WO2000002183A1 - Commande d'un ecran a cathodes a faible affinite electronique - Google Patents

Commande d'un ecran a cathodes a faible affinite electronique Download PDF

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WO2000002183A1
WO2000002183A1 PCT/FR1999/001597 FR9901597W WO0002183A1 WO 2000002183 A1 WO2000002183 A1 WO 2000002183A1 FR 9901597 W FR9901597 W FR 9901597W WO 0002183 A1 WO0002183 A1 WO 0002183A1
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cathode
coincidence
control
memory
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Pierre Legagneux
Didier Pribat
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Thomson-Csf
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    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
    • G09G2300/0809—Several active elements per pixel in active matrix panels
    • G09G2300/0842—Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor

Definitions

  • Certain deposition conditions make it possible to obtain layers having, for fields of the order of 30 V / ⁇ m, current densities of 10 mA / cm 2 , that is to say a sufficient value for manufacturing a screen of brightness of 300 cd / m 2 .
  • the emissive properties of the films seem inconsistent because they are very dependent on the roughness (of the order of the grain size ⁇ 5 ⁇ m) and the density of defects. In field emission screens whose cathodes are made of polycrystalline material, it can therefore be seen that the display is not uniform.
  • the invention makes it possible to solve this problem by providing for the cathodes of an information display screen, from a material with low electronic affinity of amorphous or crystalline structure which has a smooth surface state.
  • cathodes cannot emit a large flow of electrons (less than 1 mA / cm 2 some 10 " A / cm).
  • the control of the image elements In principle, it is done line by line.
  • cathodes with low electronic affinity characterized by a low emission density ( ⁇ 1 mA / cm 2 ) can be used in a display screen provided that they are each combined with a control circuit which maintains the current supply during a frame time which makes it possible to have a current supply n times less than that which would have been necessary in a line by line command, n being the number of lines of the screen.
  • the invention therefore relates to a system for controlling a screen comprising at least one electron emission image element with low electronic affinity, characterized in that it comprises:
  • FIG. 1a and 1b simplified examples of a cathode emission device in which the cathode is a material with low electronic affinity
  • Figure 1a shows a basic structure of the device according to the invention.
  • This device comprises, on a substrate 2, a layer 21 of material with high electronic affinity. On this layer 21 is located at least one element 1 of material with low electronic affinity, called cathode. In the case of a display device facing the cathode at a distance d C a from the cathode, there is a layer of conductive material called anode 3.
  • the layer 21 is preferably conductive and makes it possible to electrically control the cathode. Insofar as the substrate has the properties of layer 21, this can be omitted.
  • the cathode is made of material deposited in amorphous form so as to have a good surface condition. Its crystal structure can be possibly modified by a treatment after deposition (heat treatment or laser).
  • This material can for example be made of carbon with the following structure: a-C: H; a-C: H: N.
  • Figure 1b shows an electron micro-gun. Such a structure is similar as regards the electron emission part (cathode) to that of FIG. 1a. However, in place of the anode, a target, not shown, will be placed. In addition, there is provided an electrode 5 'for focusing the electron beam. This electrode is located above the grid 5 and surrounds the electron emission part of the device.
  • FIG. 2 represents such an organization comprising a matrix of cathode emission devices DC1.1 to DCn.m connected to wires of lines CL1 to CLn and to wires of columns CC1 to CCm.
  • CDL and CDC control circuits make it possible to apply control potentials to the line wires and the control wires.
  • Each cathode emission device is connected to a line wire and to a column wire by a coincidence circuit or a cross point circuit DC1.1 to DCn.m.
  • Each crossing point of the matrix therefore comprises a circuit as shown in FIG. 3.
  • the circuit comprises a first transistor T1 ij whose gate GSij is connected to a line wire CLi and the source (or emitter) DSij is connected to a column wire CCj.
  • a first capacitor Ctij is connected to the drain (or collector) of the transistor T1 ij.
