WO2003083580B1 - Systeme de traitement optique de surfaces - Google Patents

Systeme de traitement optique de surfaces

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Abstract

L'invention concerne un système de traitement optique de surfaces comprenant a) une source (1,2) émettant, par une face émissive, un faisceau lumineux modulé spatialement ; b) un arrangement périodique d'éléments de concentration (3) de la lumière disposé entre la face émissive de la source et un plan selon lequel doit être disposée une surface d'un objet à traiter (4) ; c) la plus grande dimension de la face émissive et/ou de la matrice d'éléments de concentration est dans un rapport supérieur à 10 avec la distance (d2) séparant ledit plan d'une part de l'arrangement périodique d'éléments de concentration et /ou ladite face émissive d'autre part ; d) une platine support (5) destinée à recevoir ledit objet (4 dont on veut traiter une face de manière que ladite face à traiter soit parallèle à la face émissive de la source, la platine support permettant de déplacer ledit objet selon deux premières directions perpendiculaires entre elles et contenues dans le plan de la surface à traiter; le pas de déplacement selon ces deux premières directions étant sensiblement égal au pas de répartition de l'arrangement périodique d'éléments de concentration multiplié par le rapport de réduction des éléments de concentration. L'invention est applicable de préférence en micro-électronique, en reprographie, en visualisation et de façon générale dans les microtechnologies.

