TWM575910U - 用於多陰極處理腔室的處理套組 - Google Patents

用於多陰極處理腔室的處理套組 Download PDF

Info

Publication number
TWM575910U
TWM575910U TW107207474U TW107207474U TWM575910U TW M575910 U TWM575910 U TW M575910U TW 107207474 U TW107207474 U TW 107207474U TW 107207474 U TW107207474 U TW 107207474U TW M575910 U TWM575910 U TW M575910U
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
shield
deposition ring
tapered
inches
ring
Prior art date
Application number
TW107207474U
Other languages
English (en)
Inventor
寒冰 吳
安納薩 沙布藍尼
艾希思 戈埃爾
迪帕克 賈德海
汪榮軍
志康 程
Original Assignee
美商應用材料股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 美商應用材料股份有限公司 filed Critical 美商應用材料股份有限公司
Publication of TWM575910U publication Critical patent/TWM575910U/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
    • H01J37/3441—Dark space shields
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
    • H01J37/3414—Targets
    • H01J37/3426—Material
    • H01J37/3429—Plural materials
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/3464—Sputtering using more than one target
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/35—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • C23C16/4585—Devices at or outside the perimeter of the substrate support, e.g. clamping rings, shrouds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32458—Vessel
    • H01J37/32477—Vessel characterised by the means for protecting vessels or internal parts, e.g. coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32623—Mechanical discharge control means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32623—Mechanical discharge control means
    • H01J37/32642—Focus rings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32623—Mechanical discharge control means
    • H01J37/32651—Shields, e.g. dark space shields, Faraday shields
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
    • H01J37/3447—Collimators, shutters, apertures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3488—Constructional details of particle beam apparatus not otherwise provided for, e.g. arrangement, mounting, housing, environment; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32458—Vessel
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32733—Means for moving the material to be treated
    • H01J37/32743—Means for moving the material to be treated for introducing the material into processing chamber

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

本案揭露了用於多陰極處理腔室的處理套組。處理套組包括以下各者中的一個或多個：錐形屏蔽件、可旋轉的屏蔽件、護罩、內部沉積環、外部沉積環或蓋環。在一些實施例中，處理套組包括：可旋轉的屏蔽件、內部沉積環與外部沉積環，該可旋轉的屏蔽件具有底座、錐形部分與套環部分，該錐形部分從該底座向下且向外延伸，該套環部分從該錐形部分向外延伸；該內部沉積環具有腿部分、平坦部分、第一凹部與第一唇部，該平坦部分從該腿部分向內延伸，該第一凹部從該平坦部分向內延伸，該第一唇部從該第一凹部的最內部向上延伸；該外部沉積環具有套環部分、上部平坦部分、第二凹部與第二唇部，該上部平坦部分在該套環部分上方且從該套環部分向內延伸，該第二凹部從該上部平坦部分向內延伸，該第二唇部從該第二凹部向上延伸。

