UA61646A - A process for preparing the nitride film - Google Patents
A process for preparing the nitride film Download PDFInfo
- Publication number
- UA61646A UA61646A UA2003032458A UA2003032458A UA61646A UA 61646 A UA61646 A UA 61646A UA 2003032458 A UA2003032458 A UA 2003032458A UA 2003032458 A UA2003032458 A UA 2003032458A UA 61646 A UA61646 A UA 61646A
- Authority
- UA
- Ukraine
- Prior art keywords
- target
- film
- films
- substrate
- nitride film
- Prior art date
Links
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 title claims abstract description 13
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N nitrogen Substances N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- -1 nitrogen ions Chemical class 0.000 claims abstract description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims abstract description 5
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 claims abstract description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- 239000011253 protective coating Substances 0.000 claims abstract 2
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 13
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 5
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 3
- 238000005507 spraying Methods 0.000 abstract description 2
- 238000005275 alloying Methods 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 30
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 7
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 7
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 7
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 7
- UELITFHSCLAHKR-UHFFFAOYSA-N acibenzolar-S-methyl Chemical compound CSC(=O)C1=CC=CC2=C1SN=N2 UELITFHSCLAHKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 5
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 3
- 238000002294 plasma sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 2
- 241000223333 Igidia Species 0.000 description 1
- 229910021607 Silver chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N argon Substances [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 1
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000005272 metallurgy Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 1
- 238000005191 phase separation Methods 0.000 description 1
- 230000008707 rearrangement Effects 0.000 description 1
- 238000006748 scratching Methods 0.000 description 1
- 230000002393 scratching effect Effects 0.000 description 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HKZLPVFGJNLROG-UHFFFAOYSA-M silver monochloride Chemical compound [Cl-].[Ag+] HKZLPVFGJNLROG-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000005728 strengthening Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 1
- 229910021341 titanium silicide Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Coating By Spraying Or Casting (AREA)
Abstract
Description
Опис винаходуDescription of the invention
Винахід відноситься до області твердотільної мікроелектроніки і приладового машинобудування і може бути 2 використане в якості дифузійних бар'єрів в електронних устроях, зносу-корозійностійких покриттів на деталях.The invention relates to the field of solid-state microelectronics and instrument engineering and can be used as diffusion barriers in electronic devices, wear and corrosion-resistant coatings on parts.
Огляд наявної періодичної і патентної вітчизняної і закордонної літератури за останні 20-10 років показує (1-111 підвищений інтерес вчених і практиків до боридних, нітридних і боридо-нітридних плівок і покриттям.A review of available periodical and patent domestic and foreign literature over the past 20-10 years shows (1-111) the increased interest of scientists and practitioners in boride, nitride and boride-nitride films and coatings.
Викликано це тим, що подібні тонкоплівкові матеріали, з одного боку, торкаються фундаментальні питання фізики твердого тіла, а з іншого боку, вони володіють цілим поруч цікавих і цінних властивостей завдяки 70 високій температурі плавлення, високої твердості, гарним захисним властивостям і ін. Велике поширення в техніку одержали плівки і покриття нітридів різноманітних елементів, напилюваних самими різними методами: термічним випаром, хімічними методами, іонним осадженням, у тому числі магнетронним розпиленням, іоннопроменевий опрацюванням, плазмохімічним синтезом, модифікованими методами фізичного випару , молекулярно-променевою епітаксією і ін. (12-16). За допомогою вищевказаних методів отримані плівки нітридів, 79 що широко використовуються в якості бар'єрних прошарків, захисних зносу - і корозійних покриттів на різноманітних деталях і вузлах і т.п. (14-21.This is caused by the fact that such thin film materials, on the one hand, touch on the fundamental issues of solid state physics, and on the other hand, they possess a whole range of interesting and valuable properties due to their high melting point, high hardness, good protective properties, etc. Films and coatings of nitrides of various elements, deposited by various methods: thermal evaporation, chemical methods, ion deposition, including magnetron sputtering, ion beam processing, plasma chemical synthesis, modified methods of physical evaporation, molecular beam epitaxy, etc., have become widely used in technology. (12-16). Using the above methods, films of nitrides 79 were obtained, which are widely used as barrier layers, protective wear and corrosion coatings on various parts and assemblies, etc. (14-21.
