TWM644045U - 揚聲器 - Google Patents
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Abstract
本創作公開了一種揚聲器,其屬於揚聲器技術領域,揚聲器,包括U鐵、上框架、下框架、導磁組件及發聲組件,下框架安裝於上框架的下方,下框架和上框架圍設形成安裝空間;兩個發聲組件均設於安裝空間中,且兩個發聲組件的其中一個與上框架連接,另一個與下框架連接;多個導磁組件設於安裝空間內並與上框架及下框架連接;U鐵位於安裝空間內並位於兩個發聲組件之間,U鐵的側面設有支撐凸起,支撐凸起的延伸方向平行於U鐵的寬度方向;支撐凸起的自由端與導磁組件抵接。
Description
本創作涉及揚聲器技術領域,例如涉及一種揚聲器。
揚聲器是一種將電訊號轉變為聲訊號的換能器件,是音響系統中的重要器材。揚聲器分為單面振膜揚聲器和雙面振膜揚聲器。
相關技術中,雙面振膜揚聲器包括上下設置的兩個支架,設置在兩個支架之間的U鐵,兩個副華司以及分別設置在兩個支架內的中心磁鐵,支架呈長方形的環狀,兩個副華司分別固定在支架的長邊上。
在一些使用場合中,需要體積較大的雙面振膜揚聲器,而雙面振膜揚聲器的尺寸越大,中心磁鐵的磁力強度就越大,對副磁鐵及副華司的吸附力也就越大,而支架的尺寸較大時,支架的強度較弱,導致中心磁鐵對副磁鐵及副華司產生的吸附力大於支架的屈服強度,進而導致支架產生朝向中心磁鐵的彎曲變形,而支架變形容易造成磁間隙變小,振膜變形,由此出現擦碰雜音和振膜滾振等問題,影響雙面振膜揚聲器的使用效果。因此,亟需一種防止支架彎曲變形的雙面振膜揚聲器。
本創作提供一種揚聲器,能夠防止上框架和下框架變形,進而能夠防止出現振膜變形、擦碰雜音和振膜滾振等問題,具有較好的出音效果。
如上構思,本創作所採用的技術手段是:
揚聲器,包括:
上框架;
下框架,下框架安裝於所述上框架的下方,所述下框架和所述上框架圍設形成安裝空間;
兩個發聲組件,均設於所述安裝空間中,且兩個所述發聲組件的其中一個與所述上框架連接,另一個與所述下框架連接;
多個導磁組件,設於所述安裝空間內並與所述上框架及所述下框架連接;
U鐵,U鐵位於所述安裝空間內並位於兩個所述發聲組件之間,所述U鐵的側面設有支撐凸起,所述支撐凸起的延伸方向平行於所述U鐵的寬度方向;所述支撐凸起的自由端與所述導磁組件抵接。
在本創作的描述中,除非另有明確的規定和限定,術語「相連」、「連接」、「固定」應做廣義理解,例如,可以是固定連接,也可以是可拆卸連接,或成一體;可以是機械連接,也可以是電連接;可以是直接相連,也可以通過中間媒介間接相連,可以是兩個元件內部的連通或兩個元件的相互作用關係。對於所屬技術領域中具有通常知識者而言,可以根據情況理解上述術語在本創作中的含義。
在本創作中,除非另有明確的規定和限定,第一特徵在第二特徵之「上」或之「下」可以包括第一和第二特徵直接接觸,也可以包括第一和第二特徵不是直接接觸而是通過其等之間的另外的特徵接觸。而且,第一特徵在第二特徵「之上」、「上方」和「上面」包括第一特徵在第二特徵正上方和斜上方,或僅僅表示第一特徵水平高度高於第二特徵。第一特徵在第二特徵「之下」、「下方」和「下面」包括第一特徵在第二特徵正下方和斜下方,或僅僅表示第一特徵水平高度小於第二特徵。
在本實施例的描述中,術語「上」、「下」、「右」、等方位或位置關係為基於圖式所示的方位或位置關係,僅是為了便於描述和簡化操作,而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構造和操作,因此不能理解為對本創作的限制。此外,術語「第一」、「第二」僅僅用於在描述上加以區分,並沒有特殊的含義。
