WO1999036944A1 - Method and device for drying an object - Google Patents

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WO1999036944A1
WO1999036944A1 PCT/EP1998/008468 EP9808468W WO9936944A1 WO 1999036944 A1 WO1999036944 A1 WO 1999036944A1 EP 9808468 W EP9808468 W EP 9808468W WO 9936944 A1 WO9936944 A1 WO 9936944A1
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treatment liquid
container
treatment
substrate carrier
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PCT/EP1998/008468
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Volker BÖTTINGER
Eberhard NÄGELE
Herbert SCHÜLE
Michael Storz
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Steag Microtech Gmbh
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    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02052—Wet cleaning only
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F26—DRYING
    • F26B—DRYING SOLID MATERIALS OR OBJECTS BY REMOVING LIQUID THEREFROM
    • F26B1/00—Preliminary treatment of solid materials or objects to facilitate drying, e.g. mixing or backmixing the materials to be dried with predominantly dry solids
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/67034—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for drying

Definitions

  • the invention relates to a method and a device for drying an object, in which the object to be dried is removed from a treatment liquid and brought into contact with a fluid that removes surface charges.
  • a treatment liquid In manufacturing processes, particularly in the semiconductor industry, it is necessary to treat objects with a liquid which must be dried after removal from the liquid. An example of this is the wet treatment of substrates in chip production.
  • devices for wet treatment of substrates in a container containing a treatment fluid are known, in which the substrates can be inserted into the container together with a substrate carrier.
  • the substrates e.g. Semiconductor wafers are inserted into the substrate carrier before the wet treatment and subsequently the semiconductor wafers are brought together with the substrate carrier into the container containing the treatment fluid.
  • the semiconductor wafers are moved out of the treatment fluid by means of a knife, with the substrate carrier being left behind, since the wafers during the
  • the wafers are dried, for example, using the so-called Marangoni process according to EP-B-0 385 536.
  • the substrate carrier is subsequently moved out of the treatment liquid and dried.
  • the substrate carriers must also be dried completely so that no contaminants reach the semiconductor wafers via the substrate carriers and are subsequently reinserted into the substrate carriers.
  • the substrate carrier which preferably consists of Teflon
  • Complete drying of the substrate carrier can, however, be made more difficult by surface charges on the substrate carrier or charges that occur in the treatment liquid used. These surface charges cause liquid to adhere to the substrate carrier and make it difficult for the substrate carrier to dry completely. Furthermore, surface charges on the substrate carrier lead to particles being attracted and adhering to the substrate carrier. When the semiconductor wafers are inserted, they could be contaminated by the particles adhering to the substrate carrier, which would be disadvantageous for the wafers.
  • a device for washing semiconductor materials is also known, in which a large number of washing tanks for semiconductor wafers is provided.
  • the device has air guiding or guiding means with air outlets for generating an air flow over the respective wash tank, as well as ionization means which are provided on at least one side of the wash tank in order to ionize the air flowing over the wash tank.
  • the air ionized in this way serves to neutralize electrostatic charge on the surfaces of the semiconductor wafers in order to deposit dust and
  • JP 4-3426 A it is known to provide an earthed metal plate which surrounds a substrate carrier after it has been lifted out of a treatment liquid in order to reduce electrical charges on a wafer within the carrier.
  • JP 4-7855 A it is also known to prevent dust from adhering to the wafer due to electrostatic charges by passing ionized air over semiconductor wafers.
  • the invention is based on the object of specifying or creating a method and a device which improves or speeds up the cleaning and drying process and makes it safer.
  • the object is achieved according to the invention in that the fluid removing surface charges is applied as a layer to the treatment liquid located in a container in which the object to be dried is located.
  • the object to be dried comes into contact with the fluid layer in order to remove the surface charges.
  • the object to be dried is a substrate carrier and the treatment liquid is the liquid necessary for the substrate treatment.
