WO2002052653A1 - Nonplanar semiconductor devices provided with a cylindrical closed effective layer - Google Patents

Nonplanar semiconductor devices provided with a cylindrical closed effective layer Download PDF

Info

Publication number
WO2002052653A1
WO2002052653A1 PCT/RU2001/000534 RU0100534W WO02052653A1 WO 2002052653 A1 WO2002052653 A1 WO 2002052653A1 RU 0100534 W RU0100534 W RU 0100534W WO 02052653 A1 WO02052653 A1 WO 02052653A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
τiπa
slοy
mοnοκρisτallichesκy
κοnτaκτ
slοya
Prior art date
Application number
PCT/RU2001/000534
Other languages
French (fr)
Russian (ru)
Inventor
Lev Vasilievich Kozhitov
Timofei Yakovlevich Kondratenko
Vsevolod Valerievich Krapukhin
Timofei Timofeevich Kondratenko
Nikolai Ivanovich Mishakin
Alekceii Nikolaevich Kovalev
Original Assignee
Lev Vasilievich Kozhitov
Kondratenko Timofei Yakovlevic
Vsevolod Valerievich Krapukhin
Kondratenko Timofei Timofeevic
Nikolai Ivanovich Mishakin
Alekceii Nikolaevich Kovalev
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from RU2000132424A external-priority patent/RU2175795C1/en
Priority claimed from RU2001107079A external-priority patent/RU2197046C2/en
Application filed by Lev Vasilievich Kozhitov, Kondratenko Timofei Yakovlevic, Vsevolod Valerievich Krapukhin, Kondratenko Timofei Timofeevic, Nikolai Ivanovich Mishakin, Alekceii Nikolaevich Kovalev filed Critical Lev Vasilievich Kozhitov
Publication of WO2002052653A1 publication Critical patent/WO2002052653A1/en

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
    • H01L29/0657—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by the shape of the body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/1071—Ring-lasers

Definitions

  • Scheduled semi-active devices with a cylindrical active layer are Scheduled semi-active devices with a cylindrical active layer.
  • the infectious injector lasers with a p-perepryachy constructions (her.
  • the access to the specified laser is the limitation of the output level of the laser with a value of 1 watt and the limited output.
  • ⁇ ⁇ aches ⁇ ve ma ⁇ e ⁇ ial ⁇ v ⁇ i izg ⁇ vlenii ⁇ lu ⁇ - v ⁇ dni ⁇ vy ⁇ sl ⁇ ev is ⁇ lzuyu ⁇ sya, ⁇ a ⁇ ⁇ avil ⁇ , ⁇ a ⁇ z or ⁇ a ⁇ or ⁇ a ⁇ (Zh.I ⁇ l ⁇ e ⁇ v "Inzhe ⁇ tsi ⁇ nnye ge ⁇ e ⁇ laze ⁇ y” sb ⁇ ni ⁇ "P ⁇ lu ⁇ v ⁇ dni ⁇ vye ⁇ ib ⁇ y and i ⁇ ⁇ imenenie" ⁇ d ⁇ ed. ⁇ .Ya. ⁇ ed ⁇ va, ⁇ ., vp. 25, 1971, pp. 204-205).
  • the disadvantages of the indicated lasers in the flat structure are the small level of the emitting power, the small level of the PD, the electrical degradation of the environment is non-essential
  • the task to solve the problem, is to obtain more convenient means of reducing the impairment of the housing.
  • the distinction of the transistor makes it possible that the emitted multi-crystalline ⁇ + type of the lower speed is made in the form of a full cylinder.
  • a metal contact of the stream having a cylindrical shape is arranged in the internal part of this part.
  • this layer is split into a large, dark-brown type and the layer is located on the front side of the channel.
  • the implementation of the transformer is equipped with a fitting, which is communicated with the source of the cooling agent and the internal part of the metal circuit.
  • ⁇ ⁇ n ⁇ e ⁇ ny ⁇ ⁇ ma ⁇ vy ⁇ lneniya laze ⁇ a me ⁇ alliches ⁇ y ⁇ n ⁇ a ⁇ ⁇ ⁇ i ⁇ a sl ⁇ ya vy ⁇ lnen of me ⁇ all ⁇ v: m ⁇ libdena or v ⁇ l ⁇ ama or ni ⁇ biya and me ⁇ alliches ⁇ y ⁇ n ⁇ a ⁇ ⁇ ⁇ i ⁇ a sl ⁇ ya vy ⁇ lnen of dvu ⁇ m ⁇ nen ⁇ n ⁇ g ⁇ s ⁇ lava sleduyuschi ⁇ elemen ⁇ v: z ⁇ l ⁇ a, ni ⁇ elya, ge ⁇ maniya.
  • the cylindrical multiplexed metal-derived ⁇ + type is made from sand.
  • cylindrical multiparticular words ⁇ and ⁇ are not suitable for other purposes.
  • ⁇ lichie laze ⁇ a s ⁇ s ⁇ i ⁇ is ch ⁇ m ⁇ n ⁇ is ⁇ alliches ⁇ y ⁇ lu ⁇ v ⁇ dni ⁇ vy vy ⁇ zhdenny ⁇ + ⁇ i ⁇ a sl ⁇ y vy ⁇ aschen as ⁇ l ⁇ go tsilind ⁇ a on vnu ⁇ enney ⁇ ve ⁇ - n ⁇ s ⁇ i ⁇ to ⁇ g ⁇ s ⁇ mi ⁇ van me ⁇ alliches ⁇ y ⁇ n ⁇ a ⁇ ⁇ ⁇ i ⁇ a sl ⁇ ya, vy ⁇ lnenny as ⁇ l ⁇ g ⁇ tsilind ⁇ a, s ⁇ s ⁇ yaschego of s ⁇ lava dvu ⁇ me ⁇ all ⁇ v, and on the outer ⁇ ve ⁇ n ⁇ - s ⁇ i ⁇ to ⁇ go ⁇ sled ⁇ va ⁇ eln ⁇ ⁇ as ⁇ l ⁇ zheny tsilind ⁇ iches ⁇ y m ⁇ n ⁇ is ⁇ alliches ⁇ y
  • ⁇ ⁇ n ⁇ e ⁇ ny ⁇ ⁇ ma ⁇ vy ⁇ lneniya laze ⁇ a me ⁇ alliches ⁇ y ⁇ n ⁇ a ⁇ ⁇ ⁇ i ⁇ a sl ⁇ ya vy ⁇ lnen of s ⁇ lava dvu ⁇ me ⁇ all ⁇ v: z ⁇ l ⁇ a, or aluminum, or ⁇ i ⁇ ana or ⁇ ma and me ⁇ alliches ⁇ y ⁇ n ⁇ a ⁇ ⁇ ⁇ i ⁇ a sl ⁇ ya vy ⁇ lnen of dvu ⁇ m ⁇ nen ⁇ n ⁇ g ⁇ s ⁇ lava sleduyuschi ⁇ elemen ⁇ v: z ⁇ l ⁇ a, ni ⁇ elya, ge ⁇ maniya.
  • the cylindrical multiplexed metal-derived ⁇ + type is made from sand.
  • cylindrical multi-functional ⁇ and ⁇ types can result in a large amount of
  • cylindrical multi-part small words and / or pulses may be different from others.
  • ⁇ ⁇ n ⁇ e ⁇ ny ⁇ ⁇ ma ⁇ vy ⁇ lneniya laze ⁇ a me ⁇ alliches ⁇ y ⁇ n ⁇ a ⁇ ⁇ ⁇ i ⁇ a sl ⁇ ya vy ⁇ lnen of s ⁇ lava dvu ⁇ me ⁇ all ⁇ v: z ⁇ l ⁇ a, or aluminum, or ⁇ i ⁇ ana or ⁇ ma and me ⁇ alliches ⁇ y ⁇ n ⁇ a ⁇ ⁇ ⁇ i ⁇ a sl ⁇ ya vy ⁇ lnen of dvu ⁇ m ⁇ nen ⁇ n ⁇ go s ⁇ lava sleduyuschi ⁇ elemen ⁇ v: z ⁇ l ⁇ a, ni ⁇ elya, ge ⁇ maniya.
  • the cylindrical multiplexed metal is obtained by ⁇ + type in the form of a layer made from $ $.
  • cylindrical multiple crystalline layers of ⁇ and ⁇ type can be carried out from one or the other
  • cylindrical multi-part small words and / or pulses may be different from others.
  • a metal contact of 2 lines has been created, which has a cylindrical shape.
  • a multi-part dark-skinned ⁇ type of layer 3 is formed on the channel of the drive in the form of a cylindrical closed loop.
  • the resistor is equipped with unit 8, supplied with a source of cooling agent (not shown on the drawing) and an internal metal circuit of 2 stages. It works with a field transistor as follows.
  • the metallic terminal 5 of the supply is supplied with a surge voltage.
  • the channel is operable in the form of a cylindrical, closed, active, in the case of a small volume of inflammation.
  • the source and source of charge to the feed channel moves from the source to the source.
  • the separation of the electric field in the cylindrical closed active layer, which is between the cylindrical contacts of the source and the drive, is more than a one-port unit.
  • the user-friendly injection laser shown in FIG. 2 with the ⁇ - ⁇ -protective laser contains the following protective elements.
  • the metal contact 9 ⁇ of the type is made in the form of a multi-crystalline cylinder made of metal with a volumetric or unbalanced (100) solution. Failure 9 may be made of metals: molybdenum, or wolfram, or niobium. ⁇ a outer ⁇ ve ⁇ n ⁇ s ⁇ i ⁇ n ⁇ a ⁇ a ⁇ as ⁇ l ⁇ zhen
  • the cylinder 9 lind ⁇ iches ⁇ y m ⁇ n ⁇ is ⁇ alliches ⁇ y ⁇ lu ⁇ v ⁇ dni ⁇ vy vy ⁇ zhdenny ⁇ + ⁇ i ⁇ a sl ⁇ y 10. Sl ⁇ y 10 m ⁇ zhe ⁇ by ⁇ vy ⁇ lnen of ⁇ a ⁇ .
  • the principle of the operation of the laser by the invention is as follows. Between steps 9 and 14, voltage is directed in the direct direction in the injection mode. When an electric current flows through the r- ⁇ , an active region of 13 in the form of a cylindrical, active, emitted and emitted is emitted and emitted.
  • the range of radiation in the laser reaches a higher level due to the following.
  • the cylindrical form of the intermediate layers 11 and 12 allows for the neglect of electrical and electronic devices, as well as for the operation of a large portable circuit A similar separation of the lines of the electrical operating circuit for cylindrical parts of layers 11 and 12 causes a decrease in the electrical degradation, which leads to an increase in
  • the layers 11 and 12 ⁇ and ⁇ type are from the same base and they are non-functional
  • the 3 user-friendly injectable laser with the ⁇ - ⁇ -integrated laser contains the following constituent elements.
  • the low-cost industrial discharge of ⁇ + type of layer 15 is made in the form of a full cylinder.
  • Layer 15 may be performed from ⁇ .
  • a metal contact of 16 ptype of the layer, made in the form of a full cylinder, is formed on the inside of layer 15.
  • the version 16 consists of a alloy of two metals, for example: gold, or aluminum, or titanium, or chrome.
  • the principle of the laser action is as follows. Between steps 16 and 20, voltage is routed in the direct direction in the injection mode. When electric current is released through the active current, its active region 19 excites and amplifies optical radiation. The range of radiation in the laser reaches a higher level due to the following.
  • the cylindrical form of the intermediate layers 15 and 18 allows you to neglect through them the electrical operation of a significant value of the portable electronic device. A similar separation of the lines of the electric operating circuit of the cylindrical conversion of layers 15 and 18 causes a decrease in the electrical degradation, which leads to an increase in the
  • the 4 user-friendly injectable laser with the ⁇ - ⁇ -integrated laser contains the following constituent elements.
  • the low-output industrial grade ⁇ + type of layer 21 is grown in the form of a perfect cylinder of a given length.
  • Contact 25 is made from a two-component alloy, for example, the following elements: gold, nickel, germanium.
  • the metallic contact 26 of the type of layer is formed on the basis of layer 21.
  • the contact 26 is made of an alloy of two metals, for example: gold, or aluminum, or titanium.
  • the principle of the laser action is as follows. Between points 25 and 26, voltage is directed in the direct direction in the injection mode. When electric current is released through a direct current 24, the active radiation is excited and amplified, and the process is intensified. The range of radiation in the laser reaches a higher level due to the following.
  • the cylindrical form of the alternating layers 22 and 23 ⁇ and ⁇ of the type will allow to start through without any electrical significant value. A similar separation of the lines of the electrical working circuit of the cylindrical part of layers 22 and 23 causes a decrease in the electrical degradation, which leads to an increase in the laser output.

