UA127266C2 - Спосіб одержання опромінених частинок - Google Patents
Спосіб одержання опромінених частинок Download PDFInfo
- Publication number
- UA127266C2 UA127266C2 UAA202100106A UAA202100106A UA127266C2 UA 127266 C2 UA127266 C2 UA 127266C2 UA A202100106 A UAA202100106 A UA A202100106A UA A202100106 A UAA202100106 A UA A202100106A UA 127266 C2 UA127266 C2 UA 127266C2
- Authority
- UA
- Ukraine
- Prior art keywords
- particles
- base
- nanoparticles
- solid matrix
- irradiated
- Prior art date
Links
- 239000002245 particle Substances 0.000 title claims abstract description 117
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 74
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 15
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims abstract description 76
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims abstract description 46
- 230000004907 flux Effects 0.000 claims abstract description 8
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 claims description 69
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 42
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 35
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 27
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 25
- 239000010432 diamond Substances 0.000 claims description 21
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 claims description 21
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 17
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 12
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 7
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 6
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 claims description 4
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000012300 argon atmosphere Substances 0.000 claims description 3
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 3
- 230000000155 isotopic effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 2
- 238000007711 solidification Methods 0.000 claims description 2
- 230000008023 solidification Effects 0.000 claims description 2
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims 1
- 239000007962 solid dispersion Substances 0.000 claims 1
- 238000007669 thermal treatment Methods 0.000 claims 1
- 239000002113 nanodiamond Substances 0.000 abstract description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 8
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 5
- 239000002585 base Substances 0.000 description 53
- 229910052810 boron oxide Inorganic materials 0.000 description 13
- JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N diboron trioxide Chemical compound O=BOB=O JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 13
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 12
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 12
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 12
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 11
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 11
- 238000000103 photoluminescence spectrum Methods 0.000 description 11
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 10
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 10
- KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N boric acid Chemical class OB(O)O KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 9
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 9
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 8
- 239000004327 boric acid Substances 0.000 description 8
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 8
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 7
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 7
- 239000004570 mortar (masonry) Substances 0.000 description 7
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 6
- 230000018044 dehydration Effects 0.000 description 6
- 238000006297 dehydration reaction Methods 0.000 description 6
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 6
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 5
- -1 magnetic Substances 0.000 description 5
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 5
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 4
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 4
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 4
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 4
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 4
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 3
- ZADPBFCGQRWHPN-UHFFFAOYSA-N boronic acid Chemical compound OBO ZADPBFCGQRWHPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 238000011031 large-scale manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 3
- 230000002285 radioactive effect Effects 0.000 description 3
- 238000011160 research Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- SETMGIIITGNLAS-UHFFFAOYSA-N spizofurone Chemical compound O=C1C2=CC(C(=O)C)=CC=C2OC21CC2 SETMGIIITGNLAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229950001870 spizofurone Drugs 0.000 description 3
- 230000007847 structural defect Effects 0.000 description 3
- 238000004627 transmission electron microscopy Methods 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001069 Raman spectroscopy Methods 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003917 TEM image Methods 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- QZPSXPBJTPJTSZ-UHFFFAOYSA-N aqua regia Chemical compound Cl.O[N+]([O-])=O QZPSXPBJTPJTSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004630 atomic force microscopy Methods 0.000 description 2
- 125000005620 boronic acid group Chemical class 0.000 description 2
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 239000013068 control sample Substances 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 2
- 238000002292 fluorescence lifetime imaging microscopy Methods 0.000 description 2
- 239000007850 fluorescent dye Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000010191 image analysis Methods 0.000 description 2
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 2
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 2
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 2
- 230000002262 irrigation Effects 0.000 description 2
- 238000003973 irrigation Methods 0.000 description 2
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 2
- MOWNZPNSYMGTMD-UHFFFAOYSA-N oxidoboron Chemical class O=[B] MOWNZPNSYMGTMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 2
- FGIUAXJPYTZDNR-UHFFFAOYSA-N potassium nitrate Chemical compound [K+].[O-][N+]([O-])=O FGIUAXJPYTZDNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 2
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 2
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 2
- 239000007320 rich medium Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 2
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 2
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 2
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 2
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 2
- 239000006228 supernatant Substances 0.000 description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 2
- 241001132374 Asta Species 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CMSMOCZEIVJLDB-UHFFFAOYSA-N Cyclophosphamide Chemical compound ClCCN(CCCl)P1(=O)NCCCO1 CMSMOCZEIVJLDB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002873 Polyethylenimine Polymers 0.000 description 1
- CFUMBHCUWAMIBK-UHFFFAOYSA-N [B+3].[O-]B([O-])[O-] Chemical class [B+3].[O-]B([O-])[O-] CFUMBHCUWAMIBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N alumane Chemical group [AlH3] AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011260 aqueous acid Substances 0.000 description 1
- 238000010420 art technique Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 1
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 150000001642 boronic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000007942 carboxylates Chemical class 0.000 description 1
- 238000005119 centrifugation Methods 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 description 1
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 description 1
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 238000010924 continuous production Methods 0.000 description 1
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010431 corundum Substances 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- 239000007884 disintegrant Substances 0.000 description 1
- 238000002296 dynamic light scattering Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 230000004992 fission Effects 0.000 description 1
- 238000002073 fluorescence micrograph Methods 0.000 description 1
- 238000002189 fluorescence spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000011010 flushing procedure Methods 0.000 description 1
- 239000007970 homogeneous dispersion Substances 0.000 description 1
- 239000008240 homogeneous mixture Substances 0.000 description 1
- 230000002102 hyperpolarization Effects 0.000 description 1
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 1
- 229910052500 inorganic mineral Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 230000005865 ionizing radiation Effects 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- MOYKHGMNXAOIAT-JGWLITMVSA-N isosorbide dinitrate Chemical compound [O-][N+](=O)O[C@H]1CO[C@@H]2[C@H](O[N+](=O)[O-])CO[C@@H]21 MOYKHGMNXAOIAT-JGWLITMVSA-N 0.000 description 1
- 238000011173 large scale experimental method Methods 0.000 description 1
- 229910001416 lithium ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 231100000053 low toxicity Toxicity 0.000 description 1
- 239000000314 lubricant Substances 0.000 description 1
- 239000002122 magnetic nanoparticle Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 1
- 239000011707 mineral Substances 0.000 description 1
- 239000002159 nanocrystal Substances 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000387 optically detected magnetic resonance Methods 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006385 ozonation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 239000006069 physical mixture Substances 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004323 potassium nitrate Substances 0.000 description 1
- 235000010333 potassium nitrate Nutrition 0.000 description 1
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000011343 solid material Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 239000012798 spherical particle Substances 0.000 description 1
- 238000011272 standard treatment Methods 0.000 description 1
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 1
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 1
- 238000010301 surface-oxidation reaction Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J19/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
- B01J19/08—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor
- B01J19/081—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor employing particle radiation or gamma-radiation
- B01J19/084—Neutron beams only
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
- C01B32/25—Diamond
- C01B32/28—After-treatment, e.g. purification, irradiation, separation or recovery
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
- C01B32/90—Carbides
- C01B32/914—Carbides of single elements
- C01B32/956—Silicon carbide
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J2219/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
- B01J2219/08—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor
- B01J2219/0873—Materials to be treated
- B01J2219/0879—Solid
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J2219/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
- B01J2219/08—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor
- B01J2219/12—Processes employing electromagnetic waves
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2002/00—Crystal-structural characteristics
- C01P2002/70—Crystal-structural characteristics defined by measured X-ray, neutron or electron diffraction data
- C01P2002/76—Crystal-structural characteristics defined by measured X-ray, neutron or electron diffraction data by a space-group or by other symmetry indications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2004/00—Particle morphology
- C01P2004/51—Particles with a specific particle size distribution
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2004/00—Particle morphology
- C01P2004/60—Particles characterised by their size
- C01P2004/61—Micrometer sized, i.e. from 1-100 micrometer
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2004/00—Particle morphology
- C01P2004/60—Particles characterised by their size
- C01P2004/62—Submicrometer sized, i.e. from 0.1-1 micrometer
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2004/00—Particle morphology
- C01P2004/60—Particles characterised by their size
- C01P2004/64—Nanometer sized, i.e. from 1-100 nanometer
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- General Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Geology (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
Abstract
Даний винахід стосується способу опромінення іонами основи у вигляді частинок, що включає стадії включення основи у вигляді частинок у тверду матрицю, що містить атоми 10B, та піддавання матриці, одержаної на попередній стадії, опроміненню потоком нейтронів з одержанням твердої матиці, що включає опромінену основу у вигляді частинок. Спосіб за даним винаходом надзвичайно ефективний та піддається масштабуванню. Він, зокрема, придатний для одержання опромінених наноалмазів та опромінених частинок SiC.
Description
Галузь техніки
Даний винахід стосується способу обробки основи у вигляді частинок для зміни її властивостей та до композицій частинок, одержаних таким чином.
Передумови винаходу
За останні два десятиліття дослідження наноматеріалів забезпечили одержання великої кількості експериментальних та теоретичних даних, які демонструють, що атомну структуру та будову наноматеріалів можна змінювати контрольованим способом. Хоча хімічний підхід забезпечує безліч синтетичних модифікацій поверхні наноматеріалів, доступні на даний час інструменти для регулювання внутрішньої атомної структури наночастинок та частинок загалом після їх одержання засновані здебільшого на застосуванні іонізуючого випромінювання.