Проте, більшість із цих методів потребує високих температур для протікання процесів осадження (вище 500"С), що обмежує їхнє застосування в мікроелектроніці Через протікачих інтенсивно дифузійних і рекристалізаційних процесів, які протекають. Ряд методів припускає наявність високого і надвисокого вакууму, тобто безмасляних систем відкачки, що пов'язано з ускладненням і подорожчанням напилювальних установок.However, most of these methods require high temperatures for the deposition processes to occur (above 500°C), which limits their use in microelectronics. , which is associated with the complication and increase in the price of spraying installations.
Нарешті, напилювальні плівки і покриття володіють у кращому випадку середньою адгезією з основою і недостатньо високою твердістю.Finally, spray films and coatings have, at best, average adhesion to the base and insufficient hardness.
Аналогом що заявляється плівки є плівка нітрида кремнію, отримана методом іонно-плазменного напилювання . Найбільше близьким по технічній сутності і що досягається результату є плівка нітрида кремніюAn analogue of the claimed film is a film of silicon nitride obtained by the method of ion-plasma sputtering. The closest in terms of technical essence and the result achieved is a film of silicon nitride
ЗізМа, що утворювалася методом іонно-плазменного напилювання іонів азоту і кремнію на (100)51і у потоку іонів « аргону з енергією 5каВ при щільності струміня 10-15мкА/см7, температурі в камері біля 3002С і використанні в якості мішені кремнієвої платівки (17). Одержувана плівка 5ізМ виявляла корозійну стійкість у 3-х 9о розчиніZizMa, which was formed by the method of ion-plasma sputtering of nitrogen and silicon ions on (100)51 and in a stream of argon ions with an energy of 5 kaV at a current density of 10-15 μA/cm7, a temperature in the chamber of about 3002C and using a silicon wafer as a target (17) . The resulting 5izM film exhibited corrosion resistance in a 3-9O solution
Масі в інтервалі позитивних потенціалів З3,3-3,98.Masses in the range of positive potentials C3.3-3.98.
Проте, напилювальна плівка нітрида кремнію має низьке зчеплення з підкладкою (енергія адгезії складала ї-о 40мДж/м2) і звичайно відшаровувалася через значні напруги, що виникають на межі підкладка-плівка. Крім «І того, вона була неоднорідна по фазовому складі - крім нітрида 5ізМ; плівка містить острівці фази 5ІіМ, с потрібно для свого наростання підігріву підклалкі і виявляє захисні властивості лише в дуже вузькому інтервалі позитивних потенціалів. «-However, the sputtered film of silicon nitride has low adhesion to the substrate (adhesion energy was about 40 mJ/m2) and usually peeled off due to significant stresses arising at the substrate-film interface. In addition, it was heterogeneous in phase composition - except for the 5izM nitride; the film contains islands of the 5IiM phase, which requires heating of the substrate for its growth and exhibits protective properties only in a very narrow range of positive potentials. "-
У основу винаходу поставлена задача створення плівки нітрида 5і зМул, покритої зовні тонким аморфним с прошарком оксиду ТіО», яка має велике зчеплення з основою (підкладкою) і підвищеною корозійною стійкістю в порівнянні з прототипом.The invention is based on the task of creating a film of nitride 5i zMul, covered on the outside with a thin amorphous layer of TiO oxide, which has high adhesion to the base (substrate) and increased corrosion resistance compared to the prototype.
