TWM569497U

TWM569497U - 發光裝置

Info

Publication number: TWM569497U
Application number: TW107209965U
Authority: TW
Inventors: 吳忠杰; 黃乾祐; 林鉅強
Original assignee: 大陸商寶宸（廈門）光學科技有限公司
Priority date: 2018-03-30
Filing date: 2018-07-23
Publication date: 2018-11-01
Also published as: TW201943103A; CN110323340A

Abstract

本創作公開一種發光裝置，包含：電路基板、發光二極體晶片、具隔熱作用的阻隔層、量子點材料層及保護層。發光二極體晶片設置於電路基板的表面。阻隔層形成於電路基板的表面並覆蓋於發光二極體晶片，用以完全密封發光二極體晶片，阻隔發光二極體晶片產生的熱能向外擴散，其中阻隔層包含上表面及與上表面接合的側邊表面。量子點材料層至少形成於阻隔層的上表面，以直接接觸阻隔層。保護層至少形成於量子點材料層的部分的外表面。

Description

發光裝置

本創作是關於一種發光裝置，尤其是關於一種具有量子點(Quantum Dots，QD)材料的發光裝置。

奈米材料的應用是近幾年來熱門的話題，其中，量子點材料是典型的奈米材料之一。在顯示及照明領域中，隨著對色彩飽和度及發光色域的日漸要求，由於量子點材料本身具有半峰全寬(Full width at half maximum,FWHM)較小，較容易實現高穿透率及保證高色域(NTSC)的特性，並且透過組成材料和大小形狀來改變入射光波長，可供精確地控制色點。因此，量子點材料已逐漸被導入應用在顯示或照明領域之中。

請參考第一圖，為現有技術之發光裝置的剖面示意圖。第一圖所示的發光裝置是先製作出已封裝好並且包含量子點材料的發光二極體燈粒8之後，再通過表面貼焊技術(Surface Mount Technology,SMT)製程來將一顆一顆的發光二極體燈粒8貼焊於一電路板9上，以模組化成片狀的發光裝置。其中，每一顆發光二極體燈粒8包含支架80、發光二極體晶片81及封裝膠材82。發光二極體晶片81是設置在支架80所提供的凹槽內。封裝膠材82是由量子點材料821與膠材822等材料混合而成，並且點膠在支架80的凹槽內以覆蓋發光二極體晶片81表面。為了製成發光裝置，封裝完成的每顆發光二極體燈粒8必須再經過高溫的SMT製程，如此將會讓包含量子點材料821的封裝膠材82一併通過高溫的製程，因此量子點材料821將會因高溫而產生劣化。此外，量子點材料821也會因缺少有效隔絕而容易與外界環境產生氧化反應而造成壽命衰減。

為了改善上述問題，現有技術更提出一種改良設計，請參考第二圖，為另一現有技術之發光裝置的剖面示意圖。第二圖所示的發光裝置是直接將支架80、發光二極體晶片81及量子點封裝結構83封裝成一模組以供使用，讓所設置的量子點封裝結構83不需再經過高溫製程。

支架80包含具電路佈線的基板801及框架802，並且支架80可採用一條狀的設計。框架802包含支撐部8021及容置空間8022，支撐部8021用來支撐及架設量子點封裝結構83；容置空間8022用來容置多個發光二極體晶片81。發光二極體晶片81位於容置空間8022中並且固晶於基板801上。量子點封裝結構83置放於支撐部8021，其中量子點封裝結構83通常是將量子點材料831密封於一容器832中，藉以有效避免量子點材料831與外界環境接觸而產生氧化反應。封裝膠84填充於容置空間8022並且覆蓋發光二極體晶片81，封裝膠84除了用來封裝發光二極體晶片81之外，更是用來固定前述架設於支撐部8021的量子點封裝結構83。