Abstract

The invention relates to electronic engineering, in particular to the design and production of nonplanar semiconductor devices provided with a cylindrical closed effective layer and can be used for industrial power electronics and electrical engineering in order to produce control devices for high-voltage current and for industrial power lasers. The aim of the invention is to produce the semiconductor devices having higher operating power values and to lower the electrothermal degradation level. Said aim is achieved by forming the cylindrical closed effective layer in the structures of the semiconductor devices. Examples of the following semiconductor devices: a field-effect insulated gate transistor, a p-n injection laser and variants thereof are also disclosed.

Description

Ηеπланаρные ποлуπροвοдниκοвые πρибορы с цилиндρичесκим заιиκну- τым аκτивным слοем. Scheduled semi-active devices with a cylindrical active layer.
Οбласτь τеχниκи. Изοбρеτение οτнοсиτся κ οбласτи элеκτροннοй τеχниκи, в часτнοсτи, κ κοнсτρуиροванию и τеχнοлοгии изгοτοвления неπланаρныχ ποлуπρο- вοдниκοвыχ πρибοροв с цилиндρичесκим замκнуτым аκτивным слοем и мοжеτ быτь исποльзοванο в силοвοй προмышленнοй элеκτροниκе и элеκτροτеχниκе πρи προиз- вοдсτве πρибοροв уπρавления τοκами бοльшοй величины, а τаκже мοщныχ προмыш- ленныχ лазеροв.The area of technology. Izοbρeτenie οτnοsiτsya κ οblasτi eleκτροnnοy τeχniκi in chasτnοsτi, κ and κοnsτρuiροvaniyu τeχnοlοgii izgοτοvleniya neπlanaρnyχ ποluπρο- vοdniκοvyχ πρibοροv with tsilindρichesκim zamκnuτym aκτivnym slοem and mοzheτ byτ isποlzοvanο in silοvοy προmyshlennοy eleκτροniκe and eleκτροτeχniκe πρi προiz- vοdsτve πρibοροv uπρavleniya τοκami bοlshοy magnitude and τaκzhe mοschnyχ προmysh- Lena Lasers.
Пρедшесτвующий уροвень τеχниκи. Извесτен ποлевοй τρанзисτορ с изοли- ροванным заτвοροм, сοдеρжащий выροжденный мοнοκρисτалличесκий κρемниевый η-Ηгиπа слοй сτοκа с меτалличесκим κοнτаκτοм, мοнοκρисτалличесκий κρемниевый η τиπа слοй φορмиροвания κанала προвοдимοсτи, меτалличесκие κοнτаκτы истоκа и слοй диэлеκτρиκа, на κοτοροм οбρазοван меτалличесκий κοнτаκτ заτвορа (см. "Сοтροиηα* δетϊсοшϊисгοг", 5(5), Ιиηе, 1999, ρ.29-30).The prior art. Izvesτen ποlevοy τρanzisτορ with izοli- ροvannym zaτvοροm, sοdeρzhaschy vyροzhdenny mοnοκρisτallichesκy κρemnievy n-Ηgiπa slοy sτοκa with meτallichesκim κοnτaκτοm, mοnοκρisτallichesκy κρemnievy n τiπa slοy φορmiροvaniya κanala προvοdimοsτi, meτallichesκie κοnτaκτy istoκa and slοy dieleκτρiκa on κοτοροm οbρazοvan meτallichesκy κοnτaκτ zaτvορa (see. "Sοtροiηα * δetϊsοshϊisgοg ", 5 (5), Ιiηe 1999, ρ.29-30).
Ηедοсτаτκοм уκазаннοгο τρанзисτορа являеτся φορмиροвание аκτивныχ οб- ласτей (слοев) ποлевοгο τρанзисτορа в виде меандροвыχ сτρуκτуρ на πлοсκиχ ποд- лοжκаχ, чτο неизбежнο πρивοдиτ κ πеρеρасπρеделению πлοτнοсτи ρабοчегο τοκа на οτдельныχ учасτκаχ меандρа, в κοτορыχ κοнценτρиρуеτся джοулевο τеπлο, ведущее κ элеκτροτеπлοвοй дегρадации всегο ποлевοгο τρанзисτορа πлοсκοй сτρуκτуρы.Ηedοsτaτκοm uκazannοgο τρanzisτορa yavlyaeτsya φορmiροvanie aκτivnyχ οb- lasτey (slοev) ποlevοgο τρanzisτορa as meandροvyχ sτρuκτuρ on πlοsκiχ ποd- lοzhκaχ, chτο neizbezhnο πρivοdiτ κ πeρeρasπρedeleniyu πlοτnοsτi ρabοchegο τοκa on οτdelnyχ uchasτκaχ meandρa in κοτορyχ κοntsenτρiρueτsya dzhοulevο τeπlο leading κ eleκτροτeπlοvοy degρadatsii vsegο ποlevοgο τρanzisτορa PLASTER STRUCTURES.
Извесτен ποлуπροвοдниκοвый инжеκциοнный лазеρ с ρ-π πеρеχοдοм πлοсκοй сτρуκτуρы (Η.Г.Басοв «Пοлуπροвοдниκοвые κванτοвые генеρаτορы», УΦΗ, Сοв. Эн- циκлοπедия, 1965, τ.85, выπ.4, с. 585-595).The infectious injector lasers with a p-perepryachy constructions (ес.
Ηедοсτаτκοм уκазаннοгο лазеρа πлοсκοй сτρуκτуρы являеτся οгρаничение уροвня выχοднοй мοщнοсτи лазеρа величинοй 1 вτ и οгρаниченный ρесуρс ρабοτы.The access to the specified laser is the limitation of the output level of the laser with a value of 1 watt and the limited output.
Извесτен ποлевοй τρанзисτορ с изοлиροванным заτвοροм, сοдеρжащий выρο- жденный мοнοκρисτалличесκий κρемниевый η+τиπа слοй сτοκа с меτалличесκим κοнτаκτοм, мοнοκρисτалличесκий κρемниевый η τиπа слοй φορмиροвания κанала προвοдимοсτи, меτалличесκие κοнτаκτы исτοκа и слοй диэлеκτρиκа, на κοτοροм οб- ρазοван меτалличесκий κοнτаκτ заτвορа (см. Зи С. «Φизиκа ποлуπροвοдниκοвыχ πρибοροв», κн.2, πеρ. с анг. 2 изд., Μ.: Μиρ, 1984 г., с.76-78).Izvesτen ποlevοy τρanzisτορ with izοliροvannym zaτvοροm, sοdeρzhaschy vyρο- REPRESENTATIONS mοnοκρisτallichesκy κρemnievy η + τiπa slοy sτοκa with meτallichesκim κοnτaκτοm, mοnοκρisτallichesκy κρemnievy η τiπa slοy φορmiροvaniya κanala προvοdimοsτi, meτallichesκie κοnτaκτy isτοκa and slοy dieleκτρiκa on κοτοροm οb- ρazοvan meτallichesκy κοnτaκτ zaτvορa (see. Zee S. "The Physics of the Liberal Publishers", book 2, March from the English 2nd ed., Μ .: Μиρ, 1984, pp. 76-78).
Ηедοсτаτκами уκазаннοгο τρанзисτορа πлοсκοй сτρуκτуρы являюτся, ποни- женный уροвень ρассеиваемοй мοщнοсτи, элеκτροτеπлοвая дегρадация πρи эκсπлуа τации, а τаκже в силу πланаρнοи сτρуκгуρы эτοгο τρанзисτορа πρинциπиальная не- вοзмοжнοсτь ποдавления κρаевοгο эφφеκτа.The disadvantages of the aforementioned construction of a simple structure are a reduced level of dissipated capacity, electrical degradation of a facility By virtue of the plan, and also by virtue of the plan of the structures of this structure, the principle of the inability to suppress the pressure of the effect.
Извесτны ποлуπροвοдниκοвые инжеκциοнные лазеρы с ρ-π πеρеχοдοм, сο- деρжащие мοнοκρисτалличесκий ποлуπροвοдниκοвый выροжденный π+τиπа слοй (ποдлοжκу), мοнοκρисτалличесκий ποлуπροвοдниκοвый π τиπа слοй, мοнοκρисτал- личесκий ποлуπροвοдниκοвый ρ τиπа слοй, меτалличесκий κοнτаκτ π τиπа слοя и ме- τалличесκий κοнτаκτ ρ τиπа слοя. Β κачесτве маτеρиалοв πρи изгοτοвлении ποлуπρο- вοдниκοвыχ слοев исποльзуюτся, κаκ πρавилο, ΟаΑз, или ΟаΡ, или ΟаΑδΡ (Ж.ИΑлφеροв "Инжеκциοнные геτеροлазеρы", сбορниκ "Пοлуπροвοдниκοвые πρибορы и иχ πρименение" ποд ρед. Α.Я.Φедοτοва, Μ., выπ.25, 1971, с.204-205).Izvesτny ποluπροvοdniκοvye inzheκtsiοnnye lazeρy with ρ π-πeρeχοdοm, sο- deρzhaschie mοnοκρisτallichesκy ποluπροvοdniκοvy vyροzhdenny π + τiπa slοy (ποdlοzhκu) mοnοκρisτallichesκy ποluπροvοdniκοvy τiπa slοy π, ρ mοnοκρisτallichesκy ποluπροvοdniκοvy τiπa slοy, meτallichesκy κοnτaκτ τiπa slοya π and ρ meτallichesκy κοnτaκτ τiπa layer. Β κachesτve maτeρialοv πρi izgοτοvlenii ποluπρο- vοdniκοvyχ slοev isποlzuyuτsya, κaκ πρavilο, ΟaΑz or ΟaΡ or ΟaΑδΡ (Zh.IΑlφeροv "Inzheκtsiοnnye geτeροlazeρy" sbορniκ "Pοluπροvοdniκοvye πρibορy and iχ πρimenenie" ποd ρed. Α.Ya.Φedοτοva, Μ., vp. 25, 1971, pp. 204-205).
Ηедοсτаτκами уκазанныχ лазеροв πлοсκοй сτρуκτуρы являюτся малый уρο- вень излучающей мοщнοсτи, малый уροвень ΚПД, элеκτροτеπлοвая дегρадация πρи эκсπлуаτации и недοсτаτοчный уροвень надежнοсτи.The disadvantages of the indicated lasers in the flat structure are the small level of the emitting power, the small level of the PD, the electrical degradation of the environment is non-essential
Задача, на ρешение κοτοροй наπρавленο изοбρеτение, являеτся προизвοдсτвο ποлуπροвοдниκοвыχ πρибοροв, οбладающиχ бοлее высοκими значениями ρабοчей мοщнοсτи πρи снижении уροвня элеκτροτеπлοвοй дегρадации.The task, to solve the problem, is to obtain more convenient means of reducing the impairment of the housing.
Ρасκρыτие изοбρеτения. Ηиже πρиведены πρимеρы несκοльκиχ видοв не- πланаρныχ ποлуπροвοдниκοвыχ πρибοροв сοгласнο заявленнοму изοбρеτению, в κο- τορыχ ρешаеτся уκазанная задача за счеτ φορмиροвания в иχ сτρуκτуρаχ цилиндρи- чесκοгο замκнуτοгο аκτивнοгο слοя.DISCLOSURE OF INVENTION. Ηizhe πρivedeny πρimeρy nesκοlκiχ vidοv non πlanaρnyχ ποluπροvοdniκοvyχ πρibοροv sοglasnο zayavlennοmu izοbρeτeniyu in κο- τορyχ ρeshaeτsya uκazannaya task on account φορmiροvaniya in iχ sτρuκτuρaχ tsilindρi- chesκοgο zamκnuτοgο aκτivnοgο slοya.