  • the manufacturing pro processes of semiconductors and wafers in which not only a complete drying of the substrates to be treated, but also of the substrate receiving the substrates is important.
  • the fluid is advantageously introduced into the container via a liquid overflow of the container or via a hood known from semiconductor technology in order to ensure that the fluid is deposited as a layer on the treatment liquid.
  • the fluid is preferably nitrogen, an inert gas such as argon, or dilute hydrochloric acid (HCl).
  • the fluid is deionized before contact with the object in order to promote the removal of the surface charges during the contact.
  • FIG. 1 shows a treatment device 1 for the wet treatment of wafers or substrates 2.
  • a treatment device 1 for the wet treatment of wafers or substrates 2.
  • the treatment device 1 is shown in a state after the wet treatment of the wafers, after the wafers 2 have been removed from the treatment liquid with a knife-like lifting device 3. were raised.
  • the wafers 2 are held in a hood 5 with lateral guides 6.
  • Below the hood 5 there is a container 7 which is closed off from the hood 5.
  • the container 7 has an overflow 10 and an outlet 11.
  • the container 7 is partly filled with the treatment liquid 12 necessary for the wafer treatment.
  • a surface charge-removing fluid 14 is located on the treatment liquid, which is preferably gaseous, but can also be liquid.
  • the container 7 there is also a substrate carrier 16 with a frame 17 and four wafer holding rods 18 which have slots (not shown) for receiving the wafers 2.
  • the wafers 2 are in the wet treatment
  • Substrate carrier 16 which, like the lifting device 3, is lowered into the container such that the wafers 2 are completely immersed in the treatment liquid 12.
  • the wafers 2 are first lifted by the substrate carrier 16 and subsequently lifted away from the substrate carrier and out of the treatment liquid 12 by the lifting device and moved into the hood 5.
  • the wafers 2 are dried, for example according to the Marangoni method known from the above-mentioned EP-A-0 385 536.
  • the gas or gas mixture used in this case is introduced either through an opening 8 between the hood 5 and the container 7 (which should be as small as possible) or via an inlet (not shown) in the hood 5. In the latter case, the hood 5 sits sealingly on the container 7.
  • part of the treatment liquid 12 which reaches and overflows over the overflow 10 during the wet treatment, is drained off through the outlet 11 and a layer of the surface charge-removing fluid 14 either via the overflow 10, the opening 8 or an unillustrated one Inlet in the hood 5 or the container 7 applied.
  • the treatment liquid can be discharged and the fluid can be applied simultaneously or in succession, but care must be taken that the fluid 14 comes into sufficient contact with the substrate carrier.
  • the fluid 14 is heavier than air and therefore, as shown, settles as a layer on the treatment liquid 12.
  • treatment liquid 12 can be drained further via the outlet 11, which causes the level of the treatment liquid to drop together with the layer of fluid 14 located above it.
  • the fluid 14 sweeps over the substrate carrier 16 and removes surface charges from the substrate carrier 16, as a result of which the drying of the substrate carrier 16 is considerably promoted.
  • the substrate carrier can also be lifted out of the treatment liquid 12, in which case it then also moves through the layer of the fluid 14 and the fluid 14 removes the surface charges from the substrate carrier 16, which in turn promotes the drying of the substrate carrier 16.
  • the method or the device according to the invention was previously shown with the aid of a treatment device for substrates, it becomes clear that the principle underlying the invention of the method and device shown here can also be used in other areas in which an object in a liquid dries must become.

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Abstract

The invention relates to a method and a device for drying an object. The aim of the invention is to dry said object more effectively. To this end, the object is brought into contact with a fluid which removes surface charges.

