 8
実施例 1におレ、て、 9 , 9一ビス [ 2—メチル一 5—シク口へキシノレ一 4一( 4一アミ ノー 3—ヒ ドロキシ)フエノキシフエニル]フルオレン 7.25部 (1 Ommo 1 ) に代 えて、 9,9—ビス(3—ァミノ一 4—ピドロキシフエニル)フルオレン 3.80部 (10 mm o 1 ) を、 5— t—プチルイソフタル酸ジク口リドの固体 2.46部 (9.5 mm o 1) に代えて、 2,7—ビフエ二レンジカルボン酸クロリドの固体 2.62部 (9.5m mo 1) を用いた以外は、 全て実施例 1と同様にして、 酸素元素比率が 5.8モル%で あるポリベンゾォキサゾール樹脂前駆体の合成を行つた。 G P Cにより分子量を測定 したところ、 ポリスチレン換算で数平均分子量 (Mn) が 7 · 5 X 103、 重量平均分 子量 (Mw) が 1.53 X 104であった。 その後、 実施例 1と同様にしてワニスを調 製し、 絶縁膜用樹脂フィルムをィ«して、 評価を行った。 In Example 1, 9,9-bis [2-methyl-1-5-cyclohexyl-1- (4-amino-3-hydroxy) phenoxyphenyl] fluorene 7.25 parts (1 Ommo 1 ) Is replaced by 3.80 parts (10 mm o 1) of 9,9-bis (3-amino-4-pidroxyphenyl) fluorene and 2.46 parts (9.5 mm) of 5-t-butylisophthalic acid dichloride solid o In the same manner as in Example 1, except that 2.62 parts (9.5 mMol) of 2,7-biphenylenedicarboxylic acid chloride solid was used instead of 1), the oxygen element ratio was 5.8 mol%. A certain polybenzoxazole resin precursor was synthesized. When the molecular weight was measured by GPC, the number average molecular weight (Mn) was 7.5 × 10 3 and the weight average molecular weight (Mw) was 1.53 × 10 4 in terms of polystyrene. Thereafter, a varnish was prepared in the same manner as in Example 1, and a resin film for an insulating film was removed and evaluated.
実施例 9 Example 9
実施例 1において、 9,9—ビス [2—メチノレー 5ーシク口へキシルー 4ー(4一アミ ノー 3—ヒ ドロキシ)フエノキシフエ二ノレ]フノレオレン 7.25部 (l Ommo l) に代 えて、 9,9一ビス [4— (4一アミノー 3—ヒ ドロキシ)フエノキシフエ二ノレ]フノレオレン 5.65部 (1 Ommo 1) を、 5— t—ブチルイソフタル酸ジクロリドの固体 2.46 部 (9.5mmo 1) に代えて、 5—ェチニルーイソフタノレ酸クロリ ドの固体 2.17部 (9.5mmo 1) を用いた以外は、 全て実施例 1と同様にして、 酸素元素比率が 7. 1モル。/。であるポリベンゾォキサゾ、ール樹脂前駆体の合成を行つた。 G P Cにより分 子量を測定したところ、 ポリスチレン換算で数平均分子量 (Mn) が 8.5X 103、 重量平均分子量 (Mw) が 1.70 X 104であった。 その後、 実施例 1と同様にして ワニスを調製し、 絶縁膜用樹脂フィルムを作製して、 評価を行った。 In Example 1, 9,9-bis [2-methynoleic 5-hexylhexyl 4- (4-amino-3-hydroxy) phenoxypheninole] funolelene 7.25 parts (lOmmol) was replaced with 9,9-bis Monobis [4 -— (4-amino-3-hydroxy) phenoxypheninole] funolelene 5.65 parts (1 Ommo 1) is replaced with 2.46 parts (9.5 mmo 1) of 5-t-butylisophthalic acid dichloride solid, and 5.17 parts (9.5 mmo 1) of 5-ethynyl-isophthalenoyl chloride solid Except for using, all in the same manner as in Example 1 and the oxygen element ratio was 7.1 mol. /. Was synthesized. Measurement of the molecular weight by GPC, the number average molecular weight in terms of polystyrene (Mn) is 8.5x 10 3, a weight average molecular weight (Mw) of 1.70 X 10 4. Thereafter, a varnish was prepared in the same manner as in Example 1, and a resin film for an insulating film was prepared and evaluated.