  • a second transistor T2ij allows to connect the capacitor Ctij, and more precisely the common point Aij of the capacitor Ctij and of the transistor T1 ij, to a second capacitor Csij.
  • the voltage level of this second capacitor Csij makes it possible to control the conduction of a third transistor T3ij which controls the supply of current to the cathode of corresponding crossing point.
  • the second transistor T2ij makes it possible to connect the point Aij to the common point Bij of the capacitor and of the gate of the third transistor T3ij.
  • a fourth transistor T4ij short-circuits the second capacitor Csij to discharge it.
  • the control of the transistors T2ij and T4ij is done by control pulses applied to their gates at determined times which are defined in the diagram of FIG. 4.
  • the signals VGS1 to VGSn correspond to the control signals of the lines CL1 to CLn. It can therefore be seen that during a time T which corresponds to a frame time, all the lines have been ordered one after the other. We will be interested for example in the VGSi control signal of the line CLi. Its period is therefore equal to T.
  • a row control pulse such as VGSi
  • a column control pulse of a particular value (between 0 and 10 V) is applied to each column wire. From one row command pulse to the next, the values of the column pulses are changed according to the command that is to be carried out. In FIG.
  • the pulse VDSJ1 is, for example, set to 10 Volts.
  • the VDSJ2 pulse has the value 5 Volts and during the frame time T3, the VDSJ3 pulse has the value 7 Volts.
  • the pulse VGSil has the effect of making the transistor T1 ij conductive which transmits the potential VDSj to the point Aij.
  • the capacitor Ctij is charged between this potential and the ground, that is to say at a potential of 10 Volts for the first pulse VDSj
  • a pulse ⁇ 1.1 (line ⁇ 1) which is produced after the last line command pulse VGSn of the frame T1
  • the transistor T2ij is made conductive. It should be noted that this signal ⁇ 1 is applied to all the transistors T2ij of the different crossing points of the matrix. In each crossing point circuit, the point such as Aij is connected to the point Bij. The capacitor Csij is therefore charged to the potential of Aij.
  • the potential of the point Bij makes the transistor T3ij conductive and this allows the circulation of a current towards the device DCij and therefore towards the cathode of the crossing point to be controlled.
  • the transistors such as T2ij disconnect the points Aij from the points Bij.
  • the current supply of the device DCij is maintained by the transistor T3ij under the control of the capacitor Csij.
  • the next frame time T2 begins.
  • the column pulse VGSi2 controls the conduction of the transistor T1 ij.
  • the potential VDSJ2 is transmitted to point Aij and controls the charge of the capacitor Cti.
  • a pulse ⁇ 2.1 controls the conduction of the transistors such as T4ij, of the various crossover point circuits. These transistors have the role of grounding the Bij points. All the capacities such as Csij of the different crossing points are therefore discharged. Transistors such as T3ij go into the off state and no longer conduct current to devices such as DCij. Each pulse ⁇ 2.1 lasts long enough to allow the capacitors Csij to discharge. When the pulses ⁇ 2.1 disappear, the system provides the following pulse ⁇ 1.2 for controlling the transistors T2ij.
  • the capacitor Ctij of each crossing point circuit was charged under the control of the pulses VGSi2 and VDSJ2.
  • the conduction of the transistor T2ij controls the transfer of the charge from the capacitor Ctij to the capacitor Csij.
  • the transistor T3ij is turned on again as a function of the voltage level of the capacitor Ctij. The operation then continues as has just been described.
  • a crossing point circuit can be considered to be made up: - a first memory circuit M1 connected to a line wire and to a column wire and comprising the transistor T1ij and the capacitor Ctij; a second memory circuit M2 comprising the capacitor Csij;
  • the memories M1 of the line i are loaded with the data information of the columns.
  • all the memories M1 of the matrix are loaded.
  • the transfer circuit CT then controls the transfer of the content of the memories M1 to the memories M2, then isolates the memories M2 from the memories M1.
