UA77692C2 - Magnetron spraying mechanism - Google Patents
Magnetron spraying mechanism Download PDFInfo
- Publication number
- UA77692C2 UA77692C2 UA20040402848A UA20040402848A UA77692C2 UA 77692 C2 UA77692 C2 UA 77692C2 UA 20040402848 A UA20040402848 A UA 20040402848A UA 20040402848 A UA20040402848 A UA 20040402848A UA 77692 C2 UA77692 C2 UA 77692C2
- Authority
- UA
- Ukraine
- Prior art keywords
- magnetron
- spraying mechanism
- frequency
- coatings
- magnetron spraying
- Prior art date
Links
- 238000005507 spraying Methods 0.000 title abstract description 6
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 claims description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract description 7
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract description 6
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 3
- 239000011253 protective coating Substances 0.000 abstract description 2
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 238000002294 plasma sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
Опис винаходу
Винахід належить до конструкцій магнетронних розпилюючих систем, які використовуються для 2. Іонно-плазмового напилювання тонких плівок переважно при виготовленні інтегральних мікросхем та електронних пристроїв функціональної діагностики і при нанесенні захисних покриттів.
Аналогами запропонованого винаходу є відомі пристрої магнетронного типу які містять планарний магнетрон та джерело живлення постійного струму (1, 3). Їх недоліком є неможливість одержання плівок з діелектричних матеріалів без зміни режиму роботи, тому що розпиленню діелектричного матеріалу заважає позитивний відносно 70 плазми поверхневий заряд, який утворюється на поверхні мішені.
За прототип винаходу обрано найбільш близький до запропонованого магнетронний пристрій |2). Цей пристрій містить розрядну камеру-магнетрон та джерело живлення. При роботі такого пристрою можна розпилювати металеві та напівпровідникові матеріали, але не можливо розпилювати діелектричні матеріали.
В основу винаходу поставлена задача шляхом введення нових конструкційних елементів та джерел живлення, 72 забезпечити розпилення діелектричних матеріалів та можливість одержання двокомпонентних покриттів.
Поставлена задача вирішується тим, що в відомому пристрою який вміщує розрядну камеру, магнетрон та джерело живлення згідно з винаходом, що заявляється введений другий магнетрон, розташований під кутом 602-1202 до першого на відстані І не меншій за розмір ширини катодного темного простору нормального тліючого гр розряду та два джерела живлення, які паралельно підключені до магнетронів через систему розв'язок, одне з яких є високочастотне а друге низькочастотне.
Запропонована конструкція забезпечує можливість одержання плівок металевих напівпровідникових та діелектричних покриттів за рахунок того, що при горінні високочастотного розряду має місце зняття поверхневого об'ємного заряду, а розпилення відбувається іонами низькочастотного тліючого розряду, який до частот порядку 10 кГц, за фізичною природою не відрізняється від магнетронного розряду на постійному струмі. см
Крім того, використання в одному пристрої двох магнетронів з мішенями з різних матеріалів дозволяє отримувати (о) двохкомпонентні покриття.
Винахід пояснюється кресленням, на якому схематично зображено загальний вигляд магнетронного пристрою.
Запропонований магнетронний розпилюючий пристрій містись два планарпі магнетрони 1, розташовані під сч кутом 6092-1202, на яких укріплені мішені розпилюючого матеріалу 2, підкладкотримач 3, високочастотне джерело живлення 4, підключене до магнетронів через електричну ємність С., та низькочастотне джерело живлення 5, і (о) систему І-С розв'язок 6, яка обмежує проникнення напруги високої частоти в коло живлення джерела 5. со
Магнетронний розпилюючий пристрій працює таким чином: після відкачування і напускання в розрядну камеру робочого газу (як правило - аргону) до тиску 70,1 Па (107 мм. рт. ст.) вмикається джерело живлення 4 і між -
З5 магнетронами 1 запалюється високочастотний розряд. В цьому режимі горіння розряду розпорошення практично (р не відбувається тому що електроди, в даному випадку мішені 2 магнетронів 1, не приймають достатнього для горіння тліючого розряду від'ємного потенціалу |4Ї1. Після цього вмикається джерело живлення 5. Між магнетронами виникає тліючий розряд магнетронного типу, при горінні якого відбувається інтенсивне розпорошення мішеней. Високочастотний розряд, в свою чергу знімає позитивний заряд на поверхні мішеней « магнетронів, що забезпечує можливість інтенсивного розпорошення діелектричних матеріалів. ш
Гаші Крім того, використання в одному пристрої двох магнетронів з мішенями з різних матеріалів дозволяє отримувати двохкомпонентні покриття. )» Джерела інформації: 1. Данилин Б.С. Применение низкотемпературной плазмь! для нанесения тонких пленок. М. "Знергоиздат", 1989. -і 2. Кучеренко Е. Т., Цьімбаревич В, И. Магнетронное распьілительное устройство. Патент Украинь! Мо5226, С1, 28.12.1994 г. - З. Кучеренко Е. Т., Бедюх А. Р. Магнетронное распьілительное устройство с лабиринтной зоной зрозии.
