Одеський Національний Університет Імені І.І. Мечникова
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Одеський Національний Університет Імені І.І. МечниковаfiledCriticalОдеський Національний Університет Імені І.І. Мечникова
Priority to UAU201309328UpriorityCriticalpatent/UA87430U/uk
Publication of UA87430UpublicationCriticalpatent/UA87430U/uk
Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like
(AREA)
Abstract
Метод виявлення поверхневого пробою в р-n переході полягає в тому, що проводяться вимірювання вольт-амперної характеристики зворотного струму р-n переходу і по даній характеристиці визначається напруга пробою. Вказані вимірювання проводяться два рази: при першому вимірюванні досліджуваний р-n перехід поміщується в сухе повітря, а при другому вимірюванні він поміщується в контейнер з повітрям і вологими парами аміаку з парціальним тиском від 1 до 200 Па, що дозволяє по зіставленню виміряних значень напруги пробою встановити, чи пробій відбувається на поверхні р-n переходу, чи в об'ємі кристала.
UAU201309328U2013-07-252013-07-25Метод виявлення поверхневого пробою в p-n переході
UA87430U
(uk)