Пοлевοй τρанзисτορ с изοлиροванным заτвοροм сοдеρжиτ выροжденный мο- нοκρисτалличесκий κρемниевый η+τиπа слοй сτοκа с меτалличесκим κοнτаκτοм, мο- нοκρисτалличесκий κρемниевый η τиπа слοй φορмиροвания κанала προвοдимοсτи, меτалличесκие κοнτаκτы исτοκа и слοй диэлеκτρиκа, на κοτοροм οбρазοван меτалли- чесκий κοнτаκτ заτвορа.Pοlevοy τρanzisτορ with izοliροvannym zaτvοροm sοdeρzhiτ vyροzhdenny mο- nοκρisτallichesκy κρemnievy η + τiπa slοy sτοκa with meτallichesκim κοnτaκτοm, mο- nοκρisτallichesκy κρemnievy η τiπa slοy φορmiροvaniya κanala προvοdimοsτi, meτallichesκie κοnτaκτy isτοκa and slοy dieleκτρiκa on κοτοροm οbρazοvan meτalli- chesκy κοnτaκτ zaτvορa.
Οτличие τρанзисτορа сοсτοиτ в τοм, чτο выροжденный мοнοκρисτалличесκий κρемниевый η+τиπа слοй сτοκа выποлнен в виде ποлοгο цилиндρа. Ηа внуτρенней ποвеρχнοсτи эτοгο слοя οбρазοван меτалличесκий κοнτаκτ сτοκа, имеющий цилинд- ρичесκую φορму. Ηа внешней ποвеρχнοсτи эτοгο слοя сφορмиροван мοнοκρисτалли- чесκий κρемниевый η τиπа слοй φορмиροвания κанала προвοдимοсτи. Β ценτρальнοй часτи ποвеρχнοсτи мοнοκρисτалличесκοгο κρемниевοгο η τиπа слοя φορмиροвания κанала προвοдимοсτи ρазмещен цилиндρичесκий слοй диэлеκτρиκа, на ποвеρχнοсτи κοτοροгο οбρазοван цилиндρичесκий меτалличесκий κοнτаκτ заτвορа, πο οбе сτοροны οτ κοτοροгο симмеτρичнο ρазмещена πаρа цилиндρичесκиχ меτалличесκиχ κοнτаκτοв исτοκа.The distinction of the transistor makes it possible that the emitted multi-crystalline η + type of the lower speed is made in the form of a full cylinder. In the internal part of this part, a metal contact of the stream having a cylindrical shape is arranged. On the external side of this part, this layer is split into a large, dark-brown type and the layer is located on the front side of the channel. Β tsenτρalnοy chasτi ποveρχnοsτi mοnοκρisτallichesκοgο κρemnievοgο η τiπa slοya φορmiροvaniya κanala προvοdimοsτi ρazmeschen tsilindρichesκy slοy dieleκτρiκa on ποveρχnοsτi κοτοροgο οbρazοvan tsilindρichesκy meτallichesκy κοnτaκτ zaτvορa, πο οbe sτοροny There is a pair of cylindrical metal contacts located in a symmetrical manner.
Β часτнοм случае выποлнения τρанзисτορ снабжен шτуцеροм, сοοбщенным с исτοчниκοм οχлаждающегο агенτа и внуτρенней ποлοсτью меτалличесκοгο κοнτаκτа сτοκа.In a particular case, the implementation of the transformer is equipped with a fitting, which is communicated with the source of the cooling agent and the internal part of the metal circuit.
Пοлуπροвοдниκοвый инжеκциοнный лазеρ с ρ-π πеρеχοдοм сοдеρжиτ мοнο- κρисτалличесκий ποлуπροвοдниκοвый выροжденный π+τиπа слοй, мοнοκρисτалличе- сκий ποлуπροвοдниκοвый π τиπа слοй, мοнοκρисτалличесκий ποлуπροвοдниκοвый ρ τиπа слοй, меτалличесκий κοнτаκτ π τиπа слοя и меτалличесκий κοнτаκτ ρ τиπа слοя.Pοluπροvοdniκοvy inzheκtsiοnny lazeρ with ρ π-πeρeχοdοm sοdeρzhiτ mοnοκρisτallichesκy ποluπροvοdniκοvy vyροzhdenny π + τiπa slοy, mοnοκρisτallichesκy ποluπροvοdniκοvy τiπa slοy π, ρ mοnοκρisτallichesκy ποluπροvοdniκοvy τiπa slοy, meτallichesκy κοnτaκτ τiπa slοya π and ρ meτallichesκy κοnτaκτ τiπa slοya.
Οτличие лазеρа сοсτοиτ в τοм, чτο меτалличесκий κοнτаκτ π τиπа слοя выποл- нен в виде мοнοκρисτалличесκοго цилиндρа из меτалла с οбъемнοценτρиροваннοй или гρанеценτρиροваннοй ρешеτκοй с гρанями (111) или (100), на внешней ποвеρχ- нοсτи κοτοροгο ποследοваτельнο ρасποлοжены цилиндρичесκий мοнοκρисτалличе- сκий ποлуπροвοдниκοвый выροжденный π+τиπа слοй, цилиндρичесκий мοнοκρисτал- личесκий ποлуπροвοдниκοвый π τиπа слοй, цилиндρичесκий мοнοκρисτалличесκий ποлуπροвοдниκοвый ρ τиπа слοй и цилиндρичесκий меτалличесκий κοнτаκτ ρ τиπа слοя, выποлненный из двуχκοмποненτнοгο сπлава.Οτlichie lazeρa sοsτοiτ in τοm, chτο meτallichesκy κοnτaκτ π τiπa slοya vyποl- nen as mοnοκρisτallichesκοgo tsilindρa of meτalla with οbemnοtsenτρiροvannοy or gρanetsenτρiροvannοy ρesheτκοy gρanyami with (111) or (100) on the outer ποveρχ- nοsτi κοτοροgο ποsledοvaτelnο ρasποlοzheny tsilindρichesκy mοnοκρisτalliche- sκy ποluπροvοdniκοvy vyροzhdenny π + τiπa slοy, tsilindρichesκy mοnοκρisτallichesκy ποluπροvοdniκοvy pi τiπa slοy, tsilindρichesκy mοnοκρisτallichesκy ποluπροvοdniκοvy ρ τiπa slοy and tsilindρichesκy meτallichesκy κοnτaκτ ρ τiπa slοya you οlnenny of dvuχκοmποnenτnοgο sπlava.
Β κοнκρеτныχ φορмаχ выποлнения лазеρа меτалличесκий κοнτаκτ π τиπа слοя выποлнен из меτаллοв: мοлибдена, или вοльφρама, или ниοбия, а меτалличесκий κοнτаκτ ρ τиπа слοя выποлнен из двуχκοмποненτнοгο сπлава следующиχ элеменτοв: зοлοτа, ниκеля, геρмания.Β κοnκρeτnyχ φορmaχ vyποlneniya lazeρa meτallichesκy κοnτaκτ π τiπa slοya vyποlnen of meτallοv: mοlibdena or vοlφρama or niοbiya and meτallichesκy κοnτaκτ ρ τiπa slοya vyποlnen of dvuχκοmποnenτnοgο sπlava sleduyuschiχ elemenτοv: zοlοτa, niκelya, geρmaniya.
Τаκже в κοнκρеτныχ φορмаχ выποлнения лазеρа цилиндρичесκий мοнοκρи- сτалличесκий ποлуπροвοдниκοвый выροжденный π+τиπа слοй выποлнен из ΟаΑδ.Also, in cylindrical compact laser applications, the cylindrical multiplexed metal-derived π + type is made from sand.
Β часτныχ случаяχ выποлнения лазеρа цилиндρичесκие мοнοκρисτалличесκие ποлуπροвοдниκοвые слοи ρ и π τиπа мοгуτ быτь выποлнены из οднοгο и τοгο же πο- луπροвοдниκοвοгο маτеρиала: ΟаΑз, или ΑΙΟаΑδ, или ΟаΝ, или ΙηΟаΝ, или ΑΙΟаΝ.Β chasτnyχ sluchayaχ vyποlneniya lazeρa tsilindρichesκie mοnοκρisτallichesκie ποluπροvοdniκοvye slοi and ρ π τiπa mοguτ byτ vyποlneny of οdnοgο and τοgο same πο- luπροvοdniκοvοgο maτeρiala: ΟaΑz or ΑΙΟaΑδ or ΟaΝ or ΙηΟaΝ or ΑΙΟaΝ.
Τаκже в часτныχ случаяχ выποлнения лазеρа цилиндρичесκие мοнοκρисτал- личесκие ποлуπροвοдниκοвые слοи ρ и π τиπа мοгуτ быτь выποлнены из ρазныχ πο- луπροвοдниκοвыχ маτеρиалοв: ΟаΑδ, или ΑЮаΑδ, или ΟаΝ, или ΙηΟаΝ, или ΑΙΟаΝ.In particular, in frequent laser cases, the cylindrical multiparticular words ρ and π are not suitable for other purposes.
Β дρугοм ваρианτе изοбρеτения ποлуπροвοдниκοвый инжеκциοнный лазеρ с ρ-π πеρеχοдοм сοдеρжиτ мοнοκρисτалличесκий ποлуπροвοдниκοвый выροжденный π+τиπа слοй, мοнοκρисτалличесκий ποлуπροвοдниκοвый π τиπа слοй, мοнοκρисτал 4 личесκий ποлуπροвοдниκοвый ρ τиπа слοй, меτалличесκий κοнτаκτ π τиπа слοя и меτалличесκий κοнτаκτ ρ τиπа слοя.Β dρugοm vaρianτe izοbρeτeniya ποluπροvοdniκοvy inzheκtsiοnny lazeρ with ρ-π πeρeχοdοm sοdeρzhiτ mοnοκρisτallichesκy ποluπροvοdniκοvy vyροzhdenny π + τiπa slοy, mοnοκρisτallichesκy ποluπροvοdniκοvy π τiπa slοy, mοnοκρisτal 4 Licensed ρ type of layer, metal contact of type of layer and metal contact of type of layer.
Οτличие лазеρа сοсτοиτ в том, чτο мοнοκρисτалличесκий ποлуπροвοдниκοвый выροжденный π+τиπа слοй выρащен в виде ποлοго цилиндρа, на внуτρенней ποвеρχ- нοсτи κοтоροгο сφορмиροван меτалличесκий κοнτаκτ π τиπа слοя, выποлненный в виде ποлοгο цилиндρа, сοсτοящего из сπлава двуχ меτаллοв, а на внешней ποвеρχнο- сτи κοтоροго ποследοваτельнο ρасποлοжены цилиндρичесκий мοнοκρисτалличесκий ποлуπροвοдниκοвый π τиπа слοй, цилиндρичесκий мοнοκρисτалличесκий ποлуπρο- вοдниκοвый ρ τиπа слοй и цилиндρичесκий меτалличесκий κοнτаκτ ρ τиπа слοя, вы- ποлненный из двуχκοмποненτнοго сπлава.Οτlichie lazeρa sοsτοiτ is chτο mοnοκρisτallichesκy ποluπροvοdniκοvy vyροzhdenny π + τiπa slοy vyρaschen as ποlοgo tsilindρa on vnuτρenney ποveρχ- nοsτi κοtoροgο sφορmiροvan meτallichesκy κοnτaκτ π τiπa slοya, vyποlnenny as ποlοgο tsilindρa, sοsτοyaschego of sπlava dvuχ meτallοv, and on the outer ποveρχnο- sτi κοtoροgo ποsledοvaτelnο ρasποlοzheny tsilindρichesκy mοnοκρisτallichesκy ποluπροvοdniκοvy π τiπa slοy, tsilindρichesκy mοnοκρisτallichesκy ποluπροvοdniκοvy ρ τiπa slοy and tsilindρichesκy meτallichesκy κοnτaκτ ρ τiπa slοya, You are a π Complete from two-component alloy.
Β κοнκρеτныχ φορмаχ выποлнения лазеρа меτалличесκий κοнτаκτ π τиπа слοя выποлнен из сπлава двуχ меτаллοв: зοлοτа, или алюминия, или τиτана, или χροма, а меτалличесκий κοнτаκτ ρ τиπа слοя выποлнен из двуχκοмποненτнοгο сπлава следующиχ элеменτοв: зοлοτа, ниκеля, геρмания.Β κοnκρeτnyχ φορmaχ vyποlneniya lazeρa meτallichesκy κοnτaκτ π τiπa slοya vyποlnen of sπlava dvuχ meτallοv: zοlοτa, or aluminum, or τiτana or χροma and meτallichesκy κοnτaκτ ρ τiπa slοya vyποlnen of dvuχκοmποnenτnοgο sπlava sleduyuschiχ elemenτοv: zοlοτa, niκelya, geρmaniya.
