UA41215U - Способ приповерхностного легирования элементами группы аііі полупроводниковых соединений группы аіівvi при создании электрических барьерных структур упругой волной - Google Patents

Способ приповерхностного легирования элементами группы аііі полупроводниковых соединений группы аіівvi при создании электрических барьерных структур упругой волной

Info

Publication number
UA41215U
UA41215U UAU200814498U UAU200814498U UA41215U UA 41215 U UA41215 U UA 41215U UA U200814498 U UAU200814498 U UA U200814498U UA U200814498 U UAU200814498 U UA U200814498U UA 41215 U UA41215 U UA 41215U
Authority
UA
Ukraine
Prior art keywords
gpoup
formation
acoustic wave
barrier structures
аііі
Prior art date
Application number
UAU200814498U
Other languages
English (en)
Ukrainian (uk)
Inventor
Александр Иванович Власенко
Владимир Анастасиевич Гнатюк
Сергей Николаевич Левицкий
Аоки Тору
Original Assignee
Институт Физики Полупроводников Им. В.Е. Лашкарева Национальной Академии Наук Украины
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Институт Физики Полупроводников Им. В.Е. Лашкарева Национальной Академии Наук Украины filed Critical Институт Физики Полупроводников Им. В.Е. Лашкарева Национальной Академии Наук Украины
Priority to UAU200814498U priority Critical patent/UA41215U/ru
Publication of UA41215U publication Critical patent/UA41215U/ru

Links

Landscapes

  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

Способ приповерхостного легирования элементом группы Аполупроводниковых соединений группы ABпри создании электрических барьерных структур упругой волной, индуцированной лазерным импульсом, включает напыление на полированную поверхность полупроводника пленки легирующего элемента и ее облучение лазерным импульсом длительностью 20 нс рубинового или эксимерного KrF лазера с плотностью энергии, которой достаточно для образования упругой волны. Пленку легирующего элемента Анапыляют на поверхность полупроводниковых соединений ABтолщиной, больше глубины проникновения тепловой волны, но меньше глубины образования ударной волны при импульсном лазерном облучении.
UAU200814498U 2008-12-16 2008-12-16 Способ приповерхностного легирования элементами группы аііі полупроводниковых соединений группы аіівvi при создании электрических барьерных структур упругой волной UA41215U (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
UAU200814498U UA41215U (ru) 2008-12-16 2008-12-16 Способ приповерхностного легирования элементами группы аііі полупроводниковых соединений группы аіівvi при создании электрических барьерных структур упругой волной

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
UAU200814498U UA41215U (ru) 2008-12-16 2008-12-16 Способ приповерхностного легирования элементами группы аііі полупроводниковых соединений группы аіівvi при создании электрических барьерных структур упругой волной

Publications (1)

Publication Number Publication Date
UA41215U true UA41215U (ru) 2009-05-12

Family

ID=50620826

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
UAU200814498U UA41215U (ru) 2008-12-16 2008-12-16 Способ приповерхностного легирования элементами группы аііі полупроводниковых соединений группы аіівvi при создании электрических барьерных структур упругой волной

Country Status (1)

Country Link
UA (1) UA41215U (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2654819C1 (ru) * 2017-04-26 2018-05-22 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "ДАГЕСТАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ" Способ изготовления полупроводниковых структур

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2654819C1 (ru) * 2017-04-26 2018-05-22 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "ДАГЕСТАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ" Способ изготовления полупроводниковых структур

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2009100015A3 (en) Engineering flat surfaces on materials doped via pulsed laser irradiation
CN101577296B (zh) 利用受控剪切区域的膜的层转移
EP2248997A3 (en) System and method for improved film cooling
JP2013528326A5 (ja) 太陽電池の製造方法
PH12018502424A1 (en) Laser cutting and machining method for plated steel plate, laser cut-and-machined product, thermal cutting and machining method, thermal cut-and-machined product, surface-treated steel plate, laser cutting method, and laser machining head
WO2010003130A3 (en) Power parameters for ultrasonic catheter
WO2009120542A3 (en) Method and apparatus for laser drilling holes with tailored laser pulses
WO2007016557A3 (en) Via hole machining for microwave monolithic integrated circuits
SG120988A1 (en) Semiconductor wafer dividing method utilizing laser beam
WO2009090643A3 (en) Laser surgical method
EP1881085A3 (en) A method for producing and depositing nanoparticles
ATE348082T1 (de) Verglasung mit sollbruchlinien
WO2006057660A3 (en) High energy pulse suppression method
BR112017027953A2 (pt) método e aparelho para escurecimento, superfície tratada a laser, e, dispositivo.
JP2019063875A5 (ru)
WO2007076330A3 (en) Laser shock processing with momentum trap
RU2013141507A (ru) Способ повышения качества металлического покрытия стальной полосы
JP6274284B2 (ja) パルスレーザを用いてガラス基板に孔を形成する方法、および孔を有するガラス基板を製造する方法
UA41215U (ru) Способ приповерхностного легирования элементами группы аііі полупроводниковых соединений группы аіівvi при создании электрических барьерных структур упругой волной
US9079269B2 (en) Spalling with laser-defined spall edge regions
CN106001928A (zh) 激光除漆的激光参量选择方法
TW200633028A (en) Semiconductor device and method for producing the same
WO2014023798A3 (de) Verfahren zur ablation einer schicht
ATE383221T1 (de) Verfahren und einrichtung zum laserätzen einer struktur durch zunächst bestrahlen von bereichen der struktur zur änderung der kristallinität
RU2011118461A (ru) Способ формирования легированных областей полупроводникового прибора