Серед іонізуючих частинок для матеріалознавства є перспективними високоенергетичні іони, оскільки вони є дуже ефективними у спричинені контрольованих структурних дефектів у твердих матеріалах. Таким чином, модифікація за допомогою високоенергетичних іонів є ключовим підходом до створення різноманітних функціональних наноструктурованих матеріалів, що забезпечило досягнення успіхів у багатьох галузях досліджень. В оптиці цей підхід застосовується для створення точкових дефектів решіток, у тому числі вакансій, центрів забарвлення та однофотонних випромінювачів. У нанонауці дослідники використовували модифікацію за допомогою високоенергетичних іонів для виготовлення та регулювання нових типів матеріалів, у тому числі магнітних, напівпровідникових та вуглецевих наноматеріалів.
Опромінення високоенергетичними іонами також забезпечує засоби для включення радіоактивної мітки у наночастинки для біологічного відстеження.
Більшість (нано)частинок можна сконструювати із застосуванням так званих легких іонів
НУ, 2НУ, ЗНе»х, "Не", а-частинок ("Не2) ї Ліч. Порівняно з важчими іонами діапазон їхньої кількості у матеріалах значно вищий, та вони зумовлюють менше пошкоджень. Наприклад, опромінення за допомогою а-частинок або іонів Не- можна застосовувати для регулювання оптичних, електричних та магнітних властивостей різноманітних наноматеріалів на основі вуглецю, нанотрубок нітриду бору, напівпровідників, магнітних наночастинок, діоксиду кремнію, металевих кластерів і полімерів.
Хоча існує широкий спектр запропонованих варіантів застосування для опромінених іонами
Зо (нано)частинок, залишається велика складність у добре контрольованому масовому одержанні цих частинок. Для забезпечення рівномірного опромінення достатньої кількості матеріалу в джерелах прискорювачів пучок іонів розфокусовується і колімується безпосередньо перед подачею на мішень. Однак щільність іонів може коливатися до 20 95 через розподіл щільності іонів у перерізі пучка. Внаслідок енергетичної неоднорідності діапазони кількості іонів у мішені також можуть суттєво відрізнятися. Для високоенергетичних іонів глибина проникнення зазвичай становить від міліметрів до сантиметрів у випадку р", але для важчих іонів - лише від мікрометрів до сотень мікрометрів залежно від енергії іонів та щільності мішені.
Високоенергетичні іони втрачають енергію на своєму шляху і закінчують свій шлях з піком
Брегга, після якого вплив на речовину є незначним. Більш того, порошки наночастинок демонструють погану теплопровідність і можуть перегріватися під час опромінення, що вимагає застосування тонких шарів наночастинок у мішені для запобігання термічно індукованим змінам наночастинок. Ці причини роблять масштабування виробництва надзвичайно складним, оскільки лише дуже тонкі шари наночастинок можуть бути ефективно та рівномірно опромінені.
Важливим представником частинок, які потребують іонного опромінення під час їх одержання, є флуоресцентний наноалмаз (ЕМО), що містить центри азот-вакансія (ММ). Центри
ММ в ЕМО можуть застосовуватися для забезпечення ультрачутливого виявлення за допомогою сенсорів магнітного та електричного поля, гіперполяризації спіну ядер "С в алмазі та конструювання хімічних зондів. Вони також можуть використовуватися як одиничні фотонні випромінювачі та кубіти. Флуоресценція центрів ММ залежить від спіну, що дозволяє здійснювати когерентні маніпуляції з одиничними ММ та вимірювати оптично виявлений магнітний резонанс одиночних спінів в умовах навколишнього середовища. ЕМО демонструють низьку токсичність, і нещодавно було продемонстровано їх використання як яскравих флуоресцентних зондів з випромінюванням у ближній інфрачервоній області для одержання біомедичних зображень високої роздільної здатності та наномедицині. Незважаючи на останні досягнення в процедурах одержання, більш широке використання ЕМО залишається обмеженим потребою у тривалому та дорогому опроміненні високоенергетичними іонами або електронами, що дозволяє одержувати лише невелику кількість матеріалу (до сотень міліграмів) за раз. Сучасні підходи щодо опромінення узагальнені в (Маді, А., Нетвеїіааг, 5. В. 8 зЗепітаасді, В. Ітргоміпуд зипПасе апа аегїесі сепієї спетівігу ої Пиогезсепі паподіатопа ог ітадіпа 60 ригрозез-а гемієм. Апаї. ВіоапаІ. Спет. 407, 7521-7536 (2015); та Нвіао, МУ. М/.-МУ., Ниї, М. М.,
Тваї, Р.-С. 5 Спапо, Н.-С. Ріпогезсепі Маподіатопа: А Мегзайе Тоої! ог Гопда-Тепт Сеї! Тгаскіпо, зЗирег-Везоїшіоп Ітадіпу, апа Мапозсаіє Тетрегаїште бепвзіпа. Асс. Спет. Нез. 49, 400-407 (2016).
Утворення центрів ММ у наноалмазах технічно є двостадійним процесом і зазвичай передбачає ії) створення вакансій у решітці алмазу із застосуванням опромінення високоенергетичними частинками з наступною ії) рекомбінацією вакансій з атомарними домішками азоту за високотемпературного відпалювання.
Іншим важливим наноматеріалом, що потребує іонного опромінення під час його одержання, є наночастинки карбіду кремнію (51іС), одного з ключових матеріалів, що використовується для розробки фотонних та електронних приладів наступного покоління. ЗіС утворює різноманітні політипи, що мають ряд різних дефектів решітки, які можуть бути утворені під час опромінення високоенергетичними частинками. Деякі з них демонструють однофотонну емісію і їх можна використовувати як твердотільні кубіти за кімнатної температури. Наприклад, кубічний політип 30-5іС забезпечує створення однофотонного випромінювача - пари антиструктурний дефект вуглецю-вакансія. Утворення цієї пари вимагає двостадійного процесу і зазвичай передбачає створення вакансій у решітці 5іС із застосуванням опромінення високоенергетичними частинками із наступним утворенням пар за високотемпературного відпалювання. Крім того, наночастинки 3С-51іС є біосумісними і можуть бути використані як фотостабільні флуоресцентні мітки у візуалізації клітин. Як і у випадку з ЕМО, більш широке застосування фотолюмінесцентного 5іС обмежене, оскільки сучасні підходи до опромінення дозволяють одержувати лише невелику кількість матеріалу.
Хоча потенційне застосування опромінених іонами матеріалів на основі (нано)частинок охоплює вражаючий діапазон від електроніки до біомедицини, їх масове одержання залишається великою складністю, значною мірою через фізичні та технічні обмеження методик опромінення.
Короткий опис винаходу
Відповідно до першого аспекту даний винахід передбачає спосіб опромінення іонами основи у вигляді частинок, що містить наночастинки алмазу або карбіду кремнію, при чому вказаний спосіб включає стадії
Зо а. включення основи у вигляді частинок у тверду матрицю, що містить атоми "В; р. піддавання твердої матриці, одержаної на стадії а), опроміненню потоком нейтронів; з одержанням твердої матриці, що включає опромінену основу у вигляді частинок.
Відповідно до другого аспекту даний винахід передбачає опромінену основу у вигляді частинок, одержувану відповідно до способу за даним винаходом.
Відповідно до третього аспекту даний винахід стосується способу створення центрів азот- вакансія в частинках алмазу із застосуванням способу опромінення іонами основи у вигляді частинок, що містить наночастинки алмазу, що включає стадії а. включення наночастинок алмазу у тверду матрицю, що містить атоми "В; р. піддавання твердої матриці, одержаної на стадії а), опроміненню потоком нейтронів; с. розчинення твердої матриці з одержанням опроміненої основи у вигляді частинок, що містить наночастинки алмазу; і й. відпалювання опроміненої основи у вигляді частинок, що містить наночастинки алмазу, у атмосфері аргону, у вакуумі або у присутності азоту за температури вище 600 "С.
Відповідно до четвертого аспекту даний винахід стосується способу створення пар антиструктурний дефект вуглецю-вакансія в частинках карбіду кремнію із застосуванням способу опромінення іонами основи у вигляді частинок, що містить наночастинки карбіду кремнію, що включає стадії а. включення наночастинок карбіду кремнію у тверду матрицю, що містить атоми "ОВ; р. піддавання твердої матриці, одержаної на стадії а), опроміненню потоком нейтронів; с. розчинення твердої матриці з одержанням опроміненої основи у вигляді частинок, що містить наночастинки карбіду кремнію; і а. термічна обробка опроміненої основи у вигляді частинок, що містить наночастинки карбіду кремнію, на повітрі за температури вище 500 "С.
Короткий опис графічних матеріалів
На Фіг. 1 представлена гістограма, що демонструє розподіл за розмірами на основі аналізу приблизно 1000 частинок, одержаних з мікрофотографій ТЕМ.
На Фіг. 2 представлений графік, що демонструє розподіл за розміром, одержаний за допомогою динамічного світлорозсіювання (015), ЕМО розміром 35 нм та 150 нм у водному розчині. Концентрація колоїдів становила 0,5 мг/мл.
На Фіг. З представлений спектр фотолюмінесценції МО розміром 35 нм, опромінених тільки нейтронами (контрольний зразок без присутності 98203) та нейтронами в розплаві "9В2Оз відповідно до способу за даним винаходом.