Поставлена задача вирішується тим, що пропонується спосіб одержання вітринної плівки, що включає розпилення мішені згідно винаходу , плівку нітрида кремнію формують в результаті іонної імплантації у гратку « 20 холодної підкладки (111) 5і іонізованих атомів мішені (титанової платівки) і реактивного газу (азоту при -о с тиску 42107 Па). Максимальне легування підкладки, що призводить до її максимального зміцнення, досягалося при такому режимі напилювання: напруга (М р) і струмінь (Ір) на газовому розряді 380-400 В і ТА відповідно, :з» напруга (Му) і струмінь (Ід) на мішені відповідно 500 В и 50 мА, напруга (Мп) і струмінь (Ід) на підкладці 2ОКВ і 54МА. Змінюючи дозу опромінення мішені іонами від 40 до З00х10 1біон/см2 одержували нітридні плівки товщиною від ЗО до 45Онм різної структурної досконалості і фазового складу. Структура і фазовий склад плівокThe task is solved by the fact that a method of obtaining a showcase film is proposed, which includes sputtering of the target according to the invention, the silicon nitride film is formed as a result of ion implantation in the lattice "20 of the cold substrate (111) 5 and ionized atoms of the target (titanium plate) and a reactive gas (nitrogen at -o with a pressure of 42107 Pa). The maximum doping of the substrate, which leads to its maximum strengthening, was achieved with the following deposition mode: voltage (M r) and current (Ir) on a gas discharge of 380-400 V and TA, respectively, :z» voltage (Mu) and current (Id) on the target, respectively, 500 V and 50 mA, voltage (Mp) and current (Id) on the substrate 2 OKV and 54 MA. By changing the dose of irradiation of the target with ions from 40 to 300x10 1bion/cm2, nitride films with a thickness of 30 to 45 Ohm of different structural perfection and phase composition were obtained. Structure and phase composition of films
Ге») досліджувалися за допомогою рентгенівського дифрактометра ДРОН-4 і електронного мікроскопа УЗМВ-1О0АК, товщина - інтерференційним методом на приладі МИЙ-4. Для аналізу структури і фазового складу - використовувалася також підкладка (100)Масі. Адгезія оцінювалася методом дряпання по величини критичноїGe") were studied with the help of X-ray diffractometer DRON-4 and electron microscope UZMV-1O0AK, thickness - by the interference method on the MIY-4 device. To analyze the structure and phase composition, a (100) Mass substrate was also used. Adhesion was evaluated by the scratching method according to the critical value
Ге»! навантаження і розраховувалася по формулі, приведеної в |23). Електрохімічне поводження плівок вивчалося на потенціостаті ПИ-50-1 із використанням хлорсрібного електроду порівняння і 10905-й сірчаної кислоти. шк Напилювання нітридних плівок проводилося на установці корпускулярного легування |22) при такому режимі 4») напилювання: напруга і струмінь на газовому розряді 380-400 В і 1 А відповідно, напруга і струмінь на мішені відповідно 500В і 5ОмА, напруга і струмінь на підкладці 20КВ і 54мА. В якості підкладки була вибрана (111)Gee! load and was calculated according to the formula given in |23). The electrochemical behavior of the films was studied on a PI-50-1 potentiostat using a silver chloride reference electrode and 10905 sulfuric acid. Shk The sputtering of nitride films was carried out on a corpuscular doping installation |22) with the following mode 4") of sputtering: voltage and current on the gas discharge 380-400 V and 1 A, respectively, voltage and current on the target 500 V and 5 Ω, respectively, voltage and current on the substrate 20KV and 54mA. (111) was chosen as the substrate
Зі, в якості мішені - титанова платівка, а реактивним газом був азот при тиску 4хХ10"Па. В процесі напилювання мішень опромінювалась іонами азоту в інтервалі 40-300х10 біон/см2. Результати проведених експериментів р» узагальнені в таблиці.For example, the target was a titanium plate, and the reactive gas was nitrogen at a pressure of 4xX10"Pa. In the sputtering process, the target was irradiated with nitrogen ions in the range of 40-300x10 bion/cm2. The results of the conducted experiments are summarized in the table.
