WO2004017143A2 - Verfahren zum bestrahlen eines resists - Google Patents

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    • G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
    • G03F7/095—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers having more than one photosensitive layer

Definitions

  • the invention relates to a method for irradiating a
  • Resists in the manufacture of an integrated circuit arrangement First, a layer to be structured is created.
  • the layer to be structured is, for example, a semiconductor substrate or an insulating layer between different metallization layers.
  • a radiation-sensitive resist layer arrangement is produced on the layer to be structured, for example directly or using adhesion promoters.
  • the irradiation of the resist layer arrangement is carried out, for example, in the context of a photo, X-ray, electron or ion lithography process.
  • the resist layer arrangement contains, for example, a positive resist, in which exposed areas are removed during development, or a negative resist, in which exposed areas are intended to remain during development.
  • the structuring of a contact hole interconnect system can be carried out, for example, by: applying a first lacquer layer, exposing the first lacquer layer according to a layout for contact holes with a first mask, developing the first lacquer layer, the contact holes to a predetermined depth etched, which differs from a final depth, a second lacquer layer is applied, the second lacquer layer is exposed according to the layout of the interconnects with a second mask, areas of the second lacquer layer also being exposed in the contact holes which have already been made, the second lacquer layer is developed, whereby the contact holes are exposed again, and the interconnects are etched with the vias etched to their final depth.
  • Each process step consists of several individual steps. For example, adjustments must be made before exposure.
  • the resist layer arrangement is irradiated with the aid of a radiation source in accordance with at least two geometric partial designs or layouts designed for different depth layers of the layer to be produced.
  • a focus close to the radiation source is selected, in which a region of the resist layer arrangement close to the radiation source is irradiated with a dose which enables a selective development of the region close to the radiation source.
  • the area of the resist layer arrangement covered area close to the radiation source is not irradiated or only irradiated with a dose which does not allow selective development of the area remote from the radiation source.
  • a focus remote from the radiation source is selected, in which a region of the resist layer arrangement remote from the radiation source is irradiated with a dose which enables selective development of the region remote from the radiation source.
  • the layer arrangement is irradiated with a dose which does not allow selective development of the region close to the radiation source.
  • a dose is a quantity that results from the radiation intensity multiplied by the radiation duration.
  • a selective development with a negative lacquer consists in that irradiated areas remain during development and that unexposed areas are removed during development. In contrast, in the case of a positive resist, irradiated areas are removed during development and unirradiated areas are left essentially unchanged.
  • the resist layer arrangement contains only a homogeneously constructed resist layer, the region close to the radiation source being, for example, in a half of the resist layer remote from the substrate and the region remote from the radiation source lying in a half of the resist layer close to the substrate.
  • the resist layer arrangement can also contain a plurality of resist layers with different chemical compositions, for example two positive lacquer layers or one positive lacquer layer and one negative lacquer layer. The layers of lacquer can be separated from one another, for example, by an anti-reflection layer.
  • the position of the focus can be adjusted, for example, by changing the focal length of an imaging system or by changing the distance between the imaging system and the substrate.
  • lacquer layers for structures of different depths can be developed in a common development step.
  • the transfer of the structure of the developed resist layer arrangement into the layer to be structured can be carried out in one etching process without interruption. ren. This simplifies the manufacture of the integrated circuit arrangement considerably compared to known methods.
  • the irradiation can be carried out sequentially one after the other with the aid of a beam which has a width or a diameter on the lacquer layer arrangement which corresponds to the size of the smallest structure dimension to be produced.
  • the radiation can also be carried out simultaneously with the aid of masks for a large number of structures.
  • a focus is selected when irradiating according to the other partial design, which is remote from radiation sources when irradiating according to the one partial design with a focus close to the radiation source.
  • a focus is selected for the irradiation according to the other partial design, which is close to the radiation source for irradiation according to the one partial design with a focus remote from the radiation source.
  • a focus is selected for the irradiation according to the other partial design, in which both regions of the resist layer which are close to the radiation source and those which are remote from the radiation source are irradiated with a dose which enables the irradiated regions to be developed selectively.
  • This variant offers the possibility of avoiding double exposure of areas when irradiating according to the other partial design, wherein irradiation also includes scattered radiation.
  • the resist layer arrangement is structured in a development step in accordance with the partial designs.
  • the layer to be structured is etched in accordance with the structure of the resist layer arrangement in an etching step.
  • a base layer is produced on a radiation-sensitive resist when the resist layer arrangement is produced. After the base layer has been produced, a cover layer is produced from a radiation-sensitive resist.
  • the resist layer arrangement thus contains a stack of resist layers. Possible resist variants are:
  • Base layer as positive resist
  • top layer as positive resist
  • Base layer as negative resist
  • top layer as positive resist
  • Base layer as positive resist
  • top layer as negative resist
  • Base layer as a negative resist
  • top layer as a negative resist
  • the selectivity when irradiating in the individual layers of the resist layer arrangement can be increased in a simple manner.
  • an intermediate layer of the resist layer arrangement is produced, for example, from a reflection-reducing and / or absorbent material after the base layer has been produced and before the cover layer has been produced, i.e. a so-called anti-reflection layer (ARC - Anti Reflection Coating).
  • the intermediate layer not only increases the vertical selectivity when irradiating the different areas of the resist layer arrangement, but also serves to better separate the resist layers of the resist layer arrangement from one another.
  • ARC - Anti Reflection Coating anti-reflection layer
  • Layers are used, the reflection-reducing effect of which is only activated after the first partial exposure, for example by a temperature treatment which, for example, results in polymer transformation.
  • the lower layer can be irradiated unhindered through the ARC layer.
  • masks with radiation-permeable and radiation-absorbing areas are produced in accordance with the partial designs.
  • the masks are then used for the irradiation according to the partial designs.
  • Using masks instead of writing with a beam leads to significantly shorter irradiation times.
  • the base layer is sensitive to a different type of radiation or to radiation with a different wavelength than the cover layer.
  • the vertical selectivity during irradiation can also be achieved or increased in that the radiation sensitivity of the base layer has a different dependency on a physical quantity than the radiation sensitivity of the cover layer.
  • the resist layer arrangement has a different temperature when irradiated according to one partial design than when irradiated according to the other partial design.
  • the vertical selectivity during irradiation is brought about by the temperature. Is the base layer e.g. particularly sensitive to radiation at a lower temperature, this temperature is set in the resist layer arrangement if the base layer is to be selectively irradiated. When the top layer is irradiated selectively, a higher temperature of the resist layer arrangement is selected.
  • the resist layer arrangement is irradiated in an irradiation device according to both partial designs.
  • An irradiation device can, for example, contain several imaging systems that are controlled by a common controller.
  • a semiconductor wafer for carrying the resist layer arrangement is not removed from its holding device during the irradiation according to both partial designs. Irradiation in an irradiation device and without changing the holding device makes it possible to carry out the irradiation in accordance with both partial designs with only a single adjustment process.
  • the irradiation is only affected by unavoidable unevenness of only one holding device. The bumps are caused, for example, by dirt particles.
  • areas that are irradiated with a dose that enable selective development and areas that are irradiated with a dose that do not allow selective development are generated at different positions in the resist arrangement.
  • This procedure avoids double radiation.
  • the double exposure would have a negative effect on the development of the resist layer arrangement.
  • several options are mentioned below which avoid double irradiation.
  • an area that is irradiated with a dose and / or radiation that is ineffective with respect to the selective development i.e. with radiation or a dose that does not allow selective development in which
  • the resist layer arrangement is arranged at a position at which it is separated from an area to be removed during the development of the resist layer arrangement by at least one unirradiated region.
  • the unexposed area thereby protects the ineffectively irradiated area.
  • the ineffectively irradiated area remains half its mechanical stability. This stability is also retained in the subsequent etching.
  • this method is used in the context of a so-called dual damascene method for producing a interconnect contact hole system.
  • the traces are parallel to the surface of a substrate, e.g. of a semiconductor substrate, in a metallization layer.
  • the contact deletes contain contacts, i.e. so-called vias, which connect interconnects of different metallization layers.
  • the contacts in the contact holes connect an interconnect and a component in the substrate.
  • the method according to the invention achieves considerable savings in method steps compared to known production methods.
  • structures produced in the layer to be structured are filled with a metal, preferably with copper or a copper alloy. Then a polishing step is carried out, e.g. chemical mechanical polishing, in which the metallic filler material protruding beyond the filled interconnect trenches is removed.
  • an interconnect is structured in the area next to a contact hole in accordance with a partial design and in an area which overlaps with a contact hole in accordance with the other partial design.
  • FIGS. 1A and 1B show the exposure of a stack of lacquer layers which contains two positive lacquer layers, areas in both lacquer layers being exposed during one exposure to a dose which leads to selective development,
  • FIGS. 2A and 2B show the exposure of a lacquer layer stack which contains two positive lacquer layers, with two exposures in each case only areas of one lacquer layer being exposed with a dose which leads to selective development,
  • FIGS. 3A and 3B the exposure of a lacquer layer stack which contains a positive lacquer layer and a negative lacquer layer
  • FIGS. 4A, 4B and 4C show a developed layer of lacquer layer and the etching of interconnects and a contact hole.
  • FIG. 1A shows a layer of lacquer layer 10 which has been produced on a silicon dioxide layer 12 to be structured.
  • the lacquer layer stack 10 contains a lower lacquer layer 14 made of a positive lacquer.
  • the upper lacquer layer 18 is approximately twice as thick as the lower lacquer layer 14.