Ф Вопрось! атомной науки и техники. Вьп. 4(5), 5(6), Харьков, 1998 г. ст. 25. 4. Майсел Л., Гланч Р. Технология тонких пленок. Справочник. М. Советское радио, 1977, ст. 443. се) із
Claims (1)
- Формула винаходу Магнетронний розпилюючий пристрій, що має розрядну камеру, магнітну систему з мішенню-катодом, анод, підкладкотримач та джерело живлення постійного струму, який відрізняється тим, що введена друга магнітна (Ф) система з мішенню, розташована під кутом б0о - 1202 до першої магнітної системи та додаткове джерело ка живлення, причому перше джерело живлення -- низькочастотне, а додаткове - високочастотне, і обидва джерела живлення паралельно підключені до обох магнітних систем. 60 б5
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| UA20040402848A UA77692C2 (en) | 2004-04-19 | 2004-04-19 | Magnetron spraying mechanism |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| UA20040402848A UA77692C2 (en) | 2004-04-19 | 2004-04-19 | Magnetron spraying mechanism |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| UA77692C2 true UA77692C2 (en) | 2007-01-15 |
Family
ID=37725383
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| UA20040402848A UA77692C2 (en) | 2004-04-19 | 2004-04-19 | Magnetron spraying mechanism |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| UA (1) | UA77692C2 (uk) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2602571C2 (ru) * | 2011-04-20 | 2016-11-20 | Эрликон Серфиз Солюшнз Аг, Пфеффикон | Высокопроизводительный источник для процесса распыления |
-
2004
- 2004-04-19 UA UA20040402848A patent/UA77692C2/uk unknown
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2602571C2 (ru) * | 2011-04-20 | 2016-11-20 | Эрликон Серфиз Солюшнз Аг, Пфеффикон | Высокопроизводительный источник для процесса распыления |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100887820B1 (ko) | 변조 전력 신호를 이용한 이온 밀도 및 에너지 제어 시스템및 방법 | |
| JP6391261B2 (ja) | Ｄｃパルスエッチング装置 | |
| JP5296525B2 (ja) | パルスアーク蒸着ソースの操作方法ならびにパルスアーク蒸着ソースを有する真空処理装置 | |
| ES2562454T3 (es) | Capa de material duro | |
| RU2006143209A (ru) | Способ магнетронного распыления и аппарат для магнетронного распыления | |
| KR20060130500A (ko) | 스퍼터링을 제어하기 위한 전력 신호를 변조하기 위한시스템 및 방법 | |
| US20150136585A1 (en) | Method for sputtering for processes with a pre-stabilized plasma | |
| US8142608B2 (en) | Atmospheric pressure plasma reactor | |
| WO2010068624A2 (en) | Chamber shield for vacuum physical vapor deposition | |
| WO2010068625A2 (en) | Shaped anode and anode-shield connection for vacuum physical vapor deposition | |
| EP2695969B1 (en) | Thin film deposition apparatus and method of depositing thin film using the same | |
| KR101267459B1 (ko) | 플라즈마 이온주입 장치 및 방법 | |
| US20180012738A9 (en) | Magnetron plasma apparatus | |
| WO2019210891A1 (en) | Method of low-temperature plasma generation, method of an electrically conductive or ferromagnetic tube coating using pulsed plasma and corresponding devices | |
| CN105861986A (zh) | 带ip黑膜层金属基件的生产工艺及其金属基件 | |
| UA77692C2 (en) | Magnetron spraying mechanism | |
| US20100330300A1 (en) | System and method for pre-ionization of surface wave launched plasma discharge sources | |
| RU2371514C1 (ru) | Дуальная магнетронная распылительная система | |
| RU121812U1 (ru) | Катодно-распылительный узел магнетрона (варианты) | |
| JP4691097B2 (ja) | 炭素析出のための装置 | |
| WO2000038213A3 (en) | Physical vapor deposition of semiconducting and insulating materials | |
| RU2220226C1 (ru) | Магнетронная распылительная система | |
| US20160064191A1 (en) | Ion control for a plasma source | |
| US4419380A (en) | Method for ion-aided coating on electrically insulating substrates | |
| EP2422352B1 (en) | Rf-plasma glow discharge sputtering |