Description

用於多陰極處理腔室的處理套組
本揭示案的實施例一般係關於用於多陰極處理腔室的處理套組。
半導體製造中的物理氣相沉積（PVD）通常用由所需的膜材料製成的靶材施行。在合金的案例中，靶材通常由待濺射的合金組成。在新的非揮發性記憶體的案例中，使用不同成份的合金。如此一來，已經利用多陰極（如多靶材）PVD腔室中的多個靶材來依順序地沉積不同的材料。然而，由於多個靶材的交叉污染，所以會定期清洗靶材以保持薄膜的一致性。例如，在清洗製程期間，擋門（shutter）可以覆蓋複數個靶材中的一個或多個，這可能導致顆粒產生。
因此，本創作人提供了用於多陰極處理腔室的處理套組的實施例。
本說明書提供了用於多陰極處理腔室的處理套組的實施例。處理套組包括以下各者中的一個或多個：錐形屏蔽件、可旋轉的屏蔽件、護罩、內部沉積環、外部沉積環與蓋環。
在一些實施例中，處理套組包括：可旋轉的屏蔽件、內部沉積環與外部沉積環，該可旋轉的屏蔽件具有底座、錐形部分與套環部分，該錐形部分從該底座向下且徑向向外延伸，該套環部分從該錐形部分的底部徑向向外延伸，其中蛋形孔穿過該錐形部分形成；該內部沉積環具有腿部分、平坦部分、第一凹部與第一唇部，該平坦部分從該腿部分徑向向內延伸，該第一凹部從該平坦部分徑向向內延伸，該第一唇部從該第一凹部的最內部向上延伸；該外部沉積環具有套環部分、上部平坦部分、第二凹部與第二唇部，該上部平坦部分設置在該套環部分上方且從該套環部分徑向向內延伸，該第二凹部從該上部平坦部分向內延伸，該第二唇部從該第二凹部的最內部向上延伸。
在一些實施例中，多陰極處理腔室包括基板支撐件、複數個陰極、處理套組，該基板支撐件支撐基板；該複數個陰極耦接到載體且具有相應的待濺射到基板上的複數個靶材；該處理套組設置在該處理腔室內。該處理套組包含可旋轉的屏蔽件、內部沉積環與外部沉積環，該可旋轉的屏蔽件可旋轉地設置在該基板支撐件和該複數個靶材之間，其中該屏蔽件包含底座、錐形部分與套環部分，該錐形部分從該底座向下延伸且徑向向外延伸，該套環部分從該錐形部分的底部徑向向外延伸，其中該屏蔽件包含穿過該錐形部分形成的蛋形孔，該蛋形孔暴露該複數個靶材中的一個靶材，同時覆蓋該複數個靶材中的其餘靶材；該內部沉積環經配置而設置在該基板支撐件的頂上且在該基板的外邊緣之下，其中該內部沉積環包含具有腿部分、平坦部分、第一凹部與第一唇部，該平坦部分從該腿部分徑向向內延伸，該第一凹部從該平坦部分徑向向內延伸，該第一唇部從該第一凹部的最內部向上延伸；該外部沉積環自該內部沉積環徑向向外設置且該外部沉積環具有套環部分、上部平坦部分、第二凹部與第二唇部，該上部平坦部分設置在該套環部分上方且從該套環部分徑向向內延伸，該第二凹部從該上部平坦部分向內延伸，該第二唇部從該第二凹部的最內部向上延伸，其中該內部沉積環的該腿部分延伸到該外部沉積環的該第二凹部中，以在該內部沉積環和該外部沉積環之間形成一迂曲路徑。
在一些實施例中，用於多陰極處理腔室的處理套組包括可旋轉的屏蔽件、內部沉積環、外部沉積環、複數個護罩、錐形屏蔽件與蓋環，該可旋轉的屏蔽件具有底座、錐形部分與套環部分，該錐形部分從該底座向下且徑向向外延伸，該套環部分從該錐形部分的底部徑向向外延伸，其中蛋形孔穿過該錐形部分形成；該內部沉積環具有腿部分、平坦部分、第一凹部與第一唇部，該平坦部分從該腿部分徑向向內延伸，該第一凹部從該平坦部分徑向向內延伸，該第一唇部從該第一凹部的最內部向上延伸；該外部沉積環具有套環部分、上部平坦部分、第二凹部與第二唇部，該上部平坦部分設置在該套環部分上方且從該套環部分徑向向內延伸，該第二凹部從該上部平坦部分向內延伸，該第二唇部從該第二凹部的最內部向上延伸；該複數個護罩經配置繞複數個靶材和該可旋轉的屏蔽件之間的相應複數個靶材設置；其中該錐形屏蔽件的頂部分經配置圍繞該可旋轉的屏蔽件的下部分，及其中該錐形屏蔽件的底部分經配置圍繞基板支撐件；該蓋環經配置而靜置在該錐形屏蔽件的該底部分上。
本揭示案的其他和進一步的實施例描述如下。
本說明書提供了用於多陰極處理腔室的處理套組的實施例。所揭露的處理套組可有利地最小化或消除靶材之間的交叉污染。另外，所揭露的處理套組使處理空間外部的腔室部件上的材料沉積最小化。
在一些實施例中，多陰極-PVD腔室包括附接到頂部配接器的複數個陰極或靶材（如5個陰極）。每個陰極可以具有DC/脈衝DC或RF靶材以及相關的磁控管。每個陰極亦具有護罩，該護罩是不會阻擋從靶材到晶圓的視線的長管。在腔室的中心提供共用的可旋轉的屏蔽件，其由所有陰極共用。根據在相同時間下所需要濺射的靶材的數量，可旋轉的屏蔽件可具有一個或多個孔，如1、2或3個孔。圍繞每個靶材的護罩有利地捕獲大部分的靶材通量，該大部分的靶材通量不是導向晶圓以及因此可能落在晶圓上，從而顯著地最小化靶材交叉污染。在一些實施例中，護罩材料和表面處理可以經定制以適合於被濺射的特定靶材材料，從而改善缺陷效能。
圖1繪示根據本揭示案的一些實施例的多陰極處理腔室（處理腔室100）的示意性截面圖。處理腔室100包括複數個陰極102（如五個陰極）與基板支撐件110，複數個陰極102耦接處理腔室100的上部分，處理腔室100具有處理套組150，基板支撐件110設置處理腔室100內且在複數個陰極102下方。在一些實施例中，基板支撐件110可以是旋轉基座。在一些實施例中，基板支撐件110可以是垂直可移動的。