  • the layer of lacquer layer 10 is exposed in a so-called wafer stapler with the aid of a photo mask 20, which has opaque areas 22 and translucent areas 24.
  • a photo mask 20 which has opaque areas 22 and translucent areas 24.
  • FIGS. 1A to 3B structures of the photomasks are shown to be the same size as structures of the lacquer layer arrangements for reasons of simplicity of illustration when viewed in the lateral direction.
  • the ratio of structure sizes and the distance between the layer of lacquer layer and the photo mask also does not correspond to the actual size relationships.
  • the structures of the photomasks are projected onto the lacquer layer stack from a greater distance in, for example, a five-fold reduction.
  • the opaque areas 22 serve to shade areas where there are no interconnects and no sections of interconnects that overlap with contact holes.
  • the translucent areas 24, on the other hand, serve to irradiate the areas of interconnects that overlap with contact holes and to irradiate contact holes.
  • FIG. 1A shows an exposed area 26 in the lacquer layer stack 10, which is exposed by means of the photomask 20 when the lacquer layer stack 10 is exposed.
  • the exposed area 26 is characterized by hatching, the hatching lines of which are inclined from the bottom left to the top right.
  • the exposure of the area 26 in a partial exposure step can be carried out if the focus during the exposure lies in the lower half of the upper lacquer layer 18. In the case of lacquer layers 14 and 18 of the same thickness, the focus would be on the boundary of the two lacquer layers or in the antireflection layer 16.
  • the exposed area 26 lies in the upper lacquer layer 18, in the anti-reflection layer 16 and in the lower lacquer layer 14.
  • the exposure dose in the entire exposed area 26 is selected such that, due to the exposure with the photomask 20, the areas corresponding to the hatched area 26 are at one later development of the lacquer layer stack 10 can be detached from the lacquer layer stack 10. In contrast, no exposure is carried out in the areas of the layer of lacquer layer 10 which are shaded by the opaque areas 22. These areas would consequently remain unchanged when developing the lacquer layer stack 10.
  • a second partial exposure follows before development, which is explained below with reference to FIG. 1B.
  • FIG. 1B shows the exposure of the layer of lacquer layer 10 with a photomask 30.
  • the photomask 30 contains opaque areas 32 and 34 and translucent areas 36 and 38.
  • the opaque areas 32 serve to shade areas in which there are neither interconnects nor contact holes .
  • opaque areas 34 serve to shade areas in which there are contact holes or areas of interconnects which are arranged above contact holes.
  • the opaque areas 34 are located in the photomask 30 exactly at the points at which the translucent areas 24 are located in the photomask 20.
  • the translucent areas 36 serve to expose areas 40 in which sections of interconnects are produced should not be above contact holes.
  • the translucent areas 38 lie between the opaque areas 32 and the opaque areas 34.
  • the translucent areas 38 serve to expose areas 42 and 44, which are located on both sides of an area 45, which is used to structure a conductor track section, which is located above a contact hole.
  • the same wafer stepper or a different wafer stepper is preferably used as when exposing with the photomask 20.
  • a wafer carrying the lacquer layer stack 10 is not removed from the wafer stepper when only one wafer stepper is used for both partial exposures between the two exposure steps ,
  • the focus is higher than in the case of exposure with the photomask 20.
  • the focus is in the middle of the upper lacquer layer 18. Because of the changed position of the focus, it is now possible for the exposed areas 40, 42 and 44 only in the top
  • Lacquer layer 18 are. Only in the exposed areas 40, 42 and 44 is the upper lacquer layer 18 changed during exposure with the photomask 30 so that the areas 40, 42 and 44 are removed in a later development process. Areas adjacent to these areas 40, 42 and 44 are not exposed and scattered light areas 46, 48 and 50 lying under these areas 40 to 44 are only exposed to a very weak dose with the same exposure with the photomask 30. This weak dose is called scattered light SL. The scattered light SL is not sufficient to remove the lower lacquer layer 14 in the areas 46 to 50 irradiated by the scattered light SL during the later development process.
  • the development process for developing the lacquer layer arrangement 10 is explained in more detail below with reference to FIG. 4A.
  • the exposure shown in FIG. 1B is carried out first. Only then is the exposure shown in FIG. 1A carried out.
  • the result of the exposure is the same for both variants.
  • regions of the lacquer layer stack 10 in either variant are either not irradiated with scattered light SL or with the dose which causes selective development. There are no areas in which double exposure is performed such that an area is irradiated with both the selective developing dose and the stray light SL.
  • FIG. 2A shows a layer of lacquer layer 10a which is on a
  • Silicon dioxide layer 12a has been applied.
  • the lacquer layer stack 10a contains the same layer sequence as the lacquer layer stack 10, so that reference is made to the explanations relating to FIG. 1A.
  • the lacquer layer stack 10a contains, with increasing distance from the silicon dioxide layer 12a, a lower lacquer layer 14a, an antireflection layer 16a and an upper lacquer layer 18a, which in this order have the same structure as the lower lacquer layer 14, the antireflection layer 16 and the upper lacquer layer 18.
  • the lower resist layer 14a and the upper resist layer 18a was used to prepare each a positive resist used '.
  • a first partial exposure is first carried out in a wafer stepper using a photomask 70.
  • the photomask 70 contains opaque areas 72 and translucent areas 74.
  • the opaque areas 72 serve to shade areas of the layer of lacquer layer 10a in which there are no structures for producing interconnects.
  • the translucent areas 74 serve to expose areas in which structures are to be produced which are used to form interconnects.
  • Photo mask 70 is not used to structure areas that are to be used to create contact holes.
  • the focus lies in the middle of the upper lacquer layer 18a. It is thereby achieved that only areas 76 and 78 in the upper lacquer layer 18a which are exposed through the translucent areas 74 are exposed to a dose which causes selective development. The exposed areas 76 and 78 end at the anti-reflective layer 16a. In contrast, scattered light areas 80 and 82 of the lower lacquer layer 14a lying under the exposed areas 76 and 78 are only exposed to scattered light at the same time. The exposure to scattered light is so low that the scattered light regions 80 and 82 are not developed selectively with respect to the adjacent regions in the lower lacquer layer 14A during later development.
  • a second partial exposure is carried out in the same wafer stepper, which is explained in more detail below with reference to FIG. 2B. Between the two partial exposures, a semiconductor wafer carrying the lacquer layer stack 10a remains in a holding device of the wafer stepper.
  • FIG. 2B shows a photomask 100 which is used to carry out a second partial exposure of the lacquer layer stack 10a.
  • the photomask 100 contains opaque areas 102 and translucent areas 104.
  • the opaque areas 102 serve to shade areas which are not intended to be used for structuring contact holes.
  • the translucent areas 104 serve to expose areas that are used for structuring contact holes.
  • the focus lies in the middle of the lower lacquer layer 14a. This means that only one area 106 in the lower lacquer layer 14a is exposed to a dose which will later selectively develop this area 106 in comparison to the adjacent areas. Chen entails.
  • a scattered light region 108 lying in the upper lacquer layer in the beam path of the optics used for exposure between the exposed region 106 and the translucent region 104 is only exposed with a dose that would not result in selective development during subsequent development without additional exposures in the scattered light region 108.
  • the partial exposure explained with reference to FIG. 2B is carried out first. Only then is the partial exposure explained with reference to FIG. 2A being carried out. The result of the exposures is the same for both variants.
  • the development of the lacquer layer stack 10a is explained in more detail below with reference to FIG. 4A.
  • the following structuring steps for structuring the silicon dioxide layer 12a are explained below with reference to FIGS. 4B and 4C.
  • FIG. 3A shows a layer of lacquer layer 110 that is produced on a silicon dioxide layer 112 in a further exemplary embodiment.
  • a lower lacquer layer 114 made of positive lacquer is first applied to the silicon dioxide layer 112.
  • An anti-reflection layer 116 is then applied to the lower lacquer layer 114.
  • the antireflection layer 116 is considerably thinner than the lower lacquer layer 114, for example the thickness of the antireflection layer 116 is only one tenth of the thickness of the lower lacquer layer 114.
  • an upper lacquer layer 118 is applied to the anti-reflection layer 116. brought. A negative varnish is used.
  • the upper lacquer layer 118 is, for example, approximately twice as thick as the lower lacquer layer 114.
  • the thicknesses of the lacquer layers in the stack, for example in stack 110, are selected to match the structures to be transferred and depending on the etching rates that occur in the lacquer and oxide.
  • the photomask 120 contains opaque areas 122 and translucent areas 124.
  • the opaque areas 122 serve to shade areas that are not intended to be used for structuring contact holes.
  • the translucent areas 124 serve to expose areas that are used to produce contact holes.
  • the photomask 120 has been produced in accordance with the same layout as the photomask 20. However, the exposure with the photomask 120 has a lower focus than with the exposure with the photomask 20. The focus lies in the middle of the exposure with the photomask 120 lower lacquer layer 14, ie in the middle of an exposed area 126. The exposed area 126 in the lower lacquer layer 114 is exposed to a dose which leads to selective development. Due to the low focus position, a scattered light area 128 lying in the beam path between the exposed area 126 and the translucent area 124 or the radiation source is only exposed with a dose which does not yet cause a selective development of the scattered light area 128 in a later development process. A partial exposure in the same wafer stepper that follows from FIG. 3A is explained below with reference to FIG. 3B.
  • FIG. 3B shows the second partial exposure of the layer of lacquer layer 110 with the aid of a photomask 130, which contains opaque areas 132 and translucent areas 134.
