WO2002043149A1 - Semiconductor device - Google Patents

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WO2002043149A1
WO2002043149A1 PCT/JP2001/010098 JP0110098W WO0243149A1 WO 2002043149 A1 WO2002043149 A1 WO 2002043149A1 JP 0110098 W JP0110098 W JP 0110098W WO 0243149 A1 WO0243149 A1 WO 0243149A1
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WO
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serial
semiconductor chip
data
serial data
parallel
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Application number
PCT/JP2001/010098
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Japanese (ja)
Inventor
Takeshi Ikeda
Hiroshi Miyagi
Original Assignee
Niigata Seimitsu Co., Ltd.
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Filing date
Publication date
Application filed by Niigata Seimitsu Co., Ltd. filed Critical Niigata Seimitsu Co., Ltd.
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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03MCODING; DECODING; CODE CONVERSION IN GENERAL
    • H03M9/00Parallel/series conversion or vice versa

Definitions

  • the present invention relates to a semiconductor device, in particular, a semiconductor device including a semiconductor chip having a plurality of functional blocks as an internal logic circuit, or a plurality of semiconductor chips or a semiconductor chip and another electronic circuit arranged in a short distance. It is suitable for use in a manufactured semiconductor device or the like.
  • Recent semiconductor integrated circuits represented by the system LSI are often configured by mounting a plurality of function blocks on one chip.
  • the function referred to here is, for example, the whole processing to be realized by one semiconductor chip divided into coherent and small functional units.
  • the first mode is a mode in which a semiconductor chip is assembled into a semiconductor package and mounted on a substrate of an electronic device or a module via a lead frame of the semiconductor package by soldering or the like.
  • the second mode is a mode in which a semiconductor chip is directly mounted on a motherboard main body or a module substrate of an electronic device by soldering or the like without being housed in a semiconductor package.
  • the second mode is a mounting mode called COB (chip on board).
  • COB chip on board
  • the semiconductor chip and the circuit pattern on the substrate are electrically connected using wire-pound connection technology, TAB (tape automated bonding) connection technology, or flip-chip connection technology.
  • TAB tape automated bonding connection technology
  • flip-chip connection technology which connection technique In this technique, an electrode pad on the surface of a semiconductor chip is electrically connected to an electrode pad of a circuit pattern formed on a substrate or one end of a plurality of leads formed on a tape carrier.
  • a conventional semiconductor chip having a plurality of functional blocks is configured to transmit digital data in parallel through a plurality of wires in order to exchange digital data at high speed between the functional blocks. Therefore, many wirings are provided between a plurality of functional blocks in a semiconductor chip.
  • COB-based semiconductor chips use digital electrodes via multiple electrode pads to exchange digital data with external electronic circuits or other semiconductor chips at high speed via circuit patterns on the substrate. It is designed to transmit data in parallel. Therefore, many electrode pads are provided on a semiconductor chip.
  • each of the electrode pads only serves as an input / output terminal of the semiconductor chip, but each one requires a relatively large area. Therefore, there is a problem that the size of the semiconductor chip is increased by providing a large number of electrode pads irrelevant to the original function of the semiconductor chip.
  • the present invention has been made to solve such a problem, and reduces the number of wirings inside and outside the semiconductor chip and the number of electrode pads required for the semiconductor chip, thereby reducing the chip size and COB substrate size.
  • An object of the present invention is to reduce the size of the chip and increase the ratio of the effective area of the chip, and to simplify the test operation. Disclosure of the invention
  • a semiconductor device is a semiconductor device having a plurality of functional blocks in a semiconductor chip, wherein the semiconductor chip includes a serial / parallel conversion circuit that converts serial data and parallel data to each other. A feature is provided for each block, and data input / output between the plurality of functional blocks is performed using the serial data.
  • the serial / parallel conversion circuit includes The serial novel parallel conversion is performed according to an operating frequency higher than the operating frequency of the active block.
  • a semiconductor device in which a plurality of semiconductor chips or a semiconductor chip and another electronic circuit are arranged on the same substrate, wherein the semiconductor chip stores serial data and parallel data.
  • a serial-to-parallel conversion circuit for mutually converting is provided, and the serial data is input to and output from the outside of the semiconductor chip.
  • the serial / parallel conversion circuit performs serial / parallel conversion in accordance with an operation frequency higher than an operation frequency of an electronic device including the semiconductor chip.
  • a serial / parallel conversion circuit for converting serial data and parallel data into and out, and a semiconductor chip for inputting / outputting the serial data to / from the outside. It shall be.
  • a semiconductor device in which a plurality of semiconductor chips or a semiconductor chip and another electronic circuit are arranged on the same substrate, wherein the semiconductor chip stores serial data and parallel data.
  • a serial-to-parallel converter that converts each other, a transmitter that modulates and transmits the serial data converted by the serial-to-parallel converter, and a demodulated serial that receives and demodulates the serial data modulation signal.
  • a receiving circuit for outputting data to the serial / parallel conversion circuit to convert the data to the parallel data; and an antenna circuit for transmitting / receiving a modulation signal of the serial data. It is characterized in that input / output is made to the outside of the chip.
  • a serial / parallel conversion circuit for converting serial data and parallel data into and out of each other;
  • a transmission circuit that modulates and transmits the serial data converted by the conversion circuit; and receives and demodulates the modulated signal of the serial data, and converts the demodulated serial data into the parallel data to convert the demodulated serial data into the parallel data.
  • a semiconductor chip having therein a receiving circuit for outputting to a parallel conversion circuit, an antenna circuit for transmitting and receiving the modulated signal of the serial data, and an antenna circuit for transmitting and receiving the modulated signal.
  • parallel data processed by a certain functional block in a semiconductor chip is converted into serial data and output to another functional block.
  • the wiring for data input / output between each functional block in the semiconductor chip only needs to be provided as many as necessary for serial data transmission.
  • the number of wires between them can be significantly reduced. Therefore, the wiring area in the semiconductor chip can be reduced, the chip size can be reduced, or the degree of integration can be improved while keeping the chip size the same.
  • the parallel processing performed inside the semiconductor chip is converted into serial data and output to the outside of the semiconductor chip. Also, serial data input from outside the semiconductor chip is converted into parallel data and processed inside the semiconductor chip. As a result, the number of electrode pads on the semiconductor chip need only be set to the number required for serial data transmission, and the number of electrode pads used is greatly reduced compared to conventional parallel data transmission. be able to.
  • wiring for data transmission between semiconductor chips or external electronic circuits requires only a small number of wirings required for serial data transmission, simplifying wiring. can do.
  • the number of electrode pads is small, a semiconductor chip having good resistance to static electricity and noise can be provided. Further, the test operation performed on the manufactured semiconductor chip can be simplified, and the test time can be significantly reduced.
  • the serial data converted from the parallel data inside the semiconductor chip is further modulated and transmitted outside the semiconductor chip by radio.
  • a modulation signal of serial data received from outside the semiconductor chip by radio is demodulated, further converted into parallel data, and processed inside the semiconductor chip.
  • the size of the semiconductor chip can be further reduced, or the degree of integration can be further improved with the same chip size.
  • wiring for data transmission between semiconductor chips or an external electronic circuit is not required, and the wiring can be further simplified.
  • a semiconductor chip having better resistance to static electricity and noise can be provided.
  • the test of the manufactured semiconductor chip can be performed in a non-contact manner, so that the test operation can be further simplified and the test time can be greatly reduced.
  • FIG. 1 is a diagram showing an example of a configuration of a main part of a semiconductor chip according to a first embodiment which implements a semiconductor device according to the present invention.
  • FIG. 2 is a diagram showing a configuration example of a main part of a semiconductor chip according to a second embodiment in which a semiconductor device according to the present invention is implemented.
  • FIG. 3 is a diagram showing a configuration example of a semiconductor device configured by mounting the semiconductor chip shown in FIG. 2 on a substrate.
  • FIG. 4 is a diagram showing a configuration example of a main part of a semiconductor chip according to a third embodiment in which a semiconductor device according to the present invention is implemented.
  • FIG. 1 is a diagram showing an example of a configuration of a main part of a semiconductor chip according to a first embodiment which implements a semiconductor device according to the present invention. Note that FIG. 1 shows the components existing in the semiconductor chip as blocks, and does not faithfully represent the size of the circuit layout.
  • the semiconductor chip 1 of this embodiment a plurality of functional blocks 2 as a circuit for performing as a whole the desired processing - and a I 2 _ 2.
  • These functional blocks 2 - I 2 _ 2 each include an integrated circuit portion 3 have 3-2 for realizing a specific function.
  • the integrated circuit portion 3, 3-2 is similar to that conventional semiconductor chip is provided, exchange of digital data between the outside is performed in parallel form.
  • the semiconductor chip 1 of the present embodiment further respective functional blocks 2 - ⁇ , serial within 2 _ 2 Z parallel conversion section 4 _! , 4 2 are provided. These serial-parallel conversion unit 4, 4 _ 2 and the integrated circuit portion 3 _ ⁇ , is between 3 _ 2, are wired to be able to transmit and receive digital data at a parallel format.