На Фіг. 4 продемонстровано порівняння спектрів фотолюмінесценції зразків МО розміром 35 нм, опромінених в ядерному реакторі (п-4) відповідно до способу за даним винаходом, із спектрами зразків, опромінених у циклотроні протонами (р) або а-частинками.
На Фіг. 5 продемонстровано порівняння спектрів фотолюмінесценції зразків МО розміром 150 нм, опромінених в ядерному реакторі (п-а) відповідно до способу за даним винаходом, із спектрами зразків, опромінених у циклотроні протонами (р).
На Фіг. 6 продемонстровані спектри фотолюмінесценції МО розміром 35 нм, опромінених в ядерному реакторі в невеликому та великому масштабі, відповідно до способу за даним винаходом. Спектри нормалізовані до їхніх максимумів.
На Фіг. 7 продемонстрований спектр фотолюмінесценції наночастинок 5іС, опромінених відповідно до способу за даним винаходом ("без окиснення"), та наночастинок 5іС, опромінених відповідно до способу за даним винаходом, окиснених та відпалених ("з окисненням"). Частинки зіС осаджували на покривне скельце.
Детальний опис винаходу
Даний винахід стосується придатного до масштабування нового способу швидкого ізотропного опромінення матеріалів (основ у вигляді частинок) легкими іонами, що утворюються рівномірно іп 5йи за допомогою ядерної реакції. Нейтрони, захоплені "В, утворюють ізотропний потік високоенергетичних а-частинок і 7 і", який рівномірно опромінює навколишні частинки. Ці легкі високоенергетичні іони утворюються із "В, що міститься в твердій матриці, під час опромінення матриці нейтронами, за допомогою двох каналів ядерної реакції, які описані рівняннями 0) та 42) та відбуваються з різними ймовірностями (Р): о5 5В-ндп-о Не-нзі і--у(048 МеВ) --231 Мев Р - 9455 (7), 19 В-дп-аНе--4 г і--2,79 МеВ Р - 695 (2) із загальним перерізом поглинання приблизно 3800 барн для теплових нейтронів. Ці ядерні реакції застосовуються в способах, описаних у даному документі, для ізотропного опромінення об'ємного зразка, що містить рівномірно розподілені наночастинки, замість відомих з рівня техніки методик піддавання опроміненню тонкого шару наночастинок високоенергетичним іонним пучком, діапазон якого низький і приводить до характерного неоднорідного розподілу дефектів у матеріалі (пік Брегга). Високоенергетичні іони генеруються рівномірно у всьому об'ємі зразка за допомогою реакції В з тепловими нейтронами й утворюють необхідні структурні дефекти в частинках, такі як вакансії у решітках. Вакансії необов'язково можуть бути додатково перетворені в інші дефекти під час термічного відпалювання опроміненого матеріалу у вигляді частинок.
У способі за даним винаходом утворений ізотропний потік високоенергетичних а-частинок і 7», таким чином, рівномірно опромінює навколишні наночастинки. Основу у вигляді частинок піддають дії високоенергетичних іонів, що утворюються в твердій матриці, яка оточує основу у вигляді частинок з усіх сторін, таким чином, при цьому високоенергетичні іони надходять з усіх напрямків.
Даний винахід передбачає спосіб опромінення (високоенергетичними легкими) іонами основи у вигляді частинок, що включає стадії а. включення основи у вигляді частинок у тверду матрицю, що містить атоми "В; р. піддавання матриці, одержаної на стадії а), опроміненню потоком нейтронів; з одержанням опроміненої основи у вигляді частинок.
Тверда матриця містить атоми "В. Вона може бути одержана з будь-якого придатного матеріалу, що містить "ОВ, в тому числі елементарного бору, оксидів бору, боронових кислот, боратів, боридів, естерів борної кислоти, боросилікатів та їх сумішей. Переважно матеріал, що містить "ОВ, вибраний з боратів та оксидів бору. Найбільш переважно матеріал, що містить "ОВ, являє собою оксид бору, більш конкретно ""В2Оз (дибор-10-триоксид).
Тверда матриця може також називатися матрицею, що містить бор.
У деяких переважних варіантах здійснення матеріал, що містить "В, являє собою оксид бору (ВгОз), який містить атоми "В у природному співвідношенні або збагачений атомами "ЗВ.
В інших варіантах здійснення матеріал, що містить "В у вихідній твердій матриці, являє собою боронову кислоту (НзВОз), яка містить атоми "В у природному співвідношенні або збагачена атомами "В. Боронову кислоту можна піддавати дегідратації після стадії включення основи у вигляді частинок у тверду матрицю з одержанням оксиду бору. Боронова кислота в таких варіантах здійснення може розглядатися як попередник оксиду бору, який потім присутній у матриці після дегідратації.
У деяких варіантах здійснення матриця передбачає матеріал, який містить бор, що передбачає суміш ізотопів бору. Тверда матриця зазвичай містить як атоми "ОВ, так і атоми "В.
У деяких варіантах здійснення тверда матриця містить атоми "В та "В у природному (що зустрічається в природі) ізотопному співвідношенні. В інших варіантах здійснення тверда матриця містить бор, який збагачений "В порівняно з природним співвідношенням ізотопів "В і "В, тобто матеріал, що містить бор, містить бор, який збагачений "В.
У переважному варіанті здійснення матеріал, який містить бор, містить бор, що характеризується природним співвідношенням ізотопів бору у суміші. Застосування В2гОз, що характеризується природним співвідношенням ізотопів бору у суміші, є переважним для деяких варіантів здійснення. В альтернативних варіантах здійснення матеріал, який містить бор, передбачає бор, збагачений "98.
Тверда матриця необов'язково може містити додаткові компоненти додатково до матеріалу, який містить бор. Ці додаткові компоненти можуть включати речовини, які впливають на фізичні властивості матриці або поліпшують їх, такі як інертні наповнювачі, речовини для змащування, розпушувачі тощо. У деяких варіантах здійснення матриця складається переважно (наприклад, на більше ніж 50 95, більше ніж 75 95 або більше ніж 90 95 за масою) або по суті повністю з матеріалу, який містить бор, зокрема матеріалу, що містить "В.
Застосовуваний у даному документі термін "основа у вигляді частинок" або "основа" стосується матеріалу, що містить наночастинки алмазу або карбіду кремнію, який обробляють у способі за даним винаходом, тобто вихідного матеріалу. Основу розглядають як основу "у вигляді частинок", оскільки вона зазвичай знаходиться у формі частинок.
Основи у вигляді частинок переважно є такими, що входять до категорії наночастинок.
Термін "наночастинка", застосовуваний у даному документі, стосується частинок, що характеризуються діаметром від 0,5 нм до 10 мкм, переважно від 1 нм до 5 мкм, більш переважно від 1 нм до 2 мкм. Подібним чином під терміном "наночастинки" мається на увазі сукупність частинок, які характеризуються середнім діаметром від 0,5 нм до 10 мкм. Фахівцю у даній галузі техніки буде зрозуміло, що "діаметр" у даному контексті стосується діаметра
Зо сферичної частинки або еквівалентного сферичного діаметра (Е5О) об'єкта неправильної форми, що є діаметром сфери еквівалентного об'єму. Розміри частинок зазвичай вимірюються за допомогою аналізу зображень на мікрофотографіях ТЕМ (спосіб, описаний у Кейог 4. Сідіег,
Ріатопа 8. Неїаїєйд Маїегіа!5 2014, 46, 21-24).
Для популяцій наночастинок переважно, щоб щонайменше 50 95 або щонайменше 70 95 частинок потрапляли у визначений діапазон розмірів (96 відповідає середньочисловому розподілу). Переважно щонайменше 50 95 (050, середньочисловий розподіл) або щонайменше 70 95 (070, середньочисловий розподіл) частинок характеризуються діаметром (як визначено у даному документі вище) від ї нм до 2 мкм. Більш переважно щонайменше 80 95 частинок характеризуються діаметром (як визначено у даному документі вище) від 1 нм до 2 мкм. Ще більш переважно щонайменше 90 95 частинок характеризуються діаметром (як визначено у даному документі вище) від 1 нм до 2 мкм.
У деяких варіантах здійснення основа у вигляді частинок являє собою наноалмази або містить їх. Під "містить наноалмази" мається на увазі, що щонайменше 30 мас. 95, або щонайменше 50 мас. 96, або щонайменше 70 мас. 95, або щонайменше 90 мас. 95 основи у вигляді частинок утворено наноалмазами.
У деяких варіантах здійснення основа у вигляді частинок являє собою карбід кремнію або містить його. Під "містить карбід кремнію" мається на увазі, що щонайменше 30 мас. 95, або щонайменше 50 мас. 96, або щонайменше 70 мас. 95, або щонайменше 90 мас. 95 основи у вигляді частинок утворено карбідом кремнію.
Матриця, одержана на першій стадії та опромінена на другій стадії способу за даним винаходом, являє собою фізичну суміш основи у вигляді частинок з твердою матрицею.
Можна використовувати будь-які співвідношення основи у вигляді частинок і матеріалу твердої матриці, але переважно, щоб основа у вигляді частинок становила від 1 до 50 95 за масою від загальної маси матриці та основи у вигляді частинок. Більш переважно основа у вигляді частинок становить від 20 до 40 95 за масою від загальної маси матриці та основи у вигляді частинок. Найбільш переважно основа у вигляді частинок становить приблизно 35 95 за масою від загальної маси матриці та основи у вигляді частинок.