  • the opaque areas 132 are used for shading areas in the upper lacquer layer 118 which are later to be used to generate interconnects.
  • the translucent regions 134 serve to irradiate regions which ensure that the silicon dioxide layer 112 al remains electrically insulating insulation between the interconnects.
  • the focus lies in the middle of the upper photoresist layer 118.
  • the exposed areas 136 to 140 are identified by hatching, the hatching lines of which are inclined from the top left to the bottom right.
  • scattered light areas 142, 144 and 146 which are exposed through the exposed areas 136, 138 and 140, are unintentionally exposed at the same time only with a dose which does not cause a selective development of these areas in a later development process.
  • the scattered light areas 142, 144 and 146 are delimited in the lateral direction by unexposed areas 147 and 148 or by other unexposed areas.
  • the exposure of the lacquer layer stack 110 explained with reference to FIG. 3B is carried out first. Only then is the exposure explained with reference to FIG. 3A carried out. The result of the exposure is the same in both variants.
  • the development of the lacquer layer stack 110 is explained in more detail below with reference to FIG. 4A.
  • the structuring of the silicon dioxide layer 112 following the development is explained below with reference to FIGS. 4B and 4C.
  • the variants explained with reference to FIGS. 3A and 3B can again be carried out without the double exposure already mentioned above.
  • a position of the focus must be selected which leads to an effective exposure of the lacquer layer stack 110 in its entire thickness.
  • the unexposed areas 147 and 148 are not removed during development and ensure that the scattered light areas 144 and 146 they protect remain stable during development, i.e. also not be attacked by development.
  • the scattered light areas 142 to 146 are protected by lacquer, which is not removed during development because they are in a negative lacquer and have been selectively exposed.
  • the lacquer layer stack contains two negative lacquer layers. Even when using two negative lacquer layers in a lacquer layer stack, the double exposures already mentioned can be avoided if a focal position is selected for one partial exposure, which leads to effective exposure of regions of the lacquer layer stack 110 in its entire thickness.
  • FIG. 4A shows the layer of lacquer layer 10 after development with a developer.
  • the explanations relating to FIGS. 4A to 4C also apply to the lacquer layer stack 10a or 110.
  • the layer of lacquer layer 10 contains a contact hole interconnect recess 150 which has a width B1 in the region of the top lacquer layer 18, which corresponds to the width of the interconnect to be produced.
  • the recess 150 has only a diameter B2 which corresponds to the diameter of a contact to be produced. lochs corresponds.
  • the width B1 is twice as large as the diameter B2.
  • a guideway cutout 152 lies to the right of the cutout 150 and only penetrates the upper lacquer layer 18.
  • the cutout 152 also has the width Bl.
  • FIG. 4A also shows a thickness A1 of the lower paint layer 14 and a partial thickness C1 of the upper paint layer 18.
  • the thickness C1 corresponds, for example, to half the height of the upper paint layer 18 and represents the paint budget for structuring the interconnect.
  • a thickness Dl of the upper half of the upper paint layer 18 determines the thickness of a paint reserve.
  • the thickness of the anti-reflective layer 16 is neglected in the following considerations.
  • the etching of the silicon dioxide layer 12 is started.
  • the etching process is carried out anisotropically, i.e. strongly dependent on the direction in the vertical direction. Because of the anisotropic etching process, only regions of the silicon dioxide layer 12 that are below the hole with the diameter B2 used for structuring the contact hole are initially removed. At the same time, however, the area of the lower lacquer layer 14 lying within the area for the interconnect is also removed during the etching process. The thickness of the upper lacquer layer 18 is also reduced.
  • FIG. 4B shows the state in which the lower lacquer layer 14 has just been removed in the region of the part of the recess 150 which is used for structuring the interconnect.
  • a contact hole 160 has a diameter that corresponds to the diameter B2.
  • Vias 160 has depth A2, which is a function of depth AI and selectivity in etching.
  • the silicon dioxide layer 12 is etched twice as quickly as the lower lacquer layer 14 or the upper lacquer layer 18. During further etching, the regions of the cutouts 150 and 152 used for structuring interconnects are transferred into the silicon dioxide layer 12.
  • FIG. 4C shows the structured silicon dioxide layer 12 at the end of the etching process.
  • the contact hole 160 is now located deeper in the silicon dioxide layer 12 than at the point in time shown in FIG. 4B.
  • the bottom of the contact hole 160 lies somewhat below the boundary between the silicon dioxide layer 12 and an underlying layer 158.
  • the depth A2 of the contact hole 160 has remained unchanged.
  • an interconnect cutout 170 is arranged in the silicon dioxide layer 12 and has the width B1.
  • the trace recess 170 has a depth C2 that is a function of the thickness C1 and the etch selectivity.
  • a thickness D2 shows the remaining thickness of the paint reserve, i.e. the remaining thickness of the lower lacquer layer 14, at the end of the etching process.
  • the thickness D2 is somewhat smaller than the thickness Dl due to overetching.
  • An interconnect recess 174 formed in the region of the recess 152 also has a width B1 and a depth C2.
  • Proximity masks can also be used in applications with larger minimum structure widths. Instead of the focus, another criterion is chosen to enable selective vertical irradiation. Furthermore, the contact holes do not have to be arranged centrally with respect to an interconnect. An arrangement with an offset from the center of the contact hole and the center of the interconnect is also produced.

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Abstract

Die Erfindung betrifft ein Verfahren, bei dem nach der Herstellung einer zustrukturierenden Schicht (12) eine strahlungsempfindliche Resistschichtanordnung(10) erzeugt und vertikal selektiv strukturiert wird. Die Resistschichtanordnung enthält beispielsweise eine untere Lackschicht (14) und eine obere Lackschicht (18). Durch das Verfahren lassen sich Verfahrensschritte bei der Herstellung einer integrierten Schaltungsanordnung einsparen.

Description

Beschreibung
Verfahren zum Bestrahlen eines Resists
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Bestrahlen eines
Resists bei der Herstellung einer integrierten Schaltungsanordnung. Zunächst wird eine zu strukturierende Schicht erzeugt. Die zu strukturierende Schicht ist beispielsweise ein Halbleitersubstrat oder eine Isolierschicht zwischen ver- schiedenen Metallisierungslagen. Auf der zu strukturierenden Schicht wird beispielsweise direkt oder unter Verwendung von Haftvermittlern eine strahlungsempfindliche Resistschichtanordnung erzeugt.
Das Bestrahlen der Resistschichtanordnung wird beispielsweise im Rahmen eines Foto-, Röntgen-, Elektronen- oder Ionen- lithografieverfahrens durchgeführt. Die Resistschichtanordnung enthält als strahlungsempfindliche Schicht beispielsweise ein Positivresist, bei dem belichtete Bereiche beim Entwi- ekeln abgetragen werden, oder ein Negativresist, bei dem belichtete Bereiche beim Entwickeln stehen bleiben sollen.
Das Strukturieren eines Kontaktloch-Leitbahn-Systems lässt sich beispielsweise durchführen, indem: - eine erste Lackschicht aufgebracht wird, die erste Lackschicht gemäß einem Layout für Kontaktlöcher mit einer ersten Maske belichtet wird, die erste Lackschicht entwickelt wird, die Kontaktlöcher bis in eine vorgegebene Tiefe geätzt werden, die sich von einer Endtiefe unterscheidet, eine zweite Lackschicht aufgebracht wird, die zweite Lackschicht gemäß dem Layout der Leitbahnen mit einer zweiten Maske belichtet wird, wobei auch Bereiche der zweiten Lackschicht in den bereits teilgefertig- ten Kontaktlöchern belichtet werden, die zweite Lackschicht entwickelt wird, wobei auch die Kontaktlöcher wieder freigelegt werden, und die Leitbahnen geätzt werden, wobei die Kontaktlöcher bis zu ihrer endgültigen Tiefe geätzt werden.
Jeder Verfahrensschritt besteht wiederum aus mehreren Einzel- schritten. Beispielsweise muss vor dem Belichten justiert werden.
Es ist Aufgabe der Erfindung, zum Bestrahlen eines Resists ein einfaches Verfahren anzugeben, das insbesondere für eine Strukturierung mit wenigen Verfahrensschritten geeignet ist.
Diese Aufgabe wird durch die im Patentanspruch 1 angegebenen Verfahrensschritte gelöst. Weiterbildungen sind in den Unteransprüchen angegeben.
Beim erfindungsgemäßen Verfahren wird die Resistschichtanordnung gemäß mindestens zweier für verschieden tiefe Lagen der zu erzeugenden Schicht ausgelegter geometrischer Teilentwürfe bzw. Layouts mit Hilfe einer Strahlungsquelle bestrahlt.
Beim Bestrahlen gemäß dem einen Teilentwurf wird bspw. ein strahlungsquellennaher Fokus gewählt, bei dem ein strahlungs- quellennaher Bereich der Resistschichtanordnung mit einer Dosis bestrahlt wird, die eine selektive Entwicklung des Strahlungsquellennahen Bereiches ermöglicht. Ein von dem
Strahlungsquellennahen Bereich überdeckter strahlungsquellen- ferner Bereich der Resistschichtanordnung wird dagegen nicht oder nur mit einer Dosis bestrahlt, die keine selektive Entwicklung des strahlenquellenfernen Bereiches ermöglicht.
