UA13134U - An ionized vapor flow source - Google Patents
An ionized vapor flow source Download PDFInfo
- Publication number
- UA13134U UA13134U UAU200509124U UAU200509124U UA13134U UA 13134 U UA13134 U UA 13134U UA U200509124 U UAU200509124 U UA U200509124U UA U200509124 U UAU200509124 U UA U200509124U UA 13134 U UA13134 U UA 13134U
- Authority
- UA
- Ukraine
- Prior art keywords
- crucible
- insert
- inductor
- source
- vapor flow
- Prior art date
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 25
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 4
- 230000008719 thickening Effects 0.000 claims description 3
- 239000011364 vaporized material Substances 0.000 claims 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 9
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 7
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 7
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 3
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 2
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 238000010849 ion bombardment Methods 0.000 description 2
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 2
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 238000013021 overheating Methods 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 description 1
- 230000000638 stimulation Effects 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 1
- 239000006200 vaporizer Substances 0.000 description 1
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Description
Опис винаходу
Корисна модель відноситься до області нанесення покриттів у вакуумі з іонною стимуляцією (асистуванням), 2 ї може бути використана в пристроях, призначених для одержання потоків іонізованої пари в процесах осадження покриттів методом конденсації пари з іонним бомбардуванням.
Відомі джерела частково іонізованого парового потоку для нанесення покриттів у вакуумі, у яких паровий потік одержують за допомогою індукційного нагрівання тигля з матеріалом, що випаровується, а іонізація пари здійснюється різними методами. Наприклад, у |1| описаний пристрій, що містить додатковий індуктор 70 (індуктор-іонізатор), розташований над тиглем з індуктором-нагрівачем. У Ї2| над тиглем (4 індуктором-нагрівачем розташовується розжарений катод, що розігрівається електричним струмом. У цьому пристрої катод емітує електрони в паровий потік, що забезпечують виникнення і підтримку іонізуючого розряду.
Найбільш близьким по технічній сутності до пропонованого пристрою є джерело частково іонізованого парового потоку з індукційним нагріванням тигля |З). У цьому пристрої тигель виконаний у вигляді циліндричної 79 склянки, нижня частина якого заповнена розплавленим металом, а стінки незаповненої частини тигля служать порожнинним катодом для підтримки розряду в середовищі пари, тобто іонізації її молекул. Поверхня порожнинного катода емітує електрони під дією бомбардування іонами з паро-плазмового потоку.
Джерело |З) має ряд істотних недоліків. По-перше, іонізація пари в цьому пристрої відбувається в розряді самостійного типу, у якому генерація іонів і електронів є взаємозалежним процесом (немає іонів - немає електронів і навпаки), що перешкоджає виникненню порожнинно-катодного розряду. По-друге, у пристрої використовується явище іонно-електронної емісії, що існує при розрядній напрузі від сотень вольтів до одиниць кіловольтів, але при цьому відбувається іонне розпилення стінок тигля і забруднення плівок матеріалом тигля.
По-третє, порожнинно-катодний розряд має місце, коли висота стінок тигля, вільних від розплаву, більше внутрішнього діаметра тигля. Це не дозволяє цілком використовувати об'єм тигля і призводить до залежності 22 характеристик розряду від рівня розплавленого металу в ньому, що знижує технологічний ресурс джерела. -о
Задачею корисної моделі є поліпшення характеристик джерела іонізованого парового потоку, що забезпечить умови виникнення розряду при зменшенні розрядної напруги та зменшення забруднення покриття матеріалом тигля, а так само зниження залежності характеристик розряду від рівня розплавленого металу в тиглі.
Поставлена задача вирішується тим, що джерело іонізованого парового потоку містить тигель розташований М усередині індуктора та заповнений матеріалом, що випаровується. Новим є те, що тигель має термоемісійну се вставку, виконану у вигляді кільця з матеріалу з великою питомою термоемісією, і розташовану у верхній частині тигля. --
Крім того, у джерелі іонізованого парового потоку новим є те, що тигель у своїй частині що охоплює («З термоемісійну вставку, має радіальне потовщення стінки назовні. 3о Крім того, у джерелі іонізованого парового потоку новим є те, що тигель в області термоемісійної вставки -- містить внутрішньою циліндричною перегородкою, що відокремлює термоемісійну вставку від внутрішньої порожнини тигля і виконана за одне ціле з тілом тигля;
Крім того, у джерелі іонізованого парового потоку новим є те, що тигель у верхній частині по зовнішньому « краю містить циліндричний виступ вгору уздовж або під кутом до зовнішньої утворюючої поверхні тигля. З 70 На Фіг.1 представлено схематично загальний вигляд джерела іонізованого парового потоку. с На Фіг.2-Фіг.4 наведено приклади виконання джерела.