第二圖所示的發光裝置雖然可以避免量子點材料的劣化或氧化，但是目前量子點封裝結構83在設計上通常是採用一玻璃容器來封裝量子點材料831，以製成一量子條；或者採用一膜材(如PET)來包覆量子點材料831，以製成量子點膜片(QD Film)，如此一來，量子點封裝結構83將具有一定的厚度，至少大於200微米(μm)。此外，支架80也需再佔用一定的空間，因此，發光裝置將不利於應用在日益講究輕薄的產品上。

對此，要如何讓發光裝置在擁有量子點材料所帶來的效果之下，還能夠兼顧產品本身的輕薄化，便是目前值得研究發展的方向。

本創作之多個實施方式通過結構上的改良，以疊層方式直接堆疊製作而成，讓發光裝置不僅具有輕薄化的優勢，並且還能保護量子點材料避免受到高溫或高濕環境的影響，延長量子點材料應用於發光裝置時的使用壽命。

根據本創作之部分實施方式，提供一種發光裝置，其包含：電路基板、發光二極體晶片、具隔熱作用的阻隔層、量子點材料層及保護層。其中，發光二極體晶片設置於電路基板的表面。阻隔層形成於電路基板的表面並覆蓋於發光二極體晶片，用以完全密封發光二極體晶片，阻隔發光二極體晶片產生的熱能向外擴散，其中阻隔層包含上表面及與上表面接合的側邊表面。量子點材料層至少形成於阻隔層的上表面，以直接接觸阻隔層。保護層至少形成於量子點材料層的部分的外表面。

於本創作之部分實施方式中，量子點材料層自阻隔層的上表面延伸形成於阻隔層的側邊表面及電路基板的表面，以完全包覆阻隔層。

於本創作之部分實施方式中，量子點材料層的外表面區分為上側外表面及與上側外表面接合的側邊外表面，保護層形成於量子點材料層的上側外表面，並自量子點材料層的上側外表面延伸形成於量子點材料層的側邊外表面及電路基板的表面，以完全密封量子點材料層。

於本創作之部分實施方式中，發光裝置更包括限光層，形成於電路基板的表面及阻隔層的側邊表面，並與保護層接合而完全密封阻隔層及量子點材料層。其中，量子點材料層的外表面區分為上側外表面及與上側外表面接合的側邊外表面，並且保護層包含出光上表面及與出光上表面接合的出光側邊表面。