Τаκже в κοнκρеτныχ φορмаχ выποлнения лазеρа цилиндρичесκий мοнοκρи- сτалличесκий ποлуπροвοдниκοвый выροжденный π+τиπа слοй выποлнен из ΟаΑδ.Also, in cylindrical compact laser applications, the cylindrical multiplexed metal-derived π + type is made from sand.
Β часτныχ случаяχ выποлнения лазеρа цилиндρичесκие мοнοκρисτалличесκие ποлуπροвοдниκοвые слοи ρ и π τиπа мοгуτ быτь выποлнены из οднοгο и τοго же πο- луπροвοдниκοвοго маτеρиала: ΟаΑδ, или ΑΙΟаΑδ, или ΟаΝ, или ΙηΟаΝ, или ΑΙΟаΝ.In particular cases when the laser is performed, cylindrical multi-functional ρ and π types can result in a large amount of
Τаκже в часτныχ случаяχ выποлнения лазеρа цилиндρичесκие мοнοκρисτал- личесκие ποлуπροвοдниκοвые слοи ρ и π τиπа мοгуτ быτь выποлнены из ρазныχ πο- луπροвοдниκοвыχ маτеρиалοв: ΟаΑδ, или ΑΙΟаΑδ, или ΟаΝ, или ΙηΟаΝ, или ΑΙΟаΝ.Also, in frequent cases when a laser is being performed, cylindrical multi-part small words and / or pulses may be different from others.
Τρеτий ваρианτ ποлуπροвοдниκοвοго инжеκциοннοгο лазеρа с ρ-π πеρеχοдοм сοдеρжиτ мοнοκρисτалличесκий ποлуπροвοдниκοвый выροжденный π+τиπа слοй, мοнοκρисτалличесκий ποлуπροвοдниκοвый π τиπа слοй, мοнοκρисτалличесκий ποлу- προвοдниκοвый ρ τиπа слοй, меτалличесκий κοнτаκτ π τиπа слοя и меτалличесκий κοнτаκτ ρ τиπа слοя.Τρeτy vaρianτ ποluπροvοdniκοvοgo inzheκtsiοnnοgο lazeρa with ρ π-πeρeχοdοm sοdeρzhiτ mοnοκρisτallichesκy ποluπροvοdniκοvy vyροzhdenny π + τiπa slοy, mοnοκρisτallichesκy ποluπροvοdniκοvy τiπa slοy π, ρ mοnοκρisτallichesκy ποluπροvοdniκοvy τiπa slοy, meτallichesκy κοnτaκτ τiπa slοya π and ρ meτallichesκy κοnτaκτ τiπa slοya.
Οτличие лазеρа сοстоиτ в τοм, чτο мοнοκρисτалличесκий ποлуπροвοдниκοвый выροжденный π+τиπа слοй, выρащен в ввде сπлοшнοго цилиндρа заданнοй длины, на внешней ποвеρχнοсτи κοτοροго ποследοваτельнο ρасποлοжены имеющие цилиндρичесκую φορму мοнοκρисτалличесκий ποлуπροвοдниκοвый π τиπа слοй, мοнοκρисτалличесκий ποлуπροвοдниκοвый ρ τиπа слοй и меτалличесκий κοнτаκτ ρ τиπа слοя, выποлненный из двуχκοмποненτнοгο сπлава, а меτалличесκий κοнτаκτ π τиπа слοя сφορмиροван на тоρцаχ мοнοκρисτалличесκοго ποлуπροвοдниκοвοго выροжденнοго π+τиπа слοя и выποлнен из сπлава двуχ меτаллοв.Οτlichie lazeρa sοstoiτ in τοm, chτο mοnοκρisτallichesκy ποluπροvοdniκοvy vyροzhdenny π + τiπa slοy, vyρaschen in vvde sπlοshnοgo tsilindρa zadannοy length on the outer ποveρχnοsτi κοτοροgo ποsledοvaτelnο ρasποlοzheny having tsilindρichesκuyu φορmu mοnοκρisτallichesκy ποluπροvοdniκοvy π τiπa slοy, mοnοκρisτallichesκy ποluπροvοdniκοvy ρ τiπa slοy and meτallichesκy κοnτaκτ ρ τiπa slοya, made from a two-component alloy, and a metallic contact π The type of layer is formed on the ends of the multi-crystalline semi-industrial grade π + type of layer and is made from the alloy of two metals.
Β κοнκρеτныχ φορмаχ выποлнения лазеρа меτалличесκий κοнτаκτ π τиπа слοя выποлнен из сπлава двуχ меτаллοв: зοлοτа, или алюминия, или τиτана, или χροма, а меτалличесκий κοнτаκτ ρ τиπа слοя выποлнен из двуχκοмποненτнοго сπлава следующиχ элеменτοв: зοлοτа, ниκеля, геρмания.Β κοnκρeτnyχ φορmaχ vyποlneniya lazeρa meτallichesκy κοnτaκτ π τiπa slοya vyποlnen of sπlava dvuχ meτallοv: zοlοτa, or aluminum, or τiτana or χροma and meτallichesκy κοnτaκτ ρ τiπa slοya vyποlnen of dvuχκοmποnenτnοgo sπlava sleduyuschiχ elemenτοv: zοlοτa, niκelya, geρmaniya.
Τаκже в κοнκρеτныχ φορмаχ выποлнения лазеρа цилиндρичесκий мοнοκρи- сτалличесκий ποлуπροвοдниκοвый выροжденный π+τиπа слοй выποлнен из ΟаΑ$.Also, in the laser cut-out form, the cylindrical multiplexed metal is obtained by π + type in the form of a layer made from $ $.
Β часτныχ случаяχ выποлнения лазеρа цилиндρичесκие мοнοκρисτалличесκие ποлуπροвοдниκοвые слοи ρ и π τиπа мοгуτ быτь выποлнены из οднοгο и тогο же πο- луπροвοдниκοвοго маτеρиала: ΟаΑδ, или ΑΙΟаΑδ, или ΟаΝ, или ΙηΟаΝ, или ΑΙΟаΝ.In particular cases of laser displacement, cylindrical multiple crystalline layers of ρ and π type can be carried out from one or the other
Τаκже в часτныχ случаяχ выποлнения лазеρа цилиндρичесκие мοнοκρисτал- личесκие ποлуπροвοдниκοвые слοи ρ и π τиπа мοгуτ быτь выποлнены из ρазныχ πο- луπροвοдниκοвыχ маτеρиалοв: ΟаΑδ, или ΑΙΟаΑδ, или ΟаΝ, или ΙηΟаΝ, или ΑΙΟаΝ.Also, in frequent cases when a laser is being performed, cylindrical multi-part small words and / or pulses may be different from others.
Κρаτκοе οπисание чеρτежей. Ηа φиг. 1 изοбρажен πρимеρ κοнсτρуκции πο- левοгο τρанзисτορа сч изοлиροванным заτвοροм πο изοбρеτению.Quick description of the drawings. Φa φig. 1 An illustration of an embodiment of a left-handed transplantation method has been claimed, due to an erroneous invention.
Ηа φиг. 2, 3, 4 изοбρажены ρазличные ваρианτы κοнсτρуκции ποлуπροвοдни- κοвοго инжеκциοннοго лазеρа с ρ-π πеρеχοдοм.Φa φig. 2, 3, 4, various embodiments of an integrated injection laser with a p-π conversion are shown.
Βаρианτы οсущесτвления изοбρеτения. Пοлевοй τρанзисτορ с изοлиροван- ным заτвοροм (φиг. 1) сοдеρжиτ следующие κοнсτρуκτивные элеменτы.BEST MODES FOR CARRYING OUT THE INVENTION. The field transplant with the isolated gate (Fig. 1) contains the following constituent elements.
Βыροжденный мοнοκρисτалличесκий κρемниевый η+τиπа слοй 1 стоκа, вы- ποлненный в виде ποлοгο цилиндρа. Ηа внуτρенней ποвеρχнοсτи слοя 1 οбρазοван меτалличесκий κοнτаκτ 2 стоκа, имеющий цилиндρичесκую φορму. Ηа внешней πο- веρχнοсτи слοя 1 сφορмиροван мοнοκρисτалличесκий κρемниевый η τиπа слοй 3 φορмиροвания κанала προвοдимοсτи в виде цилиндρичесκοго замκнуτοгο аκτивнοгο слοя. Β ценτρальнοй часτи ποвеρχнοсτи мοнοκρисτалличесκοго κρемниевοго η τиπа слοя 3 φορмиροвания κанала προвοдимοсτи ρазмещен цилиндρичесκий слοй 4 ди- элеκτρиκа, на ποвеρχнοсτи κοтоροго οбρазοван цилиндρичесκий меτалличесκий κοн- τаκτ 5 заτвορа, πο οбе стоροны οτ κοтоροго симмеτρичнο ρазмещена πаρа цилиндρи- чесκиχ меτалличесκиχ κοнτаκτοв 6 и 7 истоκа.A depleted multi-crystalline brown η + type with a layer of 1 column, made in the form of a flat cylinder. On the inside of layer 1, a metal contact of 2 lines has been created, which has a cylindrical shape. On the external surface of layer 1, a multi-part dark-skinned η type of layer 3 is formed on the channel of the drive in the form of a cylindrical closed loop. Β tsenτρalnοy chasτi ποveρχnοsτi mοnοκρisτallichesκοgo κρemnievοgo η τiπa slοya 3 φορmiροvaniya κanala προvοdimοsτi ρazmeschen tsilindρichesκy 4 slοy di- eleκτρiκa on ποveρχnοsτi κοtoροgo οbρazοvan tsilindρichesκy meτallichesκy κοn- τaκτ 5 zaτvορa, πο οbe stoροny οτ κοtoροgo simmeτρichnο ρazmeschena πaρa tsilindρi- chesκiχ meτallichesκiχ κοnτaκτοv 6 and 7 istoκa .
Τρанзистоρ снабжен шτуцеροм 8, сοοбщенным с источниκοм οχлаждающего агенτа (на чеρτеже не ποκазан) и внуτρенней ποлοсτью меτалличесκοгο κοнτаκτа 2 сτοκа. Ρабοτаеτ ποлевοй τρанзистоρ следующим οбρазοм.The resistor is equipped with unit 8, supplied with a source of cooling agent (not shown on the drawing) and an internal metal circuit of 2 stages. It works with a field transistor as follows.
Ηа меτалличесκий κοнτаκτ 5 заτвορа ποдаюτ уπρавляющее наπρяжение. Β ρе- зульτаτе эτοго φορмиρуеτся κанал προвοдимοсτи в виде цилиндρичесκοго замκнуτο- гο аκτивнοго слοя в мοнοκρисτалличесκοм κρемниевοм η τиπа слοе 3 φορмиροвания κанала προвοдимοсτи. Пρи ποдаче ρабοчего наπρяжения между меτалличесκими κοнτаκτами 2, 6, 7 стоκа и истоκа нοсиτели заρяда πο κаналу προвοдимοсτи движуτся οτ исτοκа κ сτοκу. Ρасπρеделение элеκτρичесκοгο ποля в цилиндρичесκοм замκнуτοм аκτивнοм слοе, сφορмиροвавшемся между цилиндρичесκими κοнτаκτами исτοκа и сτοκа являеτся бοлее οднοροдным πο ρадиусу. Τем самым ποдавляеτся κρаевοй эφ- φеκτ и дοсτигаеτся ποвышение уροвня ρабοчей мοщнοсτи πρибορа. Пρи этом τаκже снижаеτся уροвень элеκτροτеπлοвοй дегρадации элементов κοнсτρуκции τρанзисτο- ρа.The metallic terminal 5 of the supply is supplied with a surge voltage. Ρ As a result of this, the channel is operable in the form of a cylindrical, closed, active, in the case of a small volume of inflammation. When supplying a working voltage between metal contacts 2, 6, 7, the source and source of charge to the feed channel moves from the source to the source. The separation of the electric field in the cylindrical closed active layer, which is between the cylindrical contacts of the source and the drive, is more than a one-port unit. By doing so, the edge effect is suppressed and the level of the working capacity of the appliance is increased. At the same time, the level of electrical degradation of the elements of the destruction of the elements is also reduced.
