TWM565896U - Riser card - Google Patents

Abstract

本創作為有關一種轉接卡，該殼體內部之容置空間一側設有插接空間，而容置空間另側處設有鏤空孔，再於容置空間內定位有轉接模組，其轉接模組之基座上設有符合SD規格之接點組，而接點組具有露出於複數鏤空孔處之九個接點，當插接空間內插入有NanoSD/MMC記憶卡，且該轉接卡插入於SD規格之外部讀卡槽後，便可藉由轉接模組來將NanoSD/MMC訊號轉換成SD訊號，進而使外部讀卡槽可讀取NanoSD/MMC記憶卡內部之資訊。

Description

轉接卡

本創作係提供一種轉接卡，尤指殼體內定位有轉接模組，其轉接模組之基座上設有符合SD規格之接點組，當進行讀卡作業時，可藉由轉接模組來將NanoSD/MMC訊號轉換成SD訊號，以使SD規格讀卡槽可讀取NanoSD/MMC記憶卡資訊。

按，隨著科技時代來臨，大量的電子、電氣產品充斥市面、坊間，更邁向了數位化的高科技世代前進，則各種各式的電子、電氣數位產品，如：數位行動電話具備有記憶的文件資料或靜態、動態的影音資料，都必須透過記憶卡(電子卡)來進行記錄、記憶，然而，為了符合目前電子產品體積輕、薄、短、小之設計理念與訴求，便有業者研發出體積小且不佔空間之NanoSD/MMC規格記憶卡。

但是，由於目前家庭或辦公室中的筆記型電腦、桌上型電腦等電子裝置所裝設之讀卡槽大多只能供SD規格記憶卡插設，並僅能讀取SD規格之訊號，所以欲讀取NanoSD/MMC規格記憶卡時，即必須添購可供讀取NanoSD/MMC規格記憶卡之讀卡設備，故當記憶卡規格推陳出新時，舊規格的記憶卡及相對配件勢必遭淘汰，導致造成諸多浪費及不環保，然而，其因不少家庭、辦公室等使用者，會同時擁有 許多電子裝置，而當電子裝置數量多時，一個電子裝置即必須裝設新的讀卡設備，才可對NanoSD/MMC規格記憶卡進行讀卡作業，以致於使用者光是購買讀卡設備就需要花費不少金錢，無形中形成了許多開銷及浪費。

是以，要如何設法解決上述習用之缺失與不便，即為相關業者所亟欲研究改善之方向所在。

故，創作人有鑑於上述之問題與缺失，乃蒐集相關資料，經由多方評估及考量，並以從事於此行業累積之多年經驗，經由不斷試作及修改，始設計出此種轉接卡之新型誕生。

本創作之主要目的乃在於該殼體為包括有相互組合之基部及蓋板，並於基部及蓋板內部形成有容置空間，且基部位於容置空間一側處設有插接空間，而蓋板位於容置空間另側處設有至少一個朝外側貫通之鏤空孔，再於容置空間內定位有轉接模組，其轉接模組之基座上設有符合SD規格之接點組，而接點組具有露出於複數鏤空孔處之九個接點，當插接空間內插入有NanoSD/MMC記憶卡，且該轉接卡插入於SD規格之讀卡槽後，便可藉由轉接模組來將NanoSD/MMC訊號轉換成SD訊號，進而使讀卡槽可讀取NanoSD/MMC記憶卡內部資訊，藉以不用另外添購讀取NanoSD/MMC規格訊號的電子設備，進而達到方便使用、節省成本之目的。

