WO2004030010A1 - Image-displaying device, method of producing spacer used for image-displaying device, and image-displaying device with the spacer produced by the method - Google Patents

Image-displaying device, method of producing spacer used for image-displaying device, and image-displaying device with the spacer produced by the method Download PDF

Info

Publication number
WO2004030010A1
WO2004030010A1 PCT/JP2003/012248 JP0312248W WO2004030010A1 WO 2004030010 A1 WO2004030010 A1 WO 2004030010A1 JP 0312248 W JP0312248 W JP 0312248W WO 2004030010 A1 WO2004030010 A1 WO 2004030010A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
spacer
substrate
display device
image display
paste
Prior art date
Application number
PCT/JP2003/012248
Other languages
French (fr)
Japanese (ja)
Inventor
Shigeo Takenaka
Masaru Nikaido
Satoshi Ishikawa
Satoko Oyaizu
Original Assignee
Kabushiki Kaisha Toshiba
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kabushiki Kaisha Toshiba filed Critical Kabushiki Kaisha Toshiba
Priority to EP03798494A priority Critical patent/EP1544892A1/en
Publication of WO2004030010A1 publication Critical patent/WO2004030010A1/en
Priority to US11/079,286 priority patent/US20050156507A1/en
Priority to US11/363,237 priority patent/US7192327B2/en
Priority to US11/512,378 priority patent/US20060284544A1/en

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J29/00Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
    • H01J29/02Electrodes; Screens; Mounting, supporting, spacing or insulating thereof
    • H01J29/028Mounting or supporting arrangements for flat panel cathode ray tubes, e.g. spacers particularly relating to electrodes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J31/00Cathode ray tubes; Electron beam tubes
    • H01J31/08Cathode ray tubes; Electron beam tubes having a screen on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted, or stored
    • H01J31/10Image or pattern display tubes, i.e. having electrical input and optical output; Flying-spot tubes for scanning purposes
    • H01J31/12Image or pattern display tubes, i.e. having electrical input and optical output; Flying-spot tubes for scanning purposes with luminescent screen
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J31/00Cathode ray tubes; Electron beam tubes
    • H01J31/08Cathode ray tubes; Electron beam tubes having a screen on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted, or stored
    • H01J31/10Image or pattern display tubes, i.e. having electrical input and optical output; Flying-spot tubes for scanning purposes
    • H01J31/12Image or pattern display tubes, i.e. having electrical input and optical output; Flying-spot tubes for scanning purposes with luminescent screen
    • H01J31/123Flat display tubes
    • H01J31/125Flat display tubes provided with control means permitting the electron beam to reach selected parts of the screen, e.g. digital selection
    • H01J31/127Flat display tubes provided with control means permitting the electron beam to reach selected parts of the screen, e.g. digital selection using large area or array sources, i.e. essentially a source for each pixel group
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J9/00Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
    • H01J9/02Manufacture of electrodes or electrode systems
    • H01J9/18Assembling together the component parts of electrode systems
    • H01J9/185Assembling together the component parts of electrode systems of flat panel display devices, e.g. by using spacers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2329/00Electron emission display panels, e.g. field emission display panels
    • H01J2329/86Vessels
    • H01J2329/8625Spacing members
    • H01J2329/864Spacing members characterised by the material
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2329/00Electron emission display panels, e.g. field emission display panels
    • H01J2329/86Vessels
    • H01J2329/8625Spacing members
    • H01J2329/865Connection of the spacing members to the substrates or electrodes
    • H01J2329/8655Conductive or resistive layers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)
  • Vessels, Lead-In Wires, Accessory Apparatuses For Cathode-Ray Tubes (AREA)
  • Manufacture Of Electron Tubes, Discharge Lamp Vessels, Lead-In Wires, And The Like (AREA)

Abstract

An image-displaying device has a first substrate (10) with a fluorescent face and a second substrate. The second substrate is provided spaced apart from and opposite the first substrate, and has electron sources (18) on it. Between the first and second substrates are spacers (30a, 30b) for supporting a load of atmospheric pressure acting on the substrates. The tip portion of the first substrate of and that of the second substrate of each of the spacers are impregnated with an electric conductive material to form electric conductivity-applying portions (31a, 31b), respectively.