Alternativ wird beim Bestrahlen gemäß einem Teilentwurf bspw. ein strahlungsquellenferner Fokus gewählt, bei dem ein strah- lungsquellenferner Bereich der Resistschichtanordnung mit einer Dosis bestrahlt wird, die eine selektive Entwicklung des strahlungsquellenfernen Bereiches ermöglicht. Ein zwischen dem strahlungsquellenfernen Bereich und der Strahlungsquelle liegender strahlungsquellennaher Bereich der Re- sistschichtanordnung wird mit einer Dosis bestrahlt, die keine selektive Entwicklung des Strahlungsquellennahen Bereiches ermöglicht. Als Dosis wird eine Größe bezeichnet, die sich aus der Bestrahlungsintensität multipliziert mit der Strahlungsdauer ergibt.
Abhängig von dem gewählten Resist, besteht eine selektive Entwicklung bei einem Negativlack darin, dass bestrahlte Bereiche beim Entwickeln stehen bleiben und dass unbestrahlte Bereiche beim Entwickeln abgetragen werden. Bei einem Posi- tivresist werden dagegen beim Entwickeln bestrahlte Bereiche abgetragen und unbestrahlte Bereiche im Wesentlichen unverändert gelassen.
Im einfachsten Fall enthält die Resistschichtanordnung nur eine homogen aufgebaute Resistschicht, wobei der strahlungs- quellennahe Bereich beispielsweise in einer substratfernen Hälfte der Resistschicht und der strahlungsquellenferne Bereich in einer substratnahen Hälfte der Resistschicht liegen. Jedoch kann die Resistschichtanordnung auch mehrere Re- sistschichten mit voneinander verschiedenen chemischen Zusammensetzungen enthalten, beispielsweise zwei Positivlackschichten oder eine Positivlackschicht und eine Negativlackschicht. Die Lackschichten lassen sich beispielsweise durch eine Antireflexionsschicht voneinander trennen.
Die Lage des Fokus lässt sich beispielsweise durch Verändern der Brennweite eines abbildenden Systems oder durch die Veränderung des Abstandes zwischen dem abbildenden System und dem Substrat einstellen.
Durch die erfindungsgemäße Bestrahlung der Resistschichtanordnung lassen sich Lackschichten für Strukturen in unterschiedlicher Tiefe in einem gemeinsamen Entwicklungsschritt entwickeln. Die Übertragung der Struktur der entwickelten Resistschichtanordnung in die zu strukturierende Schicht lässt sich in einem Ätzvorgang ohne Unterbrechung durchfüh- ren. Damit vereinfacht sich die Herstellung der integrierten Schaltungsanordnung im Vergleich zu bekannten Verfahren erheblich.
Die Bestrahlung kann beim erfindungsgemäßen Verfahren einerseits sequenziell hintereinander mit Hilfe eines Strahls ausgeführt werden, der auf der Lackschichtanordnung eine Breite bzw. einen Durchmesser hat, die bzw. der der Größe der kleinsten herzustellenden Strukturabmessung gleicht. Anderer- seits lässt sich die Bestrahlung auch mit Hilfe von Masken simultan für eine Vielzahl von Strukturen durchführen.
Bei einer anderen Weiterbildung des Verfahrens zum Bestrahlen eines Resists wird beim Bestrahlen gemäß dem anderen Teilent- wurf ein Fokus gewählt, der bei Bestrahlen gemäß dem einen Teilentwurf mit einem Strahlungsquellennahen Fokus strah- lungsquellenfern ist. Alternativ wird beim Bestrahlen gemäß dem anderen Teilentwurf ein Fokus gewählt, der bei Bestrahlen gemäß dem einen Teilentwurf mit einem strahlungsquellenfernen Fokus strahlungsquellennah ist.
Bei einer nächsten Alternative wird beim Bestrahlen gemäß dem anderen Teilentwurf ein Fokus gewählt, bei dem sowohl strah- lungsquellennahe als auch strahlungsquellenferne Bereiche der Resistschicht mit einer Dosis bestrahlt werden, die eine selektive Entwicklung der bestrahlten Bereiche ermöglicht. Bei dieser Variante bietet sich die Möglichkeit, bei dem Bestrahlen gemäß dem anderen Teilentwurf eine Doppelbelichtung von Bereichen zu vermeiden, wobei eine Bestrahlung auch eine Streustrahlung einschließt.
Bei einer nächsten Weiterbildung des erfindungsgemäßen Verfahrens wird nach dem Bestrahlen der Resistschichtanordnung die Resistschichtanordnung in einem Entwicklungsschritt gemäß den Teilentwürfen strukturiert. Nach dem Entwickeln wird in einem Ätzschritt die zur strukturierende Schicht gemäß der Struktur der Resistschichtanordnung geätzt. Damit entstehen bei einem einzigen Ätzvorgang aufgrund der Teilentwürfe für verschieden tiefe Lagen auch Strukturen in verschiedenen Tiefen, die sich voneinander unterscheiden.
Bei einer anderen Weiterbildung des erfindungsgemäßen Verfahrens wird beim Erzeugen der Resistschichtanordnung eine Grundschicht auf einem strahlungsempfindlichen Resist erzeugt. Nach dem Erzeugen der Grundschicht wird eine Deckschicht aus einem strahlungsempfindlichen Resist erzeugt. Damit enthält die Resistschichtanordnung einen Stapel aus Resistschichten. Mögliche Resistvarianten sind:
Grundschicht als Positivresist, Deckschicht als Positiv- resist,
Grundschicht als Negativresist, Deckschicht als Positiv- resist,
Grundschicht als Positivresist, Deckschicht als Negativresist, und
Grundschicht als Negativresist, Deckschicht als Negativresist .
Durch die Verwendung eines Schichtstapels lässt sich die Selektivität beim Bestrahlen in den einzelnen Schichten der Resistschichtanordnung auf einfache Weise erhöhen.
Bei einer nächsten Weiterbildung mit einem Resistschichtsta- pel in der Resistschichtanordnung wird nach dem Erzeugen der Grundschicht und vor dem Erzeugen der Deckschicht eine Zwischenschicht der Resistschichtanordnung bspw. aus einem re- flexionsmindernden und/oder absorbierenden Material erzeugt, d.h. eine sogenannte Antireflexionsschicht (ARC - Anti Re- flection Coating) . Die Zwischenschicht erhöht nicht nur die vertikale Selektivität beim Bestrahlen der verschiedenen Bereiche der Resistschichtanordnung sondern dient auch der besseren Trennung der Resistschichten der Resistschichtanord- nung voneinander. Bei einer Ausgestaltung werden ARC-
Schichten eingesetzt, deren reflexionsmindernde Wirkung erst nach der ersten Teilbelichtung aktiviert wird, bspw. durch eine Temperaturbehandlung, die bspw. eine Polymerumbildung zur Folge hat. Bei solchen aktivierbaren ARC-Schichten lässt sich die untere Schicht ungehindert durch die ARC-Schicht hindurch bestrahlen.
Bei einer anderen Weiterbildung werden gemäß der Teilentwürfe Masken mit strahlungsdurchlässigen und strahlungsabsorbieren- den Gebieten hergestellt. Die Masken werden dann beim Bestrahlen gemäß der Teilentwürfe genutzt. Das Verwenden von Masken an Stelle des Schreibens mit einem Strahl führt zu erheblich kürzeren Bestrahlungszeiten.
Bei einer alternativen Verfahrensführung ist die Grundschicht für eine andere Strahlungsart oder für eine Strahlung mit einer anderen Wellenlänge empfindlich als die Deckschicht.
Die vertikale Selektivität beim Bestrahlen lässt sich auch dadurch erreichen oder erhöhen, dass die Strahlungsempfindlichkeit der Grundschicht eine andere Abhängigkeit von einer physikalischen Größe hat als die Strahlungsempfindlichkeit der Deckschicht. Bei einer Ausgestaltung hat die Resistschichtanordnung beim Bestrahlen gemäß dem einen Teilentwurf ein andere Temperatur als beim Bestrahlen gemäß dem anderen Teilentwurf. Durch die Temperatur wird die vertikale Selektivität beim Bestrahlen bewirkt. Ist die Grundschicht z.B. bei einer kleineren Temperatur besonders strahlungsempfindlich, so wird diese Temperatur in der Resistschichtanordnung eingestellt, wenn die Grundschicht selektiv bestrahlt werden soll. Beim selektiven Bestrahlen der Deckschicht wird eine höhere Temperatur der Resistschichtanordnung gewählt.
Bei einer anderen Weiterbildung wird die Resistschichtanordnung gemäß beider Teilentwürfe in einer Bestrahlvorrichtung bestrahlt. Eine Bestrahlvorrichtung kann beispielsweise meh- rere Abbildungssysteme enthalten, die von einer gemeinsamen Steuerung gesteuert werden. Insbesondere wird eine Halbleiterscheibe zum Tragen der Resistschichtanordnung während der Bestrahlung gemäß beider Teilentwürfe bei einer Ausgestaltung nicht aus ihrer Haltevorrichtung entnommen. Das Bestrahlen in einer Bestrahlvor- richtung und ohne Wechsel der Haltevorrichtung ermöglicht es, die Bestrahlung gemäß beider Teilentwürfe mit nur einem einzigen Justiervorgang auszuführen. Außerdem wird das Bestrahlen nur durch unvermeidbare Unebenheiten nur einer Haltevorrichtung beeinträchtigt. Die Unebenheiten entstehen bei- spielsweise durch Schmutzpartikel.
