TWM603198U - 用於銲晶機的雙真空模組的爐面塊及爐面底座之組合 - Google Patents

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TWM603198U
TWM603198U TW109205765U TW109205765U TWM603198U TW M603198 U TWM603198 U TW M603198U TW 109205765 U TW109205765 U TW 109205765U TW 109205765 U TW109205765 U TW 109205765U TW M603198 U TWM603198 U TW M603198U
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Abstract

本創作為一種用於銲晶機的雙真空模組的爐面塊及爐面底座之組合，包括：一爐面塊，具有一承接面，用以承接該銲晶機上的一基板，且該爐面塊包括：複數個第一穿孔組，其開口位於該爐面塊之承接面的一中間區域；及兩個第二穿孔組，其開口位於爐面塊之承接面的兩個外圍區域，該些第一穿孔組及該兩個第二穿孔組係不連接導通；以及複數個第一縱向通道，用以分別連通該些第一穿孔組；兩個第二縱向通道，用以分別連通該兩個的該些第二穿孔組，該些第一縱向通道及該兩個第二縱向通道係不連接導通；兩個橫向通道，其與該兩個第二縱向通道係連接導通，且該兩個橫向通道與該兩個第二縱向通道之間具有一高低差；其中上述第一縱向通道、第二縱向通道及橫向通道之兩端皆為封閉端；以及一爐面底座，用以承接並固定該爐面塊。

Description

用於銲晶機的雙真空模組的爐面塊及爐面底座之組合
本創作係關於一種利用真空吸附之固定基板裝置；更詳而言之，特別係指一種用於銲晶機的雙真空模組的爐面塊及爐面底座之組合。
在半導體封裝結構中，其最下方通常係一基板單元(Substrate)。在製程中，通常是在一基板(Substrate Panel)上進行疊設晶片、打線及灌膠等作業後，再切割該基板以形成複數個半導體封裝結構。因此，該製程之第一要務係將該基板平整穩定地固定於一機台上。此外，在製程中常需要利用一傳送裝置搬動該基板，因而也需要將該基板平整穩定地固定於該傳送裝置上。傳統上，利用真空吸附之方法及裝置係為最常見之固定基板之方式。
通常對半導體製造用基板或印刷電路板(PCB)進行附持、固定的擋板類之固定方法，包括螺絲、磁鐵、真空吸附和磁鐵並用之固定方法。
使用螺絲進行固定的方法，是對用以附持半導體製造用基板或印刷電路板(PCB)的塊狀體進行固定時最常使用的方法，通過利用螺絲在所述塊狀體前後、左右的2個或2個以上位置連接固定，防止真空塊本體 發生移動。
使用磁鐵的方法，是指通過在塊狀體的下側面裝配磁鐵，使其半導體基板或印刷電路板(PCB)附著在固定支撐台中的方法。此時，可以通過調整磁鐵磁性強度的方式對其附著力進行調節。
在使用真空吸附方式時，在真空塊的支撐體上側面配備真空板，並使真空板板面和真空塊下側面之間形成真空，從而達到附持效果。且近年來動態隨機存取記憶體設計朝向薄型化，容易產生翹曲情況，因此在真空吸附方式時，需要較大的吸附能力，才容易吸附。
因此，綜上所述，根據不同的印刷電路板(PCB)，即不同的印刷電路板(PCB)大小和內部晶片佈局，還必須更換使用不同的所述真空塊，才能夠順利進行生產，並且配合動態隨機存取記憶體設計朝向薄型化，容易產生翹曲情況，因此在真空吸附方式時，需要在爐面塊上設計較大的吸附能力。
本創作之主要目的在於，提供一種用於銲晶機的雙真空模組的爐面塊及爐面底座之組合，在當動態隨機存取記憶體設計朝向薄型化，容易產生翹曲情況，因此在真空吸附方式時，可以在爐面塊上設計較大的吸附能力，且應用於在銲晶機時，可以減少每次工件需要的吸附次數因而提升產能，節省工作時間，因而提高銲晶機的工作效率。