於本創作之部分實施方式中，保護層形成於量子點材料層的上側外表面及側邊外表面。

於本創作之部分實施方式中，限光層的高度等於電路基板的表面至阻隔層的上表面之間的垂直距離。

於本創作之部分實施方式中，限光層形成於量子點材料層的側邊外表面，並且保護層形成於量子點材料層的上側外表面並延伸接觸限光層。

於本創作之部分實施方式中，限光層的高度等於電路基板的表面至量子點材料層的上側外表面之間的垂直距離。

於本創作之部分實施方式中，保護層形成於量子點材料層的上側外表面，並且限光層形成於量子點材料層的側邊外表面及保護層的出光側邊表面。

於本創作之部分實施方式中，限光層的高度等於電路基板的表面至保護層的出光上表面之間的垂直距離。

於本創作之部分實施方式中，限光層為不透光層，用以反射發光二極體晶片射出的光線。

於本創作之部分實施方式中，阻隔層的上表面或側邊表面至發光二極體晶片的垂直距離至少為50微米。

於本創作之部分實施方式中，發光裝置更包括散熱模組，設置於電路基板相對於發光二極體晶片的表面。

10‧‧‧電路基板

101‧‧‧電極接點

11‧‧‧發光二極體晶片

12‧‧‧阻隔層

121‧‧‧上表面

122‧‧‧側邊表面

13‧‧‧量子點材料層

131‧‧‧上側外表面

132‧‧‧側邊外表面

14‧‧‧保護層

141‧‧‧出光上表面

142‧‧‧出光側邊表面

15‧‧‧限光層

20‧‧‧散熱模組

D‧‧‧距離

H‧‧‧高度

8‧‧‧發光二極體燈粒

80‧‧‧支架

801‧‧‧基板

802‧‧‧框架

8021‧‧‧支撐部

8022‧‧‧容置空間

81‧‧‧發光二極體晶片

82‧‧‧封裝膠材

821、831‧‧‧量子點材料

822‧‧‧膠材

83‧‧‧量子點封裝結構

832‧‧‧容器

84‧‧‧封裝膠

9‧‧‧電路板

第一圖為現有技術之發光裝置的剖面示意圖。

第二圖為另一現有技術之發光裝置的剖面示意圖。

第三圖為根據本創作之第一實施方式之發光裝置的剖面示意圖。

第四圖為根據本創作之第二實施方式之發光裝置的剖面示意圖。

第五圖為根據本創作之第三實施方式之發光裝置的剖面示意圖。

第六圖為根據本創作之第四實施方式之發光裝置的剖面示意圖。

第七圖為根據本創作之第一實施方式之發光裝置的製造方法的流程圖。

第八圖為根據本創作之第二實施方式之發光裝置的製造方法的流程圖。

第九圖為根據本創作之第三實施方式之發光裝置的製造方法的流程圖。

第十圖為根據本創作之第四實施方式之發光裝置的製造方法的流程圖。

以下將以圖式揭露本創作之多個實施方式，為明確說明起見，許多實務上的細節將在以下敘述中一併說明。然而，應瞭解到，這些實務上的細節不應用以限制本創作。此外，為簡化圖式起見，一些習知慣用的結構與元件在圖式中將以簡單示意的方式為之。再者，實施方式中所提及的“上”、“下”、“左”、“右”、“內”、“外”、“側邊”等位置詞僅指當前指定視圖的相對位置，而非絕對位置，在實施方式中，“上”及“外”是指相對較靠近使用者的一側。

請參考第三圖，為根據本創作之第一實施方式之發光裝置的剖面示意圖。本實施方式的發光裝置是一模組化結構，可直接應用於各種顯示裝置、照明裝置等電子產品。發光裝置是片狀態樣的模組化結構，並且可以是呈現為長條形、圓形等各種形狀的片狀態樣，在此並非為本創作所限制。發光裝置包含：電路基板10、發光二極體晶片11、具隔熱作用的阻隔層12、量子點材料層13及保護層14。

發光二極體晶片11設置於電路基板10的表面，在本實施方式是例如設置於電路基板10的上方表面，具體來講，發光二極體晶片11可例如是以表面貼焊技術(Surface Mount Technology,SMT)通過高溫的回焊爐製程來直接固晶打線於電路基板10的表面，以電性連接電路基板10，其中高溫的溫度是大於260℃。在一實施方式中，發光二極體晶片11可以是一顆或多顆。在另一實施方式中，發光二極體晶片11可例如是藍光發光二極體晶片。

具隔熱作用的阻隔層12形成於電路基板10的表面，也就是和發光二極體晶片11位於電路基板10的同一表面，用來覆蓋於發光二極體晶片11，具體來講，阻隔層12是覆蓋於發光二極體晶片11除了與電路基板10接觸之面以外的所有表面，以完全密封發光二極體晶片11，阻隔發光二極體晶片11運作時產生的熱能向外擴散。在一實施方式中，阻隔層12的材料是例如包含膠材及阻隔顆粒物質，並且為一透光層的設計。其中，阻隔顆粒物質佔整體的重量百分比是不超過5%，在較佳的實施方式中，阻隔顆粒物質佔整體的重量百分比是2%~3%。此外，膠材可例如是選用矽膠(Silicone)或環氧樹脂(Epoxy)，而阻隔顆粒物質可例如是選自二氧化矽(SiO₂)、二氧化鈦(TiO₂)、氮化硼(BN)及二氧化鋯(ZrO₂)的任一或組合。需說明的是，阻隔層12在設計上若阻隔顆粒物質佔整體的重量百分比是大於5%的話，則會形成不透光效果。