Description

明 細 書  Specification
画像表示装置、 画像表示装置に用いるスぺーサの製造方法、 およびこ の製造方法によ り 製造されたスぺーサを備えた画像 表示装置 Image display device, method of manufacturing spacer used for image display device, and image display device including spacer manufactured by the manufacturing method
技術分野 Technical field
こ の発明は、 対向配置された基板と、 一方の基板の内面に 配設された複数の電子源と、 を有した画像表示装置、 こ の画 像表示装置に用いるスぺーサの製造方法、 および上記製造方 法によ り製造されたスぺーサを備えた画像表示装置に関する 背景技術  The present invention relates to an image display device comprising: a substrate disposed to face, and a plurality of electron sources disposed on an inner surface of one of the substrates; a method of manufacturing a spacer used in the image display device; And image display device provided with a spacer manufactured by the above manufacturing method
近年、 高品位放送用あるいはこれに伴う 高解像度の画像表 示装置が望まれてお り 、 そのスク リ ー ン表示性能については 一段と厳しい性能が要望されている。 これら要望を達成する ためにはス ク リ ー ン面の平坦化、 高解像度化が必須であ り 、 同時に軽量、 薄型化を図る必要がある。  In recent years, there has been a demand for a high-definition broadcast or a high-resolution image display device accompanying the high-definition broadcast, and further severe screen display performance has been demanded. To meet these demands, it is necessary to flatten the screen surface and increase the resolution. At the same time, it is necessary to reduce the weight and thickness.
上記のよ う な要望を満たす画像表示装置と して、 例えば、 フ ィ ール ドェ ミ ッ シ ョ ンデ ィ ス プ レイ (以下 F E D と称す る) 等の平面表示装置が注目 されている。 こ の F E Dは、 所 定の隙間を置いて対向配置された第 1 基植および第 2基板を 有している。 これらの基板は、 その周縁部同士が直接あるい は矩形枠状の側壁を介して互いに接合され真空外囲器を構成 している。 第 1 基板の内面には画像表示を行う為の蛍光体層 が形成され、 第 2基板の内面には、 蛍光体層を励起して発光 させる電子源と して複数の電子放出素子が設けられている。 第 1 基板および第 2基板に加わる大気圧荷重を支えるため に、 これら基板の間には支持部材と して複数のスぺーサが配 設されている。 この F E Dにおいて、 画像を表示する場合、 蛍光体層にァノ ー ド電圧が印加され、 電子放出素子から放出 された電子ビームをァノー ド電圧によ り加速して蛍光体層へ 衝突させる こ と によ り 、 蛍光体が発光して画像を表示する。 As an image display device that satisfies the above demands, for example, a flat display device such as a field emission display (hereinafter referred to as FED) has been receiving attention. . This FED has a first base plant and a second substrate that are opposed to each other with a predetermined gap. These substrates are joined to each other directly or via a rectangular frame-like side wall to form a vacuum envelope. A phosphor layer for displaying images is formed on the inner surface of the first substrate, and a plurality of electron-emitting devices are provided on the inner surface of the second substrate as electron sources for exciting the phosphor layer to emit light. ing. To support the atmospheric load applied to the first and second substrates In addition, a plurality of spacers are provided as support members between these substrates. In this FED, when displaying an image, an anode voltage is applied to the phosphor layer, and the electron beam emitted from the electron-emitting device is accelerated by the anode voltage to collide with the phosphor layer. Accordingly, the phosphor emits light to display an image.
このよ う な F E Dでは、 電子放出素子の大き さがマイ ク ロ メ ー トルオーダーであ り 、 第 1 基板と第 2基板との間隔を ミ リ メ ー トルオーダーに設定する こ とができ る。 こ のため、 F E Dでは、 現在のテ レ ビやコ ンピュータ のディ スプレイ と し て使用されている陰極線管 ( C R T ) と比較して、 画像表示 装置の高解像度化、 軽量化、 薄型化を達成する こ とが可能と なる。  In such an FED, the size of the electron-emitting device is on the order of micrometer, and the distance between the first substrate and the second substrate can be set on the order of millimeter. . For this reason, FEDs have achieved higher resolution, lighter weight, and thinner image display devices compared to cathode ray tubes (CRTs) used today for televisions and computer displays. It is possible to do it.
上述のよ う な画像表示装置において、 実用的な表示特性を 得るためには、 通常の陰極線管と 同様の蛍光体を用い、 ァノ ー ド電圧を数 k V以上に設定する こ と が望ま しい。 しかし、 第 1 基板と第 2基板と の間の隙間は、 解像度や支持部材の特 性、 製造性などの観点からあま り 大き く する こ と はできず、 1 〜 3 m m程度に設定する必要がある。 そのため、 第 2基板 から放出された電子が第 1 基板に形成された蛍光面に衝突す る際、 2次電子および反射電子が放出 され、 これらの 2次電 子、 反射電子が基板間に配設されたスぺーサに衝突する。 そ の結果、 スぺーサが帯電してしま う。 一般に、 F E Dにおけ る加速電圧では、 スぺーサが正に帯電し、 電子放出素子から 放出された電子ビーム はスぺーサに引き付けられ、 本来の軌 道からずれて しま う。 その結果、 蛍光体層に対して電子ビー ム の ミ ス ラ ンディ ングが発生し、 表示画像の色純度が劣化す る とい う 問題がある。 In order to obtain practical display characteristics in the above-described image display device, it is desirable to use a phosphor similar to a normal cathode ray tube and set the anode voltage to several kV or more. New However, the gap between the first substrate and the second substrate cannot be made so large from the viewpoint of resolution, characteristics of support members, manufacturability, etc., and needs to be set to about 1 to 3 mm. There is. Therefore, when electrons emitted from the second substrate collide with the phosphor screen formed on the first substrate, secondary electrons and reflected electrons are emitted, and these secondary electrons and reflected electrons are distributed between the substrates. Collide with the installed spacer. As a result, the spacer becomes charged. In general, at the accelerating voltage in the FED, the spacer is positively charged, and the electron beam emitted from the electron-emitting device is attracted to the spacer and deviates from its original orbit. As a result, the electron beam is There is a problem that the image mis-landing occurs and the color purity of the displayed image is degraded.
このよ う なスぺーサによる電子ビーム の吸引を低減するた め、 スぺーサ表面の全部または一部に導電処理を施して帯電 を逃がすこ とが考えられる。 例えば、 米国特許第 5 , 7 2 6 , 5 2 9号明細書には、 絶縁スぺーサの第 2基板側の端部に導 電性処理を施し、 スぺーサの帯電を逃がす構造が開示されて いる。  In order to reduce the attraction of the electron beam by such a spacer, it is conceivable to perform a conductive treatment on all or part of the surface of the spacer to release the charge. For example, U.S. Pat. No. 5,726,529 discloses a structure in which a conductive treatment is applied to an end of an insulating spacer on the second substrate side to release the charge of the spacer. It has been.
しかしなが ら、 スぺーサに導電性処理を施した場合、 スぺ ーサを介して第 1 基板から第 2基板に流れる無効電流が増加 し、 温度の上昇や消費電力の増加を引き起こす。 また、 従来 の導電性処理方法では、 製造コ ス ト の増加を避ける こ と が難 しい。  However, when conductive treatment is performed on the spacer, the reactive current flowing from the first substrate to the second substrate via the spacer increases, causing an increase in temperature and an increase in power consumption. In addition, it is difficult to avoid an increase in manufacturing cost by the conventional conductive processing method.
発明の開示 Disclosure of the invention
こ の発明は以上の点に鑑みなされたも ので、 その目的は、 電子ビーム の軌道ずれを防止し、 画像品位の向上した画像表 示装置、 こ の画像表示装置に用いるスぺーサの製造方法、 お よび上記製造方法によ り製造されたスぺーサを備えた画像表 示装置を提供する こ と にある。  SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above points, and its object is to prevent an electron beam from being dislocated and improve an image quality of an image display device, and a method of manufacturing a spacer used in the image display device. Another object of the present invention is to provide an image display device including a spacer manufactured by the above manufacturing method.
上記目 的を達成するため、 こ の発明の態様に係る画像表示 装置は、 蛍光面を有した第 1 基板と、 上記第 1 基板に隙間を 置いて対向配置されている と と もに、 電子を放出 して上記蛍 光面を励起する複数の電子源が設けられた第 2基板と、 それ ぞれ絶縁材料で形成されている と と もに上記第 1 基板おょぴ 第 2基板間に配設され、 第 1 およぴ第 2基板に作用する大気 圧荷重を支持する複数のスぺーサと、 を備え、 上記各スぺー サの上記第 1 基板側の先端部および第 2基板側の先端部は、 導電性材料が含浸されそれぞれ導電性付与部を形成している。 In order to achieve the above object, an image display device according to an aspect of the present invention comprises: a first substrate having a phosphor screen; a first substrate having a gap between the first substrate; Between the first substrate and the second substrate, each of which is provided with a plurality of electron sources for emitting light to excite the phosphor surface, and each of which is formed of an insulating material. Atmosphere installed and acting on the first and second substrates A plurality of spacers for supporting a pressure load, and a tip of the spacer on the first substrate side and a tip of the second substrate side are impregnated with a conductive material, and each of the spacers has a conductivity imparting portion. Is formed.
上記構成の画像表示装置によれば、 スぺーサ近傍に位置し た電子源から放出された電子は、 スぺーサの両端部に位置す る導電性付与部によって形成された電界によ り 反発され、 ス ぺーサから離れる方向へ軌道を取った後、 今度はスぺーサに 吸引 されスぺーサに接近する方向へ軌道を取る。 こ の反発と 吸引 と によ り 電子の軌道ずれが相殺され、 電子源から放出さ れた電子は最終的に画像表示面の 目標の位置に到達する。 こ れによ り 、 電子の ミ スランディ ングに起因する色純度の劣化 を低減し、 画像品位の向上した画像表示装置が得られる。 ま た、 スぺーサ全体に導電性を持たせる場合に比較して、 温度 の上昇や消費電力の増加を抑制する こ とができる。  According to the image display device having the above configuration, electrons emitted from the electron source located near the spacer are repelled by the electric field formed by the conductivity imparting portions located at both ends of the spacer. Then, after taking a trajectory away from the spacer, it is sucked by the spacer and follows a trajectory in a direction approaching the spacer. The repulsion and the suction cancel out the orbital deviation of the electrons, and the electrons emitted from the electron source finally reach the target position on the image display surface. As a result, it is possible to obtain an image display device in which deterioration of color purity due to electron mislanding is reduced and image quality is improved. Further, it is possible to suppress an increase in temperature and an increase in power consumption as compared with a case where the spacer is made to have conductivity.
こ の発明の他の態様に係る画像表示装置のスぺーサの製造 方法は、 絶縁材料によ り スぺーサを成形し、 上記成形された スぺーサの先端部に、 導電性を有する成分を含むペース トま たは溶液を付着させ、 毛細管現象によ り 上記スぺーサの先端 部内に上記ペース トまたは溶液を染込ませ、 上記ペース トま たは溶液が染み込んだスぺーサを焼成し、 導電性材料が含浸 された導電性付与部を先端部に有したスぺーサを形成する。 また、 この発明の他の態様に係るスぺーサの製造方法は、 絶縁材料によ り スぺーサを成形し、 上記成形されたスぺーサ の先端部に、 導電性を有する成分を含むペース ト を付着させ、 上記ペース トが付着したスぺーサを加熱処理して、 導電性を 有する成分をスぺーサの先端部内に熱拡散させ、 導電性材料 が含浸された導電性付与部を先端部に有したスぺーサを形成 する。 A method of manufacturing a spacer for an image display device according to another aspect of the present invention includes forming a spacer from an insulating material, and forming a conductive component at a tip end of the formed spacer. The paste or the solution containing is adhered, and the paste or the solution is impregnated into the tip of the spacer by a capillary phenomenon, and the spacer impregnated with the paste or the solution is fired. Then, a spacer having a conductivity imparting portion impregnated with a conductive material at a tip portion is formed. Further, in a method for manufacturing a spacer according to another aspect of the present invention, a spacer is formed from an insulating material, and a tip containing a conductive component is provided at a tip end of the formed spacer. And heat-treats the spacer to which the paste has adhered to improve conductivity. The component is thermally diffused into the tip portion of the spacer to form a spacer having a conductivity imparting portion impregnated with a conductive material at the tip portion.
こ の発明の更に他の態様に係るスぺーサの製造方法は、 ス ぺーサを成形するための複数の透孔を有した金型を用意し、 導電性を有する成分を含まない第 1 ペース トを上記透孔に注 入し、 導電性を有する成分を分散させた第 2ペース トを上記 第 1 ペース トに重ねて上記透孔に注入し、 上記第 1 および第 2ペース ト を加熱処理し、 導電性を有する成分が分散された 導電性付与部を先端部に有したスぺーサを形成する。  According to still another aspect of the present invention, there is provided a spacer manufacturing method comprising: preparing a mold having a plurality of through holes for forming a spacer; and providing a first base not containing a conductive component. A second paste in which a conductive component is dispersed is superimposed on the first paste and injected into the through-hole, and the first and second pastes are heat-treated. Then, a spacer having a conductivity imparting portion in which a component having conductivity is dispersed is formed at a tip end portion.
図面の簡単な説明 BRIEF DESCRIPTION OF THE FIGURES
図 1 は、 この発明の第 1 の実施形態に係る表面伝導型電子 放出装置 (以下、 S E D と称する) を示す斜視図。  FIG. 1 is a perspective view showing a surface conduction electron-emitting device (hereinafter, referred to as SED) according to a first embodiment of the present invention.
図 2 は、 図 1 の線 II _ II に沿って破断した上記 S E Dの 斜視図。  FIG. 2 is a perspective view of the above SED taken along line II_II of FIG.
図 3 は、 上記 S E Dを拡大して示す断面図。  FIG. 3 is an enlarged sectional view showing the above SED.
図 4 は、 上記 S E Dに用いるスぺーサの製造工程において ダリ ッ ドに第 1 および第 2金型を装着した状態を示す断面図 図 5 は、 上記製造工程において、 上記金型にスぺーサ形成 材料を充填後、 U V照射、 銀ペース ト付着を行った状態を示 す断面図。  FIG. 4 is a cross-sectional view showing a state in which the first and second dies are mounted on a dalid in the manufacturing process of the spacer used for the SED. FIG. FIG. 4 is a cross-sectional view showing a state in which UV irradiation and silver paste have been applied after filling the forming material.