複數個陰極102可以用於將不同的材料濺射在基板108上。在一些實施例中，基板108是具有用於製造積體電路的半導體材料的結構。例如，基板108可以表示包括晶圓的半導體結構。
在一些實施例中，處理套組150包括可旋轉的屏蔽件106，以選擇性地覆蓋複數個陰極102中的一個或多個。陰極102各自通過可旋轉的屏蔽件106的開口或孔104而暴露，可旋轉的屏蔽件106設置在基板支撐件110上的基板108上方。在一些實施例中，可旋轉的屏蔽件106包括單個孔104。來自陰極102的材料可以通過孔104沉積在基板108上。
電源供應112可耦接到複數個陰極102中的各者。電源供應112可包括直流（DC）、脈衝DC或射頻（RF）電源。在濺射期間，可旋轉的屏蔽件106可將複數個陰極102中的兩個或更多個暴露，以及將其餘的陰極102屏蔽以免於交叉污染。交叉污染源於沉積材料從一個陰極102物理移動或移送到另一個陰極102。每個陰極102定位在相應的靶材114上方。為了濺射所選擇的靶材，旋轉可旋轉的屏蔽件106以暴露待濺射的所選靶材。靶材114可由期望濺射到基板108上的任何材料形成。馬達131經由軸132耦接到可旋轉的屏蔽件106，以利於可旋轉的屏蔽件106旋轉。
在一些實施例中，處理套組150進一步包括對應於每個陰極102的護罩126，護罩126是不會阻擋從靶材114到設置在基板支撐件110上的基板的視線的長管。每個護罩126包括護罩旋轉128，以將陰極102提供在約20至90度的角度130處。角度130的不同值在基板的表面上提供不同的均勻性分佈。在靶材114中的一個靶材的平面和基板支撐件110的平面之間測量角度130。在一些實施例中，角度130為約30度。在一些實施例中，角度130或可為約40度。每個護罩經配置捕獲大部分的靶材通量，該大部分的靶材通量沒有被導向以及因此可能落在基板上。如此一來，護罩顯著地最小化靶材交叉污染。另外，護罩材料和護罩的表面處理可以經定制以適合於特定的靶材材料，從而改善缺陷效能。
如圖7中更詳細地所示，每個護罩126包括管狀主體706，管狀主體706具有平坦端702和相對的彎曲端704，平坦端702經配置耦接到相應的陰極102，彎曲端704經配置與可旋轉的屏蔽件106介接。護罩126的管狀主體706在彎曲端704處的開口716通常與可旋轉的屏蔽件106中的孔104具有大致相同的尺寸和形狀。管狀主體706可以具有沿其主要部分的蛋形截面，從彎曲端704到接近平坦端702。平坦端702的截面從蛋形截面平滑地減小到如708所指示的圓形截面。管狀主體706可以包括靠近平坦端702的第一凸緣（flange）710。在一些實施例中，圓形截面為約6.2至約6.3英吋。第一凸緣710可以包括複數個開口（如三個開口），以利於將護罩126耦接到特定護罩126所附接的相應的陰極102。管狀主體706可以進一步包括靠近彎曲端704的第二凸緣712。護罩126的內表面可以是紋理化的，例如採用鋁電弧噴塗（如雙線電弧噴塗），以增強顆粒固持。第二凸緣712也可以如上所述進行紋理化。
在一些實施例中，且如圖7所示，管狀主體706的平坦端702中的圓形開口的中心軸平行於彎曲端704中的蛋形開口的中心軸。在一些實施例中，且如圖8所示，管狀主體706的平坦端702中的圓形開口的中心軸與彎曲端704中的蛋形開口的中心軸成一角度設置。在一些實施例中，該角度為約10度。
回到圖1，在一些實施例中，處理套組150進一步包括錐形屏蔽件118、蓋環120、內部沉積環140和外部沉積環142。如圖1所示，錐形屏蔽件118的頂部經配置圍繞可旋轉的屏蔽件106的下部，且錐形屏蔽件118的底部經配置圍繞基板支撐件110。在基板108移入或移出腔室之前，基板108可以在設置於處理腔室下部分的錐形屏蔽件118的下方移動。蓋環120設置在錐形屏蔽件118的頂部上且圍繞基板108。當基板支撐件110向下移動時，在基板108移出腔室之前，可以用機械臂（未圖示）升高基板108。
圖6更詳細地繪示錐形屏蔽件118的截面圖。如圖6所示，錐形屏蔽件通常包括頂部分602、中間部分604和底部分606。頂部分602為實質垂直的且包括徑向向外突出的凸緣608。凸緣608可以水平向外水平延伸足夠的量，來提供表面以靜置在支撐錐形屏蔽件118的腔室部件（如處理腔室的壁）上。在一些實施例中，凸緣608從頂部分602的外壁徑向向外延伸約0.810英吋。可以穿過凸緣608提供複數個開口610，以利於將錐形屏蔽件118耦接到例如處理腔室的壁。複數個開口610可以沿凸緣608等距地間隔開。在一些實施例中，提供十二個開口610且十二個開口610在相鄰開口610之間間隔30度。
中間部分604為實質線性的且從頂部分602徑向向內和向下傾斜。中間部分604可以相對於頂部分602以約110度的角度設置，如在頂部分602和中間部分604的徑向向內面對的表面之間所測量的。
底部分606為實質線性的且從與頂部分602相對的中間部分604的端部垂直向下延伸。底部分包括徑向向內突出的凸緣612。在一些實施例中，凸緣612的寬度為約2.26英吋，凸緣612的內直徑為約15.12英吋。在一些實施例中，凸緣612的厚度為約0.17英吋。在一些實施例中，凸緣612包括內環形唇部614，其沿著凸緣612的內直徑從凸緣612向上突出。在一些實施例中，唇部614在凸緣612的上表面上方延伸約0.04英吋。在一些實施例中，唇部614具有約0.6英吋的寬度。內環形唇部614具有實質平坦的上表面，為蓋環120提供減少的接觸支撐表面。