Description

Verfahren und Vorrichtung zum Trocknen eines GegenstandesMethod and device for drying an object
Die Erfindung betrifft ein Verfahren bzw. eine Vorrichtung zum Trocknen eines Gegenstandes, bei dem bzw. bei der der zu trocknende Gegenstand aus einer Behandlungs- flüssigkeit entfernt und mit einem Oberflächenladungen entfernenden Fluid in Kontakt gebracht wird. Bei Fertigungsprozessen, insbesondere in der Halbleiter- Industrie, ist es notwendig, Gegenstände mit einer Flüssigkeit zu behandeln, die nach der Entnahme aus der Flüssigkeit getrocknet werden müssen. Ein Beispiel hierfür ist die Naßbehandlung von Substraten bei der Chipfertigung.The invention relates to a method and a device for drying an object, in which the object to be dried is removed from a treatment liquid and brought into contact with a fluid that removes surface charges. In manufacturing processes, particularly in the semiconductor industry, it is necessary to treat objects with a liquid which must be dried after removal from the liquid. An example of this is the wet treatment of substrates in chip production.
Aus der EP-B-0 385 536 und der DE 197 03 646 sind Vor- richtungen zur Naßbehandlung von Substraten in einem ein Behandlungsfluid enthaltenden Behälter bekannt, bei der die Substrate zusammen mit einem Substratträger in den Behälter einsetzbar sind. Die Substrate, z.B. Halbleiter- wafer, werden vor der Naßbehandlung in den Substratträger eingesetzt und nachfolgend werden die Halbleiterwafer zusammen mit dem Substratträger in den das Behandlungsfluid enthaltenden Behälter gebracht . Nach der Naßbehandlung werden die Halbleiterwafer mittels eines Messers aus dem Behandlungsfluid herausbewegt, und zwar unter Zurück- lassung des Substratträgers, da die Wafer während derFrom EP-B-0 385 536 and DE 197 03 646, devices for wet treatment of substrates in a container containing a treatment fluid are known, in which the substrates can be inserted into the container together with a substrate carrier. The substrates, e.g. Semiconductor wafers are inserted into the substrate carrier before the wet treatment and subsequently the semiconductor wafers are brought together with the substrate carrier into the container containing the treatment fluid. After the wet treatment, the semiconductor wafers are moved out of the treatment fluid by means of a knife, with the substrate carrier being left behind, since the wafers during the
Herausbewegung und der Trocknung einen möglichst geringen Kontakt zu anderen Gegenständen haben sollten. Die Trocknung der Wafer erfolgt zum Beispiel mit dem sogenannten Marangoni-Verfahren gemäß der EP-B-0 385 536. Nachfolgend wird der Substratträger aus der Behandlungsflüssigkeit herausbewegt und getrocknet. Wie die Wa- fer müssen auch die Substratträger vollständig getrocknet werden, damit keine Verunreinigungen über die Substrat- träger an die Halbleiterwafer gelangen, die nachfolgend wieder in die Substratträger eingesetzt werden.Moving out and drying should have as little contact as possible with other objects. The wafers are dried, for example, using the so-called Marangoni process according to EP-B-0 385 536. The substrate carrier is subsequently moved out of the treatment liquid and dried. Like the wa Furthermore, the substrate carriers must also be dried completely so that no contaminants reach the semiconductor wafers via the substrate carriers and are subsequently reinserted into the substrate carriers.
Eine vollständige Trocknung der Substratträger, die vorzugsweise aus Teflon bestehen, kann allerdings durch Oberflächenladungen auf dem Substratträger, oder Ladungen die in der verwendeten Behandlungsflüssigkeit auftreten, erschwert werden. Diese Oberflächenladungen führen dazu, daß Flüssigkeit an dem Substratträger anhaftet und eine vollständige Trocknung der Substratträgers erschwert. Ferner führen an dem Substratträger befindliche Oberflächenladungen dazu, daß Partikel angezogen werden und an dem Substratträger anhaften. Beim Einsetzen der Halbleiterwafer könnten diese durch die an dem Substratträger anhaftenden Partikel verunreinigt werden was für die Wafer nachteilig wäre.Complete drying of the substrate carrier, which preferably consists of Teflon, can, however, be made more difficult by surface charges on the substrate carrier or charges that occur in the treatment liquid used. These surface charges cause liquid to adhere to the substrate carrier and make it difficult for the substrate carrier to dry completely. Furthermore, surface charges on the substrate carrier lead to particles being attracted and adhering to the substrate carrier. When the semiconductor wafers are inserted, they could be contaminated by the particles adhering to the substrate carrier, which would be disadvantageous for the wafers.