此外，阻隔層12在完全密封發光二極體晶片11後提供了一上表面121及與上表面121接合的一側邊表面122，其中側邊表面122是泛指除了上表面121及和上表面121相對的下表面之外的所有表面，側邊表面122實際依阻隔層12所密封而成的形狀而例如可包含四個表面、五個表面等，使得阻隔層12在上表面121的橫截面為四邊形、五邊形等，在此並非本創作所限制。在另外的實施方式中，側邊表面122也可以是一體的圓弧形表面，使得阻隔層12在上表面121的橫截面為圓形。

值得一提的是，阻隔層12為了能有效阻隔發光二極體晶片11運作時所產生的熱能，避免讓熱能影響量子點材料層13而造成劣化，在一實施方式中，阻隔層12的上表面121或側邊表面122至發光二極體晶片11的垂直距離D較佳是至少設計為50微米，也就是阻隔層12的厚度較佳是至少50微米。

量子點材料層13至少形成於阻隔層12的上表面121，並且直接接觸阻隔層12。在本實施方式中，量子點材料層13是自阻隔層12的上表面121延伸形成於阻隔層12的側邊表面122及電路基板10的表面，以完全包覆阻隔層12。在結構上，所形成的量子點材料層13具有一外表面，所述的外表面可進一步區分為一上側外表面131及與上側外表面131接合的一側邊外表面132。在本實施方式中，由於量子點材料層13是覆蓋於阻隔層12，因此量子點材料層13的上側外表面131是對應位於阻隔層12的上表面121上方；而側邊外表面132是對應位於阻隔層12的側邊表面122的外側，並隨著阻隔層12所形成的密封形狀而包含數量相同且形狀相同的表面。在另一實施方式中，量子點材料層13的厚度(自阻隔層12的上表面121至量子點材料層13的上側外表面131的垂直距離)可例如設計為50微米。

量子點材料層13的材料可依實際設計來選擇，在此並非本創作所限制，舉例而言，量子點材料可以是鎘系量子點，如硒化鎘/硫化鎘(CdSe/CdS)的核/殼(Core-shell)結構、磷化銦量子點，如磷化銦/硫化鋅(InP/ZnS)的核/殼結構等。補充說明的是，具有量子點材料層13的發光裝置具有提高色域(NTSC)的效果，在一實施方式中，具有量子點材料層13的發光裝置相較於傳統的發光二極體可提高20%以上的NTSC。

保護層14至少形成於量子點材料層13的部分外表面。在本實施方式中，保護層14形成於量子點材料層13的上側外表面131，並自量子點材料層13的上側外表面131延伸形成於量子點材料層13的側邊外表面132及電路基板10的表面，以完全密封量子點材料層13。在結構上，保護層14包含一出光上表面141及與出光上表面141接合的一出光側邊表面142。在本實施方式中，由於保護層14是完全覆蓋於量子點材料層13，因此保護層 14的出光上表面141是對應位於量子點材料層13的上側外表面131上方；而出光側邊表面142是對應位於量子點材料層13的側邊外表面132的外側，並隨著量子點材料層13所形成的包覆形狀而包含數量相同且形狀相同的表面。在另一實施方式中，保護層14的出光側邊表面142也可不必隨著量子點材料層13來成形，而可以依據實際設計需求而讓出光側邊表面142包含與量子點材料層13的側邊外表面132數量不同及/或形狀不同的表面。

在一實施方式中，保護層14是一透光層，其材料可以選自與阻隔層12相同的材料。當然，在其他實施方式中，保護層14的材料也可選自與阻隔層12不同的材料。此外，保護層14的厚度(自量子點材料層13的上側外表面131至保護層14的出光上表面141的垂直距離)可例如設計為50微米。