頂部分602具有足以圍繞處理腔室的上部區域中的部件（例如可旋轉的屏蔽件106和護罩126）的直徑。中間部分604具有變化的直徑，該直徑從鄰近頂部分602往鄰近底部分606減少。底部分606的直徑小於頂部分602且足以圍繞處理腔室的下部區域中的部件（如基板支撐件110、內部和外部沉積環140、142及蓋環120）。例如，在一些實施例中，頂部分602的內直徑約為27.16英吋，底部分606的內直徑約為19.32英吋，以及中間部分604的內直徑在頂部分602和底部分606之間線性變化。
錐形屏蔽件118可以是紋理化的，例如採用鋁電弧噴塗（如雙線電弧噴塗），以增強顆粒固持。在一些實施例中，頂部分602可以比中間部分604和底部分606厚。在一些實施例中，中間部分604可以比底部分606厚。在一些實施例中，頂部分602比中間部分604厚，且中間部分604比底部分606厚。例如，在一些實施例中，頂部分602具有約0.52英吋的厚度，中間部分604具有約0.25英吋的厚度，及底部分606具有約0.17英吋的厚度。
錐形屏蔽件118的總高度可以在約8.5至約8.75英吋之間，例如約8.64英吋。在一些實施例中，頂部分602具有約3.23英吋的高度（從凸緣608的頂部到頂部分602和中間部分604的外部理論尖角交叉處所測量的）。在一些實施例中，底部分606的高度在約4.5和4.7英吋之間，如約4.6英吋（從凸緣612的底部到底部分606和中間部分604的外部理論尖角交叉處所測量的）。
回到圖1，蓋環120可以包括底部分123和環部分122，環部分122從底部分123向上彎曲且具有以預定厚度以形成可以設置基板的碟或碗。環部分122圍繞基板108的上表面，且設置在基板108的上表面上方或設置在與基板108的上表面的相同高度處。蓋環120可以進一步包括從底部分123向下延伸的環形腳部121。
蓋環120亦可以包括相對於錐形屏蔽件118的一預定間隙124和一預定長度。因此，當材料沉積在基板108上時，防止或實質防止材料在基板支撐件110下方或錐形屏蔽件118外部沉積。如上所述控制材料的沉積有利地防止或減少污染物擴散到基板108或處理腔室內。在一些實施例中，蓋環120的上表面可以是紋理化的，例如採用鋁電弧噴塗（如雙線電弧噴塗），以增強顆粒固持。在一些實施例中，除了環形腳部121和環形腳部121的徑向向外的底部分123的下表面之外，蓋環120的所有表面都可以是紋理化的，從而降低了蓋環120黏附到錐形屏蔽件118的風險。
蓋環120的外直徑小於錐形屏蔽件118的底部分606的內直徑，使得蓋環120可以設置在錐形屏蔽件118的中心開口內以及靜置在凸緣612上，如靜置在唇部614上。在一些實施例中，蓋環120的外直徑為約18.9至約19英吋。在一些實施例中，環部分122的內直徑為約18.50至約18.75英吋。在一些實施例中，底部分123的內直徑在約13.0至13.1英吋之間。在一些實施例中，蓋環120的總高度在約0.9至1.0英吋之間。
在一些實施例中，底部分123具有約0.21英吋的厚度。在一些實施例中，底部分123具有平坦的上表面和環形腳部121的徑向向外的第一下表面以及環形腳部121的徑向向內的第二下表面，環形腳部121的徑向向外的第一下表面界定第一厚度，環形腳部121的徑向向內的第二下表面界定第二厚度，其中第一厚度大於第二厚度。例如，在一些實施例中，第一厚度約為0.21英吋，第二厚度約為0.18英吋。在一些實施例中，環形腳部121可從底部分123或從底部分123的第一下表面突出約0.17英吋。在一些實施例中，環形腳部121的外直徑約為14.92英吋，以及內直徑約為14.17英吋。
在一些實施例中，環形腳部121的下部徑向內部部分可設置在指向徑向向外方向上非垂直角度的淺處（如圖2中的228所指示）。在一些實施例中，非垂直角度是與垂直於底部分123相夾的角度約30度。傾斜表面有利地有助於將蓋環120定位和安裝在外部沉積環142的頂上。
內部沉積環140和外部沉積環142進一步防止材料沉積在基板支撐件110下方。本創作人已經發現，兩件式沉積環有利地減少了由固定式（stationary）沉積環引起的磨損，固定式沉積環可能接觸旋轉基板108和/或基板支撐件110，而導致損壞以及產生可能污染腔室的顆粒。如此一來，本創作人提供了內部沉積環140和外部沉積環142，內部沉積環140位於基板支撐件110上且隨其旋轉，外部沉積環142位於固定式腔室部件上。
圖2繪示圖1中所示的處理套組的一部分之放大截面圖。在一些實施例中，內部沉積環140包括腿部分220、平坦部分221、凹部222（如第一凹部）與唇部223（如第一唇部），平坦部分221從腿部分220徑向向內延伸，凹部222從平坦部分221徑向向內延伸，唇部223從凹部222的最內部向上延伸。在一些實施例中，凹部222可由傾斜的壁206形成，傾斜的壁206向下且向內延伸到凹部222的平坦底部分，該平坦底部分終止於唇部223。在一些實施例中，內部沉積環140亦可包括在凹部222的外周邊處的凸耳（ledge），以防止在基板支撐件110旋轉期間在基板108移動的情況下基板108自基板支撐件110上掉落。