実施例 10 Example 10
実施例 1において、 9 , 9一ビス [2—メチノレー 5ーシク口へキシルー 4—(4一アミ ノ一3—ヒ ドロキシ)フエノキシフエニル]フルオレン 7.25部 (l Ommo l) に代 えて、 9,9_ビス(3—アミノー 4—ヒ ドロキシフエニル)フルオレン 3.80部 (10 mmo 1) を、 5— t—ブチルイソフタル酸ジクロリドの固体 2.46部 (9.5mmo 1) に代えて、 4, 4,一トランジカルボン酸クロリドの固体 2.88部 (9.5 mmo 1 ) を用いた以外は、 全て実施例 1と同様にして、 酸素元素比率が 5.5モル%であるポ リベンゾォキサゾール樹脂前駆体の合成を行つた。 G P Cにより分子量を測定したと ころ、 ポリスチレン纏で数平均分子量 (Mn) が 8.3 X I 03、 重量平均分子量 ( Mw) が 1.53 X 104であった。 その後、 実施例 1と同様にしてワニスを調製し、 絶縁膜用樹脂フィルムを作製して、 評価を行った。 In Example 1, instead of 9,25-bis [2-methinole 5-six-hexoxyl 4- (4-amino-3-hydroxy) phenoxyphenyl] fluorene 7.25 parts (lOmmol), 9 4,4,1 transcript was obtained by replacing 3.80 parts (10 mmo 1) of, 9_bis (3-amino-4-hydroxyphenyl) fluorene with 2.46 parts (9.5 mmo 1) of 5-t-butylisophthalic dichloride solid. A polybenzoxazole resin precursor having an oxygen element ratio of 5.5 mol% was synthesized in the same manner as in Example 1 except that 2.88 parts (9.5 mmo 1) of a solid of dicarboxylic acid chloride was used. And rollers were measured molecular weight by GPC, the number average molecular weight in polystyrene fireman's standard (Mn) is 8.3 XI 0 3, weight average molecular weight (Mw) of 1.53 X 10 4. Thereafter, a varnish was prepared in the same manner as in Example 1, and a resin film for an insulating film was prepared and evaluated.
実施例 11 Example 11
実施例 1において、 9, 9一ビス [2—メチル一5—シクロへキシル一4一(4—アミ ノ一3—ヒドロキシ)フエノキシフエ-ル]フルオレン 7.25部 (l Ommo l) に代 えて、 9,9一ビス(3—アミノー 4—ヒ ドロキシフエニル)フルオレン 3.80部 (10 mmo 1 ) を、 5— t一ブチルイソフタノレ酸ジクロリドの固体 2.46部(9.5mmo 1 ) に代えて、 5— t—ブチルイソフタル酸ジクロリ ドの固体 1.92部 (7.6 mmo 1) と 5—ェチニルーイソフタル酸クロリドの固体 0.43部 (1.9mmo 1) を用い た以外は、 全て実施例 1と同様にして、 酸素元素比率が 5.7モル%であるポリべンゾ ォキサゾール樹脂前駆体の合成を行つた。 G P Cにより分子量を測定したところ、 ポ リスチレン藤で数平均分子量 (Mn) が 6.8 X I 03、 重量平均分子量 (Mw) が 1.45 X 104であった。 その後、 実施例 1と同様にしてワニスを調製し、 絶縁膜用 樹脂フィルムを して、 評価を行った。 In Example 1, 9,9-bis [2-methyl-5-cyclohexyl-14- (4-amino-3-hydroxy) phenoxyphenyl] fluorene instead of 7.25 parts (l Ommol) was replaced with 9 Instead of 3.80 parts (10 mmo 1) of 1,9-bis (3-amino-4-hydroxyphenyl) fluorene, 2.46 parts (9.5 mmo 1) of 5-t-butylisophthalenoleic dichloride was replaced with 5-t- Except that 1.92 parts (7.6 mmo 1) of butyl isophthalic acid dichloride solid and 0.43 part (1.9 mmo 1) of 5-ethynyl-isophthalic chloride solid were used, the same procedure as in Example 1 was carried out. 5.7 mol% of a polybenzoxazole resin precursor was synthesized. The molecular weight was measured by GPC, the number average molecular weight in the port polystyrene Fuji (Mn) is 6.8 XI 0 3, weight average molecular weight (Mw) of 1.45 X 10 4. Then, a varnish was prepared in the same manner as in Example 1 and used for an insulating film. The evaluation was performed using a resin film.