図 6 は、 上記製造工程において、 上1記金型を離型した状態 を示す断面図。 6, in the manufacturing process, cross-sectional view showing a state in which release the upper 1 Kikin type.
図 7 は、 この発明の第 2 の実施形態に係る S E Dのスぺー サ製造方法を示す断面図。 図 8 は、 上記第 2 の実施形態に係るスぺーサ製造方法にお いて、 導電性を有する成分を含む溶液をスぺーサ先端部に付 着させる工程を示す断面図。 FIG. 7 is a cross-sectional view showing a spacer manufacturing method for an SED according to a second embodiment of the present invention. FIG. 8 is a cross-sectional view showing a step of applying a solution containing a conductive component to the tip of the spacer in the spacer manufacturing method according to the second embodiment.
図 9 は、 こ の発明の第 3 の実施形態に係る S E Dのスぺー サ製造方法を示す断面図。  FIG. 9 is a cross-sectional view showing a spacer manufacturing method for an SED according to a third embodiment of the present invention.
図 1 0 は、 上記第 3 の実施形態に係るスぺーサ製造方法に おいて、 金型に第 1 ペース トおよび第 2ペース ト を充填した 状態を示す断面図。  FIG. 10 is a cross-sectional view showing a state in which a mold is filled with a first paste and a second paste in the spacer manufacturing method according to the third embodiment.
図 1 1 は、 上記第 3 の実施形態に係るスぺーサ製造方法に おいて、 金型を離型し焼成した状態を示す断面図。  FIG. 11 is a cross-sectional view showing a state in which a mold is released and fired in the spacer manufacturing method according to the third embodiment.
発明を実施するための最良の形態 BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
以下図面を参照しながら、 こ の発明を、 平面型の画像表示 装置と して F E D の一種である S E Dに適用 した実施形態に ついて詳細に説明する。  Hereinafter, an embodiment in which the present invention is applied to an SED, which is a type of FED, as a planar image display device will be described in detail with reference to the drawings.
図 1 ないし図 3 に示すよ う に、 この S E Dは、 透明な絶縁 基板と してそれぞれ矩形状のガラスからなる第 1 基板 1 0 お よび第 2基板 1 2 を備え、 これらの基板は約 1 . 0 〜 2 . 0 m mの隙間を置いて対向配置されている。 第 2基板 1 2 は、 第 1 基板 1 0 よ り も僅かに大きな寸法に形成されている。 第 1 基板 1 0 およぴ第 2基板 1 2 は、 ガラスからなる矩形枠状 の側壁 1 4 を介して周縁部同士が接合され、 内部が真空に維 持された偏平な矩形状の真空外囲器 1 5 を構成している。  As shown in FIGS. 1 to 3, this SED has a first substrate 10 and a second substrate 12 each made of a rectangular glass as a transparent insulating substrate. They are arranged facing each other with a gap of 0.0 to 2.0 mm. The second substrate 12 is formed to have a slightly larger dimension than the first substrate 10. The first substrate 10 and the second substrate 12 are joined to each other via a rectangular frame-shaped side wall 14 made of glass, and are flat, rectangular outer vacuums whose inside is maintained in a vacuum. Enclosure 15 is composed.
第 1 基板 1 0 の内面には蛍光面と して蛍光体ス ク リ ーン 1 6 が形成されている。 蛍光体ス ク リ ーン 1 6 は、 電子の衝突 によ り 赤、 緑、 青に発光する蛍光体層 R、 G、 B、 および黒 色遮光層 1 1 を並べて構成されている。 蛍光体層 R、 G、 B はス ト ライ プ状あるいは ドッ ト状に形成されている。 蛍光体 スク リ ーン 1 6 上には、 アルミ ニウム等力、らなるメ タルパッ ク 1 7 が形成されている。 第 1 基板 1 0 と蛍光体ス ク リ ー ン 1 6 と の間に、 例えば I T O等からなる透明導電膜あるいは カラーフィルタ膜を設けても よい。 On the inner surface of the first substrate 10, a phosphor screen 16 is formed as a phosphor screen. Phosphor screen 16 has phosphor layers R, G, B, and black that emit red, green, and blue light due to the impact of electrons. It is configured by arranging color light-shielding layers 11. The phosphor layers R, G, and B are formed in a strip shape or a dot shape. On the phosphor screen 16, a metal pack 17 made of aluminum or the like is formed. A transparent conductive film or a color filter film made of, for example, ITO may be provided between the first substrate 10 and the phosphor screen 16.
第 2基板 1 2 の内面には、 蛍光体ス ク リ ーン 1 6 の蛍光体 層 R、 G、 B を励起する電子源と して、 それぞれ電子ビーム を放出する多数の表面伝導型の電子放出素子 1 8 が設けられ ている。 これらの電子放出素子 1 8 は、 画素毎に対応して複 数列および複数行に配列されている。 各電子放出素子 1 '8 は 図示しない電子放出部、 こ の電子放出部に電圧を印加する一 対の素子電極等で構成されている。 第 2基板 1 2 の内面上に は、 電子放出素子 1 8 に電位を供給する多数本の配線 2 1 が マ ト リ ック状に設けられ、 その端部は真空外囲器 1 5 の外部 に引出されている。  On the inner surface of the second substrate 12, a number of surface conduction type electrons each emitting an electron beam serve as an electron source for exciting the phosphor layers R, G, and B of the phosphor screen 16. An emission element 18 is provided. These electron-emitting devices 18 are arranged in a plurality of columns and a plurality of rows corresponding to each pixel. Each of the electron-emitting devices 1'8 includes an electron-emitting portion (not shown), a pair of device electrodes for applying a voltage to the electron-emitting portion, and the like. On the inner surface of the second substrate 12, a large number of wirings 21 for supplying a potential to the electron-emitting devices 18 are provided in a matrix, and the ends of the wirings 21 are provided outside the vacuum envelope 15. Has been withdrawn.
接合部材と して機能する側壁 1 4 は、 例えば、 低融点ガラ ス 、 低融点金属等の封着材 2 0 によ り 、 第 1 基板 1 0 の周縁 部および第 2基板 1 2 の周縁部に封着され、 第 1 基板および 第 2基板同士を接合している。  The side wall 14 functioning as a joining member is made of, for example, a sealing material 20 such as a low-melting-point glass or a low-melting-point metal to form a peripheral portion of the first substrate 10 and a peripheral portion of the second substrate 12. The first substrate and the second substrate are bonded to each other.
図 2および図 3 に示すよ う に、 S E Dは、 第 1 基板 1 0 お よび第 2基板 1 2 間に配設されたスぺーサア ッ セ ンプリ 2 2 を備えている。 本実施の形態において、 スぺーサア ッセ ンプ リ 2 2 は、 板状のグリ ッ ド 2 4 と 、 グリ ッ ドの両面に一体的 に立設された複数の柱状のスぺーサと、 を備えている。 詳細に述べる と、 グリ ッ ド 2 4 は第 1 基板 1 0 の内面と対 向 した第 1 表面 2 4 a および第 2基板 1 2 の内面と対向 した 第 2表面 2 4 b を有し、 これらの基板と平行に配置されてい る。 グリ ッ ド 2 4 には、 エッチング等によ り 多数の電子ビー ム通過孔 2' 6および複数のスぺーサ開孔 2 8 が形成されてい る。 電子ビーム通過孔 2 6 は、 それぞれ電子放出素子 1 8 と 対向 して配列され、 電子放出素子から放出された電子ビーム を透過する。 ス ぺーサ開孔 2 8 は、 それぞれ電子ビーム通過 孔 2 6 間に位置し所定のピッチで配列されている。 As shown in FIGS. 2 and 3, the SED includes a spacer assembly 22 disposed between a first substrate 10 and a second substrate 12. In the present embodiment, the spacer assembly 22 includes a plate-shaped grid 24 and a plurality of columnar spacers integrally provided on both sides of the grid. Have. More specifically, the grid 24 has a first surface 24 a facing the inner surface of the first substrate 10 and a second surface 24 b facing the inner surface of the second substrate 12. It is arranged in parallel with the substrate. In the grid 24, a large number of electron beam passage holes 2'6 and a plurality of spacer openings 28 are formed by etching or the like. The electron beam passage holes 26 are arranged to face the electron-emitting devices 18 respectively, and transmit the electron beam emitted from the electron-emitting devices. The spacer openings 28 are located between the electron beam passage holes 26 and are arranged at a predetermined pitch.
ダリ ッ ド 2 4 は、 例えば鉄一ニッケル系の金属板によ り 厚 さ 0 . 1 〜 0 . 2 5 m mに形成されている。 グリ ッ ド 2 4 の 表面には、 金属板を構成する元素からなる酸化膜、 例えば、 F e 3 〇 4 、 i F e 2 〇 4 からなる酸化膜が形成されてい る。 ダリ ッ ド 2 4 の少なく と も第 2基板側の表面には高抵抗 膜が形成されている。 高抵抗膜は、 ガラス、 セラ ミ ック等か らなる高抵抗物質をダリ ッ ド表面に塗布し、 焼成するこ と に よ り 形成されている。 高抵抗膜の抵抗は、 Ε + 8 Ω Ζ口以上 に設定されている。 The dalide 24 is formed of, for example, an iron-nickel metal plate to a thickness of 0.1 to 0.25 mm. On the surface of the grid 2 4, oxide film consisting of elements constituting the metal plate, for example, F e 3 〇 4, i F e 2 〇 oxide film made of 4 that is formed. A high-resistance film is formed on at least the surface of the second substrate on the side of the Darlid 24. The high-resistance film is formed by applying a high-resistance material made of glass, ceramic, or the like to the surface of the dalide and baking it. The resistance of the high resistance film is set to Ε + 8 Ω Ζ or more.
電子ビーム通過孔 2 6 は、 例えば、 0 . 1 5 〜 0 . 2 5 m m X 0 . 1 5 〜 0 . 2 5 m mの矩形状に形成され、 スぺーサ 開孔 2 8 は、 例えば径が約 0 . 2 〜 0 . 5 m mの円形に形成 されている。 上述した高抵抗膜は、 電子ビーム通過孔 2 6 を 規定している壁面にも形成されている。  The electron beam passage hole 26 is formed in a rectangular shape of, for example, 0.15 to 0.25 mm X 0.15 to 0.25 mm, and the spacer opening 28 has a diameter of, for example, It is formed in a circular shape of about 0.2 to 0.5 mm. The high-resistance film described above is also formed on the wall surface defining the electron beam passage hole 26.
ダリ ッ ド 2 4 の第 1 表面 2 4 a 上には、 各ス ぺーサ開孔 2 8 に重ねて第 1 スぺーサ 3 0 a がー体的に立設されている。 第 1 スぺーサ 3 0 a の延出端は、 メ タルバック 1 7およぴ蛍 光体ス ク リ ーン 1 6 の黒色遮光層 1 1 を介して第 1 基板 1 0 の内面に当接している。 グリ ッ ド 2 4 の第 2表面 2 4 b上に は、 各スぺーサ開孔 2 8 に重ねて第 2 スぺーサ 3 0 b がー体 的に立設され、 その延出端は、 第 2基板 1 2 の内面に当接し ている。 各第 2 スぺーサ 3 O b の延出端は、 第 2基板 1 2 の 内面上に設けられた配線 2 1 上に位置している。 On the first surface 24 a of the dalid 24, a first spacer 30 a is provided standing upright so as to overlap with each spacer opening 28. The extended end of the first spacer 30a is in contact with the inner surface of the first substrate 10 via the black backing layer 11 of the metal back 17 and the phosphor screen 16. ing. On the second surface 24 b of the grid 24, a second spacer 30 b is physically erected so as to overlap with each spacer opening 28, and its extending end is It is in contact with the inner surface of the second substrate 12. The extending end of each second spacer 3 Ob is located on the wiring 21 provided on the inner surface of the second substrate 12.
第 1 および第 2 スぺーサ 3 0 a 、 3 O b は、 絶縁材料によ り形成されている。 第 1 スぺーサ 3 0 a の先端部および第 2 スぺーサ 3 0 b の先端部は、 導電性材料が含浸され導電性付 与部 3 1 a 、 3 l b をそれぞれ構成している。 各導電性付与 部 3 1 a 、 3 1 b において、 導電性材料の含有濃度は、 スぺ ーサの先端から中間部に向かって、 つま り 、 グ リ ッ ド 2 4側 に向かって徐々に減少している。  The first and second spacers 30a and 30b are formed of an insulating material. The distal end of the first spacer 30a and the distal end of the second spacer 30b are impregnated with a conductive material to form conductive applying sections 31a and 31b, respectively. In each of the conductivity imparting sections 31a and 31b, the concentration of the conductive material gradually increases from the tip of the spacer toward the middle, that is, toward the grid 24. is decreasing.
後述する よ う に、 導電性付与部 3 1 a 、 3 l b は、 電子放 出素子 1 8 から放出 された電子ビームを第 1 および第 2 スぺ ーサ 3 0 a 、 3 0 b から離間する方向へ反発する よ う に電界 を形成する。 各導電性付与部 3 1 a 、 3 l b に含有される導 電性材料と しては、 例えば、 N i 、 I n 、 A g 、 A u 、 P t I r 、 R u 、 W等を用いる こ とができ る。 導電性付与部 3 1 a 、 3 1 b の高さ、 および導電性材料の含有濃度は、 電子ビ ームに与える反発力、 つま り 、 電子ビームの軌道捕正量を考 慮して任意に設定される。  As described later, the conductivity imparting portions 31 a and 3 lb separate the electron beam emitted from the electron emitting element 18 from the first and second spacers 30 a and 30 b. An electric field is formed to repel in the direction. For example, Ni, In, Ag, Au, PtIr, Ru, W, or the like is used as the conductive material contained in each of the conductivity imparting portions 31a and 3lb. be able to. The height of the conductivity imparting portions 31a and 31b and the concentration of the conductive material are arbitrarily determined in consideration of the repulsive force applied to the electron beam, that is, the amount of orbital correction of the electron beam. Is set.
第 1 およぴ第 2 スぺーサ 3 0 a 、 3 O b の各々 は、 グリ ツ ド 2 4側から延出端、 つま り 、 先端に向かって径が小さ く な つた先細テーパ状に形成されている。 例えば、 各第 1 スぺー サ 3 0 a はグリ ッ ド 2 4側に位置した基端の径が約 0 . 4 m m、 先端の径が約 0 . 3 m m、 高さが約 0 . 6 m mに形成さ れている。 各第 2 スぺーサ 3 0 b はグリ ッ ド 2 4側に位置し た基端の径が約 0 . 4 m m、 先端の径が約 0 . 2 5 m m、 高 さが約 0 . 8 m mに形成されている。 こ の よ う に、 第 1 スぺ ーサ 3 0 a の高さは、 第 2 スぺーサ 3 O b の高さ よ り も低く 形成されている。 Each of the first and second spacers 30a, 30b has an extended end from the grid 24 side, that is, the diameter decreases toward the tip. It is formed in a tapered tapered shape. For example, each of the first spacers 30a has a base diameter of about 0.4 mm, a tip diameter of about 0.3 mm, and a height of about 0.6 mm located on the grid 24 side. It is formed in. Each of the second spacers 30b has a base diameter of about 0.4 mm, a tip diameter of about 0.25 mm, and a height of about 0.8 mm located on the grid 24 side. Is formed. As described above, the height of the first spacer 30a is formed to be lower than the height of the second spacer 3Ob.