  • the memories M2 control the current control circuit CT while the data for the next frame time are loaded into the memories M1.
  • the reset circuit CLEAR erases the content of the memories M2, then the transfer circuit CT again commands the transfer of the content of the memories M1 to the memories M2. Operation continues as described above. It should be noted that the operation of the system is placed under the control of a central control circuit CCU.
  • This CCU circuit also supplies the signals ⁇ 1 and ⁇ 2 at the appropriate times in accordance with the description above, according to the timing diagram in FIG. 4 for example.
  • the last line of signals in Figure 4 illustrates the application of the system to an electron gun.
  • the electron beam emitted by a cathode matrix is transmitted on one face of a component (semiconductor) to be treated.
  • a component semiconductor
  • the beam is moved to the surface of the component and illuminates a neighboring area.
  • the last line of figure 4 illustrates this displacement.
  • the beam illuminates an area x1.
  • the beam is moved (by 50 nm for example), the control of the matrix is modified and the beam lights up the area x2. Again, the beam is moved, the command is modified, then the beam lights up the x3 area, etc.

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  • Vessels, Lead-In Wires, Accessory Apparatuses For Cathode-Ray Tubes (AREA)
  • Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)

Abstract

Ce système de commande permet de commander une matrice d'éléments images comportant chacun une cathode en matériau à faible affinité électronique. Chaque circuit de point de croisement comprend un dispositif de commutation (CTi.j) associé à une cathode d'un élément image et permet, à l'aide de circuits mémoires (M1, M2), de connecter cette cathode à une source de courant durant un temps nécessaire à la commande de toutes les lignes de la matrice et de régler la conduction en courant de l'élément image correspondant. Applications: commande de canons à électrons et d'écrans de visualisation.

Description

COMMANDE D'UN ECRAN A CATHODES A FAIBLE AFFINITE
ELECTRONIQUE
On connaît des matériaux à affinité négative ou à faible affinité électronique qui sont généralement en carbone à structure diamant. Ces matériaux présentent le gros avantage d'émettre des électrons pour des champs d'extraction faibles (de l'ordre de 10 V/μm). Comme il est facile d'obtenir de tels champs sur une couche mince plane, pour fabriquer des cathodes, il n'est alors plus nécessaire de façonner des pointes, ce qui facilite le procédé de fabrication. Par exemple, dans une cathode à pointes, il est indispensable de contrôler le diamètre des trous dans la grille d'extraction à 0, 1 μm près. W. Zhu et al. ont étudié des dépôts de diamant polycristallin obtenu par CVD (chemical vapour déposition) et ont montré que la densité d'émission augmentait fortement avec la densité de défauts que contiennent les films. Certaines conditions de dépôt permettent d'obtenir des couches présentant, pour des champs de l'ordre de 30 V/μm, des densités de courant de 10 mA/cm2, soit une valeur suffisante pour fabriquer un écran de luminosité de 300 cd/m2. Cependant, les propriétés émissives des films semblent peu uniformes car elles dépendent beaucoup de la rugosité (de l'ordre de la taille de grain ≈ 5 μm) et de la densité de défauts. Dans les écrans à émission de champ dont les cathodes sont réalisées en matériau polycristallin, on constate donc que l'affichage n'est pas uniforme.