Claims

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REVENDICATIONS MODIFIEES
[reçues par le Bureau international le 14 octobre 2003 (14.10.03); revendications originales 1-3 remplacées par les revendications modifiées 1-11 (4 pages)]
+ DECLARATION
1 ) Système de traitement optique de surfaces comprenant : a) une source (1) émettant un faisceau lumineux d'éclairement;
5 b) un modulateur spatial de lumière à cristal liquide (2) fonctionnant en transmission, comportant une matrice de pixels, dont une face d'entrée est éclairée par ledit faisceau d'éclairement et émettant par une face de sortie dite aussi face émissive (21) un faisceau modulé spatialement, c) une matrice d'éléments de concentration (3) de la lumière 0 accolée à ladite face de sortie du modulateur spatial de lumière entre cette face de sortie et un plan selon lequel doit être disposée une surface d'un objet à traiter (4), chaque élément de concentration formant, sur la surface à traiter, une image d'un pixel du modulateur spatial de lumière selon un rapport de réduction déterminé (r) de façon à y former des spots lumineux de 5 dimension rΛ, où r désigne le rapport de réduction des éléments de concentration et Λ désigne le pas de répartition des éléments de concentration, et permettant ainsi de former sur la surface à traiter un arrangement périodique de spots lumineux de dimensions petites devant le pas Λ dans un rapport supérieur à 4, le modulateur spatial de lumière (2) et 0 la matrice d'éléments de concentration (3) formant un ensemble compact; d) la plus grande dimension (D) de la face émissive et/ou de la matrice d'éléments de concentration est dans un rapport supérieur à 10 avec la distance (d2) séparant le plan d'une part de l'arrangement périodique d'éléments de concentrationet celui de la surface de l'objet (4) à traiter 5 d'autre part ; e) une platine support (5) destinée à recevoir ledit objet (4) dont on veut traiter une face de manière que ladite face à traiter soit parallèle à la matrice d'éléments de concentration, la platine support permettant de déplacer ledit objet selon une première et/ou une deuxième directions 0 perpendiculaires entre elles et contenues dans le plan de la surface à traiter ; le pas de déplacement selon ces deux premières directions étant sensiblement égal au pas de répartition de l'arrangement périodique d'éléments de concentration (Λ) multiplié par le rapport de réduction (r) des éléments de concentration.
2) Système de traitement optique de surfaces selon la revendication 1 , caractérisé en ce que la source (1 ) émet un faisceau lumineux dans la gamme des longueurs d'onde UV.
3) Système de traitement optique de surfaces selon l'une des revendications 1 ou 2, caractérisé en ce que la matrice de pixels du modulateur spatial de lumière est sensiblement de mêmes dimensions et possède le même nombre d'éléments que la matrice d'éléments de concentration lesquels éléments sont répartis selon un pas déterminé ; les pixels du modulateur spatial de lumière étant chacun en coïncidence avec un élément de la matrice d'éléments de concentration avec une tolérance d'écart maximale de 1/100 dudit pas des arrangements périodiques. 4) Système selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que la platine support permet de déplacer ledit objet selon une troisième direction orthogonale aux deux premières directions.
5) Système selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que la platine support permet des premiers déplacement de l'objet continus ou pas à pas, après chaque illumination de la face à traiter par les faisceaux transmis, par rapport à la matrice d'éléments de concentration, ce déplacement se faisant selon la première ou la deuxième des dites directions, le modulateur spatial et son arrangement périodique d'éléments de concentration associé étant incliné d'un angle déterminé par rapport à la direction de déplacement.
6) Système selon la revendication 5 caractérisé en ce que la platine support (5) permet des deuxièmes déplacements de l'objet (4) parallèles aux premiers déplacements, mais avec un pas de déplacement sensiblement égal à la plus grande dimension du modulateur spatial de lumière ou de l'arrangement périodique d'éléments de concentration. 24
7) Système selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que la source lumineuse émet une lumière polarisée à une longueur d'onde d'écriture et/ou à une longueur d'onde de lecture sensiblement égale au double de la longueur d'onde d'écriture, c'est- à-dire ne permettant pas de sensibiliser la surface (4), et en ce qu'il comporte notamment la succession d'un élément de séparation de polarisation (173), d'une lame demi onde (174) à la longueur d'onde d'écriture et du modulateur spatial (2) ; la lame demi onde permettant de transmettre sans dépolarisation la lumière à la longueur d'onde d'écriture vers le modulateur (2), mais de dépolariser la lumière à la longueur d'onde de lecture pour en transmettre au moins une partie après réflexion par la surface à traiter (4) vers un détecteur spatial pour effectuer une opération de lecture sur la surface à traiter.
8) Système selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce qu'il comporte un répartiteur de flux lumineux disposé entre la source et plusieurs modulateurs spatiaux, recevant le flux lumineux de la source et le répartissant de façon uniforme vers les différents modulateurs spatiaux.
9) Système selon la revendication 8, caractérisé en ce qu'au moins deux modulateurs spatiaux de lumière (2.1 , 2.2) et leurs matrices d'éléments de concentration de lumière (3.1, 3.2) sont situés dans un même plan et qu'un premier séparateur (14) réfléchit la moitié du flux lumineux reçu de la source vers un premier modulateur spatial (2.1 ) et transmet l'autre moitié du flux lumineux vers un miroir de renvoi (15) qui réfléchit la lumière qu'il reçoit vers le deuxième modulateur spatial (2.2), le premier séparateur étant un séparateur de polarisations si la lumière qu'il reçoit de la source n'est pas polarisée ou étant un séparateur de faisceau si la lumière qu'il reçoit est polarisée.
10) Système selon la revendication 9, caractérisé en ce que si la source émet un faisceau de lumière polarisée, les différents séparateurs sont des séparateurs de faisceau, le système comportant en outre des rotateurs de polarisation permettant de compenser les rotations de 25
polarisation dues aux réflexions, de façon que les différents modulateurs spatiaux reçoivent des faisceaux de lumière polarisée de la même façon.
11 ) Système selon l'une des revendications 8 à 10, caractérisé en ce que les modulateurs et leurs éléments de concentration associés forment un pavage discontinu selon leur plan avec un espace entre deux modulateurs voisins égal ou légèrement inférieur à la plus grande dimension d'un modulateur, lesdits modulateurs pouvant être discrets ou être réalisés sur un même substrat.
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7081947B2 (en) 2004-02-27 2006-07-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
DE102009054024A1 (de) * 2009-11-19 2011-05-26 Amphenol-Tuchel Electronics Gmbh Elektronisch ansteuerbare Matrix-Maske

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4653903A (en) * 1984-01-24 1987-03-31 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus
JPS6344624A (ja) * 1986-08-12 1988-02-25 Fuji Photo Film Co Ltd 液晶デバイス
DE19522936C2 (de) * 1995-06-23 1999-01-07 Fraunhofer Ges Forschung Vorrichtung zum Strukturieren einer photolithographischen Schicht
EP0991959B1 (fr) * 1996-02-28 2004-06-23 Kenneth C. Johnson Scanner a microlentilles pour la microlithographie et la microscopie confocale a champ large
GB9619839D0 (en) * 1996-09-23 1996-11-06 Hugle Lithography Inc Photolithography masking arrangements
US6177980B1 (en) * 1997-02-20 2001-01-23 Kenneth C. Johnson High-throughput, maskless lithography system
WO2001098838A2 (fr) * 2000-06-22 2001-12-27 Koninklijke Philips Electronics N.V. Procede de formation d'images optiques, masque a utiliser dans ce procede, procede de fabrication d'un dispositif utilisant ce procede, et appareil destine a executer ce procede

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