承上所述，本實施方式所架構而成的發光裝置是由內而外以疊層方式逐層堆疊製作而成，在一實施方式中，在發光二極體晶片11設置完成之後，其餘在阻隔層12、量子點材料層13及保護層14的疊層製作方式可例如是逐層以灌膠及固化的方式來直接堆疊而成，使得整體在堆疊製程後可形成一模組化結構，讓發光裝置具有輕薄化的優勢。在一實施方式中，自電路基板10的表面至保護層14的出光上表面141所形成的高度H是小於400微米。在另一實施方式中，自電路基板10的表面至保護層14的出光上表面141所形成的高度H是小於300微米。此外，發光裝置通過阻隔層12及保護層14的設計，讓量子點材料層13能夠避免受到發光二極體晶片11運作時所產生的熱能的影響，而且也能夠避免受到外界環境的溫度、濕氣及氧氣的影響，延長量子點材料層13應用於發光裝置時的使用壽命。

進一步說明的是，由於阻隔層12及保護層14包含阻隔顆粒物質，因此可增加發光裝置的光線散射效果。此外，由於阻隔層12及保護層14是例如採用透光層的設計，因此本實施方式中的發光二極體晶片11所產生的光線將不會受到任何阻礙，而可完全由保護層14的出光上表面141及出光側邊表面142向外射出，讓發光裝置具有較大的發光角度及範圍。

本實施方式的發光裝置更包括散熱模組20，設置於電路基板10相對於發光二極體晶片11的表面，也就是電路基板10的下方表面。散熱模組20用來將發光二極體晶片11運作產生的熱能散出，避免發光二極體晶片11因過熱而造成使用壽命衰減。在一實施方式中，散熱模組20可以通過機構組合件(圖未示)來直接組裝於電路基板10，在另外的實施方式中，散熱模組20也可通過黏合膠(圖未示)來貼附於電路基板10。

此外，電路基板10包括電路佈線(圖未示)和一對電極接點101，該對電極接點101例如是一個正電接點和一個負電接點，用來接受一外部電源(圖未示)的供電。電路基板10上的所有發光二極體晶片11通過電路佈線進行串聯及/或並聯，並與該對電極接點101電性連接。當發光裝置應用於各種顯示裝置、照明裝置等電子產品時，只需將電子產品所提供的外部電源電性連接於該對電路接點101即可進行使用。

請參考第四圖，為根據本創作之第二實施方式之發光裝置的剖面示意圖。第四圖所示的發光裝置的結構大致與第一實施方式的發光裝置的結構相同，差異點在於，本實施方式的發光裝置更包含一限光層15，此外在量子點材料層13及保護層14的形成位置上也有所不同。以下僅針對不同結構的部分進行說明，相同結構的部分就不再加以贅述。

本實施方式的量子點材料層13僅形成於阻隔層12的上表面121。增加設計的限光層15則是形成於電路基板10的表面及阻隔層12的側邊表面122。此外，保護層14形成於量子點材料層13的上側外表面131和側邊外表面132，並與限光層15接合。如此一來，本實施方式是通過保護層14和限光層15的接合結構設計來完全密封阻隔層12和量子點材料層13。

承上所述的結構，本實施方式的限光層15的高度等於電路基板10的表面至阻隔層12的上表面121之間的垂直距離。此外，限光層15為不透光層，可反射發光二極體晶片11射出的光線，進而限制發光裝置的發光角度及範圍。在一實施方式中，限光層15的材料包含膠材及阻隔顆粒物質，其中阻隔顆粒物質佔整體重量百分比的5%~50%，並且膠材可例如選用矽膠或(Silicone)或環氧樹脂(Epoxy)，而阻隔顆粒物質可例如是選自二氧化矽(SiO₂)、二氧化鈦(TiO₂)、氮化硼(BN)及二氧化鋯(ZrO₂)的任一或組合。此外，在其他實施方式中，限光層15可設計為白色不透光層。需說明的是，限光層15在設計上若阻隔顆粒物質佔整體的重量百分比是超過50%的話，則會造成粉膠比太高，讓限光層15的附著度降低而容易產生脫落(Peeling)的現象。

