TWM583057U

TWM583057U - 攝像模組

Info

Publication number: TWM583057U
Application number: TW108206734U
Authority: TW
Inventors: 曾英璟; 邱楊博
Original assignee: 華碩電腦股份有限公司
Priority date: 2019-05-28
Filing date: 2019-05-28
Publication date: 2019-09-01

Abstract

一種攝像模組，包括一底座、一感光元件、一殼體、一鏡頭組、一紅外線過濾片與一高分子分散型液晶元件。感光元件係設置於底座上。殼體係設置於底座上且環繞感光元件。此殼體包括一導電層位於其內壁，且導電層延伸至底座。鏡頭組係固定於殼體，且位於感光元件上方。紅外線過濾片係固定於殼體，且位於感光元件與鏡頭組之間。高分子分散型液晶元件係固定於殼體，且覆蓋於紅外線過濾片，並電性連接導電層。

Description

攝像模組

本案係關於一種攝像模組。

攝像模組已經普遍的應用於電子裝置，如手機、平板電腦、筆記型電腦等。使用者透過攝像模組進行視訊通話、自拍上傳的使用方式也越來越廣泛。

不過，因為攝像模組的存在，不可避免的會衍生出隱私方面的問題。舉例來說，若是攝像模組在未經使用者知悉或同意的情況下被開啟，個人隱私資料即可能透過攝像模組外洩。為了解決這個問題，傳統的方式是在攝像模組前方設置滑蓋或鏡頭蓋供使用者使用。不過，此方式會增加機械結構的複雜度，並會增加攝像模組的整體厚度。

本案提供一種攝像模組。此攝像模組包括一底座、一感光元件、一殼體、一鏡頭組、一紅外線過濾片與一高分子分散型液晶(PDLC)元件。感光元件係設置於底座上。殼體係設置於底座上且環繞感光元件。此殼體包括一導電層位於其內壁，且導電層延伸至底座。鏡頭組係固定於殼體，且位於感光元件上方。紅外線過濾片(IR cut filter)係固定於殼體，且位於感光元件與鏡頭組之間。高分子分散型液晶元件係固定於殼體，且覆蓋於紅外線過濾片上，並電性連接導電層。

本案所提供之攝像模組可在不需使用時，透過高分子分散型液晶元件遮蔽感光元件，避免攝像模組在未經使用者知悉或同意的情況下被開啟所可能衍生之隱私外洩問題。

本案所採用的具體實施例，將藉由以下之實施例及圖式作進一步之說明。

100,200,300‧‧‧攝像模組

120‧‧‧底座

150‧‧‧感光元件

140,340‧‧‧殼體

160‧‧‧鏡頭組

170,270,370‧‧‧紅外線過濾片

180,280,380‧‧‧高分子分散型液晶元件

122‧‧‧電路板

124‧‧‧控制晶片

142‧‧‧第一部分

144‧‧‧第二部分

146‧‧‧導電層

145‧‧‧階梯結構

182‧‧‧第一導電層

184‧‧‧第二導電層

186‧‧‧高分子分散型液晶層

345‧‧‧側向凸出結構

第一圖係本案之攝像模組一實施例之示意圖。

第二圖係第一圖之高分子分散型液晶元件一實施例之剖面示意圖。

第三圖係本案之攝像模組另一實施例之示意圖。

第四圖係本案之攝像模組又一實施例之示意圖。

下面將結合示意圖對本案的具體實施方式進行更詳細的描述。根據下列描述和申請專利範圍，本案的優點和特徵將更清楚。需說明的是，圖式均採用非常簡化的形式且均使用非精準的比例，僅用以方便、明晰地輔助說明本案實施例的目的。

第一圖係本案之攝像模組一實施例之示意圖。此攝像模組可應用於手機、平板電腦、筆記型電腦等可用於視訊通話之電子裝置。

如圖中所示，此攝像模組100包括一底座120、一感光元件150、一殼體140、一鏡頭組160、一紅外線過濾片(IR cut filter)170與一高分子分散型液晶(PDLC)元件180。

底座120包括一電路板122與一控制晶片124。感光元件150係設置於底座120之電路板122上，並且透過電路板122上的走線電性連接至控制晶片124。此感光元件150可以是一CMOS感光元件或是一CCD感光元件。在一實施例中，為有效利用電路板122的表面空間，感光元件150係設置於電路板122之上表面，控制晶片124則是設置於電路板122之下表面。

殼體140係設置於底座120之電路板122上且環繞感光元件150。此殼體140包括一第一部分142、一第二部分144與一導電層146。第一部分142係位於第二部分144之上方，且第一部份142之寬度小於第二部分144之寬度，而在第二部分144之上緣形成一階梯結構145。導電層146係位於殼體140之第二部分144之內壁，並且延伸至底座120以電性連接電路板122上的走線。

在一實施例中，此導電層146可利用雷射直接成型(Laser Direct Structuring,LDS)之製程方式，形成於殼體140之內壁。雷射直接成型之製程方式係以雷射光束在塑膠件表面形成粗糙表面以定義出導電層146之位置，隨後再以電鍍等方式，在此粗糙表面處形成導電層146。

