TWM613979U - 封裝阻水率測試機構 - Google Patents

Abstract

一種封裝阻水率測試機構，係包含有：一蓋體設頂面、周面及一容置空間，其頂面上設有一個以上之通孔，將該蓋體對封於鍍設有鍍鈣層之一導電玻璃上方，並於該蓋體上方置設一測試膜，經一設定時間後，利用探針進行量測鍍鈣層上其兩端設置之第一電極及第二電極間的電阻值；或可將該蓋體蓋於一玻璃上方，其蓋體內部容置空間內放入設定量之氧化鈣，並於該蓋體上方置設一測試膜，經一設定時間後，測量該設定量之氧化鈣的重量變化，即可得知該測試膜之水氣透過率者。

Description

封裝阻水率測試機構

本創作提供一種測試治具之技術領域，尤指其技術上提供一種封裝阻水率測試機構，其本創作提供之測試治具，得經由鍍鈣層兩端之第一電極及第二電極間以探針來量測電阻值，或設定量氧化鈣重量變化，即可得知阻水率者。

按，隨著時代的潮流，我們所使用的顯示器逐漸朝向輕、薄、小的方向發展，但仍無法滿足人們對於便攜電子產品的需求，為了滿足市場的需求，開發人員朝更輕、更薄、更小、耐衝擊及可撓曲的方向研發，為了解決傳統液晶顯示器無法提供的可撓曲特性，使用塑對基材取代玻璃作為顯示器基板已成為技術發展的趨勢。塑對基材不但可提供更輕量與薄型化的特性，更可避免傳統玻璃液晶顯示器易碎、不耐衝擊的缺失，同時由於塑對基材所具備的可撓曲性與易於裁切加工特性，更提供了新世代平面顯示器在外形與捲曲性的設計空間。但是塑對基材並非毫無缺點，最大的缺點在於其本身的耐熱性、尺寸安定性及 對外界環境的水氣與氧氣的阻絕性均不如現行的玻璃基板。塑對基板本身對外界環境水氣與氧氣的阻隔效果，會直接影響該顯示產品的使用壽命及顯示品質的穩定性。因此，必須經由水氣透過率(WVTR)與氧氣透過率(OTR)的量測，以便於製造出新一代的可撓式顯示器且有效地解決軟性塑對基板對氧氣及水氣的問題，在水氣透過率(WVTR)與氧氣透過率(OTR)的量測中，目前量測方法有以下幾種：

(1)重量變化量測法：此為最常用的方法之一，其作法是將一個裝滿水的容器放置天秤上面，最上面覆蓋所要量測的阻水氧層，透過容器裡水量減少的變化，可得知其阻水氧氣的值。

(2)MOCON量測法：水氣/氧氣滲透過待測樣本的一邊是高水氣或高氧氣濃度，而另一邊則是通入乾燥的氮氣，把滲透過來的水氣/氧氣帶到高敏感的偵測器中，在特定溫度與濕度下，此測試法得以計算出單位面積每天的水氣/氧氣通過量。

(3)質譜量測法：利用高靈敏度的氦氣，以氦氣滲透為主的滲透量測法裝置，用來評估氣體阻氣層的阻氣效果。

(4)鈣測試法：此法是利用鈣本身具金屬光澤與好的導電性，但遇水氣反應成氧化鈣或氫氧化鈣反而失去金屬光澤而透明和導電性變差等特性。如公式(1)：衍生三 種測試方式：(1)光穿透法、(2)電阻法、(3)顯微觀察法。鈣測法是公認最為靈敏的方法。

參閱第1圖所示，習知常用的水氣透過率(WVTR)測試常透過MOCON量測法，此法系利用水氣/氧氣滲透的特性，其中測試殼體10以中間隔成不相連通的兩邊，中間間隔材質即為測試膜11，一側設有濕氣入口12及排氣孔13，以之形成濕氣對流14，內部為100%相對濕度端15。另側設有乾燥氮氣入口16及水氣排氣孔17，以之形成乾燥氮氣對流18，內部為0%相對乾燥端19。將待測樣本即測試膜11的一邊是高水氣或高氧氣濃度，而另一邊則是通入乾燥的氮氣，把滲透過來的水氣/氧氣帶到高敏感的偵測器中，在特定溫度與濕度下此測試法可計算出單位面積每天的水氣/氧氣通過量，第1圖是習知以MOCON儀器之水/氧氣透過率法來進行量測。先將量測試片面積剪裁至10cm²左右，環境溫度為40℃，標準1atm來進行測試，但由於MOCON機台的量測範圍有其極限值，可測得的單位為10^-3~10^-5，又其設備昂貴，不合經濟效益。