Bei einer anderen Weiterbildung des erfindungsgemäßen Verfahrens werden Bereiche, die mit einer Dosis bestrahlt werden, die ein selektives Entwickeln ermöglichen, und Bereiche, die mit einer Dosis bestrahlt werden, die kein selektives Entwickeln ermöglichen, an verschiedenen Positionen in der Re- sistanordnung erzeugt. Durch diese Vorgehensweise werden Doppelbestrahlungen vermieden. Insbesondere gibt es keine Bereiche, die sowohl wirksam als auch mit einer Streustrah- lung, d.h. unwirksam bezüglich des selektiven Entwickeins, bestrahlt worden sind. Die Doppelbestrahlung würde sich nämlich negativ auf das Entwickeln der Resistschichtanordnung auswirken. Unten werden an Hand der Ausführungsbeispiele mehrere Möglichkeiten genannt, die ein Doppelbestrahlung vermeiden.
Bei einer Weiterbildung wird ein Bereich, der mit einer bezüglich des selektiven Entwickeins unwirksamen Dosis und/oder Strahlung bestrahlt wird, d.h. mit einer Strahlung bzw. einer Dosis, die kein selektives Entwickeln ermöglicht, in der
Resistschichtanordnung an einer Position angeordnet, an der er bei der Entwicklung der Resistschichtanordnung durch mindestens einen unbestrahlten Bereich von einem bei der Entwicklung abzutragenden Bereich getrennt ist. Dadurch schützt der unbelichtete Bereich den unwirksam bestrahlten Bereich. Beim Entwickeln behält der unwirksam bestrahlte Bereich des- halb seine mechanische Stabilität. Diese Stabilität bleibt auch beim nachfolgenden Ätzen erhalten.
Bei einer nächsten Weiterbildung des Verfahrens zum Bestrah- len eines Resists wird dieses Verfahren im Rahmen eines sogenannten Dual-Damascene-Verfahrens zur Erzeugung eines Leitbahn-Kontaktloch-Systems eingesetzt. Die Leitbahnen liegen parallel zu der Oberfläche eines Substrats, z.B. eines Halbleitersubstrats, in einer Metallisierungslage. Die Kontaktlö- eher enthalten Kontakte, d.h. sogenannte Vias, welche Leitbahnen verschiedener Metallisierungslagen verbinden. Alternativ verbinden die Kontakte in den Kontaktlöchern eine Leitbahn und ein Bauelement in dem Substrat. Insbesondere bei der Herstellung von Leitbahn-Kontaktloch-Anordnungen wird durch das erfindungsgemäße Verfahren eine erhebliche Einsparung von Verfahrensschritten im Vergleich zu bekannten Herstellungsverfahren erreicht.
Bei einer Weiterbildung werden in der zu strukturierenden Schicht erzeugte Strukturen mit einem Metall gefüllt, vorzugsweise mit Kupfer oder einer Kupferlegierung. Anschließend wird ein Polierschritt durchgeführt, z.B. ein chemischmechanisches Polieren (Chemical Mechanical Polishing) , bei dem das über die gefüllten Leitbahngräben hinaus ragende metallische Füllmaterial entfernt wird.
Bei einer nächsten Weiterbildung wird eine Leitbahn im Bereich neben einem Kontaktloch gemäß einem Teilentwurf und in einem Bereich, der mit einem Kontaktloch überlappt, gemäß dem anderen Teilentwurf strukturiert. Diese Maßnahme ermöglicht eine besonders günstige Verfahrensführung, wie unten an Hand der Ausführungsbeispiele näher dargelegt wird. Insbesondere dann, wenn bei der Belichtung gemäß dem einen Teilentwurf eine Belichtung der Resistschichtanordnung in ihrer gesamten Dicke vorgenommen wird. Im Folgenden werden Ausführungsbeispiele der Erfindung an Hand der beiliegenden Zeichnungen erläutert. Darin zeigen:
Figuren 1A und 1B die Belichtung eines Lackschichtstapels, der zwei Positivlackschichten enthält, wobei bei einer Belichtung Bereiche in beiden Lackschichten mit einer Dosis belichtet werden, die zu einem selektiven Entwickeln führt,
Figuren 2A und 2B die Belichtung eines Lackschichtstapels, der zwei Positivlackschichten enthält, wobei bei zwei Belichtungen jeweils nur Bereiche einer Lackschicht mit einer Dosis belichtet werden, die zu einem selektiven Entwickeln führt,
Figuren 3A und 3B die Belichtung eines Lackschichtstapels, der eine Positivlackschicht und eine Negativlackschicht enthält, und
Figuren 4A, 4B und 4C einen entwickelten Lackschichtstapel sowie das Ätzen von Leitbahnen und eines Kontaktlochs.
Figur 1A zeigt einen Lackschichtstapel 10, der auf einer zu strukturierenden Siliziumdioxidschicht 12 erzeugt worden ist. Der Lackschichtstapel 10 enthält eine untere Lackschicht 14 aus einem Positivlack. Auf der unteren Lackschicht 14 befindet sich eine Antireflexionsschicht 16, die zum Verringern von Reflexionen bei der Belichtung des Lackschichtstapels 10 dient. Auf der Antireflexionsschicht 16 wurde eine obere Lackschicht 18 aufgebracht, die ebenfalls aus einem Positiv- lack hergestellt worden ist. Die obere Lackschicht 18 ist im Ausführungsbeispiel etwa doppelt so dick wie die untere Lackschicht 14. Beim Aufbringen des Lackschichtstapels 10 muss darauf geachtet werden, dass sich die Lackschichten 14 und 18 einerseits nicht vermischen und andererseits ihre lichtempfindliche Eigenschaft nicht verlieren. Dies lässt sich beispielsweise dadurch erreichen, dass die untere Lackschicht 14 vor dem Aufbringen der Antireflexionsschicht 16 und der oberen Lackschicht 18 angehärtet wird, beispielsweise bei Temperaturen zwischen 100°C und 150°C.
Der Lackschichtstapel 10 wird in einem sogenannten Waferstep- per mit Hilfe einer Fotomaske 20 belichtet, die lichtundurchlässige Bereiche 22 und lichtdurchlässige Bereiche 24 hat. In den Figuren 1A bis 3B werden Strukturen der Fotomasken der einfacheren Darstellung wegen in lateraler Richtung gesehen gleich groß wie Strukturen der Lackschichtanordnungen dargestellt. Auch das Verhältnis von Strukturgrößen und Abstand zwischen dem Lackschichtstapel und der Fotomaske entspricht nicht den tatsächlichen Größenverhältnissen. Tatsächlich werden die Strukturen der Fotomasken aus einem größeren Abstand in bspw. fünffacher Verkleinerung auf den Lackschichtstapel projiziert.
Die lichtundurchlässigen Bereiche 22 dienen zur Abschattung von Bereichen, an denen sich keine Leitbahnen und keine Abschnitte von Leitbahnen befinden, die mit Kontaktlöchern überlappen. Die lichtdurchlässigen Bereiche 24 dienen dagegen zum Bestrahlen der Bereiche von Leitbahnen, die mit Kontaktlöchern überlappen, sowie zum Bestrahlen von Kontaktloch.be- reichen.
In Figur 1A ist ein belichteter Bereich 26 in dem Lackschichtstapel 10 dargestellt, der bei der Belichtung des Lackschichtstapels 10 mit Hilfe der Fotomaske 20 belichtet wird. Der belichtete Bereich 26 ist durch eine Schraffur gekennzeichnet, deren Schraffurlinien von unten links nach oben rechts geneigt sind. Die Belichtung des Bereiches 26 in einem Teilbelichtungsschritt lässt sich durchführen, wenn der Fokus bei der Belichtung in der unteren Hälfte der oberen Lackschicht 18 liegt. Bei Lackschichten 14 und 18 gleicher Dicke würde der Fokus an der Grenze der beiden Lackschichten bzw. in der Antireflexionsschicht 16 liegen.
Der belichtete Bereich 26 liegt in der oberen Lackschicht 18, in der Antireflexionsschicht 16 und in der unteren Lackschicht 14. Die Belichtungsdosis ist im gesamten belichteten Bereich 26 so gewählt, dass aufgrund der Belichtung mit der Fotomaske 20 die dem schraffierten Bereich 26 entsprechenden Bereiche bei einer späteren Entwicklung des Lackschichtsta- pels 10 aus dem Lackschichtstapel 10 herausgelöst werden. In den von den lichtundurchlässigen Bereichen 22 abgeschatteten Bereichen des Lackschichtstapels 10 wird dagegen nicht belichtet. Diese Bereiche würden demzufolge beim Entwickeln des Lackschichtstapels 10 unverändert bleiben. Jedoch folgt vor dem Entwickeln noch eine zweite Teilbelichtung, die im Folgenden an Hand der Figur 1B erläutert wird.
Figur 1B zeigt die Belichtung des Lackschichtstapels 10 mit einer Fotomaske 30. Die Fotomaske 30 enthält lichtundurchläs- sige Bereiche 32 und 34 sowie lichtdurchlässige Bereiche 36 bzw. 38. Die lichtundurchlässigen Bereiche 32 dienen zur Abschattung von Bereichen, in denen sich weder Leitbahnen noch Kontaktlöcher befinden. Lichtundurchlässige Bereiche 34 dienen dagegen zum Abschatten von Bereichen, in denen sich Kontaktlöcher bzw. Bereiche von Leitbahnen befinden, die oberhalb von Kontaktlöchern angeordnet sind. Die lichtundurchlässigen Bereiche 34 befinden sich in der Fotomaske 30 genau an den Stellen, an denen in der Fotomaske 20 die lichtdurchlässigen Bereiche 24 liegen.