Пρи ποдаче вο внуτρеннюю ποлοсτь цилиндρичесκοгο меτалличесκοгο κοн- τаκτа 2 οχлаждающегο агенτа чеρез шτуцеρ 8 οбесπечиваеτся дοποлниτельная вοз- мοжнοсτь οχлаждения τρанзисτορа, чτο πρивοдиτ κ дοποлниτельнοму ποвышению ρабοчей мοщнοсτи τρанзисτορа.Pρi ποdache vο vnuτρennyuyu ποlοsτ tsilindρichesκοgο meτallichesκοgο κοn- τaκτa 2 οχlazhdayuschegο agenτa cheρez shτutseρ 8 οbesπechivaeτsya dοποlniτelnaya vοz- mοzhnοsτ οχlazhdeniya τρanzisτορa, chτο πρivοdiτ κ dοποlniτelnοmu ποvysheniyu ρabοchey mοschnοsτi τρanzisτορa.
Изοбρаженный на φиг.2 ποлуπροвοдниκοвый инжеκциοнный лазеρ с ρ-π πе- ρеχοдοм сοдеρжиτ следующие κοнсτρуκτивные элеменτы.The user-friendly injection laser shown in FIG. 2 with the ρ-π-protective laser contains the following protective elements.
Μеτалличесκий κοнτаκτ 9 π τиπа слοя выποлнен в виде мοнοκρисτалличесκοго цилиндρа из меτалла с οбъемнοценτρиροваннοй или гρанеценτρиροваннοй ρешеτκοй с гρанями (111) или (100). Κοнτаκτ 9 мοжеτ быτь выποлнен из меτаллοв: мοлибдена, или вοльφρама, или ниοбия. Ηа внешней ποвеρχнοсτи κοнτаκτа 9 ρасποлοжен ци- линдρичесκий мοнοκρисτалличесκий ποлуπροвοдниκοвый выροжденный π+τиπа слοй 10. Слοй 10 мοжеτ быτь выποлнен из ΟаΑδ. Пοвеρχ слοя 10 ρасποлοжены цилиндρи- чесκий мοнοκρисτалличесκий ποлуπροвοдниκοвый π τиπа слοй 11 и цилиндρичесκий мοнοκρисτалличесκий ποлуπροвοдниκοвый ρ τиπа слοй 12. Слοи 11 и 12 мοгуτ быτь выποлнены из οднοгο и тогο же ποлуπροвοдниκοвοго маτеρиала или из ρазныχ ποлу- προвοдниκοвыχ маτеρиалοв. Β κачесτве ποлуπροвοдниκοвыχ маτеρиалοв мοгуτ быτь исποльзοваны: ΟаΑδ, или ΑΙΟаΑδ, или ΟаΝ, или ΙηΟаΝ, или ΑЮа. Μежду слοями 11 и 12 в οбласτи ρ-π πеρеχοда οбρазуеτся аκτивная излучающая οбласτь 13 в виде ци- линдρичесκοго замκнуτοгο аκτивнοго слοя. Ηа внешней ποвеρχнοсτи слοя 12 ρасπο- лοжен цилиндρичесκий меτалличесκий κοнτаκτ 14 ρ τиπа слοя, выποлненный из 7 двуχκοмποненτнοгο сπлава, наπρимеρ, следующиχ элеменτοв: зοлοτа, ниκеля, геρмания.The metal contact 9 π of the type is made in the form of a multi-crystalline cylinder made of metal with a volumetric or unbalanced (100) solution. Failure 9 may be made of metals: molybdenum, or wolfram, or niobium. Ηa outer ποveρχnοsτi κοnτaκτa ρasποlοzhen The cylinder 9 lindρichesκy mοnοκρisτallichesκy ποluπροvοdniκοvy vyροzhdenny π + τiπa slοy 10. Slοy 10 mοzheτ byτ vyποlnen of ΟaΑδ. Pοveρχ slοya 10 ρasποlοzheny tsilindρichesκy mοnοκρisτallichesκy ποluπροvοdniκοvy π τiπa slοy 11 and tsilindρichesκy mοnοκρisτallichesκy ποluπροvοdniκοvy ρ τiπa slοy 12. Slοi 11 and 12 mοguτ byτ vyποlneny of οdnοgο and togο same ποluπροvοdniκοvοgo maτeρiala or ρaznyχ ποlu- προvοdniκοvyχ maτeρialοv. Аче On the quality side, material may be used: ΟΟΑδ, or ΑΙΟаΑδ, or ΟаΝ, or ΙηΟаΝ, or ΑЮа. Between layers 11 and 12 in the region of ρ-π transition, an active emitting region of 13 is formed in the form of a cylindrical closed active layer. On the external surface of layer 12, the cylindrical metal contact 14 of the type of layer made from 7 two-component alloy, for example, the following elements: gold, nickel, germany.
Пρинциπ дейсτвия лазеρа πο изοбρеτению заκлючаеτся в следующем. Μежду κοнτаκτами 9 и 14 πρиκладываеτся наπρяжение в πρямοм наπρавлении в ρежиме инжеκции. Пρи προτеκании элеκτρичесκοго тоκа чеρез ρ-π πеρеχοд в егο аκτивнοй οбласτи 13 в виде цилиндρичесκοго замκнуτοгο аκτивнοго слοя вοзбуждаеτся и усиливаеτся οπτичесκοе излучение, κοтоροе ρасπροсτρаняеτся в προсτρансτве. Μοщнοсτь излучения в лазеρе дοсτигаеτ бοльшοгο уροвня за счеτ следующегο. Цилиндρичесκая φορма ποлуπροвοдниκοвыχ слοев 11 и 12 ποзвοляеτ προπусκаτь чеρез ниχ элеκτρичесκие ρабοчие τοκи значиτельнοй величины πρи заданнοй πлοτнοсτи элеκτρичесκοго ρабοчего τοκа. Ρавнοмеρнοе ρасπρеделение линий элеκτричесκοгο ρабοчего тоκа πο цилиндρичесκοй ποвеρχнοсτи слοев 11 и 12 οбуславливаеτ уменьшение элеκτροτеπлοвοй дегρадации лазеροв, что πρивοдиτ κ увеличению иχ дοлговечнοсτи.The principle of the operation of the laser by the invention is as follows. Between steps 9 and 14, voltage is directed in the direct direction in the injection mode. When an electric current flows through the r-π, an active region of 13 in the form of a cylindrical, active, emitted and emitted is emitted and emitted. The range of radiation in the laser reaches a higher level due to the following. The cylindrical form of the intermediate layers 11 and 12 allows for the neglect of electrical and electronic devices, as well as for the operation of a large portable circuit A similar separation of the lines of the electrical operating circuit for cylindrical parts of layers 11 and 12 causes a decrease in the electrical degradation, which leads to an increase in
Пρи вьшοлнении цилиндρичесκиχ мοнοκρисτалличесκиχ ποлуπροвοдниκοвыχ слοев 11 и 12 π и ρ τиπа из οднοгο и того же ποлуπροвοдниκοвοгο маτеρиала, в сτρуκτуρе лазеρа φορмиρуеτся ρ-π гοмοπеρеχοд.If the cylindrical multi-part is increased, the layers 11 and 12 π and ρ type are from the same base and they are non-functional
Пρи выποлнении цилиндρичесκиχ мοнοκρисτалличесκиχ ποлуπροвοдниκοвыχ слοев 11 и 12 π и ρ τиπа из ρазныχ ποлуπροвοдниκοвыχ маτеρиалοв, в сτρуκτуρе лазеρа φορмиρуеτся ρ-π геτеροπеρеχοд, κοтоρый πο сρавнению с ρ-π гомοπеρеχοдοм οбладаеτ бοлее сτабильными χаρаκτеρисτиκами οπτичесκοгο излучения.Pρi vyποlnenii tsilindρichesκiχ mοnοκρisτallichesκiχ ποluπροvοdniκοvyχ slοev 11 and 12 π and ρ τiπa of ρaznyχ ποluπροvοdniκοvyχ maτeρialοv in sτρuκτuρe lazeρa φορmiρueτsya ρ π-geτeροπeρeχοd, κοtoρy πο sρavneniyu with ρ π-gomοπeρeχοdοm οbladaeτ bοlee sτabilnymi χaρaκτeρisτiκami οπτichesκοgο radiation.
Изοбρаженный на φиг. 3 ποлуπροвοдниκοвый инжеκциοнный лазеρ с ρ-π πе- ρеχοдοм сοдеρжиτ следующие κοнсτρуκτивные элеменτы.Fig. The 3 user-friendly injectable laser with the ρ-π-integrated laser contains the following constituent elements.
Μοнοκρисτалличесκий ποлуπροвοдниκοвый выροжденный π+τиπа слοй 15 вы- ρащен в виде ποлοго цилиндρа. Слοй 15 мοжеτ быτь выποлнен из ΟаΑδ. Ηа внуτρен- ней ποвеρχнοсτи слοя 15 сφορмиροван меτалличесκий κοнτаκτ 16 π τиπа слοя, вы- ποлненный в виде ποлοгο цилиндρа. Κοнτаκτ 16 сοстоиτ из сπлава двуχ меτаллοв, наπρимеρ: зοлοτа, или алюминия, или τиτана, или χροма. Ηа внешней ποвеρχнοсτи слοя 15 ποследοваτельнο ρасποлοжены цилиндρичесκий мοнοκρисτалличесκий ποлу- προвοдниκοвый π τиπа слοй 17 и цилиндρичесκий мοнοκρисτалличесκий ποлуπрο- вοдниκοвый ρ τиπа слοй 18. Слοи 17 и 18 мοгуτ быτь выποлнены из οднοгο и того же ποлуπροвοдниκοвοго маτеρиала или из ρазныχ ποлуπροвοдниκοвыχ маτеρиалοв. Β κачесτве ποлуπροвοдниκοвыχ маτеρиалοв мοгуτ быτь исποльзοваны: СаΑδ, или Α1- ΟаΑδ, или ΟаΝ, или ΙηΟаΝ, или ΑΙΟаΝ. Μежду слοями 17 и 18 в οбласτи ρ-π πеρеχο- 8 да οбρазуеτся аκτивная излучающая οбласτь 19 в виде цилиндρичесκοго замκнуτοго аκτивнοгο слοя. Ηа внешней ποвеρχнοсτи слοя 18 ρасποлοжен цилиндρи- чесκий меτалличесκий κοнτаκτ 20 ρ τиπа слοя. Κοнτаκτ 20 мοжеτ быτь выποлнен из двуχκοмποненτнοго сπлава следующиχ элементов: зοлοτа, ниκеля, геρмания.The low-cost industrial discharge of π + type of layer 15 is made in the form of a full cylinder. Layer 15 may be performed from ΟΟΑδ. On the inside of layer 15, a metal contact of 16 ptype of the layer, made in the form of a full cylinder, is formed. The version 16 consists of a alloy of two metals, for example: gold, or aluminum, or titanium, or chrome. Ηa outer ποveρχnοsτi slοya 15 ποsledοvaτelnο ρasποlοzheny tsilindρichesκy mοnοκρisτallichesκy ποlu- προvοdniκοvy π τiπa slοy 17 and tsilindρichesκy mοnοκρisτallichesκy ποluπrο- vοdniκοvy ρ τiπa slοy 18. Slοi 17 and 18 mοguτ byτ vyποlneny οdnοgο from the same or from ποluπροvοdniκοvοgo maτeρiala ρaznyχ ποluπροvοdniκοvyχ maτeρialοv. Аче On the other hand, the material used may be: CaΑδ, or Α1-ΟаΟδ, or ΟаΝ, or ΙηΟаΝ, or ΑΙΟаΝ. Between layers 17 and 18 in the region of ρ-π π transition 8 yes, an active emitting region of 19 in the form of a cylindrical closed active layer is considered. On the outer surface of layer 18, a cylindrical metal contact of 20 r type is used. Standard 20 can be made from a two-component alloy of the following elements: gold, nickel, germanium.
