WO1998014989A1 - Memory cell with a polymer capacitor - Google Patents

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Günther SCHINDLER
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Abstract

A memory cell (1) presenting a selection transistor (2) and a storage capacitor (4) connected therewith. Storage capacitor (4) contains a polymer storage dielectric (8) having in particular ferroelectric properties.

Description

Beschreibungdescription
Speicherzelle mit PolymerkondensatorStorage cell with polymer capacitor
Die Erfindung betrifft eine Speicherzelle, die folgende Merkmale aufweist:The invention relates to a memory cell which has the following features:
einen Auswahltransistor; einen mit dem Auswahltransistor verbundenen Speicherkon- densator, der ein Speicherdielektrikum enthält,a selection transistor; a storage capacitor connected to the selection transistor and containing a storage dielectric,
sowie ein Verfahren zur deren Herstellung.and a process for their production.
Derartige Speicherzellen sind in verschiedensten Ausführungs- formen seit langem zur Verwendung in Schreib-/Lesespeichern bekannt. Ein Problem bei zunehmender Integrationsdichte und der damit verbundenen Verkleinerung der Speicherzellen ist stets die Integration der Speicherkondensatoren, deren Abmessungen sich, aufgrund beizubehaltender Kapazitäten und in etwa gleichbleibender Dielektrizitätskonstanten des Speicher- dielektrikums, nicht in dem Maße verkleinern durften, wie die Abmessungen der Auswahltransistoren. Dieses Problem scheint durch die Verwendung paraelektrischer oder ferroelektrischer Substanzen wie beispielsweise perowskitartige Materialien als Speicherdielektrikum, die eine sehr große Dielektrizitätskonstante (bis zu 400) besitzen und daher eine Verkleinerung der Abmessungen der Speicherkondensatoren bei gleichbleibender Kapazität zulassen, gelöst. Letztere, die ferro- elektrischen Substanzen, erlauben sogar die Herstellung von Schreib-/Lesespeichern auf Halbleiterbasis, die die gespeicherte Information bei Ausfall einer VersorgungsSpannung nicht verlieren und die auch nicht, wie bisher üblich, aufgrund von Leckströmen regelmäßig neu beschrieben werden müssen.Such memory cells have long been known in a wide variety of designs for use in read / write memories. A problem with increasing integration density and the associated reduction in size of the memory cells is always the integration of the storage capacitors, the dimensions of which, owing to the capacities to be retained and the dielectric constant of the storage dielectric remaining approximately the same, were not allowed to decrease as much as the dimensions of the selection transistors. This problem appears to be solved by the use of paraelectric or ferroelectric substances such as perovskite-like materials as the storage dielectric, which have a very large dielectric constant (up to 400) and therefore allow the dimensions of the storage capacitors to be reduced while maintaining the capacitance. The latter, the ferroelectric substances, even allow the production of read / write memories based on semiconductors, which do not lose the stored information in the event of a power supply failure and which, as has been customary up to now, do not have to be regularly rewritten due to leakage currents.