第 1 スぺーサ 3 0 a および第 2 スぺーサ 3 0 b の表面抵抗 は 5 X 1 0 13 Ω と なっている。 各スぺーサ開孔 2 8 、 第 1 お よび第 2 スぺーサ 3 0 a 、 3 0 b は互いに整列して位置し、 第 1 および第 2 スぺーサは こ のスぺーサ開孔 2 8 を介して互 いに一体的に連結されている。 これによ り 、 第 1 および第 2 スぺーサ 3 0 a 、 3 0 b は、 グリ ッ ド 2 4 を両面力 ら挟み込 んだ状態でグリ ッ ド、 2 4 と一体に形成されている。  The surface resistance of the first spacer 30a and the second spacer 30b is 5 × 10 13 Ω. Each spacer opening 28, the first and second spacers 30 a, 30 b are located in alignment with each other, and the first and second spacers are located in this spacer opening 2. 8 and are integrally connected to each other. As a result, the first and second spacers 30a and 30b are formed integrally with the grid 24 with the grid 24 sandwiched from the double-sided force. .
上記のよ う に構成されたスぺーサア ッ セ ンプリ 2 2 は第 1 基板 1 0 および第 2基板 1 2 間に配設されている。 第 1 およ ぴ第 2 スぺーサ 3 0 a 、 3 O b は、 第 1 基板 1 0 およぴ第 2 基板 1 2 の内面に当接する こ と によ り 、 これらの基板に作用 する大気圧荷重を支持し、 基板間の間隔を所定値に維持して いる。  The spacer assembly 22 configured as described above is disposed between the first substrate 10 and the second substrate 12. The first and second spacers 30a and 30b are brought into contact with the inner surfaces of the first substrate 10 and the second substrate 12 so as to act on these substrates. It supports atmospheric pressure loads and maintains the spacing between substrates at a predetermined value.
図 2 に示すよ う に、 S E Dは、 グリ ッ ド 2 4 およぴ第 1 基 板 1 0 のメ タルバック 1 7 に電圧を印加する図示しない電圧 供給部を備えている。 こ の電圧供給部は、 グリ ッ ド 2 4およ びメ タルバック 1 7 にそれぞれ接続され、 例えば、 グリ ッ ド 2 4 に 1 2 k V、 メ タルパック 1 7 に 1 2 k V以下の電圧を 印加する。 グリ ッ ド 2 4 に印加する電圧は、 第 1 基板 1 0 に 印加する電圧と 同一か、 よ り 高く設定されている。 As shown in FIG. 2, the SED includes a voltage supply unit (not shown) for applying a voltage to the grid 24 and the metal back 17 of the first substrate 10. This voltage supply is connected to the grid 24 and the metal back 17, respectively. Apply 12 kV to 24 and 12 kV or less to metal pack 17. The voltage applied to the grid 24 is set to be equal to or higher than the voltage applied to the first substrate 10.
こ の S E D において、 画像を表示する場合、 蛍光体ス ク リ ーン 1 6 およびメ タルバック 1 7 にアノー ド電圧に印力 Bし、 電子放出素子 1 8 から放出された電子ビーム B をァノー ド電 圧によ り加速して蛍光体ス ク リ ー ン 1 6 へ衝突させる。 これ に よ り 、 蛍光体ス ク リ ーン 1 6 の蛍光体層が励起されて発光 し、 画像を表示する。  In this SED, when displaying an image, the phosphor screen 16 and the metal back 17 apply an anode voltage B to the anode screen, and emit the electron beam B emitted from the electron-emitting device 18 to the anode. It is accelerated by the voltage and collided with the phosphor screen 16. As a result, the phosphor layer of the phosphor screen 16 is excited to emit light, and an image is displayed.
次に、 以上のよ う に構成された S E Dの製造方法について 説明する。 スぺーサア ッセ ンプリ 2 2 を製造する場合、 まず 所定寸法のダリ ッ ド 2 4 、 ダリ ッ ドと ほぼ同一の寸法を有し た矩形板状の第 1 および第 2金型 3 6 a 、 3 6 b を用意する この場合、 F e _ 4 5 〜 5 5 % N i カ らな.る板厚 0 . 1 2 m mの薄板を脱脂、 洗浄、 乾燥した後、 エッチングによ り 電子 ビーム通過孔 2 6 、 およびスぺーサ開孔 2 8 を形成しダリ ッ ド 2 4 とする。 その後、 グ リ ッ ド 2 4全体を酸化処理によ り 酸化させ、 電子ビーム通過孔 2 6 およびスぺーサ開孔 2 8 の 内面を含めグリ ッ ド表面に絶縁膜を形成する。 更に、 絶縁膜 上に、 酸化錫および酸化ア ンチモ ンの微粒子を分散させた液 をス プ レー して被覆し、 こ の液を乾燥、 焼成して高抵抗膜を 形成する。  Next, a method of manufacturing the SED configured as described above will be described. When manufacturing the spacer assembly 22, first, a dalid 24 having a predetermined dimension, first and second molds 36 a having a rectangular plate shape having substantially the same dimensions as the dalid, Prepare 36b In this case, Fe_45 to 55% Ni, etc.A thin plate with a thickness of 0.12 mm is degreased, washed, dried, and then passed through an electron beam by etching. A hole 26 and a spacer opening 28 are formed to form a dalide 24. Thereafter, the entire grid 24 is oxidized by an oxidation process, and an insulating film is formed on the grid surface including the inner surfaces of the electron beam passage holes 26 and the spacer openings 28. Further, a liquid in which fine particles of tin oxide and antimony oxide are dispersed is spray-coated on the insulating film, and the liquid is dried and fired to form a high-resistance film.
図 4 に示すよ う に、 成形型と して機能する第 1 および第 2 金型 3 6 a 、 3 6 b は、 スぺーサ形成用の透孔 3 8 a 、 3 8 b を有し、 これらの透孔はそれぞれグリ ッ ド 2 4 のスぺーサ 開孔 2 8 に対応して配置されている。 第 1 金型 3 6 a および 第 2金型 3 6 b において、 少なく と も透孔 3 8 a 、 3 8 b の 内面には、 熱処理によ り熱分解する樹脂が塗布されている。 As shown in FIG. 4, the first and second molds 36a and 36b functioning as molds have through holes 38a and 38b for forming spacers. Each of these holes is a spacer in grid 24 It is arranged corresponding to the opening 28. In the first mold 36a and the second mold 36b, at least the inner surfaces of the through holes 38a and 38b are coated with a resin that is thermally decomposed by heat treatment.
第 1 金型 3 6 a を、 各透孔 3 8 a 力 Sダリ ッ ド 2 4 のスぺー サ開孔 2 8 と整列する よ う に位置決め した状態でダリ ッ ドの 第 1 表面 2 4 a に密着させる。 同様に、 第 2金型 3 6 b を、 各透孔 3 8 b 力 Sダリ ッ ド 2 4 のスぺーサ開孔 2 8 と整列する よ う に位置決め した状態でダリ ッ ドの第 2表面 2 4 b に密着 させる。 これら第 1 金型 3 6 a 、 グリ ッ ド 2 4 、 および第 2 金型 3 6 b を図示しないク ランパ等を用いて互いに固定する。  With the first mold 36a positioned so as to be aligned with the spacer opening 28 of each through hole 38a, the first surface 24a of the dalid is positioned. In close contact. Similarly, the second die 36 is positioned so that the second mold 36 b is aligned with the spacer opening 28 of the through hole 38 d of the through hole 38 b. Closely contact 2 4 b. The first mold 36a, the grid 24, and the second mold 36b are fixed to each other using a clamper (not shown).
次に、 例えば、 第 1 金型 3 6 a の外面側からペース ト状の スぺーサ形成材料 4 0 を供給し、 第 1 金型の透孔 3 8 a 、 グ リ ッ ド 2 4 のスぺーサ開孔 2 8 、 およぴ第 2金型 3 6 b の透 孔 3 8 b にスぺーサ形成材料 4 0 を充填する。 スぺーサ形成 材料 4 0 と しては、 紫外線硬化型のバイ ンダ (有機成分) お よびガラスフィ ラーを含有した絶縁性のガラスペース ト を用 いる。  Next, for example, a paste-shaped spacer forming material 40 is supplied from the outer surface side of the first mold 36 a, and the through holes 38 a and the grid 24 of the first mold are supplied. The spacer forming material 40 is filled in the spacer opening 28 and the through hole 38b of the second mold 36b. As the spacer forming material 40, an insulating glass paste containing a UV-curable binder (organic component) and a glass filler is used.
続いて、 充填されたスぺーサ形成材料 4 0 に対し、 第 1 お ょぴ第 2金型 3 6 a 、 3 6 b の外面側から放射線と して紫外 線 (以下、 U V と称する) を照射し、 スぺーサ形成材料を U V硬化させる。 この後、 必要に応じて熱硬化を行っても よい。 次に、 熱処理によ り 第 1 および第 2金型 3 6 a 、 3 6 b の各 透孔 3 8 a 、 3 8 b に塗布された樹脂を熱分解し、 図 5 に示 すよ う に、 スぺーサ形成材料 4 0 と透孔の間にすき間を作る。 各スぺーサ形成材料 4 0 の両端に、 すなわち、 第 1 スぺーサ 3 0 a と なる部分の先端、 および第 2 スぺーサ 3 0 b と なる 部分の先端のみに、 例えば、 ス ク リ ー ン印刷法によ り 導電性 材料と しての銀ペース ト 4 2 を付着させる。 その後、 第 1 お ょぴ第 2金型 3 6 a 、 3 6 b をダリ ッ ド 2 4力 ら離型する。 続いて、 スぺーサ形成材料 4 0 によ り 第 1 およぴ第 2 スぺ ーサ 3 0 a 、 3 0 b が成形されたダリ ッ ド 2 4 を加熱炉内で 熱処理し、 スぺーサ形成材料内からパイ ンダを飛ばした後、 約 5 0 0 〜 5 5 0 °Cで 3 0分〜 1 時間、 スぺーサ形成材料お ょぴ銀ペース ト 4 2 を本焼成する。 これによ り 、 図 6 に示す よ う に、 ダリ ッ ド 2 4上に第 1 およぴ第 2 スぺーサ 3 0 a 、 3 0 b が作り 込まれたスぺーサア ッ セ ンプリ 2 2 が得られる。 同時に、 銀ペース ト 4 2 中の銀成分が第 1 および第 2 スぺー サ 3 0 a 、 3 O b の先端部内の約 0 . 1 5 m m程度の範囲に 渡って拡散する。 その結果、 それぞれ先端部に銀を含有した 導電性付与部 3 . 1 a 、 3 1 b をバルダと して備えた、 つま り 、 一体に備えた第 1 および第 2 スぺーサ 3 0 a 、 3 0 b が得ら れる。 Subsequently, an ultraviolet ray (hereinafter, referred to as UV) is applied to the filled spacer forming material 40 from the outer surface side of the first and second molds 36a and 36b as radiation. Irradiate to UV cure the spacer forming material. Thereafter, heat curing may be performed as necessary. Next, the resin applied to the through holes 38a, 38b of the first and second molds 36a, 36b is thermally decomposed by heat treatment, as shown in FIG. A gap is created between the spacer forming material 40 and the through hole. At both ends of each spacer forming material 40, that is, the first spacer Only the tip of the portion to be 30a and the tip of the portion to be the second spacer 30b, for example, silver paste as a conductive material by a screen printing method 4 2 To adhere. Thereafter, the first and second molds 36a and 36b are released from the Darido 24 force. Subsequently, the dalide 24 formed with the first and second spacers 30a and 30b by the spacer forming material 40 is heat-treated in a heating furnace, and the spacer is formed. After the binder is blown out of the substrate forming material, the spacer forming material and silver paste 42 are finally fired at about 500 to 550 ° C for 30 minutes to 1 hour. As a result, as shown in FIG. 6, the spacer assembly 22 in which the first and second spacers 30a and 30b are formed on the Darlid 24 is formed. Is obtained. At the same time, the silver component in the silver paste 42 diffuses over a range of about 0.15 mm in the tips of the first and second spacers 30a and 30b. As a result, the first and second spacers 30a, which are provided with the conductivity-imparting portions 3.1a and 31b each containing silver at the tip as a bulda, that is, integrally provided, are provided. 30 b is obtained.
一方、 予め、 蛍光体ス ク リ ーン 1 6 およびメ タルノ ッ ク 1 7 の設けられた第 1 基板 1 0 と 、 電子放出素子 1 8および配 線 2 1 が設け られている と と もに側壁 1 4 が接合された第 2 基板 1 2 と、 を用意しておく 。  On the other hand, the first substrate 10 on which the phosphor screen 16 and the metal knock 17 are provided, the electron-emitting device 18 and the wiring 21 are provided in advance. And a second substrate 12 to which the side wall 14 is bonded.
続いて、 上記のよ う に構成されたスぺーサアッセンプリ 2 2 を第 2基板 1 2上に位置決め配置する。 こ の際、 第 2 スぺ ーサ 3 0 b の延出端がそれぞれ配線 2 1 上に配置される よ う にスぺーサア ッ セ ンブリ 2 2 を位置決めする。 こ の状態で、 第 1 基板 1 0 、 第 2基板 1 2 、 およぴスぺーサア ッ セ ンプリ 2 2 を真空チャ ンバ内に配置し、 真空チャ ンパ内を真空排気 した後、 側壁 1 4 を介して第 1 基板を第 2基板に接合する。 これによ り 、 スぺーサア ッ セ ンプリ 2 2 を備ぇた £ 0が製 造される。 Subsequently, the spacer assembly 22 configured as described above is positioned and arranged on the second substrate 12. At this time, the spacer assembly 22 is positioned so that the extending ends of the second spacers 30b are respectively arranged on the wirings 21. In this state, The first substrate 10, the second substrate 12, and the spacer assembly 22 are arranged in a vacuum chamber, and the inside of the vacuum chamber is evacuated. The substrate is bonded to the second substrate. This produces £ 0 with Sussa Assembly 22.
以上のよ う に構成された S E Dによれば、 図 3 に示すよ う に、 第 2 スぺーサ 3 0 b の近傍に位置した電子放出素子 1 8 から放出された電子ビーム Bは、 第 2 スぺーサ 3 0 b の先端 部を構成した導電性付与部 3 1 b が形成する電界によ り 反発 され、 第 2 スぺーサから離れる方向へ軌道を取 り なが ら電子 ビーム通過孔 2 6 に向カゝう。 その後、 電子ビーム Bは、 今度 は、 帯電した第 2 スぺーサ 3 O b および第 1 スぺーサ 3 0 a に吸引 され、 これ ら のスぺーサに接近する方向へ軌道を取る 更に、 電子ビーム B は、 第 1 スぺーサ 3 0 a の先端部を構成 した導電性付与部 3 1 a が形成する電界によ り 反発され、 第 1 スぺーサから離れる方向へ軌道を取り ながら蛍光体ス ク リ ーン 1 6 に向力 う。 こ の反発と吸引 と によ り 電子ビーム B の 軌道ずれが相殺され、 電子放出素子 1 8 から放出された電子 ビーム Bは、 最終的に蛍光体ス ク リ ー ン 1 6 の 目標とする蛍 光体層に到達する。  According to the SED configured as described above, as shown in FIG. 3, the electron beam B emitted from the electron-emitting device 18 located near the second spacer 30 b is The electron beam passing hole 2 is repelled by the electric field formed by the conductivity imparting portion 31b constituting the tip of the spacer 30b, and follows an orbit away from the second spacer. Go to 6. The electron beam B is then attracted by the charged second spacer 30 Ob and the first spacer 30a, and orbits in the direction approaching these spacers. The beam B is repelled by the electric field formed by the conductivity imparting portion 31 a constituting the tip of the first spacer 30 a, and takes a trajectory in a direction away from the first spacer 30. Work on screen 16. The repulsion and the suction cancel the orbital deviation of the electron beam B, and the electron beam B emitted from the electron-emitting device 18 finally emits the target fluorescent light of the phosphor screen 16. Reach the light body layer.
電子放出素子 1 8 と スぺーサと の距離が小さいほど、 電子 ビームがスぺーサ側へ移動する量は大き く 、 逆に電子放出素 子とスぺーサと の距離が十分に大きい場合、 電子ビームがス ぺーサ側へ移動する量は無視でき る量と なる。 電子ビームの 移動現象は、 蛍光面で発生した 2次電子及び反射電子がスぺ ーサに衝突し、 スぺ一サが帯電するで発生する。 S E Dで使 用 される加速電圧の場合、 スぺーサ表面での 2 次電子放出係 数が 1 以上とな り 、 スぺーサ側壁は正に帯電し、 電子ビーム をスぺーサ側へと 引き付ける事になる。 The smaller the distance between the electron-emitting device 18 and the spacer, the greater the amount of movement of the electron beam to the spacer side. Conversely, if the distance between the electron-emitting device and the spacer is sufficiently large, The amount of movement of the electron beam to the spacer is negligible. The electron beam movement phenomenon is caused by secondary electrons and reflected electrons generated on the phosphor screen. This occurs when the sensor collides with the sensor and the sensor is charged. In the case of the accelerating voltage used in the SED, the secondary electron emission coefficient on the surface of the spacer becomes 1 or more, the spacer side wall becomes positively charged, and the electron beam is attracted to the spacer side. It will be.