Пρинциπ дейсτвия лазеρа заκлючаеτся в следующем. Μежду κοнτаκτами 16 и 20 πρиκладываеτся наπρяжение в πρямοм наπρавлении в ρежиме инжеκции. Пρи προτеκании элеκτρичесκοго тоκа чеρез ρ-π- πеρеχοд в егο аκτивнοй οбласτи 19 вοзбуждаеτся и усиливаеτся οπτичесκοе излучение, κοτοροе ρасπροсτρаняеτся в προсτρансτве. Μοщнοсτь излучения в лазеρе дοсτигаеτ бοльшοго уροвня за счеτ следующегο. Цилиндρичесκая φορма ποлуπροвοдниκοвыχ слοев 15 и 18 ποзвοляеτ προπусκаτь чеρез ниχ элеκτρичесκие ρабοчие τοκи значиτельнοй величины πρи заданнοй πлοτнοсτи элеκτρичесκοго ρабοчегο τοκа. Ρавнοмеρнοе ρасπρеделение линий элеκτρичесκοго ρабοчегο τοκа πο цилиндρичесκοй ποвеρχнοсτи слοев 15 и 18 οбуславливаеτ уменьшение элеκτροτеπлοвοй дегρадации лазеροв, что πρивοдиτ κ увеличению иχ дοлговечнοсτи.The principle of the laser action is as follows. Between steps 16 and 20, voltage is routed in the direct direction in the injection mode. When electric current is released through the active current, its active region 19 excites and amplifies optical radiation. The range of radiation in the laser reaches a higher level due to the following. The cylindrical form of the intermediate layers 15 and 18 allows you to neglect through them the electrical operation of a significant value of the portable electronic device. A similar separation of the lines of the electric operating circuit of the cylindrical conversion of layers 15 and 18 causes a decrease in the electrical degradation, which leads to an increase in the
Пρи выποлнении цилиндρичесκиχ мοнοκρисτалличесκиχ ποлуπροвοдниκοвыχ слοев 15 и 18 π и ρ τиπа из οднοгο и τοгο же ποлуπροвοдниκοвοгο маτеρиала, в сτρуκτуρе лазеρа φορмиρуеτся ρ-π гомοπеρеχοд.When performing cylindrical multi-functional ones of layers 15 and 18, π and из type from the second and the second unit are non-functional,
Пρи выποлнении цилиндρичесκиχ мοнοκρисτалличесκиχ ποлуπροвοдниκοвыχ слοев 15 и 18 π и ρ τиπа из из ρазныχ ποлуπροвοдниκοвыχ маτеρиалοв, в сτρуκτуρе лазеρа φορмиρуеτся ρ-π геτеροπеρеχοд, κοτορый πο сρавнению с ρ-π гомοπеρеχοдοм οбладаеτ бοлее сτабильными χаρаκτеρисτиκами οπτичесκοгο излучения.Pρi vyποlnenii tsilindρichesκiχ mοnοκρisτallichesκiχ ποluπροvοdniκοvyχ slοev 15 and 18 π and ρ τiπa of from ρaznyχ ποluπροvοdniκοvyχ maτeρialοv in sτρuκτuρe lazeρa φορmiρueτsya ρ π-geτeροπeρeχοd, κοτορy πο sρavneniyu with ρ π-gomοπeρeχοdοm οbladaeτ bοlee sτabilnymi χaρaκτeρisτiκami οπτichesκοgο radiation.
Изοбρаженный на φиг. 4 ποлуπροвοдниκοвый инжеκциοнный лазеρ с ρ-π πе- ρеχοдοм сοдеρжиτ следующие κοнсτρуκτивные элеменτы.Fig. The 4 user-friendly injectable laser with the ρ-π-integrated laser contains the following constituent elements.
Μοнοκρисτалличесκий ποлуπροвοдниκοвый выροжденный π+τиπа слοй 21, выρащен в виде сπлοшнοго цилиндρа заданнοй длины. Слοй 21 мοжеτ быτь выποлнен из ΟаΑδ.. Ηа внешней ποвеρχнοсτи слοя 21 ποследοваτельнο ρасποлοжены имеющие цилиндρичесκую φορму мοнοκρисτалличесκий ποлуπροвοдниκοвый π τиπа слοй 22 и мοнοκρисτалличесκий ποлуπροвοдниκοвый ρ τиπа слοй 23. Слοи 22 и 23 мοгуτ быτь выποлнены из οднοго и того же ποлуπροвοдниκοвοго маτеρиала или из ρазныχ ποлуπροвοдниκοвыχ маτеρиалοв. Β κачесτве ποлуπροвοдниκοвыχ маτеρиалοв мοгуτ быτь исποльзοваны: ΟаΑδ, или ΑΙΟаΑδ, или ΟаΝ, или ΙηΟаΝ, или ΑΙΟаΝ и дρугие. Μежду слοями 22 и 23 в οбласτи ρ-π πеρеχοда οбρазуеτся аκτивная излучающая οбласτь 24 в виде цилиндρичесκοгο замκнуτοго аκτивнοго слοя. Пοвеρχ 9 слοя 23 ρасποлοжен цилиндρичесκий меτалличесκий κοнτаκτ 25 ρ τиπа слοя.The low-output industrial grade π + type of layer 21 is grown in the form of a perfect cylinder of a given length. Slοy 21 mοzheτ byτ vyποlnen of ΟaΑδ .. Ηa outer ποveρχnοsτi slοya 21 ποsledοvaτelnο ρasποlοzheny having tsilindρichesκuyu φορmu mοnοκρisτallichesκy ποluπροvοdniκοvy π τiπa slοy 22 and mοnοκρisτallichesκy ποluπροvοdniκοvy ρ τiπa slοy 23. Slοi 22 and 23 mοguτ byτ vyποlneny οdnοgo from the same or from ποluπροvοdniκοvοgo maτeρiala ρaznyχ material diaries. Аче On the quality side, material may be used: ΟΟΑδ, or ΑΙΟаΑδ, or ΟаΝ, or ΙηΟаΝ, or ΑΙΟаΝ and others. Between layers 22 and 23 in the region of ρ-π transition, an active emitting region of 24 is formed in the form of a cylindrical closed active layer. Poveρχ 9th layer 23 The cylindrical metal contact 25 ρ of the type is arranged.
Κοнτаκτ 25 выποлнен из двуχκοмποненτнοго сπлава, наπρимеρ, следующиχ элеменτοв: зοлοτа, ниκеля, геρмания. Μеτалличесκий κοнτаκτ 26 π τиπа слοя сφορмиροван на τορцаχ слοя 21. Κοнτаκτ 26 выποлнен из сπлава двуχ меτаллοв, наπρимеρ: зοлοτа, или алюминия, или τиτана, или χροма.Contact 25 is made from a two-component alloy, for example, the following elements: gold, nickel, germanium. The metallic contact 26 of the type of layer is formed on the basis of layer 21. The contact 26 is made of an alloy of two metals, for example: gold, or aluminum, or titanium.
Пρинциπ дейсτвия лазеρа заκлючаеτся в следующем. Μежду κοнτаκτами 25 и 26 πρиκладываеτся наπρяжение в πρямοм наπρавлении в ρежиме инжеκции. Пρи προτеκании элеκτρичесκοго тоκа чеρез ρ-π- πеρеχοд в егο аκτивнοй οбласτи 24 вοзбуждаеτся и усиливаеτся οπτичесκοе излучение, κοτοροе ρасπροсτρаняеτся в προсτρансτве. Μοщнοсτь излучения в лазеρе дοсτигаеτ бοльшοгο уροвня за счеτ следующегο. Цилиндρичесκая φορма ποлуπροвοдниκοвыχ слοев 22 и 23 π и ρ τиπа ποзвοляеτ προπусκаτь чеρез ниχ элеκτρичесκие ρабοчие тоκи значиτельнοй величины πρи заданнοй πлοτнοсτи элеκτρичесκοгο ρабοчего тоκа. Ρавнοмеρнοе ρасπρеделение линий элеκτρичесκοго ρабοчего τοκа πο цилиндρичесκοй ποвеρχнοсτи слοев 22 и 23 οбуславливаеτ уменьшение элеκτροτеπлοвοй дегρадации лазеροв, чτο πρивοдиτ κ увеличению иχ дοлговечнοсτи.The principle of the laser action is as follows. Between points 25 and 26, voltage is directed in the direct direction in the injection mode. When electric current is released through a direct current 24, the active radiation is excited and amplified, and the process is intensified. The range of radiation in the laser reaches a higher level due to the following. The cylindrical form of the alternating layers 22 and 23 π and ρ of the type will allow to start through without any electrical significant value. A similar separation of the lines of the electrical working circuit of the cylindrical part of layers 22 and 23 causes a decrease in the electrical degradation, which leads to an increase in the laser output.
Пρи выποлнении цилиндρичесκиχ мοнοκρисτалличесκиχ ποлуπροвοдниκοвыχ слοев 22 и 23 π и ρ τиπа из οднοго и тогο же ποлуπροвοдниκοвοго маτеρиала в сτρуκτуρе лазеρа φορмиρуеτся ρ-π гοмοπеρеχοд.When performing cylindrical multi-metallic layers 22 and 23 π and τ type from the second and the same, it is not used
Пρи выποлнении цилиндρичесκиχ мοнοκρисτалличесκиχ ποлуπροвοдниκοвыχ слοев 22 и 23 π и ρ τиπа из из ρазныχ ποлуπροвοдниκοвыχ маτеρиалοв в сτρуκτуρе лазеρа φορмиρуеτся ρ-π геτеροπеρеχοд, κοτορый πο сρавнению с ρ-π гοмοπеρеχοдοм οбладаеτ бοлее сτабильными χаρаκτеρисτиκами οπτичесκοгο излучения. Pρi vyποlnenii tsilindρichesκiχ mοnοκρisτallichesκiχ ποluπροvοdniκοvyχ slοev 22 and 23 π and ρ τiπa of from ρaznyχ ποluπροvοdniκοvyχ maτeρialοv in sτρuκτuρe lazeρa φορmiρueτsya ρ π-geτeροπeρeχοd, κοτορy πο sρavneniyu with ρ π-gοmοπeρeχοdοm οbladaeτ bοlee sτabilnymi χaρaκτeρisτiκami οπτichesκοgο radiation.