Die Nachteile derartiger paraelektrischer oder ferroelektri- scher Substanzen mit hoher Dielektrizitätskonstante liegen hauptsächlich in deren Verarbeitung. So treten bei der Abscheidung o. g. paraelektrischer oder ferroelektrischer Materialien Substanzen auf, die den Herstellungsprozeß von Strukturen aus Auswahltransistören, beispielsweise in CMOS-Techno- logie, kontaminieren können. Eine räumliche Trennung der Abscheidung der paraelektrischen oder ferroelektrischen Substanzen und der Herstellung der Auswahltransistoren/Logik- Struktur ist daher erforderlich, was einen zusätzlichen Logistik- und damit Kostenaufwand bedeutet. Weiterhin ist zur Ab- Scheidung o. g. paraelektrischer oder ferroelektrischer Substanzen eine Abscheidetemperatur erforderlich, die über der Schmelztemperatur von Aluminium liegt, das als bevorzugtes Metall zur Metallisierung einer Struktur aus Auswahltransistoren verwendet wird, so daß die Metallisierung der Struktur aus Auswahltransistoren erst nach Fertigstellung der Speicherkondensatoren erfolgen kann. Zum Aufbringen der Speicherkondensatoren können daher keine komplett vorgefertigten Strukturen aus Auswahltransistoren verwendet werden.The disadvantages of such paraelectric or ferroelectric substances with a high dielectric constant lie mainly in their processing. For example, during the deposition of the above-mentioned paraelectric or ferroelectric materials, substances occur which can contaminate the manufacturing process of structures from selection transistors, for example in CMOS technology. A spatial separation of the deposition of the paraelectric or ferroelectric substances and the production of the selection transistors / logic structure is therefore necessary, which means an additional logistic and thus cost. Furthermore, a deposition temperature is required for the deposition of the above-mentioned paraelectric or ferroelectric substances, which is above the melting temperature of aluminum, which is used as the preferred metal for metallizing a structure from selection transistors, so that the metallization of the structure from selection transistors takes place only after the storage capacitors have been completed can. Therefore, completely prefabricated structures made of selection transistors cannot be used to apply the storage capacitors.
Die Erfindung hat das Ziel, die eingangs genannte Speicherzelle so weiterzubilden, daß sie trotz Verwendung einer paraelektrischen oder ferroelektrischen Substanz als Speicherdielektrikum einfach herzustellen ist ohne die o. g. Nachteile aufzuweisen, sowie ein Verfahren zu deren Herstellung anzugeben.The aim of the invention is to develop the memory cell mentioned at the outset in such a way that, despite the use of a paraelectric or ferroelectric substance as the storage dielectric, it is simple to manufacture without the above-mentioned. To have disadvantages and to specify a method for their production.
Dieses Ziel wird mit einer Speicherzelle nach der Erfindung erreicht, die neben den eingangs genannten Merkmalen folgendes zusätzliches Merkmal aufweist:This aim is achieved with a memory cell according to the invention which, in addition to the features mentioned at the outset, has the following additional feature:
das Speicherdielektrikum ist ein Polymer,the storage dielectric is a polymer,
Die Abscheidetemperaturen der Polymere, die als Speicherdielektrika für die beschriebene Speicherzelle in Frage kommen, sind wesentlich geringer, als die Schmelztemperatur von beispielsweise Aluminium. Daher ist es bei der Herstellung von Speicheranordnungen, die aus einer Anzahl der oben beschrie- benen Speicherzellen bestehen, möglich, die Speicherkondensatoren auf komplett vorgefertigten Strukturen aus Auswahltransistoren aufzubringen und damit den Herstellungsprozeß zu vereinfachen bzw. unkritischer bezüglich auftretender Kontaminierungseffekte zu gestalten.The deposition temperatures of the polymers which are suitable as storage dielectrics for the storage cell described are considerably lower than the melting temperature of, for example, aluminum. It is therefore in the manufacture of memory arrays that are made up of a number of those described above. benen memory cells exist, possible to apply the storage capacitors on completely prefabricated structures from selection transistors and thus to simplify the manufacturing process or to make it less critical with regard to contamination effects.