  • serial Z parallel converter 4, 4 _ 2 it is wired so as to be able to transmit and receive digital data Te into serial form.
  • Figure 1 shows the serial / parallel converter 4! , 4 the wiring is shown only one of between 2, the serial interconnection of digital data input and output, in fact, wiring for and for data output the data input is provided one by one.
  • the serial Z parallel varying section 4 _ ,, 4 _ 2 converts the serial data input from the outside of the functional block 2 _ i, 2 2 to the parallel data integrated circuit portion 3 _, 3- 2 It also performs processing to output to.
  • Serial Roh parallel converter 4 the operating frequency of the serial / Parallel conversion performed at 4 _ 2, and the integrated circuit portion 3 i, 3 _ 2, the operating frequency of the entire including electronic devices or modules of the semiconductor chip 1 Use a higher frequency than.
  • the integrated circuit portion 3 have 3-2 serial Roh parallel converter 4 _! ,
  • the transmission speed of the serial data is set to a predetermined multiple of the transmission speed of the parallel data.
  • the functional blocks of the semiconductor chip 1 2, the serial Roh parallel converter 4-t, 4 2 provided in the 2 2, each function in the semiconductor chip 1 block 2 _ i, 2-spear collected since to carry out at rehearsal serial data between the two, is possible to significantly reduce the wiring for digital data input and output between the functional blocks 2 _ i, 2 _ 2
  • the wiring area in the semiconductor chip 1 can be reduced.
  • FIG. 2 is a diagram showing a configuration example of a main part of a semiconductor chip according to a second embodiment in which a semiconductor device according to the present invention is implemented. Note that FIG. 2 illustrates the components existing in the semiconductor chip as blocks, and does not faithfully represent the circuit layout size.
  • a semiconductor chip 11 of the present embodiment includes an integrated circuit section 12 that performs processing for realizing a desired function.
  • the integrated circuit section 12 is similar to that provided in a conventional semiconductor chip, and exchange of digital data with the outside of the circuit is performed in a parallel format.
  • the semiconductor chip 11 of the present embodiment further includes a serial / parallel converter 13.
  • the serial Z-parallel converter 13 and the integrated circuit 12 are wired so that digital data can be transmitted and received in a parallel format.
  • the integrated circuit section 12 and the serial / parallel conversion section 13 receive power from an electrode pad 14 provided for a power supply Vcc and an electrode pad 15 provided for grounding. Operate.
  • the serial / Z-parallel converter 13 converts the parallel data input from the integrated circuit 12 into serial data and outputs the serial data to the data input / output electrode pad 16. Further, the serial / parallel converter 13 converts the serial data input from the data input / output electrode pad 16 into parallel data, and outputs the parallel data to the integrated circuit 12.
  • the electrode pad for data input / output is connected to the serial / parallel converter. Is arranged in the vicinity of.
  • FIG. 2 shows only one wire between the serial / parallel conversion unit 13 and the electrode pad 16, actually, one wire for data input and one wire for data output are provided. There are also two electrode pads.
  • the operating frequency of the serial / parallel conversion performed by the serial / parallel converter 13 uses a higher frequency than the operating frequency of the electronic device including the integrated circuit unit 12 and the semiconductor chip 11 or the entire module.
  • the integrated circuit section 12 operates at an operating frequency of 500 MHz and there are 16 parallel wirings between the integrated circuit section 12 and the serial / parallel conversion section 13
  • the transmission speed of the serial data is set to be a predetermined multiple or more of the transmission speed of the parallel data.
  • FIG. 3 is a diagram showing a configuration example of a COB semiconductor device configured by mounting the semiconductor chip 11 shown in FIG. 2 on a substrate.
  • each semiconductor chip 1 1 _ i , 1 1 _ 2 configured as in FIG. 2, is built serial / Parallel conversion unit 1 s 3 1 3 2 in each chip. This ensures that the semiconductor chip 1 1 _ t, 1 1 - exchange of data between the two, as performed by the serial data via the electrode pad 1 6- i, 1 6 _ 2 for serial data input and output I do.
  • the wiring between the two semiconductor chips 11 1-i and 1 12 is shown here, three or more semiconductor chips 11 are connected to the same base. Even when mounted on the board 21, the serial-to-parallel converter 13 is built into each semiconductor chip 11, and data exchange between the semiconductor chips 11 is performed by serial data. .
  • the serial Z-parallel converter 13 is provided in the semiconductor chip 11, and the exchange between the semiconductor chip 11 and its external circuit is performed by serial data. Therefore, as electrode pads for digital data input / output, only electrode pads 16 for serial data input / output need be provided in addition to electrode pads 14 and 15 for power supply. Can significantly reduce the number of nodes used.
  • the size of the semiconductor chip 11 can be reduced.
  • the buffer area around the chip which was conventionally used as an electrode pad, can be effectively used as an area for an integrated circuit, and the degree of integration can be improved with the same chip size.
  • the number of protection circuits can be reduced together with the electrode pad, and the chip is used for an integrated circuit in the chip.
  • the possible effective area can be increased.
  • the wiring between the semiconductor chip 11 of the present embodiment and an external electronic circuit or another semiconductor chip can be reduced by a small number required for serial data transmission. Only wiring.
  • wiring between a plurality of semiconductor chips arranged on the same substrate, or a connection between the semiconductor chip 11 and another electronic circuit. The wiring between them can be simplified, and the wiring area can be greatly reduced.
  • FIG. 4 is a diagram showing a configuration example of a main part of a semiconductor chip according to the third embodiment.
  • the same components as those shown in FIG. 2 are denoted by the same reference numerals.
  • FIG. 4 shows the components existing in the semiconductor chip as blocks, similarly to FIG. 2, and does not faithfully represent the layout size of the circuit.
  • a semiconductor chip 31 As shown in FIG. 4, a semiconductor chip 31 according to the third embodiment has an integrated circuit section 12, a serial Z-parallel conversion section 13 and a power supply electrode pad 1 similar to the one shown in FIG. 4, 15 are provided. Further, the semiconductor chip 31 includes a transmission circuit 32, a reception circuit 33, and an antenna circuit 34.
  • the transmission circuit 32 includes an oscillation circuit and a modulation circuit, modulates the serial data supplied from the serial / parallel conversion unit 13, and wirelessly transmits the data to the outside of the chip via the antenna circuit 34. Perform the following processing.
  • the transmission circuit 32 of the present embodiment has a capability of directly modulating high-speed serial data converted at a high frequency in the serial / parallel conversion unit 13.
  • the receiving circuit 33 includes an RF (radio frequency) filter, an IF (intermed iate frequency) filter, a demodulation circuit, and the like, and demodulates data received from outside the chip via the antenna circuit 34.
  • the obtained serial data is output to the serial / parallel converter # 3.
  • the antenna circuit 34 is a circuit for transmitting and receiving data wirelessly using devices such as radio waves, light, and magnetic fields.
  • devices such as radio waves, light, and magnetic fields.
  • sufficient power is necessary to wirelessly couple short-range chips.
  • a small antenna circuit for transmitting and receiving data is used. Since the antenna circuit 34 is for performing high-frequency, short-range wireless communication, it is possible to form the antenna circuit 34 with a circuit pattern made of aluminum, for example.
  • each semiconductor chip is configured as shown in FIG. 4, and the serial Z-parallel conversion unit 13 and the transmission circuit 32.
  • the receiving circuit 33 and the antenna circuit 34 are built in each chip. As a result, in the exchange between the semiconductor chips, the serial data is transmitted wirelessly via the antenna circuit 34.
  • the serial-to-parallel conversion unit 13 is provided in the semiconductor chip 31 to exchange data with an external circuit using serial data, Since a serial transmission / reception circuit is provided to transmit the serial data wirelessly, only the semiconductor chip 31 needs to be provided with the electrode pads 14 and 15 for power supply (the second embodiment).
  • the electrode pad 16 for serial data input / output described in (1) is also unnecessary), and the number of electrode pads used can be significantly reduced.
  • the size of the semiconductor chip 31 can be reduced, The usable area available for the integrated circuit can be increased.
  • a protection circuit is usually provided for each electrode pad in a semiconductor chip, the number of protection circuits can be reduced together with the electrode pad, and the degree of integration is significantly improved with the same chip size. Can be improved.
  • data is transmitted wirelessly, wiring between semiconductor chips is not required, and wiring between semiconductor chips can be simplified.
  • soldering work is hardly required in the manufacturing process of the semiconductor chip 31, so that the manufacturing process can be simplified and the manufacturing cost can be reduced.
  • the test when testing a manufactured semiconductor chip, the test can be performed by sending a test message wirelessly, and it is not a contact test such as applying a probe needle but a non-contact test. Can be realized. As a result, the test work can be greatly simplified and the test time can be significantly reduced.
  • the case where a plurality of semiconductor chips 31 are mounted on the same substrate has been described.
  • the same semiconductor substrate 31 is mounted on the same substrate.
  • the present invention can be applied to a plurality of semiconductor chips mounted on different substrates or a semiconductor chip and other electronic circuits.
