UA41215U - Способ приповерхностного легирования элементами группы аііі полупроводниковых соединений группы аіівvi при создании электрических барьерных структур упругой волной - Google Patents
Способ приповерхностного легирования элементами группы аііі полупроводниковых соединений группы аіівvi при создании электрических барьерных структур упругой волнойInfo
- Publication number
- UA41215U UA41215U UAU200814498U UAU200814498U UA41215U UA 41215 U UA41215 U UA 41215U UA U200814498 U UAU200814498 U UA U200814498U UA U200814498 U UAU200814498 U UA U200814498U UA 41215 U UA41215 U UA 41215U
- Authority
- UA
- Ukraine
- Prior art keywords
- gpoup
- formation
- acoustic wave
- barrier structures
- аііі
- Prior art date
Links
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
Способ приповерхостного легирования элементом группы Аполупроводниковых соединений группы ABпри создании электрических барьерных структур упругой волной, индуцированной лазерным импульсом, включает напыление на полированную поверхность полупроводника пленки легирующего элемента и ее облучение лазерным импульсом длительностью 20 нс рубинового или эксимерного KrF лазера с плотностью энергии, которой достаточно для образования упругой волны. Пленку легирующего элемента Анапыляют на поверхность полупроводниковых соединений ABтолщиной, больше глубины проникновения тепловой волны, но меньше глубины образования ударной волны при импульсном лазерном облучении.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
UAU200814498U UA41215U (ru) | 2008-12-16 | 2008-12-16 | Способ приповерхностного легирования элементами группы аііі полупроводниковых соединений группы аіівvi при создании электрических барьерных структур упругой волной |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
UAU200814498U UA41215U (ru) | 2008-12-16 | 2008-12-16 | Способ приповерхностного легирования элементами группы аііі полупроводниковых соединений группы аіівvi при создании электрических барьерных структур упругой волной |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
UA41215U true UA41215U (ru) | 2009-05-12 |
Family
ID=50620826
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
UAU200814498U UA41215U (ru) | 2008-12-16 | 2008-12-16 | Способ приповерхностного легирования элементами группы аііі полупроводниковых соединений группы аіівvi при создании электрических барьерных структур упругой волной |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
UA (1) | UA41215U (ru) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2654819C1 (ru) * | 2017-04-26 | 2018-05-22 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "ДАГЕСТАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ" | Способ изготовления полупроводниковых структур |
-
2008
- 2008-12-16 UA UAU200814498U patent/UA41215U/ru unknown
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2654819C1 (ru) * | 2017-04-26 | 2018-05-22 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "ДАГЕСТАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ" | Способ изготовления полупроводниковых структур |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
WO2009100015A3 (en) | Engineering flat surfaces on materials doped via pulsed laser irradiation | |
CN101577296B (zh) | 利用受控剪切区域的膜的层转移 | |
EP2248997A3 (en) | System and method for improved film cooling | |
JP2013528326A5 (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
PH12018502424A1 (en) | Laser cutting and machining method for plated steel plate, laser cut-and-machined product, thermal cutting and machining method, thermal cut-and-machined product, surface-treated steel plate, laser cutting method, and laser machining head | |
WO2010003130A3 (en) | Power parameters for ultrasonic catheter | |
WO2009120542A3 (en) | Method and apparatus for laser drilling holes with tailored laser pulses | |
WO2007016557A3 (en) | Via hole machining for microwave monolithic integrated circuits | |
SG120988A1 (en) | Semiconductor wafer dividing method utilizing laser beam | |
WO2009090643A3 (en) | Laser surgical method | |
EP1881085A3 (en) | A method for producing and depositing nanoparticles | |
ATE348082T1 (de) | Verglasung mit sollbruchlinien | |
WO2006057660A3 (en) | High energy pulse suppression method | |
BR112017027953A2 (pt) | método e aparelho para escurecimento, superfície tratada a laser, e, dispositivo. | |
JP2019063875A5 (ru) | ||
WO2007076330A3 (en) | Laser shock processing with momentum trap | |
RU2013141507A (ru) | Способ повышения качества металлического покрытия стальной полосы | |
JP6274284B2 (ja) | パルスレーザを用いてガラス基板に孔を形成する方法、および孔を有するガラス基板を製造する方法 | |
UA41215U (ru) | Способ приповерхностного легирования элементами группы аііі полупроводниковых соединений группы аіівvi при создании электрических барьерных структур упругой волной | |
US9079269B2 (en) | Spalling with laser-defined spall edge regions | |
CN106001928A (zh) | 激光除漆的激光参量选择方法 | |
TW200633028A (en) | Semiconductor device and method for producing the same | |
WO2014023798A3 (de) | Verfahren zur ablation einer schicht | |
ATE383221T1 (de) | Verfahren und einrichtung zum laserätzen einer struktur durch zunächst bestrahlen von bereichen der struktur zur änderung der kristallinität | |
RU2011118461A (ru) | Способ формирования легированных областей полупроводникового прибора |