本 S E Dでは、 ス ぺーサの帯電を逃がすのではなく 、 第 1 スぺーサ 3 0 a の第 1 基板 1 0側の先端部、 および第 2 スぺ ーサ 3 0 b の第 2基板 1 2側の先端部にそれぞれ導電性付与 部 3 1 a 、 3 1 b を設ける こ と によ り 、 電子ビームをスぺー サから離れる方向へ反発する電界を形成している。 導電性付 与部 3 1 a 、 3 l b の高さ を制御する こ と で、 電界の強さ を 変え、 反発量を制御する こ と ができ る。  In this SED, rather than letting the spacers escape, the tip of the first spacer 30a on the first substrate 10 side and the second substrate 12b of the second spacer 30b do not. By providing the conductivity imparting portions 31a and 31b at the tip portions on the sides, an electric field is formed that repels the electron beam in a direction away from the spacer. By controlling the height of the conductive imparting portions 31a and 3lb, it is possible to change the strength of the electric field and control the amount of repulsion.
従って、 本 S E Dによれば、 第 1 およぴ第 2 スぺーサ 3 0 a 、 3 O b が帯電し、 これらスぺーサによ り 電子ビーム Bが 引き付けられた場合でも、 電子ビームの軌道ずれを防止する こ と ができ る。 これによ り 、 電子ビーム B の ミ ス ラ ンデイ ン グを防止して色純度の劣化を低減し、 画像品位の向上した S E Dが得られる。  Therefore, according to this SED, the first and second spacers 30a and 30b are charged, and even if the electron beam B is attracted by these spacers, the orbit of the electron beam Displacement can be prevented. As a result, mislanding of the electron beam B is prevented, deterioration in color purity is reduced, and an SED with improved image quality is obtained.
スぺーサに設けられた導電性付与部の内、 第 2基板 1 2側 の導電性付与部 3 1 b は、 電子ビームの出射側に近いため、 この導電性付与部 3 1 b によ り形成された電界は電子ビーム の軌道に大きな影響を与える。 すなわち、 電子ビームは、 導 電性付与部 3 1 b によ り 形成された電界に対して、 感度が高 い。 そのため、 導電性付与部 3 1 b の第 2基板 1 2 からの高 さが少しでも変化する と、 電子ビームの軌道が大き く 変化す る。 この理由から、 第 2 基板側の導電性付与部 3 1 b のみで 電子ビームの軌道を制御しよ う と した場合、 製造工程で導電 性付与部 3 1 b の高さにばらつきが生じる と、 複数の電子放 出素子から出射された電子ビーム間で移動量の差が生じ、 電 子ビーム軌道を正確に制御するこ とが難しい。 Among the conductivity-imparting portions provided on the spacer, the conductivity-imparting portion 31b on the second substrate 12 side is close to the emission side of the electron beam. The formed electric field has a large effect on the trajectory of the electron beam. That is, the electron beam has high sensitivity to the electric field formed by the conductivity imparting section 31b. Therefore, if the height of the conductivity imparting portion 31b from the second substrate 12 slightly changes, the trajectory of the electron beam greatly changes. For this reason, only the conductivity imparting portion 3 1 b on the second substrate side is used. When trying to control the trajectory of the electron beam, if the height of the conductive portion 31b fluctuates during the manufacturing process, the difference in the amount of movement between the electron beams emitted from the plurality of electron-emitting devices will increase. This makes it difficult to control the electron beam trajectory accurately.
しかしなが ら、 本実施形態に係る S E Dによれば、 第 1 ス ぺーサ 3 0 a およぴ第 2 スぺーサ 3 0 b の両スぺーサの先端 部に導電性付与部 3 1 a 、 3 1 b を設け、 導電性付与部 3 1 b の電子ビーム軌道への作用を抑え気味に し、 感度が低い導 電性付与部 3 1 a によ り 軌道補正の不足分を補正している。 これによ り 、 電子ビーム軌道を容易に正しく 制御する こ とが 可能となる。  However, according to the SED according to the present embodiment, the conductivity imparting portions 31a are provided at the tip portions of both the first spacer 30a and the second spacer 30b. , 31b to reduce the effect of the conductivity imparting section 31b on the electron beam trajectory, and to compensate for the lack of trajectory correction by the low sensitivity conductivity imparting section 31a. I have. This makes it possible to easily and correctly control the electron beam trajectory.
これによ り 、 導電性付与部 3 1 a 、 3 l b の製造精度を下 げ、 導電性付与部 3 1 a 、 3 1 b を容易に製造する こ とが可 能となる。 すなわち、 導電性付与部を第 1 および第 2 スぺー サ 3 0 a 、 3 0 b の両方の先端部に設ける こ と によ り 、 第 2 基板 1 2側だけに導電性付与部を高い高さ精度で設けた場合 と同様の効果を容易に得る こ とができ る。  Thereby, the manufacturing accuracy of the conductivity imparting portions 31a and 31b is reduced, and the conductivity imparting portions 31a and 31b can be easily manufactured. That is, by providing the conductivity imparting portion at both the tip portions of the first and second spacers 30a and 30b, the conductivity imparting portion can be provided only on the second substrate 12 side. It is possible to easily obtain the same effect as in the case where the precision is provided.
第 1 および第 2 スぺーサ 3 0 a 、 3 O b 全体に導電処理を 施した場合、 スぺーサを介して第 1 基板 1 0 から第 2基板 1 2 へ流れる無効電流が増加 し、 温度の上昇や消費電力の増加 を引き起こす。 また、 S E D の動作中、 こ の導電処理部がガ ス の発生源と な り 、 スぺーサ近傍に配設された電子放出素子 のイ オン衝撃を引き起こす場合もある。  When the entire first and second spacers 30a and 30b are subjected to conductive treatment, the reactive current flowing from the first substrate 10 to the second substrate 12 via the spacer increases, and the temperature increases. And power consumption. In addition, during the operation of the SED, the conductive processing portion may be a source of gas, and may cause an ion impact of the electron-emitting device disposed near the spacer.
これに対して、 本実施形態によれば、 第 1 および第 2 スぺ ーサ 3 0 a 、 3 O b の先端部に導電性付与部 3 1 a 、 3 1 b を形成し、 ス ぺーサ全体と して、 導電部一絶縁部一導電部のOn the other hand, according to the present embodiment, the conductivity imparting portions 31a, 31b are provided at the tips of the first and second spacers 30a, 30b. Is formed, and the entire spacer is made up of the conductive part, the insulating part, and the conductive part.
3段構造と している。 これによ り 、 無効電流の増加、 温度の 上昇や消費電力の増加、 イ オン衝突を引き起こすこ となく 、 導電性付与部 3 1 a 、 3 1 b によ り スぺーサ周辺の電界を変 え電子ビーム の軌道を容易にかつ正確に制御する こ とができ る。 It has a three-stage structure. As a result, the electric field around the spacer is changed by the conductivity applying portions 31a and 31b without causing an increase in reactive current, an increase in temperature, an increase in power consumption, and an ion collision. The trajectory of the electron beam can be controlled easily and accurately.
本実施形態に係る S E D と、 上述した導電性付与部 3 1 a 3 1 b を持たないス ぺーサが設けられた S E D と を用意し、 電子ビーム の移動量を比較した。 その結果、 導電性付与部 3 1 a 、 3 1 b が設け られていない S E Dでは電子ビームがス ぺーサ側に約 1 2 0 μ m吸引 されたのに対し、 本実施形態に 係る S E Dでは、 電子ビーム の移動量が ± 2 0 i mとな り 、 表示画像の色純度も改善された。  An SED according to the present embodiment and an SED provided with a spacer not having the above-described conductivity imparting portions 31a31b were prepared, and the movement amounts of the electron beams were compared. As a result, the electron beam was suctioned to the spacer side by about 120 μm in the SED without the conductivity imparting portions 31a and 31b, whereas in the SED according to the present embodiment, The movement amount of the electron beam was ± 20 im, and the color purity of the displayed image was also improved.
本 S E Dによれば、 第 1 基板 1 0 と第 2基板 1 2 との間に ダリ ッ ド 2 4 が配置されている ど と もに、 第 1 スぺーサ 3 0 a の高さは、 第 2 スぺーサ 3 O b の高さ よ り も低く 形成され ている。 これによ り 、 グリ ッ ド 2 4 は第 2基板 1 2 よ り も第 1 基板 1 0側に接近して位置している。 そのため、 第 1 基板 1 0側から放電が生じた場合でも、 グリ ッ ド 2 4 によ り 、 第 2基板 1 2上に設けられた電子放出素子 1 8 の放電破損を抑 制するこ とが可能と なる。 従って、 放電に対する耐圧性に優 れ画像品位の向上した S E Dを得る こ とができる。  According to the present SED, the height of the first spacer 30a is equal to the height of the first spacer 30a, even when the daride 24 is disposed between the first substrate 10 and the second substrate 12. It is formed lower than the height of 2 spacer 3 Ob. As a result, the grid 24 is located closer to the first substrate 10 than the second substrate 12 is. Therefore, even if a discharge occurs from the first substrate 10 side, the grid 24 can suppress the discharge damage of the electron-emitting device 18 provided on the second substrate 12. It will be possible. Therefore, it is possible to obtain an SED having excellent withstand voltage against discharge and improved image quality.
上記構成の S E Dによれば、 第 1 スぺーサ 3 0 a の高さ を 第 2 スぺーサ 3 O b よ り も低く 形成する こ と によ り 、 ダリ ッ ド 2 4 に印加する電圧を第 1 基板 1 0 に印加する電圧よ り 大 き く した場合でも、 電子放出素子 1 8 から発生した電子を蛍 光体ス ク リ ーン側へ確実に到達させる こ とができ る。 According to the SED having the above-described configuration, the height of the first spacer 30a is made lower than that of the second spacer 30b, so that the voltage applied to the Greater than the voltage applied to the first substrate 10 Even when the size is reduced, the electrons generated from the electron-emitting devices 18 can reliably reach the phosphor screen side.
次に、 こ の発明の第 2 の実施形態に係るスぺーサの製造方 法について説明する。 上述した第 1 の実施形態と 同様の方法 によ り 、 所定寸法のグリ ッ ド 2 4 を形成し、 また、 第 1 およ ぴ第 2金型 3 6 a 、 3 6 b を用意する。 続いて、 図 4 に示し た場合と 同様に、 第 1 金型 3 6 a を、 各透孔 3 8 a がグ リ ツ ド 2 4 のスぺーサ開孔 2 8 と整列する よ う に位置決め した状 態でダリ ッ ドの第 1 表面 2 4 a に密着させる。 同様に、 第 2 金型 3 6 b を、 各透孔 3 8 b がダリ ッ ド 2 4 のスぺーサ開孔 2 8 と整列する よ う に位置決め した状態でダリ ッ ドの第 2表 面 2 4 b に密着させる。 そ して、 これら第 1 金型 3 6 a 、 グ リ ッ ド 2 4 、 および第 2金型 3 6 b を図示しないク ランパ等 を用いて互いに固定する。  Next, a method of manufacturing the spacer according to the second embodiment of the present invention will be described. A grid 24 of a predetermined size is formed by the same method as in the first embodiment described above, and first and second molds 36a and 36b are prepared. Subsequently, as in the case shown in FIG. 4, the first mold 36a is positioned so that each through hole 38a is aligned with the spacer opening 28 of the grid 24. In this state, it is brought into close contact with the first surface 24a of the dalid. Similarly, with the second mold 36 b positioned so that each through hole 38 b is aligned with the spacer opening 28 of the dalide 24, the second surface of the dalide is positioned. 2 Close to 4 b. Then, the first mold 36a, the grid 24, and the second mold 36b are fixed to each other using a clamper (not shown).
次に、 例えば、 第 1 金型 3 6 a の外面側からペース ト状の スぺーサ形成材料 4 0 を供給し、 第 1 金型の透孔 3 8 a 、 グ リ ッ ド 2 4 のスぺーサ開孔 2 8 、 および第 2金型' 3 6 b の透 孔 3 8 b にスぺーサ形成材料 4 0 を充填する。 スぺーサ形成 材料 4 0 と しては、 U V硬化型のバイ ンダ (有機成分) およ ぴガラスフィ ラーを含有した絶縁性のガラスペース トを用い る。  Next, for example, a paste-shaped spacer forming material 40 is supplied from the outer surface side of the first mold 36 a, and the through holes 38 a and the grid 24 of the first mold are supplied. The spacer forming material 40 is filled in the spacer opening 28 and the through hole 38b of the second mold '36b. As the spacer forming material 40, an insulating glass paste containing a UV-curable binder (organic component) and a glass filler is used.
続いて、 充填されたスぺーサ形成材料 4 0 に対し、 第 1 お ょぴ第 2金型 3 6 a 、 3 6 b の外面側から U Vを照射し、 ス ぺーサ形成材料を U V硬化させる。 こ の後、 必要に応じて熱 硬化を行っても よい。 次に、 熱処理によ り 第 1 および第 2金 型 3 6 a 、 3 6 b の各透孔 3 8 a 、 3 8 b に塗布された樹脂 を熱分解し、 図 7 に示すよ う に、 スぺーサ形成材料 4 0 と透 孔の間にすき間を作る。 その後、 第 1 および第 2金型 3 6 a 、 3 6 b をダリ ッ ド 2 4から離型する。 Subsequently, the filled spacer forming material 40 is irradiated with UV from the outer surface side of the first and second molds 36a and 36b, and the spacer forming material is UV-cured. . Thereafter, heat curing may be performed if necessary. Next, the first and second gold The resin applied to the through holes 38a and 38b of the molds 36a and 36b is thermally decomposed, and as shown in Fig. 7, the space between the spacer forming material 40 and the through holes is formed. Make a gap. Thereafter, the first and second molds 36 a and 36 b are released from the darlid 24.
続いて、 スぺーサ形成材料 4 0 によ り 第 1 およぴ第 2 ス ぺ ーサ 3 0 a 、 3 0 b が成形されたダリ ッ ド 2 4 を加熱炉内で 熱処理し、 スぺーサ形成材料内からパイ ンダを飛ばし脱パイ ンダ処理を行う。 その後、 図 8 に示すよ う に、 スぺーサ形成 材料 4 0 が焼結前の多孔質の状態で、 第 1 スぺーサ 3 0 a の 先端、 およぴ第 2 スぺーサ 3 0 b の先端のみに、 例えば、 ィ ンク ジエ ツ トによ り 、 銀の超微粒子とエ ト ラデカン液とから なる溶液を付着させる。 付着した溶液は、 毛細管現象によ り 第 1 およぴ第 2 スぺーサ 3 0 a 、 3 0 b の先端部内に約 0 . 2 m m程度浸透する。  Subsequently, the dalide 24 formed with the first and second spacers 30a and 30b by the spacer forming material 40 is heat-treated in a heating furnace to form a spacer. The binder is removed from the material to form the binder and debinding is performed. Then, as shown in FIG. 8, the spacer forming material 40 is in a porous state before sintering, and the tip of the first spacer 30a and the second spacer 30b are formed. A solution consisting of ultrafine silver particles and an etradecane solution is adhered to only the tip of the solution by, for example, an ink jet. The attached solution permeates about 0.2 mm into the tips of the first and second spacers 30a and 30b by capillary action.