[實施例一]
本實施例提供了一種揚聲器,能夠防止上框架和下框架變形,進而能夠防止出現振膜變形、擦碰雜音和振膜滾振等問題,具有較好的出音效果。
如圖1和圖2所示,揚聲器包括U鐵1、上框架2、下框架3,多個導磁組件4及兩個發聲組件50。
其中,上述上框架2和下框架3均呈環狀,例如呈長方形環狀,且上框架2的形狀與下框架3的形狀相匹配,上框架2的大小與下框架3的大小相匹配,使得上框架2和下框架3能夠上下設置並連接在一起,也即是,下框架3安裝於上框架2的下方,並且,如圖6所示,下框架3與上框架2圍設形成安裝空間21。如圖5所示,U鐵1位於安裝空間21內,U鐵1的兩端分別固定在上框架2或下框架3上。本實施例中,如圖2所示,U鐵1的兩端呈U形,並通過黏接、卡接、螺釘連接等方式固定在上框架2上、下框架3上或上框架2與下框架3之間。
如圖3或圖4所示,多個導磁組件4設於安裝空間21內,且每個導磁組件4均與上框架2及下框架3固接或抵接。本實施例中,導磁組件4設置於安裝空間21的中部,並沿上框架2的延伸方向(即長度方向)延伸,使得導磁組件4與上框架2及下框架3的中部連接。
本實施例中,U鐵1的側面設有支撐凸起11,U鐵1呈長方形的板狀,且U鐵1具有延伸方向(即長度方向)及垂直於延伸方向的寬度方向,支撐凸起11的延伸方向平行於U鐵1的寬度方向。U鐵1上的支撐凸起11在預設方向抵接於導磁組件4,以能夠在預設方向支撐上框架2及下框架3,進而能夠避免上框架2及下框架3在預設方向上發生形變。其中,預設方向垂直於上框架2及下框架3的延伸方向,也即預設方向與發聲組件50的磁吸方向平行。支撐凸起11與導磁組件4在上框架2長度方向(也即是下框架3的長度方向)上的中部抵接,也即是,支撐凸起11通過導磁組件4支撐上框架2及下框架3延伸方向上的中部,還即是,支撐凸起11通過導磁組件4支撐上框架2及下框架3的長邊,以防止上框架2延伸方向上的中部(即上框架2長邊的中部)及下框架3延伸方向上的中部(即下框架3長邊的中部)發生形變。
本實施例中,兩個發聲組件50均設於安裝空間21中,且兩個發聲組件50的其中一個與上框架2連接,另一個與下框架3連接。U鐵1位於兩個發聲組件50之間,也即是,兩個發聲組件50分別位於U鐵1的上下兩側。
本實施例提供的揚聲器使用的時候,發聲組件50產生磁力,從而吸附導磁組件4;且U鐵1的側面設有支撐凸起11,導磁組件4分別與上框架2及下框架3固接,且支撐凸起11的自由端抵接於導磁組件4,使得U鐵1能夠通過與導磁組件4抵接的支撐凸起11及導磁組件4,來對上框架2及下框架3進行支撐,以防止上框架2及下框架3在發聲組件50的磁吸方向產生形變位移,防止了上框架2及下框架3發生彎曲變形,進而能夠防止揚聲器出現振膜變形、擦碰雜音和振膜滾振等問題,使得揚聲器具有較好的出音效果。
可選地,如圖2所示,U鐵1寬度方向的兩側分別設有支撐凸起11,也即是,U鐵1在U鐵1寬度方向上的兩側分別設有支撐凸起11。並且,導磁組件4設有兩組,一組導磁組件4位於U鐵1寬度方向上的第一側,另一組導磁組件4位於U鐵1寬度方向上的第二側,一組導磁組件4與上框架2寬度方向上的第一側及下框架3寬度方向的第一側分別固接;另一組導磁組件4與上框架2寬度方向的第二側及下框架3寬度方向的第二側分別固接,兩組導磁組件4與兩個支撐凸起11一一對應,且支撐凸起11在發聲組件50的磁吸方向上抵接於與該支撐凸起11對應的導磁組件4,使得U鐵1能夠對上框架2及下框架3寬度方向上的兩側進行支撐,進而能夠防止上框架2及下框架3的兩個長邊彎曲變形,提高了對上框架2及下框架3支撐的效果。