Aus der DE 41 13 640 ist ferner eine Vorrichtung zum Waschen von Halbleitermaterialien bekannt, bei der eine Vielzahl von Waschtanks für Halbleiterwafer vorgesehen ist. Die Vorrichtung besitzt Luftleit- bzw. Führungsmittel mit Luftaustritten zum Erzeugen eines Luftstromes über den jeweiligen Waschtank, sowie Ionisierungsmittel bestehen, die an wenigstens einer Seite des Waschtanks vorgesehen sind, um die über den Waschtank strömende Luft zu ionisieren. Die so ionisierte Luft dient zur Neutralisierung elektrostatischer Ladung an den Oberflächen der Halbleiterwafer um die .Ablagerung von Staub- undFrom DE 41 13 640 a device for washing semiconductor materials is also known, in which a large number of washing tanks for semiconductor wafers is provided. The device has air guiding or guiding means with air outlets for generating an air flow over the respective wash tank, as well as ionization means which are provided on at least one side of the wash tank in order to ionize the air flowing over the wash tank. The air ionized in this way serves to neutralize electrostatic charge on the surfaces of the semiconductor wafers in order to deposit dust and
Fremdpartikeln an den Waferoberflachen zu vermeiden. Aus der JP 4-3426 A ist es bekannt eine geerdete Metall - platte vorzusehen, die einen Substratträger nach dem Herausheben aus einer Behandlungsflüssigkeit umgibt, um elektrische Ladungen an einem Wafer innerhalb des Trägers zu reduzieren. Aus der JP 4-7855 A ist es ferner bekannt durch leiten ionisierter Luft über Halbleiterwafer zu verhindern, daß Staub durch elektrostatische Ladungen an dem Wafer anhaftet .Avoid foreign particles on the wafer surfaces. From JP 4-3426 A it is known to provide an earthed metal plate which surrounds a substrate carrier after it has been lifted out of a treatment liquid in order to reduce electrical charges on a wafer within the carrier. From JP 4-7855 A it is also known to prevent dust from adhering to the wafer due to electrostatic charges by passing ionized air over semiconductor wafers.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren und eine Vorrichtung anzugeben bzw. zu schaffen, das bzw. die den Reinigungs- und Trocknungsvorgang verbessert, beschleunigt und sicherer macht .The invention is based on the object of specifying or creating a method and a device which improves or speeds up the cleaning and drying process and makes it safer.
Die gestellte Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß das Oberflächenladungen entfernenden Fluid als Schicht auf die in einem Behälter befindliche Behandlungsflüssigkeit, in der sich der zu trocknende Gegen- stand befindet aufgebracht wird.The object is achieved according to the invention in that the fluid removing surface charges is applied as a layer to the treatment liquid located in a container in which the object to be dried is located.
Durch Ablassen der Behandlungsflüssigkeit und entsprechendes Absinken der Fluidschicht oder durch Herausheben des Gegenstandes aus der Behandlungsflüssigkeit kommt der zu trocknende Gegenstand mit der Fluidschicht in Kontakt, um die Oberflächenladungen zu entfernen.By draining the treatment liquid and correspondingly lowering the fluid layer or by lifting the object out of the treatment liquid, the object to be dried comes into contact with the fluid layer in order to remove the surface charges.