Включення основи у вигляді частинок у матеріал матриці можна здійснювати за допомогою багатьох способів. Можна розплавляти матеріал матриці, додавати основу у вигляді частинок та 60 забезпечувати тверднення матеріалу матриці таким чином, щоб утворювалась дисперсія основи в матриці. Може бути утворена однорідна суміш порошкоподібного матеріалу матриці та основи у вигляді частинок, і суміш можна плавити або спікати з утворенням однорідної дисперсії. У деяких варіантах здійснення основа у вигляді частинок суспендована у склоподібному розплаві матриці.
У варіантах здійснення, де матеріал твердої матриці містить або являє собою ВгОз (в тому числі "9В203), основу переважно змішують з порошкоподібним В2Оз й одержане нагрівають у придатній посудині за температури вище точки плавлення ВгОз (тобто 450 С), такій як вище 500 "С, переважно вище 600 "С, переважно вище 700 "С, такій як приблизно 750 "С.
Як альтернатива у деяких варіантах здійснення основу у вигляді частинок змішують з попередником матеріалу матриці. В одному варіанті здійснення основу змішують з бороновою кислотою (НзВоОз) і суміш нагрівають так, щоб здійснити дегідратацію боронової кислоти. Така дегідратація може бути здійснена шляхом нагрівання суміші, наприклад, вище 500 "с, переважно вище 600"С, переважно вище 700"С. У деяких варіантах здійснення використовується Нз'сВО».
Для досягнення найвищої ефективності процедури опромінення переважно тримати наночастинки в тісному контакті з багатим на "В середовищем. Переважно, щоб ця умова виконувалась шляхом створення дисперсії наночастинок у розплавленому оксиді бору (в тому числі 798203), який може бути утворений шляхом термічної дегідратації борної кислоти (в тому числі Нз""ВОз). Як первинне джерело "В можна використовувати ізотопно збагачену борну кислоту (99,5 мол. 95 198), оскільки борна кислота з природним вмістом ізотопів містить лише 20 мол. 5 198 та 80 мол. 95 інертного нукліду "В. Примітно, що Нз'єВОз є загальнодоступною і недорогою, оскільки велика її кількість виробляється для ядерної промисловості.
Під час включення основи у вигляді частинок у тверду матрицю матеріал матриці переважно може розмелюватися у порошок. Цього можна досягти за допомогою будь-якої придатної методики, наприклад, за допомогою ступки та товкачика або електричного млина.
Матриця із включеною основою у вигляді частинок піддають дії потоку нейтронів. Може використовуватися будь-яке придатне джерело нейтронів, в тому числі ядерний реактор, джерело випромінювання нейтронів внаслідок розщеплення або радіоіїзотопне джерело.
Ядерний реактор є переважним.
Зо Можуть застосовуватися нейтрони з енергією (температурою) у будь-якому діапазоні.
Переважно можуть застосовуватися нейтрони, які характеризуються енергією приблизно 0,0- 0,025 еВ (холодні нейтрони), приблизно 0,025 еВ (теплові нейтрони), 0,025-0,4 еВ (надтеплові нейтрони), 0,4-0,6 еВ (кадмієві нейтрони), 0,6-1 еВ (закадмієві нейтрони), 1-10 еВ (повільні нейтрони), 10-300 еВ (резонансні нейтрони), 300 еВ-1 МеВ (проміжні нейтрони), 1-20 МеВ (швидкі нейтрони) та » 20 МеВ (надшвидкі нейтрони). Переважно застосовують нейтрони, які характеризуються енергією 0,01-0,4 еВ, більш переважно 0,02-0,03 еВ.
Як альтернатива в одному варіанті здійснення нейтрони без спектральної (тобто енергетичної) фільтрації використовуються для опромінення матриці, що містить основу у вигляді твердих частинок. У даному варіанті здійснення матрицю, що містить основу у вигляді частинок, переважно опромінюють безпосередньо у ядерному реакторі. Це забезпечує простоту в експлуатації порівняно з використанням нейтронів із заданою енергією.
Потік нейтронів переважно становить від 1х10'92 см? с! до 1х10!5 см? с", більш переважно від 1х1012 см с до 1х1017 см с". Для теплових та надтеплових нейтронів є переважним потік від 1х1012 см? с" до 1х1017 см с,
Після опромінення матрицю, що містить тверду основу, можна залишити відстоюватись. Це забезпечує розпад будь-яких радіосізотопів, утворених під час опромінення.
В одному переважному варіанті здійснення матрицю видаляють із забезпеченням вилучення опроміненої основи у вигляді частинок. Це може бути здійснено фізичними або хімічними засобами. Можна повторно розплавити матеріал матриці та вилучити опромінену основу у вигляді частинок, наприклад, шляхом фільтрації.
Проте, є переважним, щоб матеріал матриці був видалений хімічними способами.
Відповідно, це включає обробку розчинником або реагентом(реагентами), що розчиняє(розчиняють) матрицю, а не опромінену основу у вигляді частинок. Переважно матеріал матриці видаляють шляхом обробки за допомогою водного розчину кислоти або основи. У випадку, якщо матеріал матриці містить ВгОз (в тому числі "9В2Оз) або складається з нього, переважно розчиняють у водному розчині лугу, переважно у водному розчині гідроксиду натрію.
Після звільнення від матриці вилучену опромінену основу у вигляді частинок можна піддавати одній або більше додатковим стадіям промивання з видаленням забруднювачів
(таких як радіонукліди). Було виявлено, що у даному контексті є застосовним промивання царською водою.
Вилучену опромінену основу у вигляді частинок можна піддавати одній або більше додатковим стадіям обробки залежно від природи основи та ймовірного застосування.
Переважно (наприклад, у випадку з наночастинками алмазів, МО) вилучену опромінену основу у вигляді частинок піддають стадії відпалювання в інертній атмосфері (переважно аргону або азоту) або у вакуумі за температури вище 600 "С, переважно вище 750 "С, більш переважно вище 850 "С, такій як приблизно 900 "С. Цей процес полегшує рекомбінацію вакансій в решітці, створених під час опромінення, з домішками решітки, такими як заміщуючі атоми азоту, з утворенням пар домішка-вакансія. Наприклад, атоми азоту під час відпалювання з вакансіями утворюють центри азот-вакансія.
Після вищевказаної стадії відпалювання відпалену основу у вигляді частинок переважно піддають додатковій стадії термічної обробки на повітрі. Це переважно проводять за температури вище 400 "С, переважно вище 450 "С, більш переважно від 500 "С до 550 "С, такій як приблизно 510 "С. Ця стадія викликає окиснення алмазу та видалення 5рг-структур вуглецю, які можуть бути присутні на поверхні.
В конкретних аспектах даного винаходу спосіб за даним винаходом може бути застосований для одержання двох флуоресцентних наноматеріалів, які мають науковий інтерес: наноалмази з центрами азот-вакансія та наночастинки карбіду кремнію (5іС) з парами антиструктурний дефект вуглецю-вакансія. Флуоресцентні наночастинки високої якості одержують із застосуванням такого короткого часу опромінення, як З хвилини для наноалмазів та 15 хвилин для 51іС.
У даному документі описаний підхід для масового виробництва опромінених іонами наночастинок із використанням легких іонів (переважно а-частинок й іонів 7 іх), які утворюються іп 5йи. Цільові наночастинки диспергують у твердій матриці, що містить "В (переважно ізотопно збагачений), і поміщають в ізотропний потік нейтронів, де на "В рівномірно відбувається нейтронно-індукована реакція. У цьому підході застосовують переваги нейтронів, в тому числі їхню велику глибину проникнення в мішень, визначену головним чином поперечними перерізами їх поглинання, відсутністю порогової енергії для ядерної реакції та можливістю
Зо масштабування опроміненого матеріалу до десятків грамів. Спрямований у всі напрямки локальний потік легких іонів, утворених іп 5йи з 79, рівномірно опромінює навколишні наночастинки. Більш того, із застосуванням високих значень густини потоку нейтронів (1012-1014 см2 с7), які зазвичай передбачаються в експериментальних ядерних реакторах, також можна забезпечити надзвичайно великі потоки високоенергетичних іонів. Отже, способи за даним винаходом досягають ефектів, порівняних із ефектами, одержаними в результаті годинного опромінення в прискорювальних пристроях, за декілька хвилин і з набагато більшими об'ємами.
Способи за даним винаходом застосовуються для демонстрації переваг у виробництві двох флуоресцентних наноматеріалів: нанокристалів алмазу, що містять центри флуоресцентного забарвлення азот-вакансія (ММ) у кристалічних решітках (ЕМО), та кубічних наночастинок карбіду кремнію, що містять пари антиструктурний дефект вуглецю-вакансія. У даний час обидва наноматеріали становлять великий науковий інтерес, оскільки вони забезпечують безпрецедентні оптичні, електронні та магнітні властивості.
Крім того, способи за даним винаходом можуть забезпечити масштабування процедури опромінення. Наприклад, було одержано 70 г флуоресцентних наноалмазів за приблизно 30- хвилинний період опромінення. Таким чином, спосіб за даним винаходом збільшив поточні препаративні значення виходу в 102-103 разів із забезпеченням одержання сотень грамів наночастинок за один день.