本實施例中,如圖4或圖5所示,每個導磁組件4均包括上副華司41和下副華司42。其中,上副華司41與上框架2連接,下副華司42與下框架3連接,支撐凸起11在發聲組件50的磁吸方向與上副華司41及下副華司42分別抵接,也即是,本實施例通過上副華司41對是上框架2進行支撐,通過下副華司42對下框架3進行支撐。在一些實施例中,上副華司41固定在上框架2的內側壁,例如,上框架2的內側壁設有槽結構,上副華司41嵌設固定在槽結構中,且上副華司41的側面與上框架2的內側面平齊。類似地,下副華司42固定在下框架3的內側壁,例如,下框架3的內側壁設有槽結構,下副華司42嵌設固定在槽結構中,且下副華司42的側面與下框架3的內側面平齊。本實施例通過上副華司41和下副華司42作為導磁組件4,無需額外增加其他結構,避免了出現揚聲器的零部件過多,體積多大,重量過重。
示例性地,如圖6和圖7所示,上副華司41朝向下副華司42的表面設有第一齒結構411和第一槽結構412,下副華司42朝向上副華司41的表面設有第二齒結構421和第二槽結構422,第一齒結構411嵌入第二槽結構422,也即是,第一齒結構411的形狀和大小與第二槽結構422的形狀和大小分別相同,第二齒結構421嵌入第一槽結構412,第二齒結構421的形狀和大小與第一槽結構412的形狀和大小分別相同,使得上副華司41和下副華司42形成齒槽嚙合結構,支撐凸起11抵接於第一齒結構411及第二齒結構421,便於支撐凸起11同時對上副華司41和下副華司42進行支撐,無需將支撐凸起11設置過厚,進而使得支撐凸起11不會佔據過多的空間。
可選地,第一齒結構411設置在上副華司41延伸方向的中部,第二齒結構421設置在下副華司42延伸方向的中部,以提高支撐上框架2及下框架3的效果。在一些實施例中,第一齒結構411和第二槽結構422分別對應設有多個,第二齒結構421和第一槽結構412分別對應設有多個,以具有較大的面積與支撐凸起11接觸。
可選地,如圖8所示,上框架2設置有上支座22,上支座22上設置有上固定柱20,上副華司41設置有與上固定柱20相適配的通孔,上固定柱20的自由端設置有上限位部201,上限位部201與上副華司41連接並設置為將上副華司41限位固定於上支座22上,提高了上副華司41的固定效果。本實施例中,上框架2朝向下框架3的表面設有凹槽,上支座22設於凹槽的槽底。可選地,上支座22包括相互垂直設置的第一板部和第二板部。上支座22可以設有多個,以提高支撐效果。
與上框架2類似的,如圖8所示,下框架3設置有下支座31,下支座31上設置有下固定柱32,下副華司42設置有與下固定柱32相適配的通孔,下固定柱32的自由端設置有下限位部321,下限位部321與下副華司42連接並設置為將下副華司42限位固定於下支座31上,提高了下副華司42的固定效果。本實施例中,下框架3朝向上框架2的表面設有凹槽,下支座31設於凹槽的槽底。下支座31包括相互垂直設置的第三板部311和第四板部312。下支座31的結構與上支座22的結構相同。
如圖2至圖4所示,兩個發聲組件50鏡像分佈於U鐵1的上下兩側;每個發聲組件50包括主磁鐵5、主華司6、音圈7及振膜8;位於U鐵1一側的主磁鐵5、主華司6及音圈7分別設於上框架2內,位於U鐵1另一側的主磁鐵5、主華司6及音圈7分別設於下框架3內,且主磁鐵5貼合於U鐵1設置,主華司6位於主磁鐵5遠離U鐵1的一側,音圈7環繞主華司6設置,振膜8設於音圈7遠離U鐵1的一側,振膜8固接於音圈7、上框架2或下框架3。可見,本實施例提供的揚聲器未設有副磁鐵,僅通過上副華司41和下副華司42進行導磁。