L'invention permet de résoudre ce problème en prévoyant de réaliser les cathodes d'un écran d'affichage d'informations, en un matériau à faible affinité électronique de structure amorphe ou cristalline qui présente un état de surface lisse. Cependant, de telles cathodes ne peuvent émettre un flux d'électrons important (inférieur à 1 mA/cm2 quelques 10" A/cm ). Dans un écran matriciel, par exemple de 1 000 x 1 000 lignes, la commande des éléments images se fait en principe ligne par ligne. Pour résoudre le problème de faible puissance émise par chaque pixel (chaque cathode) on prévoit d'associer à chaque cathode un dispositif de commutation qui maintient la commande de la cathode pendant un temps de trame, un temps de trame étant le temps total nécessaire pour commander les unes après les autres toutes les lignes d'un écran. Dans ces conditions, on peut considérer que l'intensité émise par une cathode intégrée sur un temps de trame est pratiquement équivalente à la puissance qui aurait été nécessaire dans une commande ligne par ligne, multipliée par le nombre de lignes. Autrement dit, selon l'invention, les cathodes à faible affinité électronique caractérisées par une faible densité d'émission (< 1 mA/cm2) sont utilisables dans un écran d'affichage à condition de les combiner chacune à un circuit de commande qui maintient l'alimentation en courant durant un temps de trame ce qui permet d'avoir une alimentation en courant n fois inférieure à celle qui aurait été nécessaire dans une commande ligne par ligne, n étant le nombre de lignes de l'écran. L'invention concerne donc un système de commande d'un écran comprenant au moins un élément image à émission d'électrons à faible affinité électronique, caractérisé en ce qu'il comporte :
- un ensemble de cathodes arrangées en lignes et colonnes, et commandées ligne par ligne ; - un dispositif de commutation associé à la cathode de chaque élément image et permettant de connecter ladite cathode à une source de courant durant un temps nécessaire à la commande de toutes les lignes et de régler la conduction en courant de l'élément image correspondant. Les différents objets et caractéristiques de l'invention apparaîtront plus clairement dans la description qui va suivre et dans les figures annexées qui représentent :
- les figures 1a et 1b, des exemples simplifiés d'un dispositif à émission cathodique dans lequel la cathode est un matériau à faible affinité électronique ;
- la figure 2, une matrice de dispositifs tels que ceux des figures 1 a et 1b ;
- la figure 3, un circuit d'un point de croisement de commande d'un dispositif de la matrice de la figure 2; - la figure 4, un diagramme des temps de fonctionnement du circuit de la figure 3.
La figure 1a représente une structure de base du dispositif selon l'invention. Ce dispositif comporte, sur un substrat 2, une couche 21 en matériau à forte affinité électronique. Sur cette couche 21 est située au moins un élément 1 en matériau à faible affinité électronique, appelé cathode. Dans le cas d'un dispositif de visualisation en vis-à-vis de la cathode à une distance dCa de la cathode se trouve une couche de matériau conducteur appelé anode 3.
La couche 21 est de préférence conductrice et permet de commander électriquement la cathode. Dans la mesure où le substrat présente les propriétés de la couche 21 , celle-ci peut être omise.
Selon l'invention, la cathode est en matériau déposé sous forme amorphe de façon à présenter un bon état de surface. Sa structure cristalline peut être éventuellement modifiée par un traitement après dépôt (traitement thermique ou laser). Ce matériau peut être par exemple en carbone avec la structure suivante : a-C:H ; a-C:H:N.
La figure 1 b représente un micro-canon à électrons. Une telle structure est similaire en ce qui concerne la partie émission d'électrons (cathode) à celle de la figure 1a. Cependant à la place de l'anode sera placée une cible non représentée. De plus, il est prévu une électrode 5' de focalisation du faisceau d'électrons. Cette électrode est située au-dessus de la grille 5 et entoure la partie émission d'électrons du dispositif.