次に、 第 1 および第 2 スぺーサ 3 0 a 、 3 O b が成形され たグリ ッ ド 2 4 を加熱炉内に配置し、 約 5 0 0 〜 5 5 0 °Cで 3 0分〜 1 時間、 本焼成する。 本焼成によ り 、 スぺーサ形成 材料を構成するガラス粒子が一体化し、 ダリ ッ ド 2 4上に第 1 およぴ第 2 スぺーサ 3 0 a 、 3 0 b が作り 込まれたス ぺー サア ッ セ ンプリ 2 2 が得られる。 同時に、 それぞれ先端部に 銀を含有した導電性付与部 3 1 a 、 3 1 b をパルグと して備 えた第 1 およぴ第 2 スぺーサ 3 0 a 、 3 O b が得られる。  Next, the grid 24 on which the first and second spacers 30a and 30b are formed is placed in a heating furnace, and is heated at about 500 to 550 ° C for 30 minutes to 30 ° C. Main firing for 1 hour. By this firing, the glass particles constituting the spacer forming material are integrated, and the first and second spacers 30a and 30b are formed on the dalide 24. We get the Asa Sempri 22. At the same time, the first and second spacers 30a, 30B having silver-containing conductivity-imparting portions 31a, 31b as tips are obtained.
その後、 第 1 の実施の形態と 同様の方法によ り 、 第 1 基板 1 0 、 スぺーサア ッ セ ンプリ 2 2 、 および第 2基板を組立て る こ と によ り 、 スぺーサア ッ セ ンプリ 2 2 を備えた S E D力 S 得られる。 Then, by assembling the first substrate 10, the spacer assembly 22, and the second substrate by the same method as in the first embodiment, the spacer assembly is assembled. SED force S with 2 2 can get.
本実施の形態に係る S E D と、 上述した導電性付与部 3 1 a 、 3 1 b を持たないスぺーサが設けられた S E D と を用意 し、 電子ビーム の移動量を比較した。 その結果、 導電性付与 部 3 1 a 、 3 1 b が設けられていない S E Dでは電子ビーム がスぺーサ側に約 1 2 0 ni吸引 されたのに対し、 本実施の 形態に係る S E Dでは、 電子ビーム の移動量が ± 2 0 mと な り 、 表示画像の色純度も改善された。  An SED according to the present embodiment and an SED provided with a spacer without the above-described conductivity imparting portions 31a and 31b were prepared, and the movement amount of the electron beam was compared. As a result, in the SED without the conductivity imparting sections 31a and 31b, the electron beam was sucked about 120 ni toward the spacer, whereas in the SED according to the present embodiment, The movement amount of the electron beam was ± 20 m, and the color purity of the displayed image was also improved.
なお、 他の構成は前述した第 1 の実施の形態と 同一であ り 、 同一の部分には同一の参照符号を付してその詳細な説明を省 略する。 第 2 の実施形態に係る製造方法によ り 製造されたス ぺーサを備えた S E Dにおいても、 第 1 の実施の形態と 同様 の作用効果を得る こ とができる。  The other configuration is the same as that of the first embodiment described above, and the same portions are denoted by the same reference characters and detailed description thereof will not be repeated. The same operation and effect as in the first embodiment can also be obtained in an SED provided with a spacer manufactured by the manufacturing method according to the second embodiment.
次に、 こ の発明の第 3 の実施形態に係るスぺーサの製造方 法について説明する。 第 1 の実施形態と 同様の方法によ り 、 ダリ ッ ド 2 4 を形成する と と もに、 第 1 および第 2金型 3 6 a 、 3 6 b を用意する。 続いて、 図 9 に示すよ う に、 第 1 金 型 3 6 a を、 各透孔 3 8 a 力 Sグリ ッ ド 2 4 のスぺーサ開孔 2 8 と整列する よ う に位置決め した状態でダリ ッ ドの第 1 表面 2 4 a に密着させる。 同様に、 第 2金型 3 6 b を、 各透孔 3 8 b 力 Sグリ ッ ド 2 4 のスぺーサ開孔 2 8 と整列する よ う に位 置決め した状態でダリ ッ ドの第 2表面 2 4 b に密着させる。 そ して、 これら第 1 金型 3 6 a 、 グリ ッ ド 2 4 、 およぴ第 2 金型 3 6 b を図示しないク ランパ等を用いて互いに固定する。  Next, a method of manufacturing the spacer according to the third embodiment of the present invention will be described. By the same method as in the first embodiment, a dalide 24 is formed, and first and second molds 36a and 36b are prepared. Subsequently, as shown in FIG. 9, the first mold 36a is positioned so as to be aligned with the spacer opening 28 of each through-hole 38a force S-grid 24. Use to make close contact with the first surface 24a of the dalide. Similarly, the second mold 36 b is positioned so as to be aligned with the spacer opening 28 of each through hole 38 b force S-grid 24, and the second die 36 d is positioned. 2 Adhere to the surface 2 4 b. Then, the first mold 36a, the grid 24, and the second mold 36b are fixed to each other using a clamper (not shown).
次に、 例えば、 第 1 金型 3 6 a の外面側からスぺーサ形成 材料と して第 1 ペース ト 4 0 a を供給し、 第 1 金型の透孔 3 8 a 、 ダリ ッ ド 2 4 のスぺーサ開孔 2 8 、 およぴ第 2金型 3 6 b の透孔 3 8 b にスぺーサ形成材料 4 0 を充填する。 こ の 際、 透孔 3 8 a の端部およぴ透孔 3 8 b の端部には第 1 ぺー ス ト 4 0 a を充填せず空間を残しておく 。 第 1 ペース ト 4 0 a と しては、 U V硬化型のバイ ンダおよびガラスフィ ラーを 含有した絶縁性のガラスペース ト を用い、 導電性を有する成 分を含まないペース ト とする。 Next, for example, a spacer is formed from the outer surface side of the first mold 36a. The first paste 40a is supplied as the material, and the through hole 38a of the first mold, the spacer opening 28 of the dalide 24, and the second mold 36b The spacer forming material 40 is filled in the through holes 38b. At this time, a space is left at the end of the through hole 38a and at the end of the through hole 38b without filling the first paste 40a. As the first paste 40a, an insulating glass paste containing a UV-curable binder and a glass filler is used, and a paste containing no conductive component is used.
続いて、 第 1 金型 3 6 a および第 2金型 3 6 b の外面側か ら スぺーサ形成材料と して第 2ペース ト 4 0 b を供給し、 第 1 ペース トに重ねて透孔 3 8 a 、 3 8 b の端部に注入する。 第 2 ペース ト 4 0 b と しては、 U V硬化型のパイ ンダ (有機 成分)、 およびガラスフ ィ ラーを含有している と と もに導電 性を有する成分と して A u の粒子が拡散されたガラスペース ト を用いる。  Subsequently, a second paste 40b is supplied as a spacer forming material from the outer surface side of the first mold 36a and the second mold 36b, and the paste is superimposed on the first paste. Inject into the ends of the holes 38a, 38b. As the second paste 40b, Au-cured binders (organic components) and Au particles diffuse as glass-filled and conductive components. Use the pasted glass paste.
続いて、 充填された第 1 および第 2ペース ト 4 0 a 、 4 0 b に対し、 第 1 および第 2金型 3 6 a 、 3 6 b の外面側力 ら U Vを照射し、 第 1 およぴ第 2ペース ト を U V硬化させる。 こ の後、 必要に応じて熱硬化を行なっても よい。 次に、 熱処 理によ り 第 1 および第 2金型 3 6 a 、 3 6 b の各透孔 3 8 a 3 8 b に塗布された樹脂を熱分解し、 第 1 およぴ第 2 ペース ト 4 0 a 、 4 0 b と透孔と の間にすき間を作る。 その後、 第 1 および第 2金型 3 6 a 、 3 6 b をダリ ッ ド 2 4 から離型す る。  Subsequently, the filled first and second pastes 40a and 40b are irradiated with UV from the outer surface side force of the first and second molds 36a and 36b, and the first and second molds 36a and 36b are irradiated with UV light. UV curing the second paste. Thereafter, heat curing may be performed if necessary. Next, the resin applied to the through holes 38a38b of the first and second molds 36a, 36b is thermally decomposed by heat treatment, and the first and second molds 36a, 36b are thermally decomposed. Make a gap between the paste 40a, 40b and the through hole. Thereafter, the first and second molds 36 a and 36 b are released from the darlid 24.
離型後、 第 1 および第 2 ペース ト 4 0 a 、 4 0 b によ り 第 1 および第 2 スぺーサ 3 0 a 、 3 0 b が成形されたダリ ッ ドAfter demolding, the first and second pastes 40a and 40b Dali with molded first and second spacers 30a and 30b
2 4 を加熱炉内で熱処理し、 第 1 および第 2 ペース ト内から バイ ンダを飛ばし脱バイ ンダ処理を行う。 更に、 第 1 および 第 2ペース ト 4 0 a 、 4 0 b を約 5 0 0 〜 5 5 0 °Cで 3 0分 〜 1 時間、 本焼成する。 これによ り 、 図 1 1 に示すよ う に、 ダリ ッ ド 2 4上に第 1 および第 2 スぺーサ 3 0 a 、 3 O b 力 S 作り 込まれたスぺーサア ッセ ンプリ 2 2 が得られる。 同時に、 それぞれ先端部に A u が分散された導電性付与部 3 1 a 、 324 is heat-treated in a heating furnace, and the binder is removed from the first and second pastes to remove the binder. Further, the first and second pastes 40a and 40b are main-baked at about 500 to 550 ° C for 30 minutes to 1 hour. As a result, as shown in FIG. 11, the first and second spacers 30 a, 3 Ob force S are formed on the dalide 24, and the spacer assembly 22 is formed. Is obtained. At the same time, the conductivity imparting parts 3 1 a, 3
1 b をパルグと して備えた第 1 および第 2 スぺーサ 3 0 a 、First and second spacers 30a, each having 1b as a parg,
3 0 b が得られる。 30 b is obtained.
その後、 第 1 の実施形態と 同様の方法によ り 、 第 1 基板 1 0 、 スぺーサア ッセンブリ 2 2 、 および第 2基板を組立てる こ と によ り 、 スぺーサア ッセンプリ 2 2 を備ぇた 3 £ 0が得 られる。  After that, by assembling the first substrate 10, the spacer assembly 22, and the second substrate by the same method as in the first embodiment, the spacer assembly 22 is provided. You get 3 £ 0.
本実施の形態に係る S E D と、 上述した導電性付与部 3 1 a 、 3 1 b を持たないスぺーサが設け られた S E D と を用意 し、 電子ビーム の移動量を比較した。 そ の結果、 導電性付与 部 3 1 a 、 3 1 b が設け られていない S E Dでは電子ビーム がスぺーサ側に約 1 2 0 m吸引 されたのに対し、 本実施の 形態に係る S E Dでは、 電子ビーム の移動量が ± 2 0 μ mと な り 、 表示画像の色純度も改善された。  An SED according to the present embodiment and an SED provided with a spacer without the above-described conductivity imparting portions 31a and 31b were prepared, and the movement amounts of the electron beams were compared. As a result, in the SED without the conductivity imparting portions 31a and 31b, the electron beam was sucked about 120 m toward the spacer, whereas in the SED according to the present embodiment. The movement amount of the electron beam became ± 20 μm, and the color purity of the displayed image was improved.
なお、 第 3 の実施形態において、 他の構成は前述した第 1 の実施形態と 同一であ り 、 同一の部分には同一の参照符号を 付してその詳細な説明を省略する。 そ して、 第 3 の実施形態 に係る製造方法によ り 製造されたスぺーサを備えた S E Dに おいても、 第 1 の実施形態と 同様の作用効果を得る こ とがで き る。 In the third embodiment, other configurations are the same as those of the above-described first embodiment, and the same portions are denoted by the same reference characters and will not be described in detail. Then, an SED provided with a spacer manufactured by the manufacturing method according to the third embodiment is provided. In this case, the same operation and effect as those of the first embodiment can be obtained.
こ の発明は上述した実施形態に限定される こ と なく、 こ の 発明の範囲内で種々変形可能である。 例えば、 この発明は、 グリ ッ ドを備えた画像表示装置に限らず、 グリ ッ ドを持たな い画像表示装置にも適用可能である。 この場合、 それぞれ一 体に形成された柱状あるいは板状のスぺーサを用い、 各スぺ 一サの第 1 基板側の先端部および第 2基板側の先端部に導電 性付与部を一体的に設ける こ と によ り 、 上記と 同様の作用効 果を得る こ とができ る。  The present invention is not limited to the above-described embodiment, and can be variously modified within the scope of the present invention. For example, the present invention can be applied not only to an image display device having a grid but also to an image display device having no grid. In this case, a pillar-shaped or plate-shaped spacer formed integrally is used, and a conductivity imparting portion is integrally formed at the tip of the first substrate and the tip of the second substrate of each spacer. Thus, the same operation and effect as described above can be obtained.
また、 こ の発明において、 スぺーサの径や高さ、 その他の 構成要素の寸法、 材質等は必要に応じて適宜選択可能である。 上述した実施形態において、 スぺーサの第 2基板側の端は、 第 2基板の配線上に設ける構成と したが、 配線上に限らず、 電子放出素子を避けた位置で第 2基板上に設け られていれば よい。 ダリ ッ ドのスぺーサ開孔は省略してもよい。  In the present invention, the diameter and height of the spacer and the dimensions and materials of other components can be appropriately selected as needed. In the above-described embodiment, the end of the spacer on the second substrate side is provided on the wiring of the second substrate. However, the end is not limited to the wiring but may be provided on the second substrate at a position avoiding the electron-emitting device. It only has to be provided. The dalider aperture may be omitted.
ダリ ッ ド 2 4 の電位と第 1 基板の電位と を同電位に設定し た場合、 第 1 スぺーサ全体に導電性材料を含浸させ、 第 1 ス ぺーサ全体を導電性付与部と して形成する こ と もでき る。  When the potential of the darlid 24 and the potential of the first substrate are set to the same potential, the entire first spacer is impregnated with a conductive material, and the entire first spacer is used as a conductivity imparting portion. It can also be formed.
更に、 上述した実施形態では、 第 1 および第 2 スぺーサの 先端部に導電性付与部を形成する構成と したが、 上述した製 造方法によ り 、 第 2 スぺーサの先端部、 すなわち、 スぺーサ の第 2基板側の先端部のみに導電性付与部を形成し、 こ のス ぺーサを用いて S E Dを構成しても よい。  Furthermore, in the above-described embodiment, the configuration is such that the conductivity imparting portion is formed at the tip of the first and second spacers. However, according to the above-described manufacturing method, the tip of the second spacer is That is, a conductivity imparting portion may be formed only at the tip of the spacer on the second substrate side, and the SED may be configured using this spacer.
電子源は、 表面伝導型電子放出素子に限らず、 電界放出型、 カーボンナノチューブ等の真空中に電子が放出 される電子源 を用いた F E Dなら どのタイプにも適用可能である。 Electron sources are not limited to surface conduction electron-emitting devices, It can be applied to any type of FED using an electron source that emits electrons into a vacuum such as carbon nanotubes.
産業上の利用可能性 Industrial applicability
こ の発明によれば、 温度の上昇や消費電力の増加、 製造コ ス ト の増加を引き起こすこ と なく 、 電子ビーム の軌道を容易 に制御し、 画像品位の向上した画像表示装置、 こ の画像表示 装置に用いるスぺーサの製造方法、 および上記製造方法によ り製造されたスぺーサを備えた画像表示装置を提供する こ と ができ る。  According to the present invention, an image display device having an improved image quality by easily controlling the trajectory of an electron beam without causing a rise in temperature, an increase in power consumption, and an increase in manufacturing cost. A method for manufacturing a spacer used for a display device, and an image display device including a spacer manufactured by the above manufacturing method can be provided.