Die lichtdurchlässigen Bereiche 36 dienen zum Belichten von Bereichen 40, in denen Abschnitte von Leitbahnen erzeugt werden sollen, die nicht oberhalb von Kontaktlöchern liegen. Die lichtdurchlässigen Bereiche 38 liegen zwischen lichtundurchlässigen Bereichen 32 und lichtundurchlässigen Bereichen 34. Die lichtdurchlässigen Bereiche 38 dienen zum Belichten von Bereichen 42 und 44, die beidseits eines Bereiches 45 liegen, der zum Strukturieren eines Leitbahnabschnitts dient, welcher sich oberhalb eines Kontaktlochs befindet.
Beim Belichten mit der Fotomaske 30 wird vorzugsweise dersel- be Waferstepper oder ein anderer Waferstepper verwendet wie beim Belichten mit der Fotomaske 20. Ein den Lackschichtstapel 10 tragender Wafer wird bei der Verwendung nur eines Wafersteppers für beide Teilbelichtungen zwischen den beiden Belichtungsschritten nicht aus dem Waferstepper entnommen.
Bei der Belichtung mit der Fotomaske 30 liegt der Fokus höher als bei der Belichtung mit der Fotomaske 20. Beispielsweise liegt der Fokus in der Mitte der oberen Lackschicht 18. Aufgrund der veränderten Lage des Fokus ist es nun möglich, dass die belichteten Bereiche 40, 42 und 44 nur in der oberen
Lackschicht 18 liegen. Nur in den belichteten Bereichen 40, 42 und 44 wird die obere Lackschicht 18 beim Belichten mit der Fotomaske 30 so verändert, dass bei einem späteren Entwicklungsvorgang die Bereiche 40, 42 und 44 entfernt werden. Diesen Bereichen 40, 42 und 44 benachbarte Bereiche werden nicht und unter diesen Bereichen 40 bis 44 liegende Streulichtbereiche 46, 48 und 50 werden bei derselben Belichtung mit der Fotomaske 30 nur mit einer sehr schwachen Dosis belichtet. Diese schwache Dosis wird als Streulicht SL bezeichnet. Das Streulicht SL genügt nicht, um in den vom Streulicht SL bestrahlten Bereichen 46 bis 50 bei dem späteren Entwicklungsvorgang die untere Lackschicht 14 abzutragen. Der Entwicklungsvorgang zum Entwickeln der Lackschichtanord- nung 10 wird unten an Hand der Figur 4A näher erläutert. Der sich an den Entwicklungsvorgang anschließende Ätzprozess wird unten an Hand der Figuren 4B und 4C näher erläutert. Bei einem alternativen Ausführungsbeispiel unter Verwendung des Lackschichtstapels 10 wird die in Figur 1B gezeigte Belichtung zuerst ausgeführt. Erst danach wird die in Figur 1A gezeigte Belichtung ausgeführt. Das Ergebnis bei der Belichtung ist bei beiden Varianten gleich. Insbesondere werden Bereiche des Lackschichtstapels 10 bei beiden Varianten entweder nicht, mit Streulicht SL oder mit der eine selektive Entwicklung hervorrufenden Dosis bestrahlt. Es gibt keine Bereiche, in denen eine Doppelbelichtung derart durchgeführt wird, dass ein Bereich sowohl mit der ein selektives Entwickeln hervorrufenden Dosis als auch mit Streulicht SL bestrahlt wird.
Figur 2A zeigt einen Lackschichtstapel 10a, der auf einer
Siliziumdioxidschicht 12a aufgebracht worden ist. Der Lackschichtstapel 10a enthält die gleiche Schichtenfolge wie der Lackschichtstapel 10, so dass auf die Erläuterungen zu der Figur 1A verwiesen wird. Der Lackschichtstapel 10a enthält mit zunehmendem Abstand zur Siliziumdioxidschicht 12a eine untere Lackschicht 14a, eine Antireflexionsschicht 16a und eine obere Lackschicht 18a, die in dieser Reihenfolge in ihrem Aufbau der unteren Lackschicht 14, der Antireflexionsschicht 16 bzw. der oberen Lackschicht 18 gleichen. Insbeson- dere wurde zur Herstellung der unteren Lackschicht 14a und der oberen Lackschicht 18a jeweils ein Positivlack 'verwendet .
Nach dem Erzeugen des Lackschichtstapels 10a wird in einem Waferstepper zunächst eine erste Teilbelichtung unter Verwen- düng einer Fotomaske 70 durchgeführt. Die Fotomaske 70 enthält lichtundurchlässige Bereiche 72 und lichtdurchlässige Bereiche 74. Die lichtundurchlässigen Bereiche 72 dienen zur Abschattung von Bereichen des Lackschichtstapels 10a, in denen keine Strukturen zur Erzeugung von Leitbahnen liegen. Die lichtdurchlässigen Bereiche 74 dienen dagegen zum Belichten von Bereichen, in denen Strukturen erzeugt werden sollen, welche zur Bildung von Leitbahnen dienen. Die Fotomaske 70 dient nicht zum Strukturieren von Bereichen, die zur Erzeugung von Kontaktlöchern dienen sollen.
Beim Belichten mit der Fotomaske 70 liegt der Fokus in der Mitte der oberen Lackschicht 18a. Dadurch wird erreicht, dass nur durch die lichtdurchlässigen Bereiche 74 hindurch belichtete Bereiche 76 und 78 in der oberen Lackschicht 18a mit einer Dosis belichtet werden, die eine selektive Entwicklung hervorruft. Die belichteten Bereiche 76 und 78 enden an der Antireflexionsschicht 16a. Unter den belichteten Bereichen 76 und 78 liegende Streulichtbereiche 80 und 82 der unteren Lackschicht 14a werden dagegen gleichzeitig nur mit Streulicht belichtet. Die Belichtung mit Streulicht ist so gering, dass die Streulichtbereiche 80 und 82 beim späteren Entwi- ekeln nicht selektiv bezüglich der angrenzenden Bereiche in der unteren Lackschicht 14A entwickelt werden.
Nach dem Belichten des Lackschichtstapels 10a mit Hilfe der Fotomaske 70 wird im selben Waferstepper eine zweite Teilbe- lichtung durchgeführt, die im Folgenden an Hand der Figur 2B näher erläutert wird. Zwischen den beiden Teilbelichtungen verbleibt eine den Lackschichtstapel 10a tragende Halbleiterscheibe in einer Haltevorrichtung des Wafersteppers .
Figur 2B zeigt eine Fotomaske 100, die zum Durchführen einer zweiten Teilbelichtung des Lackschichtstapels 10a dient. Die Fotomaske 100 enthält lichtundurchlässige Bereiche 102 und lichtdurchlässige Bereiche 104. Die lichtundurchlässigen Bereiche 102 dienen zum Abschatten von Bereichen, die nicht zur Strukturierung von Kontaktlöchern dienen sollen. Die lichtdurchlässigen Bereiche 104 dienen zum Belichten von Bereichen, die zur Strukturierung von Kontaktlöchern verwendet werden. Bei der Belichtung mit der Fotomaske 100 liegt der Fokus in der Mitte der unteren Lackschicht 14a. Damit wird nur ein Bereich 106 in der unteren Lackschicht 14a mit einer Dosis belichtet, die später ein selektives Entwickeln dieses Bereiches 106 im Vergleich zu den anliegenden Berei- chen zur Folge hat. Ein im Strahlengang der zum Belichten genutzten Optik zwischen dem belichteten Bereich 106 und dem lichtdurchlässigen Bereich 104 in der oberen Lackschicht liegender Streulichtbereich 108 wird dagegen nur mit einer Dosis belichtet, die beim späteren Entwickeln ohne zusätzliche Belichtungen im Streulichtbereich 108 kein selektives Entwickeln zur Folge hätte.
Bei einem anderen Ausführungsbeispiel wird die an Hand der Figur 2B erläuterte Teilbelichtung zuerst durchgeführt. Erst danach wird die an Hand der Figur 2A erläuterte Teilbelichtung durchgeführt. Das Ergebnis der Belichtungen ist bei beiden Varianten gleich. Die Entwicklung des Lackschichtstapels 10a wird unten an Hand der Figur 4A näher erläutert. Darauf folgende Strukturierungsschritte zum Strukturieren der Siliziumdioxidschicht 12a werden unten an Hand der Figuren 4B und 4C erläutert.
Die an Hand der Figuren 2A und 2B erläuterten Belichtungen ermöglichen es, mit einem Fokus zu arbeiten, der entweder nur in den oberen zwei Dritteln des Lackschichtstapels 10a oder nur im unteren Drittel des Lackschichtstapels 10a zu einer wirksamen Belichtung führt.
Figur 3A zeigt einen Lackschichtstapel 110, der bei einem weiteren Ausführungsbeispiel auf einer Siliziumdioxidschicht 112 erzeugt wird. Beim Erzeugen des Lackschichtstapels 110 wird zunächst eine untere Lackschicht 114 aus Positivlack auf die Siliziumdioxidschicht 112 aufgebracht. Danach wird auf die untere Lackschicht 114 eine Antireflexionsschicht 116 aufgebracht. Die Antireflexionsschicht 116 ist erheblich dünner als die untere Lackschicht 114, beispielsweise beträgt die Dicke der Antireflexionsschicht 116 nur ein Zehntel der Dicke der unteren Lackschicht 114.
Nach dem Aufbringen der Antireflexionsschicht 116 wird eine obere Lackschicht 118 auf die Antireflexionsschicht 116 auf- gebracht. Dabei wird ein Negativlack verwendet. Die obere Lackschicht 118 ist bspw. etwa doppelt so dick wie die untere Lackschicht 114. Die Dicken der Lackschichten in den Stapel, z.B. im Stapel 110, werden angepasst an die zu übertragenden Strukturen und abhängig von den auftretenden Ätzraten im Lack und im Oxid gewählt.