De tels dispositifs sont arrangés en lignes et colonnes pour permettre une commande matricielle. La figure 2 représente une telle organisation comprenant une matrice de dispositifs à émission cathodique DC1.1 à DCn.m connectés à des fils de lignes CL1 à CLn et à des fils de colonnes CC1 à CCm. Des circuits de commande CDL et CDC permettent d'appliquer des potentiels de commande aux fils de lignes et aux fils de commande. Chaque dispositif à émission cathodique est connecté à un fil de ligne et à un fil de colonne par un circuit à coïncidence ou un circuit de point de croisement DC1.1 à DCn.m. La figure 3 représente par exemple le circuit CTij de point de croisement connecté au fil de ligne CLi (i = 1 à n) et au fil de colonne CCj (j = 1 a n). Chaque point de croisement de la matrice comporte donc un circuit tel que représenté en figure 3. Le circuit comporte un premier transistor T1 ij dont la grille GSij est connectée à un fil de ligne CLi et la source (ou émetteur) DSij est connectée à un fil de colonne CCj. Un premier condensateur Ctij est connecté au drain (ou collecteur) du transistor T1 ij. Un deuxième transistor T2ij permet de connecter le condensateur Ctij, et plus précisément le point Aij commun du condensateur Ctij et du transistor T1 ij, à un deuxième condensateur Csij. Le niveau de tension de ce deuxième condensateur Csij permet de commander la conduction d'un troisième transistor T3ij qui commande l'alimentation en courant de la cathode de point de croisement correspondant. Plus précisément, le deuxième transistor T2ij permet de connecter le point Aij au point commun Bij du condensateur et de la grille du troisième transistor T3ij. Enfin, un quatrième transistor T4ij permet de court-circuiter le deuxième condensateur Csij pour le décharger. La commande des transistors T2ij et T4ij se fait par des impulsions de commande appliquées à leurs grilles à des instants déterminés qui sont définis dans le diagramme de la figure 4.
En se reportant à la figure 4, on va maintenant décrire le fonctionnement du circuit de la figure 3.
Les signaux VGS1 à VGSn (représentés par les lignes VGS1=VGSn) correspondent aux signaux de commande des lignes CL1 à CLn. On voit donc que pendant un temps T qui correspond à un temps de trame, toutes les lignes ont été commandées les unes après les autres. On s'intéressera par exemple au signal de commande VGSi de la ligne CLi. Sa période est donc égale à T. Durant chaque impulsion de commande de ligne telle que VGSi, une impulsion de commande de colonne d'une valeur particulière (comprise entre 0 et 10 V) est appliquée à chaque fil de colonne. D'une impulsion de commande de ligne à la suivante, les valeurs des impulsions de colonnes sont changées selon la commande que l'on veut réaliser. Sur la figure 4, on n'a représenté que les impulsions VDSj envoyés sur la colonne CCj et en particulier au point de croisement de la ligne i et de la colonne j représentée en figure 3. Durant le temps de trame T1 , l'impulsion VDSJ1 a, par exemple, pour valeur 10 Volts. Durant le temps de trame T2, l'impulsion VDSJ2 a pour valeur 5 Volts et durant le temps de trame T3, l'impulsion VDSJ3 a pour valeur 7 Volts.
L'impulsion VGSil a pour effet de rendre conducteur le transistor T1 ij qui transmet le potentiel VDSj au point Aij. Le condensateur Ctij se charge entre ce potentiel et la terre, c'est-à-dire à un potentiel de 10 Volts pour la première impulsion VDSj En fin de période T1 , une impulsion φ1.1 (ligne φ1 ) qui est produite après la dernière impulsion de commande de ligne VGSn de la trame T1 , le transistor T2ij est rendu conducteur. Il est à noter que ce signal φ1 est appliqué à tous les transistors T2ij des différents points de croisement de la matrice. Dans chaque circuit de point de croisement, le point tel que Aij est connecté au point Bij. Le condensateur Csij est donc chargé au potentiel de Aij. Le potentiel du point Bij rend conducteur le transistor T3ij et celui-ci permet la circulation d'un courant vers le dispositif DCij et donc vers la cathode du point de croisement à commander. A l'issue de l'impulsion φ1.1 , les transistors tels que T2ij déconnectent les points Aij des points Bij. L'alimentation en courant du dispositif DCij est maintenue par le transistor T3ij sous la commande du condensateur Csij.
Après l'interruption de l'impulsion φ1.1 , commence le temps de trame suivant T2. L'impulsion de colonne VGSi2 commande la conduction du transistor T1 ij. Le potentiel VDSJ2 est transmis au point Aij et commande la charge du condensateur Cti.