1‧‧‧殼體

10‧‧‧容置空間

11‧‧‧基座

111‧‧‧凸扣

12‧‧‧蓋板

121‧‧‧凹孔

13‧‧‧插接空間

14‧‧‧鏤空孔

2‧‧‧轉接模組

21‧‧‧基座

211‧‧‧絕緣座體

2111‧‧‧穿孔

2112‧‧‧接點槽

212‧‧‧電路板

2120‧‧‧剖槽

2121‧‧‧焊接點

2122‧‧‧定位孔

22‧‧‧接點組

2201‧‧‧第一訊號接點

2202‧‧‧第二訊號接點

2203‧‧‧第一接地導電接點

2204‧‧‧電源接點

2205‧‧‧第三訊號接點

2206‧‧‧第二接地導電接點

2207‧‧‧第四訊號接點

2208‧‧‧第五訊號接點

2209‧‧‧第六訊號接點

221‧‧‧接點

2210‧‧‧連接片

23‧‧‧對接端子組

2301‧‧‧第一對接端子

2302‧‧‧第二對接端子

2303‧‧‧第三對接端子

2304‧‧‧第四對接端子

2305‧‧‧第五對接端子

2306‧‧‧第六對接端子

2307‧‧‧第七對接端子

2308‧‧‧第八對接端子

231‧‧‧對接端子

2311‧‧‧對接端

2312‧‧‧焊接端

24‧‧‧銜接片

25‧‧‧限位板

251‧‧‧定位塊

252‧‧‧通孔

3‧‧‧NanoSD/MMC記憶卡

30‧‧‧缺角

31‧‧‧金屬接點

311‧‧‧第一訊號金屬接點

312‧‧‧第二訊號金屬接點

313‧‧‧接地金屬接點

314‧‧‧第三訊號金屬接點

315‧‧‧第四訊號金屬接點

316‧‧‧電源金屬接點

317‧‧‧第五訊號金屬接點

318‧‧‧第六訊號金屬接點

第一圖 係為本創作之立體外觀圖。

第二圖 係為本創作之立體分解圖。

第三圖 係為本創作另一視角之立體分解圖。

第四圖 係為本創作NanoSD/MMC記憶卡插入時之示意圖。

第五圖 係為本創作另一實施例之立體分解圖。

第六圖 係為本創作另一實施例另一視角之立體分解圖。

為達成上述自的及功效，本創作所採用之技術手段及其構造，茲繪圖就本創作之較佳實施例詳加說明其特徵與功能如下，俾利完全瞭解。

請參閱第一、二、三、四圖所示，係為本創作之立體外觀圖、立體分解圖、另一視角之立體分解圖及NanoSD/MMC記憶卡插入時之示意圖，由圖中可清楚看出，本創作轉接卡係包括殼體1及轉接模組2，其中：該殼體1為包括有相互組合之基部11及蓋板12，並於基部11及蓋板12內部形成有容置空間10，且基部11位於容置空間10一側處設有插接空間13，而蓋板12位於容置空間10另側處設有至少一個朝外側貫通之鏤空孔14。

該轉接模組2為裝設於殼體1的容置空間10內，並具有定位於容置空間10中之基座21，且基座21為一絕緣座體211，而絕緣座體211前側表面貫設有複數穿孔2111，且絕緣座體211後側表面凹設有複數接點槽2112，再於絕緣座體211相對二側設有相 互形成電性導通之接點組22及對接端子組23，其接點組22具有符合SD規格且露出於複數鏤空孔14處之九個接點221，而對接端子組23具有符合NanoSD/MMC規格且供伸入至插接空間13中之八根對接端子231；至於，該接點組22之九個接點221為包括有由左至右依序排列且定位於複數接點槽2112中之第一訊號接點2201(DATA3)、第二訊號接點2202(Command，CMD)、第一接地導電接點2203〔VSS(GND)〕、電源接點2204(VDD/VCC)、第三訊號接點2205(Clock，CLK)、第二接地導電接點2206〔VSS(GND)〕、第四訊號接點2207(DATA0)、第五訊號接點2208(DATA1)，以及位於第一訊號接點2201左側之第六訊號接點2209(DATA2)，而該轉接模組2之對接端子組23之八根對接端子231為包括有位於前方並由左至右依序排列之第一對接端子2301、第二對接端子2302、第三對接端子2303、第四對接端子2304，以及位於相對後方且由左至右依序排列並供伸入於複數穿孔2111內之第五對接端子2305、第六對接端子2306、第七對接端子2307、第八對接端子2308，其第一對接端子2301為電性連接於第六訊號接點2209，第二對接端子2302為電性連接於電源接點2204，第三對接端子2303為電性連接於第四訊號接點2207，第四對接端子2304為電性連接於第三訊號接點2205，第五對接端子2305為電性連接於第一訊號接點2201，第六對接端子2306為電性連接於第一接地導電接點2203或/及第二接地導電接點2206，第七對接端子2307為電性連 接於第二訊號接點2202，第八對接端子2308為電性連接於第五訊號接點2208，再於第一接地導電接點2203與第二接地導電接點2206後方處為連接有連接片2210，而對接端子組23之八根對接端子231與接點組22之九個接點221間即可利用複數銜接片24來形成電性連接。