Bei einer Ausführungsform der Erfindung ist der zu trocknende Gegenstand ein Substratträger und die Behandlungs- flüssigkeit ist die für die Substratbehandlung notwendige Flüssigkeit. Damit sind insbesondere die Fertigungspro- zesse von Halbleitern und Wafern angesprochen, bei denen nicht nur eine vollständige Trocknung der zu behandelnden Substrate, sondern auch des die Substrate aufnehmenden Trägers wichtig ist.In one embodiment of the invention, the object to be dried is a substrate carrier and the treatment liquid is the liquid necessary for the substrate treatment. In particular, the manufacturing pro processes of semiconductors and wafers, in which not only a complete drying of the substrates to be treated, but also of the substrate receiving the substrates is important.
Vorteilhafterweise wird das Fluid über einen Flüssigkeitsüberlauf des Behälters oder über eine aus der Halbleitertechnik bekannte Haube in den Behälter eingeführt, um sicherzustellen, daß sich das Fluid als Schicht auf der Behandlungsflüssigkeit ablagert. Vorzugsweise ist das Fluid Stickstoff, ein Edelgas wie Argon, oder verdünnte Salzsäure (HCl) .The fluid is advantageously introduced into the container via a liquid overflow of the container or via a hood known from semiconductor technology in order to ensure that the fluid is deposited as a layer on the treatment liquid. The fluid is preferably nitrogen, an inert gas such as argon, or dilute hydrochloric acid (HCl).
Gemäß einer besonders bevorzugten Ausführungsform wird das Fluid vor dem Kontakt mit dem Gegenstand deionisiert um die Entfernung der Oberflächenladungen während des Kontaktes zu fördern.According to a particularly preferred embodiment, the fluid is deionized before contact with the object in order to promote the removal of the surface charges during the contact.
Die Erfindung wird nachfolgend anhand eines bevorzugten Ausführungsbeispiels unter Bezugnahme auf eine einzige Schemazeichnung, die eine Vorrichtung zum Behandeln von Halbleiterwafern darstellt, beschrieben.The invention is described below on the basis of a preferred exemplary embodiment with reference to a single schematic drawing which represents a device for treating semiconductor wafers.
Figur 1 zeigt eine Behandlungsvorrichtung 1 zur Naßbe- handlung von Wafern oder Substraten 2. Eine Ausführungs- form einer derartigen Behandlungsvorrichtung ist beispielsweise in der zuvor genannten EP-B-0 385 536 beschrieben. In der Figur ist die Behandlungsvorrichtung 1 in einem Zustand nach der Naßbehandlung der Wafer darge- stellt, nachdem die Wafer 2 mit einer messerartigen .Anhe- be-Einrichtung 3 aus der Behandlungsflüssigkeit herausge- hoben wurden. Wie dargestellt werden die Wafer 2 in einer Haube 5 mit seitlichen Führungen 6 gehalten. Unterhalb der Haube 5 befindet sich ein von der Haube 5 nach oben abgeschlossener Behälter 7. Der Behälter 7 weist einen Überlauf 10 sowie einen Auslaß 11 auf. Der Behälter 7 ist zum Teil mit der für die Waferbehandlung notwendigen Behandlungsflüssigkeit 12 gefüllt. Auf der Behandlungsflüssigkeit befindet sich als Schicht ein Oberflächenladungen entfernendes Fluid 14, das vorzugsweise gasförmig ist, aber auch flüssig sein kann. In dem Behälter 7 befindet sich ferner ein Substratträger 16 mit einem Rahmen 17 und vier Wafer-Halterungsstangen 18 welche nicht dargestellte Schlitze zur Aufnahme der Wafer 2 aufweisen.FIG. 1 shows a treatment device 1 for the wet treatment of wafers or substrates 2. An embodiment of such a treatment device is described, for example, in the aforementioned EP-B-0 385 536. In the figure, the treatment device 1 is shown in a state after the wet treatment of the wafers, after the wafers 2 have been removed from the treatment liquid with a knife-like lifting device 3. were raised. As shown, the wafers 2 are held in a hood 5 with lateral guides 6. Below the hood 5 there is a container 7 which is closed off from the hood 5. The container 7 has an overflow 10 and an outlet 11. The container 7 is partly filled with the treatment liquid 12 necessary for the wafer treatment. A surface charge-removing fluid 14 is located on the treatment liquid, which is preferably gaseous, but can also be liquid. In the container 7 there is also a substrate carrier 16 with a frame 17 and four wafer holding rods 18 which have slots (not shown) for receiving the wafers 2.