Weiterbildungen der Erfindung sind Gegenstand der Unteransprüche .Developments of the invention are the subject of the dependent claims.
Eine Untergruppe der Polymere, die paraelektrische oder fer- roelektrische Eigenschaften besitzen, sind Copolymere, die daher als Speicherdielektrikum in Frage kommen, wie in einer Ausführungsform der Erfindung vorgeschlagen ist. Der Einsatzbereich der Speicherzellen nach der Erfindung deckt sich mit dem Einsatzbereich bisheriger Speicherzellen, so daß eineA subset of the polymers which have paraelectric or ferroelectric properties are copolymers which are therefore suitable as a storage dielectric, as proposed in one embodiment of the invention. The area of use of the memory cells according to the invention coincides with the area of use of previous memory cells, so that one
Verwendung der Speicherzellen nach der Erfindung in DRAM-Bausteinen (DRAM abgek. für Dynamic Random Access Memory) möglich ist. Bei Verwendung eines ferroelektrischen Polymers oder Copolymers geht der Verwendungsbereich der beschriebenen Speicherzellen über den Verwendungsbereich bisheriger Halbleiterspeicher hinaus. So ist beispielsweise auch eine Verwendung in Bereichen denkbar, die bisher, aufgrund nicht dauernd vorhandener Versorgungsspannung, ROM-Speicherbausteinen (ROM abgek. für Read Only Memory) vorbehalten war. Die Poly- mere Nylon 11, Nylon 9, Nylon 7 oder Nylon 5 können beispielsweise, wie in eine Ausführungsform der Erfindung vorgesehen, als Speicherdielektrika mit ferroelektrischen Eigenschaften verwendet werden. Eine weitere Ausführungsform der Erfindung sieht vor, die Copolymere Vinylidenfluorid oder Trifluorathylen als Speicherdielektrika mit ferroelektrischen Eigenschaften zu verwenden.Use of the memory cells according to the invention in DRAM modules (DRAM abbreviated for Dynamic Random Access Memory) is possible. When using a ferroelectric polymer or copolymer, the area of use of the memory cells described extends beyond the area of use of previous semiconductor memories. For example, it is also conceivable to use it in areas that were previously reserved for ROM memory modules (ROM abbreviated to Read Only Memory) due to the non-permanent supply voltage. The polymers nylon 11, nylon 9, nylon 7 or nylon 5 can, for example, as provided in one embodiment of the invention, be used as storage dielectrics with ferroelectric properties. A further embodiment of the invention provides that the copolymers vinylidene fluoride or trifluoroethylene are used as storage dielectrics with ferroelectric properties.
Die Strukturen der verwendeten Speicherkondensatoren sind bei Verwendung von Polymeren oder Copolymeren als Speicherdielek- trika gegenüber bisher bekannten Kondensatorstrukturen nicht beschränkt. So sieht eine Ausführungsform der Erfindung vor, die Speicherkondensatoren als Stacked-Kondensatoren auszufüh- ren, wobei bei dieser Ausführungsform abwechselnd mehrere Schichten aus leitendem Material und Speicherdielektrikum über dem Auswahltransistor angeordnet sind.The structures of the storage capacitors used are not limited when using polymers or copolymers as storage dielectrics compared to previously known capacitor structures. One embodiment of the invention thus provides for the storage capacitors to be designed as stacked capacitors. ren, in this embodiment a plurality of layers of conductive material and storage dielectric are alternately arranged above the selection transistor.
Eine weitere Ausführungsform sieht vor, die Kondensatoren als Trench-Kondensatoren auszuführen, wobei der Speicherkondensator hierbei topfartig in einer Ebene über dem Auswahltransi- stor angeordnet ist.A further embodiment provides for the capacitors to be designed as trench capacitors, the storage capacitor being arranged in a pot-like manner on one level above the selection transistor.