実施例 12 Example 12
実施例 1におレ、て、 9 , 9一ビス [ 2—メチル一 5—シク口へキシル一 4— ( 4一アミ ノー 3—ヒ ドロキシ)フエノキシフエニル]フルオレン 7.25部 (1 Ommo 1 ) に代 えて、 9, 9一ビス(3—アミノー 4ーヒ ドロキシフエニル)フルオレン 3.80部 (10 mmo 1) を、 5— t一ブチルイソフタル酸ジクロリ ドの固体 2.46部(9.5mmo 1) に代えて、 4, 4,一ォキシビス安息香酸ジクロリ ドの固体 2..24部 (7.6mmo, 1) と 5—フエ二ルェチ二ルーイソフタル酸クロリドの固体 0.58部(1.9mmo 1 ) を用いた以外は、 全て実施例 1と同様にして、 酸素元素比率が 6.65モル%である ポリベンゾォキサゾール樹脂前駆体の合成を行った。 G P Cにより分子量を測定した ところ、 ポリスチレン換算で数平均分子量 (Mn) が 8.3 X I 03、 重量平均分子量 (Mw) が 1.81 X 104であった。 その後、 実施例 1と同様にしてワニスを調製し 、 絶縁膜用樹脂フィルムを作製して、 評価を行った。 In Example 1, 9,9-bis [2-methyl-1-5-cyclohexyl-4- (4-amino-3-hydroxy) phenoxyphenyl] fluorene 7.25 parts (1 Ommo 1 ) Is replaced with 3.80 parts (10 mmo 1) of 9,9-bis (3-amino-4-hydroxyphenyl) fluorene and 2.46 parts (9.5 mmo 1) of 5-t-butylisophthalic dichloride solid. , 4,4,1-Oxybisbenzoic acid dichloride solids, 2.24 parts (7.6 mmo, 1) and 5-phenylenephthaloisophthalic acid solids, 0.58 parts (1.9 mmo 1), were used. In the same manner as in Example 1, a polybenzoxazole resin precursor having an oxygen element ratio of 6.65 mol% was synthesized. The molecular weight was measured by GPC, the number average molecular weight in terms of polystyrene (Mn) is 8.3 XI 0 3, weight average molecular weight (Mw) of 1.81 X 10 4. Thereafter, a varnish was prepared in the same manner as in Example 1, and a resin film for an insulating film was prepared and evaluated.
実施例 13 Example 13
9,9一ビス(3—アミノー 4—ヒ ドロキシ一フエ二ノレ)フルオレン 3.80部 (10m mo 1) を、 乾燥窒素雰囲気下で、 乾燥した 40部の N—メチル一2—ピロリドンに 溶解し、 これに 5°Cで、 4, 4,一ォキシビス安息香酸ジクロリド 2.80部 (9.5mm o 1) を、 30分かけてゆつくり添加じだ。 続いて、 室温まで戻し、 室温で 1時間撹 拌した。 その後、 5°Cで、 トリェチルァミン 2.45部 (22mmo l) を、 30分力、 けて滴下した。 滴下終了後、 室温まで戻し、 室温で 3時間撹拌して反応させた。 その 後、 5 °Cで、 5—ノルボルネン一 2, 3 _ジカノレポン酸無水物 0.16部 (0.1 mm o 1) を添加した。 添加終了後、 室温まで戻し、 室温で 3時間撹拌させて反応すること により、 酸素元素比率が 6.94モル%で、 末端が封止されたポリベンゾォキサゾール 樹脂前駆体を得た。 得られたポリべンゾォキサゾール樹脂前駆体を、 東ソー (株) 製 GPCを用いて、 ポリスチレン換算で数平均分子量 (Mn) を求めたところ、 8.5 X 103、 重量平均分子量 (Mw) が 2.5 X 104であった。 その後、 実施例 1と同様に してワニスを調製し、 絶縁膜用樹脂フィルムを作製して、 評価を行った。 Dissolve 3.80 parts (10 mMol) of 9,9-bis (3-amino-4-hydroxy-1-phenyl) fluorene in 40 parts of dry N-methyl-1-pyrrolidone under a dry nitrogen atmosphere; Then, at 5 ° C, 2.80 parts (9.5 mm o 1) of 4,4, -oxybisbenzoic dichloride was slowly added over 30 minutes. Subsequently, the temperature was returned to room temperature, and the mixture was stirred at room temperature for 1 hour. Thereafter, 2.45 parts (22 mmol) of triethylamine was added dropwise at 5 ° C for 30 minutes. After the completion of the dropwise addition, the temperature was returned to room temperature, and the mixture was stirred and reacted at room temperature for 3 hours. Thereafter, at 5 ° C., 0.16 parts (0.1 mmo 1) of 5-norbornene-1,2,3-dicanoleponic anhydride was added. After the addition was completed, the temperature was returned to room temperature, and the mixture was stirred at room temperature for 3 hours to react, thereby obtaining a polybenzoxazole resin precursor having an oxygen element ratio of 6.94 mol% and having a terminal capped. The obtained polybenzoxazole resin precursor was used to determine the number average molecular weight (Mn) in terms of polystyrene using GPC manufactured by Tosoh Corporation. As a result, 8.5 × 10 3 and weight average molecular weight (Mw) of 2.5 × 10 Was 4 . Thereafter, a varnish was prepared in the same manner as in Example 1, and a resin film for an insulating film was prepared and evaluated.