Avant l'impulsion φ1.2 suivante, une impulsion φ2.1 commande la conduction des transistors tels que T4ij, des différents circuits de points de croisement. Ces transistors ont pour rôle de mettre à la masse les points Bij. Toutes les capacités telles que Csij des différents points de croisement sont donc déchargés. Les transistors tels que T3ij passent dans l'état bloqué et ne conduisent plus de courant vers les dispositifs tels que DCij. Chaque impulsion φ2.1 dure suffisamment pour permettre la décharge des condensateurs Csij. Lorsque les impulsions φ2.1 disparaissent, le système fournit l'impulsion suivante φ1.2 de commande des transistors T2ij.
Comme on l'a vu précédemment, le condensateur Ctij de chaque circuit de point de croisement a été chargé sous la commande des impulsions VGSi2 et VDSJ2. La conduction du transistor T2ij commande le transfert de la charge du condensateur Ctij vers le condensateur Csij. Le transistor T3ij est rendu à nouveau conducteur en fonction du niveau de tension du condensateur Ctij. Le fonctionnement se poursuit ensuite comme cela vient d'être décrit.
On voit donc comme cela est représenté en figure 3 qu'un circuit de point de croisement peut être considéré comme étant constitué : - d'un premier circuit mémoire M1 connecté à un fil de ligne et à un fil de colonne et comprenant le transistor T1ij et le condensateur Ctij ; d'un deuxième circuit mémoire M2 comprenant le condensateur Csij ;
- d'un circuit de transfert CT connectant le circuit mémoire M1 au circuit mémoire M2 et comprenant le transistor T2ij ;
- d'un circuit de commande de courant CCT commandé par le circuit mémoire M2 et comprenant le transistor T3ij ; - d'un circuit CLEAR de remise à zéro du circuit mémoire M2 et comprenant le transistor T4ij. Selon le fonctionnement décrit précédemment, les différentes lignes sont commandées successivement durant un temps de trame.
A chaque commande d'une ligne i, les mémoires M1 de la ligne i sont chargées par les informations de données des colonnes. En fin de temps d'une trame, toutes les mémoires M1 de la matrice sont chargées. Le circuit de transfert CT commande alors le transfert du contenu des mémoires M1 vers les mémoires M2, puis isole les mémoires M2 des mémoires M1. Les mémoires M2 commandent le circuit de commande de courant CT pendant que les données du temps de trame suivant sont chargées dans les mémoires M1. En fin de cette trame suivante, le circuit de remise à zéro CLEAR efface le contenu des mémoires M2, puis le circuit de transfert CT commande à nouveau le transfert du contenu des mémoires M1 vers les mémoires M2. Le fonctionnement se poursuit comme décrit précédemment. II est à noter que le fonctionnement du système est placé sous le contrôle d'un circuit de contrôle central CCU. Celui-ci commande l'exploration ligne par ligne de la matrice et l'envoi pour chaque commande de ligne de potentiels appropriés sur les fils de colonnes. Ce circuit CCU fournit également les signaux φ1 et φ2 aux instants appropriés en conformité avec la description qui précède, selon le chronogramme de la figure 4 par exemple.
La dernière ligne de signaux de la figure 4, illustre l'application du système à un canon à électrons. Dans un tel type d'application, le faisceau d'électrons émis par une matrice de cathode est transmis sur une face d'un composant (à semiconducteur) à traiter. A un instant donné, il éclaire une zone de composant, à un instant suivant le faisceau est déplacé à la surface du composant et éclaire une zone voisine. La dernière ligne de la figure 4 illustre ce déplacement. A un instant donné, le faisceau éclaire une zone x1. Puis, le faisceau est déplacé (de 50 nm par exemple), la commande de la matrice est modifiée et le faisceau éclaire la zone x2. A nouveau, le faisceau est déplacé, la commande est modifiée, puis le faisceau éclaire la zone x3, etc..