在一些實施例中，內部沉積環140的底表面由腿部分220的底表面、腿部分220的內壁、第一平坦表面、通往第二平坦表面向內且向下傾斜的壁、及在內部沉積環140的內壁終止的向上傾斜的壁所界定，第一平坦表面通常與平坦部分221相對，第二平坦表面通常與凹部222相對。在一些實施例中，內部沉積環140的最下部最內部邊緣（如在第二平坦表面和內壁的交叉處）作倒角，例如，成約45度。
在一些實施例中，內部沉積環140的外直徑為約12.7英吋至約12.9英吋。在一些實施例中，內部沉積環140的內直徑為約11.4至約11.6英吋。在一些實施例中，內部沉積環140具有約0.55至約0.65英吋的寬度。在一些實施例中，內部沉積環140具有約0.20至約0.3英吋的總高度。在一些實施例中，內沉積環140的腿部分220具有約0.75至約1.5英吋的寬度。在一些實施例中，腿部分220的內壁具有約12.5至約12.6英吋的直徑。在一些實施例中，唇部223的寬度為約0.05至約0.08英吋。
內沉積環140的上表面可以是紋理化的，例如採用鋁電弧噴塗（如雙線電弧噴塗），以增強顆粒固持。在一些實施例中，內沉積環140的所有表面可以如上所述進行紋理化，除了從腿部分220的內壁到相對於凹部222的平坦底表面的內周邊緣之間的底表面之外。
在一些實施例中，外部沉積環142包括套環部分224、上部平坦部分225、凹部226（如第二凹部）與唇部227（如第二唇部），上部平坦部分225設置在套環部分224上方且從套環部分224徑向向內設置，凹部226從上部平坦部分225向內延伸，唇部227從凹部226的最內部向上延伸。套環部分224界定凸耳，該凸耳位於上部平坦部分225下方且從上部平坦部分225徑向向外延伸。
在一些實施例中，外部沉積環142的上表面被界定於套環部分224的凸耳、上部平坦部分225、凹部226和唇部227之間。在一些實施例中，且如圖2和3所示，外部沉積環142的下表面為階梯狀的且包括最內部的平坦部分302（通常與唇部227和凹部226相對）、中間平坦部分304（通常與凹部226和上部平坦部分225之間的傾斜表面相對）以及最外部的平坦部分306（通常與上部平坦部分225相對且沿著套環部分224徑向向外延伸）。垂直壁連接外部沉積環142的下表面的最內部的平坦部分302、中間平坦部分304和最外部的平坦部分306。
在一些實施例中，外部沉積環142的外直徑為約14.5至約14.7英吋。在一些實施例中，外部沉積環142的內直徑為約12.1至約12.3英吋。在一些實施例中，外部沉積環142具有約1.1至約1.3英吋的寬度。在一些實施例中，外部沉積環142具有約0.4至約0.6英吋的總高度。在一些實施例中，外部沉積環142的唇部227具有約0.75至約1.5英吋的寬度。在一些實施例中，外部沉積環142的唇部227在凹部226上方具有約0.1至約0.2英吋的高度。在一些實施例中，凹部226具有從唇部227的垂直內側壁向內延伸的約0.4至約0.6英吋的底部平坦表面。在一些實施例中，將凹部226的底部平坦表面連接到上部平坦部分225的傾斜壁是向上成約25度至約35度、或約30度的角度。在一些實施例中，套環部分224的凸耳設置在上部平坦部分225的上表面下方約0.15至約0.20英吋處。在一些實施例中，套環部分224的下表面設置在套環部分224的凸耳下方約0.24至約0.27英吋處。在一些實施例中，套環部分224的最外部的平坦部分306具有約0.4英吋至約0.5英吋的長度。在一些實施例中，套環部分224的中間平坦部分304具有約0.15至約0.3英吋的長度。在一些實施例中，套環部分224的最內部的平坦部分302具有約0.5英吋至約0.6英吋的長度。
外部沉積環142的上表面可以是紋理化的，例如採用鋁電弧噴塗（如雙線電弧噴塗），以增強顆粒固持。在一些實施例中，外部沉積環142僅在唇部227的上表面與凹部226直到上部平坦部分225之間進行紋理化，但紋理化不包括上部平坦部分225。
如圖2所示，內部沉積環140的腿部分220延伸到外部沉積環142的凹部226中，以在內部和外部沉積環140、142之間形成一迂曲路徑250。在一些實施例中，內部沉積環140的腿部分220與外部沉積環142的凹部226垂直間隔開第一間隙202，以確保旋轉的內部沉積環140不接觸固定式外部沉積環142同時還確保濺射的材料不會逸出到基板支撐件110下方的區域中。在一些實施例中，第一間隙202為約0.045英吋至約0.055英吋。唇部223與基板108垂直間隔開第二間隙204，以確保內部沉積環140不接觸及污染基板108。在一些實施例中，第二間隙204為約0.008英吋至約0.012英吋。在一些實施例中，內部沉積環140具有約11.5英吋的第一內直徑和約12.8英吋的第一外直徑。在一些實施例中，外部沉積環142具有約12.2英吋的第二內直徑和約13.7英吋至約14.6英吋的第二外直徑。
在一些實施例中，外部沉積環142包括複數個特徵208，當外部沉積環142安裝在處理腔室100中時，複數個特徵208靜置在基板支撐件的部件210上。圖3是沉積環142的透視底視圖，更清楚地表示出複數個特徵208。如圖3所示，複數個特徵208從外部沉積環142的下表面的中間平坦部分304突出。在一些實施例中，複數個特徵208彼此等距地間隔開。在一些實施例中，提供三個特徵208。在一些實施例中，提供三個特徵208且彼此間隔120度。