Bei der Belichtung des Lackschichtstapels 110 wird zuerst eine Belichtung mit Hilfe einer Fotomaske 120 ausgeführt. Die Fotomaske 120 enthält lichtundurchlässige Bereiche 122 und lichtdurchlässige Bereiche 124. Die lichtundurchlässigen Bereiche 122 dienen zur Abschattung von Bereichen, die nicht zur Strukturierung von Kontaktlöchern dienen sollen. Die lichtdurchlässigen Bereiche 124 dienen zum Belichten von Bereichen, die zur Herstellung von Kontaktlöchern dienen.
Die Fotomaske 120 ist gemäß dem gleichen Layout gefertigt worden, wie die Fotomaske 20. Jedoch liegt bei der Belichtung mit der Fotomaske 120 der Fokus tiefer als bei der Belichtung mit der Fotomaske 20. Der Fokus liegt bei Belichtung mit der Fotomaske 120 in der Mitte der unteren Lackschicht 14, d.h. in der Mitte eines belichteten Bereiches 126. Der .belichtete Bereich 126 in der unteren Lackschicht 114 wird mit einer Dosis belichtet, die zu einem selektiven Entwickeln führt. Aufgrund der tiefen Fokuslage wird ein im Strahlengang zwischen dem belichteten Bereich 126 und dem lichtdurchlässigen Bereich 124 bzw. der Strahlungsquelle liegender Streulichtbereich 128 nur mit einer Dosis belichtet, die noch kein selektives Entwickeln des Streulichtbereiches 128 in einem späte- ren Entwicklungsvorgang bewirkt. Eine sich an die an Hand der Figur 3A anschließende Teilbelichtung in demselben Waferstepper wird im Folgenden an Hand der Figur 3B erläutert.
Figur 3B zeigt die zweite Teilbelichtung des Lackschichtsta- pels 110 mit Hilfe einer Fotomaske 130, die lichtundurchlässige Bereiche 132 und lichtdurchlässige Bereiche 134 enthält. Die lichtundurchlässigen Bereiche 132 dienen zur Abschattung von Bereichen in der oberen Lackschicht 118, die später zum Erzeugen von Leitbahnen dienen sollen. Die lichtdurchlässigen Bereiche 134 dienen dagegen zum Bestrahlen von Bereichen, die gewährleisten, dass zwischen den Leitbahnen die Siliziumdi- oxidschicht 112 al elektrisch isolierende Isolation bestehen bleibt.
Beim Belichten mit der Fotomaske 130 liegt der Fokus in der Mitte der oberen Fotolackschicht 118. Damit werden durch die lichtdurchlässigen Bereiche 134 hindurch belichtete Bereiche 136, 138 und 140 erzeugt, die mit einer Dosis bestrahlt werden, die ein selektives Entwickeln bewirkt, d.h., dass bei der Verwendung des Negativlacks in der Lackschicht 118 die Lackschicht 118 in den belichteten Bereichen 136, 138 und 140 beim Entwickeln nicht abgetragen wird. Die belichteten Bereiche 136 bis 140 sind durch eine Schraffur gekennzeichnet, deren Schraffurlinien von oben links nach unten rechts geneigt sind.
Durch die belichteten Bereiche 136, 138 bzw. 140 hindurch belichtete Streulichtbereiche 142, 144 bzw. 146 werden dagegen gleichzeitig unbeabsichtigt nur mit einer Dosis belichtet, die kein selektives Entwickeln dieser Bereiche bei einem späteren Entwicklungsvorgang bewirkt. Die Streulichtbereiche 142, 144 bzw. 146 sind in lateraler Richtung durch unbelich- tete Bereiche 147 und 148 bzw. durch andere unbelichtete Bereiche begrenzt.
Bei einem anderen Ausführungsbeispiel wird die an Hand der Figur 3B erläuterte Belichtung des Lackschichtstapels 110 zuerst ausgeführt. Erst danach wird die an Hand der Figur 3A erläuterte Belichtung ausgeführt. Das Ergebnis der Belichtung ist bei beiden Varianten das Gleiche. Die Entwicklung des Lackschichtstapels 110 wird unten an Hand der Figur 4A näher erläutert. Die sich der Entwicklung anschließende Strukturierung der Siliziumdioxidschicht 112 wird unten an Hand der Figuren 4B und 4C erläutert. Die an Hand der Figuren 3A und 3B erläuterten Varianten sind wiederum ohne die oben bereits angesprochene Doppelbelichtung durchführbar. Außerdem muss bei keiner Teilbelichtung eine Lage des Fokus gewählt werden, die zu einer wirksamen Belichtung des Lackschichtstapels 110 in seiner gesamten Dicke führt .
Die unbelichteten Bereiche 147 und 148 werden bei der Ent- wicklung nicht abgetragen und gewährleisten, dass die durch sie geschützten Streulichtbereiche 144 und 146 bei der Entwicklung stabil bleiben, d.h. ebenfalls nicht durch die Entwicklung angegriffen werden. Nach oben hin werden die Streulichtbereiche 142 bis 146 durch Lack geschützt, der bei der Entwicklung nicht abgetragen wird, weil sie in einem Negativlack liegen und selektiv belichtet worden sind.
Positivlacke bieten die Möglichkeit, kleinere Strukturbreiten zu erzeugen als Negativlacke. Dennoch enthält bei anderen Ausführungsbeispielen der Lackschichtstapel zwei Negativlackschichten. Auch bei der Verwendung zweier Negativlackschichten in einem Lackschichtstapel lassen sich die bereits erwähnten Doppelbelichtungen vermeiden, wenn bei der einen Teilbelichtung eine Fokuslage gewählt wird, die zum wirksamen Belichten von Bereichen des Lackschichtstapels 110 in seiner gesamten Dicke führt.
Figur 4A zeigt den Lackschichtstapel 10 nach der Entwicklung mit einem Entwickler. Die Ausführungen zu den Figuren 4A bis 4C gelten jedoch auch für den Lackschichtstapel 10a bzw. 110.
Der Lackschichtstapel 10 enthält nach dem Entwickeln eine Kontaktloch-Leitbahn-Aussparung 150, die im Bereich der oberen Lackschicht 18 eine Breite Bl hat, die mit der Breite der zu erzeugen Leitbahn übereinstimmt. Im Bereich der unteren Lackschicht 14 hat die Aussparung 150 nur noch einen Durchmesser B2, der dem Durchmesser eines herzustellenden Kontakt- lochs entspricht. Im Ausführungsbeispiel ist die Breite Bl doppelt so groß wie der Durchmesser B2.
Eine Leitbahn-Aussparung 152 liegt rechts neben der Ausspa- rung 150 und durchdringt nur die obere Lackschicht 18. Auch die Aussparung 152 hat die Breite Bl.
In Figur 4A ist außerdem eine Dicke AI der unteren Lackschicht 14 und eine Teildicke Cl der oberen Lackschicht 18 dargestellt. Die Dicke Cl entspricht bspw. der halben Höhe der oberen Lackschicht 18 und stellt das Lackbudget zum Strukturieren der Leitbahn dar. Eine Dicke Dl der oberen Hälfte der oberen Lackschicht 18 bestimmt die Dicke einer Lackreserve. Die Dicke der Antireflexionsschicht 16 wird bei den folgenden Betrachtungen vernachlässigt.
Ausgehend von dem in Figur 4A dargestellten strukturierten Lackschichtstapel 10 wird mit dem Ätzen der Siliziumdioxidschicht 12 begonnen. Der Ätzprozess wird anisotrop geführt, d.h. stark richtungsabhängig in vertikaler Richtung. Aufgrund des anisotropen Ätzprozesses werden zunächst nur Bereiche der Siliziumdioxidschicht 12 abgetragen, die unterhalb des zur Strukturierung des Kontaktlochs dienenden Loches mit dem Durchmesser B2 liegen. Gleichzeitig wird beim Ätzprozess jedoch auch der innerhalb des Bereiches für die Leitbahn liegende Bereich der unteren Lackschicht 14 abgetragen. Auch die Dicke der oberen Lackschicht 18 verringert sich.
In Figur 4B ist der Zustand dargestellt, bei dem die untere Lackschicht 14 im Bereich des zur Strukturierung der Leitbahn dienenden Teils der Aussparung 150 gerade abgetragen ist. Ein Kontaktloch 160 hat einen Durchmesser, der dem Durchmesser B2 entspricht. Das Kontaktloch 160 hat eine Tiefe A2, die eine Funktion der Tiefe AI und der Selektivität beim Ätzen ist. Im Ausführungsbeispiel wird angenommen, dass die Siliziumdioxidschicht 12 doppelt so schnell geätzt wird, wie die untere Lackschicht 14 bzw. die obere Lackschicht 18. Beim weiteren Ätzen werden die zur Strukturierung von Leitbahnen dienenden Bereiche der Aussparungen 150 und 152 in die Siliziumdioxidschicht 12 übertragen.