Приклади здійснення винаходу
Експериментальні способи
Хімічні речовини
Гідроксид натрію, хлористоводнева кислота (3595), азотна кислота (6595) та сірчана кислота (96 95) були придбані у Репіа (Чеська Республіка). Нітрат калію та фтористоводнева кислота (40 95) були придбані у Зідта Аїагісп (Прага, Чеська Республіка). Всі хімічні речовини були якості "ч. д. а.» та застосовувались у стані поставки без додаткового очищення. Борна кислота, збагачена до 99,5 95 "В, постачалась компанією Каїспет Ца., Чеська Республіка.
Оксид бору) (99,9--95) був придбаний у бігет СПетісаіє, Іпс. Деіїонізовану воду, що застосовувалася для всіх стадій промивання та одержання розчинів, одержували за допомогою системи очищування води Міїїроге Зупегду М ОКгариге.
Попередня обробка МО та 5іС
МО постачалися компанією Місгодіатапі Зу/ілегапа (мем 0-0,05 та М5У 0-0,25, що містить приблизно 100-200 ррт природних домішок азоту). МО окиснювали за допомогою повітря у печі (трубчаста піч Тпегптоїупе 21100) за 510 С протягом 5 год. і потім обережно очищали з видаленням слідових кількостей елементів (наприклад, заліза), які можуть активуватися в потоці нейтронів, що призводить до небажаного радіоактивного забруднення продукту. Продукт мав незначну радіоактивність після здійснення наступного очищення. МО обробляли сумішшю
Нг5О» та НМО:з (9:1) за 90 "С протягом З днів і промивали за допомогою води, 1 М Масон та 1 М
НОСІ. Одержане промивали додаткові 5 разів водою та потім висушували сублімацією.
Очищений порошок МО (500 мг) змішували з 2,0 г На9ВОз, подрібненими у ступці, та переносили в тигель із синтетичного корунду. Суміш поміщали у вертикальну піч (трубчаста піч
Тпептоїупе 21100) та нагрівали до 600 "С протягом 5 хв. (до припинення утворення водяної пари). Потім температуру підвищували до 700"С і розплав гомогенізували шляхом перемішування та залишали охолоджуватися до к. т. Кінцевий склоподібний композит спочатку подрібнювали у ступці, а потім розмелювали у порошок в невеликих кульових млинах. Типова втрата маси під час такого плавлення становила 39 95 через дегідратацію борної кислоти до оксиду бору (ІІІ). Кінцевий розплав, що використовувався для опромінення, містив 33 мас. 95 МО та 22 мас. 96 798.
Кубічні наночастинки 5іС (РіазтаСпет СтрбнН, РІ-СТ-51ІС, 150-200 нм; 1,00 г) змішували з оксидом бору (2,25 г) та подрібнювали в агатовій ступці. Суміш переносили у порцеляновий тигель та нагрівали у вертикальній печі (Марегпйпегт КТ 50-250/13) за 720 "С протягом 10 хв.
В'язкий розплав гомогенізували шляхом перемішування, вишкрібали шпателем та залишали охолоджуватися до к. т. Кінцевий світло-сірий склоподібний композит подрібнювали в кульовому млині та розтирали у дрібний порошок у ступці.
Опромінення та обробка МО і 5іС
Порошкоподібні розплави МО і "98В2Оз герметизували у капілярах із кварцового скла, що не містять натрію (внутрішній діаметр 1,5 мм; висота розплаву 11 мм), вставляли в алюмінієвий контейнер та опромінювали у вертикальному каналі НВ з водяним охолодженням (-45 С), розміщеному у берилієвому відбивачі ядерного реактору ЇМК-15 Кезеагсп Сепіге Ке7, ЦП. за густини потоку нейтронів 2х103 см? с, 1х1013 см? с! та 7х1012 см? с! для теплових,
Зо надтеплових та швидких нейтронів відповідно протягом різних періодів часу (3-100 хв.). Ні МО, ні кварцове скло не повинні містити слідів натрію, оскільки природний моноіїзотоп Ма легко активується нейтронами до "Ма, який є джерелом випромінювання бета- та гамма-частинок з періодом напіврозпаду 14,997 год. Якщо вихідні речовини містять слідові кількості натрію, то найпростішим варіантом є забезпечення розпаду 2"Ма протягом 10 періодів напіврозпаду (одного тижня або коротшого часу у випадку меншого забруднення) після опромінення. Потім зразок можна обробляти як нерадіоактивний. Після опромінення капіляри розкривали і залишали на ніч у флаконі з 6 М Маон за 60 "С для розчинення оксиду бору(ІІ). Залишок, який прилипав до кварцового скла, видаляли в ультразвуковій ванні. Надосадову рідину промивали поступово за допомогою 6 М Маон, Нео, 1 М НСЇІ та 5 разів за допомогою НгО. Можливі осколки кварцового скла відокремлювали седиментацією. Надосадову рідину обробляли за допомогою концентрованої НЕ протягом 12 год.; промивали за допомогою НгО, 1 М НСеСЇ та 5 разів за допомогою НО і ліофілізували.
Шість капілярів із кварцового скла, кожен із яких заповнений 55 мг композиту 5іС-В2гОз, герметизували в алюмінієвих контейнерах. Капіляри опромінювали протягом різних періодів часу (3-15 хв.) у вертикальному каналі НВ з водяним охолодженням (-45"С) у ядерному реакторі ЇМА-15 за густини потоку нейтронів 3,6 х 10713, 8,4 х 1012 та 5,6 х 1012 сме с" для теплових, надтеплових та швидких нейтронів відповідно. Після опромінення капіляри відкривали і їх вміст двічі промивали за допомогою 2 М Маон за 95 С для розчинення оксиду бору. Надосадову рідину поступово промивали за допомогою Нео (двічі), 1 М НСІ та НО (п'ять разів) та ліофілізували. Одержаний порошок 5іС окиснювали повітрям у печі (Марегійегт КТ 50- 250/13) протягом З год. за 550 70.
Опромінення МО у великому масштабі
Для одержання у великих масштабах МО постачались від Непап Ниїїепд Оіатопа Со., Ча.,
Китай (НЕО-РЕ, 35 нм). Тонкий шар МО (166,8 г) у керамічній посудині окиснювали повітрям у печі (Сіазіс С7, 1013 5) за 510 "С протягом З год. з одержанням 119,8 г окиснених МО (вихід 72 9).
Окиснені МО (105,0 г) змішували з оксидом бору (236,3 г), подрібненим у ступці, та нагрівали партіями по 20 г у вертикальній печі (Марегпйпегт КТ 50-250/13) за 700 "С, 10 хв. на партію.
В'язкий розплав гомогенізували шляхом змішування, вишкрібали шпателем та залишали охолоджуватися до к. т. з загальним виходом 94 95 (321,8 г). Кінцевий склоподібний композит бо подрібнювали в кульовому млині (Кеїзсп ММ 400) та розтирали у дрібний порошок у ступці.
10 спеціально виготовлених алюмінієвих контейнерів заповнювали порошком композиту (24 г на контейнер), герметично закривали та опромінювали протягом З хв. у вертикальному каналі
НЄ з водяним охолодженням (-45 "С) у ядерному реакторі І МК-15 за густини потоку нейтронів 5,4х1013, 7,7х1013 та 6,5х1012 см? с" для теплових, надтеплових та швидких нейтронів відповідно. Після опромінення контейнери залишали на 2 тижні в екранованій гарячій камері з забезпеченням розпаду залишків короткоживучих радіонуклідів, утворених активацією нейтронами. Контейнери відкривали й одержаний порошок змішували з 1000 мл 10 945 Ммаон, перемішували за 95 "С протягом 1 год. з розчиненням оксиду бору та можливих залишків алюмінію і залишали відстоюватися протягом ночі. Осад один раз промивали за допомогою
НО, відокремлювали центрифугуванням та обробляли за допомогою 800 мл киплячої царської води протягом 1 год. з розчиненням слідових кількостей можливих довгоживучих радіонуклідів.
Осад промивали чотири рази за допомогою НО та ліофілізували. Кінцевий вихід становив 70 г
МО у формі світло-сірого порошку (вихід 95 95 після обробки).
Відпалювання та окиснення
Усі зразки МО відпалювали за 900 "С протягом 1 год. В атмосфері аргону з наступним окисненням на повітрі за 510 С протягом 4 год. за нормального тиску в трубчастій печі
Тпептоїупе 21100, відкаліброваній за допомогою зовнішньої термопари (Теб5іо АС 1009). За даними аналізу зображення, одержаного за допомогою просвічувальної електронної мікроскопії (ТЕМ), одержані частинки характеризувались діаметром 35 нм.
Вимірювання за допомогою ТЕМ
Для оцінки розподілу за розмірами частинок ЕМО застосовували аналіз зображення мікрофотографій ТЕМ. Для кожного зразка аналізували приблизно 1000 частинок, одержували їхні еквівалентні діаметри кола та перераховували з одержанням гістограм зваженого за об'ємом розподілу (Фіг. 1). Мідні сітки з вуглецевим покриттям (Рузег) окиснювали в камері для
УФ-озонування (ШМ/О2опе Рго СіІвапег Ріи5, Віоїогсе Мапозсіепсе5) протягом 15 хв., потім інкубували в розчині полі(етиленімін) (МУУ-2,5 кДа, 0,1 мг/мл) протягом 10 хв., промивали за допомогою води й інкубували у водному розчині МО (0,1 мг/мл) протягом З хв. Мікрофотографії одержували за допомогою мікроскопа У"ЕОЇ ОЕМ 1011 за прискорювальної напруги 80 кВ.
