UA63164A - A plasma apparatus - Google Patents

A plasma apparatus Download PDF

Info

Publication number
UA63164A
UA63164A UA2003021162A UA2003021162A UA63164A UA 63164 A UA63164 A UA 63164A UA 2003021162 A UA2003021162 A UA 2003021162A UA 2003021162 A UA2003021162 A UA 2003021162A UA 63164 A UA63164 A UA 63164A
Authority
UA
Ukraine
Prior art keywords
gap
anode
evaporators
cathode
cathodes
Prior art date
Application number
UA2003021162A
Other languages
English (en)
Original Assignee
Univ Dnipropetrovsk Nat
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Univ Dnipropetrovsk Nat filed Critical Univ Dnipropetrovsk Nat
Priority to UA2003021162A priority Critical patent/UA63164A/uk
Publication of UA63164A publication Critical patent/UA63164A/uk

Links

Landscapes

  • Plasma Technology (AREA)

Description

Опис винаходу
Винахід відноситься до плазмових технологічних пристроїв для іонно-плазмової обробки поверхні і 2 нанесення покриттів.
Відомо технологічний плазмовий пристрій |1), що складається з торцевого вакуумно-дугового випарювача і плазмово-оптичного сепаратора, що розташований на виході випарювача. Сепаратор складається з криволінійного плазмовода, який знаходиться під позитивним, відносно плазмового струменя, потенціалом і намотаної на зовнішню поверхню плазмовода одношарової магнітної котушки. Плазмовод має вигляд однієї чверті тору і, таким чином, непрозорий для крапель і інших твердих частинок матеріалу катода, що мають прямолінійні траєкторії руху. Струмінь заряджених частинок - іонів, направляється плазмово-оптичною системою сепаратора на оброблювану поверхню. Головним недоліком цього пристрою являється незначна прозорість плазмово-оптичної системи для іонів. Це погіршує ефективність плазмового пристрою при нанесені покриттів.
Другим важливим недоліком пристрою є те, що для прискорення іонів до енергії, необхідної для попередньої 12 обробки виробів перед нанесенням покриття, на оброблювальний виріб необхідно подавати прискорюючий іони потенціал. Ця обставина унеможливлює застосування пристрою для іонної обробки виробів із діелектричних матеріалів.
Найближчим аналогом - прототипом винаходу, є пристрій |2), що містить два співвісних вакуумно-дугових випарювача з опозиційне розташованими катодами і розташованої співвісно з ними магнітної системи.
Загальними суттєвими ознаками прототипу і припущеного винаходу є наявність двох вакуумно-дугових випарювачів з опозиційне розташованими катодами і разташованої співвісно з ними магнітної системи. В конструкції пристрою-прототипу, над зоною розповсюдження зустрічних плазмових струменів вакуумно-дугових випарювачів, встановлено три співвісні циліндричні електроди. Над електродами, що примикають до випарювачів, розташовані циліндричні, співвісні магнітні котушки. Середній електрод має більший діаметр. Його 29 внутрішня поверхня, біля якої розміщуються оброблювальні вироби, знаходиться поза зоною прямого зору з « боку катодів вирювачів. Це є необхідною умовою захисту оброблювальних виробів від попадання макрочастинок розпиленого матеріалу катода. Усі три електроди знаходяться під позитивним, відносно іонного струменя, потенціалом, і, завдяки відповідній геометрії магнітного поля, заряджені частинки фокусуються на оброблювальних виробах. Попередня іонна обробка виробів здійснюється прикладенням до них прискорюючого З іони потенціалу. Це є спільною рисою і недоліком для аналога й прототипу. Прототип характеризується Ге) максимальним коефіцієнтом використання іонів, що, при ефективному екрануванні макрочастинок, забезпечує високі експлуатаційні характеристики пристрою при нанесенні покриттів на металеві вироби. До недоліків цієї -- схеми слід віднести також підвищені витрати при виготовлені і експлуатації магнітної системи з «95 великогабаритними магнітними котушками, а також деякі незручності при розміщені оброблювальних виробів у 3о робочій зоні. ее,
В основу припущеного винаходу покладено вирішення задачі автономного регулювання енергії заряджених частинок, що використовуються для попередньої обробки поверхні і для нанесення покриттів. Поставлена задача вирішується тим, що плазмовий пристрій для генерації радіального, безкрапельного струменя « прискорених металевих іонів, містить один або два співвісних вакуумно-дугових випарювача з опозиційно З 70 розташованими катодами, і відрізняється тим, що спільний анод вакуумно-дугових випарювачів складається з с двох співвісних, довгих, водоохолоджуваних циліндрів, з внутрішнім діаметром рівним 2-3 діаметрам катода,