本實施方式所架構而成的發光裝置是由內而外以疊層方式逐層堆疊製作而成，在一實施方式中，在發光二極體晶片11設置完成之後，其餘在阻隔層12、量子點材料層13、保護層14及限光層15的疊層製作方式可例如是逐層以灌膠及固化的方式來直接堆疊而成；另外也可以是逐層以貼片方式來直接堆疊而成，使得整體在堆疊製程後可形成一模組化結構，讓發光裝置具有輕薄化的優勢。而有別於第一實施方式的架構，本實施方式是利用阻隔層12來避免發光二極體晶片11產生的熱能影響量子點材料層13，並利用保護層14及限光層15所形成的接合結構來避免外界環境的溫度、濕氣及氧氣影響量子點材料層13。

此外，本實施方式的發光二極體晶片11所發出的光線相較於第一實施方式(第三圖)會較為集中，發光二極體晶片11所發出的光線會在高於限光層15高度的位置之後才再由保護層14的出光上表面141及出光側邊表面142向外射出。

請再參考第五圖，為根據本創作之第三實施方式之發光裝置的剖面示意圖。第五圖所示的發光裝置的結構大致與第二實施方式的發光裝置的結構相同，差異點在於，本實施方式的發光裝置的保護層14及限光層15之間所形成的位置關係不同。以下也僅針對不同結構的部分進行說明，其餘部分就不再贅述。

本實施方式的限光層15形成於量子點材料層13的側邊外表面132。相對的，保護層14是形成於量子點材料層13的上側外表面131並延伸接觸限光層15，使保護層14和限光層15得以接合而完全密封阻隔層12和量子點材料層13。

承上所述的結構，本實施方式的限光層15的高度等於電路基板10的表面至量子點材料層13的上側外表面131之間的垂直距離。由於本實施方式的限光層15的高度相對高於第二實施方式(第四圖)的限光層15的高度，因此本實施方式的發光二極體晶片11所發出的光線相較於第二實施方式將會更為集中，發光二極體晶片11所發出的光線會在高於限光層15高度的位置之後才再由保護層14的出光上表面141及出光側邊表面142向外射出。

請再參考第六圖，為根據本創作之第四實施方式之發光裝置的剖面示意圖。第六圖所示的發光裝置的結構大致與第二實施方式的發光裝置的結構相同，差異點在於，本實施方式的發光裝置的保護層14及限光層15之間所形成的位置關係不同。以下也僅針對不同結構的部分進行說明，其餘部分就不再贅述。

本實施方式的保護層14僅形成於覆蓋量子點材料層13的上側外表面131。限光層15則是形成於量子點材料層13的側邊外表面132及保護層14的出光側邊表面142，使得保護層14和限光層15得以接合而用來完全密封阻隔層12和量子點材料層13。

承上所述的結構，本實施方式的限光層15的高度等於電路基板10的表面至保護層14的出光上表面141之間的垂直距離。由於本實施方式的限光層15的高度相對更高於第三實施方式(第五圖)的限光層15的高度，因此本實施方式的發光二極體晶片11所發出的光線相較於第三實施方式將會更為集中，發光二極體晶片11所發出的光線會在高於限光層15高度的位置之後直接由保護層14的出光上表面141向外射出，換言之，本實施方式的發光二極體晶片11所發出的光線將會被限制為集中向上射出。

由本創作第二實施方式(第四圖)至第四實施方式(第六圖)的內容可以了解，為了因應不同電子產品的規格需求，限光層15可設計為不同的高度，用以調整發光裝置的發光角度及範圍，讓應用上可以獲得較佳的適用性。

為了進一步說明前述各實施方式之發光裝置的製作過程，請繼續參考以下所陳述的各種製造方法實施方式，需先敘明的是，以下主要是針對流程步驟來進行說明，有關結構、材料的部分就不再重複贅述。