  • the present invention can reduce the number of wirings inside and outside a semiconductor chip and the number of electrode pads required for the semiconductor chip, reduce the chip size and COB substrate size, and increase the effective area of the chip. This is useful for simplifying the test work.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)

Abstract

A semiconductor chip (1) comprises function blocks (2-1, 2-1) including serial/parallel converting sections (4-1, 4-2) for converting serial data to parallel data and vice versa. Only serial data is inputted/outputted into/from the functional blocks (2-1, 2-1). Hence, only lines the number of which can be the one required to transmit serial data are provided, thus reducing the number of lines in the chip.

Description

明 細 書 半導体装置 技術分野  Description Semiconductor device technology
本発明は半導体装置に関し、 特に、 複数の機能ブロックを内部論理回 路として備えた半導体チップから成る半導体装置、 あるいは、 複数の半 導体チップまたは半導体チップと他の電子回路とが近距離間に配置され た半導体装置などに用いて好適なものである。 背景技術  The present invention relates to a semiconductor device, in particular, a semiconductor device including a semiconductor chip having a plurality of functional blocks as an internal logic circuit, or a plurality of semiconductor chips or a semiconductor chip and another electronic circuit arranged in a short distance. It is suitable for use in a manufactured semiconductor device or the like. Background art
システム L S I に代表される近年の半導体集積回路は、 複数の機能ブ ロックを 1チップ上に実装して構成されることが多い。 こ こで言う機能 とは、 例えば 1 つの半導体チップで実現しょう とする処理全体を、 まと まりのある小さな機能単位で分割したものである。  Recent semiconductor integrated circuits represented by the system LSI are often configured by mounting a plurality of function blocks on one chip. The function referred to here is, for example, the whole processing to be realized by one semiconductor chip divided into coherent and small functional units.
また、 このような半導体チップを基板上に実装する形態には、 大きく 分けて 2つの形態がある。. 第 1 の形態は、 半導体チップを半導体パッケ ' —ジにアセンブリ し、 当該半導体パッケージのリー ドフレームを介して 電子機器やモジュールの基板にはんだ等により搭載する形態である。 第 2の形態は、 半導体チップを半導体パッケージに収納することなく、 電 子機器のマザ一ボー ド本体やモジュール基板等にはんだ等により直接搭 載する形態である。  In addition, there are roughly two forms of mounting such a semiconductor chip on a substrate. The first mode is a mode in which a semiconductor chip is assembled into a semiconductor package and mounted on a substrate of an electronic device or a module via a lead frame of the semiconductor package by soldering or the like. The second mode is a mode in which a semiconductor chip is directly mounted on a motherboard main body or a module substrate of an electronic device by soldering or the like without being housed in a semiconductor package.
上記第 2の形態は、 C O B (chip on board) と呼ばれる実装形態であ る。 この C O Bでは、 ワイヤポンド接続技術、 T A B (tape automated bonding) 接続技術、 あるいはフリ ップチップ接続技術を用いて、 半導体 チップと基板上の回路パターンとが電気的に接続される。 何れの接続技 術においても、 半導体チップ表面の電極パッ ドと、 基板上に形成された 回路パターンの電極パッ ドあるいはテープキヤ リァ上に形成された複数 リー ドの一端とが電気的に接続される。 The second mode is a mounting mode called COB (chip on board). In this COB, the semiconductor chip and the circuit pattern on the substrate are electrically connected using wire-pound connection technology, TAB (tape automated bonding) connection technology, or flip-chip connection technology. Which connection technique In this technique, an electrode pad on the surface of a semiconductor chip is electrically connected to an electrode pad of a circuit pattern formed on a substrate or one end of a plurality of leads formed on a tape carrier.
複数の機能ブロックを有する従来の半導体チップは、 各機能ブロック 間でデジタルデ一夕を高速にやり取りするために、 複数の配線によって デジタルデータをパラレルにて伝送するように成されている。 そのため 、 半導体チップ内には、 複数の機能ブロック間に多くの配線が設けられ る。  A conventional semiconductor chip having a plurality of functional blocks is configured to transmit digital data in parallel through a plurality of wires in order to exchange digital data at high speed between the functional blocks. Therefore, many wirings are provided between a plurality of functional blocks in a semiconductor chip.
そのため、 論理回路そのものではない配線が半導体チップ内で非常に 多くの面積をとつてしまい、 それだけ半導体チップのサイズが大きくな つてしまう という問題があった。 最近では、 半導体チップのサイズを小 さくするために、 個々の配線の線幅や配線間ピッチを細くする試みも行 われているが、 これによる微細化には限界がある。  As a result, there has been a problem that wiring that is not a logic circuit itself takes up a very large area in the semiconductor chip, and the size of the semiconductor chip increases accordingly. Recently, attempts have been made to reduce the line width of individual wiring and the pitch between wirings in order to reduce the size of semiconductor chips, but there is a limit to miniaturization.
また、 従来の C O Bによる半導体チップは、 基板上の回路パターンを 介して外部の電子回路あるいは他の半導体チップとデジタルデ一夕を高 速にやり取りするために、 複数の電極パッ ドを介してデジタルデータを パラレルにて伝送するように成されている。 そのため、 半導体チップに は多くの電極パッ ドが設けられる。  In addition, conventional COB-based semiconductor chips use digital electrodes via multiple electrode pads to exchange digital data with external electronic circuits or other semiconductor chips at high speed via circuit patterns on the substrate. It is designed to transmit data in parallel. Therefore, many electrode pads are provided on a semiconductor chip.
しかしながら、 電極パッ ドは半導体チップの入出力端子の役割を持つ に過ぎないが、 1 つ 1つは比較的大きな面積を必要とする。 よって、 半 導体チップの本来の機能とは関係のない電極パッ ドが多く設けられるこ とによって、 半導体チップのサイズが大きくなつてしまうという問題が あった。  However, each of the electrode pads only serves as an input / output terminal of the semiconductor chip, but each one requires a relatively large area. Therefore, there is a problem that the size of the semiconductor chip is increased by providing a large number of electrode pads irrelevant to the original function of the semiconductor chip.
また、 半導体チップに電極パッ ドを設ける場合は、 外部から与えられ る静電気や雑音によって半導体チップ内の集積回路が破壊されないよう に、 個々の電極パッ ドに対して保護回路が設けられることが多い。 とこ ろが、 この場合は、 半導体チップ内で必要な機能を実現する集積回路部 分の面積に対して、 電極パッ ドゃ保護回路を含むチップ周辺におけるバ ッファ領域の面積の割合が非常に大きくなつてしまい、 チップ全体の面 積を有効に活用できていないという問題があった。 When an electrode pad is provided on a semiconductor chip, a protection circuit is often provided for each electrode pad so that an integrated circuit in the semiconductor chip is not destroyed by externally applied static electricity or noise. . Toko However, in this case, the ratio of the area of the buffer region around the chip including the electrode pad and the protection circuit to the area of the integrated circuit that realizes the necessary functions in the semiconductor chip becomes very large. As a result, there was a problem that the area of the entire chip could not be effectively utilized.
また、 デジタルデータをパラレルにて伝送するために、 半導体チップ と外部の電子回路あるいは他の半導体チップとの間の配線も複数必要に なって非常に複雑になり、 C O Bの基板面積の縮小などを図る上でネッ クとなっていた。  Also, in order to transmit digital data in parallel, multiple wirings between the semiconductor chip and external electronic circuits or other semiconductor chips are required, which is extremely complicated, and reduces the COB substrate area. It was a network in planning.
さ らに、 従来の半導体チップには多く の電極パッ ドがあるため、 製造 した半導体チップについてテス トを行う場合には、 ゥェ一ハチップの全 てのパッ ド電極上にプローブ針を当ててテス トを行う必要がある。 その ため、 テス ト作業が煩雑になるとともに、 テス ト時間が非常に長くなつ てしまうという問題があった。  In addition, since conventional semiconductor chips have many electrode pads, when testing manufactured semiconductor chips, probe needles should be applied to all the pad electrodes of wafer chips. Testing must be performed. Therefore, there is a problem that the test work becomes complicated and the test time becomes very long.
本発明は、 このような問題を解決するために成されたものであり、 半 導体チップ内外の配線や、 半導体チップに必要な電極パッ ドの数を削減 し、 チップサイズや C O Bの基板サイズを小さく したり、 チップの有効 面積の割合を大きくすることができるようにするとともに、 テス ト作業 を簡略化できるようにすることを目的とする。 発明の開示  The present invention has been made to solve such a problem, and reduces the number of wirings inside and outside the semiconductor chip and the number of electrode pads required for the semiconductor chip, thereby reducing the chip size and COB substrate size. An object of the present invention is to reduce the size of the chip and increase the ratio of the effective area of the chip, and to simplify the test operation. Disclosure of the invention
本発明の半導体装置は、 半導体チップ内に複数の機能ブロックを有す る半導体装置であって、 上記半導体チップは、 シリアルデータとパラレ ルデータとを相互に変換するシリアル パラレル変換回路を上記複数の 機能ブロック毎に備え、 上記複数の機能ブロック間のデータ入出力を上 記シリ アルデータで行うようにしたことを特徴とする。  A semiconductor device according to the present invention is a semiconductor device having a plurality of functional blocks in a semiconductor chip, wherein the semiconductor chip includes a serial / parallel conversion circuit that converts serial data and parallel data to each other. A feature is provided for each block, and data input / output between the plurality of functional blocks is performed using the serial data.