実施例 14 Example 14
実施例 13にお!/、て、 4 , 4,一ォキシビス安息香酸ジクロリド 2 · 80部 (9.5mm o 1) に代えて、 4,4,一ォキシビス安息香酸ジクロリ ドの固体 2.24部 (7.6mm o 1) と 5—フエ二ルェチ二ル一ィソフタル酸クロリ ドの固体 0.58部(1.9mmo 1) を、 5—ノルポルネン一 2, 3—ジカルボン酸無水物 0.1部 (O.lmmo l) に 代えて、 4—フエ二ルェチ二ルカルボン酸クロリ ドの固体 0.13部 (O.lmmo 1) を用いた以外は、 全て実施例 13と同様にして、 酸素元素比率が 6.65モル%で、 末 端が封止されたポリベンゾォキサゾール樹脂前駆体の合成を行った。 G P Cにより分 子量を測定したところ、 ポリスチレン換算で数平均分子量 (Mn) が 8.6 X I 03、 重量平均分子量 (Mw) が 1.78 X 104であった。 その後、 実施例 1と同様にして ワニスを調製し、 絶縁膜用樹脂フィルムを作製して、 評価を行った。 Example 13! / ,,, 4, 4, mono-oxybisbenzoic acid dichloride 2 80 parts (9.5mm Instead of o 1), add 2.24 parts (7.6 mm o 1) of 4,4, mono-oxybisbenzoic dichloride solid and 0.58 part (1.9 mmo 1) of 5-phenylene diisophthalic acid solid. Instead of using 0.1 part (O.lmmo1) of 0.1 part (O.lmmol) of 1,5-norpolonene-1,2,3-dicarboxylic anhydride, 0.13 part (O.lmmo1) of 4-phenylenedicarboxylic acid chloride was used. In the same manner as in Example 13, a polybenzoxazole resin precursor having an oxygen element ratio of 6.65 mol% and a sealed end was synthesized. Measurement of the molecular weight by GPC, the number average molecular weight in terms of polystyrene (Mn) is 8.6 XI 0 3, weight average molecular weight (Mw) of 1.78 X 10 4. Thereafter, a varnish was prepared in the same manner as in Example 1, and a resin film for an insulating film was prepared and evaluated.
比較例 1 Comparative Example 1
撹拌装置、 窒素導入管、 および滴下漏斗を付けたセパラブルフラスコ中、 2,2—ビ ス(3—ァミノ一 4—ヒドロキシフエ-ル)へキサフルォロプロパン 14.65部 (40 mmo 1) を、 乾燥したジメチルァセトアミド 200部に溶解し、 ピリジン 7.92部 (20 Ommo 1) を添加した後、 乾燥窒素導入下、 一 15°Cで、 ジメチノレアセトァ ミ ド 100 gに、 4, 4'一へキサフノレオ口イソプロピリデンビフエニルジカルボン酸ジ クロリド 16.92 g (4 Ommo 1) を溶角 したものを、 30分かけて滴下し、 沈殿 物を回収し、 乾燥して、 酸素元素比率が 5.7モル%であるポリベンゾォキサゾール樹 脂前駆体の粉末を得た。 GPCにより分子量を測定したところ、 スチレン換算で数平 均分子量 Mnが 3.8 X 104、 Mwが 8.03 X 104であった。その後、実施例 1と同 様にしてワニスを調製し、 絶縁膜用樹脂フィルムを作製して、 評価を行った。 In a separable flask equipped with a stirrer, a nitrogen inlet tube, and a dropping funnel, 14.65 parts (40 mmo 1) of 2,2-bis (3-amino-4-hydroxyphenyl) hexafluoropropane was added. After dissolving in 200 parts of dried dimethylacetamide and adding 7.92 parts of pyridine (20 Ommo 1), 100 g of dimethinoleacetamide was added at 100 ° C under dry nitrogen at 15 ° C. 'A solution of 16.92 g (4 Ommo 1) of isopropylidene biphenyl dicarboxylic acid dichloride at the end of a hexanophthalone mouth was added dropwise over 30 minutes, and the precipitate was collected and dried, and the oxygen element ratio was 5.7 mol. % Of a polybenzoxazole resin precursor powder was obtained. When the molecular weight was measured by GPC, the number average molecular weight Mn was 3.8 × 10 4 and Mw was 8.03 × 10 4 in terms of styrene. Thereafter, a varnish was prepared in the same manner as in Example 1, and a resin film for an insulating film was prepared and evaluated.