Figur 4C zeigt die strukturierte Siliziumdioxidschicht 12 am Ende des Ätzvorgangs. Das Kontaktloch 160 befindet sich nun tiefer in der Siliziumdioxidschicht 12 als zu dem in Figur 4B dargestellten Zeitpunkt. Der Boden des Kontaktloches 160 liegt etwas unterhalb der Grenze zwischen der Siliziumdioxidschicht 12 und einer darunter liegenden Schicht 158. Die Tiefe A2 des Kontaktlochs 160 ist aber unverändert geblieben. Oberhalb des Kontaktlochs 160 ist in der Siliziumdioxidschicht 12 eine Leitbahn-Aussparung 170 angeordnet, die die Breite Bl hat. Die Leitbahn-Aussparung 170 hat eine Tiefe C2, die eine Funktion der Dicke Cl und der Ätzselektivität ist. Eine Dicke D2 zeigt die verbleibende Dicke der Lackreserve, d.h. die verbleibende Dicke der unteren Lackschicht 14, am Ende des Ätzprozesses. Die Dicke D2 ist aufgrund einer Über- ätzung etwas kleiner als die Dicke Dl.
Auch eine im Bereich der Aussparung 152 entstandene Leitbahn- Aussparung 174 hat eine Breite Bl und eine Tiefe C2.
An die an Hand der Figuren 4A, 4B und 4C erläuterten Verfahrensschritte schließen sich weitere Verfahrensschri-tte an: Entfernen des Restes der unteren Lackschicht 14, Füllen des Kontaktlochs 160 sowie der Leitbahn- Aussparungen 170 und 172 mit Kupfer, und - chemisch-mechanisches Polieren bis auf die Höhe der Siliziumdioxidschicht 12.
Es lassen sich bei Anwendungen mit größeren minimalen Strukturbreiten bspw. auch Proximitymasken verwenden. An Stelle des Fokus wird auch ein anderes Kriterium gewählt, um die selektive vertikale Bestrahlung zu ermöglichen. Weiterhin müssen die Kontaktlöcher nicht zentral bezüglich einer Leitbahn angeordnet sein. Auch eine Anordnung mit einem Versatz von Kontaktlochmitte und Leitbahnmitte wird hergestellt.

Claims

Patentansprüche
1. Verfahren zum Bestrahlen eines Resists bei der Herstellung einer integrierten Schaltungsanordnung,
bei dem nach der Herstellung einer zu strukturierenden Schicht (12) eine strahlungsempfindliche Resistschichtanordnung (10) erzeugt wird,
bei dem die Resistschichtanordnung (10) gemäß mindestens zweier für verschieden tiefe Lagen der zu strukturierenden Schicht (12) festgelegter geometrischer Teilentwürfe mit Hilfe mindestens einer Strahlungsquelle bestrahlt wird,
wobei beim Bestrahlen gemäß einem Teilentwurf die Struktur eines strahlungsquellennahen Bereiches (40 bis 44) der Resistschichtanordnung (10) so stark verändert wird, dass eine selektive Entwicklung des strahlungsquellennahen Bereiches (40 bis 44) ermöglicht wird, und die Struktur eines von dem strahlungsquellennahen Bereich (40 bis 44) überdeckten strahlungsquellenfernen Bereiches (46 bis 50) der Resistschichtanordnung (10) nicht oder nur so schwach verändert wird, das keine selektive Entwicklung des strahlungsquellenfernen Bereiches (46 bis 50) ermöglicht wird,
oder wobei beim Bestrahlen gemäß einem Teilentwurf -die Struktur eines strahlungsquellenfernen Bereiches (106) der Resistschichtanordnung (10a) so stark verändert wird, dass eine selektive Entwicklung des strahlungsquellenfernen Bereiches (106) ermöglicht wird, und die Struktur eines zwischen dem strahlungsquellenfernen Bereich (106) und der Strahlungsquel¬ le liegenden strahlungsquellennahen Bereiches (108) der Resistschichtanordnung (10) nicht oder nur so schwach verändert wird, dass keine selektive Entwicklung des strahlungsquellen- nahen Bereiches (108) ermöglicht wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass beim Bestrahlen gemäß dem einen Teilentwurf ein strahlungsquellennaher Fokus und eine Bestrahlungs-Dosis gewählt werden, die eine selektive Entwicklung des strahlungsquellenna- hen Bereiches (40 bis 44) ermöglichen und die keine selektive Entwicklung des strahlungsquellenfernen Bereiches (46 bis 50) ermöglichen,
oder dass beim Bestrahlen gemäß dem einen Teilentwurf ein strahlungsquellenferner Fokus und eine Bestrahlungs-Dosis gewählt werden, die eine selektive Entwicklung des strahlungsquellenfernen Bereiches (46 bis 50) ermöglichen und die keine selektive Entwicklung des strahlungsquellennahen Bereiches (40 bis 44) ermöglichen.
3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass beim Bestrahlen gemäß dem anderen Teilentwurf ein Fokus gewählt wird, der bei Bestrahlen gemäß dem einen Teilentwurf mit einem strahlungsquellennahen Fokus strahlungsquellenfern ist,
oder dass beim Bestrahlen gemäß dem anderen Teilentwurf ein Fokus gewählt wird, der bei Bestrahlen gemäß dem einen Teilentwurf mit einem strahlungsquellenfernen Fokus strahlungs- quellennah ist,
oder dass beim Bestrahlen gemäß dem anderen Teilentwurf ein Fokus gewählt wird, bei dem sowohl ein strahlungsquellennaher als auch ein strahlungsquellenferner Bereich (26) der Re- sistschichtanordnung (10) mit einer Dosis bestrahlt werden, die eine selektive Entwicklung der bestrahlten Bereiche (26) ermöglicht .
4. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass nach dem Bestrahlen der Resistschichtanordnung (10) die Resistschichtanordnung (10) in einem Entwicklungsschritt gemäß den Teilentwürfen strukturiert wird, und dass nach dem Entwickeln in einem Ätzschritt die zu strukturierende Schicht (12) gemäß der Struktur der Resistschichtanordnung (10) geätzt wird.
5. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass beim Erzeugen der Resistschichtanordnung (10) eine Grundschicht (14) aus einem strahlungsempfindlichen Resist erzeugt wird,
und dass nach dem Erzeugen der Grundschicht eine Deckschicht (18) aus einem strahlungsempfindlichen Resist erzeugt wird.
6. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass nach dem Erzeugen der Grundschicht (14) und vor dem Erzeugen der Deckschicht (18) eine Zwischenschicht (16) der Resistschichtanordnung (10) erzeugt wird, die ein anderes Material als die Grundschicht (14) und die Deckschicht (18) enthält .
7. Verfahren nach Anspruch 5 oder 6, dadurch gekennzeichnet, dass die Grundschicht (14) für eine andere Strahlungsart oder für eine Strahlung mit einer anderen Wellenlänge empfindlich ist als die Deckschicht (18),
und dass beim Bestrahlen gemäß dem einen Teilentwurf eine Strahlungsart oder eine Strahlung mit einer Wellenlänge genutzt wird, die sich von der beim Bestrahlen gemäß dem anderen Teilentwurf genutzten Strahlungsart oder Wellenlänge unterscheidet.
8. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche 5 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass die Strahlungsempfindlichkeit der Grundschicht (14) eine andere Abhängigkeit von einer physikalischen Größe hat, vorzugsweise von der Temperatur, als die Strahlungsempfindlichkeit der Deckschicht (18), und dass die Resistschichtanordnung (10) beim Bestrahlen gemäß dem einen Teilentwurf einen anderen Wert der physikalischen Größe hat, vorzugsweise eine andere Temperatur, als beim Bestrahlen gemäß dem anderen Teilentwurf.
9. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass gemäß der Teilentwürfe Masken (20, 30) mit strahlungsdurchlässigen Gebieten (24) und strahlungsab- sorbierenden Gebieten (22) hergestellt werden,
und dass die Masken (20, 30) beim Bestrahlen gemäß der Teilentwürfe genutzt werden.
10. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, da- durch gekennzeichnet, dass die Resistschichtanordnung (10) gemäß beider Teilentwürfe in derselben Bestrahlvorrichtung bestrahlt wird.
11. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, da- durch gekennzeichnet, dass eine Halbleiterscheibe zum Tragen der Resistschichtanordnung (10) während der Bestrahlung gemäß beider Teilentwürfe in derselben Haltevorrichtung gehalten wird.
12. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass Bereiche (26) , die mit einer Dosis und/oder Strahlung bestrahlt werden, die ein selektives Entwickeln ermöglicht, und Bereiche (48, 50), die mit einer Dosis bestrahlt werden, die kein selektives Entwickeln ermög- licht, an verschiedenen Positionen in der Resistschichtanordnung (10) erzeugt werden.
13. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass ein Bereich (146) , der mit einer Dosis und/oder Strahlung bestrahlt wird, die kein selektives Entwickeln ermöglicht, in der Resistschichtanordnung (10) an einer Position angeordnet wird, an der er bei der Entwicklung der Resistschichtanordnung (10) durch mindestens einen unbe- strahlten Bereich (147, 148) von einem bei der Entwicklung abzutragenden Bereich (160, 170) getrennt ist.
14. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass es im Rahmen eines Dual-Damascene- Verfahrens zur Erzeugung einer Leitbahn-Kontaktloch-Anordnung (160 bis 174) verwendet wird,
und/oder dass die erzeugten Strukturen (160 bis 174) in der zu strukturierenden Schicht (12) mit einem Metall gefüllt werden, vorzugsweise mit Kupfer oder einer Kupferlegierung.
15. Verfahren nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, dass eine Leitbahn in einem Bereich neben einem Kontaktloch gemäß einem Teilentwurf (30) und in einem Bereich, der mit einem Kontaktloch überlappt, gemäß dem anderen Teilentwurf (20) strukturiert wird.
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