Claims

請 求 の 範 囲 The scope of the claims
1 . 蛍光面を有した第 1基板と、  1. a first substrate having a phosphor screen;
上記第 1 基板に隙間を置いて対向配置されている と と もに、 電子を放出 して上記蛍光面を励起する複数の電子源が設け ら れた第 2基板と、  A second substrate provided with a plurality of electron sources for emitting electrons to excite the fluorescent screen while being opposed to the first substrate with a gap therebetween;
それぞれ絶縁材料で形成されている と と もに上記第 1 基板 および第 2基板間に配設され、 第 1 および第 2基板に作用す る大気圧荷重を支持する複数のスぺーサと、 を備え、  A plurality of spacers each formed of an insulating material and disposed between the first substrate and the second substrate and supporting an atmospheric pressure load acting on the first and second substrates; Prepare,
上記各スぺーサの上記第 1 基板側の先端部および第 2基板 側の先端部は、 導電性材料が含浸されそれぞれ導電性付与部 を形成している画像表示装置。  An image display device, wherein a tip of the spacer on the first substrate side and a tip of the second substrate side are impregnated with a conductive material to form a conductivity imparting portion.
2 . 上記各導電性付与部における上記導電性材料の含有 濃度は、 上記スぺーサの先端から中間部に向かって減少して いる請求項 1 に記載の画像表示装置。  2. The image display device according to claim 1, wherein the concentration of the conductive material in each of the conductivity imparting portions decreases from a tip end of the spacer toward an intermediate portion.
3 . 上記スぺーサはガラスを含む絶縁材料で形成され、 上記各導電性付与部は、 上記スぺーサを形成するガラス成 分の中に分散された導電性を有する金属粒子を含んでいる請 求項 1 又は 2 に記載の画像表示装置。  3. The spacer is formed of an insulating material including glass, and each of the conductivity imparting portions includes conductive metal particles dispersed in a glass component forming the spacer. The image display device according to claim 1 or 2.
4 . 上記スぺーサはガラスを含む絶縁材料で形成され、 上記導電性付与部は、 上記スぺーサを形成するガラス成分 の中に拡散された導電性を有する金属成分を含んでいる請求 項 1 又は 2 に記載の画像表示装置。  4. The spacer is formed of an insulating material containing glass, and the conductivity imparting portion includes a metal component having conductivity diffused in a glass component forming the spacer. 3. The image display device according to 1 or 2.
5 . 上記金属粒子は、 N i 、 I n 、 A g 、 A u 、 P t 、 I r 、 R u 、 Wの少なく と も一種を含んでいる請求項 3 に記 載の画像表示装置。 5. The image display device according to claim 3, wherein the metal particles include at least one of Ni, In, Ag, Au, Pt, Ir, Ru, and W.
6 . 上記第 2基板上に設け られた複数の電位供給用配線 を備え、 6. A plurality of potential supply wirings provided on the second substrate,
上記各スぺーサの第 2基板側の端は上記電位供給用配線上 に配置されている請求項 1 に記載の画像表示装置。  The image display device according to claim 1, wherein an end of each spacer on the second substrate side is arranged on the potential supply wiring.
7 . 上記電子源は表面伝導型の電子源である請求項 6 に 記載の画像表示装置。  7. The image display device according to claim 6, wherein the electron source is a surface conduction electron source.
8 . 上記電位供給用配線は、 上記電子源に電位を供給す ' る配線である請求項 7 に記載の画像表示装置。  8. The image display device according to claim 7, wherein the potential supply wiring is a wiring for supplying a potential to the electron source.
9 . 上記第 1 および第 2基板の間に設け られている と と · もに、 それぞれ上記電子源に対応した複数の電子ビーム通過 孔を有した板状のダリ ッ ドを備え、  9. In addition to being provided between the first and second substrates, there is provided a plate-like dalid having a plurality of electron beam passage holes corresponding to the electron sources, respectively.
上記各スぺーサは、 上記ダリ ッ ドに固定されている請求項 1 又は 2 に記載の画像表示装置。  3. The image display device according to claim 1, wherein each of the spacers is fixed to the dalid.
1 0 . 蛍光面を有する第 1 基板と、 上記第 1 基板に隙間 を置いて対向配置されている と と もに、 電子を放出 し上記蛍 光面を励起する複数の電子源が設け られた第 2基板と、 を備 えた画像表示装置において、 上記第 1 基板および第 2基板間 に配設され、 第 1 および第 2基板に作用する大気圧荷重を支 持する複数のスぺーサを製造する スぺーサの製造方法におい て、  10. A first substrate having a phosphor screen, and a plurality of electron sources that emit electrons and excite the phosphor screen are provided while being opposed to the first substrate with a gap therebetween. A second substrate, and a plurality of spacers disposed between the first substrate and the second substrate and supporting an atmospheric pressure load acting on the first and second substrates. In the process of producing spacer,
絶縁材料によ り スぺーサを成形し、  A spacer is formed from an insulating material,
上記成形されたスぺーサの先端部に、 導電性を有する成分 を含むペース トまたは溶液を付着させ、 毛細管現象によ り 上 記スぺーサの先端部内に上記ペース トまたは溶液を染込ませ、 上記ペース トまたは溶液が染み込んだスぺーサを焼成し、 導電性材料が含浸された導電性付与部を先端部に有したスぺ ーサを形成するスぺーサの製造方法。 A paste or solution containing a conductive component is attached to the tip of the formed spacer, and the paste or solution is impregnated into the tip of the spacer by a capillary phenomenon. Baking the spacer impregnated with the paste or solution, A method for producing a spacer, which forms a spacer having a tip provided with a conductivity imparting portion impregnated with a conductive material.
1 1 . 上記成形されたスぺーサの両端部に上記ペース ト を付着させ、 導電性材料が含浸された導電性付与部を両端部 に有したスぺーサを形成する こ と を特徴とする請求項 1 0 に 記載のスぺーサの製造方法。  11. The paste is adhered to both ends of the molded spacer to form a spacer having a conductive material impregnated with a conductive material at both ends. A method for producing the spacer according to claim 10.
1 2 . 蛍光面を有する第 1 基板と、 上記第 1 基板に隙間 を置いて対向配置されている と と もに、 電子を放出 し上記蛍 光面を励起する複数の電子源が設けられた第 2基板と、 上記 第 1 基板および第 2基板間に配設され、 第 1 および第 2基板 に作用する大気圧荷重を支持する複数のスぺ一サと、 を備え た画像表示装置に用いられる上記スぺーサを製造するスぺー サの製造方法において、  12. A first substrate having a phosphor screen, and a plurality of electron sources that emit electrons and excite the phosphor screen are provided in addition to being opposed to the first substrate with a gap therebetween. For use in an image display device comprising: a second substrate; and a plurality of spacers disposed between the first and second substrates and supporting an atmospheric pressure load acting on the first and second substrates. In the method for producing a spacer to produce the spacer described above,
絶縁材料によ り スぺーサを成形し、  A spacer is formed from an insulating material,
上記成形されたスぺーサの先端部に、 導電性を有する成分 を含むペース トを付着させ、  Attach a paste containing a conductive component to the tip of the molded spacer,
上記ペース トが付着したスぺーサを加熱処理して、 導電性 を有する成分をスぺーサの先端部内に熱拡散させ、 導電性材 料が含浸された導電性付与部を先端部に有したスぺーサを形 成するスぺーサの製造方法。  The spacer to which the paste was adhered was subjected to a heat treatment to thermally diffuse the conductive component into the tip of the spacer, and the tip provided with a conductivity-imparting portion impregnated with a conductive material. A method of manufacturing a spacer that forms a spacer.
1 3 . 上記成形されたスぺーサの両端部に上記ペース ト を付着させ、 導電性材料が含浸された導電性付与部を両端部 に有したスぺーサを形成する請求項 1 2 に記載のスぺーサの 製造方法。  13. The spacer according to claim 12, wherein the paste is adhered to both ends of the molded spacer to form a spacer having a conductivity imparting portion impregnated with a conductive material at both ends. Manufacturing method of spacer.
1 4 . 蛍光面を有する第 1 基板と、 上記第 1 基板に隙間 を置いて対向配置されている と と もに、 電子を放出 し上記蛍 光面を励起する複数の電子源が設けられた第 2基板と、 上記 第 1 基板おょぴ第 2基板間に配設され、 第 1 およぴ第 2基板 に作用する大気圧荷重を支持する複数のスぺーサと、 を備え た画像表示装置に用いられるスぺーサの製造方法において、 スぺーサを成形するための複数の透孔を有した成形型を用 意し、 14. A gap between the first substrate having the phosphor screen and the first substrate And a second substrate provided with a plurality of electron sources that emit electrons and excite the fluorescent surface, and are disposed between the first substrate and the second substrate. A plurality of spacers provided to support an atmospheric pressure load acting on the first and second substrates; and a spacer used in an image display device comprising: A mold having a plurality of through holes for
導電性を有する成分を含まない第 1 ペース ト を上記透孔に 注入し、  Injecting a first paste containing no conductive component into the through-hole,
導電性を有する成分を分散させた第 2 ペース トを上記第 1 ペース トに重ねて上記透孔に注入し、  A second paste in which a conductive component is dispersed is superimposed on the first paste and injected into the through-hole,
上記第 1 および第 2ペース ト を加熱処理し、 導電性を有す る成分が分散された導電性付与部を先端部に備えたスぺーサ を形成する スぺーサの製造方法。  A method for producing a spacer, wherein the first and second pastes are subjected to a heat treatment to form a spacer having a leading end provided with a conductivity imparting portion in which a component having conductivity is dispersed.
1 5 . 上記第 1 ペース ト を上記透孔に注入した後、 各透 孔の両端側から上記第 1 ペース ト の両端側に重ねて上記第 2 ペース ト を注入し、 導電性を有する成分が分散された導電性 付与部を両端部に有したスぺーサを形成する こ と を特徴とす る請求項 1 4 に記載のスぺーサの製造方法。  15 5. After injecting the first paste into the through-hole, the second paste is injected from both ends of each through-hole on both ends of the first paste, and the conductive component is injected. 15. The spacer manufacturing method according to claim 14, wherein a spacer having dispersed conductive imparting portions at both ends is formed.
1 6 . 蛍光面を有した第 1 基板と、  1 6. A first substrate having a phosphor screen,
上記第 1 基板に隙間を置いて対向配置されている と と もに、 電子を放出 して上記蛍光面を励起する複数の電子源が設けら れた第 2基板と、  A second substrate provided with a plurality of electron sources for emitting electrons to excite the phosphor screen while being opposed to the first substrate with a gap therebetween;
請求項 1 0 ないし 1 5 のいずれか 1 項に記載の製造方法に よ り製造され、 上記第 1 基板および第 2基板間に配設され第 1 および第 2基板に作用する大気圧荷重を支持する複数のス ぺーサと、 It is manufactured by the manufacturing method according to any one of claims 10 to 15, and is provided between the first substrate and the second substrate. A plurality of spacers for supporting an atmospheric pressure load acting on the first and second substrates;
を備えた画像表示装置。  An image display device comprising:
1 7 . 上記第 1 および第 2基板の間に設けられている と と もに、 それぞれ上記電子源に対応した複数の電子ビー ム通 過孔を有した板状のダリ ッ ドを備え、  17. A plate-like dalid provided between the first and second substrates and having a plurality of electron beam passage holes respectively corresponding to the electron sources,
上記各スぺーサは、 上記ダリ ッ ドに固定されている こ と を 特徴とする請求項 1 6 に記載の画像表示装置。  17. The image display device according to claim 16, wherein each spacer is fixed to the dalid.
1 8 . 蛍光面を有した第 1 基板と、  18. A first substrate having a phosphor screen;
上記第 1 基板に隙間を置いて対向配置されている と と もに、 電子を放出 して上記蛍光面を励起する複数の電子源が設けら れた第 2基板と、  A second substrate provided with a plurality of electron sources for emitting electrons to excite the phosphor screen while being opposed to the first substrate with a gap therebetween;
上記第 1 および第 2基板の間に設けられている と と もに、 それぞれ上記電子源に対応した複数の電子ビーム通過孔を有 した板状のグリ ッ ドと、  A plate-shaped grid provided between the first and second substrates and having a plurality of electron beam passage holes respectively corresponding to the electron sources;
請求項 1 0 、 1 2 、 1 4 のいずれか 1 項に記載の製造方法 によ り製造され、 上記第 1 基板および第 2基板間に配設され ている と と もに、 それぞれ上記第 2基板側に位置した先端部 に上記導電性付与部を有し、 第 1 および第 2基板に作用する 大気圧荷重を支持する複数のスぺーサと、  It is manufactured by the manufacturing method according to any one of claims 10, 12, and 14, and is disposed between the first substrate and the second substrate. A plurality of spacers having the conductivity imparting portion at a tip portion located on the substrate side and supporting an atmospheric pressure load acting on the first and second substrates;
を備えた画像表示装置。  An image display device comprising:
PCT/JP2003/012248 2002-09-27 2003-09-25 Image-displaying device, method of producing spacer used for image-displaying device, and image-displaying device with the spacer produced by the method WO2004030010A1 (en)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP03798494A EP1544892A1 (en) 2002-09-27 2003-09-25 Image-displaying device, method of producing spacer used for image-displaying device, and image-displaying device with the spacer produced by the method
US11/079,286 US20050156507A1 (en) 2002-09-27 2005-03-15 Image display device, method of manufacturing a spacer for use in the image display device, and image display device having spacers manufactured by the method
US11/363,237 US7192327B2 (en) 2002-09-27 2006-02-28 Image display device, method of manufacturing a spacer for use in the image display device, and image display device having spacers manufactured by the method
US11/512,378 US20060284544A1 (en) 2002-09-27 2006-08-30 Image display device, method of manufacturing a spacer for use in the image display device, and image display device having spacers manufactured by the method