請參考第七圖，為根據本創作之第一實施方式之發光裝置的製造方法的流程圖。為了更明確了解，可再一併參照第三圖所示的發光裝置的結構。本實施方式的發光裝置的製造方法的步驟包括：首先，設置發光二極體晶片11於電路基板10的表面(S701)。其中，發光二極體晶片11可例如是以SMT通過高溫的回焊爐製程來直接固晶打線於電路基板10的表面，其中高溫的溫度是大於260℃。接著，形成具隔熱作用的阻隔層12於電路基板10的表面，並覆蓋發光二極體晶片11(S703)，其中阻隔層12是用來完全密封發光二極體晶片11，阻隔發光二極體晶片11運作時產生的熱能向外擴散。

在利用阻隔層12來密封發光二極體晶片11之後，形成量子點材料層13於阻隔層12的上表面121(S705)，並且進一步自阻隔層12的上表面121延伸形成量子點材料層13於阻隔層12的側邊表面122及電路基板10的表面(S707)，讓量子點材料層13可以直接接觸阻隔層12並完全包覆阻隔層12。在一實施方式中，步驟S705和步驟S707可以在製程的同一步驟中進行。最後，再形成保護層14於量子點材料層13的上側外表面131及側邊外表面132(S709)，更具體來講，保護層14是形成於量子點材料層13的上側外表面131，並自量子點材料層13的上側外表面131延伸形成於量子點材料層13的側邊外表面132及電路基板10的表面，以完全密封量子點材料層13。

在一實施方式中，為了讓發光裝置具有較佳的散熱效果，在步驟S709完成之後，可再選擇性地設置散熱模組20於電路基板10相對於發光二極體晶片11的表面。

請再參考第八圖，為根據本創作之第二實施方式之發光裝置的製造方法的流程圖。為了更明確了解，可再一併參照第四圖所示的發光裝置的結構。本實施方式的發光裝置的製造方法中的步驟S801~S805大致與第一實施方式中的步驟S701~S705相同，因此就不再贅述。

在步驟S805完成之後，本實施方式進一步形成限光層15於電路基板10的表面及阻隔層12的側邊表面122(S807)，以及形成保護層14於量子點材料層13的上側外表面131及側邊外表面132(S809)，使得保護層14得以接觸限光層15，並與限光層15接合而用來完全密封阻隔層12及量子點材料層13。此外，為了讓發光裝置具有較佳的散熱效果，在步驟S809完成之後，同樣可再選擇性地設置散熱模組20於電路基板10相對於發光二極體晶片11的表面。

請再參考第九圖，為根據本創作之第三實施方式之發光裝置的製造方法的流程圖。為了更明確了解，可再一併參照第五圖所示的發光裝置的結構。本實施方式的發光裝置的製造方法中的步驟S901~S905大致與第一實施方式中的步驟S701~S705相同，因此就不再贅述。

在步驟S905完成之後，本實施方式進一步形成限光層15於電路基板10的表面、阻隔層12的側邊表面122及量子點材料層 13的側邊外表面132(S907)，以及形成保護層14於量子點材料層13的上側外表面131並延伸接觸限光層15(S909)，使得保護層14得以與限光層15接合而用來完全密封阻隔層12及量子點材料層13。此外，為了讓發光裝置具有較佳的散熱效果，在步驟S909完成之後，同樣可再選擇性地設置散熱模組20於電路基板10相對於發光二極體晶片11的表面。

請再參考第十圖，為根據本創作之第四實施方式之發光裝置的製造方法的流程圖。為了更明確了解，可再一併參照第六圖所示的發光裝置的結構。本實施方式的發光裝置的製造方法中的步驟S1001~S1005大致與第一實施方式中的步驟S701~S705相同，因此就不再贅述。

在步驟S1005完成之後，本實施方式進一步形成保護層14於量子點材料層13的上側外表面131(S1007)，以及形成限光層15於電路基板10的表面、阻隔層12的側邊表面122、量子點材料層13的側邊外表面132及保護層14的出光側邊表面142(S1009)。如此一來，保護層14得以與限光層15接合而用來完全密封阻隔層12及量子點材料層13。此外，為了讓發光裝置具有較佳的散熱效果，在步驟S909完成之後，同樣可再選擇性地設置散熱模組20於電路基板10相對於發光二極體晶片11的表面。