為達上揭目的，本創作係提供一種用於銲晶機的雙真空模組的爐面塊及爐面底座之組合，包括：一爐面塊，具有一承接面，用以承接該銲晶機上的一基板，且該爐面塊包括：複數個第一穿孔組，其開口位於該爐面塊之承接面的一中間區域；及兩個第二穿孔組，其開口位於爐面塊之承接面的兩個外圍區域，該些第一穿孔組及該兩個第二穿孔組係不連接 導通；以及複數個第一縱向通道，用以分別連通該些第一穿孔組；兩個第二縱向通道，用以分別連通該兩個的該些第二穿孔組，該些第一縱向通道及該兩個第二縱向通道係不連接導通；兩個橫向通道，其與該兩個第二縱向通道係連接導通，且該兩個橫向通道與該兩個第二縱向通道之間具有一高低差；其中上述第一縱向通道、第二縱向通道及橫向通道之兩端皆為封閉端；以及一爐面底座，用以承接並固定該爐面塊，並分別具有一第一管道及一第二管道用以分別導通該些第一縱向通道及該兩個第二縱向通道，並分別連接該銲晶機之第一真空模組及第二真空模組，以分別獨立產生真空吸附該基板之第一區域及兩個第二區域。
本創作之用於銲晶機的雙真空模組的爐面塊及爐面底座之組合，其中，該第一穿孔組及該第二穿孔組係陣列排列成一矩陣。
本創作之用於銲晶機的雙真空模組的爐面塊及爐面底座之組合，其中，該基板之第一區域係相對於該爐面塊之中間區域，以將該基板之第一區域吸附於該爐面塊之中間區域，該基板之兩個第二區域係相對於該爐面塊之兩個外圍區域，以將該基板之兩個第二區域吸附於該爐面塊之兩個外圍區域。
本創作之用於銲晶機的雙真空模組的爐面塊及爐面底座之組合，其中，該第二穿孔組具有至少一排穿孔連接該第二縱向通道，該些穿孔為圓孔狀或方孔狀。
本創作之用於銲晶機的雙真空模組的爐面塊及爐面底座之組合，其中，該第二穿孔組具有兩排穿孔連接該第二縱向通道，該兩排穿孔彼此對齊或彼此交錯。
本創作係提供一種用於銲晶機的雙真空模組的爐面塊及爐面底座之組合，包括：一爐面塊，具有一承接面，用以承接該銲晶機上的一基板，且該爐面塊包括：複數個第一穿孔組，其開口位於該爐面塊之承 接面的一中間區域；兩個第二穿孔組，其開口位於爐面塊之承接面的兩個第一外圍區域，該些第一穿孔組及該兩個第二穿孔組係不連接導通；兩個第三穿孔組，其開口位於爐面塊之承接面的中間區域的兩個第二外圍區域，其中該兩個第一外圍區域及該兩個第二外圍區域環繞該中間區域；以及複數個第一縱向通道，用以分別連通該些第一穿孔組；兩個第二縱向通道，用以分別連通該兩個的該些第二穿孔組，該些第一縱向通道及該兩個第二縱向通道係不連接導通；兩個橫向通道，用以分別連通該兩個的該些第三穿孔組，其中該兩個橫向通道與該兩個第二縱向通道係連接導通，且該兩個橫向通道與該兩個第二縱向通道位於同一水平高度；其中上述第一縱向通道、第二縱向通道及橫向通道之兩端皆為封閉端；以及一爐面底座，用以承接並固定該爐面塊，並分別具有一第一管道及一第二管道用以分別導通該些第一縱向通道、該兩個第二縱向通道，並分別連接該銲晶機之第一真空模組及第二真空模組，以分別獨立產生真空吸附該基板之第一區域及兩個第二區域。
本創作之用於銲晶機的雙真空模組的爐面塊及爐面底座之組合，其中，該第一穿孔組、該第二穿孔組及該第三穿孔組係陣列排列成一矩陣。
本創作之用於銲晶機的雙真空模組的爐面塊及爐面底座之組合，其中，該基板之第一區域係相對於該爐面塊之中間區域，以將該基板之第一區域吸附於該爐面塊之中間區域，該基板之兩個第二區域係相對於該爐面塊之兩個第一及第二外圍區域，以將該基板之兩個第二區域吸附於該爐面塊之兩個第一及第二外圍區域。
本創作之用於銲晶機的雙真空模組的爐面塊及爐面底座之組合，其中，該第二穿孔組具有至少一排穿孔連接該第二縱向通道。
本創作之用於銲晶機的雙真空模組的爐面塊及爐面底座之 組合，其中，該第二穿孔組具有兩排穿孔連接該第二縱向通道。
本創作之用於銲晶機的雙真空模組吸附爐面塊及爐面底座，在當動態隨機存取記憶體設計朝向薄型化，容易產生翹曲情況，因此在真空吸附方式時，可以在爐面塊上設計較大的吸附能力，且應用於在銲晶機時，可以減少每次工件需要的吸附次數因而提升產能，節省工作時間，因而提高銲晶機的工作效率。
為期許本創作之目的、功效、特徵及結構能夠有更為詳盡之了解，茲舉較佳實施例並配合圖式說明如後。