將參考圖4和5來作可旋轉的屏蔽件106的以下描述。圖4繪示根據本揭示案的一些實施例的可旋轉的屏蔽件106的透視頂視圖。圖5繪示沿線5-5'截取的圖4的可旋轉的屏蔽件106的截面圖。在一些實施例中，可旋轉的屏蔽件包括底座406、錐形部分402及套環部分404，錐形部分402從底座406向下且徑向向外延伸的，套環部分404從錐形部分402的底部徑向向外延伸。孔104在錐形部分402中形成。匹配孔408在底座406的上表面中形成以接收軸132，以利於可旋轉的屏蔽件106的旋轉。匹配孔408具有與軸132對應的形狀，且匹配孔408經配置將軸132的旋轉傳遞到可旋轉的屏蔽件106，同時消除軸132相對於可旋轉的屏蔽件106旋轉的可能性。也就是說，匹配孔408經成形以防止軸132在匹配孔408內滑動及防止軸132相對於可旋轉的屏蔽件106旋轉。
如圖5所示，底座包括複數個孔504，固定元件延伸穿過複數個孔504以將可旋轉的屏蔽件106固定於軸132。在一些實施例中，底座406可進一步包括V形通道502，為固定元件提供易於製造的、牢固的安裝面。在一些實施例中，孔104為蛋形的以對應於護罩126的形狀。在一些實施例中，孔104由第一圓和第二圓界定，第一圓和第二圓沿著隨與可旋轉的屏蔽件106的中心軸相交的錐形部分的線彼此偏移。第一圓設置得更靠近可旋轉的屏蔽件106的外邊緣，且具有比第二圓更大的直徑。該孔如果進一步由耦接第一和第二圓的兩條切線界定，以提供孔104的平滑、連續輪廓，例如，如圖4所示。在一些實施例中，第一圓的直徑為約4至約4.1英吋，第二圓的直徑為約3至約3.1英吋，第一和第二圓的偏移約2.3至約2.4英吋。
在一些實施例中，可旋轉的屏蔽件106可以具有約11至約11.25英吋的總高度。在一些實施例中，可旋轉的屏蔽件106可以具有約21至約21.25英吋的最大內直徑（如在錐形部分的底部處）。在一些實施例中，可旋轉的屏蔽件106可以具有約24.75至約25英吋的最大外直徑（如在錐形部分的凸緣的端部處）。在一些實施例中，可旋轉的屏蔽件106的底座406可具有約6.25至約6.5英吋的外直徑。在一些實施例中，錐形部分可以以約30度至約50度、或約35度至約45度、或約40度的角度設置。在一些實施例中，錐形部分可具有約0.25至約0.5英吋或約0.3英吋的厚度。可旋轉的屏蔽件106的內表面可以是紋理化的，例如採用鋁電弧噴塗（如雙線電弧噴塗），以增強顆粒固持。在一些實施例中，可旋轉的屏蔽件106的所有表面可如上所述進行紋理化，除了V形通道502和V形通道502上方的所有表面之外。
雖然前面所述係針對本揭示案的實施例，但在不背離本揭示案基本範圍下，可設計本揭示案揭露的其他與進一步的實施例。
100‧‧‧處理腔室
102‧‧‧陰極
104‧‧‧孔
106‧‧‧可旋轉的屏蔽件
108‧‧‧基板
110‧‧‧基板支撐件
112‧‧‧電源供應
114‧‧‧靶材
118‧‧‧錐形屏蔽件
120‧‧‧蓋環
121‧‧‧環形腳部
122‧‧‧環部分
123‧‧‧底部分
124‧‧‧間隙
126‧‧‧護罩
128‧‧‧護罩旋轉
130‧‧‧角度
131‧‧‧馬達
132‧‧‧軸
140‧‧‧內部沉積環
142‧‧‧外部沉積環
150‧‧‧處理套組
202‧‧‧第一間隙
204‧‧‧第二間隙
206‧‧‧傾斜壁
208‧‧‧特徵
210‧‧‧部件
220‧‧‧腿部分
221‧‧‧平坦部分
222‧‧‧凹部
223‧‧‧唇部
224‧‧‧套環部分
225‧‧‧上部平坦部分
226‧‧‧凹部
227‧‧‧唇部
250‧‧‧迂曲路徑
302‧‧‧最內部的平坦部分
304‧‧‧中間平坦部分
306‧‧‧最外部的平坦部分
402‧‧‧錐形部分
404‧‧‧套環部分
406‧‧‧底座
408‧‧‧匹配孔
502‧‧‧V形通道
504‧‧‧孔
602‧‧‧頂部分
604‧‧‧中間部分
606‧‧‧底部分
608‧‧‧凸緣
610‧‧‧開口
612‧‧‧凸緣
614‧‧‧唇部
702‧‧‧平坦端
704‧‧‧彎曲端
706‧‧‧管狀主體
710‧‧‧第一凸緣
712‧‧‧第二凸緣
716‧‧‧開口
本揭示案之實施例已簡要概述於前，並在以下有更詳盡之討論，可以藉由參考所附圖式中繪示之本揭示案的示例性實施例以作瞭解。然而，所附圖式僅繪示了本揭示案的典型實施例，而由於本揭示案可允許其他等效之實施例，因此所附圖式並不會視為本揭示範圍之限制。
圖1繪示根據本揭示案的一些實施例的多陰極處理腔室的截面圖。
圖2繪示圖1的多陰極處理腔室的沉積環的放大截面圖。
圖3繪示根據本揭示案的一些實施例的沉積環的透視底視圖。
圖4繪示根據本揭示案的一些實施例的可旋轉的屏蔽件的透視頂視圖。
圖5繪示沿線5-5'截取的圖4的可旋轉的屏蔽件的截面圖。
圖6繪示圖1的多陰極處理腔室的錐形屏蔽的截面圖。
圖7繪示根據本揭示案的一些實施例的圖1的多陰極處理腔室的護罩的截面圖。
圖8繪示根據本揭示案的一些實施例的圖1的多陰極處理腔室的另一個護罩的截面圖。
為便於理解，在可能的情況下，使用相同的數字編號代表圖示中相同的元件。為求清楚，圖式未依比例繪示且可能被簡化。一個實施例中的元件與特徵可有利地用於其他實施例中而無需贅述。