上述殼體1之基部11表面周緣處為設有複數凸扣111，且該殼體1之蓋板12底面周緣處設有供複數凸扣111扣入之複數凹孔121，然而，該基部11及蓋板12為透過各凸扣111及各凹孔121相互卡固定位僅係為較佳實施例，但於實際應用時，該基部11與蓋板12亦可透過膠合或鎖接固定等方式進行組裝，其僅需基部11及蓋板12之間形成出可供轉接模組2裝設之容置空間10，以及供支援SD型式記憶卡規格、外觀即可，並非因此侷限本創作之專利範圍，如利用其他修飾及等效結構變化，均應同理包含於本創作之專利範圍內，合予陳明。

本創作於實際使用時，係可利用殼體1之插接空間13來供NanoSD/MMC記憶卡3插設，其NanoSD/MMC記憶卡3一側邊角處為設有傾斜狀之缺角30，並於NanoSD/MMC記憶卡3表面上設有八個金屬接點31，且八個金屬接點31包括有位於後方並由右至左依序排列(即從缺角30處開始排列)之第一訊號金屬接點311、第二訊號金屬接點312、接地金屬接點313、第三訊號金屬接點314，以及位於相對前方且由左至右依序排列之第四訊號金屬接點315、電源金屬接點316、第五訊號金屬接點317、第六訊號金屬接點318，當NanoSD/MMC記憶卡3橫向插入於殼體1之插接空 間13內後，其表面之第四訊號金屬接點315、電源金屬接點316、第五訊號金屬接點317、第六訊號金屬接點318、第三訊號金屬接點314、接地金屬接點313、第二訊號金屬接點312及第一訊號金屬接點311即會分別依序與對接端子組23之第一對接端子2301、第二對接端子2302、第三對接端子2303、第四對接端子2304、第五對接端子2305、第六對接端子2306、第七對接端子2307及第八對接端子2308形成良好電性接觸，進而可供後續使用。

且待NanoSD/MMC記憶卡3穩定插入於殼體1之插接空間13內後，便可將SD型式之殼體1插接於預設電子裝置(如：數位相機、筆記型電腦、桌上型電腦或讀卡機等)可讀取SD規格之讀卡槽(圖中未示出)中，此時，該轉接模組2符合SD規格的接點組22之九個接點221即會與讀卡槽內的複數對接點形成電性導通，藉此傳輸電力、訊號，並進行讀卡作業，然而，由於該對接端子組23之八根對接端子231為銜接於接點組22之九個接點221，且八根對接端子231為與NanoSD/MMC記憶卡3表面之八個金屬接點31形成電性導通，所以該NanoSD/MMC記憶卡3內部的訊號即會透過轉接模組2進行轉換、傳輸，以使預設電子裝置之讀卡槽可透過本創作來讀取NanoSD/MMC記憶卡3內部的資訊，藉以不用再另外添購讀取NanoSD/MMC規格訊號的電子設備，進而達到方便使用、節省成本之效果。

上述NanoSD/MMC記憶卡3的長度、寬度及高度分別為12.3mm、8.8mm及0.7mm。

再請參閱第五、六圖所示，係為本創作另一實施例之立體分解圖及另一實施例另一視角之立體分解圖，由圖中可清楚看出，本創作另一實施例轉接模組2之基座21相較於較佳實施例為一具預設電路佈局之電路板212，並於電路板212前方處設有剖槽2120，且電路板212表面位於剖槽2120周緣處設有複數焊接點2121，再於電路板212表面位於剖槽2120相對二側處穿設複數定位孔2122，而該電路板212相對於剖槽2120另側表面則設有接點組22之九個接點221，另該對接端子組23之八根對接端子231一端延伸有供電性接觸於NanoSD/MMC記憶卡3的複數金屬接點31上之複數對接端2311，再於八根對接端子231另端延伸有供焊接於複數焊接點2121上之焊接端2312，便可再於電路板212上組裝有位於對接端子組23上方處之限位板25，其限位板25二側底面處凸設有定位於複數定位孔2122內之複數定位塊251，並於限位板25內部穿設有供第五對接端子2305、第六對接端子2306、第七對接端子2307、第八對接端子2308露出之複數通孔252，當NanoSD/MMC記憶卡3橫向插入於殼體1之插接空間13內，以進行訊號轉換、傳輸時，其轉接模組2之對接端子組23即可利用電路板212上的預設電路佈局來將訊號轉換、傳輸至接點組22，藉此使預設電子裝置之讀卡槽可讀取NanoSD/MMC記憶卡3，進而亦具有將NanoSD/MMC訊號轉換成SD訊號之效用。

