WO2003075278A3 - Mram-datenspeicher mit einer zwischenschicht aus halbleitendem material - Google Patents

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WO2003075278A3 PCT/EP2003/002205 EP0302205W WO03075278A3 WO 2003075278 A3 WO2003075278 A3 WO 2003075278A3 EP 0302205 W EP0302205 W EP 0302205W WO 03075278 A3 WO03075278 A3 WO 03075278A3
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Peter Gruenberg
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Rashid Gareev
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Forschungszentrum Juelich Gmbh
Peter Gruenberg
Daniel Buergler
Rashid Gareev
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Abstract

Die Erfindung bezieht sich auf einen MRAM-Datenspeicher mit einer Vielzahl von Speicherzellen (10), die jeweils eine auf einem Substrat (11) angeordnete erste ferromagnetische Schicht (12) mit einer festen magnetischen Ausrichtung (pinned layer), eine zweite ferromagentische Schicht (14) mit einer leicht drehbaren magnetischen Ausrichtung (free layer) und eine zwischen den ferromagnetischen Schichten (12, 14) angeordnete Zwischenschicht (13) aufweisen, und ist dadurch gekennzeichnet, dass die Zwischenschicht (13) aus einem halbleitenden Material besteht. Die Erfindung betrifft desweiteren ein Verfahren zur Speicherung von Daten in einem solchen MRAM-Datenspeicher.
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