Die Wafer 2 befinden sich während der Naßbehandlung imThe wafers 2 are in the wet treatment
Substratträger 16, der genauso wie die Anhebe-Einrichtung 3 derart in den Behälter abgesenkt wird, daß die Wafer 2 vollständig in der Behandlungsflüssigkeit 12 eingetaucht sind. Nach der Naßbehandlung werden die Wafer 2 zunächst durch den Substratträger 16 angehoben und nachfolgend durch die Anhebe-Einrichtung vom Substratträger weg und aus der Behandlungsflüssigkeit 12 heraus gehoben und in die Haube 5 hinein bewegt . Während dieser Bewegung werden die Wafer 2 getrocknet, beispielsweise gemäß dem aus der oben genannten EP-A-0 385 536 bekannten Marangoni-Verfahren. Das dabei verwendete Gas oder Gasgemisch wird entweder über eine Öffnung 8 zwischen der Haube 5 und dem Behälter 7 (die möglichst klein sein sollte) oder über einen nicht dargestellten Einlaß in der Haube 5 eingelei- tet . Im letzteren Fall sitzt die Haube 5 abdichtend auf dem Behälter 7. Danach wird ein Teil der Behandlungsflüssigkeit 12, die während der Naßbehandlung bis zum Überlauf 10 reicht und über ihn abfließt über den Auslaß 11 abgelassen und es wird eine Schicht des die Oberflächenladungen entfernenden Fluids 14 entweder über den Überlauf 10, die Öffnung 8 oder einen nicht dargestellten Einlaß in der Haube 5 oder dem Behälter 7 aufgebracht. Das Auslassen der Behandlungsflüssigkeit und Aufbringen des Fluids kann gleichzeitig oder nacheinander erfolgen, wobei aber darauf zu achten ist, daß das Fluid 14 ausreichend mit dem Substratträger in Kontakt kommt. Das Fluid 14 ist schwerer als Luft und setzt sich daher wie dargestellt als Schicht auf der Behandlungsflüssigkeit 12 ab.Substrate carrier 16, which, like the lifting device 3, is lowered into the container such that the wafers 2 are completely immersed in the treatment liquid 12. After the wet treatment, the wafers 2 are first lifted by the substrate carrier 16 and subsequently lifted away from the substrate carrier and out of the treatment liquid 12 by the lifting device and moved into the hood 5. During this movement, the wafers 2 are dried, for example according to the Marangoni method known from the above-mentioned EP-A-0 385 536. The gas or gas mixture used in this case is introduced either through an opening 8 between the hood 5 and the container 7 (which should be as small as possible) or via an inlet (not shown) in the hood 5. In the latter case, the hood 5 sits sealingly on the container 7. Thereafter, part of the treatment liquid 12, which reaches and overflows over the overflow 10 during the wet treatment, is drained off through the outlet 11 and a layer of the surface charge-removing fluid 14 either via the overflow 10, the opening 8 or an unillustrated one Inlet in the hood 5 or the container 7 applied. The treatment liquid can be discharged and the fluid can be applied simultaneously or in succession, but care must be taken that the fluid 14 comes into sufficient contact with the substrate carrier. The fluid 14 is heavier than air and therefore, as shown, settles as a layer on the treatment liquid 12.