再者，上述NanoSD/MMC記憶卡3插入的過程中，會將對接端子組23之八根對接端子231的複數對接端2311向上 推擠撐開，此時，因限位板25為組裝於對接端子組23上方處呈一限位，所以對接端子組23之八根對接端子231即不易脫離於電路板212上，藉此使八根對接端子231之複數焊接端2312與電路板212之複數焊接點2121維持良好的焊接穩定性，而且，由於限位板25表面穿設有複數通孔252，所以該第五對接端子2305、第六對接端子2306、第七對接端子2307及第八對接端子2308便會受到推擠而伸入於複數通孔252中，以避免影響NanoSD/MMC記憶卡3插入作業，便可藉由限位板25達到具有較佳結構強度，且同時不影響插拔流暢度之效果。

上所述僅為本創作之較佳實施例而已，非因此即侷限本創作之專利範圍，故舉凡運用本創作說明書及圖式內容所為之簡易修飾及等效結構變化，均應同理包含於本創作之專利範圍內，合予陳明。

綜上所述，本創作上述轉接卡於使用時，為確實能達到其功效及目的，故本創作誠為一實用性優異之創作，為符合新型專利之申請要件，爰依法提出申請，盼 審委早日賜准本案，以保障創作人之辛苦創作，倘若 鈞局審委有任何稽疑，請不吝來函指示，創作人定當竭力配合，實感德便。

Claims (10)