比較例 2 Comparative Example 2
実施例 1において、 9,9-ビス [2—メチル一 5—シク口へキシル一 4一(4一アミ ノー 3—ヒ ドロキシ)フエノキシフエニル]フルオレン 7.25部 (l Ommo l) に代 えて、 9, 9一ビス(3—ァミノ一 4ーヒ ドロキシフエ-ル)フルオレン 3.80部 (10 mmo'l) を、 5— t一ブチルイソフタル酸ジクロリドの固体 2.46部( 9 · 5 mm o 1) に代えて、 4, 4,ー[1, 4—フエ-レンビス(1—メチル一ェチリデン)二安息香酸 ジク口リドの'固体 4.28部 ( 9.5 mm o 1 ) を用いた以外は、全て実施例 1と同様に して、 酸素元素比率が 3.6モル%であるポリベンゾォキサゾール樹脂前駆体の合成を 行った。 GPCにより分子量を測定したところ、 ポリスチレン換算で数平均分子量 ( Mn) が 5.2 X 103、 重量平均分子量 (Mw) が 1 · 25 X 104であった。 その後、 実施例 1と同様にしてワニスを調製し、 絶縁膜用樹脂フィルムを して、 評価を行 つた。 In Example 1, instead of 7.25 parts (lOmmol) of 9,9-bis [2-methyl-15-cyclohexyl-14- (4-amino-3-hydroxy) phenoxyphenyl] fluorene 9,80-bis (3-amino-4-hydroxyphenyl) fluorene to 3.80 parts (10 mmo'l), 5-t-butylisophthalic acid dichloride solid 2.46 parts (9.5 mmo 1) Example 1 was repeated except that instead of using 4,4,-[1,4-phenylenebis (1-methylethylidene) dibenzoic acid diclotide 'solid 4.28 parts (9.5 mmo 1), Similarly to the above, a polybenzoxazole resin precursor having an oxygen element ratio of 3.6 mol% was synthesized. When the molecular weight was measured by GPC, the number average molecular weight in terms of polystyrene ( Mn) was 5.2 × 10 3 and the weight average molecular weight (Mw) was 1.25 × 10 4 . Thereafter, a varnish was prepared in the same manner as in Example 1, and a resin film for an insulating film was prepared and evaluated.
比較例 3 Comparative Example 3
実施例 1におレ、て、 9 , 9一ビス [ 2—メチル一 5—シクロへキシノレー 4— ( 4一アミ ノー 3—ヒドロキシ)フエノキシフエニル]フルオレン 7.25咅 (1 Ommo 1 ) に代 えて、 2,4—ジアミノレゾルシノール 1.40部 (l Ommo l) を、 5— t一ブチル イソフタル酸ジクロリドの固体 2.46部 (9.5mmo 1) に代えて、 4, 4,一 (ォキシ フエ-レンジォキシ)二安息香酸ジクロリ ドの固体 4.54部 (9.5mmo l) を用い た以外は、 全て実施例 1と同様にして、 酸素元素比率が 11.1モル%であるポリベン ゾォキサゾール樹脂前駆体の合成を行つた。 G P Cにより分子量を測定したところ、 ポリスチレン換算で数平均分子量 (Mn) が 5.0 X I 03、 重量平均分子量 (Mw) が 1.15 X 104であった。 その後、 実施例 1と同様にしてワニスを調製し、 絶縁膜 用榭脂フィルムを作製して、 評価を行った。 In Example 1, instead of 9,9-bis [2-methyl-15-cyclohexynoleic 4- (4-amino-3-hydroxy) phenoxyphenyl] fluorene 7.25 咅 (1 Ommo 1) Then, instead of 2,40-diaminoresorcinol 1.40 parts (lOmmol) with 2.46 parts (9.5 mmol 1) of 5-t-butyl isophthalic dichloride solid, 4,4,1- (oxyphenylenedioxy) 2 A polybenzoxazole resin precursor having an oxygen element ratio of 11.1 mol% was synthesized in the same manner as in Example 1 except that 4.54 parts (9.5 mmol) of benzoic dichloride solid was used. The molecular weight was measured by GPC, the number average molecular weight in terms of polystyrene (Mn) is 5.0 XI 0 3, weight average molecular weight (Mw) of 1.15 X 10 4. Thereafter, a varnish was prepared in the same manner as in Example 1, and a resin film for an insulating film was prepared and evaluated.