本発明の他の態様では、 上記シリ アル/パラレル変換回路は、 上記機 能ブロックの動作周波数より も高い動作周波数に従ってシリアルノバラ レル変換を行う ことを特徴とする。 In another embodiment of the present invention, the serial / parallel conversion circuit includes The serial novel parallel conversion is performed according to an operating frequency higher than the operating frequency of the active block.
本発明のその他の態様では、 複数の半導体チップ、 あるいは半導体チ ップと他の電子回路とが同一基板上に配置された半導体装置であって、 上記半導体チップは、 シリアルデータとパラレルデータとを相互に変換 するシリアルノパラレル変換回路を備え、 上記シリアルデ一夕を上記半 導体チップの外部に対して入出力するようにしたことを特徴とする。 本発明のその他の態様では、 上記シリアル/パラレル変換回路は、 上 記半導体チップを備える電子機器の動作周波数より も高い動作周波数に 従ってシリアル/パラレル変換を行う ことを特徴とする。  According to another aspect of the present invention, there is provided a semiconductor device in which a plurality of semiconductor chips or a semiconductor chip and another electronic circuit are arranged on the same substrate, wherein the semiconductor chip stores serial data and parallel data. A serial-to-parallel conversion circuit for mutually converting is provided, and the serial data is input to and output from the outside of the semiconductor chip. In another aspect of the present invention, the serial / parallel conversion circuit performs serial / parallel conversion in accordance with an operation frequency higher than an operation frequency of an electronic device including the semiconductor chip.
本発明のその他の態様では、 シリアルデータとパラレルデータとを相 互に変換するシリアル/パラレル変換回路を内部に備え、 上記シリアル デ一夕を外部に対して入出力する半導体チップを有することを特徴とす る。  According to another aspect of the present invention, there is provided a serial / parallel conversion circuit for converting serial data and parallel data into and out, and a semiconductor chip for inputting / outputting the serial data to / from the outside. It shall be.
本発明のその他の態様では、 複数の半導体チップ、 あるいは半導体チ ップと他の電子回路とが同一基板上に配置された半導体装置であって、 上記半導体チップは、 シリアルデータとパラレルデータとを相互に変換 するシリ アル Zパラレル変換回路と、 上記シリアル Zパラレル変換回路 により変換されたシリアルデータを変調して送信する送信回路と、 上記 シリアルデータの変調信号を受信して復調し、 復調したシリアルデータ を上記パラレルデータに変換するべく上記シリアル パラレル変換回路 に出力する受信回路と、 上記シリアルデータの変調信号を送受信するた めのアンテナ回路とを備え、 上記シリアルデータの変調信号を上記半導 体チップの外部に対して入出力するようにしたことを特徴とする。  According to another aspect of the present invention, there is provided a semiconductor device in which a plurality of semiconductor chips or a semiconductor chip and another electronic circuit are arranged on the same substrate, wherein the semiconductor chip stores serial data and parallel data. A serial-to-parallel converter that converts each other, a transmitter that modulates and transmits the serial data converted by the serial-to-parallel converter, and a demodulated serial that receives and demodulates the serial data modulation signal. A receiving circuit for outputting data to the serial / parallel conversion circuit to convert the data to the parallel data; and an antenna circuit for transmitting / receiving a modulation signal of the serial data. It is characterized in that input / output is made to the outside of the chip.
本発明のその他の態様では、 シリアルデータとパラレルデータとを相 互に変換するシリアルノパラレル変換回路と、 上記シリ アル/パラレル 変換回路により変換されたシリ アルデータを変調して送信する送信回路 と、 上記シリアルデータの変調信号を受信して復調し、 復調したシリア ルデ一夕を上記パラレルデ一夕に変換するべく上記シリアル/パラレル 変換回路に出力する受信回路と、 上記シリアルデ一夕の変調信号を送受 信するためのアンテナ回路と、 を内部に備えた半導体チップを有するこ とを特徴とする。 According to another aspect of the present invention, there is provided a serial / parallel conversion circuit for converting serial data and parallel data into and out of each other; A transmission circuit that modulates and transmits the serial data converted by the conversion circuit; and receives and demodulates the modulated signal of the serial data, and converts the demodulated serial data into the parallel data to convert the demodulated serial data into the parallel data. A semiconductor chip having therein a receiving circuit for outputting to a parallel conversion circuit, an antenna circuit for transmitting and receiving the modulated signal of the serial data, and an antenna circuit for transmitting and receiving the modulated signal.
上記のように構成した本発明によれば、 半導体チップ内のある機能ブ ロックで処理されたパラレルデータがシリアルデ一夕に変換されて他の 機能ブロックへと出力されることとなる。 これにより、 半導体チップ内 の各機能ブロック間におけるデータ入出力用の配線は、 シリアルデータ の伝送に必要な数だけ設ければ良くなり、 パラレルデータのまま伝送し ていた従来に比べて、 機能ブロック間の配線数を格段に少なくすること ができる。 したがって、 半導体チップ内の配線面積を小さく抑えて、 チ ップサイズを小さく し、 または、 チップサイズを同じとしたまま集積度 を向上させることができる。  According to the present invention configured as described above, parallel data processed by a certain functional block in a semiconductor chip is converted into serial data and output to another functional block. As a result, the wiring for data input / output between each functional block in the semiconductor chip only needs to be provided as many as necessary for serial data transmission. The number of wires between them can be significantly reduced. Therefore, the wiring area in the semiconductor chip can be reduced, the chip size can be reduced, or the degree of integration can be improved while keeping the chip size the same.
本発明の他の特徴によれば、 半導体チップの内部で処理されたパラレ ルデ一夕がシリ アルデータに変換されて半導体チップの外部に出力され る。 また、 半導体チップの外部から入力されたシリ アルデータがパラレ ルデータに変換されて半導体チップの内部で処理されることとなる。 こ れにより、 半導体チップの電極パッ ドは、 シリアルデータの伝送に必要 な数だけ設ければ良くなり、 パラレルデータのまま伝送していた従来に 比べて電極パッ ドの使用数を格段に少なくすることができる。  According to another feature of the present invention, the parallel processing performed inside the semiconductor chip is converted into serial data and output to the outside of the semiconductor chip. Also, serial data input from outside the semiconductor chip is converted into parallel data and processed inside the semiconductor chip. As a result, the number of electrode pads on the semiconductor chip need only be set to the number required for serial data transmission, and the number of electrode pads used is greatly reduced compared to conventional parallel data transmission. be able to.
したがって、 半導体チップのサイズを小さく し、 または、 チップサイ ズを同じとしたまま集積度を向上させることができる。 また、 半導体チ ップ間あるいは外部の電子回路との間のデータ伝送のための配線は、 シ リアルデータの伝送に必要な少ない数の配線だけで済み、 配線を簡略化 することができる。 また、 電極パッ ドが少ない分、 静電気や雑音に対し て耐性の良い半導体チップを提供することができる。 さらに、 製造した 半導体チップについて行うテス ト作業を簡単化することができ、 テス ト 時間を大幅に短くすることができる。 Therefore, it is possible to reduce the size of the semiconductor chip or to improve the degree of integration while keeping the chip size the same. In addition, wiring for data transmission between semiconductor chips or external electronic circuits requires only a small number of wirings required for serial data transmission, simplifying wiring. can do. In addition, since the number of electrode pads is small, a semiconductor chip having good resistance to static electricity and noise can be provided. Further, the test operation performed on the manufactured semiconductor chip can be simplified, and the test time can be significantly reduced.
本発明のその他の特徴によれば、 半導体チップの内部でパラレルデー 夕から変換されたシリアルデータが更に変調されて、 無線にて半導体チ ップの外部に送信される。 また、 無線にて半導体チップの外部から受信 したシリアルデータの変調信号が復調され、 更にパラレルデータに変換 されて半導体チップの内部で処理されることとなる。 これにより、 半導 体チップの外部に対するデータ伝送のための電極パッ ドは不要となり、 電極パッ ドの使用数を更に少なくすることができる。  According to another feature of the present invention, the serial data converted from the parallel data inside the semiconductor chip is further modulated and transmitted outside the semiconductor chip by radio. Also, a modulation signal of serial data received from outside the semiconductor chip by radio is demodulated, further converted into parallel data, and processed inside the semiconductor chip. As a result, an electrode pad for transmitting data to the outside of the semiconductor chip is not required, and the number of electrode pads used can be further reduced.