In einer weiteren Ausführungsform ist vorgesehen, den Speicherkondensator als Fin-Kondensator oder Fin-Stacked-Konden- sator auszuführen. Der Kondensator besitzt hierbei eine Struktur, wie sie beispielsweise in US 5,290,726 beschrieben ist .A further embodiment provides for the storage capacitor to be designed as a fin capacitor or fin-stacked capacitor. The capacitor here has a structure as described, for example, in US Pat. No. 5,290,726.
Ein Verfahren zur Herstellung einer Speicherzelle nach einem der o. g. Ausführungen ist Gegenstand der Ansprüche 10 oder 11. Die beiden Elektroden sowie das Speicherdielektrikum des Speicherkondensators werden in mehreren Schritten über dem Auswahltransistor abgeschieden, wobei eine Metallisierung der Struktur aus Auswahltransiεtoren vorzugsweise vor Abscheidung der jeweiligen Speicherkondensatoren erfolgt.A method for producing a memory cell according to one of the above. Embodiments are the subject of claims 10 or 11. The two electrodes and the storage dielectric of the storage capacitor are deposited in several steps over the selection transistor, wherein the structure of the selection transistors is preferably metallized before deposition of the respective storage capacitors.
Die Erfindung wird nachfolgend im Zusammenhang mit einem Aus- führungsbeispiel anhand einer einzigen Figur näher erläutert. Die Figur zeigt ein Ausführungsbeispiel einer Speicherzelle nach der Erfindung im Querschnitt.The invention is explained in more detail below in connection with an exemplary embodiment with reference to a single figure. The figure shows an embodiment of a memory cell according to the invention in cross section.
In dieser Figur ist ein Ausführungsbeispiel einer Speicher- zelle nach der Erfindung im Querschnitt dargestellt. EinIn this figure, an embodiment of a memory cell according to the invention is shown in cross section. On
Speicherkondensator 4 ist in dem dargestellten Ausführungsbeispiel als Trench-Kondensator über einem Auswahltransistor 2 angeordnet, wobei eine erste Elektrode 8 des Speicherkonsa- tors 4 mit einem ersten Anschluß 3 des Auswahltransistors leitend verbunden ist. Die erste Elektrode 8 überdeckt die gesamte Oberfläche einer topfartigen Vertiefung 7 in einer ersten Hauptfläche 5 über dem Auswahltransistor 2 sowie Ab- schnitte der ersten Hauptfläche 5 benachbart zu der topfartigen Vertiefung 7. Ein Speicherdielektrikum 6 ist über der ersten Elektrode 8 des Speicherkondensators 4 angeordnet und von einer zweiten Elektrode 10 bedeckt.In the exemplary embodiment shown, storage capacitor 4 is arranged as a trench capacitor above a selection transistor 2, a first electrode 8 of the storage capacitor 4 being conductively connected to a first connection 3 of the selection transistor. The first electrode 8 covers the entire surface of a pot-like depression 7 in a first main area 5 above the selection transistor 2 and sections of the first main surface 5 adjacent to the pot-like depression 7. A storage dielectric 6 is arranged above the first electrode 8 of the storage capacitor 4 and covered by a second electrode 10.
Als Speicherdielektrikum ist ein Polymer, z. B. ein Copolymer eingesetzt. Dieses Polymer kann ferroelektrische oder paraelektrische Eigenschaften aufweisen. Als Polymer kann z. B. Nylon 11, Nylon 9, Nylon 7 oder Nylon 5 oder Vinylidenfluorid oder Trifluoräthylen eingesetzt werden. A polymer, e.g. B. used a copolymer. This polymer can have ferroelectric or paraelectric properties. As a polymer z. B. nylon 11, nylon 9, nylon 7 or nylon 5 or vinylidene fluoride or trifluoroethylene can be used.