在一實施例中，此導電層146可利用嵌件成型(Insert molding)之製程，將兩種不同材質之物體，即塑膠殼體與導電層146，共同以射出成型之製程完成。

鏡頭組160係設置於殼體140之第一部分142，並由殼體140之第一部分142固定於感光元件150上方。紅外線過濾片170係設置於殼體140之第二部分144，並由殼體140之第二部分144固定於感光元件150與鏡頭組160之間。高分子分散型液晶元件180係固定於殼體140之第二部分144，且設置於紅外線過濾片170上，並電性連接位於殼體140之內壁的導電層146。

如圖中所示，在一實施例中，高分子分散型液晶元件180係一膜狀結構，以貼合方式覆蓋於紅外線過濾片170之上表面。此高分子液晶元件180連同紅外線過濾片170係設置於第二部分144上緣之階梯結構145處，並透過導電膠電性連接位於殼體140內壁之導電層146。導電層146係由高分子分散型液晶元件180處沿著殼體140之第二部分144之內壁向下延伸至底座120之電路板122。

請同時參照第二圖，第二圖係第一圖之高分子分散型液晶元件180一實施例之剖面示意圖。如圖中所示，此高分子分散型液晶元件180包括一第一導電層182、一第二導電層184與一高分子分散型液晶層186。高分子分散型液晶層186係夾合於第一導電層182與第二導電層184之間。第一導電層182與第二導電層184係電性連接形成於殼體140內壁之導電層146。

第一導電層182與第二導電層184係用以施加驅動電壓於高分子分散型液晶層186，以改變高分子分散型液晶層186之透光狀態。舉例來說，在正常使用狀態下，第一導電層182與第二導電層184未施加驅動電壓，此時，高分子分散型液晶層186呈現不透光狀態；而在需要遮蔽感光元件150以防止隱私外洩的時候，則是透過第一導電層182與第二導電層184施加驅動電壓於高分子分散型液晶層186，使高分子分散型液晶層186轉變為透光狀態。

第三圖係本案之攝像模組200另一實施例之示意圖。本實施例之攝像模組200與第一圖之攝像模組100的差異在於，本實施例之高分子分散型液晶元件280係覆蓋於紅外線過濾片270之下表面。此攝像模組200之其他部分類似於第一圖之攝像模組100，在此不予贅述。

第四圖係本案之攝像模組300又一實施例之示意圖。不同於第一圖之攝像模組100的殼體140具有一階梯結構145以定位紅外線過濾片170與高分子分散型液晶元件180，本實施例之攝像模組300的殼體340係大致呈現一管狀結構，在殼體340內壁的中間位置具有側向凸出結構345，以承載紅外線過濾片370與高分子分散型液晶元件380。此攝像模組300之其他部分類似於第一圖之攝像模組100，在此不予贅述。

如前述，本案所提供之攝像模組100,200, 300可在不需使用時，透過高分子分散型液晶元件180,280,380遮蔽感光元件150，避免攝像模組100,200,300在未經使用者知悉或同意的情況下被開啟所可能衍生之隱私外洩問題。此外，相較於傳統上在攝像模組前方設置滑蓋或鏡頭蓋以遮蔽攝像模組的方式，本案的結構簡單，且不需增加攝像模組的厚度。

上述僅為本案較佳之實施例而已，並不對本案進行任何限制。任何所屬技術領域的技術人員，在不脫離本案的技術手段的範圍內，對本案揭露的技術手段和技術內容做任何形式的等同替換或修改等變動，均屬未脫離本案的技術手段的內容，仍屬於本案的保護範圍之內。

Claims

一種攝像模組，包括：一底座；一感光元件，設置於該底座上；一殼體，設置於該底座上且環繞該感光元件，該殼體包括一導電層位於其內壁，且該導電層延伸至該底座；一鏡頭組，固定於該殼體，且位於該感光元件上方；一紅外線過濾片(IR cut filter)，固定於該殼體，且位於該感光元件與該鏡頭組之間；以及一高分子分散型液晶(PDLC)元件，固定於該殼體，且覆蓋於該紅外線過濾片，並電性連接該導電層。
如申請專利範圍第1項之攝像模組，其中，該底座包含一電路板以及一控制晶片。
如申請專利範圍第2項之攝像模組，其中，該導電層係延伸至該電路板。
如申請專利範圍第1項之攝像模組，其中，該殼體包括一第一部分與一第二部分，該第一部分係位於該第二部分之上方，該鏡頭組係設置於該第一部分，該紅外線過濾片係設置於該第二部分。
如申請專利範圍第4項之攝像模組，其中，該第二部分之寬度大於該第一部分之寬度。
如申請專利範圍第4項之攝像模組，其中，該第二部分之上緣具有一階梯結構，該紅外線過濾片與該高分子分散型液晶元件係設置於該階梯結構。
如申請專利範圍第1項之攝像模組，其中，該高分子分散型液晶元件包括一第一導電層、一第二導電層與一高分子分散型液晶層，該高分子分散型液晶層係夾合於該第一導電層與該第二導電層之間，該第一導電層與該第二導電層係電性連接該導電層。