1表 1 table
Figure imgf000031_0001
第 1表にまとめた結果から明らかなように、 本発明の絶縁膜用ワニスを用いて作製 した、 絶縁膜用樹脂フィルムは、 いずれも誘電率が 3 . 0未満と低く、 フッ素含有基を 有する例である比較例と同程度の誘電率が得られ、 さらに耐熱性は 4 5 0 °C以上で、 密着性は 6 0 MP a以上であり、 良好でかつバランスのとれた特性を示した。 これに 対して、 比較例 1では、 誘電率は低いが密着性が弱く、 また硬化時に腐食性ガスを生 じた。 比較例 2ではシリコンウェハーに対する密着性は良好だが、 疎水性の高い S i C基板に対しては密着性が弱かった。 比較例 3では優れた密着性を示したが、 誘電率 が 3 . 0を超えた。 産業上の利用可能' 14
Figure imgf000031_0001
As is clear from the results summarized in Table 1, all of the insulating film resin films produced using the insulating film varnish of the present invention have a low dielectric constant of less than 3.0 and have a fluorine-containing group. The same dielectric constant as that of the comparative example was obtained, the heat resistance was 450 ° C. or higher, and the adhesiveness was 60 MPa or higher, showing good and balanced properties. On the other hand, in Comparative Example 1, the dielectric constant was low, but the adhesion was weak, and corrosive gas was generated during curing. In Comparative Example 2, the adhesion to the silicon wafer was good, but the adhesion to the highly hydrophobic SiC substrate was weak. Comparative Example 3 exhibited excellent adhesion, but had a dielectric constant exceeding 3.0. Industrial availability '14
本発明によれば、 電気特性、 熱特性、 機械特性および物理特性に優れ、 特に誘電率 が極めて低く、 高耐熱性を有し密着性に優れた絶縁膜を提供できるので、 このような 特性を有する絶縁膜が要求される様々な分野、 例えば半導体用の層間絶縁膜、 保護膜 、 エッチストッパー膜、 密着付与膜、 ハードマスク、 多層回路の層間絶縁膜、 フレキ シブ/ H同張板のカバーコート、 ソルダーレジスト膜、 液晶配向膜等として適用できる 。 従って、 産業上の利用可能性を有する。 According to the present invention, it is possible to provide an insulating film having excellent electrical properties, thermal properties, mechanical properties, and physical properties, particularly having an extremely low dielectric constant, high heat resistance, and excellent adhesion. Various fields that require an insulating film to have, for example, interlayer insulating films for semiconductors, protective films It can be applied as an etch stopper film, an adhesion-imparting film, a hard mask, an interlayer insulating film of a multilayer circuit, a cover coat of a flexible / H tonnage plate, a solder resist film, a liquid crystal alignment film, and the like. Therefore, it has industrial applicability.

Claims

請求の範囲 The scope of the claims
1. (Α) 式 (1) で表されるビスアミノフエノール化合物と、 式 (4) で表されるジ カルボン酸化合物とを反応させることにより得ることができるポリベンゾォキサゾー ル樹脂前駆体を主構造とする重合体、 および (B) 前記重合体 (A) を溶解もしくは 分散することが可能である有機溶剤、 を含むことを特徴とする、 絶縁膜用ワニス。
Figure imgf000033_0001
1. (Α) Polybenzoxazole resin precursor obtainable by reacting a bisaminophenol compound represented by the formula (1) with a dicarboxylic acid compound represented by the formula (4) A varnish for an insulating film, comprising: a polymer having a main structure of: and (B) an organic solvent capable of dissolving or dispersing the polymer (A).
