Інститут Проблем Матеріалознавства Ім. І.М. Францевича Ан України
Институт проблем материаловедения им. И.М. Францевича АН Украины
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Інститут Проблем Матеріалознавства Ім. І.М. Францевича Ан України, Институт проблем материаловедения им. И.М. Францевича АН УкраиныfiledCriticalІнститут Проблем Матеріалознавства Ім. І.М. Францевича Ан України
Priority to UA3482336ApriorityCriticalpatent/UA11368A1/ru
Publication of UA11368A1publicationCriticalpatent/UA11368A1/ru
Фотошаблон содержит прозрачную подложку с расположенным на ее поверхности маскирующим слоем, в котором сформирован рисунок. С целью повышения качества фотошаблона за счет повышения разрешающей способности и улучшения спектральных характеристик маскирующий слой выполнен из высших окислов празеодима (Pr6O11) или тербия (Tb4O7).
Method for making an electrical contact to a silicon substrate through a relatively thin layer of silicon dioxide on the surface of the substrate and method for making a field effect transistor