1. 一種轉接卡，係包括殼體及轉接模組，其中該殼體為包括有相互組合之基部及蓋板，並於基部及蓋板內部形成有容置空間，且基部位於容置空間一側處設有供預設NanoSD/MMC記憶卡插入之插接空間，而蓋板位於容置空間另側處設有至少一個朝外側貫通之鏤空孔，再於容置空間內設有轉接模組，且轉接模組具有定位於容置空間中之基座，而基座上設有符合SD規格之接點組，其特徵在於：該轉接模組為將NanoSD/MMC訊號轉換成SD訊號，並於轉接模組之接點組包括有露出於至少一個鏤空孔處且與預設NanoSD/MMC記憶卡的複數金屬接點形成電性連接之九個接點，且該九個接點包括有由左至右依序排列之第一訊號接點、第二訊號接點、第一接地導電接點、電源接點、第三訊號接點、第二接地導電接點、第四訊號接點、第五訊號接點，以及位於第一訊號接點左側之第六訊號接點，而該複數金屬接點後方由右至左之第一訊號金屬接點為與第五訊號接點形成電性連接，第二訊號金屬接點為與第二訊號接點形成電性連接，接地金屬接點為與第一接地導電接點或/及第二接地導電接點形成電性連接，第三訊號金屬接點為與第一訊號接點形成電性連接，以及位於前方由左至右之第四訊號金屬接點為與第六訊號接點形成電性連接，電源金屬接點為與電源接點形成電性連接，第五訊號金屬接點為與第四訊號接點形成電性連接，第六訊號金屬接點為與第一訊號接點形成電性連接。
2. 如申請專利範圍第1項所述之轉接卡，其中該殼體之基部表面周緣處 為設有複數凸扣，而該殼體之蓋板底面周緣處設有供複數凸扣扣入之複數凹孔。
3. 如申請專利範圍第1項所述之轉接卡，其中該轉接模組之接點組一側為電性連接有與預設NanoSD/MMC記憶卡的複數金屬接點形成電性接觸之對接端子組，且對接端子組所具之八根對接端子為包括有位於前方並由左至右依序排列之第一對接端子、第二對接端子、第三對接端子、第四對接端子，以及位於相對後方且由左至右依序排列之第五對接端子、第六對接端子、第七對接端子、第八對接端子，且該第一對接端子為電性連接於第六訊號接點，第二對接端子為電性連接於電源接點，第三對接端子為電性連接於第四訊號接點，第四對接端子為電性連接於第三訊號接點，第五對接端子為電性連接於第一訊號接點，第六對接端子為電性連接於第一接地導電接點或/及第二接地導電接點，第七對接端子為電性連接於第二訊號接點，第八對接端子為電性連接於第五訊號接點。
4. 如申請專利範圍第3項所述之轉接卡，其中該轉接模組之基座為一供對接端子組及接點組穿設定位之絕緣座體，並於絕緣座體前側表面貫設有供第五對接端子、第六對接端子、第七對接端子及第八對接端子伸入之複數穿孔，再於絕緣座體後側表面凹設有供接點組的九個接點置入之複數接點槽，而該對接端子組之八根對接端子與接點組之九個接點間為利用複數銜接片來形成電性連接。
5. 如申請專利範圍第3項所述之轉接卡，其中該轉接模組之基座為一具預設電路佈局之電路板，並於電路板前方處設有剖槽，且電路板表面 位於剖槽周緣處設有複數焊接點，再於電路板表面位於剖槽相對二側處穿設複數定位孔，而該電路板相對於剖槽另側表面設有接點組之九個接點，另該對接端子組之八根對接端子一端延伸有供電性接觸於預設NanoSD/MMC記憶卡的複數金屬接點上之複數對接端，再於八根對接端子另端延伸有供焊接於複數焊接點上之焊接端，又於電路板上組裝有位於對接端子組上方處之限位板，其限位板二側底面處凸設有定位於複數定位孔內之複數定位塊，再於限位板內部穿設有供第五對接端子、第六對接端子、第七對接端子、第八對接端子露出之複數通孔。
6. 如申請專利範圍第1項所述之轉接卡，其中該第一接地導電接點與第二接地導電接點後方處為連接有連接片。
7. 一種轉接卡，係包括殼體、轉接模組及NanoSD/MMC記憶卡，其中：該殼體為包括有相互組合之基部及蓋板，並於基部及蓋板內部形成有容置空間，且基部位於容置空間一側處設有插接空間，而蓋板位於容置空間另側處設有至少一個朝外側貫通之鏤空孔；該轉接模組為裝設於殼體的容置空間內且將NanoSD/MMC訊號轉換成SD訊號，並具有定位於容置空間中之基座，而基座上設有符合SD規格之接點組，且接點組包括有露出於至少一個鏤空孔處之九個接點，而該九個接點包括有由左至右依序排列之第一訊號接點、第二訊號接點、第一接地導電接點、電源接點、第三訊號接點、第二接地導電接點、第四訊號接點、第五訊號接點，以及位於第一訊號接 點左側之第六訊號接點；該NanoSD/MMC記憶卡為插設於殼體之插接空間內，並於NanoSD/MMC記憶卡表面上設有與接點組的九個接點形成電性連接之八個金屬接點，其八個金屬接點為包括有位於後方並由右至左依序排列第一訊號金屬接點、第二訊號金屬接點、接地金屬接點、第三訊號金屬接點，以及位於相對前方且由左至右依序排列之第四訊號金屬接點、電源金屬接點、第五訊號金屬接點、第六訊號金屬接點，而該第一訊號金屬接點為與第五訊號接點形成電性連接，第二訊號金屬接點為與第二訊號接點形成電性連接，接地金屬接點為與第一接地導電接點或/及第二接地導電接點形成電性連接，第三訊號金屬接點為與第一訊號接點形成電性連接，第四訊號金屬接點為與第六訊號接點形成電性連接，電源金屬接點為與電源接點形成電性連接，第五訊號金屬接點為與第四訊號接點形成電性連接，第六訊號金屬接點為與第一訊號接點形成電性連接。
8. 如申請專利範圍第7項所述之轉接卡，其中該轉接模組之接點組一側為電性連接有與NanoSD/MMC記憶卡的複數金屬接點形成電性接觸之對接端子組，且對接端子組所具之八根對接端子為包括有位於前方並由左至右依序排列之第一對接端子、第二對接端子、第三對接端子、第四對接端子，以及位於相對後方且由左至右依序排列之第五對接端子、第六對接端子、第七對接端子、第八對接端子，且該第一對接端子一端為電性連接於第六訊號接點，第二對接端子一端為電性連接於電源接點，第三對接端子一端為電性連接於第四訊號接點， 第四對接端子一端為電性連接於第三訊號接點，第五對接端子一端為電性連接於第一訊號接點，第六對接端子一端為電性連接於第一接地導電接點或/及第二接地導電接點，第七對接端子一端為電性連接於第二訊號接點，第八對接端子一端為電性連接於第五訊號接點，而第一對接端子、第二對接端子、第三對接端子、第四對接端子、第五對接端子、第六對接端子、第七對接端子及第八對接端子另端則電性連接於第四訊號金屬接點、電源金屬接點、第五訊號金屬接點、第六訊號金屬接點、第三訊號金屬接點、接地金屬接點、第二訊號金屬接點、第一訊號金屬接點。
9. 如申請專利範圍第7項所述之轉接卡，其中該第一接地導電接點與第二接地導電接點後方處為連接有連接片。
10. 如申請專利範圍第7項所述之轉接卡，其中該NanoSD/MMC記憶卡的長度、寬度及高度分別為12.3、8.8及0.7mm，且該NanoSD/MMC記憶卡相鄰於第一訊號金屬接點一側邊角處設有傾斜狀之缺角。