Figure imgf000033_0001
[式 (2) 中、 Xiは式 (3) で表される基の中から選ばれる二価の基を示し、 これら 式 (2) および式 (3) で表される基のベンゼン環上の水素原子は、 メチル基、 ェチ ル基、 プロピル基、 イソプロピル基、 プチノレ基、 イソブチル基、 t—ブチル基、 シク 口へキシル基、 フエニル基、 トリメチノレシリル基、 トリェチルシリル基及びァダマン チル基中から選ばれる、 一価の有機基で置換されてレ、てもよい。]
Figure imgf000034_0001
[In the formula (2), Xi represents a divalent group selected from the groups represented by the formula (3), and these groups represented by the formulas (2) and (3) on the benzene ring Hydrogen atoms include methyl, ethyl, propyl, isopropyl, pentinole, isobutyl, t-butyl, cyclohexyl, phenyl, trimethinolesilyl, triethylsilyl, and adamantyl. It may be substituted with a monovalent organic group selected from among them. ]
Figure imgf000034_0001
HOOC-Y-COOH (4) HOOC-Y-COOH (4)
[式 (4) 中、 Yは式 (5) 一 1及び式 (5) _2、 式 (6)、 式 (7)、 式 (8)、 式 (9)、 及び式 (10) で表される基の中から選ばれる二価の基を示す。] [In Equation (4), Y is represented by Equations (5) -1 and (5) _2, (6), (7), (8), (9), and (10). Represents a divalent group selected from the following groups: ]
Figure imgf000035_0001
Figure imgf000035_0001
Ġ Ĩ5)-1
Figure imgf000035_0002
Ġ Ĩ5) -1
Figure imgf000035_0002
Figure imgf000035_0003
Figure imgf000036_0001
Figure imgf000035_0003
Figure imgf000036_0001
[式 (5) — 1及び式 (5) 一 2中、 Xiは上記式 (3) で表される基の中から選ばれ る二価の基を示し、 これら式 (3) および (5) で表される基のベンゼン環上の水素 原子は、 メチノレ基、 ェチル基、 プロピル基、 イソプロピル基、 ブチル基、 イソプチノレ 基、 t一プチノレ基、 シクロへキシル基、 フエ二ノレ基、 トリメチルシリル基、 トリェチ ルシリル基およびァダマンチル基の中から選ばれる、 一価の有機基で置換されていて もよい。]  [In the formulas (5) — 1 and (5) -12, Xi represents a divalent group selected from the groups represented by the above formula (3). The hydrogen atom on the benzene ring of the group represented by is a methynole group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, a butyl group, an isoptinole group, a t-pentynole group, a cyclohexyl group, a feninole group, a trimethylsilyl group, It may be substituted with a monovalent organic group selected from a triethylsilyl group and an adamantyl group. ]
Figure imgf000036_0002
Figure imgf000036_0002
/VD mssさ OSId / VD mss OSId
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雕 OOZdf/ェ ) d O
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Sculpture OOZdf / e) d O
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[式 (6)、 式 (7)、 式 (8)、 式 (9)、 及び式 (10) で表される基の炭素環上の 水素原子は、 メチル基、 ェチノレ基、 プロピル基、 イソプロピル基、 プチル基、 イソブ チル基、 t—ブチル基、 シクロへキシル基、 フエ-ル基、 トリメチルシリル基および トリェチルシリル基の中から選ばれる、 一価の有機基で置換されていてもよい。 式 ( 8) 中、 Rは一価の有機基を示す。] [The hydrogen atom on the carbon ring of the group represented by the formula (6), the formula (7), the formula (8), the formula (9), and the formula (10) is a methyl group, an ethylene group, a propyl group, or an isopropyl group. May be substituted with a monovalent organic group selected from a group, a butyl group, an isobutyl group, a t-butyl group, a cyclohexyl group, a phenyl group, a trimethylsilyl group and a triethylsilyl group. In the formula (8), R represents a monovalent organic group. ]
2. 式 (1) で表されるビスアミノフエノール化合物が、 フルオレン骨格を有するも のである請求の範囲第 1項に記載の絶縁膜用ヮニス。  2. The varnish for an insulating film according to claim 1, wherein the bisaminophenol compound represented by the formula (1) has a fluorene skeleton.
3. 式 (1) で表されるビスアミノフエノール化合物が、 9,9—ビス [4一(4—アミ ノー 3—ヒ ドロキシ)フエノキシフエニル]フルォレンである請求の範囲第 2項に記載 の絶縁 S莫用ワニス。 .  3. The bisaminophenol compound represented by the formula (1) is 9,9-bis [4- (4-amino-3-hydroxy) phenyloxyfluorene] fluorene, which is described in claim 2. Insulation varnish for S. .
4. 式 (1) で表されるビスアミノフエソール化合物が、 9, 9 _ビス(3—ァミノ一 4 ーヒドロキシフエニル)フルオレンである請求の範囲第 2項に記載の絶縁膜用ワニス。 4. The varnish for an insulating film according to claim 2, wherein the bisaminophenol compound represented by the formula (1) is 9,9_bis (3-amino-4-hydroxyphenyl) fluorene.
5. 式(1) で表されるビスアミノフエノール化合物が、 9,9_ビス [2—メチルー 5 —シク口へキシノレ _ 4 _(4ーァミノ一 3—ヒ ドロキシ)フエノキシフエ二ノレ]フルォレ ンである請求の範囲第 2項に記載の絶縁膜用ヮニス。 5. The bisaminophenol compound represented by the formula (1) is converted to 9,9_bis [2-methyl-5-cyclohexanol_4_ (4-amino-13-hydroxy) phenoxyphenyl] fluorene. 3. The varnish for an insulating film according to claim 2.
