WO2002013340A3 - Verfahren und vorrichtung zur bestimmung der ausgangsleistung einer halbleiterlaserdiode - Google Patents

Verfahren und vorrichtung zur bestimmung der ausgangsleistung einer halbleiterlaserdiode Download PDF

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Abstract

Die Erfindung betrifft ein Verfahren und eine Vorrichtung zur Bestimmung der Ausgangsleistung einer Halbleiterlaserdiode, die mit einem Diodenstrom (Id) betrieben wird. Erfindungsgemäß wird ein definierter Messstrom (Im), der kleiner als der Schwellstrom der Halbleiterlaserdiode (HLD) ist, in Durchlassrichtung durch die Halbleiterlaserdiode (HLD) geleitet, die dabei über der Halbleiterlaserdiode (HLD) abfallende Flussspannung (Uf) gemessen und aus der gemessenen Flussspannung (Uf) anhand mindestens einer Kalibrierkurve die Temperatur des laseraktiven Bereichs der Halbleiterlaserdiode (HLD) bestimmt. Die Erfindung ermöglicht eine einfache und präzise Bestimmung der Ausgangsleistung einer Halbleiterlaserdiode, wobei keine zusätzliche Messeinrichtung beispielsweise eine Monitordiode benötigt wird.
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Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7515620B2 (en) * 2002-10-29 2009-04-07 Finisar Corporation Method for optimizing laser diode operating current
US7106769B2 (en) 2003-04-09 2006-09-12 Elantec Semiconductor, Inc. Adjustable power control for laser drivers and laser diodes
JP2005072218A (ja) * 2003-08-25 2005-03-17 Tdk Corp 発光素子の温度管理方法および管理装置、および照明装置
US7333521B1 (en) * 2003-12-04 2008-02-19 National Semiconductor Corporation Method of sensing VCSEL light output power by monitoring electrical characteristics of the VCSEL
CA2566323A1 (en) * 2004-05-14 2005-12-08 Target Systemelectronic Gmbh Method for stabilizing the temperature sensitivity of the emission of light of an led
US7630422B1 (en) 2005-01-14 2009-12-08 National Semiconductor Corporation Driver for vertical-cavity surface-emitting laser and method
DE102006039398A1 (de) 2006-08-22 2008-03-06 Robert Bosch Gmbh Verfahren zum Betreiben einer Pumplichtquelle mit einem Diodenlaser
DE102007038943A1 (de) * 2007-08-17 2009-02-19 Siemens Ag Laserlichtquelle mit wenigstens zwei Einzel-Lasern
US8406090B2 (en) * 2008-03-04 2013-03-26 HGST Netherlands B.V. Laser power sensor for thermally assisted magnetic recording
JP2010146673A (ja) * 2008-12-22 2010-07-01 Hitachi Ltd 光情報再生方法
US8450941B2 (en) 2010-12-17 2013-05-28 Intersil Americas Inc. Systems and methods for dynamic power management for use with a video display device
DE102012208088A1 (de) 2011-05-25 2012-11-29 LASAIR e.K. Laservorrichtung mit einer Mehrzahl von Laserdioden sowie Verfahren zur Überlagerung von Einzel-Ausgabestrahlen mehrerer Laserdioden zu einem Gesamt-Ausgabestrahl
DE102012005815B4 (de) * 2012-03-17 2015-10-29 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren und Einrichtung zur Ermittlung der Temperaturkalibrierkennlinie eines Halbleiterbauelements der Leistungselektronik
CN102829952B (zh) * 2012-08-27 2015-03-04 苏州海光芯创光电科技有限公司 一种半导体激光器的校准测试方法及其应用

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3603548A1 (de) * 1985-02-19 1986-10-02 Videoton Elektronikai Vállalat, Székesfehérvár Verfahren zur bestimmung und regelung der temperatur von laserdioden und schaltungsanordnung zur durchfuehrung des verfahrens
GB2224374A (en) * 1988-08-24 1990-05-02 Plessey Co Plc Temperature control of light-emitting devices
US5414280A (en) * 1993-12-27 1995-05-09 Xerox Corporation Current driven voltage sensed laser drive (CDVS LDD)
EP1039597A2 (de) * 1999-03-19 2000-09-27 Sensor Line Gesellschaft für optoelektronische Sensoren mbH Verfahren zur Stabilisierung der optischen Ausgangsleistung von Leuchtdioden und Laserdioden

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0238484A1 (de) * 1985-09-24 1987-09-30 Bell Communications Research, Inc. Temperaturstabilisierung von injektionslaser
EP0741860B1 (de) * 1994-01-26 1998-12-02 Horst Ahlers Temperatursensor
JP3168874B2 (ja) * 1995-05-23 2001-05-21 富士電機株式会社 半導体装置
DE19839088B4 (de) * 1998-08-27 2006-08-03 Avalon Photonics Ltd. Vorrichtung und Verfahren zur Temperaturstabilisierung einer Halbleiter-Lichtemissionsvorrichtung
JP4450512B2 (ja) * 1998-09-29 2010-04-14 マリンクロッド・インコーポレイテッド 符号化された温度特性を有する酸素計センサ

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3603548A1 (de) * 1985-02-19 1986-10-02 Videoton Elektronikai Vállalat, Székesfehérvár Verfahren zur bestimmung und regelung der temperatur von laserdioden und schaltungsanordnung zur durchfuehrung des verfahrens
GB2224374A (en) * 1988-08-24 1990-05-02 Plessey Co Plc Temperature control of light-emitting devices
US5414280A (en) * 1993-12-27 1995-05-09 Xerox Corporation Current driven voltage sensed laser drive (CDVS LDD)
EP1039597A2 (de) * 1999-03-19 2000-09-27 Sensor Line Gesellschaft für optoelektronische Sensoren mbH Verfahren zur Stabilisierung der optischen Ausgangsleistung von Leuchtdioden und Laserdioden

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