Nach dem Aufbringen der Fluidschicht kann weiter Behandlungsflüssigkeit 12 über den Auslaß 11 abgelassen werden, wodurch bewirkt wird, daß das Niveau der Behandlungs- flüssigkeit zusammen mit der darüber befindlichen Schicht des Fluids 14 absinkt. Dabei überstreicht das Fluid 14 den Substratträger 16 und entfernt Oberflächenladungen von dem Susbtratträger 16, wodurch die Trocknung des Substratträgers 16 erheblich gefördert wird.After the application of the fluid layer, treatment liquid 12 can be drained further via the outlet 11, which causes the level of the treatment liquid to drop together with the layer of fluid 14 located above it. The fluid 14 sweeps over the substrate carrier 16 and removes surface charges from the substrate carrier 16, as a result of which the drying of the substrate carrier 16 is considerably promoted.
Alternativ kann der Substratträger auch aus der Behandlungsflüssigkeit 12 herausgehoben werden, wobei er sich dann auch durch die Schicht des Fluids 14 hindurchbewegt, und das Fluid 14 die Oberflächenladungen vom Substrat- träger 16 entfernt, was wiederum die Trocknung des Sub- stratträgers 16 fördert. Obwohl das erfindungsgemäße Verfahren bzw. die Vorrichtung zuvor anhand einer Behandlungsvorrichtung für Substrate dargestellt wurde, wird deutlich, daß das der Erfindung zugrundeliegende Prinzip des hier dargestellten Verfahrens und der Vorrichtung auch in anderen Bereichen anwendbar ist, bei denen ein sich in einer Flüssigkeit befindlicher Gegenstand getrocknet werden muß. Alternatively, the substrate carrier can also be lifted out of the treatment liquid 12, in which case it then also moves through the layer of the fluid 14 and the fluid 14 removes the surface charges from the substrate carrier 16, which in turn promotes the drying of the substrate carrier 16. Although the method or the device according to the invention was previously shown with the aid of a treatment device for substrates, it becomes clear that the principle underlying the invention of the method and device shown here can also be used in other areas in which an object in a liquid dries must become.

Claims

Patentansprüche claims
1. Verfahren zum Trocknen eines Gegenstandes (16), bei dem der zu trocknende Gegenstand aus einer Behandlungsflüssigkeit entfernt wird und der Gegenstand (16) mit einem Oberflächenladungen entfernenden Fluid (14) in Kontakt gebracht wird, dadurch gekenn- zeichnet, daß das Fluid (14) als Fluidschicht auf die in einem Behälter (7) befindliche Behandlungsflüssigkeit (12) , in der sich der zu trocknende Gegenstand (16) befindet, aufgebracht wird.1. A method for drying an object (16), in which the object to be dried is removed from a treatment liquid and the object (16) is brought into contact with a fluid (14) which removes surface charges, characterized in that the fluid ( 14) is applied as a fluid layer to the treatment liquid (12) in a container (7) in which the object (16) to be dried is located.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Behandlungsflüssigkeit (12) abgelassen wird.2. The method according to claim 1, characterized in that the treatment liquid (12) is drained.
3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Gegenstand (16) aus der Behandlungsflüs- sigkeit (12) herausgehoben wird.3. The method according to claim 1, characterized in that the object (16) is lifted out of the treatment liquid (12).
4. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der Gegenstand (16) ein Substratträger ist, und die Behandlungsflüssigkeit (12) für die Substratbehandlung vorgesehen ist.4. The method according to any one of the preceding claims, characterized in that the object (16) is a substrate carrier, and the treatment liquid (12) is provided for the substrate treatment.
5. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das Fluid (14) über einen Flüssigkeits-Überlauf (10) des Behälters (7) eingeführt wird. 5. The method according to any one of the preceding claims, characterized in that the fluid (14) is introduced via a liquid overflow (10) of the container (7).
6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß das Fluid (14) über eine Haube (5) in den Behälter (7) eingeführt wird.6. The method according to any one of claims 1 to 4, characterized in that the fluid (14) via a hood (5) is introduced into the container (7).
7. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das Fluid (14) ein Edelgas, insbesondere Argon, ist.7. The method according to any one of the preceding claims, characterized in that the fluid (14) is a noble gas, in particular argon.
8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß das Fluid (14) Stickstoff ist.8. The method according to any one of claims 1 to 6, characterized in that the fluid (14) is nitrogen.
9. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß das Fluid (14) verdünnte Salzsäure ist.9. The method according to any one of claims 1 to 6, characterized in that the fluid (14) is dilute hydrochloric acid.
10. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das Fluid (14) vor dem Kontakt mit dem Gegenstand (16) deionisiert wird.10. The method according to any one of the preceding claims, characterized in that the fluid (14) is deionized before contact with the object (16).
11. Vorrichtung zum Trocknen eines Gegenstandes (16), mit Mitteln zum Entfernen des zu trocknenden Gegenstands aus einer Behandlungsflüssigkeit und mit Mitteln zum In-Kontakt-Bringen des Gegenstands (16) mit einem Oberflächenladungen entfernenden Fluid (14) , gekennzeichnet durch einen Behälter (7) , in dem sich der zu trocknende Gegenstand (16) sowie eine Behandlungsflüssigkeit (12) befindet, auf der das Fluid (14) als Schicht aufgebracht ist. 11. Device for drying an object (16), with means for removing the object to be dried from a treatment liquid and with means for bringing the object (16) into contact with a surface charge-removing fluid (14), characterized by a container ( 7), in which the object (16) to be dried and a treatment liquid (12) are located, on which the fluid (14) is applied as a layer.
12. Vorrichtung nach Anspruch 11, gekennzeichnet durch .Ablaßmittel (11) für die Behandlungsflüssigkeit (12) .12. The apparatus according to claim 11, characterized by. Drain means (11) for the treatment liquid (12).
13. Vorrichtung nach .Anspruch 11, gekennzeichnet durch eine Anhebe-Einrichtung zum Herausheben des Gegenstands (16) aus der Behandlungsflüssigkeit.13. The apparatus according to .Anspruch 11, characterized by a lifting device for lifting the object (16) out of the treatment liquid.
14. Vorrichtung nach einem Ansprüche 11 bis 13, dadurch gekennzeichnet, daß der Gegenstand (16) ein Substratträger ist, und die Behandlungsflüssigkeit (12) für die Substratbehandlung vorgesehen ist .14. The device according to one of claims 11 to 13, characterized in that the object (16) is a substrate carrier, and the treatment liquid (12) is provided for the substrate treatment.
15. Vorrichtung nach einem Ansprüche 11 bis 14, gekenn- zeichnet durch einen Flüssigkeits-Überlauf (10) in dem Behälter (7) , über den das Fluid (14) in den Behälter (7) einführbar ist.15. Device according to one of claims 11 to 14, characterized by a liquid overflow (10) in the container (7), via which the fluid (14) can be introduced into the container (7).
16. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 11 bis 14 ge- kennzeichnet durch eine Haube (5) , über die das16. Device according to one of claims 11 to 14- characterized by a hood (5), via which the
Fluid (14) in den Behälter (7) einführbar ist.Fluid (14) can be introduced into the container (7).
17. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 11 bis 16, dadurch gekennzeichnet, daß das Fluid (14) ein Edel- gas, vorzugsweise Argon, ist.17. Device according to one of claims 11 to 16, characterized in that the fluid (14) is a noble gas, preferably argon.
18. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 11 bis 16, dadurch gekennzeichnet, daß das Fluid (14) verdünnter Stickstoff ist. 18. Device according to one of claims 11 to 16, characterized in that the fluid (14) is dilute nitrogen.
19. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 11 bis 18, dadurch gekennzeichnet, daß das Fluid (14) verdünnte Salzsäure ist.19. Device according to one of claims 11 to 18, characterized in that the fluid (14) is dilute hydrochloric acid.
20. Vorrichtung nach einem Ansprüche 11 bis 19, gekennzeichnet durch eine Vorrichtung zum Deionisieren des Oberflächenladungen entfernenden Fluids (14) . 20. Device according to one of claims 11 to 19, characterized by a device for deionizing the surface charge-removing fluid (14).
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