是以，針對上述習知結構所存在之問題點，如何開發一種更具理想實用性之創新結構，實消費者所殷切企盼，亦係相關業者須努力研發突破之目標及方向。

有鑑於此，創作人本於多年從事相關產品之製造開發與設計經驗，針對上述之目標，詳加設計與審慎評 估後，終得一確具實用性之本創作。

本創作之主要目的在於提供一種封裝阻水率測試機構，其本創作提供之測試治具，得經由鍍鈣層兩端之第一電極及第二電極間以探針來量測電阻值，或設定量氧化鈣重量變化，即可得知阻水率者。

為達上述目的，本創作提供一種封裝阻水率測試機構，係包含有：一蓋體設頂面、周面及一容置空間，其頂面上設有一個以上之通孔，將該蓋體對封於鍍設有鍍鈣層之一導電玻璃上方，並於該蓋體上方置設一測試膜，經一設定時間後，利用探針進行量測鍍鈣層上其兩端設置之第一電極及第二電極間的電阻值；或可將該蓋體對封於一玻璃上方，其蓋體內部容置空間內放入設定量之氧化鈣，並於該蓋體上方置設一測試膜，經一設定時間後，測量該設定量之氧化鈣的重量變化，即可得知該測試膜之水氣透過率者。

有關本創作所採用之技術、手段及其功效，茲舉一較佳實施例並配合圖式詳細說明於後，相信本創作上述之目的、構造及特徵，當可由之得一深入而具體的瞭解。

〔習知〕

10:測試膜

11:測試膜

12:濕氣入口

13:排氣孔

14:濕氣對流

15:100%相對濕度端

16:乾燥氮氣入口

17:水氣排氣孔

18:乾燥氮氣對流

19:0%相對乾燥端

〔本創作〕

20:蓋體

21:頂面

22:周面

23:容置空間

24:通孔

31:鍍鈣層

311:第一電極

312:第二電極

32:氧化鈣

41:導電玻璃

42:玻璃

50:測試膜

〔第1圖〕係習知測量治具之剖面動作示意圖。

〔第2圖〕係本創作其一實施例之治具立體局部剖面示意圖。

〔第3圖〕係本創作其一實施例之治具平面剖示圖。

〔第4圖〕係本創作另一實施例之治具立體局部剖面示意圖。

〔第5圖〕係本創作另一實施例之治具平面剖示圖。

本創作係提供一種封裝阻水率測試機構之設計者。

為使 貴審查委員對本創作之目的、特徵及功效能夠有更進一步之瞭解與認識，茲配合實施方式及圖式詳述如後：

參閱第2至第3圖所示，本創作提供一種封裝阻水率測試機構，係包含有：

一蓋體20，前述蓋體20包含一頂面21及四周向下延伸形成一周面22所構成，相對於前述頂面21之另一側形成有開口的一容置空間23，其前述頂面21上設有一個以上之通孔24，將前述蓋體20對封於鍍設有鍍鈣層31之一導電玻璃41上方，使前述鍍鈣層31位於前述容置空間23範圍內，並於前述蓋體20上方置設一測試膜50；經一設定時間後，利用探針進行量測前述鍍鈣層31上兩端設置之一第一電極311及一第二電極312間的電阻值，即可得知前述測試膜50之水氣透過率。

所述之封裝阻水率測試機構，其中前述蓋體20 之材質為水氣透過率為零之材質。

所述之封裝阻水率測試機構，其中前述蓋體20之前述頂面21及前述周面22可一體成形製成。

所述之封裝阻水率測試機構，其中前述蓋體20之前述頂面21可為正多邊形之前述頂面21。

所述之封裝阻水率測試機構，其中前述蓋體20之前述通孔24可為正多邊形之前述通孔24。

所述之封裝阻水率測試機構，其中前述蓋體20一側為前述頂面21，前述蓋體20另側為一底部，前述底部可具有一氣密結構。

參閱第4至第5圖所示，本創作提供一種封裝阻水率測試機構，係包含有：

一蓋體20，前述蓋體20包含一頂面21及四周向下延伸形成一周面22所構成，相對於前述頂面21之另一側形成有開口的一容置空間23，其前述頂面21上設有一個以上之通孔24；將前述蓋體20對封於一玻璃42上方，其內部前述容置空間23內放入設定量之氧化鈣32，並於前述蓋體20上方放置一測試膜50，經一設定時間後，測量設定量之前述氧化鈣32的重量變化，即可得知前述測試膜50之水氣透過率。