Claims (20)

  1. 一種用於多陰極處理腔室的處理套組，包括： 一可旋轉的屏蔽件，該可旋轉的屏蔽件具有一底座、一錐形部分與一套環部分，該錐形部分從該底座向下且徑向向外延伸，該套環部分從該錐形部分的一底部徑向向外延伸，其中一蛋形孔穿過該錐形部分形成； 一內部沉積環，該內部沉積環具有一腿部分、一平坦部分、一第一凹部與一第一唇部，該平坦部分從該腿部分徑向向內延伸，該第一凹部從該平坦部分徑向向內延伸，該第一唇部從該第一凹部的一最內部向上延伸；及 一外部沉積環，該外部沉積環具有一套環部分、一上部平坦部分、一第二凹部與一第二唇部，該上部平坦部分設置在該套環部分上方且從該套環部分徑向向內延伸，該第二凹部從該上部平坦部分向內延伸，該第二唇部從該第二凹部的一最內部向上延伸。
  2. 如請求項1所述之處理套組，其中該內部沉積環的一第一內直徑為約11.5英吋。
  3. 如請求項1所述之處理套組，其中該內部沉積環的一第一外直徑為約12.8英吋。
  4. 如請求項1所述之處理套組，其中該外部沉積環的一第二內直徑為約12.2英吋。
  5. 如請求項1所述之處理套組，其中該外部沉積環的一第二外直徑在約13.7英吋至14.6英吋之間。
  6. 如請求項1所述之處理套組，進一步包括： 複數個護罩，該複數個護罩經配置繞複數個靶材和該可旋轉的屏蔽件之間的相應複數個靶材設置。
  7. 如請求項1所述之處理套組，進一步包括： 一錐形屏蔽件，其中該錐形屏蔽件的一頂部分經配置圍繞該可旋轉的屏蔽件的一下部分，及其中該錐形屏蔽件的一底部分經配置圍繞一基板支撐件。
  8. 如請求項7所述之處理套組，進一步包括： 一蓋環，該蓋環經配置而靜置在該錐形屏蔽件的該底部分上。
  9. 一種多陰極處理腔室，包括： 一基板支撐件，該基板支撐件用於支撐一基板； 複數個陰極，該複數個陰極耦接到一載體且具有相應的待濺射到基板上的複數個靶材；及 一處理套組，該處理套組設置在該多陰極處理腔室內，其中該處理套組包含： 一可旋轉的屏蔽件，該可旋轉的屏蔽件可旋轉地設置在該基板支撐件和該複數個靶材之間，其中該可旋轉的屏蔽件包含一底座、一錐形部分與一套環部分，該錐形部分從該底座向下延伸且徑向向外延伸，該套環部分從該錐形部分的一底部徑向向外延伸，其中該蛋形孔穿過該錐形部分形成以暴露該複數個靶材中的一個靶材，同時覆蓋該複數個靶材中的其餘靶材； 一內部沉積環，該內部沉積環經配置而設置在該基板支撐件的頂上且在該基板的一外邊緣之下，其中該內部沉積環包含具有一腿部分、一平坦部分、一第一凹部與一第一唇部，該平坦部分從該腿部分徑向向內延伸，該第一凹部從該平坦部分徑向向內延伸，該第一唇部從該第一凹部的一最內部向上延伸；及 一外部沉積環，該外部沉積環自該內部沉積環徑向向外設置且該外部沉積環具有一套環部分、一上部平坦部分、一第二凹部與一第二唇部，該上部平坦部分設置在該套環部分上方且從該套環部分徑向向內延伸，該第二凹部從該上部平坦部分向內延伸，該第二唇部從該第二凹部的一最內部向上延伸， 其中該內部沉積環的該腿部分延伸到該外部沉積環的該第二凹部中，以在該內部沉積環和該外部沉積環之間形成一迂曲路徑。
  10. 如請求項9所述之多陰極處理腔室，其中該內部沉積環的該腿部分與該外部沉積環的該第二凹部垂直間隔開約0.045英吋至約0.055英吋之間的一第一間隙。
  11. 如請求項9所述之多陰極處理腔室，其中該內部沉積環的該第一唇部與該基板垂直間隔開約0.008英吋至約0.012英吋之間的一第二間隙。
  12. 如請求項9所述之多陰極處理腔室，其中該複數個陰極包括五個陰極。
  13. 如請求項9所述之多陰極處理腔室，進一步包括： 複數個護罩，該複數個護罩各自圍繞該複數個靶材中的相應靶材。
  14. 如請求項9所述之多陰極處理腔室，其中該處理套組進一步包括： 一錐形屏蔽件，其中該錐形屏蔽件的一頂部分圍繞該可旋轉的屏蔽件的一下部分，及其中該錐形屏蔽件的一底部圍繞該基板支撐件。
  15. 如請求項14所述之多陰極處理腔室，其中該處理套組進一步包括： 一蓋環，該蓋環設置在該錐形屏蔽件的該底部的頂上。
  16. 如請求項9所述之多陰極處理腔室，其中該內部沉積環的一第一內直徑為約11.5英吋。
  17. 如請求項9所述之多陰極處理腔室，其中該內部沉積環的一第一外直徑為約12.8英吋。
  18. 如請求項9所述之多陰極處理腔室，其中該外部沉積環的一第二內直徑為約12.2英吋。
  19. 如請求項9所述之多陰極處理腔室，其中該外部沉積環的一第二外直徑在約13.7英吋至約14.6英吋之間。
  20. 一種用於多陰極處理腔室的處理套組，包括： 一可旋轉的屏蔽件，該可旋轉的屏蔽件具有一底座、一錐形部分與一套環部分，該錐形部分從該底座向下且徑向向外延伸，該套環部分從該錐形部分的一底部徑向向外延伸，其中一蛋形孔穿過該錐形部分形成； 一內部沉積環，該內部沉積環具有一腿部分、一平坦部分、一第一凹部與一第一唇部，該平坦部分從該腿部分徑向向內延伸，該第一凹部從該平坦部分徑向向內延伸，該第一唇部從該第一凹部的一最內部向上延伸； 一外部沉積環，該外部沉積環具有一套環部分、一上部平坦部分、一第二凹部與一第二唇部，該上部平坦部分設置在該套環部分上方且從該套環部分徑向向內延伸，該第二凹部從該上部平坦部分向內延伸，該第二唇部從該第二凹部的一最內部向上延伸； 複數個護罩，該複數個護罩經配置繞複數個靶材和該可旋轉的屏蔽件之間的相應複數個靶材設置； 一錐形屏蔽件，其中該錐形屏蔽件的一頂部分經配置圍繞該可旋轉的屏蔽件的一下部分，及其中該錐形屏蔽件的一底部分經配置圍繞一基板支撐件；及 一蓋環，該蓋環經配置而靜置在該錐形屏蔽件的該底部分上。
TW107207474U 2017-06-05 2018-06-05 用於多陰極處理腔室的處理套組 TWM575910U (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US15/614,595 2017-06-05
US15/614,595 US11043364B2 (en) 2017-06-05 2017-06-05 Process kit for multi-cathode processing chamber