З таблиці випливає, що при малих дозах опромінення (40-100 х 10 біон/см2) плівка має товщину 30-13Онм і складається з нітрида кремнію , тонкого прошарку силіциду ТівзЗіз і зовнішнього прошарку кристалічного оксиду титану ТіОз. С збільшенням дози опромінення до 210х10 "біон/см2 плівка містить головною уявою кристалічну 60 фазу ЗізМу4 (200-24Онм) і тонкий (40-5Онм) зовнішній прошарок оксиду ТіО» з аморфною структурою утримуючий острівці кристалічних двійників діоксиду титану (фіг.1). При таких дозах опромінення спостерігається інтенсивний процес перебудови кристалічної гратки силіцида титана в гратку нітрида кремнію. Плівка при цьому має найбільше зчеплення з кремнієвою підкладкою і надається найбільше корозійностійкою - її захисні властивості виявляються в широкому інтервалі потенціалів від 1,5 до 6,58. При подальшому збільшенні дози бо опромінення (250-300Х10 "біон/см?) плівка крім нітриду кремнію і діоксиду титану містить у проміжку між ними нітрид титану ТіМ - за рахунок збільшення концентрації іонів титану, що вилітають із мішені (фіг.2). Таким чином, експерименти показали, що при малих і великих дозах опромінення адгезія плівки і її корозійної стійкості надаються нижче, чим при середніх дозах опромінення. Доза опромінення в інтервалі 160-210х10 біон/см є оптимальною з погляду механічних і електрохімічних властивостей нітридних плівок.It follows from the table that at low doses of irradiation (40-100 x 10 bion/cm2) the film has a thickness of 30-13 Ohm and consists of silicon nitride, a thin layer of TivzZiz silicide and an outer layer of crystalline titanium oxide TiOz. With an increase in the radiation dose to 210x10 "bion/cm2, the film contains the main image of the crystalline 60 phase ZizMu4 (200-24 Ohm) and a thin (40-5 Ohm) outer layer of TiO" oxide with an amorphous structure holding islands of crystalline twins of titanium dioxide (Fig. 1). At such doses of irradiation, an intensive process of rearrangement of the crystal lattice of titanium silicide into a lattice of silicon nitride is observed. At the same time, the film has the greatest adhesion to the silicon substrate and is rendered the most corrosion-resistant - its protective properties are manifested in a wide range of potentials from 1.5 to 6.58. with an increase in the dose of radiation (250-300X10 "bion/cm?), the film, in addition to silicon nitride and titanium dioxide, contains titanium nitride TiM in the space between them - due to an increase in the concentration of titanium ions flying out of the target (Fig. 2). Thus, the experiments showed that at low and high doses of radiation, the adhesion of the film and its corrosion resistance are lower than at medium doses of radiation. The radiation dose in the range of 160-210x10 bion/cm is optimal from the point of view of the mechanical and electrochemical properties of nitride films.
Дослідження плівок через рік після одержання показали високу стабільність складу і властивостей плівок. о вою 000 волмюжтіянора лог зюлю010005000100000000030000000 яStudies of the films a year after receiving showed a high stability of the composition and properties of the films. oh wow 000 volmyuzhtianora log zyulyu010005000100000000030000000 i
Використання, винаходу що заявляється дозволяє на установці однакової по складності і вартості напилювальної іонно-плазменої, одержувати плівки нітриду кремнію ЗізМі однорідної по фазовому складу з тонким захисним аморфним покриттям діоксиду титану, що мають у 2-3 рази більшу зчепність з підкладку і підвищену корозійну стійкістю.The use of the claimed invention makes it possible to obtain films of silicon nitride ZizMi homogeneous in phase composition with a thin protective amorphous coating of titanium dioxide, which have 2-3 times greater adhesion to the substrate and increased corrosion resistance, using an ion-plasma sputtering device of the same complexity and cost .
Джерела інформації, які використанні при складанні заявки: 1. Технология тонких пленок. Справочник, т.2. Под ред. Л. Майссела, Р. Глзнга. -М.: Сов. радио. - 1977. -Sources of information to be used when making an application: 1. Technology of thin films. Directory, vol. 2. Ed. L. Maissel, R. Glazng. - M.: Sov. radio - 1977. -
С.504. 2. Л.Т. Акулова, Т.И. Серебрякова, В.И. Лященко и др. Боридь и материаль! на их основе. Сб.науч.трудовP.504. 2. L.T. Akulova, T.I. Serebryakova, V.I. Lyashchenko and others. Boryd and material! on their basis. Sb. Nauch. Laborov
МПМ. -Киев - 1999. - С.186.MPM. - Kyiv - 1999. - P.186.
