WO2003075278A3 - Mram-datenspeicher mit einer zwischenschicht aus halbleitendem material - Google Patents
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Abstract
Die Erfindung bezieht sich auf einen MRAM-Datenspeicher mit einer Vielzahl von Speicherzellen (10), die jeweils eine auf einem Substrat (11) angeordnete erste ferromagnetische Schicht (12) mit einer festen magnetischen Ausrichtung (pinned layer), eine zweite ferromagentische Schicht (14) mit einer leicht drehbaren magnetischen Ausrichtung (free layer) und eine zwischen den ferromagnetischen Schichten (12, 14) angeordnete Zwischenschicht (13) aufweisen, und ist dadurch gekennzeichnet, dass die Zwischenschicht (13) aus einem halbleitenden Material besteht. Die Erfindung betrifft desweiteren ein Verfahren zur Speicherung von Daten in einem solchen MRAM-Datenspeicher.
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