10:爐面塊
20:爐面塊
30:爐面底座
32:第一管道
34:第二管道
100:第一穿孔組
200:第二穿孔組
300:第三穿孔組
110:第一縱向通道
210:第二縱向通道
310:橫向通道
410:橫向通道
120:基板
150:第一區域
180:中間區域
182:溝槽
250:第二區域
260:外圍區域
262:溝槽
270:第一外圍區域
280:第二外圍區域
第1圖：本創作實施例之一用於銲晶機的雙真空模組的爐面塊示意圖；
第1a圖：本創作實施例之另一用於銲晶機的雙真空模組的爐面塊示意圖；
第1b圖：本創作實施例之又一用於銲晶機的雙真空模組的爐面塊示意圖；
第2圖：本創作實施例之二用於銲晶機的雙真空模組的爐面塊示意圖；
第3圖：本創作實施例之一用於銲晶機的雙真空模組的爐面底座示意圖；
第4圖：本創作實施例之一用於銲晶機的雙真空模組的爐面塊及爐面底座的組合示意圖。
圖1為本創作實施例之一用於銲晶機的雙真空模組的爐面塊示意圖、圖2為本創作實施例之二用於銲晶機的雙真空模組的爐面塊示意圖、圖3為本創作實施例之一用於銲晶機的雙真空模組的爐面底座示意圖及圖4為本創作實施例之一用於銲晶機的雙真空模組的爐面塊及爐面底座的組合示意圖。請參閱第1圖、第3圖及第4圖，一種用於銲晶機的雙真空模組的爐面塊10及爐面底座30之組合，包括：一爐面塊10，具有一 承接面，用以承接該銲晶機(圖未示)上的一基板120，且該爐面塊10包括：複數個第一穿孔組100，其開口位於該爐面塊10之承接面的一中間區域180；及兩個第二穿孔組200，其開口位於爐面塊10之承接面的兩個外圍區域260，該些第一穿孔組100及該兩個第二穿孔組200係不連接導通；以及複數個第一縱向通道110，用以分別連通該些第一穿孔組100；兩個第二縱向通道210，用以分別連通該兩個的該些第二穿孔組200，該些第一縱向通道110及該兩個第二縱向通道210係不連接導通；兩個橫向通道310，其與該兩個第二縱向通道210係連接導通，且該兩個橫向通道310與該兩個第二縱向通道210之間具有一高低差；其中上述第一縱向通道110、第二縱向通道210及橫向通道310之兩端皆為封閉端；以及一爐面底座30，用以承接並固定(舉例：可用螺絲固定)該爐面塊10，並分別具有一第一管道32及一第二管道34用以分別導通該些第一縱向通道110及該兩個第二縱向通道210，並分別連接該銲晶機之第一真空模組及第二真空模組，以分別獨立產生真空吸附該基板120之第一區域150及兩個第二區域250。
請參閱第1圖，該第一穿孔組100及該第二穿孔組200係陣列排列成一矩陣。
請參閱第1圖及第4圖，該基板120之第一區域150係相對於該爐面塊10之中間區域180，以將該基板120之第一區域150吸附於該爐面塊之中間區域180，該基板120之兩個第二區域250係相對於該爐面塊10之兩個外圍區域260，以將該基板120之兩個第二區域250吸附於該爐面塊10之兩個外圍區域260。
請參閱第1圖，該第二穿孔組200具有至少一排穿孔連接該第二縱向通道210。例如，該第二穿孔組200具有兩排穿孔連接該第二縱向通道210，該兩排穿孔彼此對齊，以增加該爐面塊對該基板之兩個第二區域的吸附力面積。該些穿孔可為圓孔狀或方孔狀。
請參閱第1a圖，該第二穿孔組200具有兩排穿孔連接該第二縱向通道210，該兩排穿孔彼此交錯，以增加該爐面塊對該基板之兩個第二區域的吸附力均勻性。該些穿孔可為圓孔狀或方孔狀。
再者，請參閱第1b圖，該爐面塊10之中間區域180及兩個外圍區域260可設有多條環形溝槽182、262，該多條環形溝槽182、262之位置分別與該第一穿孔組100及該第二穿孔組200之位置重疊，以增加該爐面塊對該基板的吸附力面積及均勻性。該多條環形溝槽182、262之深度可介於0.1~2mm。