Аналіз розподілу частинок за розмірами проводили за допомогою програмного
Зо забезпечення Ітадеу. Розмір частинок виражався як еквівалентний діаметр кола (декв.), визначений іаметр круглої частинки з тією ж площею, що і відповідна частинка (5). декв - 5/7
Еквівадендні іяЗметри застосовували для розрахунку об'єму частинки (РМ),
РМ --л --К8. 5. і згодом для створення гістограми зваженого за об'ємом розподілу.
Вимірювання флуоресценції
Зразки одержували методом краплинного поливу водної дисперсії МО на полірованій кремнієвій пластині. Спектри люмінесценції вимірювали за допомогою раманівського мікроскопа
Кепібпам/ ІпМіа; довжина хвилі збудження становила 514 нм за потужності лазера 15 мВт, об'єктив 20х. Час дії становив 6 секунд, збільшення у 10 разів; було проведено 20 вимірювань кожного зразка. Спектри люмінесценції були одержані за кімнатної температури та нормалізовані до рамановського піку для алмазу.
Вимірювання ЕГІМ/АЄМ МО
ЕМО осаджували на покривне скельце, очищеному кисневою плазмою, шляхом нанесення покриття методом занурення протягом 5 хв. і промивали з застосуванням ОІ-води (МІС).
Концентрація вихідного розчину наночастинок становила 0,001 мг/мл. У випадку ЕГІМ зображення флуоресценції були зроблені з використанням конфокального флуоресцентного мікроскопа з розділенням у часі (МісгоТіте200 - Рісобоцчапі) з довжиною хвилі збудження 532 нм, потужністю лазера 1,2 мВт, із застосуванням водоіїмерсійного об'єктива боОх (ОіІутриб) і фільтра для пропускання довгих хвиль 650 нм (Едтипа Оріїс5, 004). Дані обробляли за допомогою Майар (К2014р, Маїймжогк5). Відбір ЕМО проводили за допомогою розрахованого часу життя швидкої флуоресценції (Б ІМ) (26 нс) та параметрів кількість/пікселі (210 імп.). Для одержання нормалізованої інтенсивності Рі на частинку виміряні інтенсивності флуоресценції нормалізували до розрахованої середньої інтенсивності флуоресценції одиночного центру ММ (на основі кореляційних вимірювань). Отже, нормалізована інтенсивність представляє собою приблизну кількість центрів ММ у частинці. Зображення АЕМ були зроблені на УРК Мапомігагає
АЕМ разом з налаштуваннями ЕГІМ Місгоїйте. Сканування проводили за допомогою вимірювань в режимі АС із застосуванням кремнієвих зондів (АСТА, з алюмінієвим покриттям на відбивальній стороні, АСТАЗОО - ТІ).
Визначення спектральних характеристик 51іС
Як підкладки використовували круглі покривні скельця для мікроскопа діаметром 25 мм.
Покривні скельця занурювали на ніч у концентрований розчин КОН/метанол і потім ретельно промивали деіонізованою водою та висушували. Зразки одержували методом краплинного поливу 15 мкл 0,01 мг/мл водного розчину частинок 5іС. Щоб локалізувати частинки, для запису флуоресцентних зображень застосовували систему конфокального флуоресцентного мікроскопа з розділенням у часі |МісгоТіте 200 (Рісосбцчапі, стрнН) з бох, 1,2 М.А., оснащеного імпульсним діодним лазером з довжиною хвилі 531 нм та водоіїмерсійним об'єктивом). Спектри флуоресценції одиничних частинок записували в режимі вимірювання з фіксованою точкою із застосуванням спектрографа Зпатгоск ЗО3Зі з волоконно-оптичними засобами, із використанням камери їХоп Ойга ЕМССО (Апаог). Спектри записували за потужності збудження 30 мкВт і часу інтегрування 15 с. Кінцеві спектри одержували шляхом віднімання темного спектру, записаного з порожньої основи в тих самих умовах.
Приклад 1
Для досягнення найвищої ефективності процедури опромінення переважно тримати наночастинки в тісному контакті з багатим на "В середовищем. Переважно, щоб ця умова виконувалась шляхом створення дисперсії наночастинок у розплавленому оксиді бору (в тому числі 798203), який може бути утворений шляхом термічної дегідратації борної кислоти (в тому числі Нз'98О3). Як первинне джерело "В може застосовуватися ізотопно збагачена борна кислота (99,5 мол. 95 198). Проте може використовуватися борна кислота з природним вмістом ізотопів 20 мол.9З5 В та 80 мол. інертного нукліду "В. Примітно, що Нз'оВОз є загальнодоступною і недорогою, оскільки велика її кількість виробляється для ядерної промисловості.
Два склоподібні розплави, що містять 33 95 за масою дисперсії МО розміром 35 нм і 150 нм у 1982О3, одержували, як описано у експериментальних процедурах. Для генерування спрямованого у всі напрямки локального потоку а-частинок й іонів Лі", який створює вакансії в кристалах МО, обидва склоподібні розплави завантажували в кварцові трубки й опромінювали в
Зо ядерному реакторі протягом З хв. Після опромінення матрицю "9В2Оз розчиняли у розчині МАОН і МО додатково обробляли шляхом відпалювання з утворенням флуоресцентних центрів ММ і поверхневого окиснення повітрям із наступною обробкою за допомогою суміші мінеральних кислот.
Виділення з розплаву "9В2Оз було майже кількісним за виходом і забезпечувало МО з характеристичним розподілом за розмірами (Фіг. 1) та колоїдною стабільністю у водних розчинах (Фіг. 2). Дзета-потенціали становили -46,7 мВ для МО розміром 35 нм та -41,0 мВ для
МО розміром 150 нм, що свідчить про сильну кулонівську стабілізацію негативним зарядом депротонованих карбоксилатів, які утворюються в результаті окиснення на поверхні наночастинок.
На Фіг. З продемонстровано порівняння інтенсивності флуоресценції МО розміром 35 нм, опромінених тільки нейтронами (контрольний зразок без присутності "В2Оз) та нейтронами в розплаві "9В2Оз. Інтенсивність флуоресценції зразка, опроміненого з "9В2Оз, у 14х вище, ніж інтенсивність флуоресценції зразка, опроміненого без "98203.
На Фіг. 4 продемонстровано порівняння спектрів фотолюмінесценції зразків МО розміром 35 нм ї 150 нм, опромінених в ядерному реакторі (п-0), та зразків, опромінених в циклотроні протонами (р) або са-частинками. На Фіг. 5 продемонстровано порівняння спектрів фотолюмінесценції зразків МО розміром 150 нм, опромінених в ядерному реакторі (п-о0), та зразків, опромінених в циклотроні протонами (р). Спектри як на Фіг. 4, так і на Фіг. 5 нормалізовані за їхніми максимумами. Вертикальні штрихові лінії, позначені як 2РІ.,, означають безфононну лінію центрів забарвлення ММ- (довжина хвилі 637 нм) та ММУ (довжина хвилі 575 нм) з типовими структурами фононних бічних смуг.
Співвідношення інтенсивностей ММ-/ММ9 (2РІ) безфононної лінії та ширина реплік 2РІ і фононів були подібними для опромінених нейтронами МО у склі з "9В2Оз та для ЕМО, одержаних із застосуванням безпосереднього опромінення у циклотроні за допомогою або р", або а- частинок (фігури 4 та 5). Оскільки ці спектральні параметри пов'язані із властивостями кристалів (утворені порушення структури, інші дефектні центри) та властивостями поверхні, подібність спостережуваних спектрів свідчить про те, що зразки, одержані за допомогою різних типів опромінення, мають аналогічне пошкодження в кристалічній решітці.
Іншою важливою властивістю ЕМО є частка флуоресцентних частинок у матеріалі. Для бо розрізнення флуоресцентних та нефлуоресцентних МО, присутніх у великій сукупності на рівні окремих частинок, застосовували одночасно мікроскопію візуалізації життя флуоресценції (РОМ) та атомно-силової мікроскопії (АЕМ). Частка ЕМО у матеріалі, опроміненому в ядерному реакторі, збільшилась в 2,6 рази у порівнянні з оптимально (НаміїК, У. єї аї. Воовзіїпд паподіатопі Япогезсепсе: омжагаз демеюртепі ої Бргіднієї ргобре5. МапозсаІіє 5, 3208-3211 (2013)) опроміненою за допомогою р" мішенню-таблеткою з МО у прискорювачі (49 95 порівняно 3 1995). Таким чином, процедура за даним винаходом підвищує рівномірність опромінення.
Більш того, частинки, опромінені в ядерному реакторі, були в середньому яскравішими і містили значно більшу частку дуже яскравих частинок (інтенсивність флуоресценції відповідає приблизно 5 центрам ММ та більше). Крім того, опромінення за допомогою прискорювача, що порівнювали, зайняло 4,5 год. (на відміну від З хв. у реакторі).
Таблиця 1 швея | Ж Дні реакторі протонами реакторі (масштабне)
Середня інтенсивність флуоресценції на частинку 32 1,7 2,7 (нормалізована/ум. од.)