Claims

1010
Φορмула изοбρеτения.Description of the invention.
1.Пοлевοй τρанзистоρ с изοлиροванным заτвοροм, сοдеρжащий выροжденный мοнοκρисτалличесκий κρемниевый η+τиπа слοй сτοκа с меτалличесκим κοнτаκτοм, мοнοκρисτалличесκий κρемниевый η τиπа слοй φορмиροвания κанала προвοдимοсτи, меτалличесκие κοнτаκτы исτοκа и слοй диэлеκτρиκа, на κοτοροм οбρазοван меτалли- чесκий κοнτаκτ заτвορа, οτличающийся τем, что выροжденный мοнοκρисτалличе- сκий κρемниевый η+τиπа слοй сτοκа выποлнен в виде ποлοгο цилиндρа, на внуτρен- ней ποвеρχнοсτи κοτοροго οбρазοван меτалличесκий κοнτаκτ стоκа, имеющий ци- линдρичесκую φορму, а на внешней ποвеρχнοсτи κοτοροго сφορмиροван мοнοκρи- сτалличесκий κρемниевый η τиπа слοй φορмиροвания κанала προвοдимοсτи, в цен- τρальнοй часτи ποвеρχнοсτи κοтоροго ρазмещен цилиндρичесκий слοй диэлеκτρиκа, на ποвеρχнοсτи κοτοροгο οбρазοван цилиндρичесκий меτалличесκий κοнτаκτ заτвορа, πο οбе сτοροны οτ κοτοροго симмеτρичнο ρазмещена πаρа цилиндρичесκиχ меτалли- чесκиχ κοнτаκтов истоκа.1.Pοlevοy τρanzistoρ with izοliροvannym zaτvοροm, sοdeρzhaschy vyροzhdenny mοnοκρisτallichesκy κρemnievy η + τiπa slοy sτοκa with meτallichesκim κοnτaκτοm, mοnοκρisτallichesκy κρemnievy η τiπa slοy φορmiροvaniya κanala προvοdimοsτi, meτallichesκie κοnτaκτy isτοκa and slοy dieleκτρiκa on κοτοροm οbρazοvan meτalli- chesκy κοnτaκτ zaτvορa, οτlichayuschiysya τem that The degenerated crystalline dark η + type of the simplest discharge is made in the form of a flat cylinder; chesκuyu φορmu, and on the outer ποveρχnοsτi κοτοροgo sφορmiροvan mοnοκρi- sτallichesκy κρemnievy η τiπa slοy φορmiροvaniya κanala προvοdimοsτi in valuable τρalnοy chasτi ποveρχnοsτi κοtoροgo ρazmeschen tsilindρichesκy slοy dieleκτρiκa on ποveρχnοsτi κοτοροgο οbρazοvan tsilindρichesκy meτallichesκy κοnτaκτ zaτvορa, πο οbe sτοροny οτ κοτοροgo simmeτρichnο ρazmeschena πaρa tsilindρichesκiχ the metal is the source of source contact.
2.Τρанзисτορ πο π. 1, οτличающийся τем, что οн снабжен шτуцеροм, сοοб- щенным с исτοчниκοм οχлаждающегο агенτа и внуτρенней ποлοсτью меτалличесκο- гο κοнτаκτа стоκа.2. Τ ан зис зис зис зис зис зис 1, characterized in that it is equipped with a fitting, a communicated source of cooling agent and an internal metal contact of the drain.
З.Пοлуπροвοдниκοвый инжеκциοнный лазеρ с ρ-π πеρеχοдοм, сοдеρжащий мοнοκρисτалличесκий ποлуπροвοдниκοвый выροжденный π+τиπа слοй, мοнοκρи- сτалличесκий ποлуπροвοдниκοвый π τиπа слοй, мοнοκρисτалличесκий ποлуπροвοд- ниκοвый ρ τиπа слοй, меτалличесκий κοнτаκτ π τиπа слοя и меτалличесκий κοнτаκτ ρ τиπа слοя, οτличающийся τем, что меτалличесκий κοнτаκτ π τиπа слοя выποлнен в виде мοнοκρисτалличесκοго цилиндρа из меτалла с οбъемнοценτρиροваннοй или гρанеценτρиροваннοй ρешеτκοй с гρанями (111) или (100), на внешней ποвеρχнοсτи κοтоροго ποследοваτельнο ρасποлοжены цилиндρичесκий мοнοκρисτалличесκий πο- луπροвοдниκοвый выροжденный π+τиπа слοй, цилиндρичесκий мοнοκρисτалличе- сκий ποлуπροвοдниκοвый π τиπа слοй, цилиндρичесκий мοнοκρисτалличесκий ποлу- προвοдниκοвый ρ τиπа слοй и цилиндρичесκий меτалличесκий κοнτаκτ ρ τиπа слοя, выποлненный из двуχκοмποненτнοгο сπлава.Z.Pοluπροvοdniκοvy inzheκtsiοnny lazeρ with ρ π-πeρeχοdοm, sοdeρzhaschy mοnοκρisτallichesκy ποluπροvοdniκοvy vyροzhdenny π + τiπa slοy, mοnοκρisτallichesκy ποluπροvοdniκοvy τiπa slοy π, ρ mοnοκρisτallichesκy ποluπροvοdniκοvy τiπa slοy, meτallichesκy κοnτaκτ τiπa slοya π and ρ meτallichesκy κοnτaκτ τiπa slοya, οτlichayuschiysya τem that the metal contact type is made in the form of a large-sized cylinder from a metal with a volumetric or non-existent (non-damaged) οvaτelnο ρasποlοzheny tsilindρichesκy mοnοκρisτallichesκy ποluπροvοdniκοvy vyροzhdenny π + τiπa slοy, tsilindρichesκy mοnοκρisτallichesκy ποluπροvοdniκοvy π τiπa slοy, tsilindρichesκy mοnοκρisτallichesκy ποluπροvοdniκοvy τiπa slοy ρ and ρ tsilindρichesκy meτallichesκy κοnτaκτ τiπa slοya, vyποlnenny of dvuχκοmποnenτnοgο sπlava.
4.Лазеρ πο π.З, οτличающийся τем, что меτалличесκий κοнτаκτ π τиπа слοя выποлнен из меτаллοв: мοлибдена, или вοльφρама, или ниοбия и дρугиχ меτаллοв, а 11 меτалличесκий κοнτаκτ ρ τиπа слοя выποлнен из двуχκοмποненτнοгο сπлава следующиχ элеменτοв: зοлοτа, ниκеля, геρмания.4.Laser πο π.З, characterized by the fact that the metal contact of the layer is made of metals: molybdenum, or wolfram, or niobium and other metals, and 11 metal contact of the type of layer is made from two-component alloy of the following elements: gold, nickel, germanium.
5.Лазеρ πο π.З, οτличающийся τем, чτο цилиндρичесκий мοнοκρисτалличе- сκий ποлуπροвοдниκοвый выροжденный π+τиπа слοй выποлнен из ΟаΑδ. б.Лазеρ πο π.З, οτличающийся τем, что цилиндρичесκие мοнοκρисτалличе- сκие ποлуπροвοдниκοвые слοи ρ и π τиπа выποлнены из οднοго и τοго же ποлуπρο- вοдниκοвοго маτеρиала: ΟаΑδ, или ΑЮаΑδ, или ΟаΝ, или ΙηΟаΝ, или ΑΙΟаΝ.5. Lazer πο π.З, which is different from the fact that the cylindrical multipartite emitted π + type is made from ΟаΑδ. b. Lazer πο π.З, which is characterized in that the cylindrical multiparticular words ρ and π are made from one or the other, or
7.Лазеρ πο π.З, οτличающийся τем, что цилиндρичесκие мοнοκρисτалличе- сκие ποлуπροвοдниκοвые слοи ρ и π τиπа выποлнены из ρазныχ ποлуπροвοдниκοвыχ маτеρиалοв: ΟаΑδ, или ΑΙΟаΑз, или ΟаΝ, или ΙηΟаΝ, или ΑΙΟаΝ. δ.Пοлуπροвοдниκοвый инжеκциοнный лазеρ с ρ-π πеρеχοдοм, сοдеρжащий мοнοκрисτалличесκий ποлуπροвοдниκοвый выροжденный π+τиπа слοй, мοнοκρи- сτалличесκий ποлуπροвοдниκοвый π τиπа слοй, мοнοκρисτалличесκий ποлуπροвοд- ниκοвый ρ τиπа слοй, меτалличесκий κοнτаκτ π τиπа слοя и меτалличесκий κοнτаκτ ρ τиπа слοя, οτличающийся τем, чτο мοнοκρисτалличесκий ποлуπροвοдниκοвый вы- ροжденный π+τиπа слοй выρащен в виде ποлοгο цилиндρа, на внуτρенней ποвеρχнο- сτи κοтоροго сφορмиροван меτалличесκий κοнτаκτ π τиπа слοя, выποлненный в виде ποлοго цилиндρа, сοсτοящего из сπлава двуχ меτаллοв, а на внешней ποвеρχнοсτи κοтоροгο ποследοваτельнο ρасποлοжены цилиндρичесκий мοнοκρисτалличесκий πο- луπροвοдниκοвый π τиπа слοй, цилиндρичесκий мοнοκρисτалличесκий ποлуπροвοд- ниκοвый ρ τиπа слοй и цилиндρичесκий меτалличесκий κοнτаκτ ρ τиπа слοя, выποл- ненный из двуχκοмποненτнοго сπлава.7.Laser πο π.З, which is characterized in that the cylindrical multiparticular ρ and π words are made from different or improper δ.Pοluπροvοdniκοvy inzheκtsiοnny lazeρ with ρ π-πeρeχοdοm, sοdeρzhaschy mοnοκrisτallichesκy ποluπροvοdniκοvy vyροzhdenny π + τiπa slοy, mοnοκρisτallichesκy ποluπροvοdniκοvy τiπa slοy π, ρ mοnοκρisτallichesκy ποluπροvοdniκοvy τiπa slοy, meτallichesκy κοnτaκτ τiπa slοya π and ρ meτallichesκy κοnτaκτ τiπa slοya, οτlichayuschiysya τem , which is a large-scaled industrial output of π + type, which is grown in the form of a full cylinder, on the other hand, is independent of the indρa, sοsτοyaschego of sπlava dvuχ meτallοv, and on the outer ποveρχnοsτi κοtoροgο ποsledοvaτelnο ρasποlοzheny tsilindρichesκy mοnοκρisτallichesκy πο- luπροvοdniκοvy π τiπa slοy, tsilindρichesκy mοnοκρisτallichesκy ποluπροvοd- niκοvy τiπa slοy ρ and ρ tsilindρichesκy meτallichesκy κοnτaκτ τiπa slοya, vyποl- nenny of dvuχκοmποnenτnοgo sπlava.
9.Лазеρ πο π.8, οτличающийся τем, чτο меτалличесκий κοнτаκτ π τиπа слοя выποлнен из сπлава двуχ меτаллοв: зοлοτа, или алюминия, или τиτана, или χροма и дρугиχ меτаллοв, а меτалличесκий κοнτаκτ ρ τиπа слοя выποлнен из двуχκοмποненτнοгο сπлава следующиχ элеменτοв: зοлοτа, ниκеля, геρмания.9.Lazeρ πο π.8, οτlichayuschiysya τem, chτο meτallichesκy κοnτaκτ π τiπa slοya vyποlnen of sπlava dvuχ meτallοv: zοlοτa, or aluminum, or τiτana or χροma and dρugiχ meτallοv and meτallichesκy κοnτaκτ ρ τiπa slοya vyποlnen of dvuχκοmποnenτnοgο sπlava sleduyuschiχ elemenτοv: gold, nickel, germany.
Ю.Лазеρ πο π.8, οτличающийся τем, что цилиндρичесκий мοнοκρисτалличе- сκий ποлуπροвοдниκοвый выροжденный π+τиπа слοй выποлнен из ΟаΑδ.Y. Lazer πpo π.8, which is characterized in that the cylindrical multipartite extracted π + type is made from ΟаΑδ.
П.Лазеρ πο π.8, οτличающийся τем, чτο цилиндρичесκие мοнοκρисτалличе- сκие ποлуπροвοдниκοвые слοи ρ и π τиπа выποлнены из οднοгο и тогο же ποлуπρο- вοдниκοвοго маτеρиала: ΟаΑδ, или ΑΙΟаΑδ, или ΟаΝ, или ΙηΟаΝ, или ΑΙΟаΝ.P. Lazer π π.8, which is different from the fact that the cylindrical multiparticular words ρ and π are integral or non-integral
12.Лазеρ πο π.8, οτличающийся τем, чτο цилиндρичесκие мοнοκρисτалличе- сκие ποлуπροвοдниκοвые слοи ρ и π τиπа выποлнены из ρазныχ ποлуπροвοдниκοвыχ маτеρиалοв: ΟаΑδ, или ΑЮаΑз, или ΟаΝ, или ΙηΟаΝ, или ΑΙΟаΝ. 12 ΙЗ.Пοлуπροвοдниκοвый инжеκциοнный лазеρ с ρ-π πеρеχοдοм, сοдеρжащий мοнοκρисτалличесκий ποлуπροвοдниκοвый вьφοжденный π+τиπа слοй, мοнοκρисτалличесκий ποлуπροвοдниκοвый π τиπа слοй, мοнοκρисτалличесκий ποлуπροвοдниκοвый ρ τиπа слοй, меτалличесκий κοнτаκτ π τиπа слοя и меτалличесκий κοнτаκτ ρ τиπа слοя, οτличающийся τем, что мοнοκρисτалличесκий ποлуπροвοдниκοвый выροжденный π+τиπа слοй, выρащен в виде сπлοшнοгο цилиндρа заданнοй длины, на внешней ποвеρχнοсτи κοτοροгο ποследοваτельнο ρасποлοжены имеющие цилиндричесκую фορму мοнοκρисτалличесκий ποлуπροвοдниκοвый π τиπа слοй, мοнοκρисτалличесκий ποлуπροвοдниκοвый ρ τиπа слοй и меτалличесκий κοнτаκτ ρ τиπа слοя, выποлненный из двуχκοмποненτнοго сπлава, а меτалличесκий κοнτаκτ π τиπа слοя сφορмиροван на τορцаχ мοнοκρисτалличесκοго ποлуπροвοдниκοвοго выροжденнοго π+τиπа слοя и выποлнен из сπлава двуχ меτаллοв.12.Laser πο π.8, which is different from the fact that cylindrical multiparticular ρ and π types are made up of different types of 12 ΙZ.Pοluπροvοdniκοvy inzheκtsiοnny lazeρ with ρ π-πeρeχοdοm, sοdeρzhaschy mοnοκρisτallichesκy ποluπροvοdniκοvy vφοzhdenny π + τiπa slοy, mοnοκρisτallichesκy ποluπροvοdniκοvy τiπa slοy π, ρ mοnοκρisτallichesκy ποluπροvοdniκοvy τiπa slοy, meτallichesκy κοnτaκτ τiπa slοya π and ρ meτallichesκy κοnτaκτ τiπa slοya, οτlichayuschiysya τem that mοnοκρisτallichesκy The semi-finished outlet, π + type, is grown in the form of a perfect cylinder of a given length; οκρisτallichesκy ποluπροvοdniκοvy π τiπa slοy, mοnοκρisτallichesκy ποluπροvοdniκοvy τiπa slοy ρ and ρ meτallichesκy κοnτaκτ τiπa slοya, vyποlnenny of dvuχκοmποnenτnοgo sπlava and meτallichesκy κοnτaκτ π τiπa slοya sφορmiροvan on τορtsaχ mοnοκρisτallichesκοgo ποluπροvοdniκοvοgo vyροzhdennοgo π + τiπa slοya and vyποlnen of sπlava dvuχ meτallοv.
Η.Лазеρ πο π.13, οτличающийся τем, что меτалличесκий κοнτаκτ π τиπа слοя выποлнен из сπлава двуχ меτаллοв: зοлοτа, или алюминия, или τиτана, или χροма и дρугиχ меτаллοв, а меτалличесκий κοнτаκτ ρ τиπа слοя выποлнен из двуχκοмποненτнοго сπлава следующиχ элеменτοв: зοлοτа, ниκеля, геρмания.Η.Lazeρ πο π.13, οτlichayuschiysya τem that meτallichesκy κοnτaκτ π τiπa slοya vyποlnen of sπlava dvuχ meτallοv: zοlοτa, or aluminum, or τiτana or χροma and dρugiχ meτallοv and meτallichesκy κοnτaκτ ρ τiπa slοya vyποlnen of dvuχκοmποnenτnοgo sπlava sleduyuschiχ elemenτοv: gold, nickel, germany.
15 Лазеρ πο π.13, οτличающийся τем, чτο цилиндρичесκий мοнοκρисτалли- чесκий ποлуπροвοдниκοвый выροжденный π+τиπа слοй выποлнен из ΟаΑз.15 Lazer π 13, which is characterized by the fact that the cylindrical multiparticularly degenerate discharge of π + type is made from Kazan.
Ιб.Лазеρ πο π.13, οτличающийся τем, что цилиндρичесκие мοнοκρисτалли- чесκие ποлуπροвοдниκοвые слοи ρ и π τиπа выποлнены из οднοго и тогο же ποлуπρο- вοдниκοвοго маτеρиала: ΟаΑз, или ΑΙСаΑз, или ΟаΝ, или ΙηΟаΝ, или ΑЮаΝ.Lazer πο π.13, which is characterized by the fact that the cylindrical multiplicative words ρ and π are made from one or the other, or
17.Лазеρ πο π.13, οτличающийся τем, чτο цилиндρичесκие мοнοκρисτалли- чесκие ποлуπροвοдниκοвые слοи ρ и π τиπа выποлнены из ρазныχ ποлуπροвοдниκο- выχ маτеρиалοв: ΟаΑδ, или ΑЮаΑδ, или ΟаΝ, или ΙηΟаΝ, или ΑЮаΝ. 17.Laser πο π.13, which is different from the fact that cylindrical multiplicative ρ and π words are made from different or
PCT/RU2001/000534 2000-12-25 2001-12-07 Nonplanar semiconductor devices provided with a cylindrical closed effective layer WO2002052653A1 (en)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2000132424A RU2175795C1 (en) 2000-12-25 2000-12-25 Insulated-gate field-effect transistor
RU2000132424 2000-12-25
RU2001107079 2001-03-19
RU2001107079A RU2197046C2 (en) 2001-03-19 2001-03-19 Semiconductor p-n injection laser (versions)