З. М.Китаг, М.К.Зпагап, М.Зпагоп /Моп-сайауїйс аізріасетепі ріайпд (МСОР) ої рпоювзепвійме « зетісопаисіїпо (піп Ятв // Тпіп Зоїїа Ріїтв. -1998. -М.312. -рр 139-146. 4. Хи диппца, Г Її Сеуапд, би Міпдусап Те тісговігисіцге апа теспапіса! ргорепіез ої Там/тіМ апа Таум/млтім зирегіацнісе ПІптв // Тіп Зоїіа РіЇтв.-2000. -М.370, Мо1,2. - рр.45-49. Ге) 5 С.В. Фортуна, Ю.П. Шаркеев Структура нанокристаллических и субмикрокристаллических нитридньх покрьїтий // Материаловедение. -2002, Мо12. -С.33-38. З 6. Р.А. Андриевский, Г.В. Калинников, Н.П. Кобелев и др. Структура и физико-механические свойства «о наноструктурньїх боридонитридньх пленок // ФТТ. -1997. -Т.39, Мо10. - С.1859-1864. 7. М.Хепд, Н.Бцп, Р.Мапд еї аїЇ. Віотедіса! ргорегпіев ої (апіа|шт пійгіде Ятв зупіпевзілей Бу геасіїме -- тадпейгоп зрибегіпо // Тпіп Зоїїа Ріїтв. -2001. -М.398-399. -рр.471-475. Ге) 8. 9.Місатотего, М.М.Р.Сагепо, І.Регеуга Меспапіса! ргорегпієв ої рогоп пійгіде їйіп їЯїтв обіаіпей БуZ.M.Kytag, M.K.Zpagap, M.Zpagop /Mop-sayauiis aizriasetepi riaipd (MSOR) oi rpoyuvzepviime « zetisopaisiipo (pip Yatv // Tpip Zoiia Riitv. -1998. -M.312. -pp 139-146 4. Khy dipptsa, G Her Seuapd, bi Mipdusap Te tisgovigisitsge apa tespapisa! rgorepiez oi Tam/tiM apa Taum/mltim ziregiacnise PIptv // Tip Zoiia RiYtv.-2000. - M.370, Mo1,2. - yr.45 -49. Ge) 5 S.V. Fortuna, Yu.P. Sharkeev Structure of nanocrystalline and submicrocrystalline coated nitrides // Materialovedenie. -2002, Mo12. - P.33-38. From 6. R.A. Andrievsky, G.V. Kalinnikov, N.P. Kobelev et al. Structure and physical-mechanical properties of nanostructured boridone nitride films // FTT. -1997. - Vol. 39, Mo. 10. - P. 1859-1864. 7. M. Hepd, N. Bcp, R. Mapd ei aiYi. Viotedis! rgoregpiev oi (apia|sht piygide Yatv zupipevzileyi Bu geasiime -- tadpeigop zrybegipo // Tpip Zoiia Riitv. -2001. -M.398-399. -rr.471-475. Ge) 8. 9. Misatotego, M.M. R. Sagepo, I. Regeuga Mespapis! rgoregpiev oi rogop piigide iliip yiYaitv obiaipei Bu
КЕ-РЕСМО айПому (етрегагигез // Тпіп бод Рйтв - 2000. -М.373, Мо1,2. - рр.273-276. 9. Р.А. Андриевский Синтез и свойства пленок фаз внедрения // Успехи химии. - 1997. -Т.66(1). -С.57-77. « 10. Н.Камжазакі, К.Оої, У.Матьра апа М.Зида Тапіаішт пійгіде (піп Яїтве зупіпезілед Бу риїзей Ма Мад Іазег дерозйіоп теїйоа // Ма(.Кез.Зутр..-2000.- М/617. -рр.3221-3225. - с 11. б.5.Сбпета, Р.МІее апа 5.ї.Спета РНпазе їогтайоп Брепаміог апа айивіоп рагпіег ргорепцу ої ц геасіїмезу зрийегей іїапіайт -разей їйіп бтев вей іп зетісопдисіог тейайгайоп // Тіп Зої "» Ейтв.-1999,-М.353 (1-2).-рр.264-273. 12. УМ. оре, РБ.).Согайо-Магдцег7, О.Вопте, -.М.АІреМйа Іо дгаіїп віге ТіМ «(піп Ятев обБіаіпей ру Ім епегду іоп реат азвівієд дерозійоп // Аррі. зипасе всі.- 2001.- М. 173, Мо3-4. - рр.290-295.KE-RESMO aiPomu (etregahygez // Tpip bod Rytv - 2000. -M.373, Mo1,2. - pp.273-276. 9. R.A. Andrievsky Synthesis and properties of films of intercalated phases // Uspekhy khimiy. - 1997 . - Vol. 66(1). - P. 57-77. " 10. N. Kamzhazaki, K. Ooi, U. Matra apa M. Zida Tapiaisht piygide (pip Yaitve zupipeziled Bu ryizei Ma Mad Iazeg derosyiop teiioa // Ma (.Kez.Zutr..-2000.- M/617. -pp.3221-3225. - p. 11. b.5.Sbpeta, R.MIee apa 5.i.Speta RNpaze yogtaiop Brepamiog apa ayiviop ragpieg rgoreptsu oi ts geasiimezu zryiegei iiapiayt -razey iliip btev vey ip zetisopdisiog teyaigayop // Tip Zoi "» Eitv.-1999,-M.353 (1-2).-rr.264-273. 12. UM. ore, RB.).Sogayo -Magdtseg7, O.Vopte, -.M.AIreMya Io dgaiip vige TiM "(pip Yatev obBiaipei ru Im epegdu iop reat azvivied deroziyop // Arri. zipase vsi.- 2001.- M. 173, Mo3-4. - yr. 290-295.