請參閱第2圖、第3圖及第4圖，一種用於銲晶機的雙真空模組的爐面塊20及爐面底座30之組合，包括：一爐面塊20，具有一承接面，用以承接該銲晶機(圖未示)上的一基板120，且該爐面塊20包括：複數個第一穿孔組100，其開口位於該爐面塊20之承接面的一中間區域180；兩個第二穿孔組200，其開口位於爐面塊20之承接面的兩個第一外圍區域270，該些第一穿孔組100及該兩個第二穿孔組200係不連接導通；兩個第三穿孔組300，其開口位於爐面塊20之承接面的中間區域180的兩個第二外圍區域280，其中該兩個第一外圍區域270及該兩個第二外圍區域280環繞該中間區域180；以及複數個第一縱向通道110，用以分別連通該些第一穿孔組100；兩個第二縱向通道210，用以分別連通該兩個的該些第二穿孔組200，該些第一縱向通道110及該兩個第二縱向通道210係不連接導通；兩個橫向通道410，用以分別連通該兩個的該些第三穿孔組300，其中該兩個橫向通道410與該兩個第二縱向通道210係連接導通，且該兩個橫向通道410與該兩個第二縱向通道210位於同一水平高度；其中上述第一縱向通道110、第二縱向通道210及橫向通道410之兩端皆為封閉端；以及一爐面底座30，用以承接並固定(舉例：可用螺絲固定)該爐面塊20，並分別具有一第一管道32及一第二管道34用以分別導通該些第一縱向通道110、該兩 個第二縱向通道210，並分別連接該銲晶機之第一真空模組及第二真空模組，以分別獨立產生真空吸附該基板120之第一區域150及兩個第二區域250。
請參閱第2圖，該第一穿孔組100、該第二穿孔組200及該第三穿孔組300係陣列排列成一矩陣。
請參閱第2圖，該基板120之第一區域150係相對於該爐面塊20之中間區域180，以將該基板120之第一區域150吸附於該爐面塊之中間區域180，該基板120之兩個第二區域250係相對於該爐面塊20之兩個第一及第二外圍區域270、280，以將該基板120之兩個第二區域250吸附於該爐面塊20之兩個第一及第二外圍區域270、280。
請參閱第2圖，該第二穿孔組200具有一排穿孔連接該第二縱向通道210。
請參閱第2圖，該第二穿孔組200具有兩排穿孔連接該第二縱向通道210。
綜上所述，本創作用於銲晶機的雙真空模組吸附爐面塊及爐面底座，在當動態隨機存取記憶體設計朝向薄型化，容易產生翹曲情況，因此在真空吸附方式時，可以在爐面塊上設計較大的吸附能力，且應用於在銲晶機時，可以減少每次工件需要的吸附次數因而提升產能，節省工作時間，因而提高銲晶機的工作效率。
故，本創作在同類產品中具有極佳之進步性以及實用性，同時查遍國內外關於此類之技術資料文獻後，確實未發現有相同或近似之構造或技術存在於本案申請之前，因此本案應已符合『可專利性』、『合於產業利用性』以及『進步性』的專利要件，爰依法提出申請之。
唯，以上所述者，僅係本創作之較佳實施例而已，舉凡應用本創作說明書及申請專利範圍所為之其它等效結構變化者，理應包含在本 創作之申請專利範圍內。
10:爐面塊
100:第一穿孔組
200:第二穿孔組
110:第一縱向通道
210:第二縱向通道
310:橫向通道
180:中間區域
260:外圍區域

Claims (10)

  1. 一種用於銲晶機的雙真空模組的爐面塊及爐面底座之組合，包括：
    一爐面塊，具有一承接面，用以承接該銲晶機上的一基板，且該爐面塊包括：
    複數個第一穿孔組，其開口位於該爐面塊之承接面的一中間區域；及
    兩個第二穿孔組，其開口位於爐面塊之承接面的兩個外圍區域，該些第一穿孔組及該兩個第二穿孔組係不連接導通；以及
    複數個第一縱向通道，用以分別連通該些第一穿孔組；
    兩個第二縱向通道，用以分別連通該兩個的該些第二穿孔組，該些第一縱向通道及該兩個第二縱向通道係不連接導通；
    兩個橫向通道，其與該兩個第二縱向通道係連接導通，且該兩個橫向通道與該兩個第二縱向通道之間具有一高低差；
    其中上述第一縱向通道、第二縱向通道及橫向通道之兩端皆為封閉端；以及