Claims

Patentansprüche claims
1. Speicherzelle, die folgende Merkmale aufweist: 1.1. einen Auswahltransistor (2); 1.2. einen mit dem Auswahltransistor (2) verbundenen Speicherkondensator (4), der ein Speicherdielektrikum (6) enthält;1. Memory cell which has the following features: 1.1. a selection transistor (2); 1.2. a storage capacitor (4) connected to the selection transistor (2) and containing a storage dielectric (6);
1.3. das Speicherdielektrikum (6) ist ein Polymer; g e k e n n z e i c h n e t d u r c h folgendes weiteres Merkmal:1.3. the storage dielectric (6) is a polymer; g e k e n n z e i c h n e t d u r c h the following additional feature:
1.4. das Polymer weist ferroelektrische Eigenschaften auf.1.4. the polymer has ferroelectric properties.
2. Speicherzelle nach Anspruch 1, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß das Po- lymer ein Copolymer ist.2. The memory cell as claimed in claim 1, which means that the polymer is a copolymer.
3. Speicherzelle nach Anspruch 1 oder 2, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß das Polymer Nylon 11, Nylon 9, Nylon 7 oder Nylon 5 ist.3. Memory cell according to claim 1 or 2, that the polymer is nylon 11, nylon 9, nylon 7 or nylon 5.
4. Speicherzelle nach Anspruch 2, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß das Copolymer Vinylidenfluorid oder Trifluoräthylen ist.4. Memory cell according to claim 2, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t that the copolymer is vinylidene fluoride or trifluoroethylene.
5. Speicherzelle nach einem der vorangehenden Ansprüche, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß der Speicherkondensator (4) als Trench-Kondensator ausgeführt ist .5. Memory cell according to one of the preceding claims, that the memory capacitor (4) is designed as a trench capacitor.
6. Speicherzelle nach einem der Ansprüche 1 bis 4, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß der Speicherkondensator (4) als Stacked-Kondensator ausgeführt ist .6. Memory cell according to one of claims 1 to 4, that the storage capacitor (4) is designed as a stacked capacitor.
7. Speicherzelle nach einem der Ansprüche 1 bis 4, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß der Speicherkondensator (4) als Fin-Kondensator oder als Fin- Stacked-Kondensator ausgeführt ist.7. Memory cell according to one of claims 1 to 4, characterized in that the storage capacitor (4) is designed as a fin capacitor or as a fin stacked capacitor.
8. Verfahren zur Herstellung einer Speicherzelle mit einem ferroelektrischem Speicherdielektrikum nach einem der vorangehenden Ansprüche, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß der Speicherkondensator (4) nach Herstellung des Auswahltransi- stors (2) über dem Auswahltransistor (2) hergestellt wird, wobei eine erste Elektrode (8) und eine zweite Elektrode (10) sowie das Speicherdielektrikum (6) des Speicherkondensators (4) über dem Auswahltransistor (2) abgeschieden werden.8. A method for producing a memory cell with a ferroelectric memory dielectric according to one of the preceding claims, characterized in that the storage capacitor (4) is produced after the selection transistor (2) has been produced above the selection transistor (2), a first electrode (8) and a second electrode (10) and the storage dielectric (6) of the storage capacitor (4) are deposited over the selection transistor (2).
9. Verfahren nach Anspruch 8, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß der Auswahltransistor (2) vor Abscheidung des Speicherkondensators (4) metallisiert wird. 9. The method of claim 8, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t that the selection transistor (2) is metallized before deposition of the storage capacitor (4).
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2002043071A1 (en) * 2000-11-27 2002-05-30 Thin Film Electronics Asa A ferroelectric memory circuit and method for its fabrication
WO2003046922A2 (en) * 2001-11-16 2003-06-05 Infineon Technologies Ag Semiconductor arrangement comprising transistors based on organic semiconductors and non-volatile read-write memory cells
US6872969B2 (en) 2002-01-09 2005-03-29 Samsung Sdi Co., Ltd. Non-volatile memory device and matrix display panel using the same