Із» Джерело містить тигель 1 зі струмопровідного матеріалу. У нижній частині тигля знаходиться розплав металу 2, що випаровується. Навколо тигля розташований індуктор З, підключений до ВЧ генератора, що працює на частоті 66-440кГц. У верхній частині тигля утримується вставка 4 з матеріалу з питомою термоемісією більше - 395 1мА/см2 при температурі 1200-15002С, що забезпечується при нагріванні тигля при випарі матеріалу 2. Верхній виток індуктора виступає над верхнім краєм тигля. Нижній виток індуктора заземлюється. Над тиглем (95) розташована підкладка 5, на яку направляється потік іонізованої пари 6 з тигля. Між індуктором і тиглем може - розміщуватися циліндричний тепловий екран 7 з діелектрика або металу.
На Фіг.2 зображено джерело, у якого верхній край тигля 1 має радіальне потовщення назовні стінки 8, яке (95) 50 наближене до витка індуктора З для збільшення електромагнітного зв'язку з індуктором і збільшення
І» температури термоемісійної вставки 4. Перегрів вставки 4 щодо температури нагрівання матеріалу 2 забезпечує більш інтенсивний випар з її поверхні, тобто очищення поверхні вставки від парових часток, що конденсуються, збільшення струму термоелектронної емісії і збереження її характеристик у продовж тривалого часу.
На Фіг.3 зображено джерело, у якому тигель 1 має циліндричну перегородку 9, що відокремлює термоемісійну вставку 4 від порожнини тигля і захищає її від впливу парового потоку 6. У цьому пристрої с вставка 4 являє собою торцеву вкладку.
На Фіг.4 зображено джерело, у тиглі 1 якого верхній зовнішній край 10 виступає нагору відносно вставки 4 вздовж або під кутом до зовнішньої утворюючої поверхні тигля. Край 10 бере участь у формуванні електричного поля між індуктором З і тиглем 1: запобігає дрейфу електронів по прямим траєкторіям на індуктор, викривляє бо траєкторії електронів у розряді, робить їх довшими чим оптимізує. Це призводить до зростання вірогідності зіткнення електронів з молекулами парового потоку та підвищення ефективності іонізації в паровому потоці 6.
Матеріали тигля 1 і вставки 4 повинні бути інертні стосовно матеріалу 2, що випаровується. Наприклад, при випарі міді або золота в якості матеріалу тигля можуть бути використані молібден або графіт, а в якості матеріалу термоемісійної вставки - гексаборид лантану (ГаВе). Гексаборид лантанова вставка може бути у 65 вигляді монокристалічного тіла, або у вигляді спеченого порошку Гав 5 або спеченої композиції з мікропорошків тугоплавких металів (молібдену, вольфраму) і порошку ГаВо, або ж у вигляді шару ГаВ 5, що плазменно осаджений на тугоплавку основу.
Джерело працює таким чином.
У тигель завантажують матеріал, що випаровується, а над ним закріплюють підкладку або підкладки, на які наноситься покриття. У технологічній камері вакуумної установки, де розташовано підготовлений пристрій, знижують тиск нижче 107 Па. На індуктор З подають напругу від ВЧ генератора. Вихрові струми, що наводяться індуктором у тілі тигля, розігрівають його до високої температури. При цьому також розігрівається матеріал 2, що випаровується. 70 При нагріванні тигля 1 і матеріалу 2, що випаровується, також розігрівається вставка 4, що при температурах випару матеріалу 2 інтенсивно емітує термоелектрони зі своєї поверхні в порожнину тигля і над його краєм. При концентрації термоелектронів у паровому потоці 6, достатньої для ефективної іонізації парових часток, виникає газовий розряд у паровому середовищі під впливом ВЧ поля індуктора 3.
Керування потужністю розряду може здійснюватися, як шляхом керування потужністю, що підводиться до ВЧ 75 індуктора, так і положенням верхнього краю тигля 1 відносно витків індуктора З. При цьому потужність розряду не залежить від кількості матеріалу 2, що випаровується, у тиглі, тобто від висоти стінок над матеріалом 2.
Завдяки високій концентрації термоелектронів досить прикласти напругу між тиглем і верхнім витком індуктора на рівні ЗО вольтів, щоб виник і підтримувався іонізуючий розряд у паровому потоці. Низька розрядна напруга запобігає іонному розпиленню стінок тигля 1, не приводить до руйнування термоемісійної вставки 4 і забрудненню покриття на підкладці матеріалами тигля і вставки.
Паровий потік направляється до поверхні підкладки 6 і конденсується на ній з утворенням покриття. При подачі на підкладку напруги негативного зсуву, іони пари прискорюються і бомбардують поверхню покриття, що приводить до поліпшення його властивостей (підвищення щільності покриття, зниження концентрації домішки і щільності дефектів). Оскільки іони утворяться в результаті іонізації пари матеріалу, що осаджується, вони його не забруднюють.