Ге») 13. Р.Ге Сіаїг, О.Р.Вегега, 9У.5.Моодега Тіапішт пійгіде «(піп Яїтве обріаіпей ру а тодйеай рНузіса! марог з дерозійоп ргосезз // Тпіп Зоїїій Рітв." 2000.-М.376. Мо1,2. -рр.9-15. 14. В.П. Афанасьев, В.В. Голубков, А.С. Гудовских и др. Структура пленок АЇМ, полученньїх реактивньмGe") 13. R.Ge Siaig, O.R. Vegega, 9U.5. Moodega Tiapisht piygide "(pip Yaitve obriaipei ru a todyeai rnuziza! marog z derosiyop rgosezz // Tpip Zoiiii Ritv." 2000.-M.376 Мо1,2. -yr.9-15. 14. V.P. Afanasyev, V.V. Golubkov, A.S. Gudovskikh and others. Structure of AIM films obtained by reactive
Ге») магнетронньїм распьілением // Тр.У кр. Вакуумного об-ва. -ІЗОЕ-5. -Харьков. -2002. -262-265. 15. Н.Р.ГоБІ апа М.Ниррегп; Тпегта! віарійу оїпопвіоіспіотейгіс зійсоп пібіде Яїте таде Бу геасіїме е дс тадпеїгоп зрибег дерозйіоп // Тпіп Зоїїа Рійтв.-1998. -М.317(1-2). -рр.153-156.Ge") by magnetron spraying // Tr.U cr. Vacuum volume. - ISOE-5. - Kharkiv. -2002. -262-265. 15. N.R. GoBI apa M. Nirregp; Tpegta! Viariyu oipopvioispioteigis ziysop pibide Yaite tade Bu geasiime e ds tadpeigop zrybeg derozyiop // Tpip Zoiia Riitv.-1998. -M.317(1-2). -year 153-156.
ФО 16. А.МоКогаумжша И.5. Раїепі Мо5,663,087, бер. 2, 1997 Меїйой бог Тогтіпуд пійгіде Ят Паміпуд Іом/ Ігакаде соїтепі апа підп бБгеак дом/п моКаде. 17. П.ИМ. Игнатенко, А.А. Гончаров, С.С. Примин Структура и свойства тонких покрьтий 5ізМи, Міз8ві // Металлофизика и новейшие технологии. - 1998.- 7.20, Моб. - С.70-73. 18. А.Г. Васильев, Д.М. Захаров, О.М. Лебедев Формирование тонких пленок ТІМ методом реактивногоFO 16. A. MoKogaumzhsha I.5. Raiepi Mo5,663,087, Mar. 2, 1997 Meiyoi god Togtipud piygide Yat Pamipud Iom/ Igakade soitepi apa podp bBgeak dom/p moKade. 17. P.IM. Ignatenko, A.A. Goncharov, S.S. Prymin Structure and properties of thin coatings 5izMy, Miz8vi // Metallophysics and new technologies. - 1998.- 7.20, Mob. - P.70-73. 18. A.G. Vasiliev, D.M. Zakharov, O.M. Lebedev Formation of TIM thin films by the reactive method
Р» магнетронного осаждения // Микрозлектроника. - 1996. -Т.25, Моб. - С.354-362. 19. П.И. Игнатенко, Д.Н.Терпий, В.В. Петухов, А.А. Гончаров Влияние режима ВЧ-магнетронного распьіления мишени МВ» на состав и структуру напьіляемьїх пленок // Неорган.иатер..-2001. -Т.37, Мо10 - С.1201-1204. во 20. МУ.-Т.Ц.О.К.МеКепліє, М/.О.Месгаїї апа с0.Сб.2йапд ЕПесі ої зрицегіпд-даз ргеззиге оп ргорепієев ої зіїсоп пійгіде ЯІтв ргодисей Бу Пеїїсоп ріазта зриЧегіпд // Тпіп Зоїїа Рітв.-2001. -М.384 (1). - рр.46-52. 21. У.бапіомісі, К.Сагпіпег, С.бої» еї а). оп ітріапіей ригіей ЗізМа. Іауеге Беїом/ ерійахіа! Мізі2 Іауегв //R» of magnetron deposition // Microelectronics. - 1996. - Vol. 25, Mob. - P.354-362. 19. P.I. Ignatenko, D.N. Terpiy, V.V. Petukhov, A.A. Goncharov Influence of the HF magnetron sputtering regime of the MV target on the composition and structure of sputtered films // Nonorgan.iater..-2001. - Vol. 37, Mo. 10 - pp. 1201-1204. at 20. MU.-T.Ts.O.K.MeKepliye, M/.O. .-2001. -M.384 (1). - years 46-52. 21. U. Bapiomisi, K. Sagpipeg, S. Boi" ei a). op itriapiei rygiei ZizMa. Iauege Beiom/ eriyahia! Mizi2 Iauegv //