可選地,每個發聲組件50還包括連接於音圈7的彈波9。
可選地,本實施例中,支撐凸起11與U鐵1為一體成型結構,以具有較強的連接強度。
本實施例提供的揚聲器,U鐵1的側面設有支撐凸起11,上副華司41固接於上框架2,下副華司42固接於下框架3,且支撐凸起11在預設方向上抵接於上副華司41及下副華司42,進而實現對上框架2及下框架3的支撐,使得上框架2的中部無法向其中一個主磁鐵5的方向位移,防止了上框架2的彎曲變形,使得下框架3的中部無法向另一個主磁鐵5的方向位移,防止了下框架3的內吸變形,進而能夠防止揚聲器出現振膜變形、擦碰雜音和振膜滾振等問題,使得揚聲器具有較好的出音效果。
[實施例二]
本實施例與實施例一的區別在於導磁組件4的結構有所不同。
如圖9至圖14所示,每組導磁組件4包括副磁鐵43的兩個副華司44,上框架2朝向下框架3的表面及下框架3朝向上框架2的表面分別設有安裝槽23,兩個安裝槽23之間形成磁鐵空間,每組導磁組件4的副磁鐵43及兩個副華司44分別固設於磁鐵空間中,且兩個副華司44分別設置於副磁鐵43的上下兩側。支撐凸起11在發聲組件50的磁吸方向上抵接於副磁鐵43,以通過副磁鐵43在發聲組件的磁吸方向上支撐上框架2及下框架3。本實施例中,如圖14所示,安裝槽23為L形槽,可以理解為通過在上框架2(或下框架3)的表面設置一個擋邊形成該安裝槽23,擋邊在發聲組件的磁吸方向上對副磁鐵43進行限位,以防止副磁鐵43在發聲組件的磁吸方向上產生位移。
本實施例提供的揚聲器使用的時候,發聲組件50產生磁力,從而吸附導磁組件4;U鐵1的側面設有支撐凸起11,副磁鐵43分別與上框架2及下框架3固接,且支撐凸起11在發聲組件的磁吸方向上抵接於副磁鐵43,進而實現對上框架2及下框架3進行的支撐,以防止上框架2及下框架3在發聲組件的磁吸方向上產生形變位移,防止了上框架2及下框架3發生彎曲變形,進而能夠防止揚聲器出現振膜變形、擦碰雜音和振膜滾振等問題,使得揚聲器具有較好的出音效果。
可選地,本實施例中,如圖10所示,副磁鐵43設有多個,如圖12所示,支撐凸起11對應副磁鐵43設有多個,每個支撐凸起11在發聲組件的磁吸方向上抵接於與每個支撐凸起11對應的副磁鐵43,以提高支撐效果。本實施例中,副磁鐵43和支撐凸起11分別設有4個。
示例性地,U鐵1寬度方向的兩側中,每一側均設有至少兩個支撐凸起11,至少兩個支撐凸起11沿U鐵1的長度方向均勻且間隔設置。於本實施例中,U鐵1的每一側均設有兩個支撐凸起11,相應地,如圖13所示,兩個副磁鐵43位於U鐵1寬度方向的一側,另外兩個副磁鐵43位於U鐵1寬度方向的另一側。
本實施例中的副華司44呈長方形板狀,且副華司44的延伸方向平行於上框架2的延伸方向,副華司44的寬度方向平行於上框架2的寬度方向。
本實施例的其他結構與實施例一中的相應結構相同,本實施例在此不做贅述。
本實施例提供的揚聲器,上框架2的中部無法向U鐵1上側的主磁鐵5的方向位移,防止了上框架2的彎曲變形,下框架3的中部無法向U鐵1下側的主磁鐵5的方向位移,防止了下框架3的內吸變形,進而能夠防止揚聲器出現振膜變形、擦碰雜音和振膜滾振等問題,使得揚聲器具有較好的出音效果。
