UA112567U - METHOD OF GENERATION OF HIGH-REGULAR LASER PERIODIC STRUCTURES ON SURFACE OF SILICON ULTRA-SHORT LASER PULSES - Google Patents

METHOD OF GENERATION OF HIGH-REGULAR LASER PERIODIC STRUCTURES ON SURFACE OF SILICON ULTRA-SHORT LASER PULSES

Info

Publication number
UA112567U
UA112567U UAU201605631U UAU201605631U UA112567U UA 112567 U UA112567 U UA 112567U UA U201605631 U UAU201605631 U UA U201605631U UA U201605631 U UAU201605631 U UA U201605631U UA 112567 U UA112567 U UA 112567U
Authority
UA
Ukraine
Prior art keywords
specified
silicon
laser
laser beam
pulsed laser
Prior art date
Application number
UAU201605631U
Other languages
Ukrainian (uk)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to UAU201605631U priority Critical patent/UA112567U/en
Publication of UA112567U publication Critical patent/UA112567U/en

Links

Landscapes

  • Laser Beam Processing (AREA)

Abstract

Спосіб генерації високорегулярних лазерних періодичних структур на поверхні кремнію ультракороткими лазерними імпульсами з надшвидким перебігом лазерного сканування включає чотири етапи. Спочатку обробляють площу поверхні кремнію з використанням імпульсного лазерного променя, в якому довжина імпульсу випромінювання лазерного променя менше за час, необхідний для електронів в кремнії, щоб передати свою енергію атомній решітці, або за час відомий, як час електрон-фононної термалізації. Далі сканують згадану область на зазначеній поверхні кремнію з використанням зазначеного імпульсного лазерного променя, в якому лазерне випромінювання є лінійно поляризованим, що викликає поверхневі електромагнітні хвилі, що поширюються на зазначеній поверхні вздовж напрямку поляризації. На наступному етапі обробляють зазначену площу зазначеної поверхні кремнію з використанням зазначеного імпульсного лазерного променя, в якому зазначений діаметр пучка на зазначеній поверхні вибирається так, щоб бути меншим характерної довжини загасання зазначеної поверхні електромагнітної поверхневої хвилі, що забезпечує узгодженість зазначеної електромагнітної хвилі над всією освітленою областю, причому зазначена електромагнітна хвиля викликає дуже періодичне поглинання лазерної енергії в межах зазначеної освітленої плями з періодичністю уздовж зазначеної поляризації світла. Далі сканують зазначену площу зазначеної кремнієвої поверхні з використанням зазначеного імпульсного лазерного променя, в якому щільність енергії зазначеного імпульсного лазерного променя вибирається таким чином, що індукується потужна абляція зThe method of generating high-frequency laser periodic structures on the silicon surface by ultra-short laser pulses with ultra-fast laser scanning involves four steps. They first treat the surface area of the silicon using a pulsed laser beam, in which the laser pulse length is less than the time it takes for electrons in silicon to transfer their energy to the atomic lattice, or during a time known as electron-phonon thermalization time. The scan area is then scanned on said silicon surface using said pulsed laser beam, in which the laser radiation is linearly polarized, causing surface electromagnetic waves propagating on said surface along the polarization direction. In the next step, treat the specified area of the specified surface of the silicon using the specified pulsed laser beam, in which the specified beam diameter on the specified surface is chosen so as to be less than the characteristic attenuation of the specified surface of the electromagnetic surface wave, providing consistency of the electromagnetic radiation moreover, the said electromagnetic wave causes a very periodic absorption of laser energy within the specified illuminated spot with by the frequency along the indicated polarization of light. Next, scan the specified area of the specified silicon surface using the specified pulsed laser beam, in which the energy density of the specified pulsed laser beam is selected so that a powerful ablation with

UAU201605631U 2016-05-25 2016-05-25 METHOD OF GENERATION OF HIGH-REGULAR LASER PERIODIC STRUCTURES ON SURFACE OF SILICON ULTRA-SHORT LASER PULSES UA112567U (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
UAU201605631U UA112567U (en) 2016-05-25 2016-05-25 METHOD OF GENERATION OF HIGH-REGULAR LASER PERIODIC STRUCTURES ON SURFACE OF SILICON ULTRA-SHORT LASER PULSES

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
UAU201605631U UA112567U (en) 2016-05-25 2016-05-25 METHOD OF GENERATION OF HIGH-REGULAR LASER PERIODIC STRUCTURES ON SURFACE OF SILICON ULTRA-SHORT LASER PULSES

Publications (1)

Publication Number Publication Date
UA112567U true UA112567U (en) 2016-12-26

Family

ID=58044934

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
UAU201605631U UA112567U (en) 2016-05-25 2016-05-25 METHOD OF GENERATION OF HIGH-REGULAR LASER PERIODIC STRUCTURES ON SURFACE OF SILICON ULTRA-SHORT LASER PULSES

Country Status (1)

Country Link
UA (1) UA112567U (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2018102523A (en) METHOD AND DEVICE FOR REDUCING PHOTOELECTRON OUTPUT AND / OR SECONDARY ELECTRON OUTPUT
EP2898982A3 (en) Method and apparatus for laser processing of silicon by filamentation of burst ultrafast laser pulses
JP2011181708A5 (en)
MY195599A (en) Material Cutting using Laser Pulses
UA112567U (en) METHOD OF GENERATION OF HIGH-REGULAR LASER PERIODIC STRUCTURES ON SURFACE OF SILICON ULTRA-SHORT LASER PULSES
Wang et al. Strong, tunable terahertz emission by two-color picosecond laser irradiation
Denisov et al. Formation of short microwave pulses by laser-driven GaAs switch with sub-nanosecond transient response
RU2018135083A (en) METHOD OF PROCESSING AND DEVICE
Pushkarev et al. The Focal Length Effect on Energy Absorption and Terahertz Generation upon Focusing Two-Color Radiation in Air
JP2019508256A5 (en)
JP5595152B2 (en) Laser annealing method
CN111992878A (en) Device and method for reducing time required by femtosecond laser introduction structure
Liao et al. Terahertz Bursts from Relativistic Laser-Plasma Interactions: Generation, Manipulation, and Preliminary Applications
Pandey et al. Anomalous transmission of an intense short-pulse laser through a magnetized overdense plasma
Yu et al. Application of laser generated moth-eye structure for a periodic terahertz-wave generator
Biryukov et al. Filamentation of femtosecond laser radiation with a non-Gaussian transverse spatial profile
Mitsudo et al. Intense and short millimeter wave pulse generation by using a gyrotron as a light source
CN114300925B (en) Laser sound source system and sound frequency adjusting method
Li et al. Development of Terahertz Radiation Source with Slit-Array Structure
Kuzechkin et al. Angular distribution of THz radiation from clustered plasma and enhancing of THz emission intensity
Couvin et al. Singly resonant OPO pumped by a pulsewidth-tunable hybrid MOPA source
Favier et al. Development of an optical resonator for X-ray production
Nakamura et al. Picosecond time-resolved X-ray diffraction from laser-shocked semiconductors
US20210035549A1 (en) Phonon parametric oscillator
Korzhimanov et al. Doppler red-shifting as a source of intense mid-infrared pulses in relativistic laser plasma interaction