Медіанна інтенсивність флуоресценції на частинку 21 1,4 1,68 (нормалізована/ум. од.)
Таблиця 1. Ізотропне опромінення високоенергетичними легкими іонами приводить до більшої частки флуоресцентних частинок і до більших значень інтенсивності флуоресценції. У таблиці порівнюються флуоресцентні МО, одержані за допомогою нейтронного опромінення в реакторі (даний приклад 1), та опроміненням протонами в циклотроні з використанням оптимізованої таблетки-мішені з одержанням у великих масштабах МО в реакторі (опромінення 240 г композиту МО-В2Оз в прикладі 2). Інтенсивність флуоресценції нормалізували до середньої інтенсивності одного центру ММ в частинці МО. Параметри розраховували для більше ніж 400 частинок.
Приклад 2
Спосіб за даним винаходом застосовували для одержання великої кількості ЕМО. Спочатку процедури одержання, опромінення та обробки були адаптовані до умов одержання у великому масштабі У даному випадку застосовували В2Оз з природним вмістом ізотопів. Для опромінення були розроблені двостінні контейнери, які забезпечують достатнє відведення тепла до охолоджувального середовища в ядерному реакторі та ізотропне опромінення композиту нейтронами. Після опромінення 10 контейнерів, що містять загалом 240 г композиту
МО-В2Оз з вмістом 3395 маса/маса МО (кожний контейнер протягом 3 хв., загальний час опромінення 0,5 год.), і стандартної обробки одержували 70 г ЕМО (вихід 95 95 від вихідної
Зо кількості композиту). Ця кількість більш ніж на два порядки перевищує будь-яку підтверджену кількість одержання ЕМО.
На Фіг. 6 продемонстровані спектри фотолюмінесценції МО розміром 35 нм, опромінених в ядерному реакторі в невеликому та великому масштабі, нормалізовані до їхнього максимуму.
ЕМО продемонстрували однакові особливості спектра порівняно з початковими невеликими партіями, опроміненими в капілярах (Фіг. 4). Спектри фотолюмінесценції підтвердили наявність центрів ММ у ЕМО з співвідношеннями інтенсивностей ММ-/ММО 2РІ, ідентичних таким у відповідних невеликих партіях. Важливо, що процедура збільшення у масштабі лише незначним чином вплинула на однорідність опромінення та яскравість ЕМО (таблиця 1). Частка ЕМО в матеріалі була у 2,2 рази вищою, ніж у оптимально опроміненої за допомогою р" мішені- таблетки з МО у прискорювачі (41 95 порівняно з 19 95). Ці результати демонструють, що одержання у великих масштабах забезпечує ЕМО з якістю, порівнянною з одержанням у малих масштабах.
Загалом, експерименти у великих масштабах продемонстрували, що короткий час опромінення та місткість каналів опромінення у ядерному реакторі забезпечують можливість напівбезперервного виробництва сотень грамів ЕМО на день. Порівняно з опроміненням електронами або високоенергетичними іонами в прискорювачах, у випадку яких вихід зазвичай досягає сотень міліграмів на день, спосіб за даним винаходом збільшив вихід ЕМО приблизно в 102-103 разів. Це забезпечує безпрецедентно високі одержувані значення виходу та економічно доцільне одержання опромінених наночастинок (ціна за годину опромінення однакова для ядерних реакторів та прискорювачів).
Приклад З
Щоб продемонструвати здатність за допомогою способу за даним винаходом одержувати дефекти решітки в іншому матеріалі, також застосовували карбід кремнію (51С). Подібним чином, як для МО, одержували композит кубічних наночастинок 30-51 (30,7 У5 за масою в композиті) з В2Оз, опромінювали в ядерному реакторі та обробляли (див. експериментальні способи). Після опромінення протягом 15 хв. і наступного відпалювання та окиснення на повітрі були одержані високолюмінесцентні наночастинки з одним домінуючим піком за приблизно 670 нм у спектрі фотолюмінесценції (Фіг. 7). Ця смуга раніше спостерігалася в опромінених електронами та окиснених наночастинок 3С-51С та була віднесена до дефекту антиструктурний дефект вуглецю-вакансія.
На Фіг 7 продемонстрований спектр фотолюмінесценції лише опромінених ("без окиснення") та опромінених, окиснених і відпалених ("з окисненням") наночастинок 5іС. Смуга за приблизно 670 нм була віднесена до пари антиструктурний дефект вуглецю-вакансія.
Окиснення додатково покращило розчинність як опромінених, так і неопромінених зразків та приводило до стабілізації люмінесценції. Загалом, дані вказують на ефективне створення фотолюмінесцентних точкових дефектів в кубічних наночастинках 5іС та демонструють можливість опромінення за допомогою способу за даним винаходом наноматеріалів, відмінних від МО.
На закінчення, в даному документі описаний спосіб, який легко можна масштабувати для одержання наночастинок, опромінених легкими іонами, з використанням а-частинок й іонів 7 і», які генеруються іп 5йи. Цільові наночастинки, включені в збагачений ізотопами "В оксид бору, поміщають у потік нейтронів, де рівномірно відбувається нейтронно-індукована реакція на "В з одержанням ізотропного спрямованого в усі боки потоку легких іонів. Такі іони створюють структурні дефекти в наночастинках. Таким чином, спосіб за даним винаходом поєднує переваги підходів щодо опромінення нейтронами та іонами. Було продемонстровано його корисність для одержання ЕМО, що містять центри забарвлення азот-вакансія, та наночастинок 30-5іС з парами антиструктурний дефект вуглецю-вакансія. У контрольному експерименті у
Зо великому масштабі протягом півгодинного періоду опромінення одержували 70 г ЕМО із застосуванням оксиду бору з природним вмістом ізотопів "В. Опромінення було дуже рівномірним, з одержанням матеріалу з високою часткою яскравих флуоресцентних частинок.
Через переважний великий переріз "В для захоплення нейтронів спосіб за даним винаходом можна проводити з надзвичайно коротким часом опромінення, який становить всього декілька хвилин. Це забезпечує можливість одержання значень виходу, що становлять сотні грамів наночастинок на день, що прискорює поточні швидкості одержання в 102-103 разів.
Дана методика у поєднанні з загальною доступністю до ядерних реакторів (в даний час у всьому світі з відкритим доступом використовуються 59 дослідницьких ядерних реакторів, застосовних для даного типу опромінення) може полегшити одержання наночастинок з чітко визначеними властивостями, опромінених легкими іонами, що можуть широко використовуватися в різних варіантах застосування, таких як напівпровідникові, магнітні пристрої, квантові датчики, оптичні пристрої та пристрої для біовізуалізації.
Claims (18)
1. Спосіб опромінення іонами основи у вигляді частинок, що містить наночастинки алмазу або карбіду кремнію, причому вказаний спосіб включає стадії: а) включення основи у вигляді частинок, що містить наночастинки алмазу або карбіду кремнію, у тверду матрицю, що містить атоми "ОВ; і Б) піддавання твердої матриці, одержаної на стадії а), опроміненню потоком нейтронів з одержанням твердої матриці, що включає опромінену основу у вигляді частинок.
2. Спосіб за п. 1, де тверда матриця містить щонайменше одне з Нз'"ВОз і 798203.
З. Спосіб за будь-яким із попередніх пунктів, де тверда матриця містить бор, що характеризується природним ізотопним співвідношенням "В і "В.
4. Спосіб за будь-яким із пп. 1-2, де тверда матриця містить бор, який збагачений "В порівняно з природним співвідношенням ізотопів "Ві 78.
5. Спосіб за будь-яким із попередніх пунктів, де основа у вигляді частинок являє собою основу у вигляді наночастинок, яка характеризується діаметром частинок від 0,5 нм до 10 мкм.
б. Спосіб за п. 1 або п. 2, де основа у вигляді частинок містить наночастинки, які бо характеризуються медіанним (050) діаметром від 1 нм до 2 мкм.
7. Спосіб за будь-яким із попередніх пунктів, де кількість основи у вигляді частинок становить від 1 до 50 95 за масою від загальної маси твердої матриці й основи у вигляді частинок.
8. Спосіб за будь-яким із попередніх пунктів, де основу у вигляді частинок включають у тверду матрицю шляхом змішування основи у вигляді частинок з матеріалом твердої матриці, плавлення матеріалу твердої матриці та забезпечення тверднення матеріалу твердої матриці з утворенням твердої дисперсії.
9. Спосіб за будь-яким із попередніх пунктів, де потік нейтронів становить від 1-1079 до 1-1075 см-
2.7, більш переважно від 1-1072 до 1-1015 смс.
10. Спосіб за будь-яким із попередніх пунктів, що включає додаткову стадію розчинення твердої матриці з одержанням опроміненої основи у вигляді частинок.
11. Спосіб за будь-яким із попередніх пунктів, що включає додаткову стадію відпалювання опроміненої основи у вигляді частинок, переважно у атмосфері аргону, у вакуумі або у присутності азоту.
12. Спосіб за будь-яким із попередніх пунктів, де основа у вигляді частинок містить карбід кремнію кубічного політипу 3С-510.
13. Опромінена основа у вигляді частинок, одержувана відповідно до способу за будь-яким із пп. 1-12.