本創作要求在2022年10月10日提交中國專利局、申請號為2022112340329的中國專利申請的優先權,該申請的全部內容通過引用結合在本創作中。
1:U鐵
11:支撐凸起
2:上框架
21:安裝空間
22:上支座
23:安裝槽
20:上固定柱
201:上限位部
3:下框架
31:下支座
32:下固定柱
321:下限位部
4:導磁組件
41:上副華司
411:第一齒結構
412:第一槽結構
42:下副華司
421:第二齒結構
422:第二槽結構
43:副磁鐵
44:副華司
5:主磁鐵
50:發聲組件
6:主華司
7:音圈
8:振膜
9:彈波
〔圖1〕是本創作實施例一提供的揚聲器的結構示意圖。
〔圖2〕是本創作實施例一提供的揚聲器的分解示意圖。
〔圖3〕是本創作實施例一提供的揚聲器的截面示意圖一。
〔圖4〕是本創作實施例一提供的揚聲器的截面示意圖二。
〔圖5〕是本創作實施例一提供的上框架、下框架、U鐵及導磁組件的裝配示意圖。
〔圖6〕是本創作實施例一提供的上框架及下框架裝配示意圖。
〔圖7〕是本創作圖6所示的A處放大示意圖。
〔圖8〕是本創作實施例一提供的上框架、下框架、上副華司及下副華司的分解示意圖。
〔圖9〕是本創作實施例二提供的揚聲器的結構示意圖。
〔圖10〕是本創作實施例二提供的揚聲器的分解結構示意圖。
〔圖11〕是本創作實施例二提供的揚聲器的截面示意圖。
〔圖12〕是本創作實施例二提供的U鐵的結構示意圖。
〔圖13〕是本創作實施例二提供的部分揚聲器的結構示意圖。
〔圖14〕是本創作實施例二提供的下框架及副華司的裝配示意圖。
1:U鐵
11:支撐凸起
2:上框架
22:上支座
3:下框架
41:上副華司
411:第一齒結構
412:第一槽結構
42:下副華司
421:第二齒結構
422:第二槽結構
5:主磁鐵
50:發聲組件
6:主華司
7:音圈
8:振膜
9:彈波
Claims (10)
- 一種揚聲器,其特徵係,包括:上框架(2);下框架(3),該下框架(3)安裝於該上框架(2)的下方,該下框架(3)和該上框架(2)圍設形成安裝空間(21);兩個發聲組件(50),均設於該安裝空間(21)中,且兩個該發聲組件(50)的其中一個與該上框架(2)連接,另一個與該下框架(3)連接;多個導磁組件(4),設於該安裝空間(21)內並與該上框架(2)及該下框架(3)連接;U鐵(1),該U鐵(1)位於該安裝空間(21)內並位於兩個該發聲組件(50)之間,該U鐵(1)的側面設有支撐凸起(11),該支撐凸起(11)的延伸方向平行於該U鐵(1)的寬度方向;該支撐凸起(11)的自由端與該導磁組件(4)抵接。
- 如請求項1所述之揚聲器,其中,該U鐵(1)寬度方向的兩側分別設有該支撐凸起(11),該導磁組件(4)設有兩組,一組該導磁組件(4)與該上框架(2)寬度方向上的第一側及該下框架(3)寬度方向的第一側固接,另一組該導磁組件(4)與該上框架(2)寬度方向的第二側及該下框架(3)寬度方向的第二側固接,兩組該導磁組件(4)與兩個該支撐凸起(11)一一對應,且該支撐凸起(11)抵接於與該支撐凸起(11)對應的該導磁組件(4)。
- 如請求項1或2所述之揚聲器,其中,每個該導磁組件(4)均包括上副華司(41)和下副華司(42),該上副華司(41)與該上框架(2)連 接,該下副華司(42)與該下框架(3)連接,該支撐凸起(11)與該上副華司(41)及該下副華司(42)分別抵接。