Для більш ефективного використання термоемісійної вставки 4 здійснюють перегрів верхнього краю тигля 1 З відносно матеріалу 2, що випаровується, застосовуючи для цього конструкцію тигля 1 з радіальним виступом 8 (Фіг.2). Виступ забезпечує локальне збільшення електромагнітного зв'язку з індуктором і, як наслідок, місцевий перегрів тигля та термоемісійної вставки 4. Це запобігає конденсації матеріалу 2, що випаровується, «І зо на поверхні вставки 4 і забезпечує зростання струму емісії термоелектронів. Для захисту поверхні вставки 2 від парового потоку також можна застосувати конструкцію тигля з циліндричною перегородкою 9 (Фіг.3). о
Для підвищення ефективності іонізації пропонується використовувати тигель 1, у якого зовнішній край 10 «ч- виступає нагору щодо вставки 4 (Фіг.4). Застосування такої конструкції забезпечить подовження дрейфових траєкторій електронів у паровому потоці, зростання вірогідності зіткнення електронів з паровими молекулами і о
Їх іонізації. «--
Джерела: 1. АС СРСР Мо1194040. 2. АС СРСР Мо1176635. «
З. А.И.Кузьмичев, Л.Ю.Цьібульский. Термоіїонний пристрій з індукційним випарником. Прилади і техніка експерименту, М:, 1992. Мо2, с.262-264. - с "з
Claims (4)
1. Джерело іонізованого парового потоку, що містить тигель, заповнений випаровуваним матеріалом, що -к розташований усередині індуктора, яке відрізняється тим, що тигель містить термоемісійну вставку, виконану у вигляді кільця з матеріалу з великою питомою термоемісією, і розташовану у верхній частині тигля.
о 2. Джерело за п. 1, яке відрізняється тим, що тигель у своїй частині, що охоплює термоемісійну вставку, має - радіальне потовщення стінки назовні.
З. Джерело за п. 1 або п. 2, яке відрізняється тим, що тигель в області термоемісійної вставки містить о внутрішню циліндричну перегородку, що відокремлює термоемісійну вставку від внутрішньої порожнини тигля і ї» виконана як одне ціле з тілом тигля.
4. Джерело за п. 1 або п. 2, або п. 3, яке відрізняється тим, що тигель у верхній частині по зовнішньому краю містить циліндричний виступ вгору уздовж або під кутом до зовнішньої твірної поверхні тигля. с 60 б5
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
UAU200509124U UA13134U (en) | 2005-09-27 | 2005-09-27 | An ionized vapor flow source |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
UAU200509124U UA13134U (en) | 2005-09-27 | 2005-09-27 | An ionized vapor flow source |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
UA13134U true UA13134U (en) | 2006-03-15 |
Family
ID=37456464
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
UAU200509124U UA13134U (en) | 2005-09-27 | 2005-09-27 | An ionized vapor flow source |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
UA (1) | UA13134U (uk) |
-
2005
- 2005-09-27 UA UAU200509124U patent/UA13134U/uk unknown
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8387561B2 (en) | Method and apparatus for cathodic arc ion plasma deposition | |
US4224897A (en) | Methods of depositing materials on substrates | |
US20100206713A1 (en) | PZT Depositing Using Vapor Deposition | |
CN104046943A (zh) | 低压电弧等离子体浸没涂层气相沉积和离子处理 | |
US6110540A (en) | Plasma apparatus and method | |
US5662741A (en) | Process for the ionization of thermally generated material vapors and a device for conducting the process | |
JP2001358000A (ja) | プラズマ発生装置 | |
US11049697B2 (en) | Single beam plasma source | |
UA13134U (en) | An ionized vapor flow source | |
JP2019121422A (ja) | 表面処理装置 | |
Kuzmichev et al. | Evaporators with induction heating and their applications | |
JP5836027B2 (ja) | イオンプレーティング装置および方法 | |
JP7084201B2 (ja) | 反応性イオンプレーティング装置および方法 | |
JP3717655B2 (ja) | プラズマ発生装置及び薄膜形成装置 | |
US20140034484A1 (en) | Device for the elimination of liquid droplets from a cathodic arc plasma source | |
RU2657896C1 (ru) | Устройство для синтеза покрытий | |
CN1086853A (zh) | 材料表面改性用电子束蒸发金属离子源 | |
US20140174920A1 (en) | Evaporation source | |
US20230223234A1 (en) | Apparatus and method for depositing hard carbon layers | |
Chayahara et al. | Metal plasma source for PBII using arc-like discharge with hot cathode | |
JP6960137B2 (ja) | イオンプレーティング装置およびこれを用いたイットリア膜の形成方法 | |
RU2676719C1 (ru) | Способ низкотемпературного нанесения нанокристаллического покрытия из альфа-оксида алюминия | |
JP2002075691A (ja) | プラズマ発生装置 | |
JPH09165673A (ja) | 薄膜形成装置および薄膜形成方法 | |
JP2001076635A (ja) | イオン源 |