UA51927U - Устройство для выращивания тугоплавких монокристаллов методом чохральского - Google Patents

Устройство для выращивания тугоплавких монокристаллов методом чохральского

Info

Publication number
UA51927U
UA51927U UAU201000454U UAU201000454U UA51927U UA 51927 U UA51927 U UA 51927U UA U201000454 U UAU201000454 U UA U201000454U UA U201000454 U UAU201000454 U UA U201000454U UA 51927 U UA51927 U UA 51927U
Authority
UA
Ukraine
Prior art keywords
refractory
monocrystals
growth
chohralskyis
crucible
Prior art date
Application number
UAU201000454U
Other languages
English (en)
Ukrainian (uk)
Inventor
Виктор Александрович Шаповалов
Владимир Иванович Колесниченко
Александр Николаевич Гнездило
Владимир Викторович Якуша
Ольга Витальевна Карускевич
Original Assignee
Институт электросварки им. Е.О. Патона национальной академии наук Украины
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Институт электросварки им. Е.О. Патона национальной академии наук Украины filed Critical Институт электросварки им. Е.О. Патона национальной академии наук Украины
Priority to UAU201000454U priority Critical patent/UA51927U/ru
Publication of UA51927U publication Critical patent/UA51927U/ru

Links

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

Устройство для выращивания тугоплавких монокристаллов методом Чохральского включает вакуумную камеру кристаллизации, механизм вытягивания кристалла и тигель, выполненный из тугоплавкого материала (металл, сплав, химическое соединение и т.д.). Тигель выполнен из тугоплавкого материала средствами послойного наплавления, который разогревается пропусканием через него электрического тока.
UAU201000454U 2010-01-18 2010-01-18 Устройство для выращивания тугоплавких монокристаллов методом чохральского UA51927U (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
UAU201000454U UA51927U (ru) 2010-01-18 2010-01-18 Устройство для выращивания тугоплавких монокристаллов методом чохральского

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
UAU201000454U UA51927U (ru) 2010-01-18 2010-01-18 Устройство для выращивания тугоплавких монокристаллов методом чохральского

Publications (1)

Publication Number Publication Date
UA51927U true UA51927U (ru) 2010-08-10

Family

ID=50734232

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
UAU201000454U UA51927U (ru) 2010-01-18 2010-01-18 Устройство для выращивания тугоплавких монокристаллов методом чохральского

Country Status (1)

Country Link
UA (1) UA51927U (ru)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CA2868596C (en) Method for manufacturing metal powder
MX2012005708A (es) Tomador de muestras para el muestreo de masas fundidas que tienen un punto de fusion mayor de 600°c, y procedimiento de muestreo.
WO2013002539A3 (en) Apparatus and method for growing silicon carbide single crystal
EP2436461A3 (en) Unidirectional solidification process and apparatus therefor
GB2545622A (en) Method and apparatus for supercooling of metal/alloy melts and for the formation of amorphous metals therefrom
WO2012108618A3 (ko) 마이크로 웨이브를 이용한 단결정 성장장치 및 그 성장방법
WO2012169801A3 (en) Apparatus for fabricating ingot
UA51927U (ru) Устройство для выращивания тугоплавких монокристаллов методом чохральского
MX2009013011A (es) Control termico desmontable para hornos de estirado de cristal cinta.
UA101807C2 (ru) Устройство для выращивания тугоплавких монокристаллов методов чохральского
MD402Y (en) Process for rapid growth of bismuth monocrystal
MY165871A (en) Method and apparatus for producing a single crystal
UA90424U (ru) Способ виплавки титановых сплавов в электронно-лучевой гарнисажной установке
UA60165U (ru) Способ получения монокристаллов йодида цезия
RU2014112902A (ru) СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ ОБЪЕМНЫХ КРИСТАЛЛОВ β-Ga2O3 И ЕГО ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ ИЗ РАСПЛАВА В НЕМЕТАЛЛИЧЕСКОМ ТИГЛЕ
UA27517U (en) Method for producing lead telluride-based thermoelectric material
MD4266B1 (en) Method for producing the ZnSe single crystal
UA81126U (ru) СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ КУПРУМ (I) ПЕНТАТИОФОСФАТА (V) йодида Cu6PS5I МЕТОДОМ направленной кристаллизации из расплава
Fornari Method and apparatus for growing indium oxide (In2O3) single crystals and indium oxide (In2O3) single crystal
UA66536U (ru) Способ выращивания монокристаллов k2coxni1-x(so4)2.6h2o
UA67188U (ru) Способ очистки металлургического кремния
UA81118U (ru) СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ МЕДИ (I) ГЕКСАТИОФОСФАТА Cu7PS6 МЕТОДОМ направленной кристаллизации из расплава
UA51287U (ru) Устройство для выращивания монокристаллов тугоплавких металлов и для получения профилированных изделий с монокристаллической, поликристаллической, определенной структурой из тугупловких материалов
UA79780U (ru) СПОСОБ УСТРАНЕНИЯ ВКЛЮЧЕНИЙ ВТОРОЙ ФАЗЫ ИЗ КРИСТАЛЛОВ НА ОСНОВЕ CdTe
UA108883C2 (ru) СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ КУПРУМ(I)ПЕНТАТИОФОСФАТА(V) ЙОДИДА Cu6PS5I МЕТОДОМ НАПРАВЛЕННОЙ КРИСТАЛЛИЗАЦИИ ИЗ РАСПЛАВА