Із» установлених з зазором, що розміщується на рівні центру міжкатодного проміжку і розмір якого вибирається з умов невидимості випарюваної поверхні катоду з будь якої точки оброблюваної прискореними іонами поверхні, яка розташовується співвісно з плазмовим пристроєм за межами його магнітної системи, що має циліндричні магнітні полюси, які знаходяться під негативним відносно аноду випарювачів прискорюючим потенціалом та б розташовані безпосередньо за зовнішньою поверхнею анода з міжполюсним зазором, що приблизно дорівнює оз зазору в аноді. Плазмовий пристрій відрізняючийся тим, що має газопідводящу трубку, відкриту в розрядну камеру між катодами й анодом випарювачів, а катоди випарювачів мають можливість переміщення вздовж осі - пристрою. б 20 Суть припущеного винаходу пояснюється кресленням, де на фіг. приведено конструктивну схему пристрою.
Основою конструкції пристрою являється магнітна система, що має два трубчаті, співвісні магнітні
Т» магнітопровода 1 із попреречним міжполюсним зазором 2. Величина міжполюсного зазору вибирається з умов технічної можливості забезпечення в зазорі магнітної індукції приблизно 0.1Тл і щільності струму іонів, що витягуються з камери іонізації через зазор, приблизно 10 З А/м2. У внутрішній порожнині магнітопроводів, 59 співвісно з ними, розташовано один або два торцеві вакуумно-дугові випарювача. Катоди З випарювачів в. розташовані назустріч один одному. Катоди встановлено з можливістю переміщення вздовж осі магнітної системи, відносно середньої лінії міжполюсного зазору 2. Аноди 4 випарювачів, мають вигляд водоохоложуваних циліндрів, змонтованих у порожнині магнітної системи, електроізольовано від неї, із зазором між анодом і магнітопроводами 1-2мм. Аноди змонтовано нерухомо відносно полюсів таким чином, що зазор між анодами 60 співпадає з міжполюсним зазором магнітної системи. Аноди, катоди і допоміжні електроди 5 утворюють камеру іонізації з виходом для іонів Через кільцевий зазор 2. Через трубку 6 у камеру іонізації може подаватись робочий газ -аргон. За межами конструктивних елементів магнітної системи (на схемі не зображені) розміщується монтажний конструктивний елемент 7, на якому розміщуються вироби під час попередньої іонної обробки й нанесення покриття. Розмір І елементу 7 вибирається з умов розташування виробів у межах кута а, бо що визначає зону струменю, вільну від мікрокрапельної фази.
Пристрій працює наступним чином. При попередній обробці виробів, для зменшення щільності струму іонів на оброблювальну поверхню, вмикається розряд плазмових випарювачів із розрядним струмом на межі горіння розряду. Для подальшого зменшення щільності струму іонів на оброблювану поверхню, міжкатодний проміжок збільшується шляхом переміщення катодів випарювачів відносно центру вихідного зазору. сумішшю атоми газу іонізуються електронами, що генеровані дуговим розрядом і замагнічені в міжполюсному зазорі. Виконання умов замагніченості електронної компоненти в схрещених електричному й магнітному полях обумовлюють виникнення в перетині вихідного зазору камери іонізації подвійного електричного шару, що має фокусуючу іони конфігурацію і прискорює іони в напрямку оброблюваних виробів. Регулюванням величини прискорюючого потенціалу, /о регулюється енергія іонів, що бомбардують оброблювану поверхню. Таким чином відбувається незалежне регулювання параметрів іонного струменю, що значно розширює технологічні можливості пропонованого плазмового пристрою. В режимі нанесення покриття, струм металевих іонів збільшується шляхом зменшення міжкатодного проміжку випарювачів до розміру, що визначається умовами екранування мікрокрапельних частинок кромками магнітних полюсів. Струмінь металевих іонів формується в міжполюсному зазорі, в якому 7/5 реалізуються іонно-оптичні властивості. Зміненням величини прискорюючого потенціалу ефективно регулюються умови на поверхні конденсації покриття.
Таким чином, перевагою плазмового пристрою, що пропонується як припущений винахід, реалізуються умови незалежного регулювання параметрів іонно-плазмової обробки і нанесення покриттів в діапазоні параметрів ширшому ніж у відомих зразках технологічних плазмових пристроїв.
Список використаних джерел 1. Аксенов И.И., Белоус В.А. и др. Транспортировка плазменньїх потоков в криволинейной плазмо-оптической системе. Физика плазмь! Т.4.вьіп.4,1978. 2 АКквепом 1.1. Рогтайоп ої гадіа! ЯКегед звігеатев масиут-агс еговіоп ріазта, // ХМТЕ-4, Кпагком, ОКгаїпе, 2001.