したがって、 半導体チップのサイズを更に小さく し、 または、 同じチ ップサイズで集積度を更に向上させることができる。 また、 半導体チッ プ間あるいは外部の電子回路との間のデータ伝送のための配線は不要と なり、 配線を更に簡略化することができる。 また、 静電気や雑音に対す る耐性がより良い半導体チップを提供することができる。 さらに、 製造 した半導体チップのテス トを非接触で行う ことができ、 テス ト作業を更 に簡単化してテス ト時間を大幅に短くすることができる。 図面の簡単な説明  Therefore, the size of the semiconductor chip can be further reduced, or the degree of integration can be further improved with the same chip size. In addition, wiring for data transmission between semiconductor chips or an external electronic circuit is not required, and the wiring can be further simplified. Further, a semiconductor chip having better resistance to static electricity and noise can be provided. Further, the test of the manufactured semiconductor chip can be performed in a non-contact manner, so that the test operation can be further simplified and the test time can be greatly reduced. BRIEF DESCRIPTION OF THE FIGURES
図 1 は、 本発明による半導体装置を実施した第 1 の実施形態による半 導体チップの要部構成例を示す図である。  FIG. 1 is a diagram showing an example of a configuration of a main part of a semiconductor chip according to a first embodiment which implements a semiconductor device according to the present invention.
図 2 は、 本発明による半導体装置を実施した第 2の実施形態による半 導体チップの要部構成例を示す図である。  FIG. 2 is a diagram showing a configuration example of a main part of a semiconductor chip according to a second embodiment in which a semiconductor device according to the present invention is implemented.
図 3は、 図 2 に示した半導体チップを基板上に実装して構成した半導 体装置の構成例を示す図である。 図 4は、 本発明による半導体装置を実施した第 3 の実施形態による半 導体チップの要部構成例を示す図である。 発明を実施するための最良の形態 FIG. 3 is a diagram showing a configuration example of a semiconductor device configured by mounting the semiconductor chip shown in FIG. 2 on a substrate. FIG. 4 is a diagram showing a configuration example of a main part of a semiconductor chip according to a third embodiment in which a semiconductor device according to the present invention is implemented. BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
以下、 本発明の一実施形態を図面に基づいて説明する。  Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
図 1 は、 本発明による半導体装置を実施した第 1 の実施形態による半 導体チップの要部構成例を示す図である。 なお、 この図 1 は、 半導体チ ップ内に存在する構成要素をブロックとして表したものであり、 回路の レイァゥ トゃ大きさを忠実に表すものではない。  FIG. 1 is a diagram showing an example of a configuration of a main part of a semiconductor chip according to a first embodiment which implements a semiconductor device according to the present invention. Note that FIG. 1 shows the components existing in the semiconductor chip as blocks, and does not faithfully represent the size of the circuit layout.
図 1 において、 本実施形態の半導体チップ 1 は、 所望の処理を全体と して実行するための回路として複数の機能ブロック 2 -ぃ 2 _ 2を備えて いる。 これらの機能ブロック 2 — ぃ 2 _ 2は、 それぞれ固有の機能を実現 するための集積回路部 3—い 3— 2を備えている。 この集積回路部 3 , 3— 2は、 従来の半導体チップが備えているものと同様のものであり、 外部との間のデジタルデータのやり取りは、 パラレル形式にて行う。 本実施形態の半導体チップ 1 は更に、 それぞれの機能ブロック 2 — 丄, 2 _ 2内にシリ アル Zパラレル変換部 4 _ ! , 4 2を備えている。 これら のシリアル パラレル変換部 4— , 4 _ 2と上記集積回路部 3 _〗, 3 _ 2 との間は、 パラレル形式にてデジタルデータの授受を行う ことができる ように配線されている。 In Figure 1, the semiconductor chip 1 of this embodiment, a plurality of functional blocks 2 as a circuit for performing as a whole the desired processing - and a I 2 _ 2. These functional blocks 2 - I 2 _ 2, each include an integrated circuit portion 3 have 3-2 for realizing a specific function. The integrated circuit portion 3, 3-2 is similar to that conventional semiconductor chip is provided, exchange of digital data between the outside is performed in parallel form. The semiconductor chip 1 of the present embodiment further respective functional blocks 2 -丄, serial within 2 _ 2 Z parallel conversion section 4 _! , 4 2 are provided. These serial-parallel conversion unit 4, 4 _ 2 and the integrated circuit portion 3 _〗, is between 3 _ 2, are wired to be able to transmit and receive digital data at a parallel format.
また、 シリアル Zパラレル変換部 4 , 4 _ 2の間は、 シリアル形式に てデジタルデータの授受を行う ことができるように配線されている。 な お、 図 1ではシリアル パラレル変換部 4—! , 4 2間の配線を 1本のみ 示しているが、 デジタルデータ入出力用のシリアル配線としては、 実際 にはデータ入力用およびデータ出力用の配線が 1本ずつ備えられる。 シリアル パラレル変換部 4 4— 2は、 集積回路部 3 , 3— 2か ら入力されるパラレルデータをシリアルデータに変換して機能ブロック 2 _ J , 2— 2の外部に出力する処理を行う。 また、 シリアル Zパラレル変 換部 4 _ ,, 4 _ 2は、 機能ブロック 2 _ i, 2 2の外部から入力されるシ リアルデータをパラレルデータに変換して集積回路部 3 _ , 3— 2に出力 する処理も行う。 Further, during the serial Z parallel converter 4, 4 _ 2 it is wired so as to be able to transmit and receive digital data Te into serial form. Figure 1 shows the serial / parallel converter 4! , 4 the wiring is shown only one of between 2, the serial interconnection of digital data input and output, in fact, wiring for and for data output the data input is provided one by one. Parallel conversion section 4 4 2, the integrated circuit portion 3, 3-2 or Et the inputted parallel data to serial data conversion to functional block 2 _ J, the process of outputting the 2-2 to the outside performed. The serial Z parallel varying section 4 _ ,, 4 _ 2 converts the serial data input from the outside of the functional block 2 _ i, 2 2 to the parallel data integrated circuit portion 3 _, 3- 2 It also performs processing to output to.
シリアルノパラレル変換部 4— , 4 _ 2にて行われるシリアル/パラレ ル変換の動作周波数は、 集積回路部 3 i, 3 _ 2や、 半導体チップ 1 を含 む電子機器あるいはモジュール全体の動作周波数に比べて高い周波数を 使用する。 例えば、 集積回路部 3— 3 _ 2が 5 0 0 M H z の動作周波数 で動作する場合であって、 集積回路部 3—い 3— 2とシリアルノパラレル 変換部 4 _!, 4 _ 2との間のパラレル配線が 1 6本の場合には、 8 G H z ( = 1 6 X 5 0 0 M H z ) 以上の動作周波数でシリアル/パラレル変換 を行う。 Serial Roh parallel converter 4, the operating frequency of the serial / Parallel conversion performed at 4 _ 2, and the integrated circuit portion 3 i, 3 _ 2, the operating frequency of the entire including electronic devices or modules of the semiconductor chip 1 Use a higher frequency than. For example, in a case where the integrated circuit unit 3 3 _ 2 operates at the operating frequency of 5 0 0 MH z, the integrated circuit portion 3 have 3-2 serial Roh parallel converter 4 _! , When the parallel wiring between the 4 _ 2 is 1 six performs serial / parallel conversion by 8 GH z (= 1 6 X 5 0 0 MH z) above the operating frequency.
これによつて、 シリアルデータの伝送速度をパラレルデータの伝送速 度の所定倍以上とする。 このようにすることにより、 デジタルデータを シリアル形式にて伝送した場合であっても、 パラレル形式にて伝送する 場合と同程度もしく はそれより短い時間でデータ伝送を行う ことができ 、 全体としての動作速度を損なう ことがない。  Thus, the transmission speed of the serial data is set to a predetermined multiple of the transmission speed of the parallel data. By doing so, even when digital data is transmitted in a serial format, data transmission can be performed in the same or shorter time as in the case of transmitting in a parallel format. There is no loss of operating speed.
以上説明したように、 第 1 の実施形態によれば、 半導体チップ 1 の各 機能ブロック 2— , 2 2内にシリアルノパラレル変換部 4— t , 4 2を 設け、 半導体チップ 1 内における各機能ブロック 2 _ i, 2— 2間のやり取 りはシリアルデータにて行うようにしたので、 各機能ブロック 2 _ i, 2 _ 2間におけるデジタルデータ入出力用の配線を格段に少なくすることが でき、 半導体チップ 1 内の配線面積を小さく抑えることができる。 As described above, according to the first embodiment, the functional blocks of the semiconductor chip 1 2, the serial Roh parallel converter 4-t, 4 2 provided in the 2 2, each function in the semiconductor chip 1 block 2 _ i, 2-spear collected since to carry out at rehearsal serial data between the two, is possible to significantly reduce the wiring for digital data input and output between the functional blocks 2 _ i, 2 _ 2 Thus, the wiring area in the semiconductor chip 1 can be reduced.
なお、 図 1では 2つの機能ブロック 2— i , 2 _ 2間の配線を示している が、 3つ以上の機能ブロックを同一の半導体チップ 1 内に実装する場合 も、 個々の機能ブロックに対してシリ アルノパラレル変換部を内蔵させ 、 各機能ブロック間のデータのやり取りはシリアルデータにて行うよう にする。 次に、 本発明の第 2の実施形態について説明する。 In the case is shown an interconnection between FIG 1 of the two functional blocks 2-i, 2 _ 2, that implements three or more functional blocks in the same semiconductor chip 1 Also, a serial-to-parallel conversion unit is built in each functional block, and data exchange between each functional block is performed by serial data. Next, a second embodiment of the present invention will be described.
