Черновецкий Национальный Университет Имени Юрия Федьковича
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Черновецкий Национальный Университет Имени Юрия ФедьковичаfiledCriticalЧерновецкий Национальный Университет Имени Юрия Федьковича
Priority to UAU201108349UpriorityCriticalpatent/UA67792U/ru
Publication of UA67792UpublicationCriticalpatent/UA67792U/ru
Процесс получения монокристаллических слитков FeSe, FeTe и твердых растворов FeSeTeсостоит из этапов загрузки навески, синтеза и последующей перекристаллизации при заданной температуре расплава Т. Значение температуры расплава Топределяют температурой формирования первой составляющей тонкой структуры химической связи кристалла, который выращивается.
UAU201108349U2011-07-042011-07-04ПРОЦЕСС ПОЛУЧЕНИЯ монокристаллических слитков FeSe, FeTe И ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ FeSeXTe1-X
UA67792U
(ru)
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова" (МГУ)
Способ синтеза монокристаллических тетрагональных теллуридов железа и теллуридов железа, легированных серой и/или селеном
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова" (МГУ)
Способ синтеза монокристаллических тетрагональных теллуридов железа и теллуридов железа, легированных серой и/или селеном
PROCESS FOR PREPARING AN EPITACTIC SINGLE CRYSTAL SILICON CARBIDE SUBSTRATE AND EPITACTIC SINGLE CRYSTAL SILICON CARBIDE SUBSTRATE PRODUCED IN THIS METHOD
METHOD FOR PRODUCING A NITRIDE SEMICONDUCTOR CRYSTAL OF A GROUP 13 METAL OF THE PERIODIC TABLE AND A NITRIDE SEMI-CONDUCTIVE CRYSTAL OF A GROUP 13 METAL OF THE PERIODIC TABLE PRODUCED BY SAID PRODUCTION PROCESS