Claims

REVENDICATIONS
1. Système de commande d'un écran comprenant au moins un élément image à émission d'électrons, caractérisé en ce qu'il comporte :
- un ensemble de cathodes arrangées en lignes et colonnes, et commandées ligne par ligne ; - un dispositif de commutation (CTi.j) associé à la cathode de chaque élément image et permettant de connecter ladite cathode à une source de courant durant un temps nécessaire à la commande de toutes les lignes et de régler la conduction en courant de l'élément image correspondant.
2. Système selon la revendication 1 , caractérisé en ce que le circuit à coïncidence comporte :
- un premier circuit mémoire (M1 ) connecté à un fil de ligne et à un fil de colonne et enregistrant une information de donnée transmise sur le fil de colonne ; - un deuxième circuit mémoire (M2) connectable au premier circuit à mémoire (M1 ) par un circuit de transfert (CT) ;
- un circuit de commande de courant (CCT) commandant la transmission d'un courant déterminé à un dispositif à émission cathodique en fonction de l'information fournie par le deuxième circuit à mémoire (M2) ; et en ce que le système comporte également :
- un circuit de commande central (CCU) commun à tous les circuits à coïncidence réalisant les commandes suivantes :
• exploration séquentielle des lignes de la matrice et l'envoi à chaque commande d'une ligne d'une information sur chaque colonne qui est alors mémorisée dans le premier circuit mémoire (M1) ;
• fonctionnement du circuit de transfert de chaque circuit à coïncidence pour commander le transfert du premier circuit mémoire (M1 ) au deuxième circuit mémoire et cela à un temps situé à l'issue d'une exploration trame de la matrice.
3. Système selon la revendication 2, caractérisé en ce que chaque circuit à coïncidence comporte un circuit de remise à zéro (CLEAR) permettant d'effacer le contenu de la deuxième mémoire et cela à un instant situé en fin de trame et avant le fonctionnement du circuit de transfert.
4. Système selon la revendication 2, caractérisé en ce que le premier et le deuxième circuits à mémoire d'un circuit à coïncidence comportent chacun un condensateur capable d'être chargé à des niveaux de potentiels correspondant à une information reçue sur un fil de colonne.
5. Système selon la revendication 1 , caractérisé en ce que chaque cathode est en matériau conducteur à faible affinité électronique et de structure amorphe.
6. Système selon l'une des revendications 1 ou 2, caractérisé en ce que chaque dispositif de commutation (CTi.j) comporte un circuit à coïncidence (T1 i.j) connecté à un fil de ligne (CLi) et à un fil de colonne (CCj) commandant l'activation d'un circuit de connexion (T3i.j) permettant de connecter la cathode d'un élément image à la source de courant ; l'application d'un potentiel au fil de ligne et au fil de colonne commandant, par le circuit à coïncidence, la conduction de courant du circuit de connexion selon une valeur d'intensité correspondant à la valeur du potentiel appliqué au fil de colonne.
7. Système selon la revendication 6, caractérisé en ce qu'il comporte un premier condensateur (Cti.j) connecté à un point de connexion commun (Aij) du circuit à coïncidence (T1 i.j) et du circuit de connexion (T3i.j).
8. Système selon la revendication 7, caractérisé en ce qu'il comporte un circuit de transfert (T2i.j) permettant de connecter ledit point de connexion commun (Aij) au circuit de connexion (T3i.j) et en ce qu'il comporte un deuxième condensateur (Csij) connecté au circuit de connexion (T3i.j).
9. Système selon la revendication 1 , caractérisé en ce qu'il comporte au moins une anode disposée en vis-à-vis de l'ensemble de cathodes.
10. Système selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que l'élément image comporte une cathode en matériau à faible affinité électronique.
PCT/FR1999/001597 1998-07-03 1999-07-02 Commande d'un ecran a cathodes a faible affinite electronique WO2000002183A1 (fr)

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US09/485,719 US6356028B1 (en) 1998-07-03 1999-07-02 Screen control with cathodes having low electronic affinity
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