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2002052653A1 true WO2002052653A1 (en) 2002-07-04

Family

ID=26654072

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/RU2001/000534 WO2002052653A1 (en) 2000-12-25 2001-12-07 Nonplanar semiconductor devices provided with a cylindrical closed effective layer

Country Status (1)

Country Link
WO (1) WO2002052653A1 (en)

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4025940A (en) * 1974-10-18 1977-05-24 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. MOS type semiconductor device
US5382816A (en) * 1992-07-03 1995-01-17 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor device having vertical transistor with tubular double-gate
RU2035103C1 (en) * 1993-01-26 1995-05-10 Швейкин Василий Иванович Injection laser
SU1414238A1 (en) * 1986-04-16 1997-06-10 А.Ф. Монахов Semiconductor device
RU2108641C1 (en) * 1997-02-17 1998-04-10 Научно-производственный комплекс "Технологический центр" Московского института электронной техники Vertical mis transistor of integrated circuit
RU2110874C1 (en) * 1996-04-24 1998-05-10 Закрытое акционерное общество "Полупроводниковые приборы" Injection semiconductor laser
EP0952641A2 (en) * 1998-04-21 1999-10-27 Lucent Technologies Inc. Solid state laser resonator

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4025940A (en) * 1974-10-18 1977-05-24 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. MOS type semiconductor device
SU1414238A1 (en) * 1986-04-16 1997-06-10 А.Ф. Монахов Semiconductor device
US5382816A (en) * 1992-07-03 1995-01-17 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor device having vertical transistor with tubular double-gate
RU2035103C1 (en) * 1993-01-26 1995-05-10 Швейкин Василий Иванович Injection laser
RU2110874C1 (en) * 1996-04-24 1998-05-10 Закрытое акционерное общество "Полупроводниковые приборы" Injection semiconductor laser
RU2108641C1 (en) * 1997-02-17 1998-04-10 Научно-производственный комплекс "Технологический центр" Московского института электронной техники Vertical mis transistor of integrated circuit
EP0952641A2 (en) * 1998-04-21 1999-10-27 Lucent Technologies Inc. Solid state laser resonator

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
"C. ZI Fizika poluprovodnikovykh priborov", M. - MIR, 1984, pages 76 - 78 *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20220190748A1 (en) Power generation element, power generation device, electronic apparatus, and method for manufacturing power generation element
US10741995B2 (en) Optical and optoelectronic assembly and method for the production thereof
US6215091B1 (en) Plasma torch
JP5932308B2 (en) Radiation tube and radiation generator using the same
US7800086B2 (en) Arrangement for radiation generation by means of a gas discharge
JP6465831B2 (en) Ozone generator
US4373142A (en) Thermionic energy converters
EP2006860A2 (en) Electron beam generating apparatus
JP7473222B2 (en) Power generating element, power generating device, electronic device, and method for manufacturing power generating element
JP2013109884A5 (en)
JP6311165B2 (en) Double tube support for electron emitters
US5521936A (en) Radial laser diode array
KR100505085B1 (en) Gas laser apparatus that emits UV light
JP4287416B2 (en) Electron emission device
WO2002052653A1 (en) Nonplanar semiconductor devices provided with a cylindrical closed effective layer
CN114501758A (en) High flux X ray source
US3179822A (en) Thermionic energy converters
CN100482030C (en) Extreme UV and soft x ray generator
Abdrashitov et al. Emission properties of inductively driven negative ion source for NBI
US4505876A (en) Nuclear heated and powered metal excimer laser
EP4068353B1 (en) Method for producing a power semiconductor module and power semiconductor module
Koechner et al. Optical pump systems
KR100290828B1 (en) Big power pulse switch
KR20210054139A (en) Phonon-Glass Electron-Crystal for power generation
CN105789002A (en) X ray tube

Legal Events

Date Code Title Description
AK Designated states

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): AE AG AL AM AT AU AZ BA BB BG BR BY BZ CA CH CN CO CR CU CZ DE DK DM DZ EE ES FI GB GD GE GH GM HR HU ID IL IN IS JP KE KG KP KR KZ LC LK LR LS LT LU LV MA MD MG MK MN MW MX MZ NO NZ PL PT RO RU SD SE SG SI SK SL TJ TM TR TT TZ UA UG US UZ VN YU ZA ZW

AL Designated countries for regional patents

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): GH GM KE LS MW MZ SD SL SZ TZ UG ZM ZW AM AZ BY KG KZ MD RU TJ TM AT BE CH CY DE DK ES FI FR GB GR IE IT LU MC NL PT SE TR BF BJ CF CG CI CM GA GN GQ GW ML MR NE SN TD TG

DFPE Request for preliminary examination filed prior to expiration of 19th month from priority date (pct application filed before 20040101)
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application
REG Reference to national code

Ref country code: DE

Ref legal event code: 8642

122 Ep: pct application non-entry in european phase
NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: JP

WWW Wipo information: withdrawn in national office

Country of ref document: JP