図 2 は、 本発明による半導体装置を実施した第 2の実施形態による半 導体チップの要部構成例を示す図である。 なお、 この図 2は、 半導体チ ップ内に存在する構成要素をブロックとして表したものであり、 回路の レイァゥ トゃ大きさを忠実に表すものではない。  FIG. 2 is a diagram showing a configuration example of a main part of a semiconductor chip according to a second embodiment in which a semiconductor device according to the present invention is implemented. Note that FIG. 2 illustrates the components existing in the semiconductor chip as blocks, and does not faithfully represent the circuit layout size.
図 2 において、 本実施形態の半導体チップ 1 1 は、 所望の機能を実現 するための処理を行う集積回路部 1 2 を備えている。 この集積回路部 1 2は、 従来の半導体チップが備えているものと同様のものであり、 回路 外部との間のデジタルデータのやり取りは、 パラレル形式にて行う。 本実施形態の半導体チップ 1 1 は、 更にシリアル パラレル変換部 1 3を備えている。 このシリアル Zパラレル変換部 1 3 と上記集積回路部 1 2 との間は、 パラレル形式でデジタルデ一夕の授受を行うことができ るように配線されている。  In FIG. 2, a semiconductor chip 11 of the present embodiment includes an integrated circuit section 12 that performs processing for realizing a desired function. The integrated circuit section 12 is similar to that provided in a conventional semiconductor chip, and exchange of digital data with the outside of the circuit is performed in a parallel format. The semiconductor chip 11 of the present embodiment further includes a serial / parallel converter 13. The serial Z-parallel converter 13 and the integrated circuit 12 are wired so that digital data can be transmitted and received in a parallel format.
上記集積回路部 1 2およびシリアル/パラレル変換部 1 3は、 電源 V c c用に用意された電極パッ ド 1 4と、 接地用に用意された電極パッ ド 1 5 とから電源の供給を受けて動作する。  The integrated circuit section 12 and the serial / parallel conversion section 13 receive power from an electrode pad 14 provided for a power supply Vcc and an electrode pad 15 provided for grounding. Operate.
シリアル Zパラレル変換部 1 3 は、 集積回路部 1 2から入力されるパ ラレルデ一夕をシリ アルデータに変換し、 データ入出力用の電極パッ ド 1 6 に出力する処理を行う。 また、 シリアル パラレル変換部 1 3は、 データ入出力用の電極パッ ド 1 6から入力されるシリアルデータをパラ レルデータに変換し、 集積回路部 1 2 に出力する処理も行う。  The serial / Z-parallel converter 13 converts the parallel data input from the integrated circuit 12 into serial data and outputs the serial data to the data input / output electrode pad 16. Further, the serial / parallel converter 13 converts the serial data input from the data input / output electrode pad 16 into parallel data, and outputs the parallel data to the integrated circuit 12.
データ入出力用の電極パッ ド 1 6 は、 シリアル パラレル変換部 1 3 の近傍に配置される。 なお、 図 2ではシリ アル パラレル変換部 1 3 と 電極パッ ド 1 6 との間の配線を 1本のみ示しているが、 実際にはデータ 入力用およびデータ出力用の配線が 1本ずつ備えられ、 電極パッ ドも 2 つ存在する。 The electrode pad for data input / output is connected to the serial / parallel converter. Is arranged in the vicinity of. Although FIG. 2 shows only one wire between the serial / parallel conversion unit 13 and the electrode pad 16, actually, one wire for data input and one wire for data output are provided. There are also two electrode pads.
シリアル パラレル変換部 1 3 にて行われるシリアル パラレル変換 の動作周波数は、 集積回路部 1 2や、 半導体チップ 1 1 を含む電子機器 あるいはモジュール全体の動作周波数に比べて高い周波数を使用する。 例えば、 集積回路部 1 2が 5 0 0 MH z の動作周波数で動作する場合で あって、 集積回路部 1 2 とシリアル/パラレル変換部 1 3 との間のパラ レル配線が 1 6本の場合には、 8 GH z (= 1 6 X 5 0 0 MH z ) 以上 の動作周波数でシリアルノパラレル変換を行う。  The operating frequency of the serial / parallel conversion performed by the serial / parallel converter 13 uses a higher frequency than the operating frequency of the electronic device including the integrated circuit unit 12 and the semiconductor chip 11 or the entire module. For example, when the integrated circuit section 12 operates at an operating frequency of 500 MHz and there are 16 parallel wirings between the integrated circuit section 12 and the serial / parallel conversion section 13 In this case, serial-to-parallel conversion is performed at an operating frequency of 8 GHz (= 16 × 500 MHz) or higher.
これによつて、 シリ アルデータの伝送速度をパラレルデータの伝送速 度の所定倍以上とする。 このようにすることにより、 デジタルデータを シリ アル形式にて伝送した場合であっても、 パラレル形式にて伝送する 場合と同程度もしくはそれより短い時間でデータ伝送を行う ことができ 、 全体としての動作速度を損なう ことがない。  With this, the transmission speed of the serial data is set to be a predetermined multiple or more of the transmission speed of the parallel data. By doing so, even when digital data is transmitted in the serial format, data transmission can be performed in the same or shorter time as in the case of transmitting in the parallel format. There is no loss of operating speed.
図 3は、 上記図 2 に示した半導体チップ 1 1 を基板上に実装して構成 した C O Bによる半導体装置の構成例を示す図である。  FIG. 3 is a diagram showing a configuration example of a COB semiconductor device configured by mounting the semiconductor chip 11 shown in FIG. 2 on a substrate.
図 3 に示すように、 例えば同一のモジュール基板 2 1 上に複数の半導 体チップ 1 1 _ぃ 1 1 — 2を実装して機能モジュールを構成する場合、 個 々の半導体チップ 1 1 _ i, 1 1 _ 2を図 2のように構成し、 シリアル/パ ラレル変換部 1 3 い 1 3— 2をそれぞれのチップ内に内蔵させる。 これによ り、 半導体チップ 1 1 _ t, 1 1 — 2間のデータのやり取りは、 シリアルデータ入出力用の電極パッ ド 1 6— i , 1 6 _ 2を介してシリアル データで行うようにする。 なお、 ここでは 2つの半導体チップ 1 1 — i, 1 1 2間の配線を示しているが、 3つ以上の半導体チップ 1 1 を同一基 板 2 1 上に実装する場合も、 個々の半導体チップ 1 1 に対してシリアル パラレル変換部 1 3 を内蔵させ、 各半導体チップ 1 1 間のデータのや り取りはシリアルデータにて行うようにする。 As shown in FIG. 3, for example, when a plurality of semiconductor chips 1 1 _ ぃ 1 1 — 2 are mounted on the same module substrate 2 1 to form a functional module, each semiconductor chip 1 1 _ i , 1 1 _ 2 configured as in FIG. 2, is built serial / Parallel conversion unit 1 s 3 1 3 2 in each chip. This ensures that the semiconductor chip 1 1 _ t, 1 1 - exchange of data between the two, as performed by the serial data via the electrode pad 1 6- i, 1 6 _ 2 for serial data input and output I do. Although the wiring between the two semiconductor chips 11 1-i and 1 12 is shown here, three or more semiconductor chips 11 are connected to the same base. Even when mounted on the board 21, the serial-to-parallel converter 13 is built into each semiconductor chip 11, and data exchange between the semiconductor chips 11 is performed by serial data. .
また、 半導体チップ: L 1 _ぃ 1 1 _ 2と同一のモジュール基板 2 1 上に 半導体チップ以外の電子回路を実装する場合にも、 その電子回路に対し てシリアル Zパラレル変換部 1 3 に相当する構成を内蔵させる。 そして 、 半導体チップ 1 1 1 1 _ 2と電子回路との間のデータのやり取り も シリアルデータにて行うようにする。 Also, when an electronic circuit other than a semiconductor chip is mounted on the same module substrate 21 as a semiconductor chip: L 1 _ ぃ 11 1 _ 2 , the electronic circuit is equivalent to the serial Z-parallel converter 13. Built-in configuration. The exchange of data between the semiconductor chip 1 1 1 1 _ 2 and the electronic circuits to perform at serial data.
以上説明したように、 第 2の実施形態によれば、 半導体チップ 1 1 内 にシリアル Zパラレル変換部 1 3 を設け、 半導体チップ 1 1 とその外部 回路とのやり取りはシリアルデータにて行うようにしたので、 デジタル データ入出力用の電極パッ ドとしては、 電源供給用の電極パッ ド 1 4 , 1 5の他にはシリアルデータ入出力用の電極パッ ド 1 6 を設けるだけで 済み、 電極パッ ドの使用数を格段に少なくすることができる。  As described above, according to the second embodiment, the serial Z-parallel converter 13 is provided in the semiconductor chip 11, and the exchange between the semiconductor chip 11 and its external circuit is performed by serial data. Therefore, as electrode pads for digital data input / output, only electrode pads 16 for serial data input / output need be provided in addition to electrode pads 14 and 15 for power supply. Can significantly reduce the number of nodes used.