- 如請求項3所述之揚聲器,其中,該上副華司(41)朝向該下副華司(42)的表面設有第一齒結構(411)和第一槽結構(412),該下副華司(42)朝向該上副華司(41)的表面設有第二齒結構(421)和第二槽結構(422),該第一齒結構(411)嵌入該第二槽結構(422),該第二齒結構(421)嵌入該第一槽結構(412),該支撐凸起(11)抵接於該第一齒結構(411)及該第二齒結構(421)。
- 如請求項3所述之揚聲器,其中,該上框架(2)設置有上支座(22),該上支座(22)上設置有上固定柱(20),該上副華司(41)設置有與該上固定柱(20)相適配的通孔,該上固定柱(20)的自由端設置有上限位部(201),該上限位部(201)與該上副華司(41)連接且該上限位部(201)設置為將該上副華司(41)限位固定於該上支座(22)上;該下框架(3)設置有下支座(31),該下支座(31)上設置有下固定柱(32),該下副華司(42)設置有與該下固定柱(32)相適配的通孔,該下固定柱(32)的自由端設置有下限位部(321),該下限位部(321)與該下副華司(42)連接且該下限位部(321)設置為將該下副華司(42)限位固定於該下支座(31)上。
- 如請求項1或2所述之揚聲器,其中,該支撐凸起(11)與該導磁組件(4)在上框架(2)長度方向上的中部抵接。
- 如請求項1所述之揚聲器,其中,該導磁組件(4)設有兩組,一組該導磁組件(4)與該上框架(2)寬度方向上的第一側及該下框架(3)寬 度方向的第一側固接,另一組該導磁組件(4)與該上框架(2)寬度方向的第二側及該下框架(3)寬度方向的第二側固接,每組導磁組件(4)包括副磁鐵(43)和兩個副華司(44),該上框架(2)朝向該下框架(3)的表面及該下框架(3)朝向該上框架(2)的表面分別設有安裝槽(23),兩個該安裝槽(23)之間形成磁鐵空間,每組導磁組件(4)的該副磁鐵(43)固設於該磁鐵空間中,每組導磁組件(4)的兩個該副華司(44)分別設置於該副磁鐵(43)上下兩側,該支撐凸起(11)抵接於該副磁鐵(43)。
- 如請求項7所述之揚聲器,其中,該副磁鐵(43)設有多個,該支撐凸起(11)對應該副磁鐵(43)設有多個,每個該支撐凸起(11)抵接於與該支撐凸起(11)對應的該副磁鐵(43)。
- 如請求項8所述之揚聲器,其中,該U鐵(1)寬度方向的兩側中,每一側均設有至少兩個該支撐凸起(11),至少兩個該支撐凸起(11)沿該U鐵(1)的長度方向均勻且間隔設置。
- 如請求項1或2所述之揚聲器,其中,兩個該發聲組件(50)鏡像分佈於該U鐵(1)的兩側;每個該發聲組件(50)包括主磁鐵(5)、主華司(6)、音圈(7)、振膜(8);位於該U鐵(1)一側的該主磁鐵(5)、該主華司(6)及該音圈(7)分別設於該上框架(2)內,位於該U鐵(1)另一側的該主磁鐵(5)、該主華司(6)及該音圈(7)分別設於該下框架(3)內,且該主磁鐵(5)貼合於該U鐵(1)設置,該主華司(6)位於該主磁鐵(5)遠離該U鐵(1)的一側,該音圈(7)環繞該主華司(6)設置,該振膜(8)設於該音圈(7)遠離該U鐵(1)的一側。
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2023
- 2023-01-30 TW TW112200830U patent/TWM644045U/zh unknown
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CN115942204A (zh) | 2023-04-07 |
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