由前述各個製造方法的實例可以了解，實施方式中有關阻隔層12、量子點材料層13、保護層14，甚至是限光層15都可例如是逐層以灌膠及固化的方式來直接堆疊而成；另外也可以是逐層以貼片方式來直接堆疊而成，使得整體在堆疊製程後可形成一模組化結構。結構上，量子點材料層13藉由阻隔層12的阻隔作用而有效避免受到發光二極體晶片11所產生的高溫的影響，以及藉由保護層14或藉由保護層14及限光層15的密封保護作用而有效避免受到外界環境的溫度、濕氣及氧氣的影響。整體而言，在具有量子點材料的發光裝置中，完全不需要有任何支撐用的支架或框架設計，讓模組化後的發光裝置整體具有輕薄化的優勢。

雖然本創作已以多種實施方式揭露如上，然其並非用以限定本創作，任何熟習此技藝者，在不脫離本創作之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾，因此本創作之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

Claims

一種發光裝置，包含：一電路基板；一發光二極體晶片，設置於該電路基板的表面；一具隔熱作用的阻隔層，形成於該電路基板的表面並覆蓋於該發光二極體晶片，用以完全密封該發光二極體晶片，阻隔該發光二極體晶片產生的熱能向外擴散，其中該阻隔層包含一上表面及與該上表面接合的一側邊表面；一量子點材料層，至少形成於該阻隔層的該上表面，以直接接觸該阻隔層；以及一保護層，至少形成於該量子點材料層的部分的一外表面。
如請求項1所述之發光裝置，其中該量子點材料層自該阻隔層的該上表面延伸形成於該阻隔層的該側邊表面及該電路基板的表面，以完全包覆該阻隔層。
如請求項2所述之發光裝置，其中該量子點材料層的該外表面區分為一上側外表面及與該上側外表面接合的一側邊外表面，該保護層形成於該量子點材料層的該上側外表面，並自該量子點材料層的該上側外表面延伸形成於該量子點材料層的該側邊外表面及該電路基板的表面，以完全密封該量子點材料層。
如請求項1所述之發光裝置，更包括：一限光層，形成於該電路基板的表面及該阻隔層的該側邊表面，並與該保護層接合而完全密封該阻隔層及該量子點材料層；其中，該量子點材料層的該外表面區分為一上側外表面及與該上側外表面接合的一側邊外表面，並且該保護層包含一出光上表面及與該出光上表面接合的一出光側邊表面。
如請求項4所述之發光裝置，其中該保護層形成於該量子點材料層的該上側外表面及該側邊外表面。
如請求項5所述之發光裝置，其中該限光層的高度等於該電路基板的表面至該阻隔層的該上表面之間的垂直距離。
如請求項4所述之發光裝置，其中該限光層形成於該量子點材料層的該側邊外表面，並且該保護層形成於該量子點材料層的該上側外表面並延伸接觸該限光層。
如請求項7所述之發光裝置，其中該限光層的高度等於該電路基板的表面至該量子點材料層的該上側外表面之間的垂直距離。
如請求項4所述之發光裝置，其中該保護層形成於該量子點材料層的該上側外表面，並且該限光層形成於該量子點材料層的該側邊外表面及該保護層的該出光側邊表面。
如請求項9所述之發光裝置，其中該限光層的高度等於該電路基板的表面至該保護層的該出光上表面之間的垂直距離。
如請求項4所述之發光裝置，其中該限光層為不透光層，用以反射該發光二極體晶片射出的光線。
如請求項1所述之發光裝置，其中該阻隔層的該上表面或該側邊表面至該發光二極體晶片的垂直距離至少為50微米。
如請求項1所述之發光裝置，更包括：一散熱模組，設置於該電路基板相對於該發光二極體晶片的表面。