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002-283984 2002-09-27
JP2002283984A JP2004119296A (en) 2002-09-27 2002-09-27 Image display device, manufacturing method of spacer used for image display device and image display device equipped with spacer manufactured by this method

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
US11/079,286 Continuation US20050156507A1 (en) 2002-09-27 2005-03-15 Image display device, method of manufacturing a spacer for use in the image display device, and image display device having spacers manufactured by the method

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2004030010A1 true WO2004030010A1 (en) 2004-04-08

Family

ID=32040576

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2003/012248 WO2004030010A1 (en) 2002-09-27 2003-09-25 Image-displaying device, method of producing spacer used for image-displaying device, and image-displaying device with the spacer produced by the method

Country Status (6)

Country Link
EP (1) EP1544892A1 (en)
JP (1) JP2004119296A (en)
KR (1) KR100691580B1 (en)
CN (1) CN1685463A (en)
TW (1) TWI241147B (en)
WO (1) WO2004030010A1 (en)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004311247A (en) 2003-04-08 2004-11-04 Toshiba Corp Image display device and manufacturing method of spacer assembly used for image display device
CN105700219B (en) * 2015-12-18 2019-09-13 厦门天马微电子有限公司 A kind of colored filter and its manufacturing method, a kind of display panel

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10334834A (en) * 1997-03-31 1998-12-18 Canon Inc Electron device and image-forming device using the same
WO1999031699A1 (en) * 1997-12-17 1999-06-24 Motorola Inc. Field emission device having a composite spacer
JP2000505235A (en) * 1996-07-17 2000-04-25 キャンデセント・テクノロジーズ・コーポレイション Spacer arrangement structure for three-dimensional focusing structure of flat panel display
JP2000235831A (en) * 1999-02-15 2000-08-29 Canon Inc Electron beam generating device and image forming device
JP2001272926A (en) * 2000-03-23 2001-10-05 Toshiba Corp Spacer assembly of flat display device, flat display device provided with the same, production method of spacer assembly and die used for production of spacer assembly
WO2001084587A2 (en) * 2000-04-28 2001-11-08 Motorola, Inc. Field emission display having an invisible spacer thereof
JP2002245956A (en) * 2001-02-20 2002-08-30 Kyocera Corp Substrate with projecting member, manufacturing method thereof, and image forming device
JP2003297265A (en) * 2002-04-03 2003-10-17 Toshiba Corp Image display device and method of manufacturing the same

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000505235A (en) * 1996-07-17 2000-04-25 キャンデセント・テクノロジーズ・コーポレイション Spacer arrangement structure for three-dimensional focusing structure of flat panel display
JPH10334834A (en) * 1997-03-31 1998-12-18 Canon Inc Electron device and image-forming device using the same
WO1999031699A1 (en) * 1997-12-17 1999-06-24 Motorola Inc. Field emission device having a composite spacer
JP2000235831A (en) * 1999-02-15 2000-08-29 Canon Inc Electron beam generating device and image forming device
JP2001272926A (en) * 2000-03-23 2001-10-05 Toshiba Corp Spacer assembly of flat display device, flat display device provided with the same, production method of spacer assembly and die used for production of spacer assembly
WO2001084587A2 (en) * 2000-04-28 2001-11-08 Motorola, Inc. Field emission display having an invisible spacer thereof
JP2002245956A (en) * 2001-02-20 2002-08-30 Kyocera Corp Substrate with projecting member, manufacturing method thereof, and image forming device
JP2003297265A (en) * 2002-04-03 2003-10-17 Toshiba Corp Image display device and method of manufacturing the same

Also Published As

Publication number Publication date
JP2004119296A (en) 2004-04-15
TW200414795A (en) 2004-08-01
CN1685463A (en) 2005-10-19
EP1544892A1 (en) 2005-06-22
TWI241147B (en) 2005-10-01
KR100691580B1 (en) 2007-03-12
KR20050053686A (en) 2005-06-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7042144B2 (en) Image display device and manufacturing method for spacer assembly used in image display device
US7192327B2 (en) Image display device, method of manufacturing a spacer for use in the image display device, and image display device having spacers manufactured by the method
TWI241147B (en) Image display device, manufacturing method of spacer used for image display device and image display device equipped with spacer manufactured by this method
TW200400530A (en) Image display apparatus and its manufacturing method
JP4021694B2 (en) Image display device
KR20040029184A (en) Image display unit
WO2005081282A1 (en) Image display and method for manufacturing same
JPWO2003102999A1 (en) Image display device
JP3984102B2 (en) Image display device and manufacturing method thereof
JP2005190789A (en) Image display device
JP2005197048A (en) Image display device and its manufacturing method
JP3825703B2 (en) Image display device
JP2004296107A (en) Image display device and manufacturing method thereof
JP2003257343A (en) Image display
JP2005100842A (en) Image display device and its manufacturing method
US20050104505A1 (en) Image display apparatus and method of manufacturing the same
JP2004319269A (en) Image display device with spacer structure, manufacturing method of spacer structure, and forming die used for manufacture of spacer structure
JP2004303458A (en) Image display device
TW200428121A (en) Image display device
JP2005228675A (en) Image display device and its manufacturing method
JP2005093322A (en) Image display device and manufacturing method therefor
JP2006066134A (en) Image display device
JP2004178912A (en) Picture display device and manufacturing method for spacer assembly used therefor
JP2005203218A (en) Image display device
JP2004319270A (en) Image display device, and forming die used for manufacturing spacer assembly

Legal Events

Date Code Title Description
AK Designated states

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): CN KR US

AL Designated countries for regional patents

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HU IE IT LU MC NL PT RO SE SI SK TR

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2003798494

Country of ref document: EP

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 11079286

Country of ref document: US

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 20038225891

Country of ref document: CN

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 1020057005019

Country of ref document: KR

WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 1020057005019

Country of ref document: KR

WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 2003798494

Country of ref document: EP

WWW Wipo information: withdrawn in national office

Ref document number: 2003798494

Country of ref document: EP