14. Спосіб створення центрів азот-вакансія в частинках алмазу із застосуванням способу опромінення іонами основи у вигляді частинок, що містить наночастинки алмазу, за п. 1, що включає стадії: а) включення наночастинок алмазу у тверду матрицю, що містить атоми "ов; р) піддавання твердої матриці, одержаної на стадії а), опроміненню потоком нейтронів; с) розчинення твердої матриці з одержанням опроміненої основи у вигляді частинок, що містить наночастинки алмазу; і 4) відпалювання опроміненої основи у вигляді частинок, що містить наночастинки алмазу, у атмосфері аргону, у вакуумі або у присутності азоту за температури вище 600 "С.
15. Наночастинки алмазу, що містять центри азот-вакансія, одержувані відповідно до способу за п. 14.
16. Спосіб створення пар антиструктурний дефект вуглецю-вакансія в частинках карбіду Зо кремнію із застосуванням способу опромінення іонами основи у вигляді частинок, що містить наночастинки карбіду кремнію, за п. 1, що включає стадії: а) включення наночастинок карбіду кремнію у тверду матрицю, що містить атоми "ОВ; р) піддавання твердої матриці, одержаної на стадії а), опроміненню потоком нейтронів; с) розчинення твердої матриці з одержанням опроміненої основи у вигляді частинок, що містить наночастинки карбіду кремнію; і а) термічна обробка опроміненої основи у вигляді частинок, що містить наночастинки карбіду кремнію, на повітрі за температури вище 500 "С.
17. Спосіб за п. 16, де спосіб додатково включає стадію відпалювання опроміненої основи у вигляді частинок, що містить наночастинки карбіду кремнію, у атмосфері аргону, у вакуумі або у присутності азоту за температури вище 600 "С, яку проводять після стадії с) та перед стадією
9).
18. Наночастинки карбіду кремнію, які містять пари антиструктурний дефект вуглецю-вакансія, одержувані відповідно до способу за п. 16 або 17.
а : зз нм МІ З В з КК ї ШИШКИ Ж й шт т Е Ж 55315 ниМО я-оов БЖ НВ За Б Ж-Ж шЕх З г Я Я КОЖ - З ка: 25 че ЩЕ п ке ї г т їй НЕБІ, а ! НЕ З НП - Н й : Я | вх . ЖЕ М с ; ЗЕ Б щ Х З В І Е ій ; хх Я дк -яК Шк Я її ме ЖЕ КЗ ї- С) ЯН КЕН ни КЕКВ КЗ с і НЕ». и а Б ЩІ Б / ТІ КЕН и КК -- ї ЕЕ МК НК кі ЕН Ки ПОКМ КЕ х і 4 ЕН І : ї Що МКК о КК ОКХ Я с ЕД НІ КЕКВ М ВЕ Ей ЕДЕНН ! ЕІ КВК КН КЕКВ - г ЯН ня | КО о. З . КН ГЕ. В ВМ КМ КВК Кк ж Є ЗИ. | ТЕЗ СКК В КЕНЕ КН кут З КЕНІЯ; се ооо Же 7 ЕЕ КЕН и А КЕ КК В Вт У МКК ВЕК ЖИ КЯМ ДУ МКК КН КК КН и МУ Я ЕВ ФОКС Б ПО Б ВИ й 2 З: Я В Ка З ДІВОНх КИ ЕК КОЖ КВ М Х . 4 «а пару, пек о 5 1О 150 «0 250 ТЕ ке я ЛДідметрінм) .
ї . х - ї
Фіг. 1 зж т
17.5. сенн-н- В НМ МО ска, 7 - - ї - т х я ян 1530 м КО піл Ж - 5» я зх ї Ко жк м х жк ш 12,5 г ще й х х -е й . я Фк ск х ж ; ї 2 я я г от, ; - ба і ч зай ім : х в 5 : ях з в ч - - ї х , х ке ; у х 7 з М - Як 7 т ок х - з ; , ї- ; ; » з, су ж г т з ях Розмір (нм
Фіг. 2
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
GB1811669.9A GB2584586B (en) | 2018-07-17 | 2018-07-17 | Method of production of particles |
PCT/CZ2019/050031 WO2020015769A1 (en) | 2018-07-17 | 2019-07-08 | Method of production of irradiated particles |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
UA127266C2 true UA127266C2 (uk) | 2023-06-28 |
Family
ID=63273431
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
UAA202100106A UA127266C2 (uk) | 2018-07-17 | 2019-07-08 | Спосіб одержання опромінених частинок |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US12005416B2 (uk) |
EP (1) | EP3823929A1 (uk) |
AU (1) | AU2019304398B2 (uk) |
GB (1) | GB2584586B (uk) |
UA (1) | UA127266C2 (uk) |
WO (1) | WO2020015769A1 (uk) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2020232140A1 (en) * | 2019-05-14 | 2020-11-19 | The Regents Of The University Of California | Wide band gap semiconductor optimization for hyperpolarization |
CN111441087B (zh) * | 2020-04-02 | 2021-05-25 | 吉林大学 | 一种6h-碳化硅二维单晶纳米片的制备方法 |
CN111424312B (zh) * | 2020-04-03 | 2021-08-03 | 吉林大学 | 一种3c-碳化硅二维单晶纳米片的制备方法 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20090302226A1 (en) * | 2005-02-08 | 2009-12-10 | Yissum Research Development Company Of The Hebrew University Of Jerusalem | Solid-state neutron and alpha particles detector and methods for manufacturing and use thereof |
RU2431003C1 (ru) * | 2010-05-14 | 2011-10-10 | Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" | Способ облучения минералов |
-
2018
- 2018-07-17 GB GB1811669.9A patent/GB2584586B/en active Active
-
2019
- 2019-07-08 EP EP19744610.7A patent/EP3823929A1/en active Pending
- 2019-07-08 UA UAA202100106A patent/UA127266C2/uk unknown
- 2019-07-08 US US17/260,132 patent/US12005416B2/en active Active
- 2019-07-08 AU AU2019304398A patent/AU2019304398B2/en active Active
- 2019-07-08 WO PCT/CZ2019/050031 patent/WO2020015769A1/en unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20210283568A1 (en) | 2021-09-16 |
WO2020015769A1 (en) | 2020-01-23 |
GB2584586A (en) | 2020-12-16 |
AU2019304398A1 (en) | 2021-01-14 |
US12005416B2 (en) | 2024-06-11 |
EP3823929A1 (en) | 2021-05-26 |
GB2584586B (en) | 2021-12-15 |
GB201811669D0 (en) | 2018-08-29 |
AU2019304398B2 (en) | 2021-12-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
UA127266C2 (uk) | Спосіб одержання опромінених частинок | |
RU2466088C2 (ru) | Способ получения светоизлучающих наночастиц алмаза | |
Haase et al. | Upconverting nanoparticles | |
Havlik et al. | Extremely rapid isotropic irradiation of nanoparticles with ions generated in situ by a nuclear reaction | |
Xu et al. | Perovskite nanocrystal doped all-inorganic glass for X-ray scintillators | |
Agarwal et al. | Facile synthesis of KCl: Sm 3+ nanophosphor as a new OSL dosimetric material achieved through charge transfer between the defect states | |
US10400343B2 (en) | Electrolytic tank and electrolytic method for high-efficiency dry reprocessing | |
Gavrin et al. | Reactor target from metal chromium for “pure” high-intensive artificial neutrino source | |
Kim et al. | Cerium-doped yttrium aluminum garnet hollow shell phosphors synthesized via the Kirkendall effect | |
Capia et al. | Enhanced thermoluminescence, radioluminescence, and optically stimulated luminescence from lithium fluoride and silver nanoparticles composites | |
Kuznetsov et al. | Single-phase nanopowders of Sr0. 85-xBaxEu0. 15F2. 15: Investigation of structure and X-ray luminescent properties | |
Abasi et al. | Thermoluminescence and photoluminescence properties of CeF3: Dy and CeF3: Ni nanoparticles | |
Yoshida | Mössbauer spectroscopic studies on atomic diffusion in materials | |
Didyk et al. | Changes observed in the elemental composition of palladium and rhenium specimens irradiated in dense deuterium by γ-quanta with boundary of energy 23 MeV | |
JP4630999B2 (ja) | α線測定用試料及びその作製方法 | |
JP7187750B2 (ja) | 放射性同位元素Mo-99の製造方法とターゲット材料 | |
Wang | Multi-photon processes in lanthanide-doped nanocrystals | |
JP2023154459A (ja) | モリブデン-99の製造用ターゲット材料及びその製造方法 | |
Bacquart et al. | A novel route to produce a homogeneous certified reference material for k0-neutron activation analysis: Application to the certification of gold mass fraction in an Al–0.1% Au alloy | |
Bell | Investigations of Hot-Pressed 6LiInSe2 as a Ceramic Scintillator | |
Zariņš | Formation, accumulation and annihilation of Radiation-induced defects and radiolysis products in advanced two-phase ceramic tritium breeder pebbles | |
Withers et al. | Lead-iodide-based nanoscintillators for detection of ionizing radiation | |
Amouroux et al. | Synthesis and emission dynamics of sub-3 nm upconversion nanoparticles | |
Mbule | Sol-gel synthesis of and luminescent properties of Pr³⁺ in different host matrices | |
Lewis et al. | Nanostructural aspects, free volume and phase constitution of rapidly solidified Nd–Fe–B |