Claims (3)

29 Формула винаходу «
1. Плазмовий пристрій для генерації радіального, безкрапельного струменю прискорених металевих іонів, що містить один або два співвісні вакуумно-дугові випарники з опозиційно розташованими катодами і розташовану «т зо співвісно з ними магнітну систему, який відрізняється тим, що анод вакуумно-дугових випарників виконано спільним, він складається з двох співвісних довгих водоохолоджуваних циліндрів з внутрішнім діаметром, рівним (Се) 2-3 діаметрам катода, установлених з зазором, який розміщений на рівні центра міжкатодного проміжку, і розмір «- якого вибирається з умов невидимості випарюваної поверхні катода з будь-якої точки оброблюваної прискореними іонами поверхні, що розташовується співвісно з плазмовим пристроєм за межами його магнітної 9 35 системи, яка має циліндричні магнітні полюси, що знаходяться під негативним відносно анода випарників со прискорюючим потенціалом та розташовані безпосередньо за зовнішньою поверхнею анода з міжполюсним зазором, що приблизно дорівнює зазору в аноді.
2. Плазмовий пристрій за п. 1, який відрізняється тим, що має газопідвідну трубку, відкриту в розрядну камеру між катодами й анодом випарників. «
3. Плазмовий пристрій за п. 1, який відрізняється тим, що катоди випарників мають можливість переміщення з с вздовж осі пристрою. . и? (о) (95) - (о) с» 60 б5
UA2003021162A 2003-02-10 2003-02-10 A plasma apparatus UA63164A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
UA2003021162A UA63164A (en) 2003-02-10 2003-02-10 A plasma apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
UA2003021162A UA63164A (en) 2003-02-10 2003-02-10 A plasma apparatus

Publications (1)

Publication Number Publication Date
UA63164A true UA63164A (en) 2004-01-15

Family

ID=34515258

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
UA2003021162A UA63164A (en) 2003-02-10 2003-02-10 A plasma apparatus

Country Status (1)

Country Link
UA (1) UA63164A (uk)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP2639330B1 (en) Method and device for transporting vacuum arc plasma
JP2648235B2 (ja) イオン銃
Karpov Cathodic arc sources and macroparticle filtering
EP1554412B1 (en) Plasma enhanced chemical vapor deposition apparatus
US7176469B2 (en) Negative ion source with external RF antenna
US6812648B2 (en) Method of cleaning ion source, and corresponding apparatus/system
SE519931C2 (sv) Anordning och förfarande för pulsad, starkt joniserad magnetronsputtering
US5468363A (en) Magnetic-cusp, cathodic-arc source
EP2485571B1 (en) High-current single-ended DC accelerator
JPS62120472A (ja) 電弧蒸着方法及び装置
CA2876552A1 (en) Plasma source apparatus and methods for generating charged particle beams
JP2006274280A (ja) プラズマ生成装置におけるドロップレット除去装置及びドロップレット除去方法
WO2012138311A1 (ru) Вакуумнодуговой испаритель для генерирования катодной плазмы
US7038389B2 (en) Magnetron plasma source
US6756596B2 (en) Filtered ion source
US9721760B2 (en) Electron beam plasma source with reduced metal contamination
UA63164A (en) A plasma apparatus
CN114724907A (zh) 一种等离子密度可调的离子源装置
CN114242549A (zh) 一种采用物质溅射形成等离子体的离子源装置
CN2646155Y (zh) 闭合式电子漂移型气体离子源
Sanders et al. Magnetic enhancement of cathodic arc deposition
RU159075U1 (ru) Устройство для получения многокомпонентных многослойных покрытий
EP4362058B1 (en) Hollow cathode arc plasma device
RU2098512C1 (ru) Вакуумно-дуговой источник плазмы
UA87880C2 (uk) Вакуумно-дугове джерело плазми