所述之封裝阻水率測試機構，其中前述蓋體20之材質為水氣透過率為零之材質。

所述之封裝阻水率測試機構，其中前述蓋體20 之前述頂面21及前述周面22可一體成形製成。

所述之封裝阻水率測試機構，其中前述蓋體20之前述頂面21可為正多邊形之前述頂面21。

所述之封裝阻水率測試機構，其中前述蓋體20之前述通孔24可為正多邊形之前述通孔24。

所述之封裝阻水率測試機構，其中前述蓋體20一側為前述頂面21，前述蓋體20另側為一底部，前述底部可具有一氣密結構。

本創作所開發出來的測試治具，係可適用於鈣測試法中的電阻法，以及重量變化法。如第3圖所示，於鍍鈣層31兩端之第一電極311及第二電極312間以探針來量測電阻值，經由計算即可求出量化的水氣透過率者。

由其上述可知，本創作之封裝阻水率測試機構，確為業界首見而符合新型專利之新穎性要件者，而其全面性之創新設計，符合新型專利之進步性要件，而其本創作提供之測試治具，得經由鍍鈣層兩端之第一電極及第二電極間以探針來量測電阻值，或設定量氧化鈣重量變化，即可得知阻水率，符合較佳之產業利用性者。

前文係針對本創作之較佳實施例為本創作之技術特徵進行具體之說明；惟，熟悉此項技術之人士當可在不脫離本創作之精神與原則下對本創作進行變更與修改，而該等變更與修改，皆應涵蓋於如下申請專利範圍所界定 之範疇中。

綜上所述，本創作係提供一種封裝阻水率測試機構，其確已達到本創作之所有目的，另其組合結構之空間型態未見於同類產品，亦未曾公開於申請前，已符合專利法之規定，爰依法提出申請。

20:蓋體

21:頂面

22:周面

23:容置空間

24:通孔

31:鍍鈣層

41:導電玻璃

50:測試膜

Claims (12)

1. 一種封裝阻水率測試機構，包括：

   一蓋體，前述蓋體包含一頂面及四周向下延伸形成一周面所構成，相對於前述頂面之另一側形成有開口的一容置空間，其前述頂面上設有一個以上之通孔，將前述蓋體對封於鍍設有鍍鈣層之一導電玻璃上方，使前述鍍鈣層位於前述容置空間範圍內，並於前述蓋體上方置設一測試膜；經一設定時間後，利用探針進行量測前述鍍鈣層上兩端設置之一第一電極及一第二電極間的電阻值，即可得知前述測試膜之水氣透過率。
2. 如請求項1所述之封裝阻水率測試機構，其中前述蓋體之材質為水氣透過率為零之材質。
3. 如請求項1所述之封裝阻水率測試機構，其中前述蓋體之前述頂面及前述周面可一體成形製成。
4. 如請求項1所述之封裝阻水率測試機構，其中前述蓋體之前述頂面可為正多邊形之前述頂面。
5. 如請求項1所述之封裝阻水率測試機構，其中前述蓋體之前述通孔可為正多邊形之前述通孔。
6. 如請求項1所述之封裝阻水率測試機構，其中前述蓋體一側為前述頂面，前述蓋體另側為一底部，前述底部可具有一氣密結構。
7. 一種封裝阻水率測試機構，包括：

   一蓋體，前述蓋體包含一頂面及四周向下延伸形成一周面所構成，相對於前述頂面之另一側形成有開口的一容置空間，其前述頂面上設有一個以上之通孔；將前述蓋體對封於一玻璃上方，其內部前述容置空間內放入設定量之氧化鈣，並於前述蓋體上方放置一測試膜，經一設定時間後，測量設定量之前述氧化鈣的重量變化，即可得知前述測試膜之水氣透過率。
8. 如請求項7所述之封裝阻水率測試機構，其中前述蓋體之材質為水氣透過率為零之材質。
9. 如請求項7所述之封裝阻水率測試機構，其中前述蓋體之前述頂面及前述周面可一體成形製成。
10. 如請求項7所述之封裝阻水率測試機構，其中前述蓋體之前述頂面可為正多邊形之前述頂面。
11. 如請求項7所述之封裝阻水率測試機構，其中前述蓋體之前述通孔可為正多邊形之前述通孔。
12. 如請求項7所述之封裝阻水率測試機構，其中前述蓋體一側為前述頂面，前述蓋體另側為一底部，前述底部可具有一氣密結構。

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