6. 式 (1) で表されるビスァミノフエノール化合物が、 2, 2—ビス [3—シクロへキ シル一 4— (4—ァミノ一 3—ヒ ドロキシ)フエノキシフエニル]プロパンである請求の 範囲第 1項に記載の絶縁膜用ワニス。  6. The bisaminophenol compound represented by the formula (1) is 2,2-bis [3-cyclohexyl-14- (4-amino-13-hydroxy) phenoxyphenyl] propane. The varnish for an insulating film according to claim 1.
7. 式 (1) で表されるビスアミノフエノール化合物が、 1,1—ビス [3—シクロへキ 7. The bisaminophenol compound represented by the formula (1) is converted to 1,1-bis [3-cyclohexyl
4ー(4ーァミノ一 3—ヒ ドロキシ)フエノキシフエ二ノレ]シクロへキサンである 請求の範囲第 1項に記載の絶縁膜用ワニス。 2. The varnish for an insulating film according to claim 1, wherein the varnish is 4- (4-amino-3-hydroxy) phenoxyphenylecyclohexane.
8. 式 (4) で表されるジカルボン酸化合物が、 Yとして式 (5) —1、 式 (5) — 2及び式 (6) で表される基の中から選ばれる 2価の基を有するものである請求の範 囲第 1項乃至第 7項のレ、ずれかに記載の絶縁膜用ヮニス。 8. The dicarboxylic acid compound represented by the formula (4) is represented by the formula (5) -1 and the formula (5) as Y. The varnish for an insulating film according to any one of claims 1 to 7, which has a divalent group selected from the groups represented by 2 and the formula (6).
9. 式 (4) で表されるジカルボン酸化合物が、 Yとして式 (7)、 式 (8)、 式 (9 ) 及び式 (10) で表される基の中から選ばれる 2価の基を有するものである請求の 範囲第 1項乃至第 7項のレ、ずれかに記載の絶縁膜用ワニス。  9. The dicarboxylic acid compound represented by the formula (4) is a divalent group selected from the groups represented by the formulas (7), (8), (9) and (10) as Y. The varnish for an insulating film according to any one of claims 1 to 7, wherein the varnish for an insulating film has:
10. 上記式 (8) における有機基 Rがフエ-ル基である、 請求の範囲第 1項乃至第 9項のレ、ずれかに記載の絶縁膜用ワニス。  10. The varnish for an insulating film according to any one of claims 1 to 9, wherein the organic group R in the formula (8) is a phenol group.
1 1. 式 (11) で表される末端封止化合物により、 式 (1) で表されるビスアミノ フエノール化合物と式 (4) で表されるジカルボン酸化合物とを反応させることによ り得ることができるポリベンゾォキサゾール樹脂前駆体の末端が封止されている請求 の範囲第 1項乃至第 10項のレ、ずれかに記載の絶縁膜用ワニス。 1 1. What can be achieved by reacting the bisaminophenol compound represented by the formula (1) with the dicarboxylic acid compound represented by the formula (4) using the terminal blocking compound represented by the formula (11) The varnish for an insulating film according to any one of claims 1 to 10, wherein a terminal of the polybenzoxazole resin precursor capable of forming is sealed.
Figure imgf000040_0001
Figure imgf000040_0001
[式 (11) 中、 Rは一価の有機基を示す。]  [In the formula (11), R represents a monovalent organic group. ]
12. 式 (1) で表されるビスアミノフエノール化合物と、 式 (4) で表されるジカ ルボン酸化合物とを反応させることにより得ることができるポリベンゾォキサゾール 樹脂前駆体の酸素の元素比率が5〜 10モル%である請求の範囲第 1項乃至第 11項 の ヽずれかに記載の絶縁月莫用ヮニス。 12. The oxygen element of the polybenzoxazole resin precursor obtained by reacting the bisaminophenol compound represented by the formula (1) with the dicarboxylic acid compound represented by the formula (4) The insulating varnish according to any one of claims 1 to 11, wherein the ratio is 5 to 10 mol%.
13. 請求の範囲第 1項乃至第 12項のいずれかに記載された、 絶縁膜用ワニスを用 いて得られた有機絶縁膜であって、 脱水縮合反応を経て調製された、 ポリベンゾォキ サゾール樹脂を主構造とする樹脂層からなることを特徴とする絶縁膜。 13. A varnish for an insulating film according to any one of claims 1 to 12 is used. An organic insulating film obtained by a dehydration-condensation reaction and comprising a resin layer having a polybenzoxazole resin as a main structure.
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