    一爐面底座，用以承接並固定該爐面塊，並分別具有一第一管道及一第二管道用以分別導通該些第一縱向通道及該兩個第二縱向通道，並分別連接該銲晶機之第一真空模組及第二真空模組，以分別獨立產生真空吸附該基板之第一區域及兩個第二區域。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之用於銲晶機的雙真空模組的爐面塊及爐面底座之組合，其中，該第一穿孔組及該第二穿孔組係陣列排列成一矩陣；以及，該爐面塊之中間區域及兩個外圍區域設有多條環形溝槽，該多條環形溝槽之位置分別與該第一穿孔組及該第二穿孔組之位置重疊。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之用於銲晶機的雙真空模組的爐面塊及爐面 底座之組合，其中，該基板之第一區域係相對於該爐面塊之中間區域，以將該基板之第一區域吸附於該爐面塊之中間區域，該基板之兩個第二區域係相對於該爐面塊之兩個外圍區域，以將該基板之兩個第二區域吸附於該爐面塊之兩個外圍區域。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之用於銲晶機的雙真空模組的爐面塊及爐面底座之組合，其中，該第二穿孔組具有至少一排穿孔連接該第二縱向通道，該些穿孔為圓孔狀或方孔狀。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之用於銲晶機的雙真空模組的爐面塊及爐面底座之組合，其中，該第二穿孔組具有兩排穿孔連接該第二縱向通道，該兩排穿孔彼此對齊或彼此交錯。
  6. 一種用於銲晶機的雙真空模組的爐面塊及爐面底座之組合，包括：
    一爐面塊，具有一承接面，用以承接該銲晶機上的一基板，且該爐面塊包括：
    複數個第一穿孔組，其開口位於該爐面塊之承接面的一中間區域；
    兩個第二穿孔組，其開口位於爐面塊之承接面的兩個第一外圍區域，該些第一穿孔組及該兩個第二穿孔組係不連接導通；
    兩個第三穿孔組，其開口位於爐面塊之承接面的中間區域的兩個第二外圍區域，其中該兩個第一外圍區域及該兩個第二外圍區域環繞該中間區域；以及
    複數個第一縱向通道，用以分別連通該些第一穿孔組；
    兩個第二縱向通道，用以分別連通該兩個的該些第二穿孔組，該些第一縱向通道及該兩個第二縱向通道係不連接導通；
    兩個橫向通道，用以分別連通該兩個的該些第三穿孔組，其中該兩個橫向通道與該兩個第二縱向通道係連接導通，且該兩個橫向通道與該兩個第二縱向通道位於同一水平高度；
    其中上述第一縱向通道、第二縱向通道及橫向通道之兩端皆為封閉端；以及
    一爐面底座，用以承接並固定該爐面塊，並分別具有一第一管道及一第二管道用以分別導通該些第一縱向通道、該兩個第二縱向通道，並分別連接該銲晶機之第一真空模組及第二真空模組，以分別獨立產生真空吸附該基板之第一區域及兩個第二區域。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之用於銲晶機的雙真空模組的爐面塊及爐面底座之組合，其中，該第一穿孔組、該第二穿孔組及該第三穿孔組係陣列排列成一矩陣。
  8. 如申請專利範圍第6項所述之用於銲晶機的雙真空模組的爐面塊及爐面底座之組合，其中，該基板之第一區域係相對於該爐面塊之中間區域，以將該基板之第一區域吸附於該爐面塊之中間區域，該基板之兩個第二區域係相對於該爐面塊之兩個第一及第二外圍區域，以將該基板之兩個第二區域吸附於該爐面塊之兩個第一及第二外圍區域。
  9. 如申請專利範圍第6項所述之用於銲晶機的雙真空模組的爐面塊及爐面底座之組合，其中，該第二穿孔組具有至少一排穿孔連接該第二縱向通道。
  10. 如申請專利範圍第6項所述之用於銲晶機的雙真空模組的爐面塊及爐面底座之組合，該第二穿孔組具有兩排穿孔連接該第二縱向通道。
TW109205765U 2020-03-13 2020-05-12 用於銲晶機的雙真空模組的爐面塊及爐面底座之組合 TWM603198U (zh)

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