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6627944B2 (en) 2001-05-07 2003-09-30 Advanced Micro Devices, Inc. Floating gate memory device using composite molecular material
WO2002091385A1 (en) 2001-05-07 2002-11-14 Advanced Micro Devices, Inc. Molecular memory cell
US6844608B2 (en) 2001-05-07 2005-01-18 Advanced Micro Devices, Inc. Reversible field-programmable electric interconnects
JP4886160B2 (en) * 2001-05-07 2012-02-29 アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド Memory device using polymer film by self-assembly and manufacturing method thereof
US6781868B2 (en) 2001-05-07 2004-08-24 Advanced Micro Devices, Inc. Molecular memory device
EP1388179A1 (en) 2001-05-07 2004-02-11 Advanced Micro Devices, Inc. Switching element having memory effect
US6838720B2 (en) 2001-08-13 2005-01-04 Advanced Micro Devices, Inc. Memory device with active passive layers
EP1434232B1 (en) 2001-08-13 2007-09-19 Advanced Micro Devices, Inc. Memory cell
US6768157B2 (en) 2001-08-13 2004-07-27 Advanced Micro Devices, Inc. Memory device
US6806526B2 (en) 2001-08-13 2004-10-19 Advanced Micro Devices, Inc. Memory device
US6858481B2 (en) 2001-08-13 2005-02-22 Advanced Micro Devices, Inc. Memory device with active and passive layers
US7012276B2 (en) 2002-09-17 2006-03-14 Advanced Micro Devices, Inc. Organic thin film Zener diodes

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60113474A (en) * 1983-11-25 1985-06-19 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Semiconductor device and manufacture thereof
US4860254A (en) * 1986-01-31 1989-08-22 Bayer Aktiengesellschaft Non-volatile electronic memory
US5356500A (en) * 1992-03-20 1994-10-18 Rutgers, The State University Of New Jersey Piezoelectric laminate films and processes for their manufacture

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5423285A (en) * 1991-02-25 1995-06-13 Olympus Optical Co., Ltd. Process for fabricating materials for ferroelectric, high dielectric constant, and integrated circuit applications

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60113474A (en) * 1983-11-25 1985-06-19 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Semiconductor device and manufacture thereof
US4860254A (en) * 1986-01-31 1989-08-22 Bayer Aktiengesellschaft Non-volatile electronic memory
US5356500A (en) * 1992-03-20 1994-10-18 Rutgers, The State University Of New Jersey Piezoelectric laminate films and processes for their manufacture

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 009, no. 266 (E - 352) 23 October 1985 (1985-10-23) *
YAMAUCHI N: "A METAL-INSULATOR-SEMICONDUCTOR (MIS) DEVICE USING A FERROELECTRIC POLYMER THIN FILM IN THE GATE INSULATOR", JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, vol. 25, no. 4, PART 1, April 1986 (1986-04-01), pages 590 - 594, XP000021841 *

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2002043071A1 (en) * 2000-11-27 2002-05-30 Thin Film Electronics Asa A ferroelectric memory circuit and method for its fabrication
US6734478B2 (en) 2000-11-27 2004-05-11 Thin Film Electronics Asa Ferroelectric memory circuit and method for its fabrication
AU2002223165B2 (en) * 2000-11-27 2005-02-17 Thin Film Electronics Asa A ferroelectric memory circuit and method for its fabrication
CN100342453C (en) * 2000-11-27 2007-10-10 薄膜电子有限公司 Ferroelectric memory circuit and method for its fabrication
WO2003046922A2 (en) * 2001-11-16 2003-06-05 Infineon Technologies Ag Semiconductor arrangement comprising transistors based on organic semiconductors and non-volatile read-write memory cells
WO2003046922A3 (en) * 2001-11-16 2003-08-14 Infineon Technologies Ag Semiconductor arrangement comprising transistors based on organic semiconductors and non-volatile read-write memory cells
US7208823B2 (en) 2001-11-16 2007-04-24 Infineon Technologies Ag Semiconductor arrangement comprising transistors based on organic semiconductors and non-volatile read-write memory cells
US6872969B2 (en) 2002-01-09 2005-03-29 Samsung Sdi Co., Ltd. Non-volatile memory device and matrix display panel using the same
DE10300746B4 (en) * 2002-01-09 2008-02-07 Samsung SDI Co., Ltd., Suwon Non-volatile memory element and display matrix and their application

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Publication number Publication date
DE19640239A1 (en) 1998-04-02
TW365066B (en) 1999-07-21

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