РНуз. віайизв зоїйаї. А.-1989.- м.112, Мо2. -рр.733-738. 22. М.П. Васильев, В.Н. Злобин, В.И. Бондаренко ЙИонная имплантация катализаторов // Тр.Укр.общ-ва.- 65 Харьков. - 1997. -Т.3. - С.70-72. 23. В. Миссол Поверхностная знергия раздела фаз в металлах. -М.: Металлургия.-1078. - С.176.RNuz. viayizv zoyiai. A.-1989.- m. 112, Mo2. -year 733-738. 22. M.P. Vasiliev, V.N. Zlobyn, V.I. Bondarenko YIonnaya implantation of catalysts // Tr.Ukr.obsch-va.- 65 Kharkov. - 1997. - Vol. 3. - P.70-72. 23. V. Mysol Surface energy of phase separation in metals. - M.: Metallurgy.-1078. - P.176.
Claims (1)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| UA2003032458A UA61646A (en) | 2003-03-21 | 2003-03-21 | A process for preparing the nitride film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| UA2003032458A UA61646A (en) | 2003-03-21 | 2003-03-21 | A process for preparing the nitride film |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| UA61646A true UA61646A (en) | 2003-11-17 |
Family
ID=34392066
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| UA2003032458A UA61646A (en) | 2003-03-21 | 2003-03-21 | A process for preparing the nitride film |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| UA (1) | UA61646A (en) |
-
2003
- 2003-03-21 UA UA2003032458A patent/UA61646A/en unknown
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Colligon | Energetic condensation: Processes, properties, and products | |
| ES2719104T3 (en) | Hybrid PVD procedure for precipitation of mixed crystal layers | |
| US5723188A (en) | Process for producing layers of cubic boron nitride | |
| Randhawa | Review of plasma-assisted deposition processes | |
| PT1863947E (en) | Hard material layer | |
| JP2005511893A (en) | Coating method and coating body | |
| Ferreira et al. | Phase tailoring of tantalum thin films deposited in deep oscillation magnetron sputtering mode | |
| JP2011127165A (en) | Coating, cutting tool and method for manufacturing coating | |
| Rao et al. | Recent developments in magnetron-sputtered silicon nitride coatings of improved mechanical and tribological properties for extreme situations | |
| Henkes et al. | Micromachining with cluster ions | |
| JP2008290163A (en) | Coating film, cutting tool and coating film making method | |
| Ding et al. | Preferential orientation of titanium carbide films deposited by a filtered cathodic vacuum arc technique | |
| Kostrin et al. | Formation of Biomedical Coatings with Complex Compositions Using Vacuum Arc Plasma | |
| US6200649B1 (en) | Method of making titanium boronitride coatings using ion beam assisted deposition | |
| UA61646A (en) | A process for preparing the nitride film | |
| Colligon et al. | Thin films: sputtering, PVD methods, and Applications | |
| KR101695590B1 (en) | ELECTRODE FOR WATER TREATMENT WITH DIAMOND COATING LAYER ON Ti SUBSTRATE AND MANUFACTURING METHOD THREREOF | |
| US8158216B2 (en) | Spinulose titanium nanoparticulate surfaces | |
| JPS6316464B2 (en) | ||
| RU2751704C1 (en) | Method for producing anti-corrosive coating on articles from monolithic titanium nickelide | |
| JPH07150337A (en) | Production of nitride film | |
| JP2513338B2 (en) | Method for forming boron nitride thin film coated substrate | |
| Pashentsev | Methods of nanostructured coatings deposition by magnetron sputtering and cathodic arc evaporation | |
| JP2590349B2 (en) | Wear-resistant coating method | |
| JPH02229792A (en) | Production of vapor deposited thin film |