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TWM575910U true TWM575910U (zh) 2019-03-21

Family

ID=64458969

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW107207474U TWM575910U (zh) 2017-06-05 2018-06-05 用於多陰極處理腔室的處理套組

Country Status (7)

Country Link
US (1) US11043364B2 (zh)
EP (1) EP3635767B1 (zh)
JP (1) JP3226673U (zh)
KR (1) KR200497559Y1 (zh)
CN (2) CN215731576U (zh)
TW (1) TWM575910U (zh)
WO (1) WO2018226683A1 (zh)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20190301012A1 (en) * 2018-04-02 2019-10-03 Veeco Instruments Inc. Wafer processing system with flow extender
KR102686791B1 (ko) * 2019-05-22 2024-07-19 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 고온 부식성 환경을 위한 기판 지지부 커버
TW202129045A (zh) * 2019-12-05 2021-08-01 美商應用材料股份有限公司 多陰極沉積系統與方法
US11361950B2 (en) * 2020-04-15 2022-06-14 Applied Materials, Inc. Multi-cathode processing chamber with dual rotatable shields
US11545347B2 (en) * 2020-11-05 2023-01-03 Applied Materials, Inc. Internally divisible process chamber using a shutter disk assembly
CN116288182A (zh) * 2022-11-25 2023-06-23 宁波江丰电子材料股份有限公司 一种溅射用防护圈及其应用
CN115747733A (zh) * 2022-11-25 2023-03-07 宁波江丰电子材料股份有限公司 一种溅射用沉积环及其应用

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5658442A (en) * 1996-03-07 1997-08-19 Applied Materials, Inc. Target and dark space shield for a physical vapor deposition system
KR100578129B1 (ko) 2003-09-19 2006-05-10 삼성전자주식회사 플라즈마 식각 장치
KR20050038898A (ko) 2003-10-23 2005-04-29 삼성전자주식회사 반도체 기판의 건식 식각 장치
US7670436B2 (en) * 2004-11-03 2010-03-02 Applied Materials, Inc. Support ring assembly
US9127362B2 (en) * 2005-10-31 2015-09-08 Applied Materials, Inc. Process kit and target for substrate processing chamber
US20070283884A1 (en) * 2006-05-30 2007-12-13 Applied Materials, Inc. Ring assembly for substrate processing chamber
US20080257263A1 (en) * 2007-04-23 2008-10-23 Applied Materials, Inc. Cooling shield for substrate processing chamber
US9062379B2 (en) * 2008-04-16 2015-06-23 Applied Materials, Inc. Wafer processing deposition shielding components
JP5916384B2 (ja) * 2008-04-16 2016-05-11 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ ウェハ処理堆積物遮蔽構成材
WO2010038421A1 (ja) * 2008-09-30 2010-04-08 キヤノンアネルバ株式会社 スパッタリング装置及びスパッタリング方法
CN101989544B (zh) 2009-08-07 2012-05-23 中微半导体设备(上海)有限公司 一种可减少基片背面聚合物的结构
KR102124441B1 (ko) * 2009-12-31 2020-06-18 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 웨이퍼 엣지 및 경사면 증착을 수정하기 위한 쉐도우 링
US8920564B2 (en) * 2010-07-02 2014-12-30 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for thermal based substrate processing with variable temperature capability
WO2012033198A1 (ja) * 2010-09-10 2012-03-15 株式会社 アルバック スパッタ装置
GB2497948A (en) * 2011-12-22 2013-07-03 Thermo Fisher Scient Bremen Collision cell for tandem mass spectrometry
CN104968829B (zh) 2013-02-28 2017-05-10 佳能安内华股份有限公司 溅射设备
US10099245B2 (en) * 2013-03-14 2018-10-16 Applied Materials, Inc. Process kit for deposition and etching
JP5602282B2 (ja) 2013-06-06 2014-10-08 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置およびフォーカスリングとフォーカスリング部品
US11183375B2 (en) 2014-03-31 2021-11-23 Applied Materials, Inc. Deposition system with multi-cathode and method of manufacture thereof
US10103012B2 (en) * 2015-09-11 2018-10-16 Applied Materials, Inc. One-piece process kit shield for reducing the impact of an electric field near the substrate

Also Published As

Publication number Publication date
EP3635767A1 (en) 2020-04-15
US20180350572A1 (en) 2018-12-06
JP3226673U (ja) 2020-07-09
KR20200000128U (ko) 2020-01-15
EP3635767B1 (en) 2022-10-26
US11043364B2 (en) 2021-06-22
WO2018226683A1 (en) 2018-12-13
CN212392209U (zh) 2021-01-22
CN215731576U (zh) 2022-02-01
EP3635767A4 (en) 2021-03-03
KR200497559Y1 (ko) 2023-12-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWM575910U (zh) 用於多陰極處理腔室的處理套組
TWI703236B (zh) 用於共同濺射多個靶材之方法和設備
TWI770678B (zh) 具有高沉積環及沉積環夾之處理套組
TWI778947B (zh) 用於處理基板的方法與設備
US8647484B2 (en) Target for sputtering chamber
US7981262B2 (en) Process kit for substrate processing chamber
TWI704655B (zh) 用於減少基板附近的電場影響之單件式處理套組屏蔽
KR101939640B1 (ko) 웨이퍼 프로세싱 증착 차폐 컴포넌트들
JP2009529249A (ja) ノッチ付き堆積リング
US20240242947A1 (en) Process kit having tall deposition ring for pvd chamber
US11581167B2 (en) Process kit having tall deposition ring and smaller diameter electrostatic chuck (ESC) for PVD chamber
JP2023521267A (ja) ２重の回転式シールドを有するマルチカソード処理チャンバ
TW201812927A (zh) 單一氧化物金屬沉積腔室