これにより、 半導体チップ 1 1 のサイズを小さくすることができる。 または、 従来電極パッ ドとして使用していたチップ周辺のバッファ領域 を集積回路のための領域として有効に活用することができ、 同じチップ サイズで集積度を向上させることもできる。 特に、 半導体チップでは個 々の電極パッ ドに対して保護回路が設けられることが通常であるため、 電極パッ ドと共に保護回路の数も削減することができ、 チップ内で集積 回路のために使用可能な有効面積を大きく とることができるようになる また、 本実施形態の半導体チップ 1 1 と外部の電子回路あるいは他の 半導体チップとの間の配線は、 シリ アルデータの伝送に必要な少ない数 の配線だけで済む。 これにより、 例えば同一基板上に配置された複数の 半導体チップ間の配線、 あるいは半導体チップ 1 1 と他の電子回路との 間の配線を簡略化し、 配線面積を大幅に小さくすることができる。 As a result, the size of the semiconductor chip 11 can be reduced. Alternatively, the buffer area around the chip, which was conventionally used as an electrode pad, can be effectively used as an area for an integrated circuit, and the degree of integration can be improved with the same chip size. In particular, since a protection circuit is usually provided for each electrode pad in a semiconductor chip, the number of protection circuits can be reduced together with the electrode pad, and the chip is used for an integrated circuit in the chip. The possible effective area can be increased. Also, the wiring between the semiconductor chip 11 of the present embodiment and an external electronic circuit or another semiconductor chip can be reduced by a small number required for serial data transmission. Only wiring. Thus, for example, wiring between a plurality of semiconductor chips arranged on the same substrate, or a connection between the semiconductor chip 11 and another electronic circuit. The wiring between them can be simplified, and the wiring area can be greatly reduced.
また、 外部から静電気や雑音が与えられる電極パッ ドの数が少なくな るので、 静電気や雑音に対して耐性の良い半導体チップを提供すること ができ、 信頼性を向上させることができる。  Further, since the number of electrode pads to which static electricity or noise is externally applied is reduced, a semiconductor chip having good resistance to static electricity or noise can be provided, and reliability can be improved.
さらに、 製造した半導体チップについてプローブテス トを行う場合に も、 プローブ針を当てなければいけない電極パッ ドの数が非常に少ない ので、 テス ト作業を簡単化することができ、 テス ト時間を大幅に短くす ることができるというメ リ ッ トも有する。 次に、 本発明の第 3の実施形態について説明する。  Furthermore, even when performing a probe test on a manufactured semiconductor chip, the number of electrode pads to which the probe needle must be applied is very small, so that the test operation can be simplified and the test time can be greatly reduced. It also has the advantage that it can be shortened. Next, a third embodiment of the present invention will be described.
図 4は、 第 3の実施形態による半導体チップの要部構成例を示す図で ある。 なお、 この図 4において、 図 2 中に示した構成要素と同一のもの には同じ符号を付している。 また、 この図 4も、 図 2 と同様に半導体チ ップ内に存在する構成要素をブロックとして表したものであり、 回路の レイァゥ トゃ大きさを忠実に表すものではない。  FIG. 4 is a diagram showing a configuration example of a main part of a semiconductor chip according to the third embodiment. In FIG. 4, the same components as those shown in FIG. 2 are denoted by the same reference numerals. Also, FIG. 4 shows the components existing in the semiconductor chip as blocks, similarly to FIG. 2, and does not faithfully represent the layout size of the circuit.
図 4に示すように、 第 3の実施形態による半導体チップ 3 1 は、 図 2 に示したものと同様に集積回路部 1 2、 シリアル Zパラレル変換部 1 3 および電源供給用の電極パッ ド 1 4, 1 5 を備えている。 さらに、 半導 体チップ 3 1 は、 送信回路 3 2、 受信回路 3 3およびアンテナ回路 3 4 を備えている。  As shown in FIG. 4, a semiconductor chip 31 according to the third embodiment has an integrated circuit section 12, a serial Z-parallel conversion section 13 and a power supply electrode pad 1 similar to the one shown in FIG. 4, 15 are provided. Further, the semiconductor chip 31 includes a transmission circuit 32, a reception circuit 33, and an antenna circuit 34.
送信回路 3 2は、 発振回路や変調回路などを備えており、 シリ アルノ パラレル変換部 1 3から供給されるシリ アルデータを変調し、 アンテナ 回路 3 4 ¾介してチップ外部へデータを無線で送信する処理を行う。 本 実施形態の送信回路 3 2は、 シリアル パラレル変換部 1 3 において高 い周波数で変換された高速なシリアルデータに対してそのまま変調をか けられるだけの能力を有している。 受信回路 3 3は、 R F (radio frequency) フィルタ、 I F ( intermed iate frequency) フィルタ、 復調回路などを備えており、 チップ外部か らアンテナ回路 3 4を介して受信したデータを復調し、 これによつて得 たシリアルデータをシリアル/パラレル変換部 Γ 3 に出力する。 The transmission circuit 32 includes an oscillation circuit and a modulation circuit, modulates the serial data supplied from the serial / parallel conversion unit 13, and wirelessly transmits the data to the outside of the chip via the antenna circuit 34. Perform the following processing. The transmission circuit 32 of the present embodiment has a capability of directly modulating high-speed serial data converted at a high frequency in the serial / parallel conversion unit 13. The receiving circuit 33 includes an RF (radio frequency) filter, an IF (intermed iate frequency) filter, a demodulation circuit, and the like, and demodulates data received from outside the chip via the antenna circuit 34. The obtained serial data is output to the serial / parallel converter # 3.
アンテナ回路 3 4は、 電波、 光、 磁界などのデバイスを用いてデ一夕 を無線で送受信するための回路である。 本実施形態においては、 例えば 同一の基板上に実装された複数の半導体チップ 3 1 間でデータの授受を 無線で行うために、 近距離のチップ間を無線で結合するのに必要十分な 電力でデータの送受信を行う小型のアンテナ回路を用いる。 高周波で近 距離の無線通信を行うためのアンテナ回路 3 4であるから、 例えばアル ミニゥムを材質とした回路パターンで当該アンテナ回路 3 4を形成する ことが可能である。  The antenna circuit 34 is a circuit for transmitting and receiving data wirelessly using devices such as radio waves, light, and magnetic fields. In the present embodiment, for example, in order to wirelessly transmit and receive data between a plurality of semiconductor chips 31 mounted on the same substrate, sufficient power is necessary to wirelessly couple short-range chips. A small antenna circuit for transmitting and receiving data is used. Since the antenna circuit 34 is for performing high-frequency, short-range wireless communication, it is possible to form the antenna circuit 34 with a circuit pattern made of aluminum, for example.
本実施形態においても、 同一の基板上に複数の半導体チップを実装し て機能モジュールを構成する場合は、 個々の半導体チップを図 4のよう に構成し、 シリアル Zパラレル変換部 1 3、 送信回路 3 2、 受信回路 3 3およびアンテナ回路 3 4をそれぞれのチップ内に内蔵させる。 これに より、 半導体チップ間のやり取りは、 アンテナ回路 3 4を介してシリア ルデ一夕を無線にて伝送するようにする。  Also in the present embodiment, when a functional module is configured by mounting a plurality of semiconductor chips on the same substrate, each semiconductor chip is configured as shown in FIG. 4, and the serial Z-parallel conversion unit 13 and the transmission circuit 32. The receiving circuit 33 and the antenna circuit 34 are built in each chip. As a result, in the exchange between the semiconductor chips, the serial data is transmitted wirelessly via the antenna circuit 34.
以上説明したように、 第 3の実施形態によれば、 半導体チップ 3 1 内 にシリ アル パラレル変換部 1 3 を設けて外部回路とのやり取りをシリ アルデータにて行うようにするとともに、 無線による送受信回路を設け て上記シリアルデ一夕を無線にて伝送するようにしたので、 半導体チッ プ 3 1 には電源供給用の電極パッ ド 1 4, 1 5 を設けるだけで済み (第 2の実施形態で説明したシリアルデータ入出力用の電極パッ ド 1 6 も不 要) 、 電極パッ ドの使用数を格段に少なくすることができる。  As described above, according to the third embodiment, the serial-to-parallel conversion unit 13 is provided in the semiconductor chip 31 to exchange data with an external circuit using serial data, Since a serial transmission / reception circuit is provided to transmit the serial data wirelessly, only the semiconductor chip 31 needs to be provided with the electrode pads 14 and 15 for power supply (the second embodiment). The electrode pad 16 for serial data input / output described in (1) is also unnecessary), and the number of electrode pads used can be significantly reduced.
これにより、 半導体チップ 3 1 のサイズを小さく したり、 チップ内で 集積回路のために使用可能な有効面積を大きく とることができる。 また 、 半導体チップでは個々の電極パッ ドに対して保護回路が設けられるこ とが通常であるため、 電極パッ ドと共に保護回路の数も削減することが でき、 同じチップサイズで集積度を格段に向上させることができる。 また、 無線でデータ伝送を行っているために、 半導体チップ間の配線 は不要となり、 半導体チップ間の配線を簡略化することができる。 また、 電極パッ ドが殆どないため、 半導体チップ 3 1 の製造工程にお いてはんだ付けの作業が殆ど要らなくなり、 製造工程の簡素化および製 造コス 卜の削減を図ることができる。 As a result, the size of the semiconductor chip 31 can be reduced, The usable area available for the integrated circuit can be increased. In addition, since a protection circuit is usually provided for each electrode pad in a semiconductor chip, the number of protection circuits can be reduced together with the electrode pad, and the degree of integration is significantly improved with the same chip size. Can be improved. In addition, since data is transmitted wirelessly, wiring between semiconductor chips is not required, and wiring between semiconductor chips can be simplified. In addition, since there are almost no electrode pads, soldering work is hardly required in the manufacturing process of the semiconductor chip 31, so that the manufacturing process can be simplified and the manufacturing cost can be reduced.
また、 外部から静電気や雑音が与えられる電極パッ ドの数が少なくな るので、 静電気や雑音に対して耐性の良い半導体チップを提供すること ができ、 信頼性を向上させることができる。  Further, since the number of electrode pads to which static electricity or noise is externally applied is reduced, a semiconductor chip having good resistance to static electricity or noise can be provided, and reliability can be improved.
さ らに、 製造した半導体チップについてテス トを行う場合には、 無線 でテス トデ一夕を送ることによってテス トを行う ことができ、 プローブ 針を当てるなどの接触テス 卜ではなく非接触テス トを実現することがで きる。 これにより、 テス ト作業を大幅に簡単化してテス ト時間を格段に 短くすることができる。  Furthermore, when testing a manufactured semiconductor chip, the test can be performed by sending a test message wirelessly, and it is not a contact test such as applying a probe needle but a non-contact test. Can be realized. As a result, the test work can be greatly simplified and the test time can be significantly reduced.
なお、 こ こでは同一の基板上に複数の半導体チップ 3 1 を搭載する場 合について説明したが、 近距離間の通信を行うのであれば、 第 2の実施 形態と同様に、 同一の基板上に搭載された半導体チップと他の電子回路 に適用することも可能である。 さらには、 異なる基板上に搭載された複 数の半導体チップもしくは半導体チップと他の電子回路などにも適用す ることが可能である。  Here, the case where a plurality of semiconductor chips 31 are mounted on the same substrate has been described. However, if short-range communication is performed, as in the second embodiment, the same semiconductor substrate 31 is mounted on the same substrate. It can also be applied to semiconductor chips mounted on semiconductor devices and other electronic circuits. Furthermore, the present invention can be applied to a plurality of semiconductor chips mounted on different substrates or a semiconductor chip and other electronic circuits.
その他、 以上説明した各実施形態は、 何れも本発明を実施するにあた つての具体化の一例を示したものに過ぎず、 これらによって本発明の技 術的範囲が限定的に解釈されてはならないものである。 すなわち、 本発 明はその精神、 またはその主要な特徴から逸脱することなく、 様々な形 で実施することができる。 産業上の利用可能性 In addition, each of the above-described embodiments is merely an example of a specific embodiment for carrying out the present invention, and the technical scope of the present invention is interpreted in a limited manner. It must not be. That is, Ming can be implemented in various forms without departing from its spirit or its key features. Industrial applicability
本発明は、 半導体チップ内外の配線や、 半導体チップに必要な電極パ ッ ドの数を削減し、 チップサイズや C O Bの基板サイズを小さく したり 、 チップの有効面積の割合を大きくすることができるようにするととも に、 テス ト作業を簡略化できるようにするのに有用である。  The present invention can reduce the number of wirings inside and outside a semiconductor chip and the number of electrode pads required for the semiconductor chip, reduce the chip size and COB substrate size, and increase the effective area of the chip. This is useful for simplifying the test work.

Claims

請 求 の 範 囲 The scope of the claims
1 . 半導体チップ内に複数の機能ブロックを有する半導体装置であって 上記半導体チップは、 シリアルデータとパラレルデータとを相互に変 換するシリアルノパラレル変換回路を上記複数の機能ブロック毎に備え 、 上記複数の機能ブロック間のデータ入出力を上記シリアルデータで行 うようにしたことを特徴とする半導体装置。 1. A semiconductor device having a plurality of functional blocks in a semiconductor chip, wherein the semiconductor chip includes a serial-to-parallel conversion circuit for mutually converting serial data and parallel data for each of the plurality of functional blocks. A semiconductor device wherein data input / output between a plurality of functional blocks is performed by the serial data.
2 . 上記シリアルノパラレル変換回路は、 上記機能ブロックの動作周波 数よりも高い動作周波数に従ってシリ アル パラレル変換を行う ことを 特徴とする請求の範囲第 1項に記載の半導体装置。  2. The semiconductor device according to claim 1, wherein the serial / parallel conversion circuit performs a serial / parallel conversion in accordance with an operation frequency higher than an operation frequency of the functional block.
3 . 複数の半導体チップ、 あるいは半導体チップと他の電子回路とが同 一基板上に配置された半導体装置であって、  3. A semiconductor device in which a plurality of semiconductor chips or a semiconductor chip and another electronic circuit are arranged on the same substrate,
上記半導体チップは、 シリアルデータとパラレルデータとを相互に変 換するシリ アル Zパラレル変換回路を備え、 上記シリアルデータを上記 半導体チップの外部に対して入出力するようにしたことを特徴とする半 導体装置。  The semiconductor chip includes a serial Z-parallel conversion circuit that converts serial data and parallel data into and out, and inputs and outputs the serial data to and from the outside of the semiconductor chip. Conductor device.
4 . 上記シリアル パラレル変換回路は、 上記半導体チップを傭える電 子機器の動作周波数より も高い動作周波数に従ってシリアルノパラレル 変換を行う ことを特徴とする請求の範囲第 3項に記載の半導体装置。 4. The semiconductor device according to claim 3, wherein the serial / parallel conversion circuit performs a serial / parallel conversion in accordance with an operating frequency higher than an operating frequency of an electronic device that can obtain the semiconductor chip.
5 . シリアルデータとパラレルデータとを相互に変換するシリアル/パ ラレル変換回路を内部に備え、 上記シリアルデータを外部に対して入出 力する半導体チップを有することを特徴とする半導体装置。 5. A semiconductor device including a serial / parallel conversion circuit for converting serial data and parallel data into and out, and a semiconductor chip for inputting and outputting the serial data to and from the outside.
6 . 複数の半導体チップ、 あるいは半導体チップと他の電子回路とが同 一基板上に配置された半導体装置であって、 上記半導体チップは、 シリアルデータとパラレルデータとを相互に変換するシリアル/パラ レル変換回路と、 6. A semiconductor device in which a plurality of semiconductor chips, or a semiconductor chip and another electronic circuit are arranged on the same substrate, wherein the semiconductor chip converts serial data and parallel data to each other. A rel conversion circuit,
上記シリ アルノパラ レル変換回路によ り変換されたシリ アルデータを 変調して送信する送信回路と、  A transmission circuit for modulating and transmitting the serial data converted by the serial-parallel conversion circuit;
上記シリ アルデータの変調信号を受信して復調し、 復調したシリ アル データを上記パラ レルデータに変換するべく 上記シリ アルノパラ レル変 換回路に出力する受信回路と、  A receiving circuit for receiving and demodulating the modulated signal of the serial data and outputting the demodulated serial data to the serial / parallel conversion circuit to convert the demodulated serial data into the parallel data;
上記シリ アルデータの変調信号を送受信するためのアンテナ回路とを 備え、  An antenna circuit for transmitting and receiving the serial data modulated signal,
上記シリ アルデータの変調信号を上記半導体チップの外部に対して入 出力するよう にしたことを特徴とする半導体装置。  A semiconductor device, wherein the serial data modulation signal is input / output to / from the outside of the semiconductor chip.
7 . シリ アルデータ とパラ レルデータ とを相互に変換するシリ アル Zパ ラ レル変換回路と、  7. A serial Z parallel conversion circuit that converts between serial data and parallel data,
上記シリ アル/パラ レル変換回路によ り変換されたシリ アルデータを 変調して送信する送信回路と、  A transmission circuit for modulating and transmitting the serial data converted by the serial / parallel conversion circuit;
上記シリ アルデータの変調信号を受信して復調し、 復調したシリ アル データを上記パラ レルデータに変換するべく 上記シリ アル /パラ レル変 換回路に出力する受信回路と、  A receiving circuit for receiving and demodulating the modulated signal of the serial data, and outputting the demodulated serial data to the serial / parallel conversion circuit to convert the demodulated serial data to the parallel data;
上記シリ アルデータの変調信号を送受信するためのアンテナ回路と、 を内部に備えた半導体チップを有する こ とを特徴とする半導体装置。  A semiconductor device, comprising: an antenna circuit for transmitting and